專利名稱:在具有多個(gè)單元的陣列基板上的陣列測(cè)試系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及用在液晶顯示裝置中的陣列基板,更具體地,涉及具有多個(gè)單元的陣列基板以及嵌入其上的陣列測(cè)試系統(tǒng)。
背景技術(shù):
液晶顯示裝置利用液晶分子的光學(xué)各向異性和極化特性來(lái)產(chǎn)生圖像。由于液晶分子具有細(xì)長(zhǎng)形狀而具有確定的排列取向。排列取向可由施加的電場(chǎng)控制。因此,通過(guò)改變所施加的電場(chǎng)可以改變液晶分子的排列。由于液晶分子的光學(xué)各向異性,入射光的折射依賴于排列的液晶分子的取向。因此,通過(guò)控制施加到液晶分子上的電場(chǎng),液晶顯示裝置可以產(chǎn)生圖像。
液晶顯示(LCD)裝置由于其輕薄的設(shè)計(jì)和低功耗的特性而廣泛地用于辦公自動(dòng)化(OA)和視頻設(shè)備中。在不同類型的LCD裝置中,具有以矩陣形式布置的薄膜晶體管和像素電極的有源矩陣LCD(AM-LCD)提供了高分辨率和顯示運(yùn)動(dòng)圖像的優(yōu)越性。典型的LCD板具有上基板、下基板和置于兩者之間的液晶材料。通常稱作濾色器基板的上基板包括公共電極和濾色器。通常稱作陣列基板的下基板包括開(kāi)關(guān)元件(例如薄膜晶體管(TFT))和像素電極。
如上所述,LCD裝置的工作的基本原理是,液晶分子的排列方向由施加在公共電極和像素電極之間的電場(chǎng)決定。因此,液晶分子作為一個(gè)具有根據(jù)所加電場(chǎng)的極性而變化的光學(xué)特性的光學(xué)調(diào)制元件。
當(dāng)制造液晶板時(shí),預(yù)先制造第一基板(即,下基板或陣列基板)和第二基板(即,上基板或?yàn)V色器基板),然后把二者相互對(duì)準(zhǔn)并粘結(jié)在一起。隨后,把液晶材料置于第一和第二基板之間。然后,粘合的基板被分為多個(gè)液晶單元。
第一基板的制造工藝包括許多用來(lái)形成絕緣層、半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層的薄膜淀積工藝,以及許多用來(lái)形成需要的層圖形的蝕刻和/或構(gòu)圖工藝,從而形成多個(gè)薄膜晶體管、像素和其它層元件。在制造第一基板時(shí),每個(gè)都包括多個(gè)薄膜晶體管和陣列元件的多個(gè)陣列單元形成在一個(gè)大基板上,以減少制造工藝步驟。以這種方式,每個(gè)對(duì)應(yīng)于每個(gè)陣列單元的多個(gè)濾色器單元形成在一個(gè)用作液晶顯示板的第二基板的大基板上。分別具有多個(gè)陣列單元和濾色器單元的這兩個(gè)大基板被彼此粘結(jié),之間插入液晶層,從而形成液晶顯示板。隨后,把粘結(jié)的液晶板切割并劃分為多個(gè)液晶單元。
在粘結(jié)兩個(gè)大基板之前,第一大基板(陣列基板)由一個(gè)陣列測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試,以分析該大陣列基板是否存在任何缺陷。第一大基板通常稱作陣列測(cè)試基板,是因?yàn)樵摶逵性S多具有多個(gè)測(cè)試焊盤和測(cè)試線的用于陣列測(cè)試的陣列單元。
圖1是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的具有多個(gè)陣列單元的陣列測(cè)試基板的平面圖。圖2是圖1的陣列單元及其相鄰的陣列單元的放大的平面圖。
如上所述,用于陣列測(cè)試的陣列基板包括多個(gè)陣列單元10。每個(gè)陣列單元10具有劃分的顯示區(qū)20、非顯示區(qū)30和焊盤區(qū)40。顯示區(qū)20包括多個(gè)每個(gè)具有薄膜晶體管T的像素P,以顯示圖像。非顯示區(qū)30布置在顯示區(qū)20的周圍。緊鄰非顯示區(qū)30的下側(cè)和左側(cè)布置焊盤區(qū)40。
如圖2所示,在顯示區(qū)20中,多個(gè)選通線(gate line)22和多個(gè)數(shù)據(jù)線26分別按列和行方向布置在基板上。選通線22與數(shù)據(jù)線26垂直交叉,從而以矩陣的形式限定像素P。對(duì)應(yīng)于每個(gè)像素P布置像素電極59,薄膜晶體管T布置在靠近選通線和數(shù)據(jù)線22和26的交叉點(diǎn)的像素P的角上。每個(gè)薄膜晶體管T包括從選通線22伸出的柵電極(未示出)、從數(shù)據(jù)線26伸出的源電極(未示出)以及連接像素電極59的漏電極(未示出)。
