專利名稱：薄膜晶體管元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管元件(thin film transistor，TFT)的制造方法，特別是涉及一種薄膜晶體管元件中柵極的制造方法。
背景技術(shù)：
底柵極型(bottom-gate type)薄膜晶體管元件目前已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)中。請參閱圖1A，其顯示傳統(tǒng)的底柵極型薄膜晶體管結(jié)構(gòu)100。該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)100包括一玻璃基板110、一金屬柵極120、一柵極絕緣層130、一通道層(channel layer)140、一歐姆接觸層150以及一源/漏極層160、170。
隨著TFT-LCD的尺寸增加，包含薄膜晶體管柵極的金屬柵極線(metalgate line)就必須要符合低電阻的要求。由于銅和銅合金材料具有相當(dāng)?shù)偷碾娮瑁允怯脕碜鳛闁艠O材料的最佳選擇。然而，銅材料和玻璃基板之間的附著性(adhesion)不佳，而且銅元素也會擴(kuò)散到絕緣層(例如SiO2層)內(nèi)，而影響元件品質(zhì)。更者，由于銅材料容易變形，所以特別是在進(jìn)行膜沉積的等離子體工藝(例如是等離子體加強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，PECVD)中，銅材料會和等離子體工藝中的氣體反應(yīng)而造成銅材料表面粗糙(roughness)以及增加阻值等不良影響。
在美國專利第6165917號中，Batey等人有揭示一種鈍化(passivate)銅層的方法。該方法是沉積一層不合氨(ammonia-free)的氮化硅層覆蓋銅柵極，用以當(dāng)作是銅柵極的蓋層(cap layer)。
在美國專利早期公開第2002/0042167號中，Chae等人有揭示一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。該方法是先形成例如是鉭(Ta)或鉻(Cr)或鈦(Ti)或鎢(W)層的第一金屬層于玻璃基板上，然后再形成當(dāng)作第二金屬層的銅層于第一金屬層上，接著經(jīng)由熱處理而使第一金屬層擴(kuò)散至銅層表面并氧化，因而構(gòu)成一柵極結(jié)構(gòu)。
圖1B是顯示傳統(tǒng)的底柵極型薄膜晶體管結(jié)構(gòu)100a。于玻璃基板110上形成由摻雜的銅合金或固溶的銅合金所構(gòu)成的金屬柵極120，接著經(jīng)由熱處理而使金屬柵極120中的摻雜或固溶物擴(kuò)散至金屬柵極120表面并氧化成一氧化層125，因而構(gòu)成一氧化層125裹覆的柵極結(jié)構(gòu)120。然而，單層結(jié)構(gòu)的摻雜的銅合金或固溶的銅合金所構(gòu)成的金屬柵極120的電阻系數(shù)Rs較高，一般介于4～8μΩ-cm，不符TFT元件的需求。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種薄膜晶體管元件的制造方法，藉由多層的金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)，并在堆棧結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成氧化層，使得金屬柵極與玻璃基板之間的附著性可獲得改善，且金屬柵極能藉由氧化層的保護(hù)而不會受到后續(xù)的等離子體工藝損傷，最重要的是，金屬柵極的電阻系數(shù)仍可維持很低。
為達(dá)上述的目的，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管元件的制造方法，包括下列步驟形成一第一摻雜金屬層于一絕緣基板上；形成一第二金屬層于第一摻雜金屬層上；圖案化第一摻雜金屬層及第二金屬層，以形成一圖案化的金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)；將絕緣基板施以一退火工藝，使第一摻雜金屬層中的摻雜元素擴(kuò)散至金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)的表面并氧化，以形成一氧化層披覆圖案化的金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上；形成一柵極絕緣層于絕緣基板上覆蓋圖案化的金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)；形成一含硅的半導(dǎo)體層于柵極絕緣層上；以及形成一源極與一漏極于部分含硅的半導(dǎo)體層上。
