專利名稱：光干涉式顯示單元的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光干涉式顯示面板的制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有支撐臂的支撐物的光干涉式顯示面板的制造方法。
背景技術(shù)：
平面顯示器由于具有體積小、重量輕的特性，在可攜式顯示設(shè)備，以及小空間應(yīng)用的顯示器市場中極具優(yōu)勢?，F(xiàn)今的平面顯示器除液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有機電激發(fā)光二極管(OrganicElectro-Luminescent Display，OLED)和等離子顯示器(Plasma Display Panel，PDP)等等之外，一種利用光干涉式的平面顯示模式已被提出。
請參見美國USP5835255號專利，該專利揭露了一可見光的顯示單元陣列(Array of Modulation)，可用來作為平面顯示器用。如圖1所示，顯示了現(xiàn)有的顯示單元的剖面示意圖。每一個光干涉式顯示單元100包括兩道墻(Wall)102及104，兩道墻102、104間由支撐物106所支撐而形成一腔室(Cavity)108。兩道墻102、104間的距離，也就是腔室108的長度為D。墻102、104其中之一為一具有光吸收率可吸收部分可見光的部分穿透部分反射層，另一則是一以電壓驅(qū)動可以產(chǎn)生形變的反射層。當入射光穿過墻102或104而進入腔室108中時，入射光所有的可見光頻譜的波長(Wave Length，以λ表示)中，僅有符合公式1.1的波長(λ1)可以產(chǎn)生建設(shè)性干涉而輸出。其中N為自然數(shù)。換句話說，2D＝Nλ (1.1)當腔室108長度D滿足入射光半個波長的整數(shù)倍時，則可產(chǎn)生建設(shè)性干涉而輸出陡峭的光波。此時，觀察者的眼睛順著入射光入射的方向觀察，可以看到波長為λ1的反射光，因此，對顯示單元100而言處于“開”的狀態(tài)。
第一墻為一部分穿透部分反射電極，一般由一基材、一吸收層及一介電層所組成。當入射光穿過第一墻時，入射光的部分強度為吸收層所吸收。其中，形成基材的材質(zhì)可以為導(dǎo)電透明材質(zhì)，例如氧化銦錫玻璃(ITO)或是氧化銦鋅玻璃(IZO)，形成吸收層的材質(zhì)可以為金屬，例如鋁、鉻、銀等等。形成介電層的材質(zhì)可以為氧化硅、氮化硅或金屬氧化物。金屬氧化物的部分可以直接氧化部分吸收層而獲得。第二墻則為一可變形的反射電極，在電壓的控制下可以變形而上下移動。一般而言形成第二墻的材質(zhì)可以為介電材質(zhì)/導(dǎo)電透明材質(zhì)或是金屬材質(zhì)/導(dǎo)電透明材質(zhì)。
圖2顯示了現(xiàn)有的顯示單元加上電壓后的剖面示意圖。如圖2所示，在電壓的驅(qū)動下，墻104因為靜電吸引力而產(chǎn)生形變，向墻102的方向塌下。此時，兩道墻102、104間的距離，也就是腔室108的長度并不為零，而是為d，d可以等于零。此時，公式1.1中的D將以d置換，入射光所有的可見光頻譜的波長λ中，僅有符合公式1.1的可見光波長(λ2)可以產(chǎn)生建設(shè)性干涉，由墻104的反射穿透墻102而輸出。墻102對波長為λ2的光具有較高的光吸收，此時，入射光所有的可見光頻譜均被濾除，對順著入射光入射墻102的方向觀察的觀察者而言，將不會看到任何可見光頻譜內(nèi)的反射光，因此，對顯示單元100而言處于“關(guān)”的狀態(tài)。
請再參照圖1，顯示單元100中的支撐物106一般由負光阻材質(zhì)所形成。請如圖3A至圖3C所示，圖3A至圖3C是現(xiàn)有顯示單元的制造方法。如圖3A所示，在一透明基材109上先依序形成第一墻102及犧牲層110，再在墻102及犧牲層110中形成開口112以適用于形成支撐物于其內(nèi)。接著，在犧牲層110上旋涂上一負光阻層111并填滿開口112，形成負光阻層111的目的在于形成位于第一墻102與第二墻(未顯示于圖上)間的支撐物。由箭頭113的方向，向透明基材109的方向?qū)ξ挥陂_口112內(nèi)的光阻層進行背面曝光。為了背面曝光制造工序的需求，犧牲層110必須為不透明的材質(zhì)，一般為金屬材質(zhì)。
