專利名稱：液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器件，更具體地，本發(fā)明涉及一種能夠減少用于制造薄膜晶體管的掩模數(shù)量的多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
在當(dāng)前面向信息的社會中，可視顯示裝置的重要性不斷增長。必須滿足對具有功耗低、厚度薄、重量輕和高圖像質(zhì)量的更好的顯示裝置的需求。因為LCD(液晶顯示)器件的特性滿足所有這些條件并適合于批量生產(chǎn)，所以已經(jīng)快速地開發(fā)出了各種新的LCD產(chǎn)品。LCD器件已經(jīng)成為逐漸取代傳統(tǒng)的CRT(陰極射線管)器件的核心技術(shù)。
通常，液晶顯示器件通過根據(jù)圖像信息將數(shù)據(jù)信號分別提供給設(shè)置為矩陣形式的多個液晶單元，來調(diào)節(jié)液晶單元的透光率，以顯示圖像。為了實現(xiàn)此目的，液晶顯示器件包括濾色器基板、陣列基板以及形成在濾色器基板和陣列基板之間的液晶材料層。
薄膜晶體管(TFT)通常用作為液晶顯示器件的開關(guān)器件。此外，將非晶硅薄膜或多晶硅薄膜用作為薄膜晶體管的溝道層。
在液晶顯示器件的制造工藝中，需要大量的掩模工藝(即，光刻工藝)來制造包括薄膜晶體管的陣列基板。需要減少掩模工藝的數(shù)量。
圖1是說明現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示器件的陣列基板的一部分的平面圖，其中為了方便僅示出一個像素，盡管應(yīng)該理解，如果N條選通線和M條數(shù)據(jù)線彼此交叉，那么實際的液晶顯示器件中就存在N×M個像素。
在圖1中，在陣列基板10上分別縱向和橫向地設(shè)置多條選通線16和數(shù)據(jù)線17，以在基板10上限定多個像素區(qū)域。此外，在選通線16和數(shù)據(jù)線17的各個交叉點處形成薄膜晶體管，并且在各個像素區(qū)域形成像素電極18。
薄膜晶體管包括連接到選通線16的柵極21、連接到數(shù)據(jù)線17的源極22、以及連接到像素電極18的漏極23。此外，薄膜晶體管還包括第一和第二絕緣層(未示出)，用于將柵極21與源極22和漏極23絕緣；以及有源層24，用于通過提供給柵極21的柵電壓在源極22和漏極23之間形成導(dǎo)電溝道。
源極22通過形成在絕緣層上的第一接觸孔40a電連接到有源層24的源區(qū)，而漏極23通過第一接觸孔40a電連接到有源層24的漏區(qū)。在漏極23上形成設(shè)置有第二接觸孔40b的第三絕緣層(未示出)，以使漏極23和像素電極18通過第二接觸孔40b彼此電連接。
此后，將參照圖2A到2F更加詳細(xì)地描述普通液晶顯示器件的制造工藝。
圖2A到2F是沿圖1的線I-I’截取的剖面圖。圖2A到2F示出了液晶顯示器件的制造工藝，其中薄膜晶體管是使用晶體硅作為有源層的多晶硅薄膜晶體管，并且該薄膜晶體管被形成為共面結(jié)構(gòu)，其中柵極、源極和漏極位于與有源層相同的平面上。
在圖2A中，使用光刻工藝(在下文中稱為“光學(xué)工藝”)，在基板10上形成由多晶硅層構(gòu)成的有源圖案24。
在圖2B中，在形成有源圖案24的基板10的整個表面上依次淀積第一絕緣層15a和導(dǎo)電金屬層，然后使用光學(xué)工藝對導(dǎo)電金屬材料進行構(gòu)圖，由此在有源圖案24上形成柵極21，并在兩者之間插入第一絕緣層15a。
使用柵極21作為掩模，將高濃度的雜質(zhì)離子注入到有源圖案24的預(yù)定區(qū)域中，由此形成p+或n+型源區(qū)24a和漏區(qū)24b。源區(qū)24a和漏區(qū)24b被形成為與將在后面描述的源極和漏極歐姆接觸。
在圖2C中，在形成柵極21的基板10的整個表面上淀積第二絕緣層15b，并且通過光學(xué)工藝部分地去除第二絕緣層15b和第一絕緣層15a，由此形成部分地曝露源區(qū)24a和漏區(qū)24b的第一接觸孔40a。
在圖2D中，在基板10的整個表面上淀積導(dǎo)電金屬材料并執(zhí)行光學(xué)工藝，由此形成通過第一接觸孔40a連接到源區(qū)24a的源極22和連接到漏區(qū)24b的漏極23。構(gòu)成源極22的導(dǎo)電金屬層的一部分沿一個方向延伸，由此形成數(shù)據(jù)線17。
