專利名稱：正性抗蝕劑組合物和形成抗蝕劑圖案的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及正性抗蝕劑組合物和形成抗蝕劑圖案的方法。
要求日本專利申請2002-376294的優(yōu)先權(quán)，該申請的內(nèi)容并入此處以供參考。
背景技術(shù)：
KrF正性抗蝕劑組合物被提議作為用于使用KrF準分子激光器的曝光方法的理想抗蝕劑材料，它通常使用其中部分羥基被可酸解溶解抑制基團(acid dissociable dissolution inhibiting group)保護的聚羥基苯乙烯基樹脂作為基礎(chǔ)樹脂。作為可酸解溶解抑制基團，最通常使用的是所謂的乙縮醛基團，它包括由1-乙氧乙基代表的鏈狀醚基、由四氫吡喃基代表的環(huán)醚基、由叔丁基代表的叔烷基和由叔丁氧羰基代表的叔烷氧羰基。
日本未審查專利申請，首次出版物2000-227658[專利文獻2]日本未審查專利申請，首次出版物2000-188250[專利文獻3]日本未審查專利申請，首次出版物2000-356850在包括作為基礎(chǔ)樹脂的這種類型聚羥基苯乙烯基樹脂的抗蝕劑組合物中，為確保高水平的分辨率，被可酸解溶解抑制基團保護的羥基比例優(yōu)選較高。然而，如果被可酸解溶解抑制基團提供的保護比例太高，那么抗蝕劑圖案顯影之后趨向出現(xiàn)圖案缺陷(下文也稱作顯影缺陷(developingdefects))。
在專利文獻1中，所公開的正性抗蝕劑組合物使用包括衍生自羥基苯乙烯單體的聚合單元、衍生自3-羥基-1-金剛烷基甲基丙烯酸酯的聚合單元以及酸存在時不穩(wěn)定的基團的共聚物，并且該共聚物在酸作用下變成堿溶的。然而，使用該共聚物的正性抗蝕劑特別易于微橋式顯影缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供正性抗蝕劑組合物以及使用該正性抗蝕劑組合物形成抗蝕劑圖案的方法，該正性抗蝕劑組合物可以產(chǎn)生高分辨率的抗蝕劑圖案，也可以減少顯影缺陷的數(shù)目。
本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)對于傳統(tǒng)聚羥基苯乙烯-基樹脂，如果所保護羥基的比例增加，那么盡管在堿性顯影溶液中抗蝕劑膜未曝光部分的不溶性增加，并由此改善了分辨率，但是抗蝕劑膜未曝光部分的憎水性也增加，這情況意味著在未曝光部分與在顯影之后的洗滌步驟中所使用清洗液體之間的親和力變差，因而增加了顯影缺陷的可能性。
為了解決該問題，本發(fā)明的正性抗蝕劑組合物包括樹脂組分(A)和酸生成劑組分(B)，所述組分(A)包括在酸作用下其堿溶性增加的可酸解溶解抑制基團，而所述組分(B)在曝光時產(chǎn)生酸，其中樹脂組分(A)為包括衍生自羥基苯乙烯的第一結(jié)構(gòu)單元(a1)和衍生自含醇式羥基的(甲基)丙烯酸酯的第二結(jié)構(gòu)單元(a2)的共聚物，其中在結(jié)構(gòu)單元(a1)內(nèi)的羥基和結(jié)構(gòu)單元(a2)中醇式羥基的總量的10摩爾％或更多以及25摩爾％或更少用可酸解溶解抑制基團保護，而該共聚物用可酸解溶解抑制基團保護之前，其重均分子量為2,000或更多以及8,500或更少。
此外，本發(fā)明也提出可在熱流工藝中使用的上述類型的正性抗蝕劑組合物。
此外，根據(jù)本發(fā)明的形成抗蝕劑圖案的方法包括使用本發(fā)明正性抗蝕劑組合物在基材上形成正性抗蝕劑膜、對該正性抗蝕劑膜進行選擇性曝光、進行顯影處理以形成抗蝕劑圖案以及使該抗蝕劑圖案進行熱流處理，并由此使抗蝕劑圖案變窄。
在本說明書中，術(shù)語“(甲基)丙烯酸酯”用作通稱，表示甲基丙烯酸酯和丙烯酸酯中的一個或兩個。術(shù)語“結(jié)構(gòu)單元”指的是有助于聚合物形成的單體單元。
通過使用本發(fā)明的正性抗蝕劑組合物，可以獲得有利的分辨率性能，并且可以降低顯影缺陷的程度。
本發(fā)明的正性抗蝕劑組合物也可以在使用熱流處理并產(chǎn)生有利流速的圖案形成方法之內(nèi)滿意地使用。
通過使用本發(fā)明的正性抗蝕劑組合物以及利用使用熱流處理的圖案形成方法，在顯影步驟中分辨率性能的水平較高，并且可以防止顯影缺陷，這意味著即使對于熱流處理之后產(chǎn)生的窄抗蝕劑圖案，也可以獲得高水準的分辯率性能并減少缺陷。此外，即使在沒有包括交聯(lián)劑組分的情況下，本發(fā)明正性抗蝕劑組合物也可以進行有利的熱流處理。
具體實施例方式
下面詳細描述本發(fā)明。
本發(fā)明的正性抗蝕劑組合物包括樹脂組分(A)和酸生成劑組分(B)，所述組分(A)包括在酸作用下其堿溶性增加的可酸解溶解抑制基團，而所述組分(B)在曝光時產(chǎn)生酸。
當(dāng)已通過對組分(A)曝光而從組分(B)產(chǎn)生酸時，在組分(A)內(nèi)的酸解離溶解抑制基團解離，導(dǎo)致整個組分(A)從堿不溶狀態(tài)轉(zhuǎn)變成堿溶狀態(tài)。
結(jié)果，在形成抗蝕劑圖案的過程中當(dāng)抗蝕劑通過掩膜圖案曝光時，或者備選地，進行曝光然后進行曝光后烘焙處理，則抗蝕劑的曝光部分變成堿溶狀態(tài)，而未曝光部分在堿中仍然不溶，這意味著堿性顯影可用于形成正性抗蝕劑圖案。