如圖3B所示，去除為曝光的負光阻層而留下支撐物106于開口112之內(nèi)。然后，形成墻104于犧牲層110及支撐物106之上。如圖3C所示，最后，以結(jié)構(gòu)釋放蝕刻(Release Etch Process)移除犧牲層110而形成腔室114，腔室114的長度D即為犧牲層110的厚度。因此，必須在不同顯示單元的制造工序中使用不同厚度的犧牲層，以實現(xiàn)控制反射出不同波長的光線的目的。
對單色平面顯示器而言，顯示單元100所組成可以利用電壓操作來控制開關(guān)的陣列已足夠，但對于彩色平面顯示器而言，顯示單元100顯然不夠?，F(xiàn)有的作法是制造具有不同腔室長度的三個顯示單元而成為一個像素，如圖4所示，圖4顯示了現(xiàn)有陣列式彩色平面顯示器剖面示意圖。在同一基材300上分別形成三個顯示單元302、304及306陣列，當入射光308入射時，三個顯示單元302、304及306不同的腔室長度可分別反射出不同波長的色光，例如，紅光、綠光或藍光。顯示單元陣列式的排列除了無須選用不同的反射鏡面，更重要的是可以提供極佳的分辨率而且各種色光間的亮度均勻，但是，由于腔室長度的不同，三個顯示單元必需要分別制造。
如圖5A至圖5D所示，是現(xiàn)有陣列式彩色平面顯示器制造方法的剖面示意圖。如圖5A所示，在一透明基材300上先依序形成第一墻310及第一犧牲層312，再在第一墻310及犧牲層312中形成開口314、316、318及320以定義出顯示單元302、304及306預(yù)定形成的位置。接著，形成共型的第二犧牲層322于第一犧牲層312之上及開口314、316、318及320之內(nèi)。
如圖5B所示，以一微影蝕刻制造工序移除開口314及316內(nèi)及其間的和開口318、322內(nèi)的第二犧牲層322后，形成共型的第三犧牲層324于第一犧牲層312及第二犧牲層322之上和開口314、316、318及320之內(nèi)。
如圖5C所示，以一微影蝕刻制造工序保留開口318及320間的第三犧牲層324而移除第三犧牲層324其它部分。接著，旋涂一負光阻于第一犧牲層312、第二犧牲層322及第三犧牲層324之上和開口314、316、318及320之內(nèi)并填滿所有開口而形成負光阻層326，負光阻層326的目的在于形成位于第一墻310與第二墻(未顯示于圖上)間的支撐物(未繪示于圖上)。
如圖5D所示，由透明基材300的方向?qū)ξ挥陂_口314、316、318及320內(nèi)的光阻層進行背面曝光。為了背面曝光制造工序的需求，至少第一犧牲層312必須為不透明的材質(zhì)，一般為金屬材質(zhì)。去除未曝光的負光阻層326而留下支撐物328于開口314、316、318及320內(nèi)。接著，形成第二墻330共型覆蓋于第一犧牲層312、第二犧牲層322及第三犧牲層324及支撐物328上。
最后，以結(jié)構(gòu)釋放蝕刻(Release Etch Process)移除第一犧牲層312、第二犧牲層322及第三犧牲層324而形成如圖4所示的顯示單元302、304及306，三顯示單元302、304及306的腔室長度d1、d2、d3分別為第一犧牲層312、第一犧牲層312和第二犧牲層322及第一犧牲層312、第二犧牲層322和第三犧牲層324的厚度。因此，必須在不同顯示單元的制造工序中使用不同厚度的犧牲層，以實現(xiàn)控制反射出不同波長的光線的目的。
現(xiàn)有制造陣列式彩色平面顯示器至少需要三道微影蝕刻制造工序，以定義顯示單元302、304及306的腔室長度。為了配合背面曝光以形成支撐物，必須使用金屬材質(zhì)作為犧牲層，復(fù)雜的制造工序本身而言成本較高，更嚴重的是由于復(fù)雜的制造工序而使得合格率無法提高。
因此，提供一種簡易的光干涉式顯示單元結(jié)構(gòu)制造方法來制造同時具有高分辨率、高亮度、制造工序簡易且制造工序合格率高的彩色光干涉式顯示面板，成為一個重要的課題。
發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的就是提供一種光干涉式顯示單元結(jié)構(gòu)及其制造方法，適用于制造彩色光干涉式顯示面板，可以具有高分辨率及高亮度。