非顯示區(qū)30是放置密封圖形以將濾色器基板粘結(jié)到陣列基板的區(qū)域。因?yàn)榉秋@示區(qū)30不包括任何像素P,所以當(dāng)陣列單元10用在液晶顯示板中時(shí)非顯示區(qū)30將不能顯示圖像。
多個(gè)選通焊盤24和多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤28設(shè)置在焊盤區(qū)40中。多個(gè)選通焊盤24分別與多個(gè)選通線22相連,并設(shè)置在焊盤區(qū)40的下部。以同樣的方式,多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤28分別與多個(gè)數(shù)據(jù)線26相連,并設(shè)置在焊盤區(qū)40的左側(cè)。由此,焊盤區(qū)40分為放置選通焊盤24的選通焊盤區(qū)42和放置數(shù)據(jù)焊盤28的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)44。選通焊盤24和數(shù)據(jù)焊盤28作為將選通線22和數(shù)據(jù)線26電連接到外部驅(qū)動(dòng)電路的連接端。
仍然參考圖1和2,陣列基板包括多個(gè)陣列單元10和分別對(duì)應(yīng)于每個(gè)陣列單元10的多個(gè)測(cè)試焊盤50。陣列基板還包括分別把測(cè)試焊盤50連接到相應(yīng)陣列單元10的測(cè)試線60。測(cè)試焊盤50作為在陣列測(cè)試期間從陣列測(cè)試裝置接收信號(hào)的輸入端。
在圖1中,測(cè)試焊盤50通常設(shè)置在大陣列基板周圍的上部外圍和下部外圍。測(cè)試線60將測(cè)試焊盤50連接到相應(yīng)陣列單元10的選通焊盤24和數(shù)據(jù)焊盤28上,從而測(cè)試線60在測(cè)試焊盤50和陣列單元10之間具有一對(duì)一的連接。每個(gè)測(cè)試焊盤50包括至少一個(gè)與陣列單元10的選通焊盤24相連的選通測(cè)試焊盤52,以及至少一個(gè)與數(shù)據(jù)焊盤28相連的數(shù)據(jù)測(cè)試焊盤54。以這種方式,測(cè)試線60被分為將多個(gè)選通焊盤24連接到選通測(cè)試焊盤52的選通測(cè)試線62和將多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤28連接到數(shù)據(jù)測(cè)試焊盤54的數(shù)據(jù)測(cè)試線64。這些測(cè)試焊盤50和測(cè)試線60可以在同一個(gè)工藝步驟中與選通線22和/或數(shù)據(jù)線26一起形成。
陣列測(cè)試裝置通過(guò)將第一和第二電壓分別施加到選通測(cè)試焊盤52和數(shù)據(jù)測(cè)試焊盤54來(lái)檢查上述陣列基板。由此,當(dāng)像素電極59在像素P中產(chǎn)生電場(chǎng)并且電場(chǎng)被轉(zhuǎn)換為光信號(hào)時(shí),陣列測(cè)試裝置感測(cè)并分析光信號(hào),并確定每個(gè)像素P是否有缺陷以及選通線22和數(shù)據(jù)線26是否開(kāi)路或斷開(kāi)。在用陣列測(cè)試裝置測(cè)試陣列基板時(shí),通過(guò)選通測(cè)試焊盤52施加到選通線22的第一電壓成為使薄膜晶體管T導(dǎo)通或關(guān)斷的ON/OFF電壓。通過(guò)數(shù)據(jù)測(cè)試焊盤54施加到數(shù)據(jù)線26的第二電壓成為決定液晶分子旋轉(zhuǎn)度的標(biāo)準(zhǔn)電壓。
同時(shí),在陣列測(cè)試之后,沿圖2所示的切割線S-S’將陣列基板切割并分為陣列單元10。這時(shí),通過(guò)沿著圖2的線S-S’的切割還將測(cè)試焊盤50和測(cè)試線60去掉。實(shí)際上,測(cè)試焊盤50和測(cè)試線60只用于陣列測(cè)試,沒(méi)有其它作用。因此,必須去掉這些測(cè)試焊盤50和測(cè)試線60。即,當(dāng)劃線工藝(scribing process)將大陣列基板切割為用來(lái)制造液晶顯示板的各陣列單元10時(shí),從陣列單元10切掉了測(cè)試焊盤50和測(cè)試線60。
為了劃線和切割陣列基板并劃分為多個(gè)陣列單元10,多個(gè)陣列單元10彼此間隔開(kāi),并將相應(yīng)的測(cè)試線60放在兩個(gè)陣列單元10之間的空間。即,陣列單元10按上下和左右方向設(shè)置在大陣列基板上,測(cè)試線60設(shè)置在排成行的陣列單元10之間的空間L1中??臻gL1可以稱作用于放置測(cè)試線60的測(cè)試線區(qū)。此外,如圖2所示,選通焊盤區(qū)42通常設(shè)置在每個(gè)陣列單元10的下部,數(shù)據(jù)焊盤區(qū)44設(shè)置在每個(gè)陣列單元10的左側(cè)。