樹脂組分(A)在本發(fā)明中，樹脂組分(A)為包括衍生自羥基苯乙烯的第一結(jié)構(gòu)單元(a1)和衍生自含醇式羥基的(甲基)丙烯酸酯的第二結(jié)構(gòu)單元(a2)的共聚物，其中一部分在結(jié)構(gòu)單元(a1)內(nèi)的羥基和在結(jié)構(gòu)單元(a2)內(nèi)的醇式羥基被可酸解溶解抑制基團保護。
除第一結(jié)構(gòu)單元(a1)和第二結(jié)構(gòu)單元(a2)外，該共聚物也可以包括衍生自苯乙烯的第三結(jié)構(gòu)單元(a3)。
第一結(jié)構(gòu)單元(a1)
組分(A)的第一結(jié)構(gòu)單元(a1)為衍生自羥基苯乙烯的結(jié)構(gòu)單元，并由下面所示的通式(I)表示。在本說明書中，名稱羥基苯乙烯用來表述字面意義上的羥基苯乙烯以及α-甲基羥基苯乙烯。
在由下面所示通式(I)代表的第一結(jié)構(gòu)單元(a1)中，羥基的結(jié)合位置可以為鄰-位、間-位或?qū)?位，而從可獲得性和成本考慮，則優(yōu)選對-位。
(其中，R表示氫原子或甲基)第二結(jié)構(gòu)單元(a2)組分(A)的第二結(jié)構(gòu)單元(a2)為衍生自含醇式羥基的(甲基)丙烯酸酯的結(jié)構(gòu)單元。
與聚羥基苯乙烯的部分羥基被可酸解溶解抑制基團保護的傳統(tǒng)樹脂相比，本發(fā)明的組分(A)在堿性顯影溶液中具有更低的溶解性。因此，在堿性顯影溶液中的不溶解性的滿意程度可以利用比傳統(tǒng)使用比例更低的特定保護比例來獲得，這樣使得本發(fā)明可成功獲得更高的分辨率以及降低的顯影缺陷水平。
換句話說，在其中部分羥基被可酸解溶解抑制基團取代的傳統(tǒng)聚羥基苯乙烯樹脂中，所有未保護的單元都為羥基苯乙烯單元。因此，該樹脂在堿性顯影溶液中的溶解性比本發(fā)明組分(A)的溶解性大得多。
在本發(fā)明中，這些羥基苯乙烯單元用堿溶性較差的結(jié)構(gòu)單元代替，在該堿溶性較差的結(jié)構(gòu)單元中，在部分基礎(chǔ)樹脂側(cè)鏈中引入醇式羥基，由此降低了在堿性顯影溶液中的樹脂溶解性。如果本發(fā)明的第二結(jié)構(gòu)單元(a2)表現(xiàn)出這種作用，則對該結(jié)構(gòu)單元沒有特殊的限制，可以使用任何衍生自含醇式羥基的(甲基)丙烯酸酯的結(jié)構(gòu)單元。然而，衍生自其中包含帶有醇式羥基的脂肪族多環(huán)基團的(甲基)丙烯酸酯的結(jié)構(gòu)單元表現(xiàn)出特別優(yōu)異的分辨率和耐干蝕刻性，因此優(yōu)選該結(jié)構(gòu)單元。
構(gòu)成帶有醇式羥基的脂肪族多環(huán)基團的多環(huán)基團實例包括從雙環(huán)烷烴、三環(huán)烷烴、四環(huán)烷烴等中除去一個氫原子的基團。具體實例包括從諸如金剛烷、降冰片烷、異莰烷(isobornane)、三環(huán)癸烷或四環(huán)十二碳烷之類的多環(huán)烷烴中除去一個氫原子的基團。多環(huán)基團的這些種類可以從被建議與ArF抗蝕劑一起使用的很多基團中適當(dāng)選擇。在這些基團中，金剛烷基、降冰片基和四環(huán)十二烷基因它們的工業(yè)可獲得性而優(yōu)選使用。
作為第二結(jié)構(gòu)單元(a2)，特別優(yōu)選結(jié)構(gòu)單元衍生自其中包含帶有至少一個醇式羥基的金剛烷基的(甲基)丙烯酸酯，該結(jié)構(gòu)單元由下面所示的通式(II)表示。
在由下面所示的通式(II)表示的第二結(jié)構(gòu)單元(a2)中，最理想的是通式(IIa)表示的結(jié)構(gòu)單元。
(其中，R表示氫原子或甲基，而x表示從1～3的整數(shù))
(其中，R表示氫原子或甲基)可酸解溶解抑制基團在組分(A)中，第一結(jié)構(gòu)單元(a1)的羥基和第二結(jié)構(gòu)單元(a2)的醇式羥基中的一部分被可酸解溶解抑制基團保護。
作為可酸解溶解抑制基團，被提議與傳統(tǒng)化學(xué)放大KrF正性抗蝕劑組合物或ArF正性抗蝕劑組合物一起使用的眾多可酸解溶解抑制基團中的任一種都可以選擇使用，具體實例包括諸如叔丁基、叔戊基、1-甲基環(huán)戊基、1-乙基環(huán)戊基、1-甲基環(huán)己基和1-乙基環(huán)己基之類的包括鏈狀或環(huán)叔烷基；諸如四氫吡喃基和四氫呋喃基之類的環(huán)醚基；或由下面所示的通式(III)表示的1-低級烷基烷氧烷基，其中1-位被直鏈、支鏈或1～8個碳原子的環(huán)烷氧基所取代。在這些基團中，特別優(yōu)選由通式(III)表示的1-低級烷基烷氧烷基。這些基團的具體實例包括諸如1-乙氧乙基或1-異丙氧乙基之類的直鏈或支鏈烷氧烷基以及諸如1-環(huán)己氧乙基之類的環(huán)烷氧烷基，在這些基團中，1-乙氧乙基特別理想，因為它們可以提供優(yōu)異的分辨率性能。
(其中R1表示1～4個碳原子的烷基，而R2表示1～8個碳原子的直鏈或支鏈烷基，或5～7個碳原子的環(huán)烷基)在本發(fā)明中，設(shè)定組分(A)內(nèi)的羥基保護比例，以便保護第一結(jié)構(gòu)單元(a1)內(nèi)的羥基與第二結(jié)構(gòu)單元內(nèi)的醇式羥基的總和的10摩爾％或更多和25摩爾％或更小，特別理想的比例為15摩爾％或更多和20摩爾％或更小。
