專利名稱：液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示器件和制造顯示器件的方法，更為特別地，涉及液晶顯示器件和制造液晶顯示器件的方法。
背景技術(shù)：
通常，陰極射線管(CTR)裝置已經(jīng)被普遍用于顯示圖像。然而，由于它們尺寸和重量的限制，CRT裝置日益被尺寸小、重量輕且具有薄外形和低功耗的液晶顯示(LCD)器件所替代。
LCD器件包括陣列基板，其上布置有薄膜晶體管(TFT)；濾色器基板，其上形成有紅、綠和藍色濾色器層，并且該濾色器基板附連于陣列基板；和插入在陣列基板與濾色器基板之間的液晶材料。通過利用包括幾個掩模步驟的光刻工藝對金屬和絕緣層進行構(gòu)圖和刻蝕來形成所述陣列基板和濾色器基板。
陣列基板的制造包括第一掩模步驟，其中，將金屬層淀積在透明玻璃基板上，然后刻蝕該金屬層以形成選通匯流線(gate bus line)和柵極。接著，在第二掩模步驟期間，在透明玻璃基板上涂覆柵極絕緣層、非晶硅膜和摻雜非晶硅膜以形成有源層。然后，第三掩模步驟包括在玻璃基板上淀積源/漏金屬膜并對該金屬膜進行構(gòu)圖，以在有源層上形成源極/漏極并形成數(shù)據(jù)匯流線。在第四掩模步驟期間，在玻璃基板上淀積鈍化膜并在該鈍化膜中形成接觸孔。然后，在第五掩模步驟期間，在基板上淀積ITO透明膜并對該ITO透明膜進行刻蝕以形成像素電極。
由于制造成本取決于用于制造陣列基板的掩模步驟的總數(shù)目，已對減少掩模步驟的總數(shù)目進行了相當(dāng)?shù)目紤]。因此，可以合并第三和第四掩模步驟，以將掩模步驟的總數(shù)目減少至四個掩模步驟。為順利地進行四個掩模工藝，使用半色調(diào)(half-tone)掩模來同時形成源極和漏極以及有源層，其中利用該半色調(diào)掩模對光致抗蝕劑膜進行構(gòu)圖和刻蝕。另選地，對光致抗蝕劑膜的曝光工藝中的刻蝕，插入具有分辨率小于正常分辨率的狹縫圖形的狹縫型掩模。
圖1至4是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)利用四個掩模工藝來制造液晶顯示器件的方法的剖面圖。在圖1中，利用濺射方法在透明絕緣基板10上淀積諸如鋁(Al)、鉻(Cr)等金屬膜。然后，將光致抗蝕劑膜涂覆到該金屬膜上，并且利用第一掩模對該光致抗蝕劑膜進行曝光以形成光致抗蝕劑圖形。接著，利用光致抗蝕劑圖形作為刻蝕掩模對金屬膜進行濕法刻蝕，以在透明絕緣基板10上形成柵極1、選通匯流線21和選通焊盤11。此外，柵極1、選通匯流線21和選通焊盤11可以包括專門在柵極1、選通匯流線21和選通焊盤11的上表面上形成的附加導(dǎo)電層。
在圖2中，在透明絕緣基板10上依次淀積柵極絕緣層3、非晶硅膜(a-SiH)5和n+摻雜非晶硅膜7。接著，在透明絕緣基板10上淀積金屬膜。然后，將光致抗蝕劑膜涂覆到該金屬膜上，并通過利用第二掩模對該光致抗蝕劑膜進行曝光和顯影以形成光致抗蝕劑圖形。
第二掩模包括狹縫，以便使用半色調(diào)圖形來形成非晶硅膜(a-SiH)5的溝道層區(qū)。因此，減少了透過第二掩模的狹縫照射到光致抗蝕劑膜上的光量。這樣，光致抗蝕劑膜與第二掩模的狹縫區(qū)相對應(yīng)的區(qū)域僅接收部分照射光。
然后，進行刻蝕工藝以同時形成源極9a、漏極9b、數(shù)據(jù)匯流線、數(shù)據(jù)焊盤31、歐姆接觸層7和溝道層5。換言之，單個掩模工藝能夠同時形成源極9a、漏極9b、數(shù)據(jù)匯流線、數(shù)據(jù)焊盤31、歐姆接觸層7和溝道層5，從而減少掩模步驟的總數(shù)目。
在圖3中，在透明絕緣基板10上形成鈍化膜13。然后，利用第三掩模步驟在鈍化膜13中形成接觸孔以暴露選通焊盤11和數(shù)據(jù)焊盤31。
在圖4中，沿透明絕緣基板10的整個表面淀積ITO透明導(dǎo)電膜。然后，將光致抗蝕劑膜涂覆到該ITO膜上，并且通過利用第四掩模對該光致抗蝕劑膜進行構(gòu)圖以形成像素電極15、選通焊盤圖形25和數(shù)據(jù)焊盤圖形27。像素電極15被形成得與選通匯流線21交疊，以便與選通匯流線21形成輔助電容。