本發(fā)明的另一目的是提供一種光干涉式顯示單元結(jié)構(gòu)及其制造方法，適用于制造彩色光干涉式顯示面板，制造工序簡易而且制造工序合格率高。
本發(fā)明的又一目的是在提供一種光干涉式顯示單元結(jié)構(gòu)及其制造方法，適用于制造具有支撐物的彩色光干涉式顯示面板。
根據(jù)本發(fā)明的上述目的，在本發(fā)明一較佳實施例中提出一種光干涉式顯示單元結(jié)構(gòu)的制造方法，在一透明基材上先依序形成第一墻及犧牲層，再在第一墻及犧牲層中形成開口以適用于形成支撐物于其內(nèi)。接著，在犧牲層上旋涂上一層光阻并填滿開口。以一微影制造工序圖案化光阻層而定義出具有支撐臂的支柱做為一支撐物及定義支撐臂的長短。由于光阻層的曝光借助于一光罩，所以犧牲層不再必須為金屬等不透明的材質(zhì)，一般介電材料也適用于作為犧牲層。
在犧牲層及支撐物上方形成一第二墻，再對支撐物進行一硬烤(Baking)，支撐物的支撐臂由于應(yīng)力作用，支撐臂以支柱為軸會產(chǎn)生位移，支撐臂接近支柱的一端位移量較小，而支撐臂的末端具有較大的位移量。支撐臂的位移會改變第二墻的位置。最后，以結(jié)構(gòu)釋放蝕刻(Release Etch Process)移除犧牲層而形成腔室，由于支撐臂的位移，腔室的長度D不會等同犧牲層的厚度。
不同的長度與厚度的比值的支撐臂具有不同的應(yīng)力，在進行硬烤時所產(chǎn)生位移的大小及方向不一，因此，可以利用不同的長度與厚度的比值的支撐臂來控制腔室的長度，而并不如現(xiàn)有技術(shù)那樣必須在不同顯示單元的制造工序中使用不同厚度的犧牲層，而能達成控制反射出不同波長的光線的目的。這樣的作法具有相當多的優(yōu)點，第一，成本的降低。現(xiàn)有的腔室的厚度即為犧牲層的厚度，犧牲層在制造工序的最后需被移除。本發(fā)明利用支撐臂向上的位移來增加腔室的長度，因此，腔室的長度大于犧牲層的厚度，在形成相同長度的腔室時，犧牲層的厚度可以大幅下降。因此，制造犧牲層所使用的材料也大幅下降。第二、制造工序時間的縮短?，F(xiàn)有的金屬犧牲層的結(jié)構(gòu)釋放蝕刻非常耗時，蝕刻氣體必須經(jīng)由支撐物間的間隙滲入以移除犧牲層。本發(fā)明因是利用光罩做正面曝光，因此犧牲層可以采用透明的材質(zhì)，例如介電材質(zhì)，而非如現(xiàn)有技術(shù)必須使用金屬等不透明材質(zhì)。另外，因為犧牲層所使用的厚度可以大幅減小，結(jié)構(gòu)釋放蝕刻所需的時間可以大幅減小，再者，介電材質(zhì)的使用也使結(jié)構(gòu)釋放蝕刻的速度加快，這也可以減少結(jié)構(gòu)釋放蝕刻所需的時間。第三、利用支撐物來形成彩色光干涉式顯示面板可以大幅度減少制造工序的復(fù)雜度，利用支撐物的支撐臂長度與厚度比的差異來改變支撐臂的應(yīng)力，在硬烤之后因為支撐臂的位移而使不同光干涉式顯示單元具有不同的腔室長度而能改變反射光的波長以得到不同的色光，例如紅光、綠光或藍光。
本發(fā)明還提供一陣列式彩色平面顯示器結(jié)構(gòu)的制造方法。每一陣列式彩色平面顯示器單元具有三個光干涉式顯示單元。在一透明基材上先依序形成第一墻及犧牲層，再在第一墻及犧牲層中形成開口以適用于形成支撐物于其內(nèi)。接著，在犧牲層上旋涂上一層光阻并填滿開口。以一微影制造工序圖案化光阻層而定義出具有支撐臂的支柱做為一支撐物及定義支撐臂的長短，不同光干涉式顯示單元的支撐臂具有不同的長度。三個光干涉式顯示單元的支撐臂僅需一道微影制造工序即可完成。由于光阻層的曝光是借助于一光罩，所以犧牲層不再必須為金屬等不透明的材質(zhì)，一般介電材料也適用于作為犧牲層。
在犧牲層及支撐物上方形成一第二墻，再對支撐物進行一硬烤(Baking)，支撐物的支撐臂由于應(yīng)力作用，支撐臂以支柱為軸會產(chǎn)生位移，支撐臂接近支柱的一端位移量較小，而支撐臂的末端具有較大的位移量。支撐臂的位移會改變第二墻的位置。最后，以結(jié)構(gòu)釋放蝕刻(Release Etch Process)移除犧牲層而形成腔室，由于支撐臂的位移，腔室的長度D不會等同犧牲層的厚度。