為達(dá)上述的目的，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管元件的制造方法，包括下列步驟形成一第一摻雜金屬層于一絕緣基板上；形成一第二金屬層于第一摻雜金屬層上；形成一第三摻雜金屬層于第二金屬層上；圖案化第一摻雜金屬層、第二金屬層及第三摻雜金屬層形成一圖案化金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)；將絕緣基板施以一退火工藝，使第一摻雜金屬層或第三摻雜金屬層中的摻雜元素擴(kuò)散至金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)的表面并氧化，以形成一氧化層披覆圖案化金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上；形成一柵極絕緣層于絕緣基板上覆蓋金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)；形成一含硅的半導(dǎo)體層于柵極絕緣層上；以及形成一源極與一漏極于部分該含硅的半導(dǎo)體層上。
根據(jù)本發(fā)明，金屬柵極與玻璃基板之間的附著性可藉由第一摻雜金屬層而獲得改善。還有，當(dāng)在進(jìn)行后續(xù)的沉積絕緣層的等離子體工藝時，金屬柵極能藉由氧化層或第三摻雜金屬層的保護(hù)而不會受到不良影響。最重要的是，第二金屬層為低電阻材料，使得金屬柵極的電阻系數(shù)仍可維持很低。如此，本發(fā)明能夠提高產(chǎn)品可靠性與解決現(xiàn)有問題。
為讓本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠明顯易懂，以下配合附圖以及優(yōu)選實(shí)施例，以更詳細(xì)地說明本發(fā)明。


圖1A及1B是現(xiàn)有薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2A至2E是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的工藝剖面示意圖；以及圖3A至3E是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的工藝剖面示意圖。
簡單符號說明100～薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；110、210、310～絕緣基板；120～柵極；125～氧化層；220、320～柵極堆棧結(jié)構(gòu)；222、322～第一摻雜金屬層；224、324～第二金屬層；326～第三摻雜金屬層；228、328～氧化層；130、230、330～柵極絕緣層；140、240、340～通道層；150、250、350～歐姆接觸層；160、260、360～源極；170、270、370～漏極；以及280、380～保護(hù)層。
具體實(shí)施例方式
第一實(shí)施例圖2A-2E是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的TFT元件的工藝剖面圖。
請參閱圖2A，首先形成一第一摻雜金屬層222于一絕緣基板210上。該絕綠基板210例如是玻璃或石英基板。該第一摻雜金屬層222的材料由銅合金所構(gòu)成，包括摻雜鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎢(W)、鉭(Ta)、鎂(Mg)、釹(Nd)、鋯(Zr)、鋁(Al)或鎳(Ni)元素的銅合金。第一摻雜金屬層222的材料亦可由銀合金所構(gòu)成，包括摻雜鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、釤(Sm)、鈀(Pd)、金(Au)、銅(Cu)元素的銀合金。藉由化學(xué)氣相沉積法(CVD)或物理氣相沉積法(PVD)所沉積而形成，厚度范圍大致上介于500至1000埃()。接著，形成一第二金屬層224于第一摻雜金屬層222上。第二金屬層224的材料包含Cu、Ag、Al或Ag-Pd-Cu或上述金屬的合金。藉由化學(xué)氣相沉積法(CVD)或物理氣相沉積法(PVD)所沉積而形成，厚度范圍大致上介于1000至4000埃()。第一摻雜金屬層222及第二金屬層224可于同一真空腔體中、同一真空步驟中形成。第二金屬層224需具有低電阻系數(shù)Rs范圍大致上介于1.5至6μΩ-cm。
請參閱圖2B，藉由傳統(tǒng)的光刻及蝕刻工藝圖案化上述第一摻雜金屬層222及第二金屬層224而形成一柵極堆棧結(jié)構(gòu)220。圖案化的金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)220藉由蝕刻法形成斜面?zhèn)冗?，以利后續(xù)步驟中各覆蓋層的階梯覆蓋性。這里要說明的是，由于柵極堆棧結(jié)構(gòu)220與絕緣基板210之間夾有當(dāng)作是粘著層的第一摻雜金屬層222，所以增加了柵極堆棧結(jié)構(gòu)220與絕緣基板210之間的附著力。
請參閱圖2C，氧化層228通過熱工藝形成，即施以一退火工藝于絕緣基板210及其上的柵極堆棧結(jié)構(gòu)220，使得第一摻雜金屬層222內(nèi)的摻雜元素，藉熱擴(kuò)散至柵極堆棧結(jié)構(gòu)220的側(cè)壁，再進(jìn)一步氧化形成氧化層228于柵極堆棧結(jié)構(gòu)220的側(cè)壁上。氧化層228包括氧化鉬(MoOx)、氧化鉻(CrOx)、氧化鈦(TiOx)、氧化鎢(WOx)、氧化鉭(TaOx)、氧化釹(NdOx)、氧化鋯(ZrOx)、氧化鋁(AlOx)、氧化釤(SmOx)、氧化鈀(PdOx)、氧化鎂(MgOx)、氧化鋰(LiOx)、或氧化鎳(NiOx)。氧化層228的厚度大致上上小于或等于30納米(nm)。
