專利名稱：具有氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有氮化銦(InN)本身或以InN為主要成分的氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光學(xué)和/或電子器件(作為光通信用的光源的溫度特性好的半導(dǎo)體激光二極管，發(fā)光二極管，毫微微秒領(lǐng)域的超高速光控制器件，共鳴隧道二極管，超高速超省電力器件等)及其制造方法。在本說(shuō)明書(shū)中，所謂以InN為主要成分是指材料中含InN在50％以上。另外，所謂氮極性表面或具有與它同樣特性的表面是指例如(001)面或(101)面等那樣，以有極性作為氮極性的表面，和從該表面在10度以內(nèi)傾斜的表面。
背景技術(shù)：
以氮化鎵(GaN)作為主要成分的氮化物半導(dǎo)體，可以利用作為從紫外光至可視光區(qū)域中的發(fā)光元件和超高速的電子器件用的材料。近年來(lái)，InN的能量帶隙為0.7ev，比以前的報(bào)告值小得多，含有InN的氮化物系異質(zhì)半導(dǎo)體可涵蓋0.7ev以下的極廣的能量帶隙。因此，含有InN本身或以InN為主要成分的氮化物的器件，可在極廣的溫度范圍內(nèi)使用，可以利用作為必需有大量圖象信息通信的近年來(lái)的超高速、超寬帶光信息通信時(shí)代的光源或中繼基地局的超高速大電力放大器等基干的光電子器件的材料。
氮化鋁/氮化銦/氮化鎵(AlN/GaN/InN)系氮化物系半導(dǎo)體具有六方晶體的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。在蘭寶石或碳化硅(SiC)基片等上形成的多個(gè)器件，其結(jié)晶的c軸與基片表面大致垂直。其中，利用AlN或GaN的外延，Al或Ga的陽(yáng)離子元素成長(zhǎng)表面方向的結(jié)晶極性(+c極性)，在進(jìn)行結(jié)晶成長(zhǎng)控制和器件結(jié)構(gòu)控制方面較好。然而，InN和以InN為主要成分的氮化物系結(jié)晶，對(duì)外延的結(jié)晶極性的影響還沒(méi)有闡明，一般認(rèn)為，與GaN等同樣。通過(guò)氮化物半導(dǎo)體整體的+c極性較好。(例如參考非專利文獻(xiàn)1、2)。
非專利文獻(xiàn)1Y.Sa to et al.“Polarity of High-Quality Indium Nitride Grown byRF Molecular Beam Epitaxy”，phys.Stat.Sol.(b)228，No.1(2001)pp.13-16.
非專利文獻(xiàn)2A.Yoslikawa et al.“In situ investigation for polarity-contorled epi taxy proces ses of GaN and AlN in MBE and MOVPF groth”，Optical Materials 23(2003)pp.7-14.
