專利名稱：光致抗蝕劑組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適合包括例如248nm、193nm和157nm的亞-300nm和亞-200nm的短波長(zhǎng)成像的新光致抗蝕劑組合物。本發(fā)明的光致抗蝕劑可以表現(xiàn)出與SiON和其它無(wú)機(jī)表面層有效的粘附性。優(yōu)選本發(fā)明的光致抗蝕劑包含具有光酸不穩(wěn)定基團(tuán)的樹(shù)脂，一種或多種感光酸生成劑化合物和一種增粘添加劑化合物。
背景技術(shù)：
光致抗蝕劑是用于將圖像傳遞到基底上的感光膜。一層光致抗蝕劑涂層在基底上形成，然后將該光致抗蝕劑層通過(guò)光掩模曝光于激活輻射源。光掩模具有對(duì)激活輻射不透明的區(qū)域和激活輻射可穿透的其它區(qū)。曝光于激活輻射賦予光致抗蝕劑層光誘導(dǎo)的化學(xué)轉(zhuǎn)換，由此將光掩模的圖像傳遞到涂布光致抗蝕劑的基底上。曝光后，光致抗蝕劑被顯影，從而提供一種允許有選擇地加工基底的立體圖像。
光致抗蝕劑既可以是正作用也可以是負(fù)作用。對(duì)于大多數(shù)負(fù)作用光致抗蝕劑，那些曝光于激活輻射的涂層部分在光活性化合物和光致抗蝕劑組合物的可聚合試劑之間的反應(yīng)中進(jìn)行聚合或交聯(lián)。因此，曝光的涂層部分比未曝光的部分在顯影液中表現(xiàn)出的可溶性較小。對(duì)于正作用光致抗蝕劑而言，曝光的部分在顯影液中更易溶，而未曝光區(qū)域仍保持相對(duì)較低的顯影劑可溶性。
雖然目前可用的光致抗蝕劑適合許多應(yīng)用，但是現(xiàn)有的抗蝕劑也表現(xiàn)出顯著的缺點(diǎn)，特別是在高性能的應(yīng)用中如高分辨的亞四分之一微米和亞十分之一微米特征的形成。
因此，增加了對(duì)光致抗蝕劑的興趣，它可以使用短波長(zhǎng)輻射、包括低于300nm例如248nm，或甚至200nm或更低例如193nm的曝光輻射進(jìn)行光成像。最近，F(xiàn)2激活物激光成像，也就是用具有大約157nm波長(zhǎng)的輻射成像已經(jīng)被認(rèn)為是制造甚至更小特征的方法。一般地，參見(jiàn)Kunz等人，SPIE會(huì)議記錄(Advances in Resist Technology)，3678卷，13-23頁(yè)(1999)。
氧氮化硅(SiON)層和其它無(wú)機(jī)物例如Si3N4涂層已用于半導(dǎo)體器件制造，例如蝕刻停止層和無(wú)機(jī)抗反射層。例如，參見(jiàn)美國(guó)專利6124217，6153504和6245682。
希望有一種新的光致抗蝕劑組合物，它能夠在如亞-300nm和亞-200nm的短波長(zhǎng)成像。特別希望有能夠在SiON和其它無(wú)機(jī)基底層上產(chǎn)生良好圖象分辨率的光致抗蝕劑。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種新穎的光致抗蝕劑組合物，它包括增粘組分，含有光酸不穩(wěn)定基團(tuán)的樹(shù)脂，和一種或多種感光酸生成劑化合物。本發(fā)明優(yōu)選的抗蝕劑用于短波長(zhǎng)成像，包括亞-300nm和亞-200nm波長(zhǎng)例如248nm，193nm和157nm。
適宜的增粘組分(這里一般指“增粘組分”或“增粘添加劑”)所具有的一個(gè)或多個(gè)部分，能夠提高包含該組分的光致抗蝕劑涂層與包括SiON層的下層基底的粘性。
我們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)有機(jī)抗反射材料在極短的成像波長(zhǎng)例如亞-170nm，特別是157nm下具有有限地應(yīng)用。在這種短波長(zhǎng)下，該抗反射涂層最好是非常薄(例如≤30nm涂層厚度)?，F(xiàn)有的有機(jī)抗反射組合物在這樣的涂層厚度上已不能產(chǎn)生足夠的吸光率。因此，無(wú)機(jī)抗反射材料例如SiON和Si3N4呈現(xiàn)出具有作為亞-170nm如157nm成像的抗反射內(nèi)涂層的更大潛力。
然而，我們還發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有光致抗蝕劑與這類(lèi)無(wú)機(jī)表面涂層的粘附性相當(dāng)差，導(dǎo)致降低了成形圖像的圖形分辨率。
我們現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的光致抗蝕劑能夠很好地粘附于包括SiON層的無(wú)機(jī)表面層。例如，參見(jiàn)下面實(shí)施例的對(duì)比數(shù)據(jù)。
術(shù)語(yǔ)增粘組分或添加劑這里指一種化合物，它與抗蝕劑聚合物混和而且在該抗蝕劑與SiON表面層之間的粘性上提供可辨別的增加。通過(guò)相對(duì)于對(duì)比抗蝕劑(用同樣方法加工的相同抗蝕劑，但該抗蝕劑不包含增粘組分)提高的圖象分辨率表示在粘性上可辨別的增加。通過(guò)目測(cè)含有待選增粘組分的抗蝕劑(試驗(yàn)抗蝕劑)和對(duì)比抗蝕劑的掃描電子顯微照片(SEMs)確定這種提高的圖像分辨率。例如，參見(jiàn)

圖1A，1B和1C的電子顯微照片之間和圖2A和2B的電子顯微照片之間可清晰辨別的區(qū)別。因此，用于任何給定抗蝕劑系統(tǒng)的適宜增粘組分可容易地根據(jù)經(jīng)驗(yàn)確定。這里詳細(xì)地公開(kāi)優(yōu)選的增粘組分或添加劑。
沒(méi)有任何理論的限制，認(rèn)為外涂布的光致抗蝕劑層在預(yù)曝光(軟烘干)和/或后曝光熱處理過(guò)程中，本發(fā)明的抗蝕劑中至少一些優(yōu)選的增粘添加劑可以與無(wú)機(jī)表面層的反應(yīng)基團(tuán)例如SiON和Si3N4涂層的-H-N，-Si-H，-Si-OH，和-COOH基團(tuán)相互作用，因此在無(wú)機(jī)涂層上產(chǎn)生薄的有機(jī)涂層或者至少是有機(jī)部位，而且?guī)?lái)與外涂布的有機(jī)抗蝕劑增加的粘性。
