專利名稱：透射反射型液晶顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示設(shè)備，具體而言，涉及一種透射反射型液晶顯示設(shè)備和使用更少的掩膜進(jìn)行制造的方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示設(shè)備(LCD)正發(fā)展成為新一代顯示設(shè)備，因?yàn)槠渚哂兄亓枯p，厚度薄，以及低功耗等優(yōu)點(diǎn)。
一般來(lái)講，LCD設(shè)備是一種無(wú)輻射顯示設(shè)備，利用加于薄膜晶體管(TFT)陣列基板和濾色器(C/F)基板之間的液晶分子的光學(xué)各向異性特性而顯示圖像。最近，在廣泛使用的多種LCD設(shè)備中，由于其高分辨率并能很好地顯示運(yùn)動(dòng)圖像，有源矩陣LCD設(shè)備(AM-LCD)得到了很大發(fā)展，其中各個(gè)像素區(qū)域的薄膜晶體管(TFT)排列成矩陣。
圖1是根據(jù)背景技術(shù)的LCD設(shè)備的橫截面示意圖。
在圖1中，第一基板2和第二基板4彼此分開(kāi)并相對(duì)，液晶層6位于其中。柵極8位于第二基板4的內(nèi)表面上，柵絕緣層9位于柵極8上。半導(dǎo)體層11包括有源層11a和歐姆接觸層11b，位于柵極8上的柵絕緣層9之上。源極13和漏極15位于半導(dǎo)體層11上。源極13和漏極15彼此分開(kāi)，有源層11a對(duì)應(yīng)于源極13和漏極15之間的空間，作為溝道“ch.”。柵極8、半導(dǎo)體層11、以及源極13和漏極15構(gòu)成了薄膜晶體管(TFT)“T.”。盡管沒(méi)有在圖1中顯示，連接至柵極8的柵線沿第一方向排列，連接至源極13的數(shù)據(jù)線沿與第一方向交叉的第二方向排列。柵線和數(shù)據(jù)線的交叉點(diǎn)限定了像素區(qū)域“P”。包含漏極接觸孔17的鈍化層19位于薄膜晶體管TFT“T”上，通過(guò)漏極接觸孔17連接至漏極15的像素電極21位于像素區(qū)域“P.”中。
相應(yīng)于像素電極21的濾色層23位于第一基板2的內(nèi)表面上。濾色層只透射特殊波長(zhǎng)的光。黑色矩陣27位于相鄰濾色層23之間的邊界處，以防止光泄露和環(huán)境光進(jìn)入TFT“T.”內(nèi)。公共電極29位于濾色層23和黑色矩陣27上，用于向液晶層6提供電壓。為防止液晶層6的泄露，第一基板2和第二基板4的外圍部分用密封結(jié)構(gòu)31進(jìn)行密封。隔離體33位于第一基板2和第二基板4之間，與密封結(jié)構(gòu)31保持一致的單元間隙。公共電極29和液晶層6之間可以有第一定向膜(未顯示)，液晶層6和像素電極21之間可以有第二定向膜(未顯示)，以引導(dǎo)液晶層6的對(duì)準(zhǔn)。
盡管沒(méi)有在圖1中顯示，LCD設(shè)備在第二基板4下有背光單元作為光源。但是，背光單元發(fā)出的入射光在傳播時(shí)會(huì)衰減，從而實(shí)際的透射率大約只有7％。相應(yīng)的，LCD設(shè)備的背光單元需要高亮度，因此增大了背光單元的功耗。這樣，就需要相對(duì)重的電池來(lái)為這種顯示設(shè)備的背光單元提供充足的電源。由于功率需求的提高，電池不能在室外長(zhǎng)時(shí)間使用。
為了克服上述問(wèn)題，開(kāi)發(fā)了反射型LCD設(shè)備和透射反射型LCD設(shè)備。反射型LCD設(shè)備使用環(huán)境光代替背光單元發(fā)出的光，從而重量輕，便于攜帶。另外，反射型LCD設(shè)備的功耗降低，因此反射型LCD設(shè)備可以用于便攜式顯示設(shè)備，如電子日記本或個(gè)人數(shù)字助理(PDA)。在反射型和透射反射型LCD設(shè)備中，在像素區(qū)域中形成有具有高反光性的金屬材料反光層。反光層可以位于透明電極的上面或下面的像素區(qū)域內(nèi)。最近，透明電極形成為位于反光層的上面，可更方便地引導(dǎo)液晶層的對(duì)準(zhǔn)。即使具有這種結(jié)構(gòu)，透射反射型LCD設(shè)備也具有多層絕緣層來(lái)保護(hù)反光層，防止透明電極和反光層之間的電短路。
