專利名稱：半透半反式薄膜晶體管液晶顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示面板(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，TFT-LCD)及其制造方法，特別涉及一種半透半反式薄膜晶體管液晶顯示面板(transflective TFT-LCD)及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著科技的進(jìn)步，反射式TFT-LCD與半透半反式TFT-LCD在市場(chǎng)上日漸扮演重要角色。尤其在目前通訊業(yè)極其發(fā)達(dá)的時(shí)代，半透半反式TFT-LCD可應(yīng)用于手機(jī)的顯示屏幕中，以使得使用者在暗室中，或是極明亮的室外，均可清楚辨識(shí)屏幕所顯示的內(nèi)容。
現(xiàn)有技術(shù)的反射式液晶顯示面板的制造流程將繪示于圖1A至圖1F中。請(qǐng)先參照?qǐng)D1A。首先，提供一玻璃基板100，且在玻璃基板100的上方形成一第一金屬層，并利用光刻技術(shù)圖案化此第一金屬層，以形成薄膜晶體管的柵極105與儲(chǔ)存電容的電容電極110。
請(qǐng)參照?qǐng)D1B。在柵極105與電容電極110形成之后，一介電層115被覆蓋于柵極105與電容電極110上方。然后，一非晶硅(amorphous Si)層形成于柵極105之上，并利用光刻工藝以形成一通道120。
請(qǐng)參照?qǐng)D1C。一第二金屬層接著形成于通道120及介電層115的上，并利用光刻工藝，對(duì)第二金屬層進(jìn)行圖案化的工藝，以形成一源極125與一漏極130。
請(qǐng)參照?qǐng)D1D。保護(hù)層135接著形成于源極125與漏極130之上，然后光致抗蝕劑層140再覆蓋于保護(hù)層135之上。然后，通過(guò)光刻工藝，去除部份的光致抗蝕劑層140。
請(qǐng)參考圖1E。接著，將光致抗蝕劑層140進(jìn)行高溫處理后，讓部分光致抗蝕劑層140的表面形成波浪狀。然后，再形成另一光致抗蝕劑層145于光致抗蝕劑層140之上，并通過(guò)光刻工藝，形成一介層洞148，以暴露部分的漏極130。
請(qǐng)參照?qǐng)D1F。最后，形成一第三金屬層于光致抗蝕劑層145之上，并利用光刻工藝，圖案化第三金屬層以得到光反射層150。光反射層150透過(guò)介層洞148與漏極130電連接。
在上述現(xiàn)有技術(shù)的反射式TFT-LCD的工藝中，在形成柵極105與電容電極110、通道120、源極125與漏極130、光致抗蝕劑層140、介層洞148、與光反射層150時(shí)，各需一道掩模，共六道掩模。再加上液晶顯示面板外圍引線的信賴性考量(reliability)，所需要的掩模則可能高達(dá)八道掩模。
若對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的半透半反式TFT-LCD而言，則必須在光反射層150上，另外形成一開(kāi)口，并覆以一透明電極。如此，則又更需要一道掩模來(lái)完成。因?yàn)楝F(xiàn)有技術(shù)的半透半反式TFT-LCD所需的掩模數(shù)目很多，使得現(xiàn)有技術(shù)的半透半反式TFT-LCD的生產(chǎn)成本過(guò)高。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是提供一種半透半反式薄膜晶體管液晶顯示器面板及其制造方法，目的為使掩模的工藝數(shù)目可以有效降低以降低成本。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明提出一種半透半反式薄膜晶體管液晶顯示面板的制造方法。其步驟包括形成第一導(dǎo)電層于基板上方；限定第一導(dǎo)電層，以形成柵極；覆蓋上一介電層；形成通道于柵極上方；形成光致抗蝕劑區(qū)塊；形成第二導(dǎo)電層；限定第二導(dǎo)電層，以在柵極上方形成源極與漏極，并在光致抗蝕劑區(qū)塊上方形成光反射層；覆蓋上一保護(hù)層；限定保護(hù)層，以在漏極上方形成第一開(kāi)口，暴露部分的漏極，并在光反射層上方形成第二開(kāi)口，暴露部分的光反射層；以及，形成透明電極，透過(guò)第一開(kāi)口與第二開(kāi)口，以電連接漏極與光反射層。
本發(fā)明另外提出一種半透半反式薄膜晶體管液晶顯示面板。此液晶顯示面板具有穿透區(qū)與反射區(qū)。此液晶顯示面板包括基板；薄膜晶體管，形成于基板上，此薄膜晶體管具有漏極、柵極與源極；介電層，用以覆蓋柵極；光致抗蝕劑區(qū)塊，形成于介電層上；光反射層，形成于光致抗蝕劑區(qū)塊的上，光反射層位于反射區(qū)內(nèi)，且光反射層與漏極電連接；以及，透明電極，大致形成于穿透區(qū)之內(nèi)，且透過(guò)透明電極，該光反射層與漏極電連接。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明。