通過確保羥基保護比例不大于上述范圍的上限，就可以有效防止顯影缺陷，而通過確保該比例至少與上述范圍的下限一樣大，則可以獲得有利的分辨率性能。
對于第一結(jié)構(gòu)單元(a1)內(nèi)的羥基和第二結(jié)構(gòu)單元(a2)內(nèi)的醇式羥基各自的保護比例并沒有特別的限制，然而，優(yōu)選其中只有第一結(jié)構(gòu)單元(a1)的羥基(羥基苯乙烯酚式羥基)被可酸解溶解抑制基團保護的樹脂或其中第一結(jié)構(gòu)單元(a1)的羥基和第二結(jié)構(gòu)單元(a2)的醇式羥基兩者都被可酸解溶解抑制基團保護的樹脂。
此外，雖然取決于所使用的實際可酸解溶解抑制基團，但是通常最優(yōu)選其中(a1)的羥基和(a2)的醇式羥基兩者都被可酸解溶解抑制基團保護的情況。
第三結(jié)構(gòu)單元(a3)組分(A)的第三結(jié)構(gòu)單元(a3)為衍生自苯乙烯的結(jié)構(gòu)單元，并由下面所示的通式(IV)表示。換句話說，在本說明書中，名稱苯乙烯描述苯乙烯本身或者α-甲基苯乙烯。
(其中，R表示氫原子或甲基)在組分(A)中，在被可酸解溶解抑制基團保護之前結(jié)構(gòu)單元(a1)和結(jié)構(gòu)單元(a2)之間的摩爾比，即，第一結(jié)構(gòu)單元與第二結(jié)構(gòu)單元的比優(yōu)選為85∶15～70∶30，更優(yōu)選82∶18～78∶22。如果第二結(jié)構(gòu)單元(a2)的比例超過上述范圍，則樹脂在顯影溶液中的溶解性不充分，而如果該比例低于上述范圍，則使用第二結(jié)構(gòu)單元獲得的效果不能充分表現(xiàn)。
此外，在組分(A)中，在被可酸解溶解抑制基團保護之前，共聚物內(nèi)的第一結(jié)構(gòu)單元(a1)和第二結(jié)構(gòu)單元(a2)總量優(yōu)選占共聚物的至少90摩爾％，因為如果該比例低于該值，分辨率會變差。第一結(jié)構(gòu)單元(a1)和第二結(jié)構(gòu)單元(a2)的總量占共聚物的比例還更優(yōu)選95摩爾％或更大，最優(yōu)選100摩爾％。
在本發(fā)明中，第三結(jié)構(gòu)單元(a3)不是必需的，然而，加入第三結(jié)構(gòu)單元可以提供某些有利之處，如改善景深和改善耐干蝕刻性能。如果使用第三結(jié)構(gòu)單元(a3)，則它優(yōu)選占用于形成組分(A)的結(jié)構(gòu)單元總量的0.5～10摩爾％，還更優(yōu)選2～5摩爾％。如果第三結(jié)構(gòu)單元(a3)的量超過上述范圍，則樹脂在顯影溶液中的溶解性趨于變差。
在包括作為基本結(jié)構(gòu)單元的第一結(jié)構(gòu)單元(a1)和第二結(jié)構(gòu)單元(a2)的共聚物中，可酸解溶解抑制基團保護一部分羥基之前的共聚物重均分子量(聚苯乙烯等價值，這也適用于下面)必需為2,000或更大和8,500或更小，并優(yōu)選4,500或更大和8,500或更小，最優(yōu)選4,500或更大和8,000或更小。確保該重均分子量不大于8,500，可以防止微橋產(chǎn)生。此外，如果該重均分子量小于2,000，則耐蝕刻性和耐熱性都趨于變差。
在本說明書中，術(shù)語“微橋”描述缺陷種類，例如在直線與間隔圖案中，靠近抗蝕劑圖案表面的部分相鄰抗蝕劑圖案通過由抗蝕劑形成的橋連接在一起。
對于更高重均分子量值以及對于曝光后烘焙(PEB)內(nèi)的更高溫度而言，微橋是日益可能發(fā)生的。
此外，在部分羥基用可酸解溶解抑制基團保護之前，共聚物優(yōu)選具有低多分散性(Mw/Mn比值)的單分散體系，因為這樣可以提供優(yōu)異的分辨率。具體而言，該多分散性通常為不超過2.0，更優(yōu)選1.8或更小。
樹脂組分(A)也可以通過例如如下過程進行制備將對應(yīng)于羥基未保護的結(jié)構(gòu)單元(a1)的單體和相應(yīng)于羥基未保護的結(jié)構(gòu)單元(a2)的單體進行共聚，然后通過傳統(tǒng)方法用可酸解溶解抑制基團保護單元(a1)和/或單元(a2)的羥基。
樹脂組分(A)也可以由如下備選的方法制備，在該方法中，預(yù)先制備其羥基己用可酸解溶解抑制基團保護的相應(yīng)于結(jié)構(gòu)單元(a1)的單體，然后，將該單體和相應(yīng)于結(jié)構(gòu)單元(a2)的單體利用常規(guī)方法共聚，并且利用水解方法將被可酸解溶解抑制基團保護的部分羥基轉(zhuǎn)化回羥基，而且，如果需要，再使用常規(guī)方法將結(jié)構(gòu)單元(a2)的部分羥基用可酸解溶解抑制基團保護。
在本發(fā)明正性抗蝕劑組合物內(nèi)樹脂組分(A)的量可以根據(jù)要形成抗蝕劑膜的厚度進行調(diào)節(jié)。通常，由固體部分濃度表示的樹脂組分(A)的量為8～25重量％，并且優(yōu)選10～20重量％。
酸生成劑組分(B)在本發(fā)明中，任何通常在傳統(tǒng)化學(xué)放大正性抗蝕劑中用作酸生成劑的材料都可以用作酸生成劑組分(B)。
在這些材料中，優(yōu)選重氮甲烷基酸生成劑和鎓鹽。合適的重氮甲烷基酸生成劑的具體實例包括雙(環(huán)戊基磺?；?重氮甲烷、雙(異丙基磺?；?重氮甲烷、雙(對甲苯基磺酰基)重氮甲烷、雙(1，1-二甲基乙基磺?；?重氮甲烷、雙(環(huán)己基磺?；?重氮甲烷、和雙(2，4-二甲基苯磺酰基)重氮甲烷。