InN本身或以InN為主要成分的混晶的結(jié)晶成長(zhǎng)，因InN本身的平衡蒸氣壓高，因此結(jié)晶成長(zhǎng)(異質(zhì)外延)極其困難。另外，設(shè)定光通信波長(zhǎng)域的光器件和超高速，超省電力的高性能電子器件，都必須具有超薄膜和超陡峭異質(zhì)界面。因此，目前要實(shí)現(xiàn)具有所謂步進(jìn)式流動(dòng)成長(zhǎng)等的一個(gè)分子層水平的平坦性的外延很困難。而且，利用習(xí)知的成膜技術(shù)所制造的器件結(jié)晶品質(zhì)不大好，必須大幅度地改善結(jié)晶性。
由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的具有氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件仍存在有諸多的缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決現(xiàn)有的具有氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件的缺陷，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。
有鑒于上述現(xiàn)有的具有氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類(lèi)產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的具有氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件及其制造方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的具有氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件及其制造方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過(guò)不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，著眼于對(duì)InN和以InN為主要成分的氮化物系半導(dǎo)體的外延的極性的影響，而提供一種具有能夠容易地實(shí)現(xiàn)具有一個(gè)分子層水平的平坦性的外延的氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件及其制造方法。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種通過(guò)提高外延的溫度，實(shí)現(xiàn)提高氮化物系薄膜結(jié)晶本身及其異質(zhì)器件結(jié)構(gòu)的品質(zhì)的制造方法。
本發(fā)明的再一目的在于，提供一種能夠高速制造氮化物系薄膜及其異質(zhì)接合器件結(jié)構(gòu)和可增大基片尺寸面積的制造方法。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種具有氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件，其具有InN本身或以InN為主要成分的氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)，至少一部分上具有氮的極性表面或具有與它相同特性的表面的結(jié)晶。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種具有氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件的制造方法，其是具有InN本身或以InN為主要成分的氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件的制造方法，其特征在于在上述器件的至少一部分上，形成氮的極性表面或具有與它同樣的特性的表面的結(jié)晶。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下
本發(fā)明提出一種具有氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件及其制造方法，具有本發(fā)明氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件，其特征為，它具有InN本身或以InN為主要成分的氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)，至少一部分上具有氮的極性表面或具有與它相同特性的表面的結(jié)晶。
另外，具有本發(fā)明的氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件的制造方法，它是具有InN本身或以InN為主要成分的氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件的制造方法，其特征為，在上述器件的至少一部分上，形成氮的極性表面或具有與它同樣的特性的表面的結(jié)晶。
