專利名稱：光刻裝置及設(shè)備制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻投影裝置，該裝置包括一輻射系統(tǒng)，用于提供輻射投影束；一支撐結(jié)構(gòu)，用于支撐圖案形成部件，所述圖案形成部件根據(jù)所希望的圖案使所述投影束形成圖案；一基片平臺，用于保持基片；一投影系統(tǒng)，用于將已形成圖案的投影束投影到基片的靶部上；一傳感器，用于檢測由所述裝置的一元件上至少一個表面區(qū)域所輻射的發(fā)光射線，所述未形成圖案的投影束和已形成圖案的投影束中的一個穿過所述裝置；在所述區(qū)域中，根據(jù)檢測過的發(fā)光射線測定所述未形成圖案的投影束和已形成圖案的投影束中的一個的強(qiáng)度的部件。
背景技術(shù)：
這里所用的術(shù)語“圖案形成部件”可廣泛理解為這樣的部件，即根據(jù)基片的靶部中將要形成的圖案，將相應(yīng)的圖案賦予入射的輻射光束的切面；術(shù)語“光閥”也可用于該語境中。一般來說，所述圖案與靶部中所設(shè)立的設(shè)備——例如集成電路或其它設(shè)備(見下文)——中的特殊功能層一致。這種圖案形成部件的實(shí)例包括一掩模。光刻中掩模的概念是眾所周知的，它包括例如二元型(binary)掩模、交變相移型掩模、衰減相移型掩模，還有各種混合型掩模。根據(jù)掩模上的圖案，放置在輻射光束中的該掩模促使投射到所述掩模上的輻射光束有選擇的透射(就透射型掩模來說)或反射(就反射型掩模來說)。就掩模來說，支撐結(jié)構(gòu)一般為掩模平臺，這樣確?？蓪⒀谀１３衷谌肷漭椛涔馐兴Ｍ奈恢锰?，并且它可以如所希望的那樣相對于所述光束移動。
一可編程的反射器陣列。該設(shè)備的一個實(shí)例是具有一粘彈性控制層的矩陣式可尋址表面和一反射表面。這種設(shè)備的基本原理是(例如)反射表面的尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔庖匝苌涔獾男问絹矸瓷洌菍ぶ穮^(qū)域反射像非衍射光的入射光。采用一個合適的濾光器，所述非衍射光可從入射光束中過濾掉，只剩下衍射光于其中；照這樣，光束根據(jù)矩陣式可尋址表面的尋址圖案變成有圖案的光束。可編程的反射器陣列的一個可選擇實(shí)施例采用超小型反射器的矩陣排列，其中每個反射器通過應(yīng)用一個適當(dāng)?shù)木植侩妶龌蛲ㄟ^采用壓電驅(qū)動部件可圍繞一軸各自傾斜。再次，反射器是矩陣式可尋址的，使得尋址反射器以不同的方向?qū)⑷肷涔馐瓷渲练菍ぶ贩瓷淦魃?；這樣，反射光束根據(jù)矩陣式尋址反射器的尋址圖案形成圖案。所必需的矩陣尋址可采用適當(dāng)?shù)碾娮硬考磉M(jìn)行。上文所述的兩種情形中，所述圖案形成部件可包含一個以上可編程的反射器陣列。關(guān)于這里所指的反射器陣列的更多信息可從例如美國專利US5296891和US5523193，以及PCT專利申請WO98/38597和WO98/33096中獲得，此處將其合并引用。就可編程的反射器陣列來說，所述支撐結(jié)構(gòu)可具體化為例如一構(gòu)架或平臺，它可根據(jù)需要被固定或移動。
一可編程的LCD陣列。這種結(jié)構(gòu)的實(shí)例已在美國專利US5229872中給出，此處將其合并引用。同上，這種情況下所述支撐結(jié)構(gòu)可具體化為例如一構(gòu)架或平臺，它可根據(jù)需要被固定或移動。
為簡單起見，本文的其它部分在涉及遮光板和遮光板載板時，在某些位置會直接用具體的實(shí)例來代替；但是，在這些實(shí)例中所討論的一般原則在上文所述的于圖案形成部件的更廣泛的上下文中是可以見到的。