然而，如上所述，利用四個掩模制造工藝的LCD器件的制造成本比三個掩模制造工藝的相關(guān)成本高得多。因此，利用三個掩模工藝制造的LCD陣列基板將導(dǎo)致成本降低，并且增加制造LCD陣列基板的總時間。此外，由于大尺寸的LCD器件需要增加選通匯流線和數(shù)據(jù)匯流線的長度，所以需要低電阻布線。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及液晶顯示器件和制造液晶顯示器件的方法，其基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點所導(dǎo)致的一個或多個問題。
本發(fā)明的一個目的是提供一種液晶顯示器件，其具有增加的電容和低電阻布線結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一目的是提供一種液晶顯示器件的制造方法，其具有減少的掩模工藝數(shù)目。
本發(fā)明的又一目的是提供一種液晶顯示器件的制造方法，其具有減少的化學(xué)處理工藝數(shù)目。
本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點將在下述說明書中加以闡述，其部分從說明書中是顯而易見的，或者可從本發(fā)明的實踐中獲知。通過由書面的說明書及其權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)，可以認識并且實現(xiàn)本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。
為實現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如具體實現(xiàn)且廣泛描述的那樣，制造液晶顯示器件的方法包括利用第一掩模工藝在基板上形成柵極、選通匯流線和選通焊盤；在基板的整個表面上形成柵極絕緣層和有源層；在基板的整個表面上形成第一有機材料膜；除去部分第一有機材料膜以暴露選通焊盤的第一部分；在基板的整個表面上淀積透明膜；利用第二半色調(diào)掩模對透明膜進行構(gòu)圖，以形成數(shù)據(jù)匯流線、源極、漏極、像素電極、溝道層和歐姆接觸層；利用第三掩模工藝暴露部分數(shù)據(jù)焊盤和部分數(shù)據(jù)匯流線；在基板的整個表面上形成第二有機材料膜；在數(shù)據(jù)匯流線上淀積低電阻材料；在基板上涂覆鈍化膜；利用移去(lift-off)工藝除去第二有機材料膜，以暴露選通焊盤的第二部分和數(shù)據(jù)焊盤的第一部分。
在另一方面中，制造液晶顯示器件的方法包括在基板上形成柵極、選通匯流線和選通焊盤；在基板的整個表面上形成柵極絕緣層、有源層和透明膜；對有源層和透明導(dǎo)電膜進行構(gòu)圖，以形成數(shù)據(jù)匯流線、數(shù)據(jù)焊盤、源極、漏極、像素電極、溝道層和歐姆接觸層；在基板整個表面上形成鈍化層；以及，暴露部分選通焊盤和部分數(shù)據(jù)焊盤，其中數(shù)據(jù)匯流線與源極、漏極和像素電極包括透明導(dǎo)電膜。
在又一方面中，液晶顯示器件包括基板上的柵極、選通匯流線和選通焊盤；基板上的數(shù)據(jù)匯流線和數(shù)據(jù)焊盤；基板整個表面上的柵極絕緣層；部分柵極絕緣層上的有源層；有源層上的源極、漏極和像素電極；以及數(shù)據(jù)匯流線上的低電阻材料，其中數(shù)據(jù)匯流線、選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤、源極和漏極、以及像素電極由透明導(dǎo)電材料形成。
在又一方面中，液晶顯示器件包括基板上的選通匯流線；形成在選通匯流線上的柵極絕緣層；形成在柵極絕緣層上的有源層；和專門形成在有源層上的包括銦錫氧化物膜的輔助電容電極。
可以理解，本發(fā)明前面的總體說明和后面的具體說明都是示例性和解釋性的，用于提供對如權(quán)利要求書所述的本發(fā)明的進一步解釋。