優(yōu)選用于本發(fā)明抗蝕劑的增粘組分包含一個(gè)或多個(gè)能夠與SiON和Si3N4基底涂層反應(yīng)或至少絡(luò)合的部分。這種絡(luò)合或反應(yīng)能夠發(fā)生在外涂于SiON和Si3N4層且包含增粘添加劑的光致抗蝕劑石印過(guò)程中，例如在預(yù)曝光和/或后曝光熱處理過(guò)程中、或在曝光過(guò)程中、或其它處理抗蝕劑的過(guò)程中以形成抗蝕劑立體圖像。
增粘組分特別優(yōu)選的部分包括環(huán)氧基團(tuán)和氮環(huán)基團(tuán)。適宜的氮環(huán)部分包括具有1至3個(gè)氮環(huán)原子和4至大約8個(gè)環(huán)原子總數(shù)的非芳香環(huán)基團(tuán)，例如任選取代的吡咯，任選的四唑，任選取代的三唑，任選取代的咪唑，和任選取代的苯并三唑。
一方面，優(yōu)選用于本發(fā)明抗蝕劑的增粘組分適宜地具有低分子量，例如分子量小于大約1500道爾頓，更優(yōu)選分子量小于大約1000道爾頓，而且適宜地，分子量小于大約700或500道爾頓。
在這些方面，增粘組分也可以是非聚合的，也就是不包含許多重復(fù)單元。
在本發(fā)明的其它方面，增粘添加劑可以是適度聚合的，例如包含許多具有環(huán)氧基團(tuán)及其類(lèi)似物的重復(fù)單元。在本發(fā)明的這些方面，適宜的增粘添加劑可以具有相對(duì)較高的分子量，例如分子量超過(guò)1000或1500道爾頓。然而這樣的聚合添加劑的平均分子量?jī)?yōu)選不超過(guò)大約3000、4000、5000或10000道爾頓。
優(yōu)選地，該增粘組分在光致抗蝕劑組合物中是穩(wěn)定的，而且不妨礙該抗蝕劑的石印過(guò)程。也就是，該添加劑組分優(yōu)選不會(huì)引起抗蝕劑過(guò)早地降解(也就是降低的貯存期限)或者需要改變石印加工條件。
典型的增粘添加劑是除現(xiàn)有抗蝕劑組分外的其它不同的抗蝕劑組分，例如光酸不穩(wěn)定或解封樹(shù)脂、感光酸生成劑、堿性添加劑、表面活性劑/勻平劑、增塑劑、和/或溶劑。因此，優(yōu)選用于抗蝕劑的增粘添加劑不包含光酸不穩(wěn)定部分，例如經(jīng)歷光致抗蝕劑曝光步驟形成的解封反應(yīng)的光酸不穩(wěn)定酯或縮醛基團(tuán)。
然而，增粘添加劑可以使抗蝕劑組合物具有其它功能，例如產(chǎn)生或增加固體組分的溶解力。然而，與其它的揮發(fā)性溶劑不同的是，增粘添加劑在任何預(yù)曝光熱處理后在抗蝕劑層中仍將保留有效量，例如，在任何預(yù)曝光熱處理后，優(yōu)選配制在液體抗蝕劑組合物中的至少大約10，20，30，40，或50摩爾％的增粘添加劑將保留在抗蝕劑組合物中。典型地，在任何熱處理后，僅僅少量的增粘添加劑需要保留在抗蝕劑涂層中以獲得有效結(jié)果，例如，在揮發(fā)性溶劑去除后，增粘添加劑可適當(dāng)?shù)匾钥刮g劑層總材料的大約0.05或0.1重量％至大約5重量％的量存在。
本發(fā)明光致抗蝕劑的解封樹(shù)脂組分適宜地包含一種或多種光酸不穩(wěn)定重復(fù)單元，例如光酸不穩(wěn)定酯或縮醛基團(tuán)，它們將在顯影時(shí)在抗蝕劑涂層的曝光和非曝光區(qū)之間產(chǎn)生溶解性的不同。一般優(yōu)選的光酸不穩(wěn)定樹(shù)脂是共聚物，也就是，含有兩個(gè)或多個(gè)不同的重復(fù)單元。典型優(yōu)選的是更多元的聚合物，包括三元共聚物(三個(gè)不同的重復(fù)單元)、四元共聚物(四個(gè)不同的重復(fù)單元)、和五元共聚物(五個(gè)不同的重復(fù)單元)。這里使用的術(shù)語(yǔ)“共聚物”是包括具有兩個(gè)不同重復(fù)單元的共聚物以及更多元的聚合物，也就是，含有超過(guò)兩個(gè)不同重復(fù)單元的聚合物，例如三元共聚物、四元共聚物、五元共聚物等。
同樣優(yōu)選的是，光酸不穩(wěn)定聚合物具有氟取代基，例如，通過(guò)氟代單體如四氟乙烯的聚合反應(yīng)產(chǎn)生。增粘添加劑也可以適宜地是氟取代的。
用于本發(fā)明抗蝕劑的光酸不穩(wěn)定聚合物的重復(fù)單元可以適當(dāng)?shù)馗鶕?jù)用于使抗蝕劑成像的曝光波長(zhǎng)而變化。更具體地，對(duì)于在超過(guò)200nm的波長(zhǎng)下成像的抗蝕劑來(lái)說(shuō)，該樹(shù)脂適宜地包括芳香族單元，特別是任選取代的苯基單元，優(yōu)選例如由乙烯基苯酚的聚合反應(yīng)產(chǎn)生的酚單元。對(duì)于用如193nm或157nm的小于200nm波長(zhǎng)的輻照成像的抗蝕劑來(lái)說(shuō)，適宜的樹(shù)脂可以大體上，基本上或完全不含任何苯基或其它芳香族單元。大體上不含芳香族單元的樹(shù)脂含有的芳香族單元小于總樹(shù)脂單元的大約5摩爾％，優(yōu)選其芳香族單元小于總樹(shù)脂單元的大約4、3、2、1或0.5摩爾％。
本發(fā)明還包括在此公開(kāi)的光致抗蝕劑涂布的基底，這些基底包括含有無(wú)機(jī)表面涂層例如SiON或Si3N4涂層的基底。
本發(fā)明還提供用于形成立體圖像的方法，包括形成高分辨率的立體圖像，例如線(密集的或孤立的)圖形的方法，其中每條線具有垂直或基本垂直的側(cè)壁且線條寬度約為0.25微米或更低，或者甚至大約0.10微米或更低。在這類(lèi)方法中，優(yōu)選用短波長(zhǎng)輻射、特別是亞-300nm或亞-200nm輻射，尤其是248nm、193nm，和157nm輻射，和更高能量的輻射例如具有小于100nm波長(zhǎng)的輻射、EUV、電子束、離子束或X-輻射成像，來(lái)使本發(fā)明的抗蝕劑涂層成像。
