專(zhuān)利名稱(chēng)：用于管理光刻鏡上的光化光強(qiáng)瞬態(tài)變化的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及一種光刻系統(tǒng)。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及對(duì)光刻系統(tǒng)中的反射鏡上的光化(actinic)熱負(fù)載進(jìn)行管理的方法。
背景技術(shù)：
光刻(lithography)是用于在基底表面上產(chǎn)生特征圖形的方法。這種基底可以是在制造平板顯示器、電路板、各種集成電路等時(shí)使用的基底。這些應(yīng)用中經(jīng)常使用的基底是半導(dǎo)體圓片。相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員明白，本說(shuō)明也適用于其它類(lèi)型的基底。
在光刻過(guò)程中，利用位于光刻系統(tǒng)內(nèi)的曝光系統(tǒng)對(duì)使放置在圓片臺(tái)上的圓片曝光于投影到其表面上的圖像。曝光系統(tǒng)包括用于將圖像投影到圓片上的掩膜版(reticle)(也稱(chēng)為掩膜)。
掩膜版通常位于半導(dǎo)體芯片與光源之間。例如，在光刻法中，掩膜版用作光掩膜，用于將電路印刷到半導(dǎo)體芯片上。光刻光透過(guò)掩膜，然后通過(guò)一系列用于縮小圖像的光學(xué)透鏡。然后，將這種小圖像投影到硅圓片或半導(dǎo)體圓片上。該過(guò)程與攝像機(jī)如何彎曲光以在膠片上形成圖像的過(guò)程類(lèi)似。在光刻過(guò)程中，光具有核心作用。例如，在微處理器(也稱(chēng)為計(jì)算機(jī)芯片)的制造過(guò)程中，生產(chǎn)更強(qiáng)有力微處理器的關(guān)鍵問(wèn)題是該光的波長(zhǎng)的大小。波長(zhǎng)越短，可以在硅圓片上蝕刻的晶體管越多。具有許多晶體管的硅圓片產(chǎn)生更強(qiáng)有力、更快速的微處理器。
隨著芯片制造商已經(jīng)能夠采用較短波長(zhǎng)的光，但是它們又遇到了短波長(zhǎng)的光被使光聚焦的玻璃透鏡吸收的問(wèn)題。由于短波長(zhǎng)的光被吸收，所以光不能到達(dá)硅圓片。因此，不能在硅圓片上產(chǎn)生電路圖形。在為了克服該問(wèn)題的一種嘗試中，芯片制造商開(kāi)發(fā)了一種被稱(chēng)為遠(yuǎn)紫外光刻法(EUVL)的光刻法。在這種方法中，可以利用反射鏡(mirror)代替玻璃透鏡。盡管反射鏡反射大部分光，但是反射鏡吸收的光量比較適當(dāng)。吸收的光化光(即，諸如位于光刻工具中的光學(xué)光源的光源產(chǎn)生的能量)在反射鏡上產(chǎn)生熱負(fù)載。熱量太多可能導(dǎo)致圓片上的圖像失真。此外，如果反射鏡上的熱負(fù)載不保持在相對(duì)恒定程度，還可能導(dǎo)致圖像失真量發(fā)生變化。因此，需要對(duì)由吸收光引起的在反射鏡上產(chǎn)生的光化熱負(fù)載進(jìn)行控制(例如，通過(guò)測(cè)量反射鏡的溫度)。
應(yīng)該以這樣的方式控制反射鏡的溫度，即，始終使該溫度保持恒定。傳統(tǒng)的反射鏡溫度控制技術(shù)試圖通過(guò)利用溫度伺服系統(tǒng)改變反射鏡的非光學(xué)面的散熱速率來(lái)保持時(shí)間恒定反射鏡溫度。典型的反射鏡較大，而且在低熱導(dǎo)率情況下，具有高熱質(zhì)量(thermal mass)。因?yàn)楣饪掏队跋到y(tǒng)中的典型反射鏡具有上述這兩種特性，所以在具有瞬態(tài)光化熱負(fù)載的環(huán)境下，這種傳統(tǒng)的“散熱控制(control-by-heat-removal)”方法可能無(wú)效。例如，在諸如集成電路的EUV光刻過(guò)程的應(yīng)用中，光化熱負(fù)載是瞬態(tài)的(例如，在每次更換掩膜版時(shí)均發(fā)生變化)。光化熱負(fù)載的變化速度比溫度控制伺服系統(tǒng)的跟蹤速度快。因此，不能始終使反射鏡的溫度保持恒溫，而且投影圖像的失真也發(fā)生變化。
因?yàn)椴荒茉诜瓷溏R上保持時(shí)間恒定熱負(fù)載和空間恒定熱負(fù)載而導(dǎo)致的圖像失真變化問(wèn)題因?yàn)楸环Q(chēng)為“冷邊緣效應(yīng)”的現(xiàn)象而進(jìn)一步惡化。冷邊緣效應(yīng)是因?yàn)榉瓷溏R的光孔上和環(huán)形區(qū)域(即，位于光孔之外的反射鏡的非受照區(qū)域)上的光化熱負(fù)載的變化產(chǎn)生的。通常，光刻反射鏡的環(huán)形區(qū)域的溫度比其光孔區(qū)域的溫度低。
因此，需要一種制造反射鏡并管理反射鏡上的熱負(fù)載使得因?yàn)榉瓷溏R上熱量的變化引起的圖像失真的變化最小的設(shè)備和方法。這種設(shè)備和方法應(yīng)該在照射光入射到投影反射鏡上的瞬間(即，在改變反射鏡上的光化熱負(fù)載的時(shí)間內(nèi))，保持時(shí)間恒定總熱負(fù)載。此外，這種設(shè)備和方法還應(yīng)該在反射鏡上保持空間恒定總熱負(fù)載以降低冷邊緣效應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明包括用于在光刻反射鏡上保持時(shí)間恒定總熱負(fù)載的設(shè)備和方法。光刻反射鏡包括成型在基底上的電阻層、用于將電源連接到電阻層接點(diǎn)、成型在電阻層上的絕緣層、成型在絕緣層上的拋光層以及成型在拋光層上的反射層。在需要時(shí)，通過(guò)在反射鏡上施加附加熱負(fù)載，在光刻反射鏡上保持時(shí)間恒定熱負(fù)載。根據(jù)其熱反射能力不低于一組掩膜中的任意其他掩膜的熱反射能力的最大反射率掩膜之一反射到該反射鏡上的光化熱量，確定光刻反射鏡上的要求的時(shí)間恒定熱負(fù)載。在使用較低反射率掩膜之一時(shí)，對(duì)該反射鏡施加附加熱量以在該反射鏡上實(shí)現(xiàn)要求的時(shí)間恒定熱負(fù)載。
在反射鏡上保持要求的時(shí)間恒定熱負(fù)載可以降低或者消除因?yàn)楣饪谭瓷溏R上的光化熱負(fù)載的變化引起的圖像失真的變化。為了降低冷邊緣效應(yīng)，可以將該反射鏡劃分為一個(gè)或者多個(gè)單獨(dú)溫度控制的區(qū)域。這樣可以將恒定附加熱負(fù)載施加到第一區(qū)域，同時(shí)根據(jù)投影反射鏡上的光化熱負(fù)載，反調(diào)制(inversely modulate)第二區(qū)域的溫度。單獨(dú)溫度控制的靈活性還可以實(shí)現(xiàn)總空間恒定熱負(fù)載。