圖2示出了形成單個(gè)陣列單元10的劃線工藝。這里,第一切割線S1-S1’對(duì)應(yīng)于焊盤區(qū)40的左外側(cè)線,第二切割線S2-S2’對(duì)應(yīng)于非顯示區(qū)30的右外側(cè)線,第三切割線S3-S3’對(duì)應(yīng)于非顯示區(qū)30的上外側(cè)線,第四切割線S4-S4’對(duì)應(yīng)于焊盤區(qū)40的下外側(cè)線。由此,因?yàn)檠鼐€S-S’切割陣列基板,所以從陣列單元10中去掉了測(cè)試焊盤50和測(cè)試線60。
但是,與圖2的陣列基板類似的設(shè)計(jì)具有一些缺點(diǎn)。由于空間L1在水平布置的陣列單元10之間,并且在這些空間L1中放置僅用于陣列測(cè)試的測(cè)試線60,所以各個(gè)陣列單元10由空間L1間隔開(kāi)。即,沒(méi)有有效地組織在陣列基板上的陣列單元10。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明涉及用于LCD裝置的陣列基本,其能夠基本消除由于相關(guān)技術(shù)的限制或缺點(diǎn)所帶來(lái)的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供使空間利用率最大的陣列基板。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供具有改進(jìn)空間效率的陣列基板。
本發(fā)明的其它特性和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的介紹中闡述,并且一部分將通過(guò)介紹而變得顯而易見(jiàn),或通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而體會(huì)到。本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)在所寫的說(shuō)明書和權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和得到。
如所實(shí)施和廣義描述的,為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的,一種用于液晶顯示裝置的具有陣列測(cè)試系統(tǒng)的基板包括多個(gè)陣列單元,每個(gè)陣列單元包括顯示區(qū)、圍繞顯示區(qū)的非顯示區(qū)以及鄰近非顯示區(qū)的第一側(cè)和第二側(cè)設(shè)置的焊盤區(qū);多個(gè)測(cè)試焊盤,設(shè)置在多個(gè)陣列單元的外側(cè);以及多個(gè)測(cè)試線,分別把相應(yīng)的一個(gè)陣列單元與相應(yīng)的一個(gè)測(cè)試焊盤連接,每個(gè)測(cè)試線部分地穿過(guò)與對(duì)應(yīng)的一個(gè)陣列單元相鄰的陣列單元的非顯示區(qū)。
在另一方面,一種液晶顯示裝置的制造方法包括以下步驟在陣列基板上形成多個(gè)陣列單元,每個(gè)陣列單元包括顯示區(qū),圍繞顯示區(qū)的非顯示區(qū)以及鄰近非顯示區(qū)的第一側(cè)和第二側(cè)設(shè)置的焊盤區(qū);在陣列基板上形成多個(gè)測(cè)試焊盤,每個(gè)測(cè)試焊盤設(shè)置在多個(gè)陣列單元的外側(cè);在陣列基板上形成多個(gè)測(cè)試線,每個(gè)測(cè)試線分別將相應(yīng)的一個(gè)陣列單元與相應(yīng)的一個(gè)測(cè)試焊盤連接,每個(gè)測(cè)試線部分地穿過(guò)與對(duì)應(yīng)的一個(gè)陣列單元相鄰的陣列單元的非顯示區(qū);用測(cè)試焊盤和測(cè)試線測(cè)試陣列基板;以及將陣列基板分為單個(gè)的陣列單元。
應(yīng)當(dāng)理解,上述概括介紹以及隨后的詳細(xì)介紹都是示例性的和說(shuō)明性的,是為了為本發(fā)明提供更進(jìn)一步的說(shuō)明。