本發(fā)明進(jìn)一步包括制造的產(chǎn)品，它包括基底如其上已涂布有本發(fā)明的光致抗蝕劑和立體圖像的微電子晶片。還提供了用于制造這類(lèi)產(chǎn)品的方法，其一般包括本發(fā)明的光致抗蝕劑的應(yīng)用。
本發(fā)明的其它方面將在下面公開(kāi)。
附圖簡(jiǎn)單說(shuō)明圖1(包括圖1A，1B和1C)表示下述實(shí)施例1的石印結(jié)果的掃描電子顯微照片(SEMs)。
圖2(包括圖2A和2B)表示下述實(shí)施例2的石印結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微照片(SEMs)。
具體實(shí)施例方式
如上所述，我們現(xiàn)在提供新的光致抗蝕劑組合物，其包括解封樹(shù)脂、感光酸生成劑化合物，和一種化合物，該化合物具有一個(gè)或多個(gè)使其與下層基底，特別是無(wú)機(jī)涂層比如那些SiON和Si3N4的粘性增加的部分。
優(yōu)選那些抗蝕劑材料以分離的組分存在于抗蝕劑組合物中，也就是，光酸不穩(wěn)定聚合物、感光酸生成劑和增粘添加劑是分離的、非共價(jià)鍵聯(lián)系的抗蝕劑材料。
許多材料可以用作本發(fā)明抗蝕劑的增粘添加劑。另外，除了這里特別指明的材料以外，其它適宜的材料能夠通過(guò)上述簡(jiǎn)單的測(cè)試來(lái)確定，也就是，能夠?qū)⒋x的增粘添加劑加入到光致抗蝕劑組合物中，與沒(méi)有添加劑的相同抗蝕劑進(jìn)行比較來(lái)評(píng)估抗蝕劑與SiON或Si3N4基底表面增加的粘性(可以用增強(qiáng)的石印圖像表示)。這種測(cè)試在下面的對(duì)比實(shí)施例中示出。一般地，可以通過(guò)外涂布的抗蝕劑涂層的圖象分辨率評(píng)價(jià)抗蝕劑涂層與SiON或其它無(wú)機(jī)基底增加的粘性。
如上所述，適宜的增粘添加劑包括具有一個(gè)或多個(gè)環(huán)氧化物部分的材料。適宜的環(huán)氧化合物包括飽和的化合物，例如，適當(dāng)?shù)鼐哂?至大約25個(gè)碳原子、更典型地是3至18個(gè)碳原子和至少一個(gè)環(huán)氧化物部分比如1、2、3或4個(gè)環(huán)氧化物部分的任選取代的烷基和環(huán)烷基(脂環(huán)族)化合物。該化合物還可以具有各種除環(huán)氧化物之外的取代基，例如鹵素(F，Cl，Br，I)，特別是氟；鹵代烷基特別是鹵代(C1-10烷基)，尤其是氟代(C1-10烷基)，例如-CF3，-CH2CF3及其類(lèi)似物；羧基；烷?；缂柞；?、乙?；推渌麮1-12烷?；?；羥基；硝基；烷氧基例如C1-12烷氧基；烷基硫代，例如C1-12烷基硫代；等。具有環(huán)氧取代基的芳香族化合物，例如苯基化合物也能夠作為適宜的增粘添加劑。
示例的用于本發(fā)明抗蝕劑的適宜環(huán)氧增粘添加劑包括例如，糠基縮水甘油醚，雙酚A二環(huán)氧甘油醚，N-(2，3-環(huán)氧丙基)苯鄰二甲酰亞胺，3，4-環(huán)氧四氫噻吩-1，1-二氧化物，1，2-環(huán)氧十二烷，七氟代丙基環(huán)氧乙烷，四氟-(2-七氟丙氧基)丙基環(huán)氧乙烷等。
示例的用于本發(fā)明抗蝕劑的適宜環(huán)氮增粘添加劑包括任選取代的吡咯基團(tuán)，包括任選取代的四唑，任選取代的三唑，任選取代的苯并三唑，和任選取代的苯并噻二唑。特別適用的這類(lèi)化合物包括2，5-二硫醇基-1，3，4-噻二唑，苯并三唑，1-H-苯并三唑-1-甲醛，1H-苯并三唑-1-乙腈，1H-苯并三唑-1-甲醇，3-(2H-苯并三唑-2-基)-4-羥基苯乙醇，和1H-苯并三唑-5-羧酸。
其它用于本發(fā)明抗蝕劑的適宜增粘添加劑包括具有羧基(-COOH)和羥基(-OH)取代基的芳香族化合物例如水楊酸及其類(lèi)似物。
適宜地一種或多種增粘添加劑以基于抗蝕劑組合物總固體(除常規(guī)溶劑外的所有組分)的至少大約0.1重量％的量存在于光致抗蝕劑組合物中，更優(yōu)選基于抗蝕劑組合物總固體的大約1至大約5或10重量％，仍然更優(yōu)選基于光致抗蝕劑組合物總固體的至少大約1、2、3、4或5重量％。
如上所述，光酸不穩(wěn)定聚合物組分將包含一個(gè)或多個(gè)包括光酸不穩(wěn)定部分，例如光酸不穩(wěn)定酯或縮醛基團(tuán)的重復(fù)單元。特別優(yōu)選的光酸不穩(wěn)定基團(tuán)如下所述。
優(yōu)選地，光酸不穩(wěn)定聚合物含有氟取代基。優(yōu)選的光酸不穩(wěn)定聚合物的含氟單元適于從至少一種烯鍵式不飽和化合物得到的。優(yōu)選地，這種氟取代基通過(guò)至少一個(gè)飽和碳原子與不飽和的碳原子相分離，目的是不過(guò)分抑制聚合反應(yīng)。通過(guò)例如四氟乙烯、三氟氯乙烯、六氟丙稀、三氟乙烯、1，1-二氟乙烯和氟乙烯及其類(lèi)似物的聚合反應(yīng)得到這類(lèi)氟化單元。
示例的在本發(fā)明抗蝕劑中用于合成聚合物，特別是光酸不穩(wěn)定聚合物的優(yōu)選的不飽和化合物包括下述通式(A)，(B)，(C)和(D) 其中在通式(D)中，X是連接基團(tuán)，優(yōu)選-CH2-，-CH2OCH2-，或-OCH2-；并且n是0或1。
另外優(yōu)選用于本發(fā)明抗蝕劑的光酸不穩(wěn)定聚合物的單體可以包括下面通式表示的基團(tuán)
其中X是連接基團(tuán)，優(yōu)選-CH2-，-CH2OCH2-，或-OCH2-；Y是氫，連接氧和Z基團(tuán)的化學(xué)鍵，(-CH2-)p其中p是1或2，-CH2O-或CHRO-其中R是C1-16烷基，優(yōu)選C1-4烷基；和Z是烷基，其優(yōu)選具有1至大約20個(gè)碳原子而且包括三(C1-6)烷甲基；四氫吡喃基；或四氫呋喃基；且優(yōu)選X是-OCH2-；優(yōu)選Y是化學(xué)鍵或-CH2O-；和優(yōu)選Z是叔丁基，甲基，四氫吡喃基或四氫呋喃基。