合適鎓鹽的具體實例包括二苯基碘鎓三氟甲烷磺酸鹽、(4-甲氧苯基)苯基碘鎓三氟甲烷磺酸鹽、雙(對叔丁基苯基)碘鎓三氟甲烷磺酸鹽、三苯基锍三氟甲烷磺酸鹽、(4-甲氧苯基)二苯基锍三氟甲烷磺酸鹽、(4-甲基苯基)二苯基锍九氟丁烷磺酸鹽、(對叔丁基苯基)二苯基锍三氟甲烷磺酸鹽、二苯基碘鎓九氟丁烷磺酸鹽、雙(對叔丁基苯基)碘鎓九氟丁烷磺酸鹽和三苯基锍九氟丁烷磺酸鹽。在各種鎓鹽中，優(yōu)選具有作為陰離子的氟代烷基磺酸根離子，其中特別優(yōu)選三苯基锍九氟丁烷磺酸鹽和三苯基锍三氟甲烷磺酸鹽。
在組分(B)中，可以使用單種生成劑或者使用兩種或更多種不同酸生成劑的組合。
以每100重量份的組分(A)計，組分(B)的量通常在1～20重量份范圍內(nèi)，優(yōu)選在2～10重量份范圍內(nèi)。如果該量低于上述范圍，則圖案形成不能滿意地進行，而如果該量超過上述范圍，則變得難于形成均勻溶液，并且存在組合物儲存穩(wěn)定性變差的危險。
胺(C)在本發(fā)明的正性抗蝕劑組合物中，為了改善抗蝕劑圖案形狀以及由抗蝕劑層成圖案曝光形成潛像的曝光后穩(wěn)定性，可以添加已知的胺化合物、優(yōu)選二元低級脂族胺或三元低級脂族胺作為任選組分(C)。
此處，低級脂族胺指的是碳原子不超過5個的烷基或烷基醇胺，這些二元和三元胺的實例包括三甲基胺、二乙基胺、三乙基胺、二正丙基胺、三正丙基胺、三異丙基胺、三戊基胺、二乙醇胺、三乙醇胺和三異丙醇胺。其中，特別優(yōu)選諸如三乙醇胺或三異丙醇胺的烷醇胺和諸如三異丙基胺之類的三元胺。
這些化合物可以單獨使用，或者由兩種或更多種不同化合物組合使用。
相對于100重量份的組分(A)計，該胺通常以0.01～5.0重量％的量加入。
其它任選組分根據(jù)需要，本發(fā)明的正性抗蝕劑組合物中也可以加入其它可混合的添加劑，添加劑實例包括用于改善抗蝕劑膜性能的添加劑樹脂、用于改善應(yīng)用容易性的表面活性劑、溶解抑制劑、增塑劑、穩(wěn)定劑、著色劑和防暈光試劑。
交聯(lián)劑組分(D)在結(jié)合有下面所述熱流處理的工藝內(nèi)使用本發(fā)明正性抗蝕劑組合物的那些情況下，該組合物也可以包括交聯(lián)劑組分(D)。
這種交聯(lián)劑組分(D)是在加熱時與樹脂組分(A)反應(yīng)并產(chǎn)生交聯(lián)的組分，可以使用已知作為化學(xué)放大抗蝕劑組合物的合適交聯(lián)劑的任何材料，所述化學(xué)放大抗蝕劑組合物適用于熱流處理。
具體而言，作為組分(D)，可以使用帶有至少兩個交聯(lián)乙烯基醚基的化合物，其實例包括諸如烷撐二醇、二烷撐二醇或三烷撐二醇之類的多氧化烯二醇以及其中至少兩個羥基被乙烯基醚基取代的多元醇，如三羥甲基丙烷、季戊四醇、戊二醇或環(huán)己基二甲醇。優(yōu)選交聯(lián)劑組分(D)的具體實例為環(huán)己基二甲醇二乙烯基醚。
如果使用交聯(lián)劑組分(D)，則相對于100重量份的組分(A)計，組分(D)的量通常為0.1～25重量％，優(yōu)選為1～15重量％。交聯(lián)劑組分(D)可以單獨使用，也可以兩種或更多種不同化合物組合使用。
有機溶劑本發(fā)明的正性抗蝕劑組合物可以通過在有機溶劑中溶解必要組分即組分(A)和組分(B)，以及任意任選組分如組分(C)和/或組分(D)而制備。
該有機溶劑可以是能夠溶解各種組分形成均勻溶液的任何溶劑，可以使用從用作傳統(tǒng)化學(xué)放大抗蝕劑溶劑的已知材料中選擇的一種或多種溶劑。
該溶劑的具體實例包括酮，如丙酮、甲基乙基酮、環(huán)己酮、甲基異戊基酮和2-庚酮；多元醇及其衍生物，如乙二醇、乙二醇單乙酸酯、二乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇、丙二醇單乙酸酯、二丙二醇或者二丙二醇單乙酸酯的單甲醚、單乙醚、單丙醚、單丁醚或單苯醚；環(huán)醚，如二氧六環(huán)；以及酯，如乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧丙酸甲酯和乙氧丙酸乙酯。這些有機溶劑可以單獨使用、或作為含兩種或更多種不同溶劑的混合溶劑使用。
特別地，丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)和諸如丙二醇單甲醚(PGME)、乳酸乙酯(EL)或γ-丁內(nèi)酯之類的含羥基極性溶劑或內(nèi)酯的混合溶劑可以改善正性抗蝕劑組合物的儲存穩(wěn)定性水平，因此而優(yōu)選該混合溶劑。在含有EL的混合溶劑情況下，PGMEA∶EL的重量比優(yōu)選為6∶4～4∶6。
在加入PGME的那些情況下，PGMEA∶PGME的重量比通常為8∶2～2∶8，并且優(yōu)選8∶2～5∶5。對于有機溶劑的使用量并沒有特別的限制，但是通常加入充足量的有機溶劑以產(chǎn)生5～50重量％的總固體部分濃度、優(yōu)選7～20重量％，實際量根據(jù)抗蝕劑應(yīng)用膜壓力進行調(diào)節(jié)。
本發(fā)明的正性抗蝕劑組合物可以以與傳統(tǒng)KrF正性抗蝕劑組合物相同的方式用于形成抗蝕劑圖案。在預(yù)烘焙和曝光后烘焙(PEB)過程中使用的加熱溫度通常為90℃或更高，并且為了有效抑制微橋的產(chǎn)生，該溫度優(yōu)選為90～120℃，還更優(yōu)選為90～110℃。