請參閱圖2D，接著形成一柵極絕緣層230于該絕緣基板210上方而覆蓋該柵極堆棧結(jié)構(gòu)220與氧化層228。柵極絕緣層230可以是經(jīng)由PECVD法所沉積的氧化硅(SiOx)層或氮化硅(SiNx)層或氮氧化硅(SiONx)層或氧化鉭(TaOx)層或氧化鋁(AlxOy)層。
仍請參閱圖2D，然后形成一半導(dǎo)體層(未圖示)于該柵極絕緣層230上，其中該半導(dǎo)體層例如包括經(jīng)由CVD法所沉積的多晶硅層(poly-silicon layer)或非晶硅層(amorphous silicon layer)與經(jīng)摻雜的硅層(impurity-added siliconlayer)。之后，藉由傳統(tǒng)的光刻及蝕刻工藝圖案化上述半導(dǎo)體層而形成一通道層240以及一歐姆接觸層250。其中該歐姆接觸層250例如是摻雜n型離子(例如磷(P)或砷(As))的硅層。
請參閱圖2E，然后將例如是經(jīng)由濺射法所沉積的鋁(Al)或鉬(Mo)或鉻(Cr)或鎢(W)或鉭(Ta)或鈦(Ti)或鎳(Ni)或上述金屬的合金的一金屬層(未圖示)形成于該歐姆接觸層250與該柵極絕緣層230上。之后，藉由傳統(tǒng)的光刻工藝圖案化上述金屬層而形成一源極260與一漏極270。其次，以該源極260與該漏極270為掩模，蝕刻去除曝露的歐姆接觸層250。接著，形成一保護(hù)層280于絕緣基板210上，以保護(hù)該薄膜晶體管元件的表面。如此，則得到了一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，如圖2E所示。
另外，這里要特別說明的是，當(dāng)本發(fā)明應(yīng)用于薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)時，由于該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵極與面板上的柵極線(gate line)是同時形成的，所以柵極線與絕緣基板210之間也可根據(jù)本發(fā)明工藝而同樣夾有第一摻雜金屬層222，與門極線的側(cè)壁同樣可形成氧化層228。為簡化本發(fā)明說明，在此不再贅述現(xiàn)有TFT-LCD面板的工藝。
第二實(shí)施例圖3A-3E是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的TFT元件的工藝剖面圖。
請參閱圖3A，首先形成一第一摻雜金屬層322于一絕緣基板310上。該絕緣基板310例如是玻璃或石英基板。該第一摻雜金屬層322的材料由銅合金所構(gòu)成，包括摻雜Mo、Cr、Ti、W、Ta、Mg、Nd、Zr、Al或Ni元素的銅合金。第一摻雜金屬層322的材料亦可由銀合金所構(gòu)成，包括摻雜Li、Mg、Al、Sm、Pd、Au、Cu元素的銀合金。藉由CVD或PVD所沉積而形成，厚度范圍大致上介于500至1000埃()。接著，形成一第二金屬層324于第一摻雜金屬層322上。第二金屬層324的材料包含Cu、Ag、Al或Ag-Pd-Cu或上述金屬的合金。藉由化學(xué)氣相沉積法(CVD)或物理氣相沉積法(PVD)所沉積而形成，厚度范圍大致上介于1000至4000。第一摻雜金屬層322及第二金屬層324可于同一真空腔體中、同一真空步驟中形成。第二金屬層324需具有低電阻系數(shù)Rs范圍大致上介于1.5至6μΩ-cm。
接著，形成一第三摻雜金屬層326于第二金屬層324上。該第三摻雜金屬層326的材料由銅合金所構(gòu)成，包括摻雜Mo、Cr、Ti、W、Ta、Mg、Nd、Zr、Al或Ni元素的銅合金。第三摻雜金屬層326的材料亦可由銀合金所構(gòu)成，包括摻雜Li、Mg、Al、Sm、Pd、Au、Cu元素的銀合金。藉由CVD或PVD所沉積而形成，厚度范圍大致上介于500至1000。第一摻雜金屬層322、第二金屬層324及第三摻雜金屬層326可于同一真空腔體中、同一真空步驟中形成。
請參閱圖3B，藉由傳統(tǒng)的光刻及蝕刻工藝圖案化上述第一摻雜金屬層322、第二金屬層324及第三摻雜金屬層326，而形成一柵極堆棧結(jié)構(gòu)320。圖案化的金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)320藉由蝕刻法形成斜面?zhèn)冗?，以利后續(xù)步驟中各覆蓋層的階梯覆蓋性。這里要說明的是，由于柵極堆棧結(jié)構(gòu)320與絕緣基板310之間夾有當(dāng)作是粘著層的第一摻雜金屬層322，所以增加了柵極堆棧結(jié)構(gòu)320與絕緣基板310之間的附著力。又由于柵極堆棧結(jié)構(gòu)320的最上層有當(dāng)作是保護(hù)層的第三摻雜金屬層326，所以可避免柵極堆棧結(jié)構(gòu)320于后續(xù)等離子體工藝時所受等離子體的損傷。
