專(zhuān)利名稱(chēng)：電光裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于能夠進(jìn)行有源矩陣驅(qū)動(dòng)的電光裝置及以具有該電光裝置而構(gòu)成的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
過(guò)去，具有將液晶等電光物質(zhì)夾在中間的一對(duì)基板、以及為了對(duì)所說(shuō)電光物質(zhì)施加電場(chǎng)而分別設(shè)置在所說(shuō)一對(duì)基板上的電極等的電光裝置已為人們所知。其中，所說(shuō)電極用于對(duì)所說(shuō)電光物質(zhì)施加電場(chǎng)、使該電光物質(zhì)的狀態(tài)適當(dāng)變化。并且，作為這種電光裝置，只要使例如從光源發(fā)出的光等射入到該裝置中并使電光物質(zhì)的狀態(tài)如上所述地發(fā)生適當(dāng)?shù)淖兓?，便能夠?qū)υ摴獾耐腹饴蔬M(jìn)行控制，因而能夠?qū)崿F(xiàn)圖像的顯示。
而且，這種電光裝置中，在所說(shuō)一對(duì)基板的一方上，作為所說(shuō)電極具有呈矩陣狀排列的象素電極，并且具有分別與該象素電極相連接的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，以下簡(jiǎn)稱(chēng)為“TFT”)、分別與該TFT相連接的、分別在行及列方向上平行地設(shè)置的掃描線(xiàn)及數(shù)據(jù)線(xiàn)等，因而能夠?qū)崿F(xiàn)所謂的有源矩陣驅(qū)動(dòng)。據(jù)此，能夠以由所說(shuō)象素電極或者所說(shuō)掃描線(xiàn)及所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)所構(gòu)建的一個(gè)一個(gè)的象素為對(duì)象，控制對(duì)所說(shuō)電光物質(zhì)施加的電場(chǎng)，從而對(duì)每個(gè)象素的透光率進(jìn)行控制。
但是，現(xiàn)有的電光裝置存在著如下問(wèn)題。即，對(duì)于如上所述的能夠?qū)崿F(xiàn)有源矩陣驅(qū)動(dòng)的電光裝置，首先需要正確地驅(qū)動(dòng)TFT，但要在滿(mǎn)足近年來(lái)對(duì)電光裝置的高精細(xì)化及小型化的要求的情況下實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)則更加困難。
其中，TFT具備具有溝道區(qū)、源區(qū)及漏區(qū)的半導(dǎo)體層、以及以將該半導(dǎo)體層中的所說(shuō)溝道區(qū)的至少一部分覆蓋的狀態(tài)中間隔著絕緣膜設(shè)置的柵極，通過(guò)對(duì)該柵極通電或不通電而對(duì)所說(shuō)溝道區(qū)施加或不施加電場(chǎng)，從而控制電流的流動(dòng)。
此時(shí)，所說(shuō)溝道區(qū)的長(zhǎng)度即所謂“溝道長(zhǎng)度”和其寬度即所謂“溝道寬度”取何值，換言之，溝道區(qū)應(yīng)多大，是決定TFT特性的重要因素。此外，在此基礎(chǔ)上，在該溝道區(qū)上以何種配設(shè)形態(tài)配設(shè)所說(shuō)柵極也極為重要。而在過(guò)去，以與所說(shuō)掃描線(xiàn)在電氣上相連接的導(dǎo)電性構(gòu)件或構(gòu)成所說(shuō)掃描線(xiàn)的一部分的構(gòu)件作為柵極，但在這種情況下，掃描線(xiàn)本身與溝道區(qū)二者以何種配設(shè)形態(tài)配設(shè)也是問(wèn)題。
也就是說(shuō)，TFT乃至溝道區(qū)與掃描線(xiàn)乃至柵極之間合適的配置關(guān)系，還需要在滿(mǎn)足前述電光裝置的高精細(xì)化要求的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)，并且，要求通過(guò)這樣構(gòu)成的TFT等實(shí)現(xiàn)正確的動(dòng)作，而要做到這一點(diǎn)并不容易。
例如，要驅(qū)動(dòng)電光裝置，顯然并非僅存在有TFT及掃描線(xiàn)乃至柵極就能夠?qū)崿F(xiàn)，還要具備其它各種構(gòu)成要素，而要在兼顧這些要素的同時(shí)達(dá)到如上所述的配置與調(diào)整要求，一般來(lái)說(shuō)是困難的，這一點(diǎn)很容易想象得到。此外，對(duì)于TFT來(lái)說(shuō)，若光射到所說(shuō)溝道區(qū)上，則會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)生光致漏電流的不良現(xiàn)象，故要求必須避免這種現(xiàn)象發(fā)生。即，作為T(mén)FT，最好是，相對(duì)于作為供在各象素處實(shí)際顯示圖像的光透過(guò)或經(jīng)反射射出的區(qū)域的透光區(qū)域，更具體地說(shuō)，相對(duì)于象素電極盡可能分隔開(kāi)；但若要在要求高精細(xì)化的情況下同時(shí)滿(mǎn)足上述要求，則在上述配置與調(diào)整方面，將面臨更大的難題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是針對(duì)以上存在的問(wèn)題而提出的，其任務(wù)是，提供一種能夠更為容易地實(shí)現(xiàn)柵極及掃描線(xiàn)的配置關(guān)系的調(diào)整并且能夠?qū)崿F(xiàn)TFT的正確驅(qū)動(dòng)的電光裝置以及以具有該電光裝置而構(gòu)成的電子設(shè)備。
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的電光裝置在基板上具有在一定方向上延伸的掃描線(xiàn)及在與該掃描線(xiàn)相交叉的方向上延伸的數(shù)據(jù)線(xiàn)、與所說(shuō)掃描線(xiàn)及所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)的交叉區(qū)域相對(duì)應(yīng)地設(shè)置的薄膜晶體管、以及與該薄膜晶體管相對(duì)應(yīng)地設(shè)置的象素電極，所說(shuō)掃描線(xiàn)在與所說(shuō)薄膜晶體管的溝道區(qū)相向的部位具有作為柵極的寬幅部，并且在其它部位具有窄幅部。
根據(jù)本發(fā)明的電光裝置，經(jīng)掃描線(xiàn)及數(shù)據(jù)線(xiàn)向薄膜晶體管供給掃描信號(hào)及圖像信號(hào)，便能夠?qū)ο笏仉姌O進(jìn)行有源矩陣驅(qū)動(dòng)。
特別是，作為本發(fā)明，所說(shuō)掃描線(xiàn)在與所說(shuō)薄膜晶體管的溝道區(qū)相向的部位具有作為柵極的寬幅部，并且在其它部位具有窄幅部，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)掃描線(xiàn)的窄小化，盡管如此，薄膜晶體管乃至其溝道區(qū)與掃描線(xiàn)之間配置關(guān)系的調(diào)整與確定仍能夠比過(guò)去更易于實(shí)現(xiàn)。
例如，在所說(shuō)象素電極呈矩陣狀排列有多個(gè)的場(chǎng)合，最好是使薄膜晶體管這樣形成，即使得該薄膜晶體管的溝道區(qū)位于距這些一個(gè)一個(gè)的象素電極的角部最遠(yuǎn)的位置上，換言之，在設(shè)想有四個(gè)象素電極時(shí)，一般來(lái)說(shuō)，最好是位于相鄰或相向的角部之間的正中處(其理由是，可使其距透光區(qū)域最遠(yuǎn))，而在這種場(chǎng)合，若使溝道區(qū)從包括所說(shuō)正中處在內(nèi)的相鄰象素電極之間的中間部位穿過(guò)而延伸，可使得溝道的長(zhǎng)度適當(dāng)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)這樣一種結(jié)構(gòu)，即，掃描線(xiàn)與之交叉并且該掃描線(xiàn)的寬幅部?jī)H針對(duì)所說(shuō)溝道區(qū)存在。因此，在這種場(chǎng)合，能夠同時(shí)滿(mǎn)足保證溝道的長(zhǎng)度適當(dāng)、即保證薄膜晶體管能夠很好地動(dòng)作，以及掃描線(xiàn)的窄小化、即電光裝置的高精細(xì)化乃至小型化等看來(lái)相互矛盾的要求。此外，在這種場(chǎng)合，從上述假設(shè)出發(fā)，顯然還能夠盡可能防止光入射到薄膜晶體管乃至溝道區(qū)上。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在滿(mǎn)足電光裝置高精細(xì)化要求的同時(shí)，還能夠?qū)Ρ∧ぞw管與掃描線(xiàn)乃至柵極二者配置的形態(tài)很好地進(jìn)行調(diào)整。并且，這還有助于，對(duì)除了上述掃描線(xiàn)及薄膜晶體管之外的、構(gòu)成電光裝置的各種構(gòu)成要素的配置進(jìn)行調(diào)整與確定。此外，根據(jù)本發(fā)明，還能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜晶體管的正確驅(qū)動(dòng)，由此，可使顯示圖像保持高質(zhì)量。