附圖被包括進來以提供對本發(fā)明的進一步的理解，并且將其并入并構(gòu)成本申請的一部分，其示出了本發(fā)明的實施例并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖中圖1至4是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)利用四個掩模工藝制造液晶顯示器件的方法的剖面圖；圖5至15是根據(jù)本發(fā)明利用三個掩模工藝制造液晶顯示器件的示例方法的剖面圖和平面圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明制造液晶顯示器件的示例工藝的剖面圖。
具體實施例方式
下面參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行具體說明。
圖5至15是根據(jù)本發(fā)明利用三個掩模工藝制造液晶顯示器件的示例方法的剖面圖和平面圖。在圖5中，例如，可以采用濺射方法在透明下基板100上淀積諸如鋁(Al)、鉻(Cr)等的金屬膜。然后，可以將光致抗蝕劑膜涂覆到該金屬膜上，并且利用第一掩模對該光致抗蝕劑膜進行曝光。接著，可以對光致抗蝕劑膜的曝光部分進行顯影，從而形成光致抗蝕劑圖形，以便除去位于與要被刻蝕的金屬膜部分相對應(yīng)的區(qū)域中的光致抗蝕劑膜部分。然后，通過例如使用所述光致抗蝕劑圖形作為刻蝕掩模的濕法刻蝕工藝來部分地刻蝕金屬膜，以在透明下基板100上形成柵極101、選通焊盤111和選通匯流線121。此外，為減小接觸電阻，柵極101、選通焊盤111和選通匯流線121可以包括專門形成在柵極101、選通焊盤111和選通匯流線121的上表面上的附加導(dǎo)電層。例如，可以在柵極101、選通焊盤111和選通匯流線121的上表面上形成硅化物材料。
在圖6A中，沿著透明下基板100與柵極101、選通焊盤111和選通匯流線121的整個表面來淀積柵極絕緣層103。接著，可以在透明下基板100上依次淀積非晶硅膜(a-SiH)和n+摻雜非晶硅膜以形成有源層105。例如，可以利用等離子體增強化學(xué)汽相淀積(PECVD)腔室來形成柵極絕緣層103和有源層105。然后，可以將第一有機膜200印刷到透明下基板100的除去選通焊盤區(qū)域之外的整個區(qū)域上，以形成印刷區(qū)域501(圖6B中)。
在圖6B中，印刷區(qū)域501可以包括第一有機膜200，但選通焊盤區(qū)域可以不包括第一有機膜200。因此，第一有機膜200可以印刷于其上可以形成有像素區(qū)域的區(qū)域內(nèi)，而可以不印刷在除像素區(qū)域之外的其它區(qū)域內(nèi)，以便暴露有源層。接著，可以對透明下基板100進行干法刻蝕，以暴露淀積在選通焊盤區(qū)域內(nèi)的有源層105的部分。
在圖7中，可以完全除去印刷的第一有機膜200，并且例如采用濺射方法可以在透明下基板100的整個表面上淀積諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電膜107。ITO膜107可用于隨后形成在透明下基板100上的薄膜晶體管(TFT)的源極、漏極和像素電極。因此，源極、漏極和像素電極可以整體地形成在透明下基板100上，其中可以不需要分別形成將漏極與像素電極電連接的單獨接觸孔。
在圖8中，可以在包括ITO膜107的透明下基板100上涂覆光致抗蝕劑膜。然后，利用第二掩模曝光該光致抗蝕劑膜以形成半色調(diào)圖形300。例如，可以按預(yù)定量部分地曝光位于TFT區(qū)域的溝道內(nèi)的光致抗蝕劑膜的第一部分，可以不曝光位于源極和漏極區(qū)域內(nèi)的光致抗蝕劑膜的第二部分，而可以完全曝光位于要被完全刻蝕的區(qū)域內(nèi)的光致抗蝕劑膜的第三部分，從而形成半色調(diào)圖形300。
在圖9A中，可以利用半色調(diào)圖形300來濕法刻蝕ITO膜107，從而形成選通焊盤圖形132和數(shù)據(jù)焊盤圖形131，并且可以除去覆在TFT區(qū)域上的TTO膜107的第一部分。相應(yīng)地，可以保留位于TFT區(qū)域內(nèi)的ITO膜107的第二部分，其可用于形成在有源層105的非晶硅(a-SiH)和n+摻雜非晶硅膜上的源極107a和漏極108(圖10A中)、以及可以與漏極108(圖10A中)相連續(xù)的像素電極108(圖10A中)。此外，可以部分地干法刻蝕與TFT區(qū)域的溝道相對應(yīng)的有源層105的部分，以形成位于所述TFT區(qū)域內(nèi)的溝道層和歐姆接觸層，并可除去半色調(diào)圖形300。