在圖2E中，在基板10的整個表面上淀積第三絕緣層15c，并通過光學(xué)工藝形成曝露部分漏極23的第二接觸孔40b。
在圖2F中，在形成第三絕緣層15c的基板10的整個表面上淀積透明導(dǎo)電材料，并通過光學(xué)工藝形成穿過第二接觸孔40b連接到漏極23的像素電極18。
如上所述，為了制造包括多晶硅薄膜晶體管的液晶顯示器件，需要至少六個光學(xué)工藝來對元件(例如，有源圖案、柵極、第一接觸孔、源極和漏極、第二接觸孔、以及像素電極)進行構(gòu)圖。
光學(xué)工藝是用于在淀積有薄膜的基板上通過對形成在掩模上的圖案進行轉(zhuǎn)換來形成所需圖案的一系列工藝，并且包括諸如光刻膠淀積、曝光、顯影工藝等的多個工藝。因此，光學(xué)工藝降低了產(chǎn)量，并且會在所形成的薄膜晶體管上產(chǎn)生缺陷。
此外，因為設(shè)計用來形成圖案的光學(xué)掩模非常昂貴，所以當(dāng)在工藝中所使用的掩模數(shù)量增加時，液晶顯示器件的制造成本就會成比例地增加。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明致力于一種多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器件及其制造方法，其基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點而導(dǎo)致的一個或更多個問題。
為了解決上述問題，本發(fā)明的一個優(yōu)點是提供一種能夠減少掩模數(shù)量的多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器件及其制造方法。
就是說，本發(fā)明的優(yōu)點是提供一種通過同時對柵極和像素電極進行構(gòu)圖來改進接觸孔工藝以能夠減少掩模數(shù)量的液晶顯示器件及其制造方法。
為了實現(xiàn)該目的，首先形成用于構(gòu)成像素電極的透明導(dǎo)電層，然后接著形成用于柵極的導(dǎo)電金屬層。然后，通過一個光學(xué)工藝，同時對柵極和像素電極進行構(gòu)圖。在此，在形成接觸孔時，可以通過露出像素電極區(qū)域來去除剩余在像素電極圖案上的導(dǎo)電金屬層。
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點，并根據(jù)本發(fā)明的目的，正如在此具體實施并廣泛描述的，提供了一種液晶顯示器件，其包括絕緣基板；在該基板上的有源圖案；在該基板上的第一絕緣層；在該基板上同時進行構(gòu)圖的柵極和像素電極；在該基板上并設(shè)置有接觸孔的第二絕緣層；以及在該基板上并且分別通過該接觸孔連接到源區(qū)和漏區(qū)的源極和漏極。
使源極的一部分延伸，由此連接到數(shù)據(jù)線，并使漏極的一部分朝像素區(qū)域延伸，由此連接到像素電極。
像素電極由諸如銦錫氧化物或銦鋅氧化物的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成，而柵極可以由在與像素電極相同的透明導(dǎo)電材料上淀積不透明導(dǎo)電材料的雙層而構(gòu)成。
還可以包括平行于選通線的像素區(qū)域中的存儲電極，并且在該存儲電極和像素電極之間插入第一絕緣層來構(gòu)成存儲電容器(storagecapacity)。
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點，并根據(jù)本發(fā)明的目的，正如在此具體實施并廣泛描述的，還提供了一種液晶顯示器件的制造方法，該方法包括以下步驟提供一基板；在該基板上形成有源圖案；在該基板上形成第一絕緣層；在該基板上形成柵極和像素電極；在該基板上形成設(shè)置有接觸孔的第二絕緣層；以及形成通過該接觸孔分別連接到源區(qū)和漏區(qū)的源極和漏極。
在形成有源圖案時，還可以包括使用與有源圖案相同的材料在像素區(qū)域中形成存儲電極的步驟，并且在該存儲電極和像素電極之間插入第一絕緣層可以構(gòu)成存儲電容器。