圖2A至2G是橫截面示意圖，顯示了根據(jù)背景技術(shù)的包括多層絕緣層的透射反射型液晶顯示設(shè)備的陣列基板顯示區(qū)域的制造過(guò)程。圖3A至3G是橫截面示意圖，顯示了根據(jù)背景技術(shù)的包括多層絕緣層的透射反射型LCD設(shè)備的陣列基板非顯示區(qū)域的制造過(guò)程。陣列基板上的圖案通過(guò)包括沉積、涂布、光刻和蝕刻等掩膜處理而形成，根據(jù)掩膜處理的次數(shù)顯示這些圖。
在圖2A和3A中，通過(guò)第一掩膜處理在基板4上形成柵極10和第一金屬材料的第一對(duì)準(zhǔn)鍵12。
在圖2B和3B中，在柵極10和第一對(duì)準(zhǔn)鍵12上形成第一絕緣材料的柵絕緣層14之后，通過(guò)第二掩膜處理在柵極10上的柵絕緣層14之上形成半導(dǎo)體層16，其包含非晶硅(a-Si)的有源層16a和摻雜非晶硅(n+a-Si)的歐姆接觸層16b。
在圖2C和3C中，通過(guò)第三掩膜處理在半導(dǎo)體層16上形成第二金屬材料的源極18和漏極22。源極18和漏極22彼此分開(kāi)。同時(shí)，在柵絕緣層14上形成連接至源極18的數(shù)據(jù)線20，在第一對(duì)準(zhǔn)鍵12上的柵絕緣層上形成第二對(duì)準(zhǔn)鍵24。柵極10、半導(dǎo)體層16以及源極18和漏極22組成了薄膜晶體管(TFT)“T.”。
在圖2D和3D中，在TFT“T”和第二對(duì)準(zhǔn)鍵24上順序地形成了第一、第二和第三鈍化層25、26和28對(duì)準(zhǔn)鍵之后，通過(guò)第四掩膜處理在第一、第二和第三鈍化層25、26和28中形成露出第二對(duì)準(zhǔn)鍵24的第一開(kāi)口部分30。第一開(kāi)口部分30用于防止第二對(duì)準(zhǔn)鍵24被相對(duì)厚的第二鈍化層26遮住。這樣，用于第四掩膜處理的掩膜具有比前面第一到第三掩膜處理更簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)。
在圖2E和3E中，通過(guò)第五掩膜處理在TFT“T”上的第三鈍化層28上形成由具有高反光性的第三金屬材料制成的反光層32。反光層32具有露出第三鈍化層28的第二開(kāi)口部分34。在形成反光層32的這個(gè)步驟中，第二對(duì)準(zhǔn)鍵24要用于第五掩膜處理。第一和第三鈍化層25和28由氮化硅(SiNx)制成，第二鈍化層26由苯并環(huán)丁烯(BCB)制成。形成第一鈍化層25是為了改善TFT“T.”的電特性。形成第二鈍化層26是為了降低反光層32和透明電極(未顯示)之間的電干擾。形成第三鈍化層28是為了改善第二鈍化層26和反光層32之間的接觸特性。
在圖2F和3F中，在反光層32和第二對(duì)準(zhǔn)鍵24上形成第四鈍化層36之后，通過(guò)第六掩膜處理，在第一至第四鈍化層25、26、28和36中對(duì)應(yīng)于第二開(kāi)口部分34的地方形成露出漏極22的漏極接觸孔38。第四鈍化層36由與第一和第二鈍化層25和28相同的材料制成。形成第四鈍化層36是為了防止反光層32和透明電極(未顯示)之間的電鍍現(xiàn)象(一種腐蝕現(xiàn)象)。
在圖2G和3G中，通過(guò)第七掩膜處理在像素區(qū)域“P”中的第四鈍化層36上形成透明導(dǎo)電材料的透明電極40。透明電極40通過(guò)漏極接觸孔38連接到漏極22。像素區(qū)域“P”包括對(duì)應(yīng)于反光層32的反射部分和透射部分。圖像在反射部分中是使用環(huán)境光顯示的，而在透射部分，圖像是使用背光單元(未顯示)的光顯示的。