優(yōu)選用于本發(fā)明抗蝕劑中的樹(shù)脂的光酸不穩(wěn)定基團(tuán)包括光酸不穩(wěn)定無(wú)環(huán)(脂肪族)酯，例如叔丁酯，或者包含叔脂環(huán)基團(tuán)的酯。這類(lèi)光酸不穩(wěn)定酯可以直接側(cè)接于樹(shù)脂主鏈或其它聚合物單元如碳脂環(huán)族，雜脂環(huán)族或其它聚合物單元上(例如，在光酸不穩(wěn)定基團(tuán)的通式為-C(＝O)OR處，其中R是叔丁基或其它非環(huán)烷基，或叔脂環(huán)基團(tuán)，而且直接連接到聚合物主鏈或單元上)，或者酯部分例如通過(guò)任選取代的烷鍵合(例如-(CH2)0-2C(＝O)OR，其中R是叔丁基或其它非環(huán)烷基，或叔脂環(huán)基團(tuán))與聚合物主鏈或其它聚合物單元分開(kāi)。這類(lèi)光酸不穩(wěn)定基團(tuán)還適宜地在適當(dāng)位置包含氟取代基。
優(yōu)選的光酸不穩(wěn)定叔脂環(huán)烴酯部分是多環(huán)基團(tuán)，例如金剛烷基，乙葑基(ethylfencyl)或三環(huán)癸基部分。這里涉及的“叔脂環(huán)酯基團(tuán)”或其它相似的術(shù)語(yǔ)表示叔脂環(huán)碳原子與酯基氧原子共價(jià)連接，也就是-C(＝O)O-TR’其中T是脂環(huán)基團(tuán)R’的叔環(huán)碳原子。在至少許多情況下，優(yōu)選脂環(huán)部分的叔環(huán)碳原子與酯基氧原子共價(jià)連接。然而，連接在酯基氧原子上的叔碳原子也可以在脂環(huán)的環(huán)外，典型地，其中當(dāng)脂環(huán)是環(huán)外叔碳原子的取代基中的一種。典型地，可以用脂環(huán)本身，和/或一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè)，例如含有1至大約12個(gè)碳原子，更典型1至大約8個(gè)碳原子、甚至更典型1、2、3或4個(gè)碳原子的烷基取代連接在酯基氧原子上的叔碳原子。脂環(huán)基團(tuán)同樣優(yōu)選不包含芳香族取代基。脂環(huán)基團(tuán)可以適宜地是單環(huán)或多環(huán)，特別是雙環(huán)或三環(huán)基團(tuán)。
優(yōu)選本發(fā)明聚合物的光酸不穩(wěn)定酯基團(tuán)的脂環(huán)部分(例如-C(＝O)-TR’中的基團(tuán)TR’)具有相當(dāng)大的體積。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)用于本發(fā)明的共聚物時(shí)這種龐大的脂環(huán)基團(tuán)能夠提高圖形分辨率。
更具體地，優(yōu)選光酸不穩(wěn)定酯基團(tuán)的脂環(huán)基團(tuán)的分子體積為至少大約125或大約1303，更優(yōu)選分子體積為至少大約135、140、150、155、160、165、170、175、180、185、190、195或2003。至少在一些應(yīng)用中，很少優(yōu)選脂環(huán)基團(tuán)超過(guò)大約220或2503。這里涉及的分子體積指通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)算機(jī)模擬測(cè)定的體積尺寸，它提供最優(yōu)的化學(xué)鍵長(zhǎng)度和角度。作為此處所提及的決定分子體積的優(yōu)選計(jì)算機(jī)程序是Alchemy 2000，可從Tripos處獲得。對(duì)于進(jìn)一步討論基于計(jì)算機(jī)測(cè)定分子尺寸，可參見(jiàn)T Omote等人的“Polymers for AdvancedTechnologies”，第4卷，277-287頁(yè)。
特別優(yōu)選的光酸不穩(wěn)定單元的叔脂環(huán)基團(tuán)包括下面所示基團(tuán)，其中波浪線表示連接酯基團(tuán)的羧基氧原子的化學(xué)鍵，而R適宜地是任選取代的烷基，特別是C1-6烷基例如甲基、乙基等。
同樣如上所示，光酸不穩(wěn)定聚合物可以包含不含脂環(huán)部分的光酸不穩(wěn)定基團(tuán)。例如，本發(fā)明的聚合物可以包含光酸不穩(wěn)定酯單元，例如光酸不穩(wěn)定的烷基酯。一般地，光酸不穩(wěn)定酯中的羧基氧原子(也就是下述羧基中下劃線的氧原子-C(＝O)O)將與四價(jià)的碳原子共價(jià)連接。一般優(yōu)選支鏈的光酸不穩(wěn)定酯例如叔丁基和-C(CH3)2CH(CH3)2。
在這點(diǎn)上，用于本發(fā)明抗蝕劑的光酸不穩(wěn)定聚合物可以包含不同的光酸不穩(wěn)定基團(tuán)，也就是，該聚合物可以包含兩個(gè)或多個(gè)酯基團(tuán)，該酯基團(tuán)具有不同的酯部分取代基，例如一個(gè)酯基團(tuán)可以具有脂環(huán)烴部分而另一個(gè)酯基團(tuán)可以具有無(wú)環(huán)部分例如叔丁基，或者該聚合物可以既包含酯基團(tuán)又包含其它光酸不穩(wěn)定官能團(tuán)例如縮醛、縮酮和/或醚。
用于本發(fā)明抗蝕劑的光酸不穩(wěn)定聚合物也可以包含其它單元。
用于本發(fā)明抗蝕劑的適宜聚合物也在美國(guó)專利6306554；6300035；和6165674中公開(kāi)，它們都已轉(zhuǎn)讓給希普利(Shipley)公司。根據(jù)本發(fā)明通過(guò)將增粘重復(fù)單元加入到所述聚合物中來(lái)使所述的那些聚合物改性。在美國(guó)專利6306554和6165674中公開(kāi)的聚合物優(yōu)選用于亞-200nm成像，在美國(guó)專利6300035中公開(kāi)的聚合物優(yōu)選用于在較長(zhǎng)波長(zhǎng)例如248nm處的成像。