另外，在本發(fā)明中，所說(shuō)的“寬度較寬”是指比“窄幅部”所具有的寬度要寬，而所說(shuō)的“寬度較窄”是指比“寬幅部”所具有的寬度要窄。也就是說(shuō)，在稱(chēng)之為“寬幅部”和“窄幅部”時(shí)的具體的寬窄程度是由二者的相對(duì)關(guān)系決定的。此外，與此相關(guān)聯(lián)，寬幅部或窄幅部實(shí)際應(yīng)具有的寬度值可從理論、經(jīng)驗(yàn)、實(shí)驗(yàn)的角度、或者通過(guò)模擬等方法適當(dāng)加以決定。
在本發(fā)明的電光裝置的一個(gè)實(shí)施例中，所說(shuō)寬幅部包括自所說(shuō)窄幅部延伸而形成的部分。
根據(jù)該實(shí)施例，具有寬幅部及窄幅部的掃描線(xiàn)能夠較為容易地形成。具體地說(shuō)，例如，采用以做出使寬幅部及窄幅部成為所謂一體的圖案為前提的、公知的光刻法及腐蝕法，便能夠很容易地形成本實(shí)施例所涉及的掃描線(xiàn)。
在本發(fā)明的電光裝置的另一個(gè)實(shí)施例中，所說(shuō)寬幅部包括與所說(shuō)窄幅部相連接而形成的部分。
根據(jù)該實(shí)施例，例如，寬幅部包括將另外制作的導(dǎo)電件等連接到窄幅部上而形成的部分。在這種場(chǎng)合，也能夠較為容易地形成寬幅部。
在本發(fā)明的電光裝置的另一個(gè)實(shí)施例中，所說(shuō)掃描線(xiàn)在與所說(shuō)溝道區(qū)的延伸方向相交叉的方向上延伸，所說(shuō)寬幅部在該溝道區(qū)延伸方向的一個(gè)方向或兩個(gè)方向上延伸。
根據(jù)該實(shí)施例，寬幅部是在溝道區(qū)延伸的一個(gè)方向或兩個(gè)方向上延伸的，因此，薄膜晶體管與掃描線(xiàn)二者配置的形態(tài)能夠調(diào)整得更好。此外，根據(jù)該實(shí)施例，是與溝道的長(zhǎng)度相應(yīng)地形成適當(dāng)?shù)臇艠O的，因此，能夠更有效地對(duì)溝道區(qū)施加電場(chǎng)。
此外，根據(jù)如上所述將作為寬幅部的柵極以所謂跟隨地將成為溝道區(qū)的部位進(jìn)行設(shè)置的實(shí)施例，例如，使得所謂自調(diào)整式薄膜晶體管的形成(即，以柵極為掩膜，通過(guò)離子注入工藝而形成與溝道區(qū)相鄰的源區(qū)和漏區(qū))易于實(shí)現(xiàn)。但此時(shí)，嚴(yán)格地講，是在形成作為柵極的寬幅部之后，通過(guò)所說(shuō)離子注入工藝而形成溝道區(qū)的。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，所說(shuō)象素電極呈矩陣狀排列，從俯視角度看過(guò)去，所說(shuō)溝道區(qū)形成在從將所說(shuō)掃描線(xiàn)夾在中間而相鄰的象素電極之間穿過(guò)而延伸的長(zhǎng)條狀第1間隙、與從將所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)夾在中間而相鄰的象素電極之間穿過(guò)而延伸的長(zhǎng)條狀第2間隙相交叉的交點(diǎn)區(qū)域內(nèi)。
該實(shí)施例與已敘述的實(shí)施例類(lèi)似，是本發(fā)明的效果能夠最有效地得到發(fā)揮的實(shí)施例之一。
即，根據(jù)該實(shí)施例，薄膜晶體管的溝道區(qū)是在呈矩陣狀排列多個(gè)的象素電極處形成于其交點(diǎn)區(qū)域內(nèi)的。其中，所說(shuō)的交點(diǎn)區(qū)域是指從俯視角度看過(guò)去，從將所說(shuō)掃描線(xiàn)夾在中間而相鄰的象素電極之間穿過(guò)而延伸的長(zhǎng)條狀第1間隙、與從將所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)夾在中間而相鄰的象素電極之間穿過(guò)而延伸的長(zhǎng)條狀第2間隙二者相交叉的區(qū)域。按照這種結(jié)構(gòu)，將處于光難以射入該溝道區(qū)的狀態(tài)。
并且，在具有這種效果的同時(shí)，掃描線(xiàn)具有與所說(shuō)溝道區(qū)相向的、作為柵極的寬幅部，因此，不僅溝道區(qū)乃至薄膜晶體管與柵極乃至掃描線(xiàn)二者配置的形態(tài)能夠達(dá)到最佳，而且還能夠保證溝道的長(zhǎng)度適當(dāng)、以及實(shí)現(xiàn)掃描線(xiàn)的窄小化。
在該實(shí)施例中，特別是，所說(shuō)窄幅部形成于自所說(shuō)第1間隙的中央偏離的位置上，所說(shuō)寬幅部在所說(shuō)交點(diǎn)區(qū)域內(nèi)形成于所說(shuō)第1間隙的中央。
按照這種結(jié)構(gòu)，掃描線(xiàn)的窄幅部雖然是以從相鄰的象素電極之間穿過(guò)的狀態(tài)存在，但并不存在于其中央而形成于自該中央偏離的位置上。因此，首先第1，能夠?qū)崿F(xiàn)圖像顯示質(zhì)量的提高。這一點(diǎn)特別是對(duì)于作為電光裝置的一個(gè)例子的液晶顯示裝置等更是如此，其理由如下所述。
即，作為本實(shí)施例，其著眼點(diǎn)在于，其一，當(dāng)對(duì)所說(shuō)液晶顯示裝置中通常設(shè)置的取向膜上的凸部，特別是對(duì)起因于所說(shuō)窄幅部的“高度”而產(chǎn)生的凸部進(jìn)行磨擦處理時(shí)，會(huì)在該凸部上形成磨擦斑紋；其二，在所說(shuō)凸部上，進(jìn)行磨擦?xí)r的上磨(即，沿凸部上升的方向)部分和下磨(即，沿凸部下降的方向)部分，二者的所說(shuō)斑紋存在著程度上的差異。
更具體地說(shuō)，例如，所說(shuō)上磨部分與所說(shuō)下磨部分相比，不容易產(chǎn)生所說(shuō)斑紋。
并且，若如上所述的斑紋任其存在，有時(shí)會(huì)導(dǎo)致液晶取向不良等現(xiàn)象發(fā)生，成為電光裝置動(dòng)作不良的原因。就上述上磨及下磨之間斑紋程度的差異而言，后者與前者相比，引起液晶取向不良等的可能性要大。
在這里，本實(shí)施例中窄幅部形成于自所說(shuō)象素電極之間的第1間隙的中央偏離的位置，這一點(diǎn)具有積極的意義。即，當(dāng)使窄幅部在這種位置上形成時(shí)，起因于該窄幅部而產(chǎn)生的凸部的頂點(diǎn)也將形成于自第1間隙的中央偏離的位置上，這意味著，能夠做成在與該第1間隙相對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)只有該凸部的大約半個(gè)斜面存在的結(jié)構(gòu)，即，在該區(qū)域內(nèi)只存在有所說(shuō)下磨部分的結(jié)構(gòu)。并且，在這種場(chǎng)合，若將遮光膜與所說(shuō)第1間隙相對(duì)應(yīng)地設(shè)置，則能夠做到僅對(duì)所說(shuō)下磨部分有效地進(jìn)行遮光、即對(duì)被認(rèn)為斑紋的影響最大的凸部的這一部分有效地進(jìn)行遮光。
綜上所述，根據(jù)本實(shí)施例，幾乎不會(huì)因斑紋的影響而發(fā)生電光裝置動(dòng)作不良的現(xiàn)象，而且，對(duì)于被認(rèn)為斑紋不容易產(chǎn)生影響的凸部的上磨部分，可使其保持能夠使有助于圖像顯示的光透過(guò)的原有狀態(tài)不變，因此，能夠提高象素開(kāi)口率、即可使圖像保持明亮。其結(jié)果，根據(jù)本實(shí)施例，從以上所說(shuō)的意義上來(lái)說(shuō)，能夠?qū)崿F(xiàn)圖像顯示質(zhì)量的提高。