采用本發(fā)明，通過(guò)至少在一部分上形成氮極性表面或具有與它同樣特性的表面(例如，對(duì)表面有10°以內(nèi)的傾斜表面)的結(jié)晶，由于可以在外延和器件制造時(shí)，即使在例如氮過(guò)剩的條件下，也可提高外延的溫度，容易得到如步進(jìn)式流動(dòng)二維成長(zhǎng)一樣的平坦性好的表面，因此可以實(shí)現(xiàn)提高薄膜結(jié)晶品質(zhì)和容易實(shí)現(xiàn)具有一個(gè)分子層水平的平坦性的外延的氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件及其制造方法。另外，InN本身或以InN為主要萬(wàn)分的外延本身困難，因此除了本發(fā)明以外，不可能實(shí)現(xiàn)步進(jìn)式流動(dòng)二維成長(zhǎng)。
綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的具有氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件及其制造方法，具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類(lèi)產(chǎn)品及制造方法中未見(jiàn)有類(lèi)似的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及方法公開(kāi)發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造方法或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的具有氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件及其制造方法具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。
本發(fā)明的具體結(jié)構(gòu)及其制造方法由以下實(shí)施例及附圖詳細(xì)給出。


圖1是具有本發(fā)明的氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件的截面示意圖。
圖2是制造具有本發(fā)明的氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件的外延系統(tǒng)示意圖。
圖3是在N極性GaN模板上的InN成長(zhǎng)順序的例子示意圖。
圖4是在相同的成長(zhǎng)條件(In和N的供給原料電子束比率根據(jù)化學(xué)計(jì)算法條件，設(shè)定在N過(guò)剩側(cè)的情況)下，對(duì)In極性和N極性情況下的InN成膜速度對(duì)溫度的依存性的比較圖。
圖5是表示在GaN上的InN成長(zhǎng)的用分光橢圓對(duì)稱(SE)進(jìn)行的現(xiàn)場(chǎng)觀察的示意圖。
圖6是利用直沖突同軸離子散亂分光裝置解析的InN的極性的示意圖。
圖7A是InN外延膜的掃描電子顯微鏡圖象的表面照片示意圖。
圖7B是InN外延膜的原子間力的顯微鏡圖象的表面照片示意圖。
圖8是InN外延膜的χ射線繞射評(píng)價(jià)(002)和(102)面的搖擺曲線的半值寬度分別為233和970角度秒；電子移動(dòng)度為2000cm2/V.sec的示意圖。
圖9是表示本發(fā)明的器件的第一個(gè)實(shí)施例的示意圖。
圖10是表示本發(fā)明的器件的第二個(gè)實(shí)施例的示意圖。
圖11是表示本發(fā)明的器件的第三個(gè)實(shí)施例的示意圖。
圖12是表示本發(fā)明的器件的第四個(gè)實(shí)施例的示意圖。
圖13是表示本發(fā)明的器件的第五個(gè)實(shí)施例的示意圖。
圖14是表示本發(fā)明的器件的第六個(gè)實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的具有氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件及其制造方法其具體結(jié)構(gòu)、制造方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。
現(xiàn)參照附圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明具有本發(fā)明的氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件及其制造方法的實(shí)施例。
請(qǐng)參閱圖1所示，是具有本發(fā)明的氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件的截面圖。該器件具有表面氮化的c面蘭寶石基片1；GaN緩沖層、InN緩沖層或AlGaInN混晶緩沖層2；N極性GaN層3；N極性AlN層4；N極性InN/InGaN多重層器件結(jié)構(gòu)5；Al極性AlN6；GaN蓋層7。
請(qǐng)參閱圖2、圖3所示，圖2是制造具有本發(fā)明的氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件的外延系統(tǒng)，圖3是在N極性GaN模板上的InN成長(zhǎng)順序的例子。圖2的外延系統(tǒng)具有主腔11，負(fù)載鎖緊腔12，直沖突同軸離子散亂分光裝置(CAICISS)13，氮源用的高頻等離子體單元14，分光橢圓率測(cè)量?jī)x(SE)15，超高真空掃描隧道顯微鏡/原子間力顯微鏡16和高能反射電子線繞射裝置17。