如上討論，各種聚合物和添加劑組分可以任選取代?！叭〈摹比〈梢酝ㄟ^(guò)一種或多種適宜的基團(tuán)，例如鹵素(特別是氟)；氰基；C1-6烷基；C1-6烷氧基；C1-6烷基硫代；C1-6烷基磺?；籆2-6鏈烯基；C2-6炔基；羥基；硝基；烷?；鏑1-6烷酰基比如?；捌漕?lèi)似物，等等，在一個(gè)或多個(gè)位置，典型地是在1、2、或3位置進(jìn)行取代。
本發(fā)明的聚合物可以通過(guò)多種方法制備。一種合適的方法是可以包括自由基聚合的加成反應(yīng)，例如，通過(guò)所選擇的單體的反應(yīng)提供如上所述的各種單元，該反應(yīng)是在有自由基引發(fā)劑存在、在惰性氣氛(例如氮?dú)饣驓鍤?及在高溫如大約70℃或更高的情況下進(jìn)行的，但是反應(yīng)溫度可以隨使用的具體試劑的反應(yīng)性和反應(yīng)溶劑的沸點(diǎn)(如果使用溶劑)而變化。適宜的反應(yīng)溶劑包括例如鹵化溶劑如氟化溶劑或氯化溶劑及其類(lèi)似物。對(duì)任何具體系統(tǒng)適合的反應(yīng)溫度可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容憑經(jīng)驗(yàn)很容易地確定?？梢允褂酶鞣N自由基引發(fā)劑。例如可應(yīng)用偶氮化合物，如偶氮-雙-2，4-二甲基戊烷腈。也可以使用過(guò)氧化物、過(guò)酸酯、過(guò)酸和過(guò)硫酸鹽。
本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠確定其它可反應(yīng)生成本發(fā)明聚合物的單體。例如，為了產(chǎn)生光酸不穩(wěn)定單元，適宜的單體包括例如在酯基團(tuán)的羧基氧原子上包含適當(dāng)?shù)幕鶊F(tuán)取代基(例如叔脂環(huán)基，叔丁基等)的異丁烯酸酯或丙烯酸酯。在Barelay等人的美國(guó)專利6306554中也公開(kāi)了用于合成本發(fā)明抗蝕劑中的聚合物的具有叔脂環(huán)基團(tuán)的適宜丙烯酸酯單體。
本發(fā)明的抗蝕劑組合物還含有一種或多種感光酸生成劑(即“PAG”)，適宜地以足夠量使用該生成劑以在曝光于激活輻射時(shí)在該抗蝕劑的涂層中產(chǎn)生潛像。優(yōu)選用于在157nm、193nm和248nm成像的PAG包括亞氨磺酸酯，比如下面通式的化合物 其中R是樟腦，金剛烷，烷基(例如C1-12烷基)和全氟烷基例如全氟(C1-12烷基)，特別是全氟辛烷磺酸酯，全氟壬烷磺酸酯及其類(lèi)似物。特別優(yōu)選的PAG是N-[(全氟辛烷磺酰基)氧]-5-降冰片烯-2，3-二酰亞胺。
磺酸酯化合物也是合適的PAGs，特別是磺酸鹽。用于193nm和248nm成像的兩種適宜的試劑是下列的PAGs1和2 這樣的磺酸酯化合物可以如歐洲專利申請(qǐng)96118111.2(公開(kāi)號(hào)0783136)中公開(kāi)的方法制備，它詳細(xì)描述了上述PAG1的合成。
合適的化合物還有與除了上述樟腦磺酸酯基團(tuán)之外的陰離子絡(luò)合的以上兩種碘鎓化合物。具體地說(shuō)，優(yōu)選的陰離子包括式RSO3-表示的那些，這里R是金剛烷，烷基(例如C1-12烷基)和全氟烷基、例如全氟(C1-12烷基)，特別是全氟辛烷磺酸酯，全氟壬烷磺酸酯及其類(lèi)似物。
對(duì)于在157nm成像，特別優(yōu)選三苯基锍PAG，它與例如上述的磺酸鹽陰離子，特別是例如全氟丁烷磺酸鹽的全氟烷基磺酸鹽的陰離子絡(luò)合。
在本發(fā)明抗蝕劑中也可以使用其它公知的PAGs。特別對(duì)于193nm成像，一般優(yōu)選的是不含有芳香族基團(tuán)的PAGs，例如上述的亞氨基磺酸鹽，目的是提供增加的透明度。
優(yōu)選本發(fā)明抗蝕劑的任選添加劑是一種添加堿，特別是氫氧化四丁基銨乳酸鹽，它能提高顯影的抗蝕劑立體圖像的分辨率。其它合適的添加堿包括二氮雜雙環(huán)十一碳烯或二氮雜雙環(huán)壬烯。該添加堿適宜地以很小的量使用，例如相對(duì)于固體總重量的大約0.03至5重量％。
本發(fā)明的光致抗蝕劑也可以含有其它任選材料。例如，其它任選添加劑包括抗輝紋劑、增塑劑、速度改進(jìn)劑等。這樣的任選添加劑典型地在光致抗蝕劑組合物中以較小的濃度存在。
本發(fā)明的抗蝕劑能夠由本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易地制備。例如，可以通過(guò)把光致抗蝕劑組分溶解在合適溶劑如2-庚酮，環(huán)己酮，乳酸乙酯，丙二醇單甲醚，和丙二醇單甲醚乙酸酯中來(lái)制備本發(fā)明的光致抗蝕劑組合物。典型地，該組合物固體含量在光致抗蝕劑組合物總重量的大約2至20重量％之間變化。樹(shù)脂粘合劑和光敏組分應(yīng)有足夠的量以提供膠膜涂層和形成質(zhì)量好的潛像和立體圖像。參見(jiàn)下面示范的優(yōu)選抗蝕劑組分量的實(shí)施例。
根據(jù)一般已知過(guò)程使用本發(fā)明的組合物。本發(fā)明的液體涂料組合物通過(guò)如旋涂或其它傳統(tǒng)的涂布技術(shù)涂敷在基底上。當(dāng)旋轉(zhuǎn)涂布時(shí)，涂料溶液的固體含量可以根據(jù)使用的專門(mén)旋涂設(shè)備、溶液粘度、旋涂器速度和用于旋涂的時(shí)間來(lái)調(diào)節(jié)以提供所要求的膠膜厚度。
將本發(fā)明的抗蝕劑組合物適當(dāng)涂布至涉及涂布光致抗蝕劑的工藝中常用的基底上。例如，該組合物可以涂布到整個(gè)硅晶片上，或用二氧化硅、SiON或Si3N4涂布的硅晶片上，用于生產(chǎn)微處理器和其它微電子器件基底。
如上所述，光致抗蝕劑特別適用于涂敷到包括SiON和Si3N4的無(wú)機(jī)表面涂層上。