此外，通過(guò)使窄幅部形成于自第1間隙的中央偏離的位置上，則第2，能夠提高電光裝置的設(shè)計(jì)自由度，并且能夠更為有效地防止光入射到薄膜晶體管上。其理由如下所述。
即，本實(shí)施例中的窄幅部雖然是以從相鄰的象素電極之間的第1間隙穿過(guò)而存在，但并不存在于其中央。因此，例如，通過(guò)利用第1間隙區(qū)域中未設(shè)置窄幅部的區(qū)域，從俯視角度看過(guò)去，能夠與該窄幅部相平行地配設(shè)由與該窄幅部同一個(gè)膜構(gòu)成的電容線(xiàn)等其它配線(xiàn)。即，設(shè)計(jì)自由度得以提高。
此外，在上述場(chǎng)合，盡管窄幅部偏離于中央線(xiàn)，但對(duì)于寬幅部，通過(guò)調(diào)整其加寬的程度，例如，僅使其一側(cè)加寬，或者使一側(cè)加寬的程度大而另一側(cè)加寬的程度小，便能夠?qū)⒆鳛闁艠O的寬幅部設(shè)置在間隙中央。由于如上所述，能夠?qū)艠O不靠近掃描線(xiàn)地配置在對(duì)提高遮光性恰到好處的位置上，或者在將柵極配置在對(duì)提高遮光性恰到好處的位置上的同時(shí)，將掃描線(xiàn)配置在間隙內(nèi)的任意位置上，因此，最終的結(jié)果，能夠提高包括掃描線(xiàn)的配置在內(nèi)的配線(xiàn)配置的自由度從而實(shí)現(xiàn)本質(zhì)上遮光性高的薄膜晶體管。
作為這種結(jié)構(gòu)，還可以使所說(shuō)寬幅部在所說(shuō)交點(diǎn)區(qū)域內(nèi)形成于所說(shuō)第2間隙的中央。
按照這種結(jié)構(gòu)，作為溝道區(qū)，根據(jù)前面的說(shuō)明，在設(shè)想具有4個(gè)象素電極的場(chǎng)合，在相鄰或相向的、距該電極的角部最遠(yuǎn)的位置上形成。即，處于光難以入射到該溝道區(qū)的狀態(tài)。
在本發(fā)明的電光裝置的另一個(gè)實(shí)施例中，在所說(shuō)基板上沿所說(shuō)掃描線(xiàn)開(kāi)有槽，所說(shuō)掃描線(xiàn)至少局部性地直接或中間隔著層間絕緣膜埋設(shè)在該槽內(nèi)。
根據(jù)該實(shí)施例，由于掃描線(xiàn)埋設(shè)在基板上所形成的槽內(nèi)，因此，能夠防止由于該掃描線(xiàn)自身所具有的高度，而在作為其上層而形成的層間絕緣膜或象素電極及取向膜等的表面上產(chǎn)生臺(tái)階。即，能夠使該表面具有極為良好的平坦性。并且，當(dāng)如上所述使取向膜等的表面平坦時(shí)，能夠?qū)υ撊∠蚰ず芎玫貙?shí)施磨擦處理，使與該取向膜接觸的液晶分子保持良好的取向狀態(tài)。因此，根據(jù)本實(shí)施例，能夠減少發(fā)生取向不良的可能性，極大地防止因該取向不良而產(chǎn)生漏光等現(xiàn)象，因此，能夠顯示高質(zhì)量的圖像。
本發(fā)明的電光裝置的另一個(gè)實(shí)施例中，所說(shuō)窄幅部具有埋設(shè)在所說(shuō)槽內(nèi)并沿所說(shuō)掃描線(xiàn)延伸的埋入部分、以及未埋設(shè)在所說(shuō)槽內(nèi)并與所說(shuō)埋入部分并排沿所說(shuō)掃描線(xiàn)延伸的非埋入部分，由于該非埋入部分的存在，所說(shuō)象素電極的基底沿所說(shuō)掃描線(xiàn)隆起。
根據(jù)該實(shí)施例，所說(shuō)窄幅部具有埋入部和非埋入部。并且，這些埋入部和非埋入部均沿掃描線(xiàn)延伸，由于其中的非埋入部分的存在，所說(shuō)象素電極的基底是沿所說(shuō)掃描線(xiàn)隆起的。
據(jù)此，首先與埋入部相關(guān)聯(lián)，上述平坦化的效果同樣可以得到。即，作為該埋入部上的上層而形成的層間絕緣膜、或者象素電極及取向膜等的表面將呈現(xiàn)良好的平坦性，能夠減少在該部位發(fā)生取向不良等現(xiàn)象的可能性。
其次，與非埋入部相關(guān)聯(lián)，在作為該非埋入部的上層而形成的所說(shuō)取向膜等的表面將形成包括沿掃描線(xiàn)形成的凸部的臺(tái)階，因此，不能夠得到上述平坦化可帶來(lái)的效果，盡管如此，具有如下所述的優(yōu)點(diǎn)。
首先，作為本發(fā)明所涉及的電光裝置，為了達(dá)到在防止液晶老化、延長(zhǎng)裝置壽命等的同時(shí)減少顯示圖像上的串?dāng)_和閃爍等的目的，有時(shí)，在將所說(shuō)象素電極分為兩個(gè)組的基礎(chǔ)上，采用對(duì)它們以各自不同的周期進(jìn)行倒相驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)方法。即，將包括在第1周期對(duì)其進(jìn)行倒相驅(qū)動(dòng)的第1象素電極組、以及在第1周期之外的第2周期對(duì)其進(jìn)行倒相驅(qū)動(dòng)的第2象素電極組的象素電極在基板上呈平面排列；存在有(i)進(jìn)行倒相驅(qū)動(dòng)時(shí)在各個(gè)時(shí)刻以彼此極性相反的驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的相鄰的象素電極、以及(ii)在進(jìn)行倒相驅(qū)動(dòng)時(shí)在各個(gè)時(shí)刻以彼此極性相同的驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的相鄰的象素電極二者。其中，當(dāng)屬于所說(shuō)(i)的象素電極在順沿于數(shù)據(jù)線(xiàn)的方向上排列，屬于所說(shuō)(ii)的象素電極在順沿于掃描線(xiàn)的方向上排列時(shí)，對(duì)于在順沿于某一掃描線(xiàn)的方向上排列的象素電極以-極性進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，而對(duì)于順沿于與所說(shuō)某一掃描線(xiàn)相鄰的其它掃描線(xiàn)的方向上排列的象素電極以與所說(shuō)-極性相反的極性進(jìn)行驅(qū)動(dòng)(所謂“1H倒相驅(qū)動(dòng)”)。
但是，在這種場(chǎng)合，在順沿于數(shù)據(jù)線(xiàn)而相鄰的象素電極之間，會(huì)產(chǎn)生由于以極性相反的驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)而產(chǎn)生的橫向電場(chǎng)。這種橫向電場(chǎng)有可能使產(chǎn)生于象素電極以及相向電極之間的電場(chǎng)(相對(duì)于所說(shuō)橫向電場(chǎng)被稱(chēng)作“縱向電場(chǎng)”)產(chǎn)生紊亂，其結(jié)果，難以使液晶分子的取向狀態(tài)達(dá)到所希望的狀態(tài)，有可能對(duì)圖像顯示產(chǎn)生影響。
而在本實(shí)施例中，對(duì)于有可能發(fā)生上述不良現(xiàn)象的場(chǎng)合，形成于象素電極的基底上的、順沿于掃描線(xiàn)的凸部將具有特別的意義。
即，第1，若假設(shè)各象素電極的邊緣部形成于所說(shuō)臺(tái)階上，則在各象素電極與相向電極之間產(chǎn)生的縱向電場(chǎng)與相鄰的象素電極(特別是屬于不同象素電極組的象素電極)之間產(chǎn)生的橫向電場(chǎng)相比，相對(duì)得到增強(qiáng)。即，一般來(lái)說(shuō)，電場(chǎng)是隨著電極之間距離的縮短而增強(qiáng)的，因此，與臺(tái)階的高度相應(yīng)地，象素電極的邊緣部向相向電極靠近，使得產(chǎn)生于二者之間的縱向電場(chǎng)得到增強(qiáng)。第2，無(wú)論各象素電極的邊緣部是否位于該臺(tái)階上，由于相鄰象素電極(特別是屬于不同象素電極組的象素電極)之間所產(chǎn)生的橫向電場(chǎng)，因臺(tái)階的存在而與臺(tái)階介電常數(shù)的大小相應(yīng)地減弱，并使得橫向電場(chǎng)所從中通過(guò)的電光物質(zhì)的體積(被臺(tái)階局部性置換的結(jié)果)減小，從而也能夠減弱該橫向電場(chǎng)對(duì)電光物質(zhì)的作用。因此，能夠減少因倒相驅(qū)動(dòng)而產(chǎn)生的橫向電場(chǎng)所引起的液晶取向不良等電光物質(zhì)動(dòng)作不良現(xiàn)象的發(fā)生。此時(shí)，象素電極的邊緣部既可以如上所述位于臺(tái)階上，也可以不位于臺(tái)階上，還可以位于臺(tái)階的傾斜的或大致垂直的側(cè)面的中途位置上。
