專利名稱：氣體產(chǎn)生量少的薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于在IC、LSI等半導(dǎo)體元件、液晶顯示元件等的圖案化用的光刻術(shù)工藝中，用于光掩膜防護(hù)用的薄膜。
背景技術(shù)：
光刻術(shù)技術(shù)，是使用在玻璃板表面形成有回路圖案的光掩膜或光掩膜，回路在涂布有抗蝕劑的硅晶圓上，將該回路圖案曝光，來進(jìn)行轉(zhuǎn)印作業(yè)。該技術(shù)，若是在光掩膜上的回路圖案有塵埃等異物附著狀態(tài)下進(jìn)行曝光時(shí)，上述異物也會(huì)被轉(zhuǎn)印在晶圓上而成為次品的晶圓。特別是使用步進(jìn)機(jī)來進(jìn)行曝光時(shí)，在晶圓上所形成的全部芯片都發(fā)生品質(zhì)不良的可能性增加，異物附著在光掩膜的回路圖案上是個(gè)大問題。
為了解決這樣的問題，在光掩膜上安裝薄膜，通過薄膜來進(jìn)行曝光。使用此方法時(shí)，在光掩膜的回路圖案上，可以防止異物侵入，假使在保護(hù)膜上有異物附著，也不會(huì)轉(zhuǎn)印至晶圓上，可以提高半導(dǎo)體元件等制造時(shí)的合格率。
但是，若貼上薄膜進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間曝光時(shí)，使用g線(436nm)i線(365nm)的光源時(shí)，不會(huì)在光掩膜上發(fā)生的異物，因回路線寬微細(xì)化所伴生的曝光光源短波長(zhǎng)化的影響(使用KrF激光曝光為248nm、使用ArF激光曝光為193nm)，在薄膜-光掩膜空間內(nèi)、或是在光掩膜圖案上，會(huì)產(chǎn)生析出物。此原因可考慮成，洗凈光掩膜時(shí)所使用的硫酸殘留在光掩膜表面，此硫酸與大氣中或是薄膜構(gòu)件中所存在的氨進(jìn)行反應(yīng)，成為異物在光掩膜上析出。而且，隨著曝光光源波長(zhǎng)的變短，會(huì)促進(jìn)此析出反應(yīng)，所以采用了從薄膜所使用的材料中除去氨的對(duì)策。另外，通過盡量降低光掩膜上的殘留硫酸濃度、或減少來自容器的亞硫酸氣體發(fā)生等，能夠提高抑制以硫酸銨、氯化銨等為主德無機(jī)物析出的效果。
另外，與此同時(shí)，也采取了針對(duì)有機(jī)物的對(duì)策。即預(yù)先選定不含升華性的物質(zhì)、例如2，6-二叔丁基-4-甲酚、萘、2，6-二叔丁酚、2，4-二叔丁酚、苯甲酸等的材料，來防止這些物質(zhì)在光掩膜上析出(特開昭63-64048)。
但是最近，即使是采用上述對(duì)策的薄膜、光掩膜的組合，亦發(fā)生在曝光中或是曝光后有異物發(fā)生的問題。
這些物質(zhì)，借助以往所進(jìn)行的降低殘留硫酸濃度、防止亞硫酸氣體的發(fā)生等來減少無機(jī)化合物，或是借助使用不含升華性的有機(jī)化合物的材料以從使用材料中除去異物發(fā)生的對(duì)策，都無法得到解決。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題是提供一種薄膜、及其制造方法，是借助預(yù)先從薄膜本身排除導(dǎo)致析出物生成的物質(zhì)，即使是采用KrF受激準(zhǔn)分子激光或是ArF受激準(zhǔn)分子激光來進(jìn)行曝光，在激光照射時(shí)，以及在保管(在薄膜貼在光掩膜上的狀態(tài)，直到下次使用前放入容器中收存)時(shí)，光掩膜上沒有異物的析出物的形成，能夠長(zhǎng)期間維持正確的圖案精度。