同時形成柵極和像素電極的步驟包括以下步驟在基板上依次形成第一導(dǎo)電金屬層和第二導(dǎo)電金屬層；對第二和第一導(dǎo)電金屬層進行構(gòu)圖，并由此形成柵極圖案和像素電極圖案；在基板上形成第二絕緣層；部分地去除第二絕緣層和第一絕緣層，并由此形成部分地曝露源區(qū)和漏區(qū)的接觸孔；去除像素電極圖案上的第二絕緣層；以及去除剩余在像素電極圖案上的第二導(dǎo)電金屬圖案。
這里，第一導(dǎo)電金屬層或第二導(dǎo)電金屬層可以由諸如銦錫氧化物或銦鋅氧化物的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成，并且第二導(dǎo)電金屬層可以由諸如Al、Al合金、W、Cu、Cr和Mo的不透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。
用于形成接觸孔的接觸孔掩模包括像素電極圖案，并且可以使用該掩模去除像素電極圖案上的第二絕緣層。
應(yīng)該理解，以上一般性描述和以下的詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的，旨在提供對所要求保護的本發(fā)明的進一步解釋。


包含附圖以提供對本發(fā)明的進一步理解，并結(jié)合附圖構(gòu)成本申請的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施例并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中圖1是說明普通液晶顯示器件的陣列基板的一部分的平面圖。
圖2A到2F是依次說明沿圖1的線I-I’截取的液晶顯示器件的制造工藝的剖面圖。
圖3是說明根據(jù)本發(fā)明一個實施例的液晶顯示器件的陣列基板的一部分的平面圖。
圖4A到4E是依次說明沿圖3的線III-III’截取的液晶顯示器件的制造工藝的示例性視圖。
圖5是說明根據(jù)本發(fā)明第二實施例的液晶顯示器件的陣列基板的一部分的平面圖。
圖6A到6E是依次說明沿圖5的線V-V’截取的液晶顯示器件的制造工藝的示例性視圖。
具體實施例方式現(xiàn)對本發(fā)明的實施例進行詳細(xì)描述，在附圖中示出了其示例。
有源矩陣(AM)是液晶顯示器件中常用的一種驅(qū)動方法。AM LCD器件在各個像素中使用薄膜晶體管作為開關(guān)器件來驅(qū)動液晶顯示器件中的像素區(qū)域的各個像素?？梢允褂梅蔷Ч杌蚨嗑Ч枳鳛楸∧ぞw管的溝道層。
1979年，英國人LeComber等第一次描述了非晶硅薄膜晶體管技術(shù)，并且在1986年，非晶硅薄膜晶體管商業(yè)應(yīng)用于3英寸液晶便攜式電視。最近，已經(jīng)開發(fā)了具有超過50英寸的大顯示面積的非晶硅液晶顯示器件。
然而，因為外圍電路在超過1MHz的條件下工作，所以大約(＜1cm2/Vsec)的非晶硅薄膜晶體管的場效應(yīng)遷移率就妨礙了它在將信號提供給像素區(qū)域的外圍電路中的使用。因此，正在積極地研究使用場效應(yīng)遷移率大于非晶硅薄膜晶體管的多晶硅薄膜晶體管在玻璃基板上同時一起形成像素區(qū)域中的開關(guān)晶體管以及驅(qū)動電路區(qū)域中的外圍電路。
多晶硅薄膜晶體管技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用于便攜式攝像機和其它小顯示器的便攜式裝置的小模塊。由于多晶硅薄膜晶體管的低感光性、高電場效應(yīng)、以及遷移率，使得可以在基板上直接制造驅(qū)動電路。
增大的遷移率提高了驅(qū)動電路的工作頻率，該工作頻率決定了能夠驅(qū)動的像素的數(shù)量，以保持足夠的顯示能力。更具體地，提高的頻率降低了將信號提供給像素的充電時間，由此減少了信號的失真并且提高了圖像質(zhì)量。
此外，因為與具有大約25V的高驅(qū)動電壓的非晶硅薄膜晶體管相比較，多晶硅薄膜晶體管具有低于10V的驅(qū)動電壓，所以多晶硅薄膜晶體管消耗更少的電力。
然而，制造包括多晶硅薄膜晶體管的液晶顯示器件需要大量的光學(xué)工藝，由此增加了制造成本。
為了解決這個問題，必須減少在制造薄膜晶體管時使用的掩模數(shù)量。
在下文中，將參照附圖更加詳細(xì)地解釋根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件及其制造方法。