引入本發(fā)明作為本發(fā)明一部分的附圖示出本發(fā)明，而且附圖與說(shuō)明書(shū)一起用于進(jìn)一步解釋本發(fā)明原理，并用于使相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員實(shí)現(xiàn)、使用本發(fā)明。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的光刻反射鏡的各層和各組成部分的例圖；圖2A是根據(jù)本發(fā)明的光刻反射鏡的各層的側(cè)視圖；圖2B是圖2A所示布線(xiàn)層的例圖；圖2C是圖1所示光刻反射鏡的各層和各組成部分的頂視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明制造光刻反射鏡所涉及的步驟的流程圖；
圖4是其中將本發(fā)明的光刻反射鏡示為聚光反射鏡的光刻照射系統(tǒng)的例圖；圖5是其中將本發(fā)明的光刻反射鏡示為投影光學(xué)反射鏡的光刻投影系統(tǒng)的例圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明在光刻反射鏡上保持時(shí)間恒定熱負(fù)載所涉及的各步驟的流程圖；圖7A是示出將反射鏡分割為區(qū)域的光刻反射鏡的例圖；圖7B是圖7A所示光刻反射鏡的頂視圖的例圖；圖7C是圖7A所示光刻反射鏡的環(huán)形區(qū)域的布線(xiàn)層的例圖；具體實(shí)施方式
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的光刻反射鏡100的各層和各組成部分的剖視圖。光刻反射鏡100包括反射鏡空白基底105、電阻層107、前邊緣109、后邊緣111、成型在電阻層107上用于將電源(如圖4所示)連接到電阻層107的接點(diǎn)113(例如，電極)、布線(xiàn)層115、拋光層117以及反射層119。
反射鏡空白基底105通常由玻璃(例如，低膨脹玻璃、硅或石英)制成，而且其直徑厚度比約為3至5。反射鏡空白基底105代表光刻反射鏡100的基本結(jié)構(gòu)。應(yīng)該根據(jù)一般行業(yè)慣例，對(duì)該基底進(jìn)行機(jī)械加工和拋光，而且其熱膨脹(CTE)系數(shù)接近0。CTE是用于指因?yàn)闇囟壬叨鴮?dǎo)致固體對(duì)象的尺寸增大的數(shù)量的熱力學(xué)術(shù)語(yǔ)。該術(shù)語(yǔ)為相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員眾所周知，所以在此不做進(jìn)一步說(shuō)明。
電阻層107是光刻反射鏡100的第一層。電阻層107可以是電阻層或薄膜。應(yīng)該注意，應(yīng)該將電阻層107噴涂到光刻反射鏡100的活性側(cè)(active side)(例如，光刻反射鏡100的反射側(cè))。電阻層107在光刻反射鏡100以熱量的方式耗散功率。電阻層107可以具有低、中或高電阻。根據(jù)要求的電阻值，可以利用碳、鎳鉻合金、陶瓷與金屬的某種混合物(金屬陶瓷)或者相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員已知的任何其他適當(dāng)材料成型電阻層107。
為了改變電阻層107的電導(dǎo)率，可以改變其厚度，以使薄膜中心產(chǎn)生的熱量比薄膜外圍產(chǎn)生的熱量多。這種變化可以對(duì)在光刻反射鏡100的光孔內(nèi)入射光化能量或熱量的分布提供最佳調(diào)節(jié)(accomodation)。
可以通過(guò)摻雜半導(dǎo)體薄膜(例如，摻砷硅)以改變其電導(dǎo)率來(lái)產(chǎn)生電阻層107。如果電阻層107被摻雜，則可以改變摻雜物濃度以使電阻層107中心產(chǎn)生的熱量比其外圍產(chǎn)生的熱量多。改變電阻層107的摻雜物濃度可以對(duì)在光刻反射鏡100的光孔內(nèi)入射光化能量或熱量的分布提供最佳調(diào)節(jié)。
布線(xiàn)層115是光刻反射鏡100的第二層。布線(xiàn)層115包括接點(diǎn)113和絕緣子層114。將參考圖2B進(jìn)一步說(shuō)明布線(xiàn)層115。
拋光層117是光刻反射鏡100的第三層。相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員眾所周知，應(yīng)該將拋光層117拋光到最終圖形。例如，對(duì)該反射鏡實(shí)現(xiàn)的實(shí)際拋光面與該反射鏡的理想拋光面之間的差值應(yīng)該小于一納米。拋光層117由相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員已知的任意適當(dāng)可拋光材料構(gòu)成。應(yīng)該注意，如果拋光層117由導(dǎo)電材料構(gòu)成，則應(yīng)該在布線(xiàn)層115與拋光層117之間增添絕緣層以防止發(fā)生短路。作為一種選擇，絕緣層本身可以被拋光，而且可以代替拋光層。
反射層119是光刻反射鏡100的第四層。反射層119為根據(jù)本發(fā)明的光刻反射鏡100提供其反射特性。反射層119由相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員已知的、用于制造光刻反射鏡的適當(dāng)材料構(gòu)成。例如，在EUV反射鏡中，反射層119可以由多層鉬硅(Moly-silicon)構(gòu)成。
應(yīng)該注意，為了說(shuō)明問(wèn)題，對(duì)根據(jù)本發(fā)明的光刻反射鏡100的各層的厚度進(jìn)行了放大。每層的實(shí)際厚度在不到1微米至幾微米之間。例如，反射層119的厚度可以為零點(diǎn)幾微米。
圖2A示出光刻反射鏡100(如圖1所示)的各層和各組成部分的側(cè)視圖。
圖2B示出光刻反射鏡100的布線(xiàn)層115。布線(xiàn)層115包括接點(diǎn)113a和113b(通常稱(chēng)為接點(diǎn)113)以及絕緣子層114。接點(diǎn)113(例如，電極或其他等同物)由銅或其他任意適當(dāng)導(dǎo)電材料構(gòu)成。接點(diǎn)113通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)220a和220b連接到電源。這樣可以使電源在電阻層107(位于布線(xiàn)層115的下方)內(nèi)耗散熱量。應(yīng)該以這樣的方式隔開(kāi)接點(diǎn)113，即它們將熱量最均勻擴(kuò)散到光刻反射鏡100內(nèi)。例如，各接點(diǎn)可以互相完全(diametrically)相對(duì)。