本發(fā)明的課題是提供一種薄膜、及其制造方法，是借助預(yù)先從薄膜本身排除導(dǎo)致析出物生成的物質(zhì)，即使是采用KrF受激準(zhǔn)分子激光或是ArF受激準(zhǔn)分子激光來進(jìn)行曝光，在激光照射時(shí)、以及在保管中，光掩膜上沒有形成異物的析出物，能夠長(zhǎng)期間維持正確的圖案精度。
本發(fā)明者們?yōu)榱私鉀Q上述問題，在分析構(gòu)成問題的異物時(shí)，意外地發(fā)現(xiàn)，含有酯基、脂肪族基、烴基等的揮發(fā)性有機(jī)化合物，而達(dá)成本發(fā)明。此次所確認(rèn)的導(dǎo)致異物發(fā)生的有機(jī)化合物，是在以往未被認(rèn)定為異物發(fā)生源的化合物。
本發(fā)明提供一種薄膜，其特征在于，將從薄膜發(fā)生的有機(jī)化合物成分，在24小時(shí)、室溫(26℃)下，以100ml/min的氮?dú)饬鬟M(jìn)行捕捉，以2，6-二苯基對(duì)苯醚系的多孔聚合物珠吸附劑進(jìn)行吸附，加熱260℃×15分鐘使其進(jìn)行熱脫附，分析所產(chǎn)生的氣體，所檢測(cè)出的揮發(fā)性有機(jī)化合物的總重量相對(duì)于薄膜重量在0.5ppm或其以下。
另外，還提供一種薄膜的制造方法，該方法是將從薄膜發(fā)生的有機(jī)化合物成分，在24小時(shí)、室溫(26℃)下以100ml/min的氮?dú)饬鬟M(jìn)行捕捉，以2，6-二苯基對(duì)苯醚系的多孔聚合物珠吸附劑進(jìn)行吸附，加熱260℃×15分鐘使其進(jìn)行熱脫附，分析所產(chǎn)生的氣體，所檢測(cè)出的揮發(fā)性有機(jī)化合物的總重量相對(duì)于薄膜重量在0.5ppm或以下，其特征在于，使薄膜經(jīng)過除去揮發(fā)性有機(jī)化合物的步驟。
在此，較佳的實(shí)施方式之一是使制造該薄膜所使用的構(gòu)件，經(jīng)過除去揮發(fā)性有機(jī)化合物的步驟。
另外，本發(fā)明提供一種帶有薄膜的光掩膜，該薄膜配備在光掩膜之上，所述薄膜是將從該薄膜發(fā)生的有機(jī)化合物成分，在24小時(shí)、室溫(26℃)下以100ml/min的氮?dú)饬鬟M(jìn)行捕捉，以2，6-二苯基對(duì)苯醚系的多孔聚合物珠吸附劑進(jìn)行吸附，加熱260℃×15分鐘使其進(jìn)行熱脫附，分析所產(chǎn)生的氣體，所檢測(cè)出的揮發(fā)性有機(jī)化合物的總重量相對(duì)于薄膜重量在0.5ppm或以下。
本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體元件的制造方法，該方法使用配備了薄膜的光掩膜，該薄膜是將從該薄膜發(fā)生的有機(jī)化合物成分，在24小時(shí)、室溫(26℃)下以100ml/min的氮?dú)饬鬟M(jìn)行捕捉，以2，6-二苯基對(duì)苯醚系的多孔聚合物珠吸附劑進(jìn)行吸附，加熱260℃×15分鐘使其進(jìn)行熱脫附，分析所產(chǎn)生的氣體，所檢測(cè)出的揮發(fā)性有機(jī)化合物的總重量相對(duì)于薄膜重量在0.5ppm或以下。