傳統(tǒng)KrF正性抗蝕劑組合物的基礎(chǔ)樹脂為聚羥基苯乙烯基樹脂，但是在本發(fā)明的正性抗蝕劑組合物中，基礎(chǔ)樹脂為含有衍生自羥基苯乙烯的結(jié)構(gòu)單元(a1)和衍生自含醇式羥基的(甲基)丙烯酸酯的另外的第二結(jié)構(gòu)單元(a2)的共聚物，該共聚物的重均分子量為2,000或更高以及8,500或更低，其中在羥基苯乙烯單元(a1)內(nèi)的羥基和結(jié)構(gòu)單元(a2)內(nèi)的醇式羥基總和的10摩爾％或更多和25摩爾％或更少被上述可酸解溶解抑制基團保護(保護后的重均分子量優(yōu)選為8,600或更多和12,000或更少)，通過使用這種基礎(chǔ)樹脂，可以獲得有利的分辨率，可以降低顯影缺陷水平。也可以獲得有利的景深。
據(jù)信對于這些結(jié)果的原因是減少羥基苯乙烯基結(jié)構(gòu)單元的比例，這樣將增加樹脂在顯影溶液中的溶解性，并引入有利于減少在顯影溶液中溶解性的結(jié)構(gòu)單元(a2)，因而基礎(chǔ)樹脂自身在顯影溶液中的溶解性降低，這情況意味著即使堿溶羥基的保護比例降低，正性抗蝕劑組合物在堿性顯影溶液中的不溶性也仍然能保持，因而可獲得優(yōu)異的分辨率性能。此外，也認為通過使用含醇式羥基的結(jié)構(gòu)單元(a2)以及減少可酸解溶解抑制基團的保護比例，可以改善抗蝕劑組合物的親水性，由此改善與漂洗液體之間的親和力，并且由此抑制顯影缺陷的出現(xiàn)。
本發(fā)明在抑制顯影缺陷中的作用可以通過例如使用SEM(掃描電子顯微鏡)或顯影缺陷檢視儀器檢查顯影后的抗蝕劑圖案以及查找微橋和其它缺陷是否出現(xiàn)來加以證實。
此外，本發(fā)明在改善分辨率性能方面的作用可以通過使用上述的SEM檢視抗蝕劑圖案來加以證實。
本發(fā)明的正性抗蝕劑組合物也可以在使用下面所述的熱流處理的形成抗蝕劑圖案的方法內(nèi)理想應(yīng)用，并得到理想流速。尤其是，通過使用熱流處理的形成抗蝕劑圖案的方法，即使該組合物不含交聯(lián)劑組分(這種情況對抗蝕劑組合物的儲存穩(wěn)定性有不良作用)，本發(fā)明的正性抗蝕劑組合物也可以用于形成有利的超精細抗蝕劑圖案?？梢哉J為該結(jié)果的原因在于加熱實際上引起了組分(A)的不同結(jié)構(gòu)單元(a1)和(a2)之間的交聯(lián)反應(yīng)。如果需要，也可以包括上述的交聯(lián)劑組分(D)。
此外，如上所述，熱流處理之前的顯影步驟使得能夠形成具有高水平的分辨率和最小顯影缺陷的抗蝕劑圖案，這種情況意味著由進行隨后的熱流處理獲得的窄抗蝕劑圖案也表現(xiàn)出分辨率性能的高水平以及缺陷的減小程度。
下面描述本發(fā)明的包括熱流處理的形成抗蝕劑圖案的方法。
首先，本發(fā)明的正性抗蝕劑組合物使用旋涂器等將其應(yīng)用于諸如硅片之類的基材表面上，然后進行預(yù)烘焙。然后，該正性抗蝕劑組合物的涂敷膜用曝光儀器通過期望的掩膜圖案進行選擇性曝光，再進行PEB(曝光后烘焙)。隨后，使用堿性顯影溶液進行顯影處理，然后進行漂洗處理以洗掉殘留在基材表面上的任何顯影溶液以及溶解在顯影溶液中的抗蝕劑組合物的那些組分，然后干燥基材。
這些步驟直到可以使用傳統(tǒng)方法進行為止。操作條件等可以根據(jù)所使用正性抗蝕劑組合物的構(gòu)成和性能合適選擇。
曝光優(yōu)選使用KrF準分子激光進行，但是本發(fā)明組合物也可以使用電子束和EUV(遠紫外光)。
在基材和抗蝕劑組合物的涂敷膜之間也可以安置有機或無機抗反射膜。
隨后，在這樣形成的抗蝕劑圖案上進行熱流處理，由此使抗蝕劑圖案變窄。
熱流處理通過使抗蝕劑圖案加熱至少一次進行。增加加熱重復(fù)次數(shù)使每單位溫度在抗蝕劑圖案大小中的變動程度(下面稱作流速(flow rate))減小，因此優(yōu)選增加加熱重復(fù)次數(shù)。然而，增加步驟次數(shù)，就要增加處理所需的時間，這樣會導(dǎo)致生產(chǎn)能力的降低。
在熱流處理中的流速越低，在硅片上形成的窄小抗蝕劑圖案的圖案尺寸面內(nèi)均勻性程度越高，并且抗蝕劑圖案的橫截面形狀也越優(yōu)異。如果抗蝕劑膜的厚度為1,000nm或更小，則膜厚對流速已經(jīng)沒有影響。
在熱流處理中使用的加熱溫度根據(jù)抗蝕劑圖案的組成進行選擇，并且通常在100～200℃范圍內(nèi)、優(yōu)選在110～180℃范圍內(nèi)選擇。在進行2次或更多次加熱步驟的情況下，第二次以及任何隨后的加熱步驟都在與第一加熱步驟相同的溫度或比第一加熱步驟溫度更高溫度下進行。
對于加熱時間并沒有特殊的限制，只要該時間不防礙生產(chǎn)能力并且產(chǎn)生期望的抗蝕劑圖案尺寸即可。通常，每次加熱重復(fù)進行的時間為30～270秒，并優(yōu)選60～120秒。
使用熱流處理的形成抗蝕劑圖案的方法可以有利于在形成超細抗蝕劑圖案種類中使用，所述超細抗蝕劑圖案使用通常方法難于形成。本發(fā)明形成抗蝕劑圖案的方法是使用本發(fā)明的正性抗蝕劑組合物進行，因此，對于不含交聯(lián)劑的組合物和也包含上述交聯(lián)劑組分(D)的組合物這兩者而言，可以獲得有利的流速。因此，可以獲得窄小抗蝕劑圖案，該圖案表現(xiàn)出更高程度的分辨率、對于抗蝕劑圖案有利的橫截面形狀，最小的顯影缺陷，以及圖案尺寸的高度面內(nèi)均勻性。