如圖2A至2G和圖3A至3G所示，透射反射型LCD設(shè)備的陣列基板是通過(guò)七個(gè)掩膜處理形成的，包括柵處理、半導(dǎo)體層處理、數(shù)據(jù)處理、反光層處理、對(duì)準(zhǔn)鍵開(kāi)口處理、接觸孔處理和透明電極處理。這樣，透射反射型LCD設(shè)備的陣列基板比透射型LCD設(shè)備需要更多的生產(chǎn)步驟，在掩膜處理中要重復(fù)化學(xué)和/或物理處理。因此，隨著生產(chǎn)步驟的增加，生產(chǎn)成本和設(shè)備損壞的可能性也會(huì)增加。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明致力于一種液晶顯示設(shè)備，其能夠有效消除由于背景技術(shù)的限制和缺點(diǎn)所導(dǎo)致的一個(gè)或者多個(gè)問(wèn)題。
本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，提供了一種透射反射型液晶顯示設(shè)備，其通過(guò)減少掩膜處理的數(shù)目而提高了生產(chǎn)效率。
本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，提供了一種透射反射型LCD設(shè)備的陣列基板，其源極和漏極具有多層金屬材料，并省略了附加的反光層。
在下面的描述中將闡明本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)，其中的部分將通過(guò)說(shuō)明書(shū)而理解，或者通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐而體驗(yàn)到。通過(guò)說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些和其他優(yōu)點(diǎn)。
為了獲得本發(fā)明的這些和其他優(yōu)點(diǎn)，并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如這里所實(shí)施和廣泛描述的，提供了一種透射反射型LCD設(shè)備的陣列基板，其可以包括，例如基板上的柵線；與柵線交叉的數(shù)據(jù)線，柵線與數(shù)據(jù)線限定了具有透射部分和反射部分的像素區(qū)域；連接到柵線的柵極；柵極上彼此分開(kāi)的源極和漏極，源極連接至數(shù)據(jù)線；與源極和漏極相同層的反光層，反光層位于像素區(qū)域內(nèi)，具有對(duì)應(yīng)于透射部分的透射孔；連接至漏極的像素電極，像素電極位于像素區(qū)域內(nèi)，其中源極和漏極以及反光層具有多層金屬，其中多層金屬中的頂層包括反光金屬材料。
在本發(fā)明的另外一個(gè)方面，提供了一種透射反射型液晶顯示設(shè)備陣列基板的制造方法，其可以包括，例如通過(guò)第一掩膜處理在基板上形成柵極和柵線；在柵極和柵線上形成第一絕緣層；通過(guò)第二掩膜處理在柵極上方的第一絕緣層上形成半導(dǎo)體層；通過(guò)第三掩膜處理形成半導(dǎo)體層上的源極和漏極，交叉于柵線的數(shù)據(jù)線，和第一絕緣層上的反光層，源極和漏極彼此分開(kāi)，源極連接至數(shù)據(jù)線，柵線與數(shù)據(jù)線限定了具有透射部分和反射部分的像素區(qū)域，反光層位于像素區(qū)域內(nèi)，具有對(duì)應(yīng)于透射部分的透射孔，源極和漏極、數(shù)據(jù)線以及反光層具有多層金屬，其中多層中的頂層包括反光金屬材料；通過(guò)第四掩膜處理在源極和漏極、數(shù)據(jù)線和反光層上形成第二絕緣層，第二絕緣層具有露出漏極的漏極接觸孔；通過(guò)第五掩膜處理在第三絕緣層上形成像素電極，像素電極包括透明導(dǎo)電材料，像素電極通過(guò)漏極接觸孔連接到漏極。
在本發(fā)明的另外一個(gè)方面，提供了一種透射反射型液晶顯示設(shè)備陣列基板的制造方法，其可以包括，例如在基板上形成柵極和柵線；在柵極和柵線上形成第一絕緣層；在第一絕緣層上形成半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層具有有源層和歐姆接觸層；在第一絕緣層上同時(shí)形成具有多個(gè)層的源極和漏極、數(shù)據(jù)線以及反光層，其中，柵線與數(shù)據(jù)線限定了具有透射部分和反射部分的像素區(qū)域；形成由透明導(dǎo)電材料制成并與漏極電連接的像素電極。