本發(fā)明還提供一種薄膜的使用方法，該方法是使用薄膜來進(jìn)行半導(dǎo)體元件制程中的防塵，該薄膜是將從該薄膜發(fā)生的有機(jī)化合物成分，在24小時(shí)、室溫(26℃)下以100ml/min的氮?dú)饬鬟M(jìn)行捕捉，以2，6-二苯基對(duì)苯醚系的多孔聚合物珠吸附劑進(jìn)行吸附，加熱260℃×15分鐘使其進(jìn)行熱脫附，分析所產(chǎn)生的氣體，所檢測(cè)出的揮發(fā)性有機(jī)化合物的總重量相對(duì)于薄膜重量在0.5ppm或以下。
具體實(shí)施例方式
(薄膜)本發(fā)明的薄膜，是以往公知的薄膜，例如，在由鋁等金屬所構(gòu)成的薄膜框的一端部，通過粘著劑將薄膜張開架住，在另一端部涂布粘著劑而固定在光掩膜上來使用的。薄膜框的內(nèi)側(cè)，有時(shí)會(huì)涂布公知的可將異物固定化的粘著劑。又，薄膜在制造后、至使用的期間，在粘著劑涂布面附加襯墊。
(薄膜的制造方法)
在本發(fā)明中，為了提供一種即使是采用KrF或是ArF受激準(zhǔn)分子激光來進(jìn)行曝光，在激光照射時(shí)、以及在保管中，也可以防止在光掩膜上形成異物的析出物，能夠長(zhǎng)期間維持正確的圖案精度的薄膜，可以使用預(yù)先除去會(huì)從薄膜發(fā)生的揮發(fā)性有機(jī)化合物的構(gòu)件來制造薄膜的方法，也可以借助在薄膜組裝后，除去發(fā)揮性有機(jī)化合物成分來制造薄膜的方法。
例如，在制造薄膜時(shí)，為了除去框內(nèi)側(cè)的異物，要涂布稱為內(nèi)壁涂布劑的材料。之后，為了與光掩膜密合，要在框的下側(cè)涂布光掩膜粘著劑，貼上襯墊后，在薄膜框的上側(cè)，涂布為貼上膜的粘著劑后，再貼上膜片，通常將其收納在薄膜保管用容器中。在此等一連串的制程中，對(duì)揮發(fā)性有機(jī)化合物的除去，可以在制造薄膜前的階段對(duì)每一構(gòu)件進(jìn)行除去處理，也可以在制造后對(duì)各個(gè)薄膜、容器進(jìn)行除去處理。
(捕集到的有機(jī)化合物)在本發(fā)明中，薄膜中所含有的揮發(fā)性有機(jī)化合物的成分，是微量含在薄膜所使用的光掩膜粘著劑、膜粘著劑、內(nèi)壁涂布劑中的成分，或是由于某種原因所產(chǎn)生的物質(zhì)，是飽和或是不飽和的脂肪族烴類化合物、芳香族烴類化合物，有時(shí)具有酮、酯、羧酸等官能基。例如，作為飽和或是不飽和的脂肪族烴類化合物，可以列舉出壬烷、癸烷、十一烷、1-戊烯、2-甲基辛烷、4-甲基辛烷、十一碳烯、環(huán)辛烷、十二烯、2-甲基-1-十一碳烯、十二烷、十四烷、十五烷、十八烷等。作為酮系化合物，可列舉出丙酮、甲基乙基酮、環(huán)己酮、2-甲基-3-庚酮、2-庚酮等。作為酯系化合物，可列舉出乙酸乙酯、乙酸丁酯、醋酸正丁酯、甲基丙烯酸甲酯等。作為醇系化合物，可列舉出異丙醇、丁醇、2-乙基己醇、丙二醇單甲醚等。作為芳香族系化合物，可列舉出甲苯、間二甲苯、對(duì)二甲苯、苯甲酸、異丙苯等。
(揮發(fā)性有機(jī)化合物成分的除去)在本發(fā)明中，為了減少薄膜所發(fā)生的揮發(fā)性有機(jī)化合物成分的濃度，采取將薄膜或是薄膜的材料在氣體的流通下加熱、合/或置于減壓環(huán)境下等方法。
在本發(fā)明中，對(duì)置于氣體中時(shí)所使用的氣體并沒有特別限定物，有氮、空氣、氦、氬等。