第一墻即為第一電極而第二墻是第二電極。每一光干涉式顯示單元T型支撐臂的長度不同，具有不同的應(yīng)力，因此在硬烤過后支撐臂的位移量不同，所以每一光干涉式顯示單元的腔室長度不同而能改變反射光的波長以得到不同的色光，例如紅光、綠光或藍光而能得到一陣列式彩色平面顯示器結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的有益效果是，根據(jù)本發(fā)明所揭露的光干涉式顯示單元的陣列所組成的彩色平面顯示器，保留了現(xiàn)有陣列式彩色平面顯示器的優(yōu)點，具有高分辨率及高亮度，同時也具有現(xiàn)有復(fù)層式彩色平面顯示器的優(yōu)點，制造工序簡易而且制造工序合格率高。由此可知，本發(fā)明所揭露的光干涉式顯示單元不只在形成陣列時同時保持現(xiàn)有光干涉式彩色平面顯示器所有的優(yōu)點，高分辨率、高亮度、制造工序簡易及制造工序合格率高之外，更可以增加制造工序時的裕度，提高光干涉式彩色平面顯示器的制造工序合格率。
圖1是現(xiàn)有顯示單元的剖面示意圖；圖2是現(xiàn)有顯示單元加上電壓后的剖面示意圖；圖3A至圖3C是現(xiàn)有顯示單元的制造方法；圖4是現(xiàn)有陣列式彩色平面顯示器剖面示意圖；圖5A至圖5D是現(xiàn)有陣列式彩色平面顯示器制造方法的剖面示意圖；圖6A至圖6C是本發(fā)明較佳實施例的一種光干涉式顯示單元的制造方法；圖6D是依照本發(fā)明一較佳實施例的一種光干涉式顯示單元剖面示意圖；以及圖7A至圖7D是依照本發(fā)明第二較佳實施例的一種陣列式彩色平面顯示器結(jié)構(gòu)的制造方法。其中，附圖標記說明如下100、302、304、306、500、624、626、628光干涉式顯示單元102、104、310、330墻1021、109、300、501、701基材1022吸收層1023介電層106、328、512、616、618、620、622支撐物108、114、、516、6241、6261、6281腔室110、312、322、324、506、604犧牲層111、326負光阻層112、314、316、318、320、508、606、608、610、612開口113箭頭502、504、602、630鏡面電極510、614材質(zhì)層514、6161、6181、6201、6221支柱5121、5122、6162、6182、6183、6202、6203、6222支撐臂504’、5121‘、5122’虛線R紅光G綠光B藍光D、D’、d、d1、d2、d3長度具體實施方式
為了讓本發(fā)明所提供的可變色像素單元結(jié)構(gòu)更加清楚起見，在本發(fā)明實施例1中詳細說明每一光干涉式顯示單元的結(jié)構(gòu)。另外，為使本發(fā)明所揭露以光干涉式顯示單元陣列所形成的光干涉式彩色平面顯示器更加清楚起見，在本發(fā)明實施例2中進一步詳細說明。
實施例1圖6A至圖6C是本發(fā)明較佳實施例的一種光干涉式顯示單元的制造方法。如圖6A所示，在一透明基材501上先依序形成第一電極502及犧牲層506，其中，犧牲層506可以采用透明的材質(zhì)，例如介電材質(zhì)，或是不透明材質(zhì)，例如金屬材質(zhì)。以一微影蝕刻制造工序在第一電極502及犧牲層506中形成開口508，開口508適用于在其內(nèi)部形成支撐物。
接著，在犧牲層506形成一材質(zhì)層510并填滿開口508。材質(zhì)層510適用于形成支撐物，一般可以使用感光材質(zhì)，例如光阻，或是非感光的聚合物材質(zhì)，例如聚酯或聚醯等等。若是使用非感光材質(zhì)形成材質(zhì)層，則需一微影蝕刻工序在材質(zhì)層510上定義出支撐物。在本實施例中以感光材質(zhì)來形成材質(zhì)層510，故僅需以一微影工序圖案化材質(zhì)層510。
如圖6B所示，由一微影制造工序圖案化材質(zhì)層510而定義出支撐物512，支撐物512具有支柱514位于開口508之內(nèi)及支撐臂5121與5122。支撐臂5121與5122的長短也由同一微影制造工序來定義。至于支撐臂5121與5122的厚度，則是在形成材質(zhì)層510的步驟時所決定。在犧牲層506及支撐物512上方形成一第二電極504。