請參閱圖3C，氧化層328藉熱工藝形成，即施以一退火工藝于絕緣基板310及其上的柵極堆棧結(jié)構(gòu)320，使得第一摻雜金屬層322及第三摻雜金屬層326內(nèi)的摻雜元素，藉熱擴(kuò)散至柵極堆棧結(jié)構(gòu)320的側(cè)壁，再進(jìn)一步氧化形成氧化層328于柵極堆棧結(jié)構(gòu)320的側(cè)壁上。氧化層328包括MoOx、CrOx、TiOx、WOx、TaOx、NdOx、ZrOx、AlOx、SmOx、PdOx、MgOx、LiOx、或NiOx。氧化層328的厚度大致上上小于或等于30nm。
請參閱圖3D，接著形成一柵極絕緣層330于該絕緣基板310上方而覆蓋該柵極堆棧結(jié)構(gòu)320與氧化層328。柵極絕緣層330可以是經(jīng)由PECVD法所沉積的SiOx層或SiNx層或SiONx層或TaOx層或AlxOy層。
仍請參閱圖3D，然后形成一半導(dǎo)體層(未圖示)于該柵極絕緣層330上，其中該半導(dǎo)體層例如包括經(jīng)由CVD所沉積的多晶硅層(poly-silicon layer)或非晶硅層(amorphous silicon layer)與經(jīng)摻雜的硅層(impurity-added siliconlayer)。之后，藉由傳統(tǒng)的光刻及蝕刻工藝圖案化上述半導(dǎo)體層而形成一通道層340以及一歐姆接觸層350。其中該歐姆接觸層350例如是摻雜n型離子(例如P或As)的硅層。
請參閱圖3E，然后將例如是經(jīng)由濺射法所沉積的Al或Mo或Cr或W或Ta或Ti或Ni或上述金屬的合金的一金屬層(未圖示)形成于該歐姆接觸層350與該柵極絕緣層330上。之后，藉由傳統(tǒng)的光刻工藝圖案化上述金屬層而形成一源極360與一漏極370。其次，以該源極360與該漏極370為掩模，蝕刻去除曝露的歐姆接觸層350。接著，形成一保護(hù)層380于絕緣基板310上，以保護(hù)該薄膜晶體管元件的表面。如此，則得到了一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，如圖3E所示。
另外，這里要特別說明的是，當(dāng)本發(fā)明應(yīng)用于TFT-LCD時，由于該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵極與面板上的柵極線(gate line)是同時形成的，所以柵極線與絕緣基板310之間也可根據(jù)本發(fā)明工藝而同樣夾有第一摻雜金屬層322，與門極線的側(cè)壁同樣可形成氧化層328。為簡化本發(fā)明說明，在此不再贅述現(xiàn)有TFT-LCD面板的工藝。
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管元件的制造方法，其特征在于形成氧化層于金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上。
根據(jù)本發(fā)明，金屬柵極與絕緣基板之間的附著性可藉由第一摻雜金屬層而獲得改善。還有，當(dāng)在進(jìn)行后續(xù)的沉積絕緣層的等離子體工藝時，金屬柵極能藉由第三摻雜金屬層與氧化層的保護(hù)而不會受到損傷。最重要的是，金屬柵極堆棧中第二金屬層的電阻系數(shù)仍可維持很低。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管元件的制造方法，包括下列步驟形成一第一摻雜金屬層于一絕緣基板上；形成一第二金屬層于該第一摻雜金屬層上；圖案化該第一摻雜金屬層及該第二金屬層，以形成一圖案化的金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)；將該金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)施以一退火工藝，第一摻雜金屬層中的摻雜元素擴(kuò)散至該金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)的表面并氧化，以形成一氧化層披覆該金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上；形成一柵極絕緣層于絕緣基板上覆蓋該金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)；形成一含硅的半導(dǎo)體層于該柵極絕緣層上；以及形成一源極與一漏極于部分該含硅的半導(dǎo)體層上。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管元件的制造方法，其中該第一摻雜金屬層由銅合金所構(gòu)成，該銅合金包括一組由鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎢(W)、鉭(Ta)、鎂(Mg)、釹(Nd)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鎳(Ni)或以上摻雜元素的組合。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管元件的制造方法，其中該第一摻雜金屬層由銀合金所構(gòu)成，包括摻雜鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、釤(Sm)、鈀(Pd)、金(Au)、銅(Cu)或以上摻雜元素的組合。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管元件的制造方法，其中第二金屬層包括一組由銅(Cu)、銀(Ag)、鋁(Al)、銀-鈀-銅(Ag-Pd-Cu)或以上金屬的合金。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管元件的制造方法，其中該第一摻雜金屬層及該第二金屬層于同一真空腔體中、同一真空步驟中形成。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管元件的制造方法，其中該氧化層由該第一摻雜金屬層加熱后所釋出的元素的氧化物所構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管元件的制造方法，其中該氧化層藉熱工藝形成，厚度大致上等于或小于30nm。