在圖9B中，當(dāng)形成ITO膜107的第二部分時，可以在透明下基板100上同時形成輔助電容器電極108。因此，可以整體地由ITO膜107形成漏極和像素電極108(圖10A中)，以及與漏極和像素電極108分離的輔助電容器電極108。
根據(jù)本發(fā)明，在兩個掩模工藝之后，可以一起在相同平面上同時形成漏極和像素電極108(圖10A中)、輔助電容器電極108(圖9B中)、數(shù)據(jù)匯流線(未示出)、數(shù)據(jù)焊盤131和源極107a(圖10A中)。此外，源極、漏極和像素電極107a和108(圖10A中)與輔助電容器電極108(圖9B中)可由公共ITO膜形成。
由于像素電極108(圖10A中)、數(shù)據(jù)匯流線(未示出)、數(shù)據(jù)焊盤131、源極107a(圖10A中)、漏極108(圖10A中)和輔助電容器電極108(圖9B中)由公共ITO膜形成，輔助電容展示出特性結(jié)構(gòu)。輔助電容構(gòu)成得其具有的剖面結(jié)構(gòu)包括選通匯流線121、形成在選通匯流線121上的柵極絕緣層103、形成在柵極絕緣層103上的有源層105和形成在有源層105上的ITO膜108。
此外，有源層105可以完全形成在ITO像素電極108的下側(cè)表面上。因此，在像素電極108的下側(cè)表面上沒有引入鈍化膜或?qū)娱g臺階部分，并且有源層105可以設(shè)置為單層。
在圖10A中，可以在包括源極107a與漏極和像素電極108的透明下基板100上淀積第一鈍化膜109。然后，利用第三掩模工藝，可以對第一鈍化膜109進行構(gòu)圖，以暴露交疊在選通焊盤111、數(shù)據(jù)焊盤131、數(shù)據(jù)匯流線(未示出)和源極107a上的ITO膜的部分。數(shù)據(jù)匯流線可將要提供的圖像信號經(jīng)過TFT區(qū)域內(nèi)的TFT傳送到像素電極108。例如，數(shù)據(jù)匯流線(未示出)可以由具有低電阻的金屬圖形形成，因為ITO膜由于其自身相對高的電阻而不適合用于數(shù)據(jù)匯流線。然而，數(shù)據(jù)匯流線可以利用ITO膜與源極107a同時形成。
在圖10B中，可以除去與數(shù)據(jù)匯流線相對應(yīng)的第一鈍化膜109的第一區(qū)域504，并且可以除去與選通焊盤區(qū)域相對應(yīng)的第一鈍化膜109的第二區(qū)域504。
在圖11中，例如，可以利用印刷工藝在選通焊盤區(qū)域和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域上設(shè)置第二有機膜400。
在圖12A中，可以利用諸如電鍍或無電鍍覆的鍍覆方法，在數(shù)據(jù)匯流線507(圖12B中)上淀積具有低電阻的金屬圖形，諸如銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鈦(Ti)和鎢(W)，以形成低電阻數(shù)據(jù)匯流線107b。
在無電鍍覆方法中，可以利用鍍覆溶液中銅離子的還原反應(yīng)在ITO源極107a上形成銅膜，從而形成低電阻數(shù)據(jù)匯流線107b。此外，可以通過添加鉑(Pt)來加速還原反應(yīng)，工藝溫度在大約20-70EC的范圍內(nèi)，而pH值在大約9.0-13.0的范圍內(nèi)。此外，無電鍍覆溶液可以包括用于提供銅離子的硫酸銅、用于提供電子的福爾馬林和用于加長無電鍍覆溶液的使用期限的酒石酸鉀晶體(Rochelle salt)的混合物。
在電鍍方法中，在其上要鍍覆低電阻金屬膜的數(shù)據(jù)匯流線107b可以作為陰極被充電，而諸如Cu、Ag、Au、Ti和W的低電阻金屬膜可以作為陽極被充電。然后，將透明下基板100浸入含有要被鍍覆的低電阻金屬膜離子的電解質(zhì)溶液中，并且在陽極與陰極之間施加電壓。這樣，低電阻金屬可以僅涂覆在為ITO膜的數(shù)據(jù)匯流線507(圖12B中)上，而可以不涂覆于鈍化膜109上。