應(yīng)當(dāng)理解的是，上述的一般性描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的，用于為權(quán)利要求所限定的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


附圖幫助更好地理解本發(fā)明，顯示了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與文字說(shuō)明一起解釋本發(fā)明的原理。附圖中圖1是根據(jù)背景技術(shù)的液晶顯示設(shè)備的橫截面示意圖；圖2A至2G是橫截面示意圖，顯示了根據(jù)背景技術(shù)的包括多層絕緣層的透反射型液晶顯示設(shè)備的陣列基板顯示區(qū)域的生產(chǎn)工藝；圖3A至3G是橫截面示意圖，顯示了根據(jù)背景技術(shù)的包括多層絕緣層的透反射型液晶顯示設(shè)備的陣列基板非顯示區(qū)域的生產(chǎn)工藝；圖4是本發(fā)明的液晶顯示設(shè)備的平面示意圖；圖5A至5E是橫截面示意圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括多層絕緣層的透反射型液晶顯示設(shè)備的陣列基板顯示區(qū)域的生產(chǎn)工藝；圖6A至6E是橫截面示意圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括多層絕緣層的透反射型液晶顯示設(shè)備的陣列基板非顯示區(qū)域的生產(chǎn)工藝。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明，在附圖中說(shuō)明了其實(shí)例。在圖中，相同的標(biāo)號(hào)指的是相同或者類似的部分。
圖4是本發(fā)明的液晶顯示設(shè)備的平面示意圖。
在圖4中，柵線111和數(shù)據(jù)線120相互交叉，并限定了像素區(qū)域“P.”。柵極110由柵線111處延伸出來(lái)。半導(dǎo)體層116位于柵極110上。源極和漏極118和122彼此分開(kāi)，且與柵極110和半導(dǎo)體層116重疊。源極118由數(shù)據(jù)線120處延伸出來(lái)。柵極110、半導(dǎo)體層116以及源極118和漏極122組成了薄膜晶體管(TFT)“T.”。具有透射孔123的反光層124位于像素區(qū)域“P”內(nèi)，與數(shù)據(jù)線120同一層。通過(guò)漏極接觸孔132連接至漏極122的像素電極136位于像素區(qū)域“P.”內(nèi)。像素區(qū)域“P”包括對(duì)應(yīng)于透射孔123的透射部分和對(duì)應(yīng)于反光層124的反射部分。數(shù)據(jù)線120以及源極118和漏極122具有多個(gè)層，其頂層由具有高反光性的金屬材料制成。相應(yīng)地，反光層124可以和數(shù)據(jù)線120以及源極118和漏極122同時(shí)形成，這會(huì)減少掩膜處理的數(shù)目。
由于數(shù)據(jù)線120和反光層124位于同一層，數(shù)據(jù)線120和反光層124彼此分開(kāi)大約5μm至7μm的距離，以防止它們之間的電短路。另外，第一電容電極113由柵線111處延伸出來(lái)，第二電容電極121位于第一電容電極113上方。第二電容電極121可以與數(shù)據(jù)線120位于同一層，第一絕緣層(未顯示)位于第一和第二電容電極113和121之間。像素電極136通過(guò)第二絕緣層(未顯示)中的電容接觸孔125與第二電容電極連接。相應(yīng)地，第一和第二電容電極113和121，以及第一絕緣層組成了連接到TFT“T.”的存儲(chǔ)電容“CST”。