8.一種薄膜晶體管元件的制造方法，包括下列步驟形成一第一摻雜金屬層于一絕緣基板上；形成一第二金屬層于該第一摻雜金屬層上；形成一第三摻雜金屬層于該第二金屬層上；圖案化該第一摻雜金屬層、該第二金屬層及該第三摻雜金屬層，以形成一圖案化的金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)；將該絕緣基板施以一退火工藝，使該第一摻雜金屬層及第三摻雜金屬層中的摻雜元素擴(kuò)散至該金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)的表面并氧化，以形成一氧化層披覆該金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上；形成一柵極絕緣層于絕緣基板上覆蓋該金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)；形成一含硅的半導(dǎo)體層于該柵極絕緣層上；以及形成一源極與一漏極于部分該含硅的半導(dǎo)體層上。
9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管元件的制造方法，其中該第一摻雜金屬層由銅合金所構(gòu)成，包括一組由摻雜Mo、Cr、Ti、W、Ta、Mg、Nd、Zr、Al、Ni或以上摻雜元素的組合。
10.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管元件的制造方法，其中該第一摻雜金屬層由銀合金所構(gòu)成，包括一組由摻雜Li、Mg、Al、Sm、Pd、Au、Cu或以上摻雜元素的組合。
11.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管元件的制造方法，其中第二金屬層包括一組由Cu、Ag、Al、Ag-Pd-Cu或以上金屬的合金。
12.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管元件的制造方法，其中該第三摻雜金屬層由銅合金所構(gòu)成，包括一組由摻雜Mo、Cr、Ti、W、Ta、Mg、Nd、Zr、Al、Ni或以上摻雜元素的組合。
13.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管元件的制造方法，其中該第三摻雜金屬層由銀合金所構(gòu)成，包括一組由摻雜Li、Mg、Al、Sm、Pd、Au、Cu或以上摻雜元素的組合。
14.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管元件的制造方法，其中該第一摻雜金屬層、該第二金屬層及該第三摻雜金屬層于同一真空腔體中、同一真空步驟中形成。
15.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管元件的制造方法，其中該氧化層由該第一摻雜金屬層及該第三摻雜金屬層加熱后所釋出的元素的氧化物所構(gòu)成。
16.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管元件的制造方法，其中該氧化層藉熱工藝形成，厚度大致上等于或小于30nm。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管元件的制造方法，包括形成第一摻雜金屬層于絕緣基板上。形成一第二金屬層于第一摻雜金屬層上。圖案化第一摻雜金屬層及第二金屬層以形成一圖案化的金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)。將絕緣基板施以一退火工藝，使第一摻雜金屬層中的摻雜元素擴(kuò)散至金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)的表面并氧化，以形成一氧化層披覆圖案化的金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上。形成一柵極絕緣層于絕緣基板上覆蓋金屬柵極堆棧結(jié)構(gòu)。形成一半導(dǎo)體層于柵極絕緣層上，以及形成一源極與一漏極于部分該半導(dǎo)體層上。
文檔編號G02F1/13GK1622300SQ200410100238
公開日2005年6月1日 申請日期2004年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月13日
發(fā)明者甘豐源, 林漢涂 申請人:友達(dá)光電股份有限公司