加之，由于用來(lái)將電光物質(zhì)的動(dòng)作不良部位隱藏起來(lái)的遮光膜也可以做得較小，因此，還能夠在不會(huì)出現(xiàn)漏光等圖像不良現(xiàn)象的情況下提高各象素的開(kāi)口率。
如以上所說(shuō)明的，根據(jù)本實(shí)施例，第一，由于埋入部的存在，能夠得到前述平坦化所帶來(lái)的效果，同時(shí)，第二，由于非埋入部的存在，將形成包括順沿于掃描線(xiàn)的凸部的臺(tái)階，因此，能夠得到防止產(chǎn)生橫向電場(chǎng)的效果。
在本發(fā)明的電光裝置的另一個(gè)實(shí)施例中，還具有與所說(shuō)象素電極相連接的、構(gòu)成儲(chǔ)能電容的象素電位側(cè)電容電極，以及包括在該象素電位側(cè)電容電極上中間隔著電介質(zhì)膜相向配置的、構(gòu)成所說(shuō)儲(chǔ)能電容的固定電位側(cè)電容電極的電容線(xiàn)，所說(shuō)電容線(xiàn)具有沿所說(shuō)掃描線(xiàn)延伸的本體部和沿所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸的部分，所說(shuō)電容線(xiàn)上的沿所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸的部分的寬度與該數(shù)據(jù)線(xiàn)的寬度相比相同或更寬。
根據(jù)該實(shí)施例，象素電極上，有由象素電位側(cè)電容電極與固定電位側(cè)電容電極二者相向配置而成的儲(chǔ)能電容與之連接，因此，寫(xiě)入象素電極的圖像信號(hào)的電壓能夠長(zhǎng)期得到保持。并且特別是，在本實(shí)施例中，通過(guò)使電容線(xiàn)上的沿所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸的部分的寬度與該數(shù)據(jù)線(xiàn)的寬度相比相同或更寬，可使得電容線(xiàn)的電阻較小。此外，在本實(shí)施例中，由于能夠如上所述實(shí)現(xiàn)電容線(xiàn)低阻化，因此，從裝置總體上來(lái)說(shuō)，能夠?qū)崿F(xiàn)電容線(xiàn)的窄小化，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)能電容的窄小化，其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)開(kāi)口率的提高。其中，當(dāng)說(shuō)到“電容線(xiàn)的窄小化”時(shí)，電容線(xiàn)是以本身寬度與數(shù)據(jù)線(xiàn)寬度相同、或者“更寬”地形成的，因此，初看似乎矛盾，但由于此處所想象的寬度較寬與寬度較窄的概念總是由電容線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)之間的相對(duì)關(guān)系決定的，因此，從裝置總體上來(lái)說(shuō)，與以往相比，能夠?qū)崿F(xiàn)“電容線(xiàn)的窄小化”。另外，在說(shuō)到上面所說(shuō)的寬度較寬與寬度較窄、以及本發(fā)明所說(shuō)的“更寬”時(shí)的具體的寬度值，可從理論、經(jīng)驗(yàn)、實(shí)驗(yàn)的角度、或者通過(guò)模擬等方法適當(dāng)加以決定。
再有，根據(jù)本實(shí)施例，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)上述低阻化，而且能夠比以往更有效地防止光入射到薄膜晶體管、特別是其溝道區(qū)上。之所以如此，也是由于前面已說(shuō)明的，雖說(shuō)在過(guò)去，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)被數(shù)據(jù)線(xiàn)的背面等反射的光變成迷散光并最終入射到薄膜晶體管上的情形，而根據(jù)本實(shí)施例，即便是這樣的迷散光，由于與數(shù)據(jù)線(xiàn)的寬度相同或更寬地形成的電容線(xiàn)的存在，該光的行進(jìn)受到遮擋的可能性增加。
從以上所述可知，根據(jù)本發(fā)明，由于實(shí)現(xiàn)了電容線(xiàn)的低阻化，過(guò)去成為問(wèn)題的串?dāng)_和燒接等問(wèn)題發(fā)生的可能性減小。此外，由于薄膜晶體管中產(chǎn)生光致漏電流的可能性減小，因而能夠顯示高質(zhì)量的圖像。
此外，本發(fā)明中，由于電容線(xiàn)上存在有沿所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸的部分，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)儲(chǔ)能電容的增大。這對(duì)顯示高質(zhì)量的圖像也有很大幫助。
為了能夠更好地發(fā)揮上面所說(shuō)的遮光作用，作為構(gòu)成電容線(xiàn)的材料，只要具有優(yōu)異的遮光性能即可。例如，包括Al(鋁)、Cu(銅)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、W(鎢)、Ta(鉭)、Mo(鉬)等中的至少一種的金屬單體、合金、金屬硅化物、多晶硅化物、將其疊層而成的材料等能夠很好地使用。除此之外，例如也可以使用多晶硅等具有吸光性的材料。
該實(shí)施例中，所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)這樣構(gòu)成即可，即，其與所說(shuō)薄膜晶體管重疊的部分是局部加寬地形成，所說(shuō)電容線(xiàn)上的沿所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸的部分的寬度以比所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)上的不是寬度較寬地形成的部分的寬度寬、且與所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)上的所說(shuō)寬度較寬地形成的部分的寬度相同。
按照這種結(jié)構(gòu)，數(shù)據(jù)線(xiàn)上的與薄膜晶體管重疊的部分是局部加寬地形成。并且，該寬度較寬地形成的部分的寬度與前述電容線(xiàn)上的沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)延伸的部分的寬度相同。即，由此，在該薄膜晶體管的上方將形成均寬度較寬地形成的數(shù)據(jù)線(xiàn)和電容線(xiàn)。因此，能夠切實(shí)防止從該薄膜晶體管的上方來(lái)的光射入。
更具體地說(shuō)，例如在電容線(xiàn)由高熔點(diǎn)金屬等構(gòu)成的場(chǎng)合，單靠該電容線(xiàn)便能夠得到透光率為0.1％程度(OD(Optical Density)值為2以上)的遮光性能。但是，當(dāng)對(duì)該電容線(xiàn)實(shí)施硅化處理時(shí)，會(huì)出現(xiàn)其組成發(fā)生變化等情況，因此，其遮光性能有時(shí)會(huì)降低。在這種場(chǎng)合，有時(shí)得不到前述透光率為0.1％以上的遮光性能。
但是，在本實(shí)施例中，與由這種高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的電容線(xiàn)相重疊地還存在有數(shù)據(jù)線(xiàn)。只要采用如上所述以電容線(xiàn)及數(shù)據(jù)線(xiàn)的重疊對(duì)薄膜晶體管進(jìn)行遮光的結(jié)構(gòu)，便能夠得到與它們的透光率的求積值相當(dāng)?shù)恼诠庑阅堋＠?，在?shù)據(jù)線(xiàn)由鋁等構(gòu)成的場(chǎng)合，能夠得到透光率為0.001％以下這種程度(OD值為4以上)的遮光性能。
另外，在本實(shí)施例中，特別是，所謂電容線(xiàn)上的沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)延伸的部分的寬度較寬是指比數(shù)據(jù)線(xiàn)上的不是寬度較寬地形成的部分的寬度要寬。