請(qǐng)參閱圖4所示，是在同一成長(zhǎng)條件(In和N的供給原科電子束比率，根據(jù)化學(xué)計(jì)算法條件，設(shè)定在N過(guò)剩一側(cè)的情況)下，分別在In極性和N極性的情況下的InN成膜速度對(duì)溫度的依存性的比較。在N極性和In極性的情況下，在成膜速度不降低的高溫區(qū)域附近，用斜線打陰影的縱長(zhǎng)的帶，表示在二種極性情況下的最優(yōu)的外延溫度。N極性時(shí)的成膜溫度，與IN極性時(shí)比較，約高100°左右。當(dāng)在InN成膜在一次成長(zhǎng)表面上出現(xiàn)InN液滴(小滴)時(shí)，由于液滴阻害成膜，必須在外延中避免出現(xiàn)In液滴。N極性時(shí)成膜溫度可提高，在抑制In液滴和促進(jìn)成膜原料種的表面遷移，提高薄膜品質(zhì)方面極有效。在兩個(gè)極性的情況下，增加供給原料的總量，可以提高外延的溫度。而即使在這種情況下，氮的極性的情況非常有利，這點(diǎn)也不會(huì)改變。
請(qǐng)參閱圖5所示，是表示在GaN上的N極性InN成長(zhǎng)利用分光橢圓率測(cè)量?jī)x(SE)的現(xiàn)場(chǎng)觀察的圖。
請(qǐng)參閱圖6所示，是表示利用直沖突或同軸離子散亂分光裝置解析的InN極性的圖。在圖6中，表示GaN基片和InN外延膜都為氮極性。
請(qǐng)參閱圖7所示，圖7A是N極性InN外延膜的掃描電子顯微鏡圖象的表面照片。圖7B是InN外延膜的原子間力的顯微鏡圖象的表面照片。在圖7A和圖7B中都表示了由于步進(jìn)式流動(dòng)二維成長(zhǎng)，使表面非常平坦。
請(qǐng)參閱圖8所示，為InN外延膜的χ射線繞射評(píng)價(jià)它表示(002)和(102)面的搖擺曲線的半值寬度的圖。其半值寬度均為233和970角度秒。另外，在室溫下可得到2000cm2/vsec大的電子移動(dòng)度。
采用本實(shí)施例，利用分子線外延法(MBE)等在制造上述InN系氮化物半導(dǎo)體器件時(shí)，與氮極性表面或與它有同等特征和作用的表面一樣，形成結(jié)晶；或者通過(guò)實(shí)現(xiàn)這種結(jié)晶形成條件，可以與其他形成情況比較，非常容易實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的超薄膜，超陡峭異質(zhì)接合器件。
請(qǐng)參閱圖9所示，是表示本發(fā)明的器件的第一個(gè)實(shí)施例的圖。這個(gè)器件一般作為量子異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光二極管實(shí)現(xiàn)，也可作為發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)。這種器件具有以下(1)-(5)的特征。
(1)具有使蘭寶石基片氮化，形成N極性的AlN和堆積在其上的N極性GaN緩沖層和GaN基底層。
(2)具有由AlGaN層造成的載流子封閉結(jié)構(gòu)。(該層可以為能量帶隙比活性層大的任意組成的AlGaNInN層)(3)具有N極性的InN/InGaN等量子井層作為活性層。另外，活性層為InN/InGaN量子井結(jié)構(gòu)為主的層，活性層中的井層和障壁層的層厚及組成。根據(jù)發(fā)光波長(zhǎng)，可從一個(gè)分子層成為大約為10nm的InGaN和AlGaInN層。而且，其周期數(shù)為1-20。發(fā)光波長(zhǎng)可控制至大約0.8-1.8微米。
(4)由于用+c極性(即陽(yáng)離子元素的Al，Ga或In極性)進(jìn)行活性層以下的GaN和AlGaN的成膜過(guò)程，因此具有極性反轉(zhuǎn)的AlN層(從N極性轉(zhuǎn)換至Al極性)。由于這個(gè)層是為了增加P型AlGaN或GaN層的摻雜效率和容易形成平坦性好的成膜而插入的，因此在用-c極性(陰離子元素的N極性)充分的情況下，不一定必要這個(gè)層。
(5)在具有高濃度的P型摻雜的Ga極性GaN的同時(shí)，表面上具有P型觸點(diǎn)。
請(qǐng)參閱圖10所示，是表示本發(fā)明的器件的第二個(gè)實(shí)施例的圖。這個(gè)器件是作為活性層上有量子點(diǎn)的激光二極管實(shí)現(xiàn)的，但也可作為發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)。這種器件具有以下(1)-(3)的特征。
(1)具有在活性層上含有InN量子點(diǎn)的InN/GaN超格子層。活性層的量子點(diǎn)的組成，根據(jù)發(fā)光波長(zhǎng)的不同，可視為含有阻擋和基底層的InGaN。另外，點(diǎn)的尺寸和各層的厚度為數(shù)個(gè)nm-10nm左右。
(2)在活性層的兩端有AlGaN層作為載流子封閉層。
(3)將活性層作成量子點(diǎn)超格子以外的器件設(shè)計(jì)指導(dǎo)思想基本上與圖9的情況相同。
請(qǐng)參閱圖11所示，是表示本發(fā)明的器件的第三個(gè)實(shí)施例的圖。這個(gè)器件是作為以InN為基礎(chǔ)的HEMT(高電子移動(dòng)度晶體管)實(shí)現(xiàn)的。這個(gè)器件具有以下(1)-(3)的特征。