最后，如圖6C所示，進行一熱制造工序，例如一硬烤(Baking)，支撐物512的支撐臂5121及5122由于應(yīng)力作用，支撐臂5121及5122以支柱514為軸會產(chǎn)生位移，支撐臂5121及5122接近支柱514的一端位移量較小，而支撐臂5121及5122的末端具有較大的位移量。支撐臂5121及5122的位移會改變第二電極504的位置。最后，以結(jié)構(gòu)釋放蝕刻(Release Etch Process)移除犧牲層而形成腔室516。
如圖6A至圖6C所制造的光干涉式顯示單元如圖6D所示，圖6D顯示了依照本發(fā)明一較佳實施例的一種光干涉式顯示單元剖面示意圖。一光干涉式顯示單元500，可以作為一可變色像素單元，至少包含一第一電極502、一第二電極504，其中，第一電極502與第二電極504約成平行排列。第一電極502及一第二電極504選自于窄波帶(Narrowband)鏡面、寬波帶(Broadband)鏡面、非金屬鏡及金屬鏡或其組合所組成的集合。
第一電極502與第二電極間由支撐物512所支撐。支撐物512的支撐臂5121及5122向上翹起。在現(xiàn)有光干涉式顯示單元結(jié)構(gòu)中的腔室的長度即為犧牲層的厚度，若犧牲層的厚度為D，腔室的長度也為D。在本實施例中，第一電極502與第二電極504間由支撐物512所支撐而形成一腔室516。支撐物512具有支撐臂5121與5122，支撐臂5121和5122的長度和厚度的比值決定支撐臂5121和5122的應(yīng)力，虛線5121’及5122’顯示支撐臂5121和5122進行熱制造工序前的位置。當經(jīng)過熱制造工序之后，支撐臂5121和5122會產(chǎn)生位移，而使第二電極504的位置自原來虛線504’的位置所標示的位置產(chǎn)生變動，第一電極502與第二電極504間的腔室510由原來的D的長度改變成D’的長度，由于腔室516的長度改變，反射光的頻率也會跟著改變。一般而言，當以聚醯化合物作為形成支撐物512的材料時，支撐臂5121和5122的長度厚度比值介于5至50之間時，腔室510的長度D’約為犧牲層的厚度D的1.5倍至3倍。當然，也可以改變支撐臂5121和5122的長度厚度比值而使硬烤后的腔室516的長度D’小于犧牲層的厚度D。
在本發(fā)明中適用于作為形成支撐物512的材料包括正光阻、負光阻、各種聚合物，例如，亞克力(Acrylic)樹酯、環(huán)氧樹酯等等。
實施例2如圖7A至圖7D顯示了依照本發(fā)明第二較佳實施例的一種陣列式彩色平面顯示器結(jié)構(gòu)的制造方法。如圖7A所示，在一透明基材601上先依序形成第一電極602及犧牲層604，其中，犧牲層604可以采用透明的材質(zhì)，例如介電材質(zhì)，或是不透明材質(zhì)，例如金屬材質(zhì)。以一微影蝕刻制造工序于第一電極602及犧牲層604中形成開口606、608、610、612，開口606、608、610、612適用于形成支撐物于其內(nèi)。
接著，在犧牲層604之上形成一材質(zhì)層614并填滿開口606、608、610、612。四個開口606、608、610、612兩兩定義出光干涉式顯示單元624、626及628的位置。材質(zhì)層614適用于形成支撐物，一般可以使用感光材質(zhì)，例如光阻，或是非感光的聚合物材質(zhì)，例如聚酯或聚醯等等。若是使用非感光材質(zhì)形成材質(zhì)層，則需一微影蝕刻制造工序在材質(zhì)層614上定義出支撐物。在本實施例中以感光材質(zhì)來形成材質(zhì)層614，故僅需以一微影制造工序圖案化材質(zhì)層614。
如圖7B所示，由一微影制造工序圖案化材質(zhì)層614而定義出支撐物616、618、620、622，支撐物616、618、620、622分別具有支柱6161、6181、6201、6221位于開口606、608、610、612之內(nèi)及支撐臂6162、6182、6183、6202、6203、6222。支撐臂6162和6182、6183和6202及6203和6222的長度相同。在犧牲層604及支撐物616、618、620、622上方形成一第二電極630。