在本發(fā)明中，對(duì)氣體的流速?zèng)]有特別限定，但以使用1ml/min至1000ml/min者為佳。這是因?yàn)闅怏w的流量太小時(shí)，除去揮發(fā)行有機(jī)化合物成分所需要的時(shí)間太長(zhǎng)，氣體的流量太大時(shí)異物會(huì)附著在薄膜上，在本發(fā)明的加熱方法中，可以使用對(duì)薄膜或薄膜的各材料照射光的方法、使其直接加溫的方法、施加超音波的振動(dòng)方法、施加壓力方法等可轉(zhuǎn)換成熱能的方法，并沒有特別的限制。其中以使用光照射方法、直接加溫方法為佳。由此，可以減少在薄膜中的揮發(fā)性有機(jī)化合物成分的濃度。
在此，內(nèi)壁涂布劑、框下側(cè)所涂布的光掩膜粘著劑等，由于其本身被認(rèn)為是會(huì)導(dǎo)致發(fā)生揮發(fā)性物質(zhì)，因此有必要進(jìn)行除去異物的處理。此時(shí)，將材料加熱至其分解溫度以下的溫度，能有效地除去異物。通常是以100℃～200℃加熱為佳，更佳的是以140℃～180℃加熱。又，此時(shí)在氮?dú)饬髦羞M(jìn)行，不只是防止材料的氧化，而且可高效率地除去揮發(fā)性物質(zhì)。又，在減壓下除去揮發(fā)性有機(jī)化合物，在降低處理溫度、縮短處理時(shí)間的方面是適當(dāng)?shù)摹ＭǔＪ窃?.001～55000Pa進(jìn)行，但在45000Pa或以下為佳，更佳的是在3500Pa或以下進(jìn)行。再有，這些處理，當(dāng)內(nèi)壁涂布劑、光掩膜粘著劑為復(fù)數(shù)物質(zhì)所構(gòu)成的物時(shí)，可以對(duì)含有揮發(fā)性有機(jī)化合物的構(gòu)成物加熱、減壓，除去揮發(fā)性有機(jī)化合物后，再制造出內(nèi)壁涂布劑、光掩膜粘著劑，也可以在制造成內(nèi)壁涂布劑、光掩膜粘著劑后，除去揮發(fā)性有機(jī)化合物。
除去來自薄膜成品的揮發(fā)性有機(jī)化合物，必須在不影響薄膜成品品質(zhì)的溫度下進(jìn)行，結(jié)果加熱溫度受到限制。通常是以40℃～100℃加熱處理，溫度若太高，會(huì)有薄膜變形、防礙回路圖案的制作，或內(nèi)壁涂布劑、光掩膜粘著劑變形，貼附于光掩膜時(shí)無法完全貼附、而防礙防塵機(jī)能的情形。此時(shí)，因?yàn)闊o法將溫度升高至將來自薄膜各構(gòu)成物的揮發(fā)性有機(jī)物加熱除去時(shí)的溫度，所以必須調(diào)整加熱時(shí)間。
在本發(fā)明中，加熱薄膜各構(gòu)件的溫度，是以40℃～200℃為佳，更佳的是以40℃～180℃。又，在薄膜成品的狀態(tài)下加熱時(shí)的溫度，以40℃～100℃為佳。
在本發(fā)明中，減壓環(huán)境下是指使用公知的真空泵來完成的，借著將薄膜、或是薄膜的各材料置于減壓環(huán)境下，能夠減少揮發(fā)性有機(jī)化合物成分的濃度。
在本發(fā)明中，減少在薄膜的材料(光掩膜粘著劑、膜片粘著劑、內(nèi)壁涂布劑)中所含有的揮發(fā)性有機(jī)化合物濃度的方法，除上述的方法外，再沉淀精制法也是有效的。
在本發(fā)明中，測(cè)定揮發(fā)性有機(jī)化合物成分的濃度的方法是使用氣相色譜(GC)分析進(jìn)行的。例如，作為測(cè)定從氣體發(fā)生量較少的薄膜、薄膜的構(gòu)件等所發(fā)生氣體的方法，是將薄膜放入玻璃制的容器中，在保持一定溫度下，在一定時(shí)間內(nèi)使氣體流入容器內(nèi)，借著捕集管收集從容器出來的氣體，以GC分析來定量其物質(zhì)量。