或者，所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)是其與所說(shuō)薄膜晶體管重疊的部分是局部加寬地形成，所說(shuō)電容線(xiàn)上的沿所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸的部分的寬度比所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)上的不是寬度較寬地形成的部分的寬度寬、且比所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)上的所說(shuō)寬度較寬地形成的部分的寬度窄。
根據(jù)該實(shí)施例，數(shù)據(jù)線(xiàn)上的與薄膜晶體管重疊的部分是局部加寬地形成。即，由此，在該薄膜晶體管的上方將形成均加寬地形成的數(shù)據(jù)線(xiàn)和電容線(xiàn)。因此，能夠更為切實(shí)地防止從該薄膜晶體管的上方來(lái)的光射入。
另外，在本實(shí)施例中，特別是，電容線(xiàn)上的沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)延伸的部分的寬度是比寬度較寬地形成的數(shù)據(jù)線(xiàn)寬度較窄地形成。即，在該部分，數(shù)據(jù)線(xiàn)與電容線(xiàn)相比寬度較窄。于是，例如在數(shù)據(jù)線(xiàn)由反光率高的鋁等構(gòu)成的場(chǎng)合，能夠防止入射光被電光裝置內(nèi)部的某個(gè)要素反射而產(chǎn)生的迷散光、暫時(shí)從電光裝置中射出的光被該電光裝置外部的某個(gè)要素反射而再次返回電光裝置的返回光、或者在設(shè)置有多個(gè)電光裝置的可顯示彩色的液晶投影儀等投影式顯示裝置中從其它電光裝置射出的光返回該電光裝置的返回光等被所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)反射而使迷散光增強(qiáng)。這是由于，數(shù)據(jù)線(xiàn)上的寬度較寬地形成的部分與電容線(xiàn)相比，是相對(duì)寬度較窄地形成的緣故。
作為具有如上所述與薄膜晶體管重疊的部分寬度較寬地形成的數(shù)據(jù)線(xiàn)的實(shí)施例，只要這樣構(gòu)成即可，即，所說(shuō)電容線(xiàn)位于所說(shuō)薄膜晶體管與所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)之間的積層位置上，所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)，除了與所說(shuō)薄膜晶體管重疊的部分之外，設(shè)有與所說(shuō)薄膜晶體管進(jìn)行連接用的連接孔的部分也是寬度較寬地形成的。
按照這種結(jié)構(gòu)，即使因該連接孔而無(wú)法設(shè)置作為遮光膜的電容線(xiàn)，但對(duì)于遮光性能因此而相應(yīng)地降低的程度，仍能夠通過(guò)使數(shù)據(jù)線(xiàn)寬度較寬地形成而得到彌補(bǔ)。
或者也可以這樣構(gòu)成，即，所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)按照每個(gè)所說(shuō)薄膜晶體管，從與所說(shuō)薄膜晶體管重疊的部分至設(shè)有所說(shuō)連接孔的部分為止連續(xù)寬度較寬地形成。
按照這種結(jié)構(gòu)，能夠更為切實(shí)地實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜晶體管的遮光。
另外，在與薄膜晶體管重疊的部位寬度較寬地形成的部分、與在設(shè)有連接孔的部位寬度較寬地形成的部分也可以各自寬度較寬地形成。若與薄膜晶體管重疊的部分與設(shè)有連接孔的部分靠近配置，并且如該實(shí)施例這樣連續(xù)寬度較寬地形成，則不必一味地加大寬度較寬地形成的區(qū)域，因此，從避免增加內(nèi)表面的反射作用的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)是有利的。
根據(jù)本發(fā)明的電光裝置的另一個(gè)實(shí)施例，還具有在所說(shuō)基板上中間隔著電光物質(zhì)相向配置的其它基板、以及形成于該其它基板上的遮光膜，所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)及所說(shuō)電容線(xiàn)上的沿所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸的部分的寬度比所說(shuō)遮光膜的寬度窄。
根據(jù)該實(shí)施例，能夠形成這樣一種結(jié)構(gòu)，即，假設(shè)光從所說(shuō)其它基板射入，則從該光射入側(cè)起按順序疊層遮光膜、數(shù)據(jù)線(xiàn)、以及電容線(xiàn)而成的結(jié)構(gòu)。在這里，其中的前者的寬度比后二者的寬度寬。即，入射光，其行進(jìn)受到寬度更寬的遮光膜的阻擋，而只有從中穿過(guò)的光到達(dá)數(shù)據(jù)線(xiàn)及電容線(xiàn)上。繼而，在穿過(guò)遮光膜的光到達(dá)數(shù)據(jù)線(xiàn)及電容線(xiàn)上的場(chǎng)合，能夠期望通過(guò)上述數(shù)據(jù)線(xiàn)及電容線(xiàn)發(fā)揮前述的遮光功能。也就是說(shuō)，根據(jù)本實(shí)施例，能夠進(jìn)一步提高薄膜晶體管的耐光性，進(jìn)一步減小產(chǎn)生光致漏電流的可能性。
另外，本實(shí)施例中所說(shuō)的“遮光膜”，例如，只要所說(shuō)象素電極呈矩陣狀排列，便可將其做成從該象素電極的間隙中穿過(guò)的條狀或者方格狀。此外，根據(jù)情況，該遮光膜也可以作為由鉻或氧化鉻等吸光性材料及鋁等反光性材料構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)而形成。
本發(fā)明的電子設(shè)備以具有上述本發(fā)明的電光裝置(包括其各種實(shí)施例)而構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備，例如，以具有能夠如上所述對(duì)薄膜晶體管與掃描線(xiàn)二者配置的形態(tài)適宜地進(jìn)行調(diào)整的電光裝置而構(gòu)成，由此，能夠提供一種薄膜晶體管可準(zhǔn)確工作并因此而能夠顯示高質(zhì)量圖像的、諸如下列各種電子設(shè)備，即，液晶投影儀、液晶電視、移動(dòng)電話(huà)、電子筆記本、文字處理器、取景器式或監(jiān)視器直觀式攝像機(jī)、工作站、可視電話(huà)、POS終端、觸摸屏等等。
通過(guò)下面所說(shuō)明的實(shí)施方式可清楚了解本發(fā)明的上述作用及其它優(yōu)點(diǎn)。


圖1是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式的電光裝置中構(gòu)成圖像顯示區(qū)域的矩陣狀的多個(gè)象素中所設(shè)置的各種元器件、配線(xiàn)等的等值電路加以展示的電路圖。
圖2是本發(fā)明實(shí)施方式的電光裝置中已形成有數(shù)據(jù)線(xiàn)、掃描線(xiàn)、象素電極等的TFT陣列基板的相鄰的多個(gè)象素組的俯視圖。
圖3是圖2的A-A’剖視圖。
圖4是僅示出圖2所示掃描線(xiàn)的形狀圖案的俯視圖。
圖5是類(lèi)似于圖2的附圖，與該圖相比，示出的是掃描線(xiàn)與TFT的配置關(guān)系有所不同的實(shí)施例。
圖6是僅示出圖5所示掃描線(xiàn)的形狀圖案的俯視圖。
圖7是圖5的B-B’剖視圖。
圖8是類(lèi)似于圖2的附圖，與該圖相比，示出的是在TFT陣列基板上形成有槽以及掃描線(xiàn)埋設(shè)在該槽內(nèi)等方面有所不同的實(shí)施例。
圖9是對(duì)圖8所示掃描線(xiàn)的窄幅部的狀況加以展示的剖視圖。
圖10是類(lèi)似于圖2的附圖，與該圖相比，示出的是在TFT陣列基板上形成有槽以及掃描線(xiàn)的一部分埋設(shè)在該槽內(nèi)等方面有所不同的實(shí)施例。
圖11是對(duì)圖10所示掃描線(xiàn)的窄幅部的狀況加以展示的剖視圖。
圖12是圖10的T-T’剖視圖。
圖13是對(duì)橫向電場(chǎng)的產(chǎn)生機(jī)理進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。