如圖7C所示，進行一熱制造工序，例如一硬烤(Baking)，支撐物616、618、620、622的支撐臂6162、6182、6183、6202、6203、6222由于應(yīng)力作用，支撐臂6162、6182、6183、6202、6203、6222以支柱6161、6181、6201、6221為軸會產(chǎn)生位移，支撐臂6162、6182、6183、6202、6203、6222接近支柱6161、6181、6201、6221的一端位移量較小，而支撐臂6162、6182、6183、6202、6203、6222的末端具有較大的位移量。支撐臂6162和6182、6183和6202、6203和6222兩兩位移的大小相同但三組支撐臂間的位移量不同，因此，撐臂6162和6182、6183和6202、6203和6222的位移對第二電極630所造成位置的改變量也不同。
最后，如圖7D所示。以結(jié)構(gòu)釋放蝕刻(Release Etch Process)移除犧牲層604而形成光干涉式顯示單元624、626及628的腔室6241、6261及6281。腔室6241、6261及6281具有不同的長度d1、d2及d3。在光干涉式顯示單元624、626及628為“開”的狀態(tài)下，由公式1.1所示，腔室長度d1、d2及d3的設(shè)計可以產(chǎn)生不同波長的反射光，例如紅光、綠光或藍光。
由于腔室6241、6261及6281的長度d1、d2及d3并非由犧牲層的厚度來決定，而是由支撐臂6162和6182、6183和6202、6203和6222的長度來決定，因此，不需如現(xiàn)有技術(shù)復(fù)雜的微影制造工序來形成厚度不同的犧牲層來定義出不同的腔室長度。
根據(jù)本實施例所揭露的光干涉式顯示單元的陣列所組成的彩色平面顯示器，保留了現(xiàn)有技術(shù)中陣列式彩色平面顯示器的優(yōu)點，具有高分辨率及高亮度，同時也具有現(xiàn)有復(fù)層式彩色平面顯示器的優(yōu)點，制造工序簡易而且制造工序合格率高。相對于現(xiàn)有陣列式彩色平面顯示器而言，本實施例所揭露的光干涉式顯示單元的陣列中不需如現(xiàn)有復(fù)雜的微影制造工序來形成厚度不同的犧牲層來定義出不同的腔室長度，制造工序簡易且及制造工序合格率高。相對于現(xiàn)有復(fù)層式彩色平面顯示器而言，本實施例所揭露的光干涉式顯示單元的陣列，所有可用來產(chǎn)生反射色光的光干涉式顯示單元位于同一平面上，入射光不需穿透多層的光干涉式顯示單元以反射出不同的色光，因此具有高分辨率及高亮度，而且，現(xiàn)有復(fù)層式彩色平面顯示器為使入射光有效穿過位于前位置的光干涉式顯示單元到達后位置的光干涉式顯示單元及后位置光干涉式顯示單元中光干涉的結(jié)果(綠光波長或藍光波長的反射光)能有效的穿透前位置光干涉式顯示單元，三類型光干涉式顯示單元的第一電極及第二電極所使用的材質(zhì)組成及厚度均需不相同，制造工序看似單純，但實際上仍是相當?shù)膹?fù)雜。相比之下，本發(fā)明所揭露的光干涉式顯示單元的陣列的制造工序的復(fù)雜度并不高于現(xiàn)有的制造工序。
雖然本發(fā)明以一較佳實施例揭露如上，但是并非用以限定本發(fā)明，任何本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，所做出的等效結(jié)構(gòu)變換，均包含在本發(fā)明的專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種光干涉式顯示單元的制造方法，適用于一基材上，該方法至少包含形成一第一電極于該基材之上；形成一犧牲層于該第一電極上；形成至少二開口于犧牲層及該第一電極之內(nèi)并定義出該光干涉式顯示單元的位置；形成一支柱于每一該開口內(nèi)并同時在該支柱上形成至少一支撐臂，其中該支柱及該支撐臂形成一支撐物；形成一第二電極于該犧牲層及該支撐臂之上；一熱制程處理該支撐物；以及移除該犧牲層。
2.如權(quán)利要求1所述的光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，形成該支撐物的方法還包括形成一感光材質(zhì)層填滿該些開口并覆蓋該犧牲層；以及圖案化該感光材質(zhì)層以在每一該些開口內(nèi)形成支柱及在該支柱上形成至少一支撐臂，其中該支柱及該支撐臂形成一支撐物。
3.如權(quán)利要求2所述的光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，該感光材質(zhì)層為一光阻。