圖3是說明根據(jù)本發(fā)明一個示例性實施例的液晶顯示器件的陣列基板的一部分的平面圖。在圖3中，為了簡單，僅示出了一個像素，盡管應(yīng)該理解，如果N條選通線和M條數(shù)據(jù)線彼此交叉，那么在實際的液晶顯示器件中就存在N×M個像素。
如圖所示，陣列基板110包括形成在像素區(qū)域上的像素電極118；橫向和縱向設(shè)置在基板110上的選通線116和數(shù)據(jù)線117；以及形成在選通線116和數(shù)據(jù)線117的交叉區(qū)域處的作為開關(guān)器件的薄膜晶體管。
薄膜晶體管具有連接到選通線116的柵極121、連接到數(shù)據(jù)線117的源極122以及連接到像素電極118的漏極123。此外，薄膜晶體管還包括第一和第二絕緣層(未示出)以及有源層124，該第一和第二絕緣層用于使柵極121與源極122和漏極123絕緣，有源層124用于在將柵電壓提供給柵極121時在源極122和漏極123之間形成導(dǎo)電溝道。
這里，通過形成在第二和第三絕緣層上的接觸孔140，源極122的一部分電連接到有源層124的源區(qū)，而漏極123的一部分電連接到有源層124的漏區(qū)。源極122的另一部分連接到數(shù)據(jù)線117，由此構(gòu)成數(shù)據(jù)線117的一部分，而漏極123的另一部分朝像素區(qū)域延伸，由此連接到像素電極118。
通過與柵極121同時進行構(gòu)圖來形成像素電極118，由此減少了在制造薄膜晶體管時所使用的掩模數(shù)量。將參照以下的液晶顯示器件的制造工藝來更加詳細(xì)地進行解釋。
圖4A到4E是說明液晶顯示器件的制造工藝的沿圖3的線III-III’截取的示例性示圖。
在圖4A中，在基板110上形成用作為溝道層的有源圖案124?；?10由諸如玻璃的透明絕緣材料形成。
這里，可以在基板110上形成具有氧化硅層(SiO2)的緩沖層，然后在緩沖層上形成有源圖案124。緩沖層防止存在于玻璃基板110中的雜質(zhì)(例如，鈉(Na)等)在工藝過程中滲入上面的層。
有源圖案124可以由非晶硅薄膜或多晶硅薄膜形成。在本示例性實施例中，硅層由多晶硅薄膜形成。在基板110上淀積非晶硅薄膜之后，可以使用多種結(jié)晶方法來形成多晶硅薄膜，這將解釋如下。
可以通過諸如低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)和等離子體增強化學(xué)氣相淀積(PECVD)的多種方法來淀積非晶硅薄膜。
然后，執(zhí)行脫氫工藝，以去除存在于非晶硅薄膜中的氫，然后進行結(jié)晶。用于使非晶硅薄膜結(jié)晶的方法包括在高溫下對非晶硅薄膜進行熱處理的固相結(jié)晶(SPC)方法以及使用激光的受激準(zhǔn)分子激光退火(ELA)方法。
對于受激準(zhǔn)分子激光退火方法，主要采用脈沖激光。然而，最近正在推行通過沿水平方向生長晶粒來顯著改善結(jié)晶特性的連續(xù)橫向結(jié)晶(SLS)方法。
連續(xù)橫向結(jié)晶方法基于晶粒在液相硅和固相硅之間的界面處沿垂直方向生長的事實。連續(xù)橫向結(jié)晶方法通過適當(dāng)控制激光能量和激光束的幅照范圍，通過使晶粒橫向生長預(yù)定長度來增大硅晶粒的尺寸。
圖4B和4C是說明用于使用一個掩模來形成柵極圖案和像素電極圖案的工藝的視圖。在圖4B中，第一絕緣層115a是柵絕緣層，在基板110的整個表面上形成第一導(dǎo)電金屬層130a和第二導(dǎo)電金屬層130b。
為了構(gòu)成像素電極，第一導(dǎo)電金屬層130a由諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的具有優(yōu)異透射率的透明導(dǎo)電材料形成，并且為了構(gòu)成柵極和選通線，第二導(dǎo)電金屬層130b由諸如Al、Al合金、W、Cu、Cr、Mo等的導(dǎo)電材料形成。
在圖4C中，利用光學(xué)工藝對第二導(dǎo)電金屬層130b和第一導(dǎo)電金屬層130a進行構(gòu)圖，由此形成柵極121和像素電極118。
具有與像素電極118相同形狀的第二導(dǎo)電金屬層圖案130b’保留在由第一導(dǎo)電金屬構(gòu)成的像素電極118上。