實施例下面使用一系列實施例對本發(fā)明進行更詳細的描述。
實施例1首先，制備組分(A)。即，由對-羥基苯乙烯和上述通式(IIa)的甲基丙烯酸金剛烷醇酯(其中R為甲基)形成共聚物(摩爾比80∶20，重均分子量(Mw)8,000，多分散性(Mw/Mn)1.78)。將該共聚物與乙基乙烯基醚在酸催化劑存在下通過常規(guī)方法一起反應(yīng)，由此形成共聚物的一些羥基被1-乙氧乙基保護的樹脂，該樹脂用作組分(A)。
該樹脂用1H-NMR分析，相對于在所使用的對羥基苯乙烯和金剛烷醇中的羥基總數(shù)，1-乙氧乙氧基的量為18％。這表示羥基的保護比例為18摩爾％。被保護樹脂的重均分子量(Mw)為11,000，而多分散性(Mw/Mn)為1.8。
100重量份的這種組分(A)；5.0重量份的雙(環(huán)己基磺?；?重氮甲烷，6.0重量份的雙(異丙基磺酰基)重氮甲烷和2.0重量份的三苯基锍三氟甲烷磺酸鹽作為組分(B)；以及0.15重量份的三乙醇胺和0.15重量份的三異丙基胺作為組分(C)一起溶解在500重量份的PGMEA和EL的混合溶劑中(PGMEA∶EL的重量比為6∶4)，這樣就產(chǎn)生了正性抗蝕劑組合物。
同時，在8英寸直徑的硅片上形成有機抗反射膜(商品名DUV-44，Brewer Science Ltd.生產(chǎn))層，以制備出基材，然后在205℃加熱，形成65nm厚的膜。
上述獲得的正性抗蝕劑組合物使用旋涂器應(yīng)用到這種基材的表面上。該組合物然后預(yù)烘焙，并在100℃的熱盤上干燥90秒，形成膜厚為410nm的抗蝕劑層。
然后，使用KrF掃描器NSR-S203B (Nikon Corporation生產(chǎn)，NA(數(shù)值孔徑)＝0.68，2/3環(huán)形照明)，用穿過典型的鉻掩模(它是在縮少投影曝光中所使用的掩膜)的KrF準分子激光(248nm)對該層進行選擇性輻照。
隨后，輻照過的抗蝕劑在110℃進行PEB處理60秒，然后在2.38重量％的四甲基氫氧化銨的水溶液中以及23℃下進行攪拌顯影(puddledevelopment)60秒，然后通過用純水洗滌15分鐘進行漂洗。該抗蝕劑抖干，再在100℃加熱干燥60秒，從而形成抗蝕劑圖案。
如此形成了具有140nm孔徑的抗蝕劑孔圖案。使用KLA TencorCorporation生產(chǎn)的表面缺陷檢視儀KLA2132檢查在其上形成抗蝕劑圖案的基材表面狀態(tài)，結(jié)果顯示只有不超過10個的非常少量的表面缺陷，這個結(jié)果說明有效抑制了顯影缺陷。未曝光部分的純水接觸角(靜態(tài)接觸角，下同)測定為59度，這表明了有利的親水性。140nm的抗蝕劑孔圖案的景深為0.6μm。此外，對以類似方式形成的直線與間隔為1∶1的抗蝕劑圖案進行檢視，發(fā)現(xiàn)在線寬為120nm時獲得優(yōu)異的分辨率。
比較實施例1使用包括其中部分羥基被1-乙氧乙基保護的聚(對羥基苯乙烯)(羥基保護比例39摩爾％)的樹脂組分(重均分子量8,000，多分散性1.10)代替實施例1中的組分(A)。被保護樹脂的重均分子量(Mw)為9,000，而多分散性(Mw/Mn)為1.15。
除使用該樹脂組分外，抗蝕劑組合物以與實施例1相同的方式制備，然后用相同的方法形成抗蝕劑圖案。
如此形成了具有140nm孔徑的抗蝕劑孔圖案。在其上形成有抗蝕劑圖案的基材表面以與實施例1相同的方式檢測顯影缺陷時，可觀察到約1300個缺陷。用上述的相同方式測定純水接觸角，結(jié)果為72度，該結(jié)果表明與實施例1相比，親水性程度更低。140nm的抗蝕劑孔圖案的景深為0.45μm。此外，對以與實施例1相同的方式形成的直線與間隔為1∶1的抗蝕劑圖案進行檢視，發(fā)現(xiàn)雖然在線寬為130nm時可獲得優(yōu)異的分辨率，但是分辨率在120nm線寬時是不充分的。
比較實施例2除將樹脂組分內(nèi)的羥基保護比例改變?yōu)?0摩爾％外，抗蝕劑組合物以與實施例1相同的方式制備，然后用相同的方法形成抗蝕劑圖案。
以上述相同的方式測試抗蝕劑圖案，發(fā)現(xiàn)只有10個缺陷，但是140nm抗蝕劑孔圖案的景深較小，只有0.25μm。純水接觸角為70度。此外，對以與實施例1相同的方式形成的直線與間隔為1∶1的抗蝕劑圖案進行檢視，發(fā)現(xiàn)雖然在線寬為150nm時可獲得優(yōu)異的分辨率，但是分辨率在140nm線寬時是不充分的。
比較實施例3由對羥基苯乙烯和甲基丙烯酸金剛烷醇酯形成的共聚物(摩爾比80∶20，重均分子量11,000，多分散性1.8)與乙基乙烯基醚以與實施例1相同的方式反應(yīng)，由此形成其中共聚物的一些羥基被1-乙氧乙基保護的樹脂并且該樹脂用作組分(A)，代替實施例1中的組分(A)。
該樹脂用1H-NMR分析，相對于所使用的對羥基苯乙烯和金剛烷醇中的羥基總數(shù)，1-乙氧乙氧基的量為22％。結(jié)果表明羥基的保護比例為22摩爾％。被保護樹脂的重均分子量(Mw)為18,000，而多分散性(Mw/Mn)為3.0。
隨后，除使用該樹脂作為組分(A)外，抗蝕劑組合物以與實施例1相同的方式制備，然后用相同的方法形成抗蝕劑圖案。
如此形成了具有140nm孔徑的抗蝕劑孔圖案。在其上形成抗蝕劑圖案的基材表面以與實施例1相同的方式檢測顯影缺陷，可觀察到約10,000個缺陷，并且也證實了微橋的出現(xiàn)。用上述的相同方式測定純水接觸角，結(jié)果為64度。由于顯影缺陷的程度如此高，因而沒有評價其它性能。