在將光致抗蝕劑涂布在表面上后，通過(guò)加熱來(lái)適宜地烘干抗蝕劑涂層以去除溶劑直到優(yōu)選地該光致抗蝕劑涂層至少基本不含溶劑為止。此后，以慣用方法通過(guò)掩模將其成像。充分曝光以有效地激活光致抗蝕劑系統(tǒng)的光敏組分，從而在抗蝕劑涂層中產(chǎn)生成形圖像，更準(zhǔn)確地，曝光能量典型的范圍在大約1至100mJ/cm2，由曝光工具和光致抗蝕劑組合物的成分而定。
如上所述，本發(fā)明抗蝕劑組合物的涂層優(yōu)選通過(guò)短曝光波長(zhǎng)，特別是亞-300nm和亞-200nm曝光波長(zhǎng)進(jìn)行光活化。193nm和157nm是優(yōu)選的曝光波長(zhǎng)。然而，本發(fā)明的抗蝕劑組合物也可以適宜地在較高波長(zhǎng)成像。
曝光后，該組合物的膠膜層優(yōu)選在溫度范圍為大約70℃至大約160℃干燥。此后，膠膜顯影。將曝光的抗蝕劑膜通過(guò)使用極性顯影液作正像處理，優(yōu)選水基顯影液如氫氧化季銨溶液如氫氧化四烷基銨溶液，優(yōu)選0.26N氫氧化四甲基銨水溶液；或各種胺溶液比如含乙胺、正丙胺、二乙胺、二正丙胺、三乙胺、或甲基二乙胺；醇胺如二乙醇胺或三乙醇胺；環(huán)胺如吡咯，吡啶等的溶液。一般來(lái)說(shuō)，顯影是按照本領(lǐng)域公認(rèn)的程序進(jìn)行。
基底上的光致抗蝕劑層顯影后，可以在無(wú)抗蝕劑區(qū)有選擇地處理已顯影的基底，例如按照本領(lǐng)域已知程序通過(guò)化學(xué)蝕刻或鍍覆基底的無(wú)抗蝕劑區(qū)來(lái)處理。對(duì)于微電子基底的制造，例如二氧化硅晶片的制造，合適的蝕刻劑包括氣體蝕刻劑，例如鹵素等離子束蝕刻劑如氯或氟基蝕刻劑，如作為等離子束應(yīng)用的Cl2或CF4/CHF3蝕刻劑。這樣處理后，采用已知的剝離步驟可以從處理過(guò)的基底上除去抗蝕劑。
這里提到的所有文件在此引入作為參考。下面非限制例子是說(shuō)明本發(fā)明的。
實(shí)施例1光致抗蝕劑制備和石印過(guò)程。
通過(guò)用下述指定的量混合指定的組分制備下面的光致抗蝕劑1，2和3。通過(guò)四氟乙烯(TFE)(裝料31摩爾％的單體)，用六氟異丙醇取代的降冰片烯(裝料46摩爾％的單體)，和叔丁基丙烯酸酯(裝料24摩爾％的單體)的聚合反應(yīng)制備光酸不穩(wěn)定聚合物。
光致抗蝕劑1和2每一個(gè)都包含增粘共溶劑(環(huán)氧化合物)。光致抗蝕劑3是對(duì)比組合物，與光致抗蝕劑1和2相似，但不包含增粘添加劑。



將上述的抗蝕劑以Polaris 2000涂布徑跡旋涂在HMDS處理的8”SiON晶片上以達(dá)到厚度大約1570并在140℃烘烤60秒。將涂布過(guò)的晶片在Exitech 157nm分檔器(0.60NA，0.70σ)上曝光以產(chǎn)生線條和間隔試驗(yàn)圖案，在105下后曝光烘60秒，接著用來(lái)自希普利公司的堿性顯影劑水溶液顯影60秒。利用自上向下電子顯微鏡(SEM)評(píng)估已顯影的晶片的成像圖案。
每一個(gè)被測(cè)抗蝕劑石印結(jié)果的自上向下電子顯微照片顯示于圖1A、1B和1C中。那些電子顯微照片顯示出包含增粘添加劑的光致抗蝕劑1和2產(chǎn)生了具有良好粘性的石印圖案。參見(jiàn)圖1A和1B。相反地，不含有增粘添加劑的對(duì)比光致抗蝕劑3表現(xiàn)出完全的粘合破壞。參見(jiàn)圖1C。
實(shí)施例2光致抗蝕劑制備和石印過(guò)程。
通過(guò)用下述指定的量混合指定的組分制備下面的光致抗蝕劑4和5。通過(guò)四氟乙烯(TFE)(裝填31摩爾％的單體)、用六氟異丙醇取代的降冰片烯(裝填46摩爾％的單體)，和四丁基丙烯酸酯(裝填24摩爾％的單體)的聚合反應(yīng)制備光酸不穩(wěn)定聚合物。
光致抗蝕劑4包含增粘添加劑(苯并三唑)。光致抗蝕劑5是對(duì)比組合物，與光致抗蝕劑4相似，但不包含增粘添加劑。


將上述的抗蝕劑以Polaris 2000涂布徑跡旋涂在HMDS處理的8”SiON晶片上以達(dá)到厚度大約1570并在140℃烘烤60秒。將涂布過(guò)的晶片在Exitech 157nm分檔器(0.60NA，0.70σ)上曝光以產(chǎn)生線條和間隔試驗(yàn)圖案，在105℃下后曝光烘60秒，接著用來(lái)自希普利公司的堿性顯影劑水溶液顯影60秒。利用自上向下電子顯微鏡(SEM)評(píng)估已顯影的晶片的成像圖案。
每一個(gè)被測(cè)抗蝕劑石印結(jié)果的自上向下電子顯微照片顯示于圖2A和2B中。可以看出包含增粘添加劑的光致抗蝕劑4產(chǎn)生了具有良好粘性的石印圖案。參見(jiàn)圖2A。相反地，不含有增粘添加劑的對(duì)比光致抗蝕劑5表現(xiàn)出完全的粘合破壞。參見(jiàn)圖2B。
本發(fā)明前面的描述僅僅是對(duì)其說(shuō)明，可以理解的是，在不背離所附權(quán)利要求陳述的本發(fā)明的精神或范圍內(nèi)能夠作出變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種微電子器件基底，它包括氧氮化硅層，覆蓋氧氮化硅層的光致抗蝕劑組合物涂層，其中該光致抗蝕劑組合物包含光酸不穩(wěn)定聚合物、感光酸生成劑化合物和增粘組分。
2.如權(quán)利要求1所述的基底，其中該增粘組分能夠在光致抗蝕劑組合物的石印過(guò)程中與氧氮化硅層反應(yīng)或絡(luò)合。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基底，其中該增粘組分包含一個(gè)或多個(gè)環(huán)氧或環(huán)氮部分。
4.如權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的基底，其中該增粘組分不包含光酸不穩(wěn)定部分。
5.如權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的基底，其中該增粘組分的分子量為大約1500道爾頓或更低。