例如，光刻的投影裝置可用于生產(chǎn)集成電路(IC)。此時，圖案形成器會生成與集成電路的個別層對應(yīng)的電路圖案，該圖案可以映像到基片(硅片)上的靶部(例如包括一個或多個小片(dies))上，基片已經(jīng)被涂敷了一層射線敏感材料(保護(hù)層)。一般來說，單片的硅片會包含鄰近靶部的整個網(wǎng)絡(luò)，靶部通過投影系統(tǒng)被一個接一個地連續(xù)照射。在現(xiàn)有的裝置中，在用遮光板載板上的遮光板形成圖案時，兩種不同類型的機(jī)器之間會有差別。在一種光刻的投影裝置中，在一次操作中將整個遮光板圖案都曝光在靶部上會使每個靶部都被照射到；此類裝置通常是指晶片分檔器(wafer stepper)。在另一種裝置中——通常是指步進(jìn)掃描(step-and-scan)裝置，沿給定的基準(zhǔn)方向(掃描方向)漸進(jìn)掃描投影束下的遮光板圖案并同時掃描平行于或反向平行于該方向的基片載板會照射到每個靶部；一般來說，由于投影系統(tǒng)具有放大因子M(一般小于1)，因此掃描基片載板的速度V是掃描遮光板載板的速度的M倍。關(guān)于此處所述的光刻裝置可以從US6046792中收集到更多的信息，此處將其合并引用。
在使用光刻的投影裝置的生產(chǎn)工藝中，圖案(例如在遮光板中)被映像到至少部分覆蓋有輻射敏感材料層(保護(hù)層)的基片上。在該映像步驟之前，基片可以歷經(jīng)各種程序，例如涂底料、涂保護(hù)層和軟烘干。曝光之后，基片還可以歷經(jīng)其它的程序，例如曝光后烘干(PEB)、顯影、硬烘干以及圖案特點(diǎn)的測定/檢測。這一套程序是在設(shè)備例如集成電路的單層上形成圖案的基礎(chǔ)。形成圖案后的該層接下來可以歷經(jīng)各種程序，例如蝕刻、離子注入(攙雜)、鍍金屬、氧化、化機(jī)法拋光、等等，這些都是為了整飾單層。如果需要幾個層，那么對每個新層都必須重復(fù)整個程序或其變種。最后，基片(晶片)上會呈現(xiàn)出各設(shè)備的集合。然后用例如切割或鋸的辦法將這些設(shè)備一個一個地分開，由此，單個的設(shè)備可以安裝在載體上、連接到定位銷上、等等。關(guān)于這些程序的其它的信息例如可以從《微芯片制作半導(dǎo)體加工實(shí)用指南》(第三版，Peter vanZant著，McGraw Hill出版公司，1997，ISBN0-07-067250-4)一書中得到，此處將其合并引用。
為簡單起見，下文中所述投影系統(tǒng)指的是“透鏡”；但是，該術(shù)語應(yīng)廣泛理解為包含各種類型的投影系統(tǒng)，例如包括折射光系統(tǒng)、反射光系統(tǒng)以及折反射光系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)也可包括根據(jù)任何這些用于定向、成形和控制輻射投影束的圖案類型而操作的部件，這樣的部件也可在下文中統(tǒng)稱或單獨(dú)稱為“透鏡”。此外，所述光刻裝置可以為具有兩個以上的基片平臺(和/或兩個以上的掩模平臺)的類型。在這種“多級”設(shè)備中可平行使用附加的平臺，或者可在一個以上的平臺上完成預(yù)備步驟同時使用一個以上的平臺是用于曝光。例如在US5969441和WO98/40791中所描述的兩級式光刻裝置作為參考被并入此處。