又，對(duì)于薄膜的各材料，可以用固定相吸附-加熱脫離(TCE-GC)法來分析。這是將某種重量的薄膜的各材料放入具有加熱功能的裝置中，將加熱所發(fā)生的氣體直接注入GC分析裝置加以分析的方法。
(實(shí)施例)以下依照實(shí)施例說明。
(氣體的捕集方法)從薄膜、薄膜的構(gòu)件等發(fā)生的揮發(fā)性物質(zhì)，可以借著捕集材捕集、加以分析。捕集是使用吸附劑(以2，6-二苯基對(duì)苯醚為基材的弱極性多孔聚合物珠)。以下所使用的吸附劑的特性如下。
吸附劑的特性比表面積(Specific surfacearea) 35m2/g細(xì)孔容積(pore volume)2.4cm2/g平均細(xì)孔徑(average poresize) 200nm密度(Density)0.25g/cm3該吸附劑，可使用商品名為TENAX-GR、或是TENAX-TA(GL科學(xué)公司制)者。在以下的實(shí)施例中，是將從薄膜發(fā)生的有機(jī)化合物成分，以24小時(shí)、室溫(26℃)，使100ml/min的氮?dú)饬魍ㄟ^填充有3ml吸附劑的捕集管(JHS-100A用捕集管)，作為樣品。
將樣品導(dǎo)入GC裝置，使用頂孔取樣器(JHS-100A(日本分析工業(yè)公司制造))，以260℃×15min加熱捕集管使其進(jìn)行熱脫附，借助GC/MS法分析所產(chǎn)生氣體。GC/MS法的分析條件如表1所顯示。
表1 GC/MS法分析條件

(實(shí)施例1)為防止異物附著在薄膜上面，將所使用的烘箱的潔凈度設(shè)為100。將薄膜成品(17.1341g)，以被認(rèn)為最能夠除去從光掩膜粘著劑發(fā)生的揮發(fā)性有機(jī)化合物的剝?nèi)ヒr墊的狀態(tài)，于大氣壓下靜置在設(shè)定為50℃的烘箱中24小時(shí)。接著，將薄膜放入玻璃室(24cm×24cm×8cm)中，氮?dú)庖话銖母邏簹怏w容器以100ml/min流動(dòng)，一邊使產(chǎn)生的氣體通過填充有吸附劑(TENAX-GR)約3ml的捕集管，藉吸附劑來濃縮有機(jī)物、采取樣品。此取樣是在室溫(26℃)進(jìn)行24小時(shí)。將借助捕集管所采得的樣品以260℃×15min加熱，使捕集物運(yùn)行熱脫附，由GC/MS法分析所產(chǎn)生的氣體。分析結(jié)果顯示在表中。此處所顯示的數(shù)值是，由絕對(duì)校準(zhǔn)曲線法(以甲苯作為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì))所求得的各化合物的重量、除以每片薄膜的重量來算出的。結(jié)果如表2所顯示。
加熱薄膜的結(jié)果，從分析結(jié)果(參照后述的比較例1)可明顯看出，所檢測(cè)出的化合物全部都減少了，合計(jì)為處理前的約1/5。由此可知薄膜因加熱所產(chǎn)生的物質(zhì)減少了。
接著，將加熱后的薄膜貼附于光掩膜，在50℃的烘箱中靜置3小時(shí)，作為異物發(fā)生確認(rèn)用樣品。之后，以ArF受激準(zhǔn)分子激光照射兩樣品。照射條件，是以振蕩頻率500Hz、能量密度1mJ/cm2/pulse照射2000J/cm2。結(jié)果貼上加熱后的薄膜的光掩膜上以及薄膜上，均未看見異物析出。結(jié)果如表3所顯示。
(比較例1)除了在烘箱中處理12小時(shí)以外，其余與實(shí)施例1進(jìn)行同樣的處理。由此所得到薄膜的氣體發(fā)生量，如表2所顯示。