圖14是類(lèi)似于圖2的附圖，與該圖相比，示出的是在TFT陣列基板上形成有槽以及該掃描線(xiàn)的窄幅部是自第1間隙的中央偏離地形成等方面有所不同的實(shí)施例。
圖15是圖14的T-T’剖視圖。
圖16是類(lèi)似于圖2的附圖，與該圖相比，示出的是數(shù)據(jù)線(xiàn)的形式有所不同的實(shí)施例。
圖17是圖16的P-P’剖視圖。
圖18是圖16的Q-Q’剖視圖。
圖19是圖16的R-R’剖視圖。
圖20是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式的電光裝置中的TFT陣列基板，連同形成于該基板上的各構(gòu)成要素一起從相向基板一側(cè)看過(guò)去時(shí)的俯視圖。
圖21是圖20的H-H’剖視圖。
圖22是對(duì)本發(fā)明的電子設(shè)備實(shí)施方式的投射式彩色顯示裝置之一例的彩色液晶投影儀加以展示的示意性剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式結(jié)合附圖進(jìn)行說(shuō)明。以下的實(shí)施方式是將本發(fā)明的電光裝置應(yīng)用于液晶裝置的實(shí)施方式。
首先，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式中電光裝置的象素部處的結(jié)構(gòu)結(jié)合圖1至圖4進(jìn)行說(shuō)明。其中，圖1是構(gòu)成電光裝置的圖像顯示區(qū)域10a的呈矩陣狀形成的多個(gè)象素中的各種元器件、配線(xiàn)等的等值電路。圖2是形成有數(shù)據(jù)線(xiàn)、掃描線(xiàn)、象素電極等的TFT陣列基板的相鄰的多個(gè)象素組的俯視圖。圖3是圖2的A-A’剖視圖。在圖3中，為了使各層、各構(gòu)件具有能夠從圖上加以識(shí)別的大小，該各層、各構(gòu)件的放大比例各不相同。另外，圖4是將圖2所示掃描線(xiàn)單獨(dú)抽出以展示其形狀的俯視圖。
圖1中，在本發(fā)明實(shí)施方式中構(gòu)成電光裝置的圖像顯示區(qū)域的呈矩陣狀形成的多個(gè)象素中，分別形成有象素電極9a和對(duì)該象素電極9a進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的TFT30，提供圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)線(xiàn)6a與該TFT30的源極在電氣上相連接。向數(shù)據(jù)線(xiàn)6a中寫(xiě)入的圖像信號(hào)S1、S2、……、Sn，既可以按此順序按照線(xiàn)的次序供給，也可以對(duì)相鄰的多個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)6a，以組為單位供給。
此外，TFT 30的柵極上有掃描線(xiàn)330a在電氣上與之相連接，以既定的時(shí)序，將掃描信號(hào)G1、G2、……、Gm以此順序按照線(xiàn)的次序施加在掃描線(xiàn)330a上。象素電極9a與TFT30的漏極在電氣上相連接，通過(guò)使作為開(kāi)關(guān)器件的TFT30僅在一定時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通，將數(shù)據(jù)線(xiàn)6a供給的圖像信號(hào)S1、S2、……、Sn以既定的時(shí)序?qū)懭搿?br> 經(jīng)由象素電極9a寫(xiě)入作為電光物質(zhì)之一例的液晶中的、既定電平的圖像信號(hào)S1、S2、……、Sn在與形成于相向基板上的相向電極之間被保持一定時(shí)間。作為液晶，按照所施加的電壓電平其分子的取向與秩序發(fā)生變化，從而能夠?qū)膺M(jìn)行調(diào)制、進(jìn)行色調(diào)顯示。若屬于基準(zhǔn)白電平模式，則相應(yīng)于以各象素為單位施加的電壓，入射光的透光率減小，若屬于基準(zhǔn)黑電平模式，則相應(yīng)于以各象素為單位施加的電壓，入射光的透光率增加，作為一個(gè)整體，從電光裝置射出具有相應(yīng)于圖像信號(hào)的對(duì)比度的光。
為了防止此時(shí)被保持的圖像信號(hào)發(fā)生衰減，與象素電極9a和相向電極之間所形成的液晶電容相并聯(lián)地加有儲(chǔ)能電容70。
下面，對(duì)通過(guò)所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)6a、掃描線(xiàn)330a、TFT30等實(shí)現(xiàn)如上所述的電路動(dòng)作的電光裝置的、更具體的結(jié)構(gòu)結(jié)合圖2和圖3進(jìn)行說(shuō)明。
首先，本實(shí)施方式所涉及的電光裝置如在圖2的A-A’剖視圖之圖3中所示，具有TFT陣列基板10、以及與其相向配置的透明的相向基板20。TFT陣列基板10例如由石英基板、玻璃基板、硅基板構(gòu)成，相向基板20例如由玻璃基板或石英基板構(gòu)成。
如圖3所示，在TFT陣列基板10上設(shè)有象素電極9a，在其上側(cè)設(shè)有經(jīng)過(guò)磨擦處理等既定的取向處理的取向膜16。象素電極9a例如由ITO(Indium Tin Oxide)膜等透明導(dǎo)電性膜構(gòu)成。
另一方面，在相向基板20上，在其整個(gè)面上設(shè)有相向電極21，在其下側(cè)設(shè)有經(jīng)過(guò)磨擦處理等既定的取向處理的取向膜22。相向電極21例如由ITO膜等透明導(dǎo)電性膜構(gòu)成。
其次，在圖2中，在電光裝置的TFT陣列基板10上設(shè)有呈矩陣狀設(shè)置的多個(gè)象素電極9a(用虛線(xiàn)9a′示出其輪廓)，設(shè)有各自沿著象素電極9a的縱橫向邊界設(shè)置的鋁膜數(shù)據(jù)線(xiàn)6a及多晶硅膜掃描線(xiàn)330a。
掃描線(xiàn)330a是與多晶硅膜半導(dǎo)體層1a中的在圖中以向右上傾斜的斜線(xiàn)標(biāo)出的區(qū)域表示的溝道區(qū)1a′相向地配置的，掃描線(xiàn)330a發(fā)揮柵極的功能。即，在掃描線(xiàn)330a與數(shù)據(jù)線(xiàn)6a二者的交叉處，分別設(shè)置有在溝道區(qū)1a′上有掃描線(xiàn)330a的寬幅部331a(后述)作為柵極相向配置的象素開(kāi)關(guān)用TFT30。換言之，作為本實(shí)施方式中的TFT30，即便是其中的溝道區(qū)1a′，在呈矩陣狀排列多個(gè)的象素電極9a中，也是形成于其交叉點(diǎn)區(qū)域內(nèi)的。在這里，所謂交叉點(diǎn)區(qū)域是從俯視角度看過(guò)去，從將所說(shuō)掃描線(xiàn)夾在中間而相鄰的象素電極9a之間穿過(guò)而延伸的長(zhǎng)條狀第1間隙(圖2中為X方向)、與從將所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)6a夾在中間而相鄰的象素電極9a之間穿過(guò)而延伸的長(zhǎng)條狀第2間隙(圖2中為Y方向)二者相交叉的區(qū)域。更具體地說(shuō)，若參照?qǐng)D2，例如，分別距位于左上方的象素電極9a的右下角部位、位于右上方的象素電極9a的左下角部位、位于左下方的象素電極9a的右上角部位、以及位于右下方的象素電極9a的左上角部位最遠(yuǎn)的位置即屬于該區(qū)域。若使TFT30形成于上述位置上，則將處于光難以入射到該TFT30的溝道區(qū)1a′上的狀態(tài)。
TFT30如圖3所示，具有LDD(Lightly doped Drain)結(jié)構(gòu)，作為其構(gòu)成要素，具有在如上所述作為柵極發(fā)揮功能的掃描線(xiàn)330a提供的電場(chǎng)的作用下形成溝道的半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)1a′、包括將掃描線(xiàn)330a與半導(dǎo)體層1a之間絕緣的柵極絕緣膜的絕緣膜2、以及半導(dǎo)體層1a中的低濃度源區(qū)1b和低濃度漏區(qū)1c以及高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e。