在圖12B中，第二有機膜印刷區(qū)域506可由第二有機膜400(圖12A中)覆蓋，而可以不將金屬膜鍍覆于數(shù)據(jù)焊盤和選通焊盤區(qū)域內(nèi)。
在圖13A中，可將諸如SiNx的第二鈍化膜119淀積在包括其上印刷有第二有機膜400的選通焊盤圖形132和數(shù)據(jù)焊盤圖形131的透明下基板100的整個表面上。為保護數(shù)據(jù)匯流線107b不受外部影響，可以淀積第二鈍化膜119，并且可將其淀積在第二有機膜400上。
在圖13B中，第二有機膜印刷區(qū)域506由第二有機膜400覆蓋。
在圖14中，可將透明下基板100浸入到用于溶解第二有機膜400的溶液中。這樣，由于第二鈍化膜119不與該溶液反應(yīng)，所以只有覆在第二有機膜400上的第二鈍化膜119的第一部分可以與第二有機膜400一起被除去。這樣，就可以暴露出選通焊盤圖形132和數(shù)據(jù)焊盤圖形131。
在圖15中，覆在TFT和Cst區(qū)域上的第二鈍化膜119的第二部分可以保留在第一鈍化膜109之上。
圖16是根據(jù)本發(fā)明的用于制造液晶顯示器件的示例工藝的剖面圖。用于制造液晶顯示器件的工藝可以包括如圖5-9中所示的工藝，但還可以包括由用以形成源極、漏極、像素電極和輔助電容器電極的ITO膜來形成數(shù)據(jù)匯流線。在圖16中，鈍化膜109可以覆蓋并鈍化與像素電極107a和像素電極108一起形成的數(shù)據(jù)匯流線的上側(cè)表面。
對本領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員而言，顯而易見的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的條件下，可以對本發(fā)明的液晶顯示器件和制造液晶顯示器件的方法進行各種修改和變型。因此，本發(fā)明將覆蓋落入所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變型。
權(quán)利要求
1.一種制造液晶顯示器件的方法，包括步驟利用第一掩模工藝在基板上形成柵極、選通匯流線和選通焊盤；在基板的整個表面上形成柵極絕緣層和有源層；在基板的整個表面上形成第一有機材料膜；除去部分第一有機材料膜以暴露選通焊盤的第一部分；在基板的整個表面上淀積透明膜；利用第二半色調(diào)掩模對透明膜進行構(gòu)圖，以形成數(shù)據(jù)匯流線、源極、漏極、像素電極、溝道層、和歐姆接觸層；利用第三掩模暴露部分數(shù)據(jù)焊盤和部分數(shù)據(jù)匯流線；在基板的整個表面上形成第二有機材料膜；在數(shù)據(jù)匯流線上淀積低電阻材料；在基板上涂覆鈍化膜；利用移去工藝除去第二有機材料膜，以暴露選通焊盤的第二部分和數(shù)據(jù)焊盤的第一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在有源層上同時形成像素電極、源極、漏極和數(shù)據(jù)匯流線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中透明電極材料包括銦錫氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中低電阻材料包括Cu、Ag、Au、Ti和W中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中淀積低電阻材料的步驟包括電鍍方法和無電鍍覆方法之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中除去部分第一有機材料膜的步驟包括刻蝕工藝。