圖5A至5G是橫截面示意圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括多層絕緣層的透射反射型液晶顯示設(shè)備的陣列基板顯示區(qū)域的生產(chǎn)工藝；圖6A至6G是橫截面示意圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括多層絕緣層的透射反射型液晶顯示設(shè)備的陣列基板非顯示區(qū)域的生產(chǎn)工藝。
在圖5A和6A中，通過(guò)第一掩膜處理在基板100上形成第一金屬材料的柵極110和第一對(duì)準(zhǔn)鍵112。
在圖5B和6B中，在柵極110和第一對(duì)準(zhǔn)鍵112上形成第一絕緣材料的柵絕緣層114之后，通過(guò)第二掩膜處理在柵極110上的柵絕緣層114上形成半導(dǎo)體層116，其包含非晶硅(a-Si)的有源層116a和摻雜非晶硅(n+a-Si)的歐姆接觸層116b。第一絕緣材料可以由硅絕緣材料組成，比如氮化硅(SiNx)。
在圖5C和6C中，通過(guò)第三掩膜處理在半導(dǎo)體層116上形成第二金屬材料的源極118和漏極122。源極118和漏極122彼此分開(kāi)。同時(shí)，在柵絕緣層114上形成連接至源極118的數(shù)據(jù)線120，以及反光層124和第二對(duì)準(zhǔn)鍵126。這樣，數(shù)據(jù)線120、反光層124和第二對(duì)準(zhǔn)鍵126與源極118和漏極122具有相同的層。反光層124位于像素區(qū)域“P”內(nèi)，第二對(duì)準(zhǔn)鍵126對(duì)應(yīng)于第一對(duì)準(zhǔn)鍵112。柵極110、半導(dǎo)體層116以及源極118和漏極122組成了薄膜晶體管(TFT)“T.”。
數(shù)據(jù)線120具有多個(gè)層，頂層包括具有高反光性的金屬材料，底層包括具有高抗化學(xué)腐蝕性的金屬材料。例如，頂層可以包括鋁(Al)和鋁(Al)合金中的一種，如鋁釹合金(AlNd)，底層可以包括鉬(Mo)、鎢(W)、鎳(Ni)和鈦(Ti)其中的一種。因此，源極118包括第一和第二副源極118a和118b。同時(shí)，漏極122包括第一和第二副漏極122a和122b，數(shù)據(jù)線120包括第一和第二副數(shù)據(jù)線120a和120b，反光層124包括第一和第二副反光層124a和124b，第二對(duì)準(zhǔn)鍵126包括第一和第二副第二對(duì)準(zhǔn)鍵126a和126b。由于第二副反光層124b由具有高反光性的金屬材料制成，所以反光層124可通過(guò)第三掩膜處理與源極118和漏極122以及數(shù)據(jù)線120同時(shí)形成。
在圖5D和6D中，在TFT“T”和第二對(duì)準(zhǔn)鍵126上順序地形成第一和第二鈍化層128和130之后，通過(guò)第四掩膜處理在第一和第二鈍化層128和130中形成露出漏極122的漏極接觸孔132和露出第二對(duì)準(zhǔn)鍵126的開(kāi)口部分134。第一鈍化層128包括無(wú)機(jī)絕緣材料組中的一種，第二鈍化層130包括具有低介電常數(shù)的有機(jī)絕緣材料組中的一種。例如，第一和第二鈍化層128和130可以分別由硅絕緣材料和苯并環(huán)丁烯(BCB)制成。
背景技術(shù)：
中開(kāi)口部分要通過(guò)附加的掩膜處理形成。在本實(shí)施例中，由于反光層124與源極118和漏極122通過(guò)第三掩膜處理同時(shí)形成，所以開(kāi)口部分134可以通過(guò)形成漏極接觸孔132的第四掩膜處理形成。相應(yīng)地，形成開(kāi)口部分的附加掩膜處理可以省掉。
在圖5E和6E中，通過(guò)第五掩膜處理在像素區(qū)域“P”內(nèi)的第二鈍化層130上形成透明導(dǎo)電材料的像素電極136。像素電極136通過(guò)漏極接觸孔132連接到漏極122。像素區(qū)域“P”包括對(duì)應(yīng)于反光層124的反射部分和對(duì)應(yīng)于透射孔123的透射部分。圖像在反射部分是使用環(huán)境光顯示的，而在透射部分，圖像是使用背光單元的光(未顯示)顯示的。
由于反光層、數(shù)據(jù)線、源極和漏極以及對(duì)準(zhǔn)鍵可同時(shí)形成，具有多個(gè)層，其頂層包括具有高反光性的金屬材料，所以可省略對(duì)準(zhǔn)鍵的附加掩膜處理。因此，可獲得高生產(chǎn)率和低生產(chǎn)成本。