為確保保護(hù)層接受正確的照射劑量，在曝光過程中控制基片水平面輻射束的強(qiáng)度很重要。不幸的是，曝光過程中不改變強(qiáng)度或不改變強(qiáng)度的分布(均勻性)，強(qiáng)度測量是很難進(jìn)行的。所以在傳統(tǒng)的光刻裝置中，為使干擾最小化一般可將傳感器結(jié)合使用——第一傳感器通常與基片平臺相連，因此在曝光過程中它可定位于用于測量的光束中；第二傳感器位于光徑中的一適當(dāng)位置，例如安裝于一反射器的一部分上，以測量曝光過程中局部光束的強(qiáng)度。在曝光過程中采用第一傳感器，可以很精確地測量光束強(qiáng)度和光束強(qiáng)度分布，所述裝置的特征可通過測量相對強(qiáng)度來進(jìn)行分析，該相對強(qiáng)度是在不同的條件下由不同的傳感器測定的。然后該數(shù)據(jù)可用于預(yù)測僅由第二傳感器測量時基片水平面的強(qiáng)度。其缺點(diǎn)就是由于第二傳感器的存在而使強(qiáng)度中總存在干擾。
另外，所述裝置中的其中一個反射器可部分地鍍銀，以允許一部分入射的輻射穿過發(fā)射器到達(dá)反射器后面的一傳感器，或可將一部分光束重定向至一傳感器。這個固有的排列降低了投影束的強(qiáng)度，而該投影束又降低了整個裝置中的強(qiáng)度。由于EUV反射器很容易無效，因而采用EUV輻射的裝置對該問是特別敏感。用于EUV輻射的高反射率反射器不是普遍有效的。此外，在應(yīng)用EUV輻射的光刻投影裝置中，投影束在一真空系統(tǒng)中被輻射可防止強(qiáng)度的損耗。所以光束強(qiáng)度傳感器也必須設(shè)置在真空系統(tǒng)內(nèi)，因而當(dāng)其置于真空中時必須設(shè)計成真空容許并且不用排氣。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種用于確定投影束強(qiáng)度的部件，該投影束可以確定穿過該部件切面區(qū)域的光束強(qiáng)度并與使用EUV方式的裝置相匹配。
根據(jù)本發(fā)明，在首段具體說明的光刻裝置中可實(shí)現(xiàn)這些目的，該裝置的特征在于傳感器自一元件上的若干表面區(qū)域檢測發(fā)光射線，未形成圖案的投影束和已形成圖案的投影束中的一個入射至所述元件上；用于檢測所述光束強(qiáng)度的部件，確定每個所述區(qū)域中所述投影束和已形成圖案的投影束中的一個的強(qiáng)度。
在所述區(qū)域中，所述未形成圖案的投影束和已形成圖案的投影束的其中一個的強(qiáng)度可通過所檢測的發(fā)光射線來確定。發(fā)光是從一熱激物質(zhì)而輻射的自發(fā)發(fā)射。各種不同類型的發(fā)光是已知的，并且它們都是以產(chǎn)生熱激狀態(tài)的機(jī)械為基礎(chǔ)的，例如光激發(fā)光(通過光子吸收而產(chǎn)生的激勵狀態(tài))、輻射致發(fā)光(通過高能粒子或輻射產(chǎn)生)、聲致發(fā)光(通過聲波產(chǎn)生)、摩擦發(fā)光(將一些固體表面一起摩擦而產(chǎn)生的)、以及化學(xué)發(fā)光(化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生的)。另外，發(fā)光也可通過激勵和發(fā)射之間的關(guān)系來鑒別，例如熒光(僅在一種物質(zhì)的激勵過程中發(fā)生發(fā)射)和磷光(在一種物質(zhì)的激勵已經(jīng)停止后發(fā)生發(fā)射或繼續(xù))。
在入射投影束時所述裝置的一種元件所產(chǎn)生的發(fā)光(大致由原子狀態(tài)轉(zhuǎn)移所導(dǎo)致，該原子在由入射輻射光束所誘發(fā)的表面中)程度由幾種因素來確定，這些因素包括入射能光束(例如光子能和波長)的特性以及元件(例如所用的材料)的特性。