另外，作為T(mén)FT30，以具有圖3所示的LDD結(jié)構(gòu)為宜，但也可以具有低濃度源區(qū)1b和低濃度漏區(qū)1c中不摻雜雜質(zhì)的補(bǔ)償(offset)結(jié)構(gòu)，還可以是，以由掃描線(xiàn)330a的一部分構(gòu)成的柵極作為掩膜以高濃度摻雜雜質(zhì)、靠自我調(diào)整而形成高濃度源區(qū)和高濃度漏區(qū)的自調(diào)整型TFT。此外，本實(shí)施方式中，是象素開(kāi)關(guān)用TFT30的柵極在高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e之間僅配置有一個(gè)的單柵極結(jié)構(gòu)，但也可以在它們之間配置兩個(gè)以上的柵極，從而構(gòu)成雙柵極或者三柵極以上的TFT。此外，構(gòu)成TFT30的半導(dǎo)體層1a并不限于多晶硅膜，也可以是非晶形硅膜或單晶硅膜。單晶硅膜的形成可采用貼合法等公知的方法。當(dāng)半導(dǎo)體層1a由單晶硅膜構(gòu)成時(shí)，特別是能夠?qū)崿F(xiàn)周邊電路的高性能化。
在這里，本實(shí)施方式中，特別是，作為該TFT30的柵極發(fā)揮功能的所說(shuō)掃描線(xiàn)330a如圖2所示，其作為該柵極而發(fā)揮功能的部分、即與TFT30的溝道區(qū)1a′相向地存在的部分，與其它部分相比，是以更寬的寬度形成的。即，在圖2中，掃描線(xiàn)330a具有與圖2中沿Y方向延伸的溝道區(qū)1a′相對(duì)應(yīng)的、在圖2中沿Y方向延伸的寬幅部331a，以及從相鄰的象素電極9a之間穿過(guò)而延伸的窄幅部332a。在圖4中，為將其形式展示得更為清楚，僅示出掃描線(xiàn)330a的形狀圖案。
另外，該掃描線(xiàn)330a的寬幅部331a在本實(shí)施方式中，是延續(xù)自窄幅部332a而形成。即，寬幅部331a與窄幅部332a可以說(shuō)是成一體形成的。這樣的形狀，例如，通過(guò)采用以形成可使該寬幅部331a和窄幅部332a成為一體的形狀(參照?qǐng)D4)圖案為前提的、公知的光刻和腐蝕等方法，可以很容易地形成。但是，本發(fā)明并不限于這種形式，例如，在窄幅部332a上連接另外制作的其它導(dǎo)電性構(gòu)件，從而形成寬幅部331a這樣一種形式也屬于本發(fā)明的范圍。
另一方面，圖1所示的儲(chǔ)能電容70如圖3所示，是使與TFT30的高濃度漏區(qū)1e和象素電極9a相連接的作為象素電位側(cè)電容電極的中間層71、以及作為固定電位側(cè)電容電極的電容線(xiàn)300的一部分，二者中間隔著電介質(zhì)膜75相向配置而形成。該儲(chǔ)能電容70的存在，能夠顯著提高象素電極9a電位保持性能。
中間層71例如由導(dǎo)電性多晶硅膜構(gòu)成，作為象素電位側(cè)電容電極發(fā)揮功能。但是，中間層71也可以與后述的電容線(xiàn)300同樣，由包括金屬或合金的單層膜或多層膜構(gòu)成。中間層71除了發(fā)揮象素電位側(cè)電容電極的功能之外，還具有以連接孔83和85為中介，對(duì)象素電極9a與TFT30的高濃度漏區(qū)1e二者進(jìn)行過(guò)渡性連接的功能。
通過(guò)這樣利用中間層71，即便層間距離大到例如2000nm的程度，也能夠避開(kāi)將二者之間通過(guò)一個(gè)連接孔進(jìn)行連接的技術(shù)難點(diǎn)，而以直徑較小的兩個(gè)以上的串聯(lián)的連接孔將二者之間良好地連接起來(lái)，可使象素開(kāi)口率得到提高。此外，還能起到連接孔開(kāi)孔時(shí)防止蝕刻層剝離的作用。
電容線(xiàn)300例如由包括金屬或合金的導(dǎo)電膜構(gòu)成，作為固定電位側(cè)電容電極發(fā)揮功能。該電容線(xiàn)300從俯視角度看過(guò)去時(shí)如圖2所示，在掃描線(xiàn)330a的形成區(qū)域內(nèi)重疊地形成。更具體地說(shuō)，電容線(xiàn)300具有，沿掃描線(xiàn)330a延伸的本體部、在圖中從與數(shù)據(jù)線(xiàn)6a交叉的各交叉處分別沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)6a向Y方向的上方突出的突出部、以及與連接孔85相對(duì)應(yīng)的部位變得很細(xì)的細(xì)窄部。其中的突出部由于利用了掃描線(xiàn)330a上的區(qū)域和數(shù)據(jù)線(xiàn)6a下的區(qū)域，因而有助于增加儲(chǔ)能電容70的形成區(qū)域。
此外，電容線(xiàn)300例如由包括Ti、Cr、W、Ta、Mo等高熔點(diǎn)金屬中的至少一種的、金屬單體、合金、金屬硅化物、多晶硅化物、將其疊層而成的材料等構(gòu)成，除了作為儲(chǔ)能電容70的固定電位側(cè)電容電極發(fā)揮功能之外，還具有在TFT30的上方將TFT30相對(duì)于入射光進(jìn)行遮光的遮光層的功能。但是，電容線(xiàn)300也可以具有例如由導(dǎo)電性多晶硅膜等構(gòu)成的第1膜和由包括高熔點(diǎn)金屬的金屬硅化物膜等構(gòu)成的第2膜二者積層而成的多層結(jié)構(gòu)。
此外，電容線(xiàn)300最好是，從配置象素電極9a的圖像顯示區(qū)域向其周?chē)由?，與恒電位源在電氣上相連接而電位恒定。作為這種恒電位源，既可以是向后述的數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路提供正電源或負(fù)電源的恒電位源，也可以是向相向基板20的相向電極21提供的恒定電位。
電介質(zhì)膜75如圖3所示，例如由膜厚為5～200nm左右的較薄的HTO(High Temperature Oxide)膜、LTO(Low Temperature Oxide)膜等氧化硅膜、或者氮化硅膜等構(gòu)成。從增加儲(chǔ)能電容70容量的角度來(lái)說(shuō)，在膜的可靠性能夠得到保證的限度內(nèi)，電介質(zhì)膜75越薄越好。
在圖2和圖3中，除了以上所述之外，在TFT30的下側(cè)設(shè)有下遮光膜11a。下遮光膜11a呈方格狀圖案形成，以此對(duì)各象素的開(kāi)口區(qū)域進(jìn)行限定。對(duì)開(kāi)口區(qū)域的限定還這樣進(jìn)行，即，使得在圖2中沿Y方向延伸的數(shù)據(jù)線(xiàn)6a和在圖2中沿X方向延伸的電容線(xiàn)300二者相交叉地形成。此外，對(duì)于下遮光膜11a，也與前述電容線(xiàn)300同樣，為避免其電位改變而對(duì)TFT30產(chǎn)生不良影響，使其從圖像顯示區(qū)域向其周?chē)由於c恒電位源連接即可。
此外，在TFT30之下，設(shè)有基底絕緣膜12。作為基底絕緣膜12，除了發(fā)揮使TFT30相對(duì)于下遮光膜11a實(shí)現(xiàn)層間絕緣的功能之外，由于是在TFT陣列基板10的整個(gè)面上形成的，因而還具有這樣的功能，即，防止對(duì)TFT陣列基板10的表面進(jìn)行研磨時(shí)研磨不勻以及進(jìn)行清洗后因殘留污物等而導(dǎo)致象素開(kāi)關(guān)用TFT30的性能發(fā)生變化。
除此之外，在掃描線(xiàn)330a之上形成有第1層間絕緣膜41，該第1層間絕緣膜41上分別開(kāi)設(shè)有通向高濃度源區(qū)1d的連接孔81、以及通向高濃度漏區(qū)1e的連接孔83。
在第1層間絕緣膜41上形成有中間層71以及電容線(xiàn)300，在它們之上形成有第2層間絕緣膜42，該第2層間絕緣膜42上分別開(kāi)設(shè)有通向高濃度源區(qū)1d的連接孔81、以及通向中間層71的連接孔85。
在本實(shí)施方式中，對(duì)于第1層間絕緣膜41，也可以通過(guò)大約1000℃的燒結(jié)，以實(shí)現(xiàn)注入構(gòu)成半導(dǎo)體層1a和掃描線(xiàn)330a的多晶硅膜中所注入的離子的活化。另一方面，對(duì)于第2層間絕緣膜42，也可以通過(guò)上述燒結(jié)，消除電容線(xiàn)300界面附近產(chǎn)生的應(yīng)力。
在第2層間絕緣膜42上形成有數(shù)據(jù)線(xiàn)6a，在它們之上形成有第3層間絕緣膜43，該第3層間絕緣膜43上形成有通向中間層71的連接孔85。
對(duì)第3層間絕緣膜43的表面，通過(guò)CMP(Chemical MechanicalPolishing)等處理使其平坦化，以減輕因存在于其下方的各種配線(xiàn)和元器件等而產(chǎn)生的臺(tái)階所導(dǎo)致的液晶層50取向不良。