實施例2制備與實施例1相同的正性抗蝕劑組合物。
這種正性抗蝕劑組合物用旋涂器施用在包括與實施例1中使用的抗反射膜相同的抗反射膜的基材的表面上。然后，該組合物預(yù)烘焙，并在100℃的熱盤中干燥90秒，形成膜厚度為410nm的抗蝕劑層。
然后，使用與實施例1中所使用的相同的KrF掃描器，用穿過6％銅板(half tone)掩模的KrF準分子激光(248nm)對該層進行選擇性輻照。
隨后，輻照過的抗蝕劑在110℃進行PEB處理90秒，然后以與實施例1相同的方式進行顯影、水漂洗和干燥，從而形成抗蝕劑圖案。
如此形成了具有150nm孔徑的抗蝕劑孔圖案。以與實施例1相同的方式檢查在其上形成抗蝕劑圖案的基材表面狀態(tài)，結(jié)果顯示只有不超過10個的非常少量的表面缺陷。150nm的抗蝕劑孔圖案的景深為0.6μm。使用測量SEM對抗蝕劑孔圖案的孔徑進行測量。
隨后，通過在預(yù)定條件下于熱盤上加熱該基材，在包括抗蝕劑孔圖案的基材上進行熱流處理，由此形成了狹窄的抗蝕劑孔圖案。
通過改變在熱流處理中使用的加熱條件來確定流速，同時測定所得抗蝕劑孔圖案的尺寸。換句話說，以上述相同方式制備5個在其上形成的直徑為150nm的抗蝕劑孔圖案的上述基材，這些基材分別在140℃、145℃、150℃、155℃和160℃加熱90分鐘。雖然變窄之后的孔徑根據(jù)所使用的加熱溫度而變化，但是在每個溫度下，加熱都會導(dǎo)致抗蝕劑孔圖案變窄，產(chǎn)生窄的有利形狀的抗蝕劑孔圖案。沿水平軸為溫度，沿垂直軸為在每個溫度下的抗蝕劑圖案的尺寸變化程度(孔徑的變化)，進行作圖，所得圖用于確定每單位溫度變化(℃)的抗蝕劑圖案尺寸變化，即變窄之后的抗蝕劑圖案尺寸(孔徑)為100nm的點處的流速。
變窄之后的抗蝕劑圖案尺寸(孔徑)在140℃為147nm、在145℃為140nm、在150℃為128nm、在155℃為100nm以及在160℃為80nm，而對于100nm的變窄孔徑所需要的流速為4.8nm/℃。
比較實施例4將包括其中30摩爾％的羥基被1-乙氧乙基保護的聚(對羥基苯乙烯)(重均分子量20,000，多分散性1.12)的第一樹脂組分以及包括其中30摩爾％的羥基被叔丁氧羰基保護的聚(對羥基苯乙烯)(重均分子量8,000，多分散性1.10)的第二樹脂組分進行混合，并將該混合物用于代替實施例2的組分(A)。第一樹脂組分和第二樹脂組分之間的重量比為6∶4。保護之后，第一樹脂組分的重均分子量(Mw)為22,000，多分散性(Mw/Mn)為1.2，而保護之后的第二樹脂組分的重均分子量(Mw)為9,000，多分散性(Mw/Mn)為1.15。
100重量份的第一樹脂組分和第二樹脂組分的混合物、5.0重量份的雙(環(huán)己基磺?；?重氮甲烷與2.0重量份的三苯基锍三氟甲烷磺酸鹽作為組分(B)、0.16重量份的三乙醇胺作為組分(C)、以及5.0重量份的環(huán)己基二甲醇二乙烯基醚作為交聯(lián)劑組分(D)一起溶解在500重量份的PGMEA和EL的混合溶劑中(PGMEA∶EL的重量比為6∶4)，這樣就產(chǎn)生了正性抗蝕劑組合物。
使用所形成的正性抗蝕劑組合物，以與實施例2的相同方式形成抗蝕劑圖案。
照這樣，形成孔徑為150nm的抗蝕劑孔圖案。以與實施例1相同的方式檢視在其上形成有抗蝕劑圖案的基材表面狀態(tài)，結(jié)果顯示有約60個顯影缺陷。
隨后，以與實施例2的相同方式進行熱流處理，然后測定流速。
熱流處理之后，抗蝕劑圖案尺寸(孔徑)為在140℃為150nm、在145℃為150nm、在150℃為125nm、在155℃為82nm以及在160℃為44nm，而對于100nm的變窄孔徑所需要的流速為8.6nm/℃。
實施例3由對羥基苯乙烯和上述通式(IIa)(其中R為氫原子)的丙烯酸金剛烷醇酯形成共聚物(摩爾比80∶20，重均分子量為8,000，多分散性(Mw/Mn)1.5)，將該共聚物與乙基乙烯基醚在酸催化劑存在下由常規(guī)方法進行反應(yīng)，由此形成了其中共聚物的一些羥基被1-乙氧乙基保護的樹脂，并且該樹脂用作組分(A)。
該樹脂用1H-NMR分析，相對于所使用的對羥基苯乙烯和金剛烷醇中的羥基總數(shù)，1-乙氧乙氧基的量為23.9％。這表明羥基的保護比例為23.9摩爾％。被保護樹脂的重均分子量(Mw)為8,700，而多分散性(Mw/Mn)為1.6。
100重量份的該組分(A)、8.0重量份的雙(環(huán)戊基磺?；?重氮甲烷與2.5重量份的三苯基锍九氟丁烷磺酸鹽作為組分(B)、0.23重量份的三乙醇胺和0.05重量份的三異丙醇胺作為組分(C)一起溶解在500重量份的PGMEA和EL的混合溶劑中(PGMEA∶EL的重量比為6∶4)，這樣就產(chǎn)生了正性抗蝕劑組合物。
同時，在8英寸直徑的硅片頂面上形成有機抗反射膜(商品名DUV-44，Brewer Science Ltd.生產(chǎn))層，以制備出基材，然后在225℃加熱，形成65nm厚的膜。上述獲得的正性抗蝕劑組合物使用旋涂器應(yīng)用到這種基材的表面上。該組合物然后預(yù)烘焙，并在100℃的熱盤上干燥60秒，形成膜厚為480nm的抗蝕劑層。
然后，使用KrF掃描器NSR-S203B (Nikon Corporation生產(chǎn)，NA(數(shù)值孔徑)＝0.68，2/3環(huán)形照明)透過8％銅板掩模對該層進行選擇性輻照。