為了對(duì)本發(fā)明有更進(jìn)一步的理解而包括的并引入以構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例,并與說(shuō)明書一起說(shuō)明本發(fā)明的原理。在附圖中圖1示出了根據(jù)相關(guān)技術(shù)的具有多個(gè)陣列單元的陣列測(cè)試基板的平面圖;圖2是圖1的陣列單元及其相鄰的陣列單元的放大的平面圖;圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的具有多個(gè)陣列單元的陣列測(cè)試基板的平面圖;以及圖4是圖3的陣列單元及其相鄰的陣列單元的放大的平面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在詳細(xì)介紹本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,在附圖中示出了其例子。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的具有多個(gè)陣列單元的陣列測(cè)試基板的平面圖,圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的第一陣列單元以及與其相鄰的第二和第三陣列單元的放大的平面圖。在圖4中,每個(gè)項(xiàng)目或部分的參考符號(hào)中的字母表示其所關(guān)聯(lián)的陣列單元。例如,圖4示出了第一陣列單元A100,第二陣列單元B100和第三陣列單元C100。如果可能,在所有的附圖中用相同的參考數(shù)字表示相同的或類似的部分。
如圖3和4所示,根據(jù)本發(fā)明的用于LCD中的基板包括多個(gè)陣列單元100、分別對(duì)應(yīng)于各陣列單元100的多個(gè)測(cè)試焊盤150、將陣列單元100和相應(yīng)的測(cè)試焊盤150一對(duì)一連接的多個(gè)測(cè)試線160。在下面的說(shuō)明中,可以使用一個(gè)IPT-MPS(In Process Test Multi Pattern Search)測(cè)試系統(tǒng)。但是,根據(jù)本發(fā)明當(dāng)然也可以使用其它陣列測(cè)試系統(tǒng)。每個(gè)陣列單元100包括在中央部分的顯示區(qū)120、圍繞顯示區(qū)120的非顯示區(qū)130以及緊鄰非顯示區(qū)130的下部和左側(cè)設(shè)置的焊盤區(qū)140。
顯示區(qū)120包括分別按列和行方向的多個(gè)選通線122和多個(gè)數(shù)據(jù)線126。選通線122與數(shù)據(jù)線126垂直交叉,從而以矩陣的形式限定多個(gè)像素P。每個(gè)像素P具有薄膜晶體管T和相應(yīng)的像素電極159。薄膜晶體管T布置在靠近選通線和數(shù)據(jù)線122和126的交叉點(diǎn)的像素P的角上。每個(gè)薄膜晶體管T包括從選通線122伸出的柵電極(未示出)、從數(shù)據(jù)線126伸出的源電極(未示出)以及連接像素電極159的漏電極(未示出)。薄膜晶體管T由通過(guò)選通線122施加的第一電壓導(dǎo)通和關(guān)斷,并作為從數(shù)據(jù)線126向像素電極159傳送第二電壓的開(kāi)關(guān)元件。
非顯示區(qū)130是設(shè)置密封圖形以將濾色器基板粘結(jié)到陣列基板的區(qū)域。因?yàn)榉秋@示區(qū)130不包括任何像素P,所以當(dāng)陣列單元100用在液晶顯示板中時(shí)非顯示區(qū)130將不能顯示圖像。
如上所述,焊盤區(qū)140緊鄰非顯示區(qū)130的下部和左側(cè),多個(gè)選通焊盤124和多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤128設(shè)置在焊盤區(qū)40中。多個(gè)選通焊盤124分別與多個(gè)選通線122相連,并設(shè)置在焊盤區(qū)140的下部。以同樣的方式,多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤128分別與多個(gè)數(shù)據(jù)線126相連,并設(shè)置在焊盤區(qū)140的左部。由此,焊盤區(qū)140分為設(shè)置選通焊盤124的選通焊盤區(qū)142和設(shè)置數(shù)據(jù)焊盤128的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)144。選通焊盤124和數(shù)據(jù)焊盤128作為將選通線122和數(shù)據(jù)線126電連接到外部驅(qū)動(dòng)電路的連接端。第一電壓被加到選通焊盤124,然后傳遞到選通線122。此外,第二電壓被加到數(shù)據(jù)焊盤128,然后傳遞到數(shù)據(jù)線126。
仍然參考圖3和4,根據(jù)本發(fā)明的基板包括多個(gè)陣列單元100、多個(gè)測(cè)試焊盤150和多個(gè)測(cè)試線160。每個(gè)測(cè)試焊盤150對(duì)應(yīng)于每個(gè)陣列單元100,每個(gè)測(cè)試線160將每個(gè)測(cè)試焊盤150連接到相應(yīng)的陣列單元100。測(cè)試焊盤150作為在陣列測(cè)試期間從陣列測(cè)試裝置接收信號(hào)的輸入端。如圖3所示,測(cè)試焊盤150通常設(shè)置在基板外圍的上部和下部。