然后，使用柵極121作為掩模，將雜質(zhì)離子注入到有源圖案124的預(yù)定區(qū)域中，由此形成作為歐姆接觸層的源區(qū)124a和漏區(qū)124b。柵極121用作為用于防止雜質(zhì)滲入有源圖案124的溝道區(qū)中的離子阻擋層。
根據(jù)所注入的雜質(zhì)的種類，有源圖案124的電特性會發(fā)生改變。如果所注入的雜質(zhì)與諸如B的第三族相對應(yīng)，則有源圖案124作為P型薄膜晶體管進行工作。此外，如果所注入的雜質(zhì)與諸如P的第五族相對應(yīng)，則有源圖案124作為N型薄膜晶體管進行工作。
在離子注入工藝之后，還可以進行用于激活所注入的雜質(zhì)的工藝。
在圖4D中，在形成有柵極121和像素電極118的基板的整個表面上淀積第二絕緣層115b。然后，通過光學(xué)工藝部分地去除第二絕緣層115b和第一絕緣層115a，由此形成部分地曝露源區(qū)124a和漏區(qū)124b的接觸孔140。
為了獲得高孔徑比，第二絕緣層115b可以由諸如苯并環(huán)丁烯(BCB)或丙烯?；鶚渲耐该饔袡C絕緣材料形成。
此時，利用與在形成像素區(qū)域上的像素電極118相同的掩模去除形成在像素電極118上的第二絕緣層115b，由此曝露第二導(dǎo)電金屬圖案130b。
然后，去除剩余在像素電極118上的第二導(dǎo)電金屬圖案130b’，由此曝露由透明導(dǎo)電材料制成的像素電極118。對第二導(dǎo)電金屬圖案130b’進行蝕刻，而不需要在形成第二絕緣層115b處的接觸孔140的工藝中的附加掩模。
圖4E說明了淀積在基板110上的導(dǎo)電金屬材料，以及通過光學(xué)工藝形成的穿過接觸孔140連接到源區(qū)124a的源極122以及通過接觸孔140連接到漏區(qū)124b的漏極123。
使源極122的一部分延伸以連接到數(shù)據(jù)線117，并且使漏極123的一部分朝像素區(qū)域延伸以連接到像素電極118。
在根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的液晶顯示器件的制造工藝中，通過一個掩模工藝同時對柵極和像素電極進行構(gòu)圖，并且使接觸孔形成工藝減少了一個步驟，由此將掩模數(shù)量減少兩個。結(jié)果，簡化了制造工藝，由此提高了制造產(chǎn)量并降低了制造成本。
陣列基板的像素電極與濾色器基板的公共電極構(gòu)成液晶電容器。不保持施加給液晶電容器的電壓，而是在提供下一個信號之前將其泄漏掉。因此，為了保持所施加的電壓，可以將存儲電容器連接到液晶電容器。
存儲電容器不僅保持?jǐn)?shù)據(jù)信號而且使灰度級顯示穩(wěn)定，并且減少了殘留影像。將更加詳細(xì)地解釋包括存儲電容器的本發(fā)明的液晶顯示器件。
圖5是說明根據(jù)本發(fā)明第二實施例的液晶顯示器件的陣列基板的一部分的平面圖，其說明了在像素區(qū)域中形成存儲電容器的情況。
除了存儲電容器之外，根據(jù)第二實施例的液晶顯示器件具有與根據(jù)第一實施例的圖3的液晶顯示器件相同的結(jié)構(gòu)。因此，將省略對相同結(jié)構(gòu)的描述。
如上所述，在陣列基板210上形成用于通過水平和垂直設(shè)置來限定像素區(qū)域的選通線216和數(shù)據(jù)線217。此外，在選通線216和數(shù)據(jù)線217的交叉點處形成TFT，并且在像素區(qū)域上形成像素電極218。
沿與選通線216相同的方向在像素區(qū)域中形成存儲線255。
存儲線255包括存儲電極250，由此在圖像顯示區(qū)域中其特定的寬度增大。包括存儲電極250的存儲線255可以在形成有源圖案224時由與有源圖案224相同的材料形成。
存儲電極250與作為透明電極的像素電極218的重疊部分構(gòu)成存儲電容器，并且在兩者之間插入第一絕緣層(未示出)，將參照液晶顯示器件的制造工藝更加詳細(xì)地對此進行解釋。
在圖6A中，在由諸如玻璃的透明絕緣材料形成的基板210上形成將被用作為溝道層的有源圖案224以及存儲電容器的存儲線(即，存儲電極250和存儲線(未示出))。
在圖6B中，在基板210的整個表面上依次形成第一絕緣層215a、第一導(dǎo)電金屬層230a和第二導(dǎo)電金屬層230b。