絕緣子層114覆蓋電阻層107。絕緣子層114由介質(zhì)材料構(gòu)成，這樣就減少了在本發(fā)明的光刻反射鏡100內(nèi)發(fā)生短路的可能性。例如，絕緣子層114可以是諸如聚合物的非導(dǎo)電材料。絕緣子層114還可以由二氧化硅或相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員已知的其他任意適當(dāng)絕緣材料構(gòu)成。絕緣子層114的厚度應(yīng)該與接點(diǎn)113的厚度接近相同(例如，小于1微米)以使布線(xiàn)層115較平坦。
圖2C示出光刻反射鏡100的各層和各組成部分的頂視圖。
圖3是示出根據(jù)本發(fā)明制造光刻反射鏡所需各步驟的流程圖300。該過(guò)程以步驟305開(kāi)始，并立即進(jìn)行到步驟310。
在步驟310，電阻層107成型在反射鏡空白基底的活性側(cè)(即，反射側(cè))。如上所述，電阻層107可以由適于提供電阻的任意材料構(gòu)成。
在步驟315，諸如為電極的一個(gè)或者多個(gè)接點(diǎn)連接到電阻層107的邊緣。
在步驟320，絕緣層115成型在電阻層107上以降低在光刻反射鏡100內(nèi)發(fā)生短路的可能性。
在步驟325，拋光材料層成型在絕緣層105上以成型拋光層117(如圖1所示)。如上所述，拋光層117可以由相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員已知的任意適當(dāng)拋光材料構(gòu)成。
在步驟350，反射層119成型在拋光層117上。反射層119對(duì)光刻反射鏡100提供其反射特性。
圖4示出將光刻反射鏡100用作光刻聚光反射鏡(condensermirror)的光刻照射系統(tǒng)400。圖4示出改變光化光源的情況。例如，光刻工具用戶(hù)可以提高或者降低光化光源在這種情況下產(chǎn)生的光化光強(qiáng)。光刻照射系統(tǒng)400代表光刻工具的照射器部分(即，在投影到掩膜版臺(tái)或掩膜臺(tái)上之前的EUV光傳輸)。
光刻照射系統(tǒng)400包括會(huì)聚反射鏡(collector mirror)420、EUV光源415、光刻反射鏡100、反射鏡溫度傳感器445、光化光強(qiáng)傳感器425、功率調(diào)節(jié)電路430以及可變電源450。會(huì)聚反射鏡420將EUV光源415發(fā)出的光反射到光刻反射鏡100上。EUV光源415可以是會(huì)聚反射鏡420反射到光刻反射鏡100的三維光束。
光束410a是從EUV光源415傳輸?shù)焦饪谭瓷溏R100的光化光束。例如，光束410b是從光刻反射鏡100反射到掩膜版臺(tái)(圖4中未示出)的光化光束。
在圖4中，光刻反射鏡100用作聚光反射鏡。相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員對(duì)其基本工作(即，如何反射光)眾所周知。光刻反射鏡100由與圖1所示的同樣的層構(gòu)成。然而，除了上述各層外，光刻反射鏡100進(jìn)一步包括反射鏡溫度傳感器445。
反射鏡溫度傳感器445測(cè)量光刻投影反射鏡100的溫度。反射鏡溫度傳感器445用作反饋裝置，從而將與傳感器本身的溫度大致成正比的電壓信號(hào)傳送到功率調(diào)節(jié)電路430，以增加或者減少送到光刻反射鏡100的功率。例如，反射鏡溫度傳感器445至少可以是一個(gè)用于監(jiān)測(cè)光刻投影反射鏡100的正面的紅外檢測(cè)器。
反射鏡溫度傳感器445還可以是安裝在光刻反射鏡100的正面上的熱電偶。這里使用的術(shù)語(yǔ)熱電偶指單熱電偶、熱敏電阻、電阻溫度檢測(cè)器或這些器件的任意組合。應(yīng)該將反射鏡溫度傳感器445定位到不妨礙光化光束410a反射的位置。反射鏡溫度傳感器445還應(yīng)該盡可能靠近光照射并加熱光刻反射鏡100的位置。此外，相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員明白，在本發(fā)明實(shí)質(zhì)范圍內(nèi)，還可以采用其他任意類(lèi)型的傳感器或檢測(cè)器(或者它們的組合)。
反射鏡溫度傳感器445可以通過(guò)能量通路435a連接到功率調(diào)節(jié)電路430。能量通路435a可以是用于傳輸電力的任意適當(dāng)通路。能量通路435a的第一端連接到功率調(diào)節(jié)電路430。能量通路435a的第二端連接到光刻反射鏡100上的反射鏡溫度傳感器445，如圖4所示。
光化光強(qiáng)傳感器425測(cè)量會(huì)聚反射鏡420反射到光刻反射鏡100上的光化光。光化光強(qiáng)傳感器425起前饋裝置的作用，從而將信號(hào)送到功率調(diào)節(jié)電路430，功率調(diào)節(jié)電路430使可變電源450與被檢測(cè)的反射光化光量相反地提高或者降低送到電阻薄膜的電功率。光化光強(qiáng)傳感器425可以由熱通量傳感器或光電管構(gòu)成，它們可以產(chǎn)生與入射到熱通量傳感器或光電管的光強(qiáng)成正比的電壓。
光化光強(qiáng)傳感器425還通過(guò)諸如導(dǎo)電線(xiàn)路的能量通路435b連接到功率調(diào)節(jié)電路430。例如，能量通路435b的第一端連接到功率調(diào)節(jié)電路430。能量通路435b的第二端連接到光化光強(qiáng)傳感器425。
盡管可以與反射鏡溫度傳感器445一起使用光化光強(qiáng)傳感器425，但是也可以單獨(dú)使用其中的一個(gè)或者另一個(gè)。然而，同時(shí)采用光化光強(qiáng)傳感器425和反射鏡溫度傳感器445可以改善光刻照射系統(tǒng)400的性能，因?yàn)樵诳傮w上可以提供更精確測(cè)量。
通過(guò)改變送到可變電源450的命令信號(hào)，功率調(diào)節(jié)電路430根據(jù)從反射鏡溫度傳感器445和光化光強(qiáng)傳感器425輸入的輸入信號(hào)起作用。例如，在功率調(diào)節(jié)電路430檢測(cè)到光化光強(qiáng)傳感器425或反射鏡溫度傳感器445輸出的信號(hào)發(fā)生變化時(shí)，它就命令可變電源450相反地改變送到電阻層107上的接點(diǎn)113的功率。功率調(diào)節(jié)電路430可以位于光刻照射系統(tǒng)400的遠(yuǎn)端電子設(shè)備箱內(nèi)。