6.如權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的基底，其中該增粘組分的分子量為大約1000道爾頓或更低。
7.如權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的基底，其中該增粘組分的分子量為大約500道爾頓或更低。
8.如權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的基底，其中該增粘組分是非聚合的。
9.如權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的基底，其中該增粘組分是一種聚合物。
10.如權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的基底，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物具有氟取代基。
11.如權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的基底，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物包含聚合的四氟乙烯單元。
12.如權(quán)利要求1至11中任意一項(xiàng)所述的基底，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物包含光酸不穩(wěn)定酯或縮醛基團(tuán)。
13.如權(quán)利要求1至12中任意一項(xiàng)所述的基底，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物是共聚物。
14.如權(quán)利要求1至13中任意一項(xiàng)所述的基底，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物是三元共聚物、四元共聚物或五元共聚物。
15.如權(quán)利要求1至14中任意一項(xiàng)所述的基底，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物包含丙烯酸酯重復(fù)單元。
16.如權(quán)利要求1至15中任意一項(xiàng)所述的基底，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物包含芳香族基團(tuán)。
17.如權(quán)利要求1至15中任意一項(xiàng)所述的基底，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物包含酚基。
18.如權(quán)利要求1至15中任意一項(xiàng)所述的基底，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物至少大體上不包含任何芳香族基團(tuán)。
19.一種微電子器件基底，它包括覆蓋基底表面的光致抗蝕劑組合物涂層，其中該光致抗蝕劑組合物包含作為獨(dú)立組分的光酸不穩(wěn)定聚合物、感光酸生成劑化合物和增粘添加劑。
20.一種用于形成光致抗蝕劑立體圖像的方法，它包括在基底上涂敷光致抗蝕劑組合物涂層，該光致抗蝕劑組合物包含光酸不穩(wěn)定聚合物、感光酸生成劑化合物和增粘組分；使涂敷的光致抗蝕劑層曝光于激活圖案的輻射，而且顯影曝光后的光致抗蝕劑層以產(chǎn)生光致抗蝕劑立體圖像。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中將所涂敷的光致抗蝕劑層曝光于波長(zhǎng)小于300nm的輻射。
22.如權(quán)利要求20所述的方法，其中將所涂敷的光致抗蝕劑層曝光于波長(zhǎng)為大約248nm的輻射。
23.如權(quán)利要求20所述的方法，其中將所涂敷的光致抗蝕劑層曝光于波長(zhǎng)小于200nm的輻射。
24.如權(quán)利要求20所述的方法，其中將所涂敷的光致抗蝕劑層曝光于波長(zhǎng)為大約193nm或157nm的輻射。
25.如權(quán)利要求20至24中任意一項(xiàng)所述的方法，其中該增粘組分包含一個(gè)或多個(gè)環(huán)氧或環(huán)氮部分。
26.如權(quán)利要求20至25中任意一項(xiàng)所述的方法，其中該增粘組分不包含光酸不穩(wěn)定部分。
27.如權(quán)利要求20至26中任意一項(xiàng)所述的方法，其中該增粘組分的分子量為大約1500道爾頓或更低。
28.如權(quán)利要求20至26中任意一項(xiàng)所述的方法，其中該增粘組分的分子量為大約1000道爾頓或更低。
29.如權(quán)利要求20至26中任意一項(xiàng)所述的方法，其中該增粘組分的分子量為大約500道爾頓或更低。
30.如權(quán)利要求20至29中任意一項(xiàng)所述的方法，其中該增粘組分是非聚合的。
31.如權(quán)利要求20至27中任意一項(xiàng)所述的方法，其中該增粘組分是聚合物。
32.如權(quán)利要求20至31中任意一項(xiàng)所述的方法，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物具有氟取代基。
33.如權(quán)利要求20至32中任意一項(xiàng)所述的方法，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物包含聚合的四氟乙烯單元。
34.如權(quán)利要求20至33中任意一項(xiàng)所述的方法，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物包含光酸不穩(wěn)定酯或縮醛基團(tuán)。
35.如權(quán)利要求20至34中任意一項(xiàng)所述的方法，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物是共聚物。