在圖4中,每個(gè)測(cè)試焊盤150包括至少一個(gè)與陣列單元100的選通焊盤124相連的選通測(cè)試焊盤152,以及至少一個(gè)與數(shù)據(jù)焊盤128相連的數(shù)據(jù)測(cè)試焊盤154。測(cè)試線160將測(cè)試焊盤150連接到陣列單元100的選通焊盤124和數(shù)據(jù)焊盤128上,從而測(cè)試線160在測(cè)試焊盤150和相應(yīng)陣列單元100之間具有一對(duì)一的連接。測(cè)試線160分為將多個(gè)選通焊盤124連接到選通測(cè)試焊盤152的選通測(cè)試線162和將多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤128連接到數(shù)據(jù)測(cè)試焊盤154的數(shù)據(jù)測(cè)試線164。這些測(cè)試焊盤150和測(cè)試線160可以在同一個(gè)工藝步驟中與選通線122和/或數(shù)據(jù)線126一起形成。
與圖1和2所示的相關(guān)技術(shù)相比,根據(jù)本發(fā)明水平相鄰的陣列單元100之間沒(méi)有間隔(圖2的L1)。第一陣列單元A100與相鄰的陣列單元B100和C100相連。因此,對(duì)應(yīng)于第一陣列單元A100的數(shù)據(jù)測(cè)試線A164設(shè)置在相鄰的第二陣列單元B100的非顯示區(qū)B130的右部。此外,如圖4所示,對(duì)應(yīng)于第三陣列單元C100的數(shù)據(jù)測(cè)試線C164設(shè)置在相鄰的第一陣列單元A100的非顯示區(qū)A130的右部。
陣列測(cè)試裝置通過(guò)將第一電壓加到選通測(cè)試焊盤152來(lái)檢查上述發(fā)明的基板。因而,第一電壓通過(guò)選通測(cè)試線162傳遞到選通焊盤124和選通線122。此外,陣列測(cè)試裝置將第二電壓加到數(shù)據(jù)測(cè)試焊盤154,以檢查上述發(fā)明的基板,由此,第二電壓通過(guò)數(shù)據(jù)測(cè)試線164傳遞到數(shù)據(jù)焊盤128和數(shù)據(jù)線126。當(dāng)薄膜晶體管T由所加的第一電壓導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí),所加的第二電壓被加到像素P的像素電極159上。這時(shí),當(dāng)像素電極159在像素P中產(chǎn)生電場(chǎng)并且電場(chǎng)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)時(shí),陣列測(cè)試裝置感測(cè)并分析光信號(hào),并確定每個(gè)像素P是否有缺陷以及選通線122和數(shù)據(jù)線126是否開(kāi)路或斷開(kāi)。
同時(shí),本發(fā)明的基板具有與圖1和2中所示的相關(guān)技術(shù)相似的基本元件,但是與本發(fā)明的區(qū)別至少在于測(cè)試線160和陣列單元100的位置與相關(guān)技術(shù)不同。根據(jù)本發(fā)明的陣列基板,把陣列單元100和相應(yīng)的測(cè)試焊盤150連接的測(cè)試線160設(shè)置在相鄰陣列單元的非顯示區(qū)130中。這是通過(guò)最小化在陣列單元100之間的測(cè)試線160所占用的空間來(lái)增加空間利用率。因此,陣列單元100可以互相緊密地排列。即,測(cè)試線160通過(guò)相鄰陣列單元100的非顯示區(qū)130并把相應(yīng)的陣列單元100和相應(yīng)的測(cè)試焊盤150連接。
下面將參考圖4提供關(guān)于本發(fā)明的陣列基板的更詳細(xì)的說(shuō)明。
如圖4所示,第一陣列單元A100設(shè)置在中間,第二和第三陣列單元B100和C100分別設(shè)置在第一陣列單元A100的左右兩側(cè)。如上所述,加在數(shù)字中的字母A表示第一陣列單元A100的基本元件,字母B表示第二陣列單元B100的基本元件,字母C表示第三陣列單元C100的基本元件。
在圖4中,第一陣列單元A100的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)A144與第二陣列單元B100的非顯示區(qū)B130的右部毗連,第一陣列單元A100的非顯示區(qū)A130的右部與第三陣列單元C100的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)C144毗連。對(duì)應(yīng)于第一陣列單元A100的測(cè)試焊盤A150與在第一陣列單元A100的下部外側(cè)的選通焊盤區(qū)A142間隔開(kāi)。