將這樣所得到的薄膜，與實(shí)施例1同樣地貼上光掩膜，以ArF受激準(zhǔn)分子激光照射，薄膜的激光照射部位變白，在光掩膜上確認(rèn)有直徑0.2μm左右的異物析出。結(jié)果如表3所顯示。
(實(shí)施例2)將用來在光掩膜貼附薄膜框的光掩膜粘著劑加熱至200℃，在35000Pa的減壓環(huán)境下加熱處理4小時(shí)，以預(yù)先減少光掩膜貼著劑發(fā)生的物質(zhì)。用TCE-GC法來測(cè)定從此光掩膜粘著劑發(fā)生的物質(zhì)量。將光掩膜粘著劑20mg置于100℃的溫度下3分鐘，測(cè)定由此發(fā)生的氣體量。其結(jié)果，與未處理的光掩膜粘著劑比較，發(fā)生的氣體量減少為約1/8。
接著，以將內(nèi)壁涂布劑溶解于丙酮中，使?jié)舛葹?0wt％，放入茄形燒瓶中，之后以5000Pa、120℃的狀態(tài)放置6小時(shí)，以預(yù)先減少內(nèi)壁涂布劑發(fā)生的物質(zhì)。用TCT-GC法來測(cè)定此內(nèi)壁涂布劑發(fā)生的物質(zhì)量。將內(nèi)壁涂布劑20mg置于100℃的溫度下3分鐘，測(cè)定由此發(fā)生的氣體量。其結(jié)果，與未處理的內(nèi)壁涂布劑比較，發(fā)生的氣體量減少為約1/5。
使用此光掩膜粘著劑、以及內(nèi)壁涂布劑來制造薄膜。接著，與實(shí)施例1同樣地貼上光掩膜，在50℃的烘箱中靜置3小時(shí)，作為異物發(fā)生確認(rèn)用樣品。與實(shí)施例1同樣地，對(duì)此樣品以ArF受激準(zhǔn)分子激光照射。其結(jié)果，觀察以100、1000、2000、5000、10000、20000J/cm2照射后的結(jié)果，無論任一情況，在薄膜及光掩膜上都沒有觀察到異物發(fā)生。
(比較例2)使用未處理的光照粘著劑來制造薄膜。接著，與實(shí)施例1同樣的貼上光掩膜，在50℃的烘箱中靜置3小時(shí)，作為異物發(fā)生確認(rèn)用樣品。與實(shí)施例1同樣地，對(duì)此樣品以ArF受激準(zhǔn)分子激光照射。其結(jié)果，觀察100J/cm2照射后結(jié)果時(shí)，在薄膜及光掩膜上、以及在薄膜與光掩膜之間，有異物發(fā)生，使用異物檢查機(jī)確認(rèn)出2305個(gè)異物。
(比較例3)將薄膜長(zhǎng)期間(約1年左右)放置在室溫(25℃)時(shí)，結(jié)果如表2所顯示。結(jié)果，C5H10、丙烯酸甲酯、丁醇雖然各減少至0.01ppm以下，但其他的揮發(fā)性有機(jī)化合物成分的量幾乎沒有變化。
表2來自薄膜的揮發(fā)性有機(jī)化合物成分分析結(jié)果單位ppm

接下頁表2 接上頁

表3異物發(fā)生確認(rèn)結(jié)果

產(chǎn)業(yè)上可利用性若使用本發(fā)明的薄膜，即使是采用KrF受激準(zhǔn)分子激光或是ArF受激準(zhǔn)分子激光來進(jìn)行曝光，在激光照射時(shí)、以及在保管中可以防止在光掩膜上形成異物的析出物，能夠長(zhǎng)期間維持正確的圖案精度，在產(chǎn)業(yè)的利用上具有重要的意義。
權(quán)利要求
1.一種薄膜，其特征在于，將從薄膜發(fā)生的有機(jī)化合物成分在24小時(shí)、室溫(26℃)下以100ml/min的氮?dú)饬鬟M(jìn)行捕捉，用2，6-二苯基對(duì)苯醚系的多孔聚合物珠吸附劑進(jìn)行吸附，加熱260℃×15分鐘使其進(jìn)行熱脫附，分析所產(chǎn)生的氣體，所檢測(cè)出的揮發(fā)性有機(jī)化合物的總重量相對(duì)于薄膜重量在0.5ppm或以下。