4.如權(quán)利要求1所述的光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，圖案化該感光材質(zhì)層的方法包括一微影制程。
5.如權(quán)利要求1所述的光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，形成該支撐物的方法還包括形成一非感光材質(zhì)層填滿所述開口并覆蓋該犧牲層；以及以一微影蝕刻制程圖案化該非感光材質(zhì)層以在每一所述開口內(nèi)形成支柱及在該支柱上形成至少一支撐臂，其中該支柱及該支撐臂形成一支撐物。
6.如權(quán)利要求1所述的光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，該熱制程可以為一硬烤。
7.如權(quán)利要求1所述的光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，該熱制程使該支撐臂因應(yīng)力而產(chǎn)生位移。
8.如權(quán)利要求1所述的光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，該第一電極至少包含一基材；一吸收層；以及一介電層。
9.如權(quán)利要求8所述的光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，該基材為透明導(dǎo)電材質(zhì)。
10.如權(quán)利要求8所述的光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，形成該介電層的材質(zhì)可以為氧化硅、氮化硅或金屬氧化物。
11.如權(quán)利要求8所述的光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，該吸收層可以為金屬。
12.如權(quán)利要求8所述的光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，該基材為銦錫氧化玻璃或銦鋅氧化玻璃。
13.如權(quán)利要求1所述的光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，該該第一電極與該第二電極選自于窄波帶鏡面、寬波帶鏡面、非金屬鏡及金屬鏡或其組合所組成的集合。
14.如權(quán)利要求1所述的光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，該第二電極為可以產(chǎn)生上下型變的電極。
15.如權(quán)利要求1所述的光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，該第二電極為可以移動的電極。
16.如權(quán)利要求1所述的光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，該第二電極至少包含一不透明導(dǎo)電材質(zhì)或一半透明導(dǎo)電材質(zhì)。
17.如權(quán)利要求16所述的光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，該半透明導(dǎo)電材質(zhì)可以為銦錫氧化玻璃或銦鋅氧化玻璃。
全文摘要
一種光干涉式顯示面板的結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述制造方法是依序形成第一電極與犧牲層在基材之上，再在電極與犧牲層中形成開口。接著，在犧牲層上旋涂一光阻層并填滿開口。以一微影制造工序圖案化光阻層而定義出支撐物及支撐物的支撐臂的長短。在犧牲層及支撐物上方形成第二電極，一熱制造工序使支撐臂因應(yīng)力而產(chǎn)生位移，以改變第一電極與第二電極間的距離。最后，移除犧牲層而得到光干涉式顯示單元。
文檔編號G02B26/00GK1549039SQ0312378
公開日2004年11月24日 申請日期2003年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月20日
發(fā)明者林文堅, 蔡熊光 申請人:元太科技工業(yè)股份有限公司