在第一陣列單元A100中,選通測(cè)試線162容易地和直接地將選通焊盤A124連接到選通測(cè)試焊盤A152。在另一側(cè),將數(shù)據(jù)焊盤A128連接到數(shù)據(jù)測(cè)試焊盤A154的數(shù)據(jù)測(cè)試線A164繞過(guò)第一陣列單元A100的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)A144,并穿過(guò)第二陣列單元B100的非顯示區(qū)B130的右部。即,對(duì)應(yīng)于第一陣列單元A100的數(shù)據(jù)測(cè)試線A164通過(guò)采取穿過(guò)相鄰的陣列單元B100的非顯示區(qū)B130的迂回路徑將數(shù)據(jù)焊盤A128連接到數(shù)據(jù)測(cè)試焊盤A154。此外,對(duì)于第三陣列單元C100以及其它陣列單元,也可以采用上述方式。對(duì)應(yīng)于第三陣列單元C100的數(shù)據(jù)測(cè)試線C164穿過(guò)第一陣列單元A100的非顯示區(qū)A130的右部,并將第三陣列單元C100的數(shù)據(jù)焊盤C128連接到對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)測(cè)試焊盤(未示出)。
因此,當(dāng)測(cè)試線164將陣列單元100連接到相應(yīng)的測(cè)試焊盤150時(shí),使用相鄰的非顯示區(qū)130的一部分,由此本發(fā)明的陣列基板不需要用于測(cè)試線164的額外的單獨(dú)的空間,這與相關(guān)技術(shù)不同。
對(duì)于這一點(diǎn),雖然測(cè)試線164穿過(guò)非顯示區(qū)130,但是采用該陣列單元100的成品液晶顯示板可以正常地工作。即,把陣列基板沿切割線S-S’切割以分為單個(gè)的陣列單元100,從而測(cè)試線160在電氣上被切斷。此外,在切割工藝中,測(cè)試焊盤156也被從陣列單元100上切掉。
在圖4中,第一切割線S1-S1’對(duì)應(yīng)于非顯示區(qū)130與相鄰陣列單元100的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)144之間的邊界。第二切割線S2-S2’對(duì)應(yīng)于非顯示區(qū)130的上外側(cè)線,第三切割線S3-S3’對(duì)應(yīng)于選通焊盤區(qū)142的下外側(cè)線。當(dāng)沿切割線S-S’將陣列基板分為多個(gè)陣列單元100時(shí),每個(gè)單個(gè)的陣列單元100包括相鄰的陣列單元的測(cè)試線。但是,因?yàn)橄噜彽年嚵袉卧臏y(cè)試線在電氣上與其它的元件斷開(kāi),所以采用該陣列單元的液晶顯示板具有正確的操作,沒(méi)有受到斷開(kāi)的測(cè)試線的影響。例如,雖然第一陣列單元A100具有例如第三陣列單元C100的測(cè)試線C164,但是具有第一陣列單元A100的液晶顯示板工作正常。
同時(shí),雖然以數(shù)據(jù)焊盤區(qū)144位于陣列單元100的左部而選通焊盤區(qū)142位于陣列單元100的下部說(shuō)明了本發(fā)明,但是選通焊盤區(qū)142和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)144的位置可以交換。
根據(jù)本發(fā)明上面提到的,因?yàn)榇┻^(guò)相鄰陣列單元的非顯示區(qū)的測(cè)試線將相應(yīng)的陣列單元連接到相應(yīng)的測(cè)試焊盤,所以在陣列單元之間不需要額外的空間。因此,可以有效的提高陣列基板的空間利用率。
應(yīng)當(dāng)理解,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明的陣列基板作出各種改進(jìn)和變型而不脫離本發(fā)明的精神或范圍。因此,本發(fā)明應(yīng)該覆蓋落入本發(fā)明附帶的權(quán)利要求書及其等價(jià)物的范圍內(nèi)的改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1.