隨后，輻照過的抗蝕劑在110℃進行PEB處理60秒，然后在2.38重量％的四甲基氫氧化銨的水溶液中以及23℃進行攪拌顯影60秒，然后通過用純水洗滌15分鐘進行漂洗。該抗蝕劑抖干，再在100℃加熱干燥60秒，從而形成抗蝕劑圖案。
如此形成了具有140nm孔徑的抗蝕劑孔圖案。140nm的抗蝕劑孔圖案的景深為0.5μm。此外，對以類似方式形成的直線與間隔為1∶1的抗蝕劑圖案進行檢視，發(fā)現(xiàn)在線寬為120nm時獲得優(yōu)異的分辨率。在該情況下的景深為0.6μm。使用KLA Tencor Corporation生產(chǎn)的表面缺陷檢視儀KLA2132檢查在其上形成140nm孔圖案的基材表面狀態(tài)，結(jié)果表明沒有微橋，這意味著顯影缺陷被有效抑制。
工業(yè)適用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明的正性抗蝕劑組合物，可以獲得有利的分辨率性能，可以減少顯影缺陷程度。
本發(fā)明的正性抗蝕劑組合物也可以在使用熱流處理的圖案形成方法中順利使用，并且產(chǎn)生了有利的流速。
通過使用本發(fā)明的正性抗蝕劑組合物和應(yīng)用使用熱流處理的圖案形成方法，在顯影步驟中分辨率性能是很高的，并且可以防止顯影缺陷，該結(jié)果意味著即使對于熱流處理之后產(chǎn)生的狹窄抗蝕劑圖案，也可以獲得高水準的分辨率性能并減少缺陷。而且，即使在不含交聯(lián)劑組分的情況下，本發(fā)明的正性抗蝕劑組合物也可以進行有利的熱流處理。
因此，本發(fā)明在工業(yè)上是非常有利的。
權(quán)利要求
1.一種正性抗蝕劑組合物，它包括如下組分樹脂組分(A)，它包括在酸作用下其堿溶性增加的可酸解溶解抑制基團；和酸生成劑組分(B)，它在曝光時產(chǎn)生酸，其中樹脂組分(A)為包括衍生自羥基苯乙烯的第一結(jié)構(gòu)單元(a1)和衍生自含醇式羥基的(甲基)丙烯酸酯的第二結(jié)構(gòu)單元(a2)的共聚物，其中在結(jié)構(gòu)單元(a1)內(nèi)的羥基和結(jié)構(gòu)單元(a2)內(nèi)的醇式羥基的總量的10摩爾％或更多且25摩爾％或更少被可酸解溶解抑制基團保護，并且用可酸解溶解抑制基團保護之前的所述共聚物的重均分子量為2,000或更多且8,500或更少。
2.如權(quán)利要求1所述的正性抗蝕劑組合物，其中可酸解溶解抑制基團保護之前，組分(A)內(nèi)的結(jié)構(gòu)單元(a1)和結(jié)構(gòu)單元(a2)之間的摩爾比為85∶15～70∶30。
3.如權(quán)利要求1所述的正性抗蝕劑組合物，其中結(jié)構(gòu)單元(a2)是衍生自(甲基)丙烯酸酯的結(jié)構(gòu)單元，而所述(甲基)丙烯酸酯包含帶有醇式羥基的脂肪族多環(huán)基團。
4.如權(quán)利要求3所述的正性抗蝕劑組合物，其中結(jié)構(gòu)單元(a2)是衍生自(甲基)丙烯酸酯的結(jié)構(gòu)單元，而所述(甲基)丙烯酸酯包含帶有醇式羥基的金剛烷基。
5.如權(quán)利要求1所述的正性抗蝕劑組合物，其中可酸解溶解抑制基團為1-低級烷氧基烷基。
6.如權(quán)利要求1所述的正性抗蝕劑組合物，其中樹脂組分(A)的共聚物還包括衍生自苯乙烯的第三結(jié)構(gòu)單元(a3)。
7.如權(quán)利要求1所述的正性抗蝕劑組合物，其中，在可酸解溶解抑制基團保護之前的所述共聚物的多分散性(Mw/Mn比)為2.0或更小。
8.如權(quán)利要求1所述的正性抗蝕劑組合物，其中酸生成劑組分(B)包括重氮甲烷基酸生成劑。
9.如權(quán)利要求1～8中任一項所述的正性抗蝕劑組合物，還包括二元或三元低級脂肪族胺(C)。
10.如權(quán)利要求1所述的正性抗蝕劑組合物，所述組合物在包括如下步驟的形成抗蝕劑圖案的方法中用于形成正性抗蝕劑膜將設(shè)置在基材上的正性抗蝕劑膜進行選擇性曝光；進行顯影處理以形成抗蝕劑圖案；以及將所述抗蝕劑圖案進行熱流處理，由此使抗蝕劑圖案變窄。
11.一種形成抗蝕劑圖案的方法，它包括如下步驟使用權(quán)利要求1所述的正性抗蝕劑組合物，在基材上形成正性抗蝕劑膜；對所述正性抗蝕劑膜進行選擇性曝光；進行顯影處理，形成抗蝕劑圖案；以及將所述抗蝕劑圖案進行熱流處理，由此使抗蝕劑圖案變窄。
全文摘要
正性抗蝕劑組合物，它包括樹脂組分(A)和酸生成劑組分(B)，所述組分(A)包括在酸作用下其堿溶性增加的可酸解溶解抑制基團，而所述組分(B)在曝光時產(chǎn)生酸，其中樹脂組分(A)為包括衍生自羥基苯乙烯的第一結(jié)構(gòu)單元(a1)和衍生自含醇式羥基的(甲基)丙烯酸酯的第二結(jié)構(gòu)單元(a2)的共聚物，其中在結(jié)構(gòu)單元(a1)內(nèi)的羥基和結(jié)構(gòu)單元(a2)內(nèi)的醇式羥基的總量的10摩爾％或更多以及25摩爾％或更少用可酸解溶解抑制基團保護，而共聚物用可酸解溶解抑制基團保護之前的重均分子量為2,000－8,500。
文檔編號G03F7/00GK1732409SQ200380107529
公開日2006年2月8日 申請日期2003年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月26日
發(fā)明者佐藤和史, 萩原三雄, 川名大助 申請人:東京應(yīng)化工業(yè)株式會社