由于發(fā)光射線的分布一般是隨機(jī)的，傳感器不必在射束路徑中。因此，輻射光束不因傳感器的存在而改變。所以所述傳感器可用于檢測穿過光束整個切面的輻射光束強(qiáng)度，并且既可確定強(qiáng)度的分布又可確定所述光束的總強(qiáng)度。
檢測發(fā)光射線的元件可以是形成一個分布式Bragg反射器或一個接觸式集光器的多層堆(stack)。更具體來說，所述元件可以是投影系統(tǒng)的一部分和/或輻射系統(tǒng)的一部分和/或可以是被未形成圖案的投影束入射于其上的第一反射器。所述元件尤其可以作為照明裝置的一部分。
所述傳感器可檢測寬廣光譜上的發(fā)光射線的綜合強(qiáng)度。另外，為了更精確地確定所述輻射光束的強(qiáng)度，所述傳感器可檢測一個以上窄段波長的發(fā)光射線強(qiáng)度，所述窄段波長與要發(fā)射的預(yù)期波長一致，結(jié)果由輻射光束所誘導(dǎo)的所述反射器中的原子狀態(tài)發(fā)生轉(zhuǎn)移。
由于所述投影束為EUV輻射，并且由于EUV的吸收作用，所述圖案形成部件、投影系統(tǒng)、基片以及至少一部分輻射系統(tǒng)被容納在一個真空容器中以減少光束強(qiáng)度的損耗。但是，由于所述發(fā)光射線在例如可見光譜范圍內(nèi)波長不同，它不會象EUV輻射那樣被吸收至統(tǒng)一范圍內(nèi)。在優(yōu)選實(shí)施例中，所以傳感器可設(shè)在真空容器的外部。因此所述傳感器不必是真空相容的。
所確定的未形成圖案的投影束或已形成圖案的投影束的區(qū)域強(qiáng)度可用于調(diào)節(jié)基片靶部的曝光時間、輻射系統(tǒng)所產(chǎn)生的輻射光束強(qiáng)度，或用于調(diào)節(jié)投影束的強(qiáng)度分布，其中所述未形成圖案的投影束或已形成圖案的投影束可用于檢測所述發(fā)光射線。
本發(fā)明的另一方面提供一種制造裝置的方法，該方法包括提供一個至少部分地被輻射敏感材料層所覆蓋的基片；-提供一種采用一輻射系統(tǒng)的投影束；采用圖案形成部件以將所述投影束的切面賦予一圖案；將已形成圖案的輻射投影束投射于輻射敏感材料層的一靶部上，采用一傳感器檢測由一表面上至少一個表面區(qū)域所輻射的發(fā)光射線，未形成圖案的投影束和已形成圖案的投影束中的一個黃過所述表面，根據(jù)所檢測的發(fā)光射線，確定在所述未形成圖案的投影束和已形成圖案的投影束中的一個的所述區(qū)域中的強(qiáng)度，其特征在于采用所述傳感器自一元件上若干表面區(qū)域檢測所述發(fā)光射線，所述未形成圖案的投影束和已形成圖案的投影束中的一個入射于所述元件上，確定每個所述區(qū)域內(nèi)所述投影束和已形成圖案的光束中的一個的光束強(qiáng)度。
雖然本發(fā)明在IC的制造過程中，可具體參考本說明書來使用所述裝置，但應(yīng)該明確理解的是這種裝置可進(jìn)行其他可能的應(yīng)用。例如，它可用來制造集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的圖案引導(dǎo)和檢測，液晶顯示屏，薄膜式磁頭等。技術(shù)熟練的技術(shù)人員可理解的是，在這種選擇應(yīng)用的上下文中，本文中的任何術(shù)語“標(biāo)線片(reticle)”、“晶片”或“小片”的使用都應(yīng)認(rèn)為可被更通用的術(shù)語“掩?！薄ⅰ盎奔啊鞍胁俊狈謩e代替。
在本文中，術(shù)語“輻射”和“光束”一般包含所有類型的電磁輻射，包括紫外線輻射(例如波長為365、248、193、157或126納米)和EUV(極端紫外輻射，例如波長范圍為5-20納米)，還有粒子束流，例如離子束或電子束。