對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，很明顯，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明的進(jìn)行多種改進(jìn)和變化。因此，如果這些改進(jìn)和變化落在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，則本發(fā)明涵蓋這些改進(jìn)和變化。
權(quán)利要求
1.一種透射反射型液晶顯示設(shè)備的陣列基板，包括基板上的柵線；與柵線交叉的數(shù)據(jù)線，柵線與數(shù)據(jù)線限定了具有透射部分和反射部分的像素區(qū)域；連接到柵線的柵極；柵極上彼此分開(kāi)的源極和漏極，源極連接至數(shù)據(jù)線；與源極和漏極同一層的反光層，反光層位于像素區(qū)域內(nèi)，具有對(duì)應(yīng)于透射部分的透射孔；以及連接至漏極的像素電極，像素電極位于像素區(qū)域內(nèi)，其中，源極和漏極以及反光層具有多層金屬，其中，所述多層中的頂層包括反光金屬材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，反光金屬材料是包含鋁(Al)的金屬。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其中的金屬是鋁釹合金(AlNd)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，數(shù)據(jù)線和反光層彼此分開(kāi)大約5μm至7μm的距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，進(jìn)一步包括第一到第三絕緣層和半導(dǎo)體層，其中，第一絕緣層位于柵極和柵線上，半導(dǎo)體層位于第一絕緣層上，第二和第三絕緣層依次位于源極和漏極以及反光層上，第二和第三絕緣層具有可露出漏極的漏極接觸孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，進(jìn)一步包括第一和第二電容電極，其中，第一電容電極與柵線是同一層，第二電容電極與數(shù)據(jù)線是同一層，第二電容電極與第一電容電極重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其中，第一絕緣層位于第一和第二電容電極之間，第二電容電極通過(guò)第二和第三絕緣層中的電容接觸孔連接到像素電極。
8.一種透射反射型液晶顯示設(shè)備陣列基板的制造方法，包括通過(guò)第一掩膜處理在基板上形成柵極和柵線；在柵極和柵線上形成第一絕緣層；通過(guò)第二掩膜處理在柵極上的第一絕緣層上形成半導(dǎo)體層；通過(guò)第三掩膜處理形成半導(dǎo)體層上的源極和漏極，交叉于柵線的數(shù)據(jù)線，和第一絕緣層上的反光層，源極和漏極彼此分開(kāi)，源極連接至數(shù)據(jù)線，柵線與數(shù)據(jù)線限定了具有透射部分和反射部分的像素區(qū)域，反光層位于像素區(qū)域內(nèi)，具有對(duì)應(yīng)于透射部分的透射孔，源極和漏極、數(shù)據(jù)線以及反光層具有多層金屬，其中多層中的頂層包括反光金屬材料；通過(guò)第四掩膜處理在源極和漏極、數(shù)據(jù)線和反光層上形成第二絕緣層，第二絕緣層具有露出漏極的漏極接觸孔；以及通過(guò)第五掩膜處理在第三絕緣層上形成像素電極，像素電極包括透明導(dǎo)電材料，像素電極通過(guò)漏極接觸孔連接到漏極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括通過(guò)第三掩膜處理在基板的非顯示區(qū)域中形成第一對(duì)準(zhǔn)鍵；以及通過(guò)第四掩膜處理在第一對(duì)準(zhǔn)鍵上形成第二絕緣層，第二絕緣層具有露出第一對(duì)準(zhǔn)鍵的開(kāi)口部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包括通過(guò)第一掩膜處理在基板上形成第二對(duì)準(zhǔn)鍵，其中，第二對(duì)準(zhǔn)鍵與第一對(duì)準(zhǔn)鍵相對(duì)應(yīng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，數(shù)據(jù)線和反光層彼此分開(kāi)大約5μm至7μm的距離。