(1)具有HEMT結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)利用N極性高電阻的GaN或在其上形成的InN/GaN(InGaN/AlGaN結(jié)構(gòu)也可以)的異質(zhì)質(zhì)界面上的壓電效果產(chǎn)生的二維電子氣體層。
(2)具有在控制極電極下，以薄的高電阻性AlGaN層作為控制極絕緣膜的控制極結(jié)構(gòu)。
(3)當(dāng)堆積控制極絕緣膜時(shí)，為了極性轉(zhuǎn)換，如果先堆積極薄的Al極性AlN，則AlGaN層的極性為+c，通過(guò)該層和InN層的變形控制可在控制極絕緣膜下面形成二維電子層。
請(qǐng)參閱圖12所示，是表示本發(fā)明的器件的第4個(gè)實(shí)施例的圖。這個(gè)器件可作為電場(chǎng)調(diào)制型光調(diào)制器實(shí)現(xiàn)。這個(gè)器件具有以下(1)-(3)的特征。
(1)器件的結(jié)構(gòu)，除了光的輸入輸出部分以外，按照與圖9相同的設(shè)計(jì)指導(dǎo)思想制造。
(2)利用從外部施加的電壓和電場(chǎng)來(lái)調(diào)制光。
(3)光的入射和出射方向原則上為與量子井結(jié)構(gòu)平行或垂直的方向。
請(qǐng)參閱圖13所示，是表示本發(fā)明的器件第5個(gè)實(shí)施例的圖。這個(gè)器件可作為光和電子控制的光調(diào)制器(利用量子井結(jié)構(gòu)中的帶內(nèi)和帶間的電子遷移)實(shí)現(xiàn)。這個(gè)器件具有以下(1)-(2)的特征。
(1)具有InN/GaN量子井結(jié)構(gòu)。在光通信波長(zhǎng)帶的情況下，被控制光(被調(diào)制光)的波長(zhǎng)，可利用控制光(調(diào)制光)引起量子井內(nèi)的子帶間的電子遷移，可超高速地調(diào)制帶間的遷移吸收，使控制光和被控制光的關(guān)系逆轉(zhuǎn)，因此可作為光調(diào)制器使用。
(2)以InGaN/AlGaInN作為量子井的組成，通過(guò)控制量子井中的活性層的厚度，可使波長(zhǎng)在0.8-1.8微米范圍內(nèi)變化。
請(qǐng)參閱圖14所示，是表示本發(fā)明的器件的第6個(gè)實(shí)施例的圖。這個(gè)器件可作為光及電子控制的光調(diào)制器(利用包含活性層和量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)中的帶內(nèi)和帶間的電子遷移)實(shí)現(xiàn)。這個(gè)器件上有以下(1)-(2)的特征。
(1)與圖13情況下的光調(diào)制器比較，活性層中有量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。這樣，對(duì)光的入射方向沒(méi)有限制。
(2)其他的器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)指導(dǎo)思想與圖12相同，可以控制控制光和被控制光的關(guān)系與波長(zhǎng)范圍。
本發(fā)明不是僅限于上述實(shí)施例，可以有多種變更和變形。
例如，在N極性表面或發(fā)現(xiàn)同樣的特征和優(yōu)點(diǎn)的表面上形成外延和器件時(shí)，改變成膜條件可以形成一部分中含有量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的器件(量子點(diǎn)激光二極管等)。這時(shí)，例如在堆積含有量子點(diǎn)的活性層，形成全部活性層或金屬包層等提高器件品質(zhì)方面，本發(fā)明是必要的。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種具有氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件，其特征在于其具有InN本身或以InN為主要成分的氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)，至少一部分上具有氮的極性表面或具有與它相同特性的表面的結(jié)晶。
2.一種具有氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件的制造方法，其是具有InN本身或以InN為主要成分的氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件的制造方法，其特征在于在上述器件的至少一部分上，形成氮的極性表面或具有與它同樣的特性的表面的結(jié)晶。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種容易實(shí)現(xiàn)具有在一個(gè)分子層水平上的平坦性的外延的氮化物系異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件及其制造方法。本發(fā)明的器件具有表面氮化的c面蘭寶石基片1，GaN緩沖層2，N極性GaN層3，N極性AlN層4，N極性InN/InGaN多重層器件結(jié)構(gòu)5，Al極性AlN6和GaN蓋層7。
文檔編號(hào)G02F1/35GK1497743SQ0315749
公開(kāi)日2004年5月19日 申請(qǐng)日期2003年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月25日
發(fā)明者吉川明彥, 徐科 申請(qǐng)人:千葉大學(xué)