以下將參照附圖，僅舉例來描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中圖1描述了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例而定的一種光刻投影裝置；圖2描述了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例而布置的傳感器；圖3描述了一種包含反射器的投影系統(tǒng)。
在這些附圖中，相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1圖1依據(jù)本發(fā)明的一個詳細(xì)實(shí)施例示意地描述了光刻投影裝置。該裝置包括一輻射系統(tǒng)ExIL，用于提供輻射(例如EUV輻射)的投影束PB，在此特例中該系統(tǒng)還包括一輻射源LA；
第一目標(biāo)平臺(掩模平臺)MT，具有一用于保持掩模MA(例如標(biāo)線片)的掩模支架，并與第一定位部件PM相連接，該第一定位部件用于精確確定掩模相對于部件PL的位置；第二目標(biāo)平臺(基片平臺)WT，具有一用于保持基片W(例如涂布有保護(hù)層的硅片)的基片支架，并與第二定位部件PW相連接，該第二定位部件用于精確確定基片相對于部件PL的位置；一投影系統(tǒng)(“透鏡”)PL(例如反射器組)，用于將掩模MA被照射到的部分映像到基片W的靶部C上(例如一個以上小片)。
如此處所描述的，所述裝置為反射型的(例如具有反射掩模的)。但是，一般來說，它也可以是例如透射型的(例如具有透射掩模的)。另外，所述裝置可采用另一種圖案形成部件，例如上述可編程的反射器組。
輻射源LA(例如激光源或等離子體源)產(chǎn)生輻射束。該光束或直接或在經(jīng)過調(diào)節(jié)部件(例如光束擴(kuò)展器)之后進(jìn)入一照明系統(tǒng)(發(fā)光器)IL。發(fā)光器IL可包括校準(zhǔn)部件AM，該校準(zhǔn)部件用于調(diào)節(jié)光束的強(qiáng)度分布的，即光束的外部輻射量和/或內(nèi)部輻射量(一般分別用σ-外和σ-內(nèi)表示)。此外，它一般還包括各種其他的元件，例如累積器IN和聚光器CO。這樣，投射到所述掩模MA上的光束PB的切面具有所期望的均勻性和強(qiáng)度分布。
關(guān)于圖1應(yīng)該注意的是，輻射源LA可設(shè)于光刻投影裝置的箱體內(nèi)(例如，當(dāng)輻射源LA為汞燈時這是經(jīng)常有的情況)，但它也可遠(yuǎn)離平版投影裝置，它所產(chǎn)生的輻射光束被引入所述裝置內(nèi)(例如借助于合適的引導(dǎo)反射器)；當(dāng)輻射源LA為受激準(zhǔn)分子激光器時經(jīng)常采用后一種情況。本發(fā)明和權(quán)利要求包含這兩種情況。
輻射光束PB隨后照射至保持在掩模平臺MT上的掩模MA上。被掩模MA有選擇地反射的輻射光束PB穿過透鏡PL，該透鏡PL將光束PB聚焦于基片W的靶部C上。借助于第二定位部件(以及干涉測量部件正)，基片平臺WT可準(zhǔn)確地移動，從而(例如)確定不同的靶部C在光束PB的路徑上的位置。類似地，第一定位部件可用于準(zhǔn)確確定掩模MA相對于光束PB的位置，例如在從掩模庫機(jī)械檢索出掩模MA之后或在掃描過程中。一般而言，目標(biāo)平臺MT、WT的移動可借助于長沖程組件(粗調(diào))及短沖程組件(微調(diào))而實(shí)現(xiàn)，這兩種組件在圖1中沒有明示出來。但是就晶片分檔器(與步進(jìn)掃描裝置相對)而言，掩模平臺MT可僅與短沖程激勵器相連接，或固定起來。