2.一種薄膜的制造方法，該方法是將從薄膜發(fā)生的有機(jī)化合物成分在24小時(shí)、室溫(26℃)下以100ml/min的氮?dú)饬鬟M(jìn)行捕捉，以2，6-二苯基對(duì)苯醚系的多孔聚合物珠吸附劑進(jìn)行吸附，加熱260℃×15分鐘使其進(jìn)行熱脫附，分析所產(chǎn)生的氣體，所檢測(cè)出的揮發(fā)性有機(jī)化合物的總重量相對(duì)于薄膜重量在0.5ppm或以下的薄膜的制造方法，其特征在于，使薄膜經(jīng)過除去揮發(fā)性有機(jī)化合物的步驟。
3.如權(quán)利要求2的薄膜的制造方法，其中，使制造該薄膜所使用的構(gòu)件經(jīng)過除去揮發(fā)性有機(jī)化合物的步驟。
4.一種帶有薄膜的光掩膜，該薄膜配備在光掩膜之上，所述薄膜是將從該薄膜發(fā)生的有機(jī)化合物成分在24小時(shí)、室溫(26℃)下以100ml/min的氮?dú)饬鬟M(jìn)行捕捉，以2，6-二苯基對(duì)苯醚系的多孔聚合物珠吸附劑進(jìn)行吸附，加熱260℃×15分鐘使其進(jìn)行熱脫附，分析所產(chǎn)生的氣體，所檢測(cè)出的揮發(fā)性有機(jī)化合物的總重量相對(duì)于薄膜重量在0.5ppm或以下。
5.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，該方法使用配備了薄膜的光掩膜，該薄膜是將從該薄膜發(fā)生的有機(jī)化合物成分在24小時(shí)、室溫(26℃)下以100ml/min的氮?dú)饬鬟M(jìn)行捕捉，以2，6-二苯基對(duì)苯醚系的多孔聚合物珠吸附劑進(jìn)行吸附，加熱260℃×15分鐘使其進(jìn)行熱脫附，分析所產(chǎn)生的氣體，所檢測(cè)出的揮發(fā)性有機(jī)化合物的總重量相對(duì)于薄膜重量在0.5ppm或以下。
6.一種薄膜的使用方法，該方法是使用薄膜來進(jìn)行半導(dǎo)體元件制程中的防塵，該薄膜是將從該薄膜發(fā)生的有機(jī)化合物成分在24小時(shí)、室溫(26℃)下以100ml/min的氮?dú)饬鬟M(jìn)行捕捉，以2，6-二苯基對(duì)苯醚系的多孔聚合物珠吸附劑進(jìn)行吸附，加熱260℃×15分鐘使其進(jìn)行熱脫附，分析所產(chǎn)生的氣體，所檢測(cè)出的揮發(fā)性有機(jī)化合物的總重量相對(duì)于薄膜重量在0.5ppm或以下。
全文摘要
提供一種薄膜，通過預(yù)先從薄膜本身排除會(huì)導(dǎo)致生成析出物的物質(zhì)，即使是采用KrF或是ArF受激準(zhǔn)分子激光來進(jìn)行曝光，在激光照射時(shí)、以及在保管中，也可以防止在光罩上形成異物析出物，能夠長(zhǎng)時(shí)間維持正確的圖案精度。在薄膜的制造過程中，通過將所使用的構(gòu)件或是成品加熱或是置于減壓下等，以預(yù)先除去從所使用的構(gòu)件或是成品發(fā)生的物質(zhì)。
文檔編號(hào)G03F1/14GK1711502SQ20038010326
公開日2005年12月21日 申請(qǐng)日期2003年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月15日
發(fā)明者河關(guān)孝志, 中川廣秋 申請(qǐng)人:三井化學(xué)株式會(huì)社