36.如權(quán)利要求20至35中任意一項(xiàng)所述的方法，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物是三元共聚物，四元共聚物或五元共聚物。
37.如權(quán)利要求20至36中任意一項(xiàng)所述的方法，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物包含丙烯酸酯重復(fù)單元。
38.如權(quán)利要求20至37中任意一項(xiàng)所述的方法，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物包含芳香族基團(tuán)。
39.如權(quán)利要求20至37中任意一項(xiàng)所述的方法，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物包含酚基。
40.如權(quán)利要求20至37中任意一項(xiàng)所述的方法，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物至少大體上不包含任何芳香族基團(tuán)。
41.一種光致抗蝕劑組合物，它包括光酸不穩(wěn)定聚合物，感光酸生成劑化合物，和增粘組分。
42.如權(quán)利要求41所述的光致抗蝕劑組合物，其中該增粘組分包含一個(gè)或多個(gè)環(huán)氧或環(huán)氮部分。
43.如權(quán)利要求41或42所述的光致抗蝕劑組合物，其中該增粘組分不包含光酸不穩(wěn)定部分。
44.如權(quán)利要求41至43中任意一項(xiàng)所述的光致抗蝕劑組合物，其中該增粘組分的分子量為大約1500道爾頓或更低。
45.如權(quán)利要求41至43中任意一項(xiàng)所述的光致抗蝕劑組合物，其中該增粘組分的分子量為大約1000道爾頓或更低。
46.如權(quán)利要求41至43中任意一項(xiàng)所述的光致抗蝕劑組合物，其中該增粘組分的分子量為大約500道爾頓或更低。
47.如權(quán)利要求41至46中任意一項(xiàng)所述的光致抗蝕劑組合物，其中該增粘組分是非聚合的。
48.如權(quán)利要求41至45中任意一項(xiàng)所述的光致抗蝕劑組合物，其中該增粘組分是聚合物。
49.如權(quán)利要求41至48中任意一項(xiàng)所述的光致抗蝕劑組合物，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物具有氟取代基。
50.如權(quán)利要求41至49中任意一項(xiàng)所述的光致抗蝕劑組合物，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物包含聚合的四氟乙烯單元。
51.如權(quán)利要求41至50中任意一項(xiàng)所述的光致抗蝕劑組合物，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物包含光酸不穩(wěn)定酯或縮醛基團(tuán)。
52.如權(quán)利要求41至51中任意一項(xiàng)所述的光致抗蝕劑組合物，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物是共聚物。
53.如權(quán)利要求41至52中任意一項(xiàng)所述的光致抗蝕劑組合物，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物是三元共聚物、四元共聚物或五元共聚物。
54.如權(quán)利要求41至53中任意一項(xiàng)所述的光致抗蝕劑組合物，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物包含丙烯酸酯重復(fù)單元。
55.如權(quán)利要求41至54中任意一項(xiàng)所述的光致抗蝕劑組合物，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物包含芳香族基團(tuán)。
56.如權(quán)利要求41至54中任意一項(xiàng)所述的光致抗蝕劑組合物，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物包含酚基。
57.如權(quán)利要求41至54中任意一項(xiàng)所述的光致抗蝕劑組合物，其中該光酸不穩(wěn)定聚合物至少大體上不包含任何芳香族基團(tuán)。
58.一種制造的產(chǎn)品，它包括其上具有如權(quán)利要求41至57中任意一項(xiàng)所述的光致抗蝕劑組合物涂層的基底。
59.如權(quán)利要求58所述的產(chǎn)品，其中該基底是微電子晶片基底。
60.如權(quán)利要求58所述的產(chǎn)品，其中該基底是光電子器件的基底。
61.如權(quán)利要求58至60中任意一項(xiàng)所述的產(chǎn)品，其中該光致抗蝕劑涂層涂敷在SiON或Si3N4表面涂層上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種適宜在短波長(zhǎng)包括亞－300nm和亞－200nm例如193nm和157nm成像的新型光致抗蝕劑。本發(fā)明的光致抗蝕劑包含具有光酸不穩(wěn)定基團(tuán)的樹(shù)脂、一種或多種感光酸生成劑化合物和一種增粘添加劑化合物。本發(fā)明的光致抗蝕劑表現(xiàn)出與SiON和其它無(wú)機(jī)表面層有效的粘附性。
文檔編號(hào)G03F7/038GK1527136SQ0311071
公開(kāi)日2004年9月8日 申請(qǐng)日期2003年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月5日
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