所描述的裝置可用于兩種不同的模式1.在步進(jìn)模式中，掩模平臺MT可基本保持不動，整個掩模的圖像一下子(也就是“一閃”)被投影至靶部C上。基片平臺WT然后沿X向和/或Y向發(fā)生位移，從而可使光束PB輻射到一個不同的靶部C。
2.在掃描模式中，基本上采用相同的方案，除了既定的靶部C沒有在“一閃”曝光。相反，掩模平臺MT在給定的方向(所謂的“掃描方向”，例如y方向)上以速度v移動，從而使投影束PB在掩模圖像上方掃描；同時，基片平臺WT在相同或相反的方向以速度V＝Mv同時移動，其中M為透鏡PL的放大率(一般M＝1/4或1/5)。照這樣，可曝光一個相對較大的靶部C，而不必?fù)p害分辨率。
圖2描述了本發(fā)明的一個實(shí)施例。一束輻射光束2橫過反射器3。輻射引起反射器3表面3a的原子中的電子運(yùn)動至較高的能級。當(dāng)電子返回至低能級時，原子發(fā)射發(fā)光射線。當(dāng)電子下降到低能級時，發(fā)光射線的波長依賴于所釋放的能量的多少。所以當(dāng)輻射光束入射于反射器上時，反射器所發(fā)射的發(fā)光射線包含若干個離散波段內(nèi)的射線。在每個波段和所述波段的位置中，發(fā)光射線的強(qiáng)度依賴于制造發(fā)射器的材料和入射光束的強(qiáng)度。
發(fā)光射線向各個方向進(jìn)行輻射，因此可以用傳感器4來檢測來自表面3a且不在輻射光束2的入射路徑2a或反射路徑2b上的發(fā)光射線。所述傳感器4可以是CCD照相機(jī)或單個二極管。
所述傳感器4可檢測來自反射器3的整個表面3a的發(fā)光射線5，輻射光束2入射至該反射器3上。另外，采用合適的光學(xué)器件例如透鏡6，可將有輻射光束2入射于其上的反射器3的表面3a的圖像投影于傳感器4上。然后傳感器4可用來監(jiān)控輻射光束切面上的強(qiáng)度。例如，在一投影束中這是有用的，因?yàn)槔硐氲氖谴_保光束強(qiáng)度在光束切面上是均勻的。
無論傳感器所檢測的發(fā)光射線是來自于被光束2入射于其上的反射器的整個表面3a還是來自于其中的離散區(qū)域，傳感器4都可檢測來自反射器3的全部發(fā)光射線(即幾乎所有波長的射線)，一控制設(shè)備可測定來自該反射器3的輻射光束的強(qiáng)度或輻射光束的區(qū)域強(qiáng)度。另外，傳感器可檢測若干特定波長的發(fā)光射線的強(qiáng)度，所述波長與反射器材料的電子狀態(tài)變化有關(guān)。然后根據(jù)反射器的原子狀態(tài)改變的概率以及每個相關(guān)波長的發(fā)光射線的強(qiáng)度，所述控制設(shè)備可更精確地確定輻射光束的強(qiáng)度或輻射光束的區(qū)域強(qiáng)度。
根據(jù)所監(jiān)控特定波長的射線的強(qiáng)度，也可鑒定反射器上的污染物。例如，由于污染物特有的電子狀態(tài)的電荷不同于反射器的電荷，因此可以測定反射器表面上污染層的組成和/或厚度。
傳感器可與輻射光束所入射的任何表面結(jié)合使用。具體來說，它可以與未形成圖案的輻射投影束或已形成圖案的投影束一起使用。就前者而言，傳感器最好與接近輻射源的一反射器結(jié)合使用。在每個反射中，輻射光束的強(qiáng)度降低，從而每個表面所輻射的發(fā)光射線的量減少。因此傳感器可與一反射器結(jié)合使用，該反射器是輻射系統(tǒng)的一部分或位于輻射系統(tǒng)稍后的位置。