可變電源450將功率送到接點(diǎn)113，從而在電阻層107上耗散熱量(如圖1所示)?？勺冸娫?50起可變電阻的作用，以根據(jù)如下等式，與光化光強(qiáng)傳感器425測(cè)量的、光刻反射鏡100上的光化熱負(fù)載量相反地改變耗散在光刻反射鏡100的電阻層107上的、由電產(chǎn)生的熱負(fù)載量
TH＝C＝AH+EH其中TH是光刻反射鏡上的總熱負(fù)載，C是某個(gè)時(shí)間恒定功率，AH是光刻反射鏡上的光化熱負(fù)載，以及EH是光刻反射鏡上的電熱負(fù)載。
因此，可以利用如下等式表示保持時(shí)間恒定溫度所需的電熱負(fù)載量EH＝C-AH。在根據(jù)反射到該反射鏡上的光化光(光化光強(qiáng)傳感器425測(cè)量的)，將適當(dāng)數(shù)量電熱負(fù)載相反地(inversly)施加到(利用可變電源450)光刻反射鏡100上時(shí)，可以減小或者消除光刻照射系統(tǒng)400內(nèi)的圖像失真的變化。
相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員知道，可變電源450可以通過(guò)能量通路432連接到功率調(diào)節(jié)電路430。與上述連接類(lèi)似，可變電源450可以通過(guò)能量通路440連接到光刻反射鏡100的接點(diǎn)113上。相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員知道，可變電源450可以連接到直流(DC)或交流(AC)類(lèi)型的電源。可變電源450可以位于光刻照射系統(tǒng)400的遠(yuǎn)端電子設(shè)備箱內(nèi)。
圖5是示出用作光刻投影光學(xué)反射鏡的光刻反射鏡100的光刻投影光學(xué)系統(tǒng)500的例圖。圖5示出光化光源保持一樣的情況。然而，在圖5中，改變具有各種反射能力的掩膜可以使反射到光刻反射鏡100上的光化光發(fā)生變化。光刻投影光學(xué)系統(tǒng)500代表光刻工具的投影光學(xué)部分(即，在將EUV光反射到掩膜版臺(tái)或掩膜臺(tái)上后)。
光刻投影光學(xué)系統(tǒng)500包括掩膜臺(tái)(stage)505、掩膜507、照射器反射鏡510、EUV光源515、光化光束520a和520b、光刻反射鏡100、光化光強(qiáng)傳感器525、功率調(diào)節(jié)電路430、反射鏡溫度傳感器445以及可變電源450。
相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員知道，掩膜臺(tái)505是用于光刻投影工具的標(biāo)準(zhǔn)掩膜臺(tái)。掩膜臺(tái)505支持掩膜507，掩膜507用于將圖像蝕刻到圓片上。照射器反射鏡510反射EUV光源515發(fā)出的光化光束520a。例如，照射器反射鏡510包括會(huì)聚反射鏡和聚光反射鏡。這些裝置在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)眾所周知，所以在此不做進(jìn)一步說(shuō)明。
光化光束520a是照射器反射鏡510反射到掩膜臺(tái)505的光化光束。相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員明白，光化光束520b是掩膜臺(tái)505反射到光刻反射鏡100的光化光束。
光化光強(qiáng)傳感器525類(lèi)似于光化光強(qiáng)傳感器425工作(如圖4所示)。但是與光化光強(qiáng)傳感器425不同的是，光化光強(qiáng)傳感器525可以旋轉(zhuǎn)，以下將做說(shuō)明。如上所述，EUV光源515保持恒定(即，發(fā)出的光化光量始終保持恒定)。然而，在掩膜臺(tái)505上的掩膜507反射光化光束520a時(shí)，反射到光刻反射鏡100上的光化光強(qiáng)發(fā)生變化。例如，光化光束520b的光化光強(qiáng)根據(jù)特定時(shí)間曝光的掩膜的總反射率發(fā)生變化，以下將參考后面的附圖做進(jìn)一步說(shuō)明。因此，在時(shí)間t1，光化光束520b的光化光強(qiáng)具有第一值，該第一值由所使用的特定掩膜的反射率確定。在時(shí)間t2，光化光束520b的光化光強(qiáng)可以具有不同于時(shí)間t1時(shí)的第一值的數(shù)值，該值由在此時(shí)間周期內(nèi)使用的特定掩膜的反射率確定。
應(yīng)該注意，在光化光束525b被掩膜臺(tái)505反射時(shí)，光化光強(qiáng)傳感器525可能侵入光化光束525b。因此，光化光強(qiáng)傳感器525可能遮蔽一部分正利用光刻法印刷的圓片(未示出)。因此，必須在圓片曝光之前，利用光化光強(qiáng)傳感器525進(jìn)行測(cè)量。這樣，在圓片曝光之前，將光化光強(qiáng)傳感器525旋轉(zhuǎn)到位置526以獲得光化光束520b的測(cè)量值。然而，在曝光期間，光化光強(qiáng)傳感器527位于位置527以防止干擾光化光束520b。
圖6是示出使光刻反射鏡100保持總時(shí)間恒定熱負(fù)載涉及的各步驟的流程圖600?？刂七^(guò)程以步驟605開(kāi)始，并立即進(jìn)行到步驟610。相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員已知，在典型光刻成像階段，可以使用具有多種反射能力(即，傳熱能力)的多個(gè)掩膜。因此，例如，第一掩膜可以可以反射3瓦的功率，而第二掩膜只能反射2瓦的功率。
在步驟610，確定光刻反射鏡100上的最大反射率掩膜之一發(fā)出(transmit)的光化熱量(如圖1所示)。最大反射率掩膜之一是指多個(gè)掩膜中的任何一個(gè)其他掩膜不超過(guò)其傳熱能力的掩膜。例如，可以有4個(gè)其發(fā)熱能力為5瓦光化功率的掩膜。如果多個(gè)掩膜中沒(méi)有哪個(gè)掩膜的發(fā)熱能力超過(guò)5瓦光化功率，則認(rèn)為這4個(gè)掩膜均是最大反射率掩膜之一。應(yīng)該注意，在使用最大反射率掩膜之一時(shí)，不需要施加附加熱量(例如，來(lái)自可變電源450的電熱)。該掩膜代表“最糟糕情況”，而且在使用其他掩膜時(shí)，它作為所需電熱量的測(cè)量基線(xiàn)。