一種用于液晶顯示裝置的具有陣列測(cè)試系統(tǒng)的基板,包括多個(gè)陣列單元,每個(gè)陣列單元包括顯示區(qū)、圍繞顯示區(qū)的非顯示區(qū)以及鄰近非顯示區(qū)的第一側(cè)和第二側(cè)設(shè)置的焊盤區(qū);多個(gè)測(cè)試焊盤,設(shè)置在多個(gè)陣列單元的外側(cè);以及多個(gè)測(cè)試線,分別把相應(yīng)的一個(gè)陣列單元與相應(yīng)的一個(gè)測(cè)試焊盤連接,每個(gè)測(cè)試線部分地穿過(guò)與對(duì)應(yīng)的一個(gè)陣列單元相鄰的陣列單元的非顯示區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的基板,還包括在顯示區(qū)中分別按列和行方向排列的多個(gè)選通線和多個(gè)數(shù)據(jù)線;在顯示區(qū)中設(shè)置的多個(gè)像素,這些像素由交叉的多個(gè)選通線和多個(gè)數(shù)據(jù)線限定;設(shè)置在選通焊盤區(qū)中的多個(gè)選通焊盤,每個(gè)選通焊盤分別連接多個(gè)選通線中相應(yīng)的一個(gè)選通線;以及設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)中的多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤,每個(gè)數(shù)據(jù)焊盤分別連接多個(gè)數(shù)據(jù)線中相應(yīng)的一個(gè)數(shù)據(jù)線,其中每個(gè)焊盤區(qū)包括設(shè)置在相應(yīng)的非顯示區(qū)的第一側(cè)的相應(yīng)的選通焊盤區(qū)和設(shè)置在相應(yīng)的非顯示區(qū)的第二側(cè)的相應(yīng)的數(shù)據(jù)焊盤區(qū),其中每個(gè)測(cè)試焊盤包括至少一個(gè)選通測(cè)試焊盤和至少一個(gè)數(shù)據(jù)測(cè)試焊盤,以及其中每個(gè)測(cè)試線包括至少一個(gè)將多個(gè)選通焊盤連接到選通測(cè)試焊盤的選通測(cè)試線和至少一個(gè)將多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤連接到數(shù)據(jù)測(cè)試焊盤的數(shù)據(jù)測(cè)試線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的基板,其中每個(gè)陣列單元的選通測(cè)試線穿過(guò)相鄰陣列單元的非顯示區(qū)的一部分,以將多個(gè)選通焊盤連接到相應(yīng)陣列單元的選通測(cè)試焊盤。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的基板,其中數(shù)據(jù)測(cè)試線穿過(guò)相鄰陣列單元的非顯示區(qū)的一部分,以將多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤連接到相應(yīng)陣列單元的數(shù)據(jù)測(cè)試焊盤。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的基板,其中多個(gè)陣列單元在行方向上彼此相鄰,并且多個(gè)測(cè)試焊盤被設(shè)置在基板外圍的上部和下部中的至少一個(gè)中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的基板,其中每個(gè)陣列單元的焊盤區(qū)包括與相鄰的一個(gè)陣列單元的非顯示區(qū)相鄰的區(qū)。
7.一種液晶顯示裝置的制造方法,包括以下步驟在陣列基板上形成多個(gè)陣列單元,每個(gè)陣列單元包括顯示區(qū),圍繞顯示區(qū)的非顯示區(qū)以及鄰近非顯示區(qū)的第一側(cè)和第二側(cè)設(shè)置的焊盤區(qū);在陣列基板上形成多個(gè)測(cè)試焊盤,每個(gè)測(cè)試焊盤設(shè)置在多個(gè)陣列單元的外側(cè);在陣列基板上形成多個(gè)測(cè)試線,每個(gè)測(cè)試線分別將相應(yīng)的一個(gè)陣列單元與相應(yīng)的一個(gè)測(cè)試焊盤相連接,每個(gè)測(cè)試線部分地穿過(guò)與相應(yīng)的一個(gè)陣列單元相鄰的陣列單元的非顯示區(qū);用測(cè)試焊盤和測(cè)試線測(cè)試陣列基板;將陣列基板分割為單個(gè)的陣列單元。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法,其中分割步驟包括沿去掉測(cè)試焊盤和斷開(kāi)測(cè)試線的第一、第二和第三切割線分割多個(gè)陣列單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法,其中第一、第二和第三切割線中的一個(gè)切割線將多個(gè)陣列單元中的一對(duì)相鄰陣列單元的非顯示區(qū)與焊盤區(qū)分開(kāi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法,其中相對(duì)于多個(gè)陣列單元中的該對(duì)相鄰陣列單元,第一、第二和第三切割線中的另外兩個(gè)切割線對(duì)應(yīng)于非顯示區(qū)的上下外側(cè)線。