具體來說，傳感器可與照明系統(tǒng)中的多面物鏡和/或多面目鏡結(jié)合使用。這是用以提高投影束切面上輻射強(qiáng)度的均勻性。多面鏡需要調(diào)節(jié)以獲得所需的區(qū)域強(qiáng)度分布。傳感器可用于確定投影束在多面鏡上或其后元件上的強(qiáng)度分布。從而可根據(jù)需要對多面鏡進(jìn)行調(diào)節(jié)。關(guān)于多面物鏡和多面目鏡的其它信息可見歐洲專利申請No.02251933.4，該文獻(xiàn)作為參考被并入此文。
不難理解，傳感器也可與位于其后盡可能遠(yuǎn)的一反射器結(jié)合使用，從而能夠監(jiān)控盡可能多的反射器的損耗。另外，傳感器可與位于圖案形成部件稍后位置的反射器結(jié)合使用。例如，當(dāng)圖案形成部件為一個可編程的圖案形成部件時，它可用于證實(shí)圖案形成部件上的強(qiáng)度分布是預(yù)期的和/或?yàn)榭删幊痰膱D案形成部件提供反饋，以提供必須的校準(zhǔn)。
傳感器尤其可與投影系統(tǒng)中的一反射器結(jié)合使用。已知由于沒有合適的用于制造可以和EUV射線一起使用的折射鏡的材料，因此用EUV輻射產(chǎn)生投影束的光刻裝置的投影系統(tǒng)必須以反射鏡為基礎(chǔ)。這樣一個投影系統(tǒng)的實(shí)例如圖3所示。反射器M1、M2、M3、M4用于將圖案形成部件MA的圖案投射至基片W上。關(guān)于采用反射鏡的透射系統(tǒng)的更多信息可見EP1209503A，該專利在此一并作為參考。
就采用EUV輻射的光刻投影系統(tǒng)而言，反射器為分布式Bragg反射器，例如包含若干鉬和硅的交互層。為保護(hù)底層，可將這些分布式Bragg反射器覆蓋。大多數(shù)發(fā)光射線由該覆蓋層輻射，因此可以選擇所述覆蓋層的材料以使輻射最大化。另外，可用于本發(fā)明或本發(fā)明的特定范圍的任何反射器都可涂布一個附加熒光層從而增強(qiáng)發(fā)光射線。
傳感器4僅可與反射器3鄰近。但實(shí)際情況不必這樣。在輻射光束2是EUV輻射的裝置中，光束路徑可位于真空容器內(nèi)以減少強(qiáng)度的損耗。但是，發(fā)光射線5具有不同的波長，所以它較少受強(qiáng)度損耗的影響。所以，傳感器4可設(shè)置在真空容器的外部，同時發(fā)光射線5穿過發(fā)光射線可透過的一控制板。
確定投影束或已形成圖案的光束(或所有的光束)的區(qū)域強(qiáng)度可用于確?；系谋Ｗo(hù)層接受正確的曝光。例如，這可以根據(jù)所測定的強(qiáng)度值，通過調(diào)節(jié)保護(hù)層的曝光時間或射線系統(tǒng)所產(chǎn)生的輻射光束的強(qiáng)度來完成。
雖然上文描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但不難理解除此之外本發(fā)明也可以有其它的實(shí)現(xiàn)方式。所作說明無意對本發(fā)明進(jìn)行限制。
權(quán)利要求
1.一種光刻投影裝置，包括一用于提供輻射投影束的輻射系統(tǒng)；一用于支撐圖案形成部件的支撐結(jié)構(gòu)，所述圖案形成部件根據(jù)所希望的圖案使投影束形成圖案；一用于保持一基片的基片平臺；一用于將已形成圖案的投影束投射于所述基片的一靶部上的投影系統(tǒng)，一用于檢測發(fā)光射線的傳感器，該發(fā)光射線由所述裝置的一元件上的至少一個表面區(qū)域所輻射，所述未形成圖案的投影束和已形成圖案的投影束中的一個穿過所述裝置，在所述區(qū)域中，根據(jù)檢測過的發(fā)光射線測定所述未形成圖案的投影束和已形成圖案的投影束中的一個的強(qiáng)度的部件，其特征在于所述傳感器檢測來自于所述元件的若干表面區(qū)域的所述發(fā)光射線，所述未形成圖案的投影束和已形成圖案的投影束入射于所述元件上；在每個所述區(qū)域中用于測定所述光束強(qiáng)度的所述部件測定所述投影束和已形成圖案的光束中的一個的強(qiáng)度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光刻投影裝置，其特征在于所述元件為一反射器，所述傳感器不在所述未形成圖案的投影束和已形成圖案的投影束中的一個的入射路徑或反射路徑中。