換句話(huà)說(shuō)，由最大反射率掩膜之一引起的光刻反射鏡100的光化熱負(fù)載代表在光刻反射鏡100上始終要求的時(shí)間恒定熱負(fù)載。其他掩膜發(fā)出的光化熱量小于最大反射率掩膜之一發(fā)出的光化熱量。為了在光刻反射鏡100上保持要求的時(shí)間恒定熱負(fù)載，在使用小反射率掩膜時(shí)，必須通過(guò)增加送到該反射鏡的電功率，提高光刻反射鏡上的熱負(fù)載。
在步驟615，確定當(dāng)前掩膜發(fā)出的光化熱量。
在判定步驟620，確定當(dāng)前掩膜發(fā)出的光化熱產(chǎn)生的光化熱量是否等于最大反射率掩膜之一發(fā)出的光化熱量。
應(yīng)該注意，未考慮當(dāng)前掩膜產(chǎn)生的光化熱量大于最大反射率掩膜之一產(chǎn)生的光化熱量的情況。這種情況不應(yīng)該發(fā)生，因?yàn)樽畲蠓瓷渎恃谀ぎa(chǎn)生的光化熱量超過(guò)了多個(gè)掩膜中任何其他掩膜產(chǎn)生的光化熱量。
在使用當(dāng)前掩膜期間，為了保持要求的時(shí)間恒定熱負(fù)載，需要判定步驟620確定需要將多少附加熱量施加到光刻反射鏡100。如上所述，可以在光刻系統(tǒng)中附加前饋裝置以測(cè)量當(dāng)前掩膜發(fā)出的光化熱量。
在判定步驟620，如果當(dāng)前掩膜發(fā)出的光化熱量等于最大反射率掩膜之一可以產(chǎn)生的光化熱量，則當(dāng)前掩膜就是最大反射率掩膜之一。因此，不需要對(duì)光刻反射鏡100施加電熱。在這種情況下，控制返回步驟615，在步驟615，確定下一個(gè)掩膜發(fā)出的光化熱量。
作為一種選擇，在步驟620，如果當(dāng)前掩膜不是最大反射率掩膜之一，則控制進(jìn)入步驟625。在步驟625，將電熱施加到光刻反射鏡100以使該反射鏡上的熱負(fù)載少許小于(例如，根據(jù)在前饋回路測(cè)量的光化功率計(jì)算的值的90-95％)使用最大反射率掩膜之一期間該反射鏡上產(chǎn)生的熱負(fù)載。盡管應(yīng)該盡快加熱該反射鏡，但是，從將該反射鏡加熱到超過(guò)“最大反射率掩膜熱負(fù)載”的情況恢復(fù)，可以使延遲比加熱該反射鏡以使其熱負(fù)載接近最大反射率掩膜熱負(fù)載的延遲長(zhǎng)。該反射鏡上的熱負(fù)載與使用最大反射率掩膜時(shí)該反射鏡上的熱負(fù)載之間的確切差值取決于熱通量傳感器可以多么精確測(cè)量光化熱量輸入。
應(yīng)該注意，在確定系統(tǒng)的精度之后(例如，測(cè)量值、穩(wěn)定性以及校準(zhǔn))，可以采用更積極的控制(例如，在前饋回路測(cè)量的光化功率計(jì)算的值的98-99％)。
例如，最大反射率掩膜之一可以將約3瓦的功率反射到光刻反射鏡100上。因此，最好在光刻反射鏡100上保持少許低于3瓦的總時(shí)間恒定熱負(fù)載。一組較低反射率掩膜之一可以?xún)H將1瓦的功率反射到光刻反射鏡100上。因此，在使用這種特定掩膜時(shí)，必須將約2瓦的電功率附加到光刻反射鏡100上以在該反射鏡上保持要求的總時(shí)間恒定熱負(fù)載。
在實(shí)施例中，相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員明白，可以利用校準(zhǔn)掩膜提高系統(tǒng)的精度。例如，校準(zhǔn)掩膜可以具有最大反射率掩膜的反射率?？梢詫?duì)校準(zhǔn)掩膜的整個(gè)活性區(qū)域(通常被待轉(zhuǎn)移到具有生產(chǎn)用掩膜的圓片上的圖形占據(jù)的掩膜區(qū)域)涂覆反射涂層。然后，可以使活性區(qū)域的尺寸對(duì)應(yīng)于對(duì)光刻工具使用的生產(chǎn)用掩膜規(guī)定的最大活性區(qū)域(例如，108mm×136mm)。該涂層和尺寸有助于確保校準(zhǔn)掩膜反射的光量等于或者大于該工具中可以使用的任何生產(chǎn)用掩膜輸出的反射光。因此，在這些實(shí)施例中，校準(zhǔn)掩膜是最大反射率掩膜或最大反射率掩膜之一。
確定最大反射率掩膜之一發(fā)出的可能熱負(fù)載，并在使用較低反射率掩膜時(shí)相應(yīng)地施加電熱，可以減小或者消除投影圖像失真的變化。因此，可以不必利用可變冷卻裝置冷卻光刻反射鏡100。
步驟630至640示出比例溫度控制回路技術(shù)。本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員明白，可以選擇更復(fù)雜的控制回路。例如，可以實(shí)現(xiàn)比例積分微分(PID)控制回路。
在步驟630，測(cè)量光刻反射鏡的溫度。例如，可以利用反射鏡溫度傳感器445執(zhí)行該測(cè)量。執(zhí)行該步驟以確定是否需要將更多的電熱施加到光刻反射鏡100，從而使光刻反射鏡100實(shí)現(xiàn)或者保持要求的時(shí)間恒定溫度。例如，可以利用HeaterstatTM控制方法(是由MincoProducts，Inc.Of Minneapolis，MN實(shí)現(xiàn)的)使光刻反射鏡100保持要求的時(shí)間恒定溫度。應(yīng)該注意，測(cè)量光刻反射鏡100的溫度還可以預(yù)防可能將太多的熱量施加到該反射鏡上以致該反射鏡的總熱負(fù)載大于要求的時(shí)間恒定熱負(fù)載。
在步驟635，將光刻反射鏡的溫度與設(shè)定值進(jìn)行比較。如果反射鏡的溫度高于或者等于設(shè)定值，則重新執(zhí)行步驟630，在步驟630，測(cè)量該反射鏡的溫度。
作為一種選擇，在步驟635，如果該溫度低于設(shè)定值，則在步驟640將附加熱量(例如，電熱)施加到光刻反射鏡。
在步驟645，確定是否收到了斷開(kāi)信號(hào)。如果還未收到斷開(kāi)信號(hào)，則控制過(guò)程重新執(zhí)行步驟630，在步驟630，重新測(cè)量反射鏡的溫度。作為一種選擇，在步驟645，如果確定收到了斷開(kāi)信號(hào)，則系統(tǒng)停止運(yùn)行，并在步驟650結(jié)束控制過(guò)程。
圖7A是示出將反射鏡分割為單獨(dú)控制區(qū)域的光刻反射鏡700的示例圖?？紤]到第一區(qū)域內(nèi)缺少光化熱量，所以不斷將附加熱量施加到第一區(qū)域，并同時(shí)將反比調(diào)制熱量施加到第二區(qū)域。光刻反射鏡700包括反射層119(如圖1所示)、拋光層117、光孔區(qū)域702、環(huán)形區(qū)域703以及基底105。