11.根據(jù)權(quán)利要求7的方法,其中每個(gè)焊盤區(qū)包括設(shè)置在相應(yīng)的非顯示區(qū)的第一側(cè)的相應(yīng)的選通焊盤區(qū)和設(shè)置在相應(yīng)的非顯示區(qū)的第二側(cè)的相應(yīng)的數(shù)據(jù)焊盤區(qū),其中每個(gè)測(cè)試焊盤包括至少一個(gè)選通測(cè)試焊盤和至少一個(gè)數(shù)據(jù)測(cè)試焊盤,以及其中每個(gè)測(cè)試線包括至少一個(gè)將多個(gè)選通焊盤連接到選通測(cè)試焊盤的選通測(cè)試線和至少一個(gè)將多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤連接到數(shù)據(jù)測(cè)試焊盤的數(shù)據(jù)測(cè)試線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法,其中每個(gè)陣列單元的選通測(cè)試線穿過(guò)相鄰陣列單元的非顯示區(qū)的一部分,以將多個(gè)選通焊盤連接到相應(yīng)陣列單元的選通測(cè)試焊盤。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的方法,其中數(shù)據(jù)測(cè)試線穿過(guò)相鄰陣列單元的非顯示區(qū)的一部分,以將多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤連接到相應(yīng)陣列單元的數(shù)據(jù)測(cè)試焊盤。
14.根據(jù)權(quán)利要求7的方法,其中多個(gè)陣列單元在行方向上彼此相鄰,并且多個(gè)測(cè)試焊盤設(shè)置在基板外圍的上部和下部中的至少一個(gè)中。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法,其中每個(gè)陣列單元的焊盤區(qū)包括與相鄰的一個(gè)陣列單元的非顯示區(qū)相鄰的區(qū)。
16.根據(jù)權(quán)利要求7的方法,還包括以下步驟在顯示區(qū)中分別按列和行方向形成多個(gè)選通線和多個(gè)數(shù)據(jù)線;在顯示區(qū)中形成多個(gè)像素,這些像素由交叉的多個(gè)選通線和多個(gè)數(shù)據(jù)線限定;在選通焊盤區(qū)中形成多個(gè)選通焊盤,每個(gè)選通焊盤分別連接多個(gè)選通線中相應(yīng)的一個(gè)選通線;以及在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)中形成多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤,每個(gè)數(shù)據(jù)焊盤分別連接多個(gè)數(shù)據(jù)線中相應(yīng)的一個(gè)數(shù)據(jù)線。
17.根據(jù)權(quán)利要求7的方法,進(jìn)一步包括以下步驟在分割步驟之前,把中間設(shè)置有液晶材料的陣列基板與濾色器基板組裝在一起。
18.根據(jù)權(quán)利要求7的方法,其中測(cè)試步驟包括使用陣列測(cè)試器的步驟。
全文摘要
一種用于液晶顯示裝置的具有陣列測(cè)試系統(tǒng)的基板。該基板包括多個(gè)陣列單元,每個(gè)陣列單元包含顯示區(qū),圍繞顯示區(qū)的非顯示區(qū),以及鄰近非顯示區(qū)的第一側(cè)和第二側(cè)設(shè)置的焊盤區(qū)。該基板還包括設(shè)置在多個(gè)陣列單元外側(cè)的多個(gè)測(cè)試焊盤,以及分別把相應(yīng)的一個(gè)陣列單元與相應(yīng)的一個(gè)測(cè)試焊盤連接的多個(gè)測(cè)試線。這里,每個(gè)測(cè)試線部分地穿過(guò)與相應(yīng)的一個(gè)陣列單元相鄰的陣列單元的非顯示區(qū)。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK1514275SQ03123700
公開(kāi)日2004年7月21日 申請(qǐng)日期2003年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月31日
發(fā)明者李樹雄, 李昌勛 申請(qǐng)人:Lg.飛利浦Lcd有限公司