如上所述，第一導(dǎo)電金屬層230a由具有優(yōu)異透光性能的透明導(dǎo)電材料形成，而第二導(dǎo)電金屬層230b由低電阻導(dǎo)電材料形成。
在圖6C中，通過光學(xué)工藝對第二導(dǎo)電金屬層230b和第一導(dǎo)電金屬層230a進行構(gòu)圖，由此形成柵極221和像素電極218。
在存儲電極250上形成像素電極218，并且在兩者之間插入有第一絕緣層215a，以形成存儲電容器。
在由第一導(dǎo)電金屬構(gòu)成的像素電極218上，在光學(xué)工藝之后，仍保留具有與像素電極218相同圖案的第二導(dǎo)電金屬圖案230b’。
使用柵極221作為掩模，將雜質(zhì)離子注入到有源圖案224的預(yù)定區(qū)域中，由此形成源區(qū)224a和漏區(qū)224b、歐姆接觸層。
在圖6D中，在形成由柵極221和像素電極218的基板的整個表面上淀積第二絕緣層215b，并且通過光學(xué)工藝部分地去除第二絕緣層215b和第一絕緣層215a，由此形成部分地曝露源區(qū)224a和漏區(qū)224b的接觸孔240。
這里，利用與形成在像素區(qū)域的像素電極218相同的掩模，去除形成在像素電極218上的第二絕緣層215b，由此曝露第二導(dǎo)電金屬圖案230b’。
然后，去除剩余在像素電極218上的第二導(dǎo)電金屬圖案230b’，由此曝露由透明導(dǎo)電材料制成的像素電極218。
在圖6E中，在基板210上淀積導(dǎo)電金屬材料，并且通過光學(xué)工藝，形成通過接觸孔240連接到源區(qū)224a的源極222以及通過接觸孔240連接到漏區(qū)224b的漏極223。
根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例，存儲電容器的存儲電極由與有源圖案相同的材料制成，由此形成像素電極和存儲電容器，因此不需附加工藝而獲得額外的電容器。
存儲電極由具有與有源圖案相同的材料的多晶硅薄膜形成，由此相對于由不透明金屬材料形成的傳統(tǒng)存儲電極提高了液晶顯示板的孔徑比。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件及其制造方法中，同時對柵極和像素電極進行構(gòu)圖，由此減少了所使用的掩模數(shù)量，因此減少了制造工藝并降低了制造成本。
這里，像素電極不需要用于與漏極進行電接觸的附加接觸孔，因此降低了制造工藝的復(fù)雜性并降低了制造成本。
此外，在本發(fā)明中，用作為有源圖案的硅層由存儲電極組成，以由此制造存儲電容器，因此獲得了足夠的容量并提高了孔徑比。
對于本領(lǐng)域技術(shù)人員，顯然在不脫離本發(fā)明的精神或范圍下的情況下，可以對本發(fā)明進行各種修改和變化。因此，本發(fā)明旨在涵蓋落入附加權(quán)利要求書及其同等物的范圍之內(nèi)的本發(fā)明的這些修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件的制造方法，其包括提供一基板；在所述基板上形成有源圖案；在所述基板上形成第一絕緣層；在所述基板上形成柵極和像素電極；在所述基板上形成設(shè)置有多個接觸孔的第二絕緣層；以及形成通過所述接觸孔分別與源區(qū)和漏區(qū)相連的源極和漏極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述有源圖案由硅薄膜形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中所述硅薄膜是結(jié)晶硅薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括在形成所述有源圖案時使用與所述有源圖案相同的材料在像素區(qū)域形成存儲電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中在所述存儲電極與所述像素電極之間插入第一絕緣層來構(gòu)成存儲電容器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中形成所述柵極和所述像素電極的步驟包括在所述基板上依次形成第一導(dǎo)電金屬層和第二導(dǎo)電金屬層；對所述第二和第一導(dǎo)電金屬層進行構(gòu)圖，并由此形成柵極圖案和像素電極圖案；在所述基板上形成第二絕緣層；部分地去除所述第二絕緣層和所述第一絕緣層，以形成部分地曝露所述源區(qū)和所述漏區(qū)的接觸孔，并去除所述像素電極圖案上的所述第二絕緣層；以及去除剩余在所述像素電極圖案上的所述第二導(dǎo)電金屬圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中所述第一導(dǎo)電金屬層或所述第二導(dǎo)電金屬層由選自銦錫氧化物和銦鋅氧化物的透明導(dǎo)電材料制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中所述第二導(dǎo)電金屬層是不透明導(dǎo)電材料，例如Al、Al合金、W、Cu、Cr和Mo。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中用于形成所述接觸孔的接觸孔掩模包括像素電極圖案，并且使用該掩模去除所述像素電極圖案上的所述第二絕緣層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括在形成所述柵極之后，使用所述柵極作為掩模，通過將雜質(zhì)離子注入所述有源圖案的預(yù)定區(qū)域中來形成源區(qū)和漏區(qū)的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述雜質(zhì)離子屬于第五族，例如P。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述雜質(zhì)離子屬于第三族，例如B。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述源極的一部分延伸并連接到數(shù)據(jù)線。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述漏極的一部分朝像素區(qū)域延伸并電連接到所述像素電極。
15.一種液晶顯示器件，其包括絕緣基板；形成在所述基板上的有源圖案；形成在所述基板上的第一絕緣層；通過同時進行構(gòu)圖形成在所述基板上的柵極和像素電極；形成在所述基板上并設(shè)置有接觸孔的第二絕緣層；以及形成在所述基板上并分別通過所述接觸孔連接到源區(qū)和漏區(qū)的源極和漏極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的液晶顯示器件，其中所述源極的一部分延伸以連接到數(shù)據(jù)線，并且所述漏極的一部分朝像素區(qū)域延伸，由此連接到所述像素電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的液晶顯示器件，其中所述像素電極由選自銦錫氧化物和銦鋅氧化物的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成，而所述柵極是具有淀積在與所述像素電極相同的透明導(dǎo)電材料上的不透明導(dǎo)電材料的雙層。
18.根據(jù)權(quán)利要求15的液晶顯示器件，還包括在所述像素區(qū)域中平行于所述選通線形成的存儲電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的液晶顯示器件，其中在所述存儲電極和所述像素電極之間插入第一絕緣層來構(gòu)成存儲電容器。
全文摘要
液晶顯示器件及其制造方法。一種液晶顯示器件以及具有數(shù)量減少的掩模和簡化的制造工藝的制造方法。該方法包括提供一基板；在該基板上形成有源圖案；在該基板上形成第一絕緣層；在該基板上形成柵極和像素電極；在該基板上形成設(shè)置有接觸孔的第二絕緣層；以及形成通過該接觸孔分別連接到源區(qū)和漏區(qū)的源極和漏極。
文檔編號G02F1/133GK1637474SQ20041006254
公開日2005年7月13日 申請日期2004年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月23日
發(fā)明者梁埈榮, 樸容仁, 金商鉉 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社