光孔區(qū)域702是光刻反射鏡700上用于接收和反射光的部分。根據(jù)光刻反射鏡700上的光化熱負(fù)載，可以單獨(dú)反調(diào)制光孔區(qū)域705內(nèi)的附加熱量，以減小或消除失真的變化，如上所述。光孔區(qū)域702可以包括電阻層107和布線(xiàn)層115。應(yīng)該注意，光孔區(qū)域702的布線(xiàn)層115與圖2B所示的布線(xiàn)層115相同。
環(huán)形區(qū)域703是光刻投影工具在運(yùn)行期間光刻反射鏡700上接收少量或者不接收光化熱量的部分(被稱(chēng)為冷邊緣效應(yīng))。因此，環(huán)形區(qū)域703通常比光孔區(qū)域702冷?？紤]到其缺少光化熱量，可以將附加熱量不斷施加到環(huán)形區(qū)域703。
環(huán)形區(qū)域703包括電阻層710和布線(xiàn)層715。電阻層710與電阻層107等效。布線(xiàn)層715可以連接到電源，以將熱量送到光刻反射鏡700的環(huán)形區(qū)域703，正如圖7C的相應(yīng)內(nèi)容所述。
圖7B示出圖7A所示光刻反射鏡700的頂視圖。
圖7C示出圖7A所示環(huán)形區(qū)域703的布線(xiàn)層715。布線(xiàn)層715包括接點(diǎn)750a和750b以及絕緣層755。接點(diǎn)750與接點(diǎn)113的工作方式相同(如圖1所示)。然而，應(yīng)該注意，在環(huán)形區(qū)域703的布線(xiàn)層715上，接點(diǎn)750應(yīng)該位于同心位置使得第一接點(diǎn)750a與第二接點(diǎn)750b之間的電流產(chǎn)生接近環(huán)形的、均勻加熱圖形。此外，應(yīng)該注意，絕緣層755應(yīng)該與接點(diǎn)750具有同樣的厚度，以使布線(xiàn)層715較平坦。絕緣層755與絕緣層114的工作方式相同(如圖2B所示)。相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員明白，能量通路745(例如，電線(xiàn))可以用于將接點(diǎn)750連接到位于光刻工具的遠(yuǎn)端電子設(shè)備箱內(nèi)的附加電源(即，連接到布線(xiàn)層115的電源之外的另一個(gè)電源)。
結(jié)論盡管以上對(duì)本發(fā)明的各種實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但是，應(yīng)該明白，它們是作為例子說(shuō)明的，沒(méi)有限制性。相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員明白，在本發(fā)明實(shí)質(zhì)范圍內(nèi)，可以在形式和細(xì)節(jié)方面對(duì)其做各種變化。因此，本發(fā)明并不局限于以上描述的典型實(shí)施例，而且應(yīng)該由如下的權(quán)利要求及其等同物確定本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種用于光刻系統(tǒng)、使得能夠管理光化熱負(fù)載的光刻反射鏡，該光刻反射鏡包括基底；電阻層，成型在所述基底上；布線(xiàn)層，成型在所述電阻層上，其中所述布線(xiàn)層包括絕緣子層和用于連接到電源的接點(diǎn)；拋光層，成型在所述絕緣子層上；以及反射層，成型在所述拋光層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，其中所述拋光層成型在所述絕緣子層和所述接點(diǎn)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，其中所述電源是可變電源。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，其中所述絕緣子層包括聚合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，其中所述絕緣子層包括非導(dǎo)電材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，其中所述絕緣子層包括二氧化硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，其中所述絕緣子層包括介質(zhì)材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，其中所述反射層包括多層鉬硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，其中所述接點(diǎn)以這樣的方式連接到所述電阻層的邊緣，即所述接點(diǎn)互相完全相對(duì)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，其中至少將所述電阻層、所述絕緣子層以及所述拋光層之一成型在所述基底的外圍邊緣。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光刻反射鏡，其中所述可變電源與光化熱負(fù)載相反地改變附加熱負(fù)載。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，其中所述電阻層包括鎳鉻合金。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，其中所述電阻層包括碳。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，其中所述電阻層包括陶瓷和金屬。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，該光刻反射鏡進(jìn)一步包括用于測(cè)量光化熱負(fù)載的前饋裝置。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光刻反射鏡，該光刻反射鏡進(jìn)一步包括用于調(diào)節(jié)對(duì)所述接點(diǎn)施加的附加熱負(fù)載的前饋裝置。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光刻反射鏡，其中所述前饋裝置是用于測(cè)量光化熱負(fù)載的熱通量傳感器。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光刻反射鏡，其中所述前饋裝置至少包括一個(gè)用于監(jiān)測(cè)光刻反射鏡的正面的紅外檢測(cè)器。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，其中所述電阻層具有對(duì)于提供溫度反饋?zhàn)銐蚋叩碾娮铚囟认禂?shù)(TCR)。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，該光刻反射鏡進(jìn)一步包括用于調(diào)節(jié)對(duì)所述接點(diǎn)施加的附加熱負(fù)載的反饋裝置。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的光刻反射鏡，其中所述反饋裝置至少包括一個(gè)固定在光刻反射鏡的正面、用于調(diào)節(jié)所述電阻層內(nèi)的附加熱負(fù)載的熱電偶。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的光刻反射鏡，其中利用照相方法將所述反饋裝置成型在所述絕緣子層上。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，其中通過(guò)摻雜半導(dǎo)體薄膜形成所述電阻層使得所述電阻薄膜中心的電導(dǎo)率不同于所述電阻薄膜外圍的電導(dǎo)率。
24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，其中所述電阻層中心的厚度不同于所述電阻層外圍的厚度。
25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，其中所述電阻層、所述絕緣子層、所述拋光層以及所述反射層的厚度小于或者等于1微米。
26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻反射鏡，其中所述接點(diǎn)包括導(dǎo)電材料。
27.一種用于光刻系統(tǒng)、能夠管理光化熱負(fù)載的光刻反射鏡，該光刻反射鏡包括基底；被加熱的環(huán)形區(qū)域，成型在所述基底上；以及被加熱的光孔區(qū)域，成型在所述被加熱的環(huán)形區(qū)域上。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的光刻反射鏡，其中每個(gè)區(qū)域均包括電阻層；以及布線(xiàn)層，成型在所述電阻層上。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的光刻反射鏡，其中所述布線(xiàn)層包括絕緣子層和用于連接到電源的接點(diǎn)。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的光刻反射鏡，其中所述絕緣子層包括聚合物。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的光刻反射鏡，其中所述絕緣子層包括非導(dǎo)電材料。
32.根據(jù)權(quán)利要求29所述的光刻反射鏡，其中所述絕緣子層包括二氧化硅。
33.根據(jù)權(quán)利要求29所述的光刻反射鏡，其中所述絕緣子層包括介質(zhì)材料。
34.根據(jù)權(quán)利要求29所述的光刻反射鏡，該光刻反射鏡進(jìn)一步包括連接到所述接點(diǎn)、用于與光化熱負(fù)載相反地改變附加熱負(fù)載的可變電阻器。
35.根據(jù)權(quán)利要求29所述的光刻反射鏡，其中所述被加熱的光孔區(qū)域內(nèi)的所述布線(xiàn)層上的所述接點(diǎn)互相完全相對(duì)。
36.根據(jù)權(quán)利要求29所述的光刻反射鏡，其中所述被加熱的環(huán)形區(qū)域內(nèi)的所述布線(xiàn)層上的所述接點(diǎn)同心定位使得從第一所述接點(diǎn)到第二所述接點(diǎn)的電流產(chǎn)生接近環(huán)形的、均勻加熱圖形。
37.根據(jù)權(quán)利要求31所述的光刻反射鏡，其中根據(jù)所述光孔區(qū)域內(nèi)的光化熱量，在所述光孔區(qū)域內(nèi)反調(diào)制附加熱負(fù)載，并將它不斷施加到所述環(huán)形區(qū)域內(nèi)以降低冷邊緣效應(yīng)。
38.根據(jù)權(quán)利要求31所述的光刻反射鏡，其中所述電阻層包括鎳鉻合金。
39.根據(jù)權(quán)利要求31所述的光刻反射鏡，其中所述電阻層包括碳。
40.根據(jù)權(quán)利要求31所述的光刻反射鏡，其中所述電阻層包括陶瓷和金屬。
41.根據(jù)權(quán)利要求28所述的光刻反射鏡，該光刻反射鏡進(jìn)一步包括用于測(cè)量光化熱負(fù)載的前饋裝置。
42.根據(jù)權(quán)利要求28所述的光刻反射鏡，該光刻反射鏡進(jìn)一步包括用于調(diào)節(jié)通過(guò)所述接點(diǎn)施加的附加熱負(fù)載的反饋裝置。
43.根據(jù)權(quán)利要求28所述的光刻反射鏡，其中所述電阻層具有對(duì)于提供溫度反饋?zhàn)銐蚋叩碾娮铚囟认禂?shù)(TCR)。
44.根據(jù)權(quán)利要求41所述的光刻反射鏡，該光刻反射鏡進(jìn)一步包括用于調(diào)節(jié)通過(guò)所述接點(diǎn)施加的附加熱負(fù)載的反饋裝置。
45.根據(jù)權(quán)利要求41所述的光刻反射鏡，其中所述反饋裝置是用于測(cè)量所述光化熱負(fù)載的熱通量傳感器。
46.根據(jù)權(quán)利要求42所述的光刻反射鏡，其中所述反饋裝置至少包括一個(gè)位于光刻反射鏡的正面、用于調(diào)節(jié)所述電阻層內(nèi)的所述附加熱負(fù)載的熱電偶。
47.根據(jù)權(quán)利要求42所述的光刻反射鏡，其中利用照相方法將所述反饋裝置成型在所述絕緣子層上。
48.根據(jù)權(quán)利要求41所述的光刻反射鏡，其中所述前饋裝置至少包括用于監(jiān)測(cè)光刻反射鏡的正面的紅外檢測(cè)器和熱電檢測(cè)器之一。
49.根據(jù)權(quán)利要求29所述的光刻反射鏡，其中通過(guò)摻雜半導(dǎo)體薄膜形成所述電阻層使得所述電阻薄膜中心的電導(dǎo)率不同于所述電阻薄膜外圍的電導(dǎo)率。
50.根據(jù)權(quán)利要求29所述的光刻反射鏡，其中所述電阻層中心的厚度不同于所述電阻層外圍的厚度。
51.根據(jù)權(quán)利要求29所述的光刻反射鏡，其中所述各層的厚度小于或者等于1微米。
52.根據(jù)權(quán)利要求30所述的光刻反射鏡，其中每個(gè)區(qū)域內(nèi)的所述接點(diǎn)包括導(dǎo)電材料。