圖1A至圖1F示出現(xiàn)有技術(shù)的反射式液晶顯示面板的制造流程。
圖2A至圖2F示出本發(fā)明的半透半反式薄膜晶體管液晶顯示面板的制造流程。
附圖標(biāo)記說(shuō)明100、200玻璃基板105、202柵極110、204電容電極115、206介電層120、208通道125、215源極130、220漏極135、230保護(hù)層140、145光致抗蝕劑層148介層洞150、225光反射層210光致抗蝕劑區(qū)塊230A第一開(kāi)口230B第二開(kāi)口235透明電極具體實(shí)施方式
本發(fā)明的主要精神在于，不需形成第三金屬層，而可同時(shí)在第二金屬層中，形成一光反射層。因?yàn)槭∪サ谌饘賹拥墓に?，所以本發(fā)明可以使得所需的掩模數(shù)目減少，從而降低制造成本。
本發(fā)明的半透半反式薄膜晶體管液晶顯示面板的制造流程公開(kāi)于第2A～2F圖中。首先，如圖2A所示，提供一玻璃基板200，且在玻璃基板200的上方形成一第一金屬層，并利用光刻技術(shù)圖案化此第一金屬層，以形成薄膜晶體管的柵極202與儲(chǔ)存電容的電容電極204。
接著，如圖2B所示，在柵極202與電容電極204形成之后，將一介電層206覆蓋于柵極202與電容電極204上方。然后，形成一非晶硅層，并利用光刻工藝以形成一通道208于柵極202的上。
接著，如圖2C所示，形成一光致抗蝕劑層，并利用光刻工藝，對(duì)光致抗蝕劑層進(jìn)行圖案化工藝，以得到光致抗蝕劑區(qū)塊210。此光致抗蝕劑區(qū)塊210位于電容電極204的上方。其中，此光致抗蝕劑層可為正光致抗蝕劑所形成。
然后，如圖2D所示，形成一第二金屬層于通道208與光致抗蝕劑區(qū)塊210之上，并利用光刻工藝，對(duì)第二金屬層進(jìn)行圖案化，以形成源極215與漏極220，并同時(shí)形成一光反射層225于光致抗蝕劑區(qū)塊210的上方。
如圖2E所示，接著，形成保護(hù)層230，并通過(guò)光刻工藝，使保護(hù)層230具有一第一開(kāi)口230A與一第二開(kāi)口230B，以分別暴露部份的漏極220與光反射層225。
最后，如圖2F所示，將由氧化銦錫(ITO)所組成的透明電極235覆蓋于保護(hù)層230上，透明電極235經(jīng)由保護(hù)層230上的第一開(kāi)口230A與第二開(kāi)口230B，將漏極220以及光反射層225電連接。
其中，雖然本實(shí)施例通過(guò)設(shè)置光致抗蝕劑區(qū)塊210正好位于電容電極204上方，且光反射層225亦大致上形成于對(duì)應(yīng)至電容電極204上方的位置，以使本發(fā)明的TFT-LCD可以得到最大開(kāi)口率。然而，本發(fā)明的并不限定于此。光反射層225也可形成于除了源極215與漏極220之外的其它地方。
請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D2F，經(jīng)由本發(fā)明的制造方法所形成的半透半反式TFT-LCD具有一穿透區(qū)R1與一反射區(qū)R2。柵極202、通道208、源極215與漏極220形成一薄膜晶體管240。透明電極235形成穿透區(qū)R1之內(nèi)，并與漏極220電連接。而光反射層225則位于反射區(qū)R2的內(nèi)，并透過(guò)透明電極235與漏極220電連接。
本發(fā)明的特點(diǎn)在于，利用第二金屬層，在形成薄膜晶體管的源極215與漏極220時(shí)，同時(shí)形成光反射層225于反射區(qū)R2內(nèi)。如此，因?yàn)椴恍枰F(xiàn)有技術(shù)的工藝中的第三金屬層，所以本發(fā)明所需的掩模數(shù)目比現(xiàn)有技術(shù)的作法還少，而且本發(fā)明的工藝比現(xiàn)有技術(shù)的作法更加簡(jiǎn)化。
本發(fā)明的實(shí)施例僅需要五道掩模的工藝。在本發(fā)明的半透半反式TFT-LCD工藝中，僅在形成柵極202與電容電極204、通道208、源極215漏極130與光反射層225、光致抗蝕劑區(qū)塊210、以及保護(hù)層230時(shí)，各需一道掩模，共五道掩模。與現(xiàn)有技術(shù)的作法相較，本發(fā)明確實(shí)可達(dá)到簡(jiǎn)化工藝，降低成本的目的。
本發(fā)明上述實(shí)施例所公開(kāi)的半透半反式薄膜晶體管液晶顯示面板及其制造方法，可使所需的掩模數(shù)目減少，并大幅降低制造的成本。