3.根據(jù)前面任何一個權(quán)利要求所述的一種光刻投影裝置，其特征在于所述元件為一形成分布式Bragg反射器的多層堆。
4.根據(jù)前面任何一個權(quán)利要求所述的一種光刻投影裝置，其特征在于所述元件為設(shè)置在所述投影系統(tǒng)和輻射系統(tǒng)其中一個內(nèi)的一反射器。
5.根據(jù)前面任何一個權(quán)利要求所述的一種光刻投影裝置，其特征在于所述元件為第一反射器，所述未形成圖案的投影束入射至該第一反射器上。
6.根據(jù)前面任何一個權(quán)利要求所述的一種光刻投影裝置，其特征在于所述傳感器檢測由所述區(qū)域所輻射的發(fā)光射線的總強(qiáng)度。
7.根據(jù)前面任何一個權(quán)利要求所述的一種光刻投影裝置，其特征在于所述傳感器檢測所述發(fā)光射線的強(qiáng)度，該發(fā)光射線由所述的一個以上特定波長的區(qū)域所輻射。
8.根據(jù)前面任何一個權(quán)利要求所述的一種光刻投影裝置，其特征在于所述圖案形成部件、投影系統(tǒng)、基片以及所述輻射系統(tǒng)的至少一部分被包含在一真空容器中；所述表面區(qū)域位于所述真空容器內(nèi)，所述傳感器檢測來自于所述表面區(qū)域的發(fā)光射線；所述傳感器位于在所述真空容器的外部。
9.根據(jù)前面任何一個權(quán)利要求所述的一種光刻投影裝置，還包括用于根據(jù)所檢測的發(fā)光射線來調(diào)節(jié)所述基片的靶部的曝光時間、輻射系統(tǒng)所產(chǎn)生的輻射光束的強(qiáng)度、以及投影束的強(qiáng)度分布中的一項的部件。
10.一種設(shè)備制造方法，其步驟包括提供一基片，該基片至少部分地被一輻射敏感材料層所覆蓋；提供一采用輻射系統(tǒng)的輻射投影束；采用圖案形成部件以將所述投影束的切面賦予一圖案；將已形成圖案的所述輻射投影束投影至輻射敏感材料層的一靶部上，采用一傳感器檢測由一表面上至少一個表面區(qū)域所輻射的發(fā)光射線，所述未形成圖案的投影束和已形成圖案的投影束中的一個穿過所述表面，在所述區(qū)域內(nèi)，根據(jù)所檢測的發(fā)光射線，測定所述未形成圖案的投影束和已形成圖案的投影束中的一個的強(qiáng)度，其特征在于采用所述傳感器檢測來自于一元件上的若干表面區(qū)域的發(fā)光射線，所述未形成圖案的投影束和已形成圖案的投影束中的一個入射至所述元件上，在每個所述區(qū)域內(nèi)確定所述投影束和已形成圖案的投影束中的一個的強(qiáng)度。
全文摘要
本發(fā)明提出光刻裝置及設(shè)備制造方法。采用一傳感器4檢測自一反射器3所輻射的發(fā)光射線5，發(fā)光射線5是由入射至所述反射器3的一表面3a上的所述輻射光束2所引起的狀態(tài)改變的結(jié)果。特定波長的發(fā)光射線5的強(qiáng)度可用于確定輻射光束2的強(qiáng)度。
文檔編號G03F7/20GK1510515SQ03132798
公開日2004年7月7日 申請日期2003年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月30日
發(fā)明者M·M·T·M·迪里奇斯, M M T M 迪里奇斯 申請人:Asml荷蘭有限公司