53.一種制造光刻反射鏡的方法，該光刻反射鏡具有基底、在光刻系統(tǒng)中用于管理基底上的光化熱負(fù)載，該方法包括(a)在基底上成型電阻層；(b)在電阻層上成型布線(xiàn)層，其中所述布線(xiàn)層包括絕緣子層和用于連接到電源的接點(diǎn)；(c)在絕緣子層上成型拋光層；以及(d)在拋光層上成型反射層。
54.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，其中在絕緣子層和接點(diǎn)上成型拋光層。
55.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，該方法進(jìn)一步包括步驟(e)在基底的外圍邊緣至少成型電阻層、絕緣子層、拋光層以及反射層之一。
56.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，該方法進(jìn)一步包括將各接點(diǎn)連接到電阻層的邊緣使得各接點(diǎn)互相完全相對(duì)的步驟。
57.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，該方法進(jìn)一步包括設(shè)置用于測(cè)量光化熱負(fù)載的前饋裝置的步驟。
58.根據(jù)權(quán)利要求57所述的方法，該方法進(jìn)一步包括設(shè)置用于調(diào)節(jié)通過(guò)接點(diǎn)施加的附加熱負(fù)載的反饋裝置的步驟。
59.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，該方法進(jìn)一步包括將反饋裝置成型到絕緣子層上的步驟。
60.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，該方法進(jìn)一步包括利用照相方法將反饋裝置成型到絕緣子層上的步驟。
61.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，該方法進(jìn)一步包括至少將一個(gè)熱電偶連接到光刻反射鏡的正面以調(diào)節(jié)電阻層內(nèi)的附加熱負(fù)載的步驟。
62.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，該方法進(jìn)一步包括利用紅外檢測(cè)器和/或熱電檢測(cè)器監(jiān)測(cè)光刻反射鏡的正面的步驟。
63.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，該方法進(jìn)一步包括設(shè)置用于調(diào)節(jié)通過(guò)接點(diǎn)施加的附加熱負(fù)載的反饋裝置的步驟。
64.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，其中步驟(a)包括步驟(1)在基底上成型電阻層；以及(2)摻雜電阻層使得電阻層中心的電導(dǎo)率不同于電阻層外圍的電導(dǎo)率。
65.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，該方法進(jìn)一步包括改變光刻反射鏡上至少一層的厚度的步驟
66.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，其中步驟(a)包括在基底上成型電阻層的步驟，其中該電阻層具有對(duì)于提供溫度反饋的足夠高的電阻溫度系數(shù)(TCR)。
67.一種在光刻系統(tǒng)內(nèi)用于管理光刻反射鏡上的光化熱負(fù)載的方法，該光刻反射鏡具有基底、成型在基底上的電阻層、成型在電阻層上的布線(xiàn)層、成型在絕緣層上的拋光層以及成型在拋光層上的反射層，該方法包括(a)將電源連接到布線(xiàn)層上的接點(diǎn)；(b)監(jiān)測(cè)光刻反射鏡的溫度；以及(c)調(diào)節(jié)電源以使光刻反射鏡保持要求的溫度。
68.根據(jù)權(quán)利要求67所述的方法，其中所述步驟(b)包括利用前饋裝置測(cè)量光刻反射鏡上的光化熱負(fù)載的步驟。
69.根據(jù)權(quán)利要求67所述的方法，該方法進(jìn)一步包括至少利用一個(gè)熱電偶調(diào)節(jié)光刻反射鏡上的附加熱負(fù)載的步驟。
70.根據(jù)權(quán)利要求67所述的方法，該方法進(jìn)一步包括利用紅外檢測(cè)器和/或熱電監(jiān)控器監(jiān)測(cè)光刻反射鏡的正面的步驟。
71.根據(jù)權(quán)利要求67所述的方法，該方法進(jìn)一步包括步驟(d)利用Heaterstat控制方法使該反射鏡保持時(shí)間恒定溫度。
72.一種用于光刻系統(tǒng)、能夠管光化熱負(fù)載的光刻反射鏡，該光刻反射鏡包括基底；布線(xiàn)層，成型在所述基底上，其中所述布線(xiàn)層包括絕緣子層和用于連接到電源的接點(diǎn)；電阻層，成型在所述布線(xiàn)層上；拋光層，成型在所述電阻層上；以及反射層，成型在所述拋光層上。
73.一種制造光刻反射鏡的方法，該光刻反射鏡具有基底、在光刻系統(tǒng)中用于管理基底上的光化熱負(fù)載，該方法包括(a)在基底上成型電阻層，其中布線(xiàn)層包括絕緣子層和用于連接到電源的接點(diǎn)；(b)在布線(xiàn)層上成型電阻層；(c)在電阻層上成型拋光層；以及(d)在拋光層上成型反射層。
全文摘要
一種用于使光刻反射鏡保持時(shí)間恒定熱負(fù)載的設(shè)備和方法。該反射鏡包括成型在基底上的電阻層、用于將電源連接到電阻層的接點(diǎn)、成型在電阻層上的絕緣子層、成型在絕緣子層上的拋光層以及成型在拋光層上的反射層。通過(guò)根據(jù)掩膜發(fā)出的光化熱負(fù)載，對(duì)該反射鏡施加附加電熱負(fù)載，使光刻反射鏡保持時(shí)間恒定熱負(fù)載。保持時(shí)間恒定熱負(fù)載可以減小或者消除因?yàn)楣饪谭瓷溏R上的光化熱負(fù)載的變化引起的圖像失真的變化。可以利用單獨(dú)溫度控制降低“冷邊緣效應(yīng)”。
文檔編號(hào)G02B7/18GK1495529SQ0314257
公開(kāi)日2004年5月12日 申請(qǐng)日期2003年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月14日
發(fā)明者圣地亞哥·德?tīng)枴てび葕W托, 圣地亞哥 德?tīng)?皮尤奧托 申請(qǐng)人:Asml控股股份有限公司