雖然本發(fā)明已通過(guò)一優(yōu)選實(shí)施例公開(kāi)如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可以作各種的調(diào)整與改進(jìn)，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以所附權(quán)利要求為標(biāo)準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半透半反式薄膜晶體管液晶顯示面板的制造方法，包括形成一第一導(dǎo)電層于一基板上方；限定該第一導(dǎo)電層，以形成一柵極；覆蓋上一介電層；形成一通道于該柵極上方；形成一光致抗蝕劑區(qū)塊；形成一第二導(dǎo)電層；限定該第二導(dǎo)電層，以在該柵極上方形成一源極與一漏極，并在該光致抗蝕劑區(qū)塊上方形成一光反射層；覆蓋上一保護(hù)層；限定該保護(hù)層，以在該漏極上方形成一第一開(kāi)口，暴露部分的該漏極，并在該光反射層上方形成一第二開(kāi)口，暴露部分的該光反射層；以及形成一透明電極，透過(guò)該第一開(kāi)口與該第二開(kāi)口，以電連接該漏極與該光反射層。
2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，在限定該第一導(dǎo)電層的步驟中更形成一電容電極，該電容電極位于該光致抗蝕劑區(qū)塊下方。
3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該第一導(dǎo)電層為一第一金屬層。
4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該基板為玻璃基板。
5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該光致抗蝕劑區(qū)塊由正光致抗蝕劑所組成。
6.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該第二導(dǎo)電層為一第二金屬層。
7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該透明電極由氧化銦錫(ITO)所組成。
8.一種半透半反式薄膜晶體管液晶顯示面板的制造方法，該液晶顯示面板具有一穿透區(qū)與一反射區(qū)，該方法包括形成一薄膜晶體管與一電容電極于一基板上方，其中，在形成該薄膜晶體管的一源極與一漏極時(shí)，同時(shí)形成一光反射層于該反射區(qū)內(nèi)；以及形成一透明電極于該穿透區(qū)內(nèi)。
9.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其中該光反射層大致上形成于對(duì)應(yīng)于該電容電極上方的位置。
10.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其中，在形成該光反射層之前，先形成一光致抗蝕劑區(qū)塊于該電容電極的上方。
11.一種半透半反式薄膜晶體管液晶顯示面板，該液晶顯示面板具有一穿透區(qū)與一反射區(qū)，該液晶顯示面板包括一基板；一薄膜晶體管，形成于該基板上，該薄膜晶體管具有一漏極、一柵極與一源極；一介電層，用以覆蓋該柵極；一光致抗蝕劑區(qū)塊，形成于該介電層上；一光反射層，形成于該光致抗蝕劑區(qū)塊上，該光反射層位于該反射區(qū)內(nèi)；以及一透明電極，大致形成于該穿透區(qū)內(nèi)，且通過(guò)該透明電極，該光反射層與該漏極電連接。
12.如權(quán)利要求11所述的液晶顯示面板，其中，該面板更具有一電容電極，形成于該基板上，并為該介電層所覆蓋，而該光致抗蝕劑區(qū)塊與該光反射層位于該電容電極的上方。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種半透半反式薄膜晶體管液晶顯示面板(transflective TFT－LCD)及其制造方法。該方法包括形成第一導(dǎo)電層于基板上方；限定第一導(dǎo)電層，以形成柵極；覆蓋上一介電層；形成通道于柵極上方；形成光致抗蝕劑區(qū)塊；形成第二導(dǎo)電層；限定第二導(dǎo)電層，以在柵極上方形成源極與漏極，并在光致抗蝕劑區(qū)塊上方形成光反射層；覆蓋上一保護(hù)層；限定保護(hù)層，以在漏極上方形成第一開(kāi)口，暴露部分漏極，并在光反射層上方形成第二開(kāi)口，暴露部分光反射層；以形成透明電極，透過(guò)第一開(kāi)口與第二開(kāi)口，以電連接漏極與光反射層。
文檔編號(hào)G02F1/13GK1521548SQ0310339
公開(kāi)日2004年8月18日 申請(qǐng)日期2003年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月27日
發(fā)明者薩文志, 韋忠光, 朱正仁 申請(qǐng)人:奇美電子股份有限公司