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括形成第一和第二電容電極，其中，第一電容電極通過(guò)第一掩膜處理在基板上形成，第二電容電極通過(guò)第三掩膜處理在第一絕緣層上形成，并與第一電容電極相互重疊。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括通過(guò)第四掩膜處理在第二絕緣層中形成電容接觸孔，其中電容接觸孔露出第二電容電極，像素電極通過(guò)電容接觸孔連接到第二電容電極。
14.一種透射反射型液晶顯示設(shè)備陣列基板的制造方法，包括在基板上形成柵極和柵線；在柵極和柵線上形成第一絕緣層；在第一絕緣層上形成半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層具有有源層和歐姆接觸層；在第一絕緣層上同時(shí)形成具有多個(gè)層的源極和漏極、數(shù)據(jù)線以及反光層，其中，柵線與數(shù)據(jù)線限定了具有透射部分和反射部分的像素區(qū)域；以及形成由透明導(dǎo)電材料制成并與漏極電連接的像素電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括在第一絕緣層上與源極和漏極、數(shù)據(jù)線以及反光層同時(shí)形成第一對(duì)準(zhǔn)鍵。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括與柵極和柵線同時(shí)形成第二對(duì)準(zhǔn)鍵，其中，第二對(duì)準(zhǔn)鍵與第一對(duì)準(zhǔn)鍵相對(duì)應(yīng)。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括在源極和漏極、數(shù)據(jù)線以及反光層上形成第二絕緣層，第二絕緣層具有露出漏極的漏極接觸孔。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中像素電極通過(guò)漏極接觸孔電連接到漏極。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中數(shù)據(jù)線和反光層彼此分開(kāi)，從而數(shù)據(jù)線和反光層電絕緣。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中反光層的頂層具有高反光性，反光層的底層具有高抗化學(xué)腐蝕性。
全文摘要
一種透射反射型液晶顯示設(shè)備的陣列基板，包括基板上的柵線；與柵線交叉的數(shù)據(jù)線，柵線與數(shù)據(jù)線限定了具有透射部分和反射部分的像素區(qū)域；連接到柵線的柵極；柵極上彼此分開(kāi)的源極和漏極，源極和漏極彼此分開(kāi)，源極連接至數(shù)據(jù)線；與源極和漏極同一層的反光層，反光層位于像素區(qū)域內(nèi)，具有對(duì)應(yīng)于透射部分的透射孔；以及連接至漏極的像素電極，像素電極位于像素區(qū)域內(nèi)，其中，源極和漏極以及反光層具有多層金屬，所述多層中的頂層包括反光金屬材料。
文檔編號(hào)G02F1/1335GK1472582SQ0314603
公開(kāi)日2004年2月4日 申請(qǐng)日期2003年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月15日
發(fā)明者金鴻震 申請(qǐng)人:Lg.飛利浦Lcd有限公司