7.一種制造液晶顯示器件的方法，包括以下步驟在基板上形成柵極、選通匯流線和選通焊盤；在基板的整個表面上形成柵極絕緣層、有源層和透明膜；對有源層和透明導(dǎo)電膜進行構(gòu)圖，以形成數(shù)據(jù)匯流線、數(shù)據(jù)焊盤、源極、漏極、像素電極、溝道層、和歐姆接觸層；在基板的整個表面上形成鈍化層；以及暴露部分選通焊盤和部分數(shù)據(jù)焊盤；其中數(shù)據(jù)匯流線和源極、漏極以及像素電極包括透明導(dǎo)電膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中對有源層和透明導(dǎo)電膜進行構(gòu)圖的步驟包括半色調(diào)掩模。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中透明導(dǎo)電膜包括銦錫氧化物。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，進一步包括在形成鈍化層的步驟之前在選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤上形成有機材料膜的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中暴露選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的步驟包括利用移去方法除去有機材料膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，進一步包括在暴露選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的步驟之前在源極上形成低電阻金屬的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中低電阻金屬包括Cu、Ag、Au、Ti和W中的至少一種。
14.一種液晶顯示器件，包括基板上的柵極、選通匯流線和選通焊盤；基板上的數(shù)據(jù)匯流線和數(shù)據(jù)焊盤；基板整個表面上的柵極絕緣層；部分柵極絕緣層上的有源層；有源層上的源極、漏極和像素電極；和數(shù)據(jù)匯流線上的低電阻材料，其中數(shù)據(jù)匯流線、選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤、源極和漏極、以及像素電極由透明導(dǎo)電材料形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的器件，進一步包括輔助電容器，該輔助電容器包括選通匯流線、柵極絕緣膜、有源層和透明導(dǎo)電材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的器件，其中漏極和像素電極沿選通線的方向整體地形成。
17.一種液晶顯示器件，包括基板上的選通匯流線；在選通匯流線上形成的柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成的有源層；和專門地形成在有源層上的輔助電容器電極，其包括銦錫氧化物膜。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的器件，進一步包括基板上的數(shù)據(jù)匯流線。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的器件，其中數(shù)據(jù)匯流線包括銦錫氧化物膜。
全文摘要
一種制造液晶顯示器件的方法，包括利用第一掩模工藝在基板上形成柵極、選通匯流線和選通焊盤；在基板的整個表面上形成柵極絕緣層和有源層；在基板的整個表面上形成第一有機材料膜；除去部分第一有機材料膜，以暴露選通焊盤的第一部分；在基板的整個表面上淀積透明膜；利用第二半色調(diào)掩模對透明膜進行構(gòu)圖，以形成數(shù)據(jù)匯流線、源極、漏極、像素電極、溝道層、和歐姆接觸層；利用第三掩模暴露部分數(shù)據(jù)焊盤和部分數(shù)據(jù)匯流線；在基板的整個表面上形成第二有機材料膜；在數(shù)據(jù)匯流線上淀積低電阻材料；在基板上涂覆鈍化膜；利用移去工藝除去第二有機材料膜，以暴露選通焊盤的第二部分和數(shù)據(jù)焊盤的第一部分。
文檔編號G02F1/1345GK1512222SQ20031012121
公開日2004年7月14日 申請日期2003年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月30日
發(fā)明者林柄昊 申請人:Lg.飛利浦Lcd有限公司