但是，也可以替代如上所述對(duì)第3層間絕緣膜43實(shí)施的平坦化處理，或者在此基礎(chǔ)之上，至少在TFT陣列基板10、基底絕緣膜12、第1層間絕緣膜41以及第2層間絕緣膜42的其中之一上設(shè)置槽并將數(shù)據(jù)線(xiàn)6a等配線(xiàn)和TFT30等埋入其中，以此進(jìn)行平坦化處理。
根據(jù)做成以上所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)的本實(shí)施方式的電光裝置，如上所述，掃描線(xiàn)330a具有寬幅部331a和窄幅部332a，而且所說(shuō)寬幅部331a是與TFT30的溝道區(qū)1a′相向地設(shè)置的，因此，可使得TFT30與掃描線(xiàn)330a二者配置的形態(tài)的調(diào)整與確定變得容易。
例如，已說(shuō)明的圖2中的、TFT30及掃描線(xiàn)330a的配置關(guān)系展示了能夠滿(mǎn)足有效防止光射入TFT30的溝道區(qū)1a′的要求的最佳配置關(guān)系的一個(gè)例子，但除此之外，也能夠?qū)崿F(xiàn)例如如圖5和圖6所示的配置關(guān)系。其中，圖5是類(lèi)似于圖2的附圖，與該圖相比，示出的是TFT及掃描線(xiàn)的配置關(guān)系有所不同的實(shí)施例，圖6則與圖4同樣，是僅對(duì)圖5所示掃描線(xiàn)的形狀圖案加以展示的附圖。
在圖5和圖6中，掃描線(xiàn)330a′、更準(zhǔn)確地說(shuō)是其窄幅部332a′是形成于相對(duì)于自將掃描線(xiàn)330a′夾在中間而相鄰的象素電極9a之間穿過(guò)而延伸的長(zhǎng)條狀第1間隙的中央偏離的位置上的。并且，寬幅部331a′在圖5或圖6中是以在Y方向上僅向上方突出的形狀形成的。而溝道區(qū)1a′的配置位置、即寬幅部331a′的配置位置與圖2并無(wú)不同。
在設(shè)計(jì)成這種配置關(guān)系的場(chǎng)合，首先第1，能夠提高所顯示圖像的質(zhì)量。其理由如下。即，本實(shí)施方式所涉及的電光裝置中，雖如前所述，象素電極9a上設(shè)有取向膜16，但一般來(lái)說(shuō)在該取向膜16的表面，存在有起因于該取向膜16之下所形成的各種構(gòu)成要素的“高度”而產(chǎn)生的凹凸。這里所說(shuō)的“各種構(gòu)成要素”之中，也包括本形式所涉及的掃描線(xiàn)330’a。圖7示出圖5的B-B’剖視圖，示出起因于該掃描線(xiàn)330a′的窄幅部332a′的“高度”而產(chǎn)生的凸部501形成于取向膜16上的狀況。
而一旦形成這種凸部501，便有可能在對(duì)取向膜16實(shí)施上述磨擦處理時(shí)產(chǎn)生斑紋。該斑紋有可能導(dǎo)致液晶取向不良，成為電光裝置動(dòng)作不良的原因。因此，在過(guò)去，采取在上述凸部501附近設(shè)置遮光膜以遮擋入射光等措施，即，使得到達(dá)該遮光膜處的入射光被該遮光膜反射或吸收以避免其顯示在圖像上。
此時(shí)的問(wèn)題是，必須在滿(mǎn)足提高象素開(kāi)口率這一要求的情況下設(shè)置上述遮光膜。即，若只是簡(jiǎn)單地與凸部501相對(duì)應(yīng)地設(shè)置遮光膜，則只能使象素開(kāi)口率降低，損失圖像的亮度。若因此而僅在凸部501的極小部分上設(shè)置遮光膜，則不僅無(wú)法實(shí)現(xiàn)充分遮光而導(dǎo)致對(duì)比度降低，而且，會(huì)受到該凸部501處的所說(shuō)斑紋的影響而引起電光裝置動(dòng)作不良。
而作為本實(shí)施方式中，其著眼點(diǎn)在于，其一，在凸部501上產(chǎn)生如上所述的斑紋；其二，而且，在所說(shuō)凸部501上，進(jìn)行磨擦?xí)r的上磨(即，沿凸部501上升的方向)部分(圖7中的編號(hào)501a，以下稱(chēng)作“上磨部501a”)和下磨(即，沿凸部501下降的方向)部分(圖7中的編號(hào)501b，以下稱(chēng)作“下磨部501b”)，二者的所說(shuō)斑紋存在著程度上的差異。
更具體地說(shuō)，例如著眼于，所說(shuō)上磨部501a與所說(shuō)下磨部501b相比，不易產(chǎn)生所說(shuō)斑紋，即，下磨部501b導(dǎo)致液晶取向不良等的可能性更大。
而在本實(shí)施方式中，圖5中在掃描線(xiàn)330a′方向上相鄰的窄幅部332a′形成于自象素電極9a之間的中央(參照?qǐng)D7中的雙點(diǎn)劃線(xiàn))偏離的位置上，這是有其用意的。即，當(dāng)窄幅部332a′形成于圖7所示位置上時(shí)，起因于窄幅部332a′而產(chǎn)生的凸部501的頂點(diǎn)501P也將形成于自相鄰的象素電極9a之間的中央偏離的位置上，這意味著采用的是與該第1間隙相對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)只使該凸部501的大約半個(gè)斜面存在的結(jié)構(gòu)，即，意味著可采用在該區(qū)域上僅使所說(shuō)下磨部501b存在這樣一種結(jié)構(gòu)。并且，在這種場(chǎng)合，若將具有遮光性的電容線(xiàn)300及中間層71如圖7所示與所說(shuō)相鄰的象素電極9a之間相對(duì)應(yīng)地設(shè)置，則能夠僅對(duì)所說(shuō)下磨部501b有效地進(jìn)行遮光，即對(duì)被認(rèn)為斑紋所產(chǎn)生的影響最大的凸部501的該部分有效地進(jìn)行遮光。
按照以上說(shuō)明的結(jié)果，根據(jù)本形式，斑紋影響電光裝置動(dòng)作不良的現(xiàn)象幾乎不會(huì)發(fā)生，而且，被認(rèn)為斑紋較難產(chǎn)生不良影響的凸部501a的上磨部501a處于顯示圖像的光可以透過(guò)的原有狀態(tài)，因此，象素開(kāi)口率提高、也就是圖像明亮的原有狀況可保持不變。其結(jié)果，根據(jù)本形式，從以上所述的意義上，能夠謀求圖像顯示質(zhì)量的提高。
而且，若窄幅部332a′形成于自第1間隙的中央偏離的位置上，則第2，能夠提高電光裝置的設(shè)計(jì)自由度，而且能夠更為有效地防止光入射到TFT30上。其理由如下。
即，本形式中的窄幅部332a′以從相鄰的象素電極9a之間的第1間隙中穿過(guò)的狀況存在，但并不存在于其中央。因此，例如，通過(guò)利用第1間隙的區(qū)域中的、未設(shè)有窄幅部332a′的區(qū)域，使得從俯視的角度看過(guò)去，能夠與窄幅部332a′相平行地配設(shè)與窄幅部332a′同一個(gè)膜構(gòu)成的電容線(xiàn)300等其它配線(xiàn)。即，設(shè)計(jì)自由度得以提高。
此外，在如上所述的場(chǎng)合，盡管窄幅部332a′自中央線(xiàn)偏離，但對(duì)于寬幅部331a′，通過(guò)調(diào)整其加寬的程度，例如，僅使一側(cè)加寬、或使一側(cè)加寬的程度較大且另一側(cè)加寬的程度較小，便能夠?qū)⒆鳛闁艠O的寬幅部331a′配置在間隙的中央。在本實(shí)施方式中，如圖5和圖6所示，可知寬幅部331a′僅向一側(cè)加寬。由于能夠如上所述，將柵極不向掃描線(xiàn)330a′的位置靠近地配置在可提高遮光性的最佳位置上，或者將柵極配置在可提高遮光性的最佳位置上，同時(shí)，將掃描線(xiàn)330a′配置在間隙內(nèi)的任意位置上，因此，最終來(lái)說(shuō)，能夠提高包括掃描線(xiàn)330a′的配置在內(nèi)的配線(xiàn)配置的自由度，從而提供本質(zhì)上遮光性高的TFT30。
也就是說(shuō)，根據(jù)圖5和圖6所示的形式，在滿(mǎn)足提高顯示圖像質(zhì)量、提高設(shè)計(jì)自由度、以及減小TFT30中光致漏電流等要求的同時(shí)，還能夠?qū)系绤^(qū)1a′乃至TFT30與柵極乃至掃描線(xiàn)330a′之間的位置關(guān)系適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行調(diào)整·確定。
如以上所說(shuō)明的，根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的電光裝置，由于掃描線(xiàn)具有作為柵極的寬幅部及窄幅部，因此，在滿(mǎn)足上述各種要求和實(shí)現(xiàn)電光裝置本身的高精細(xì)化這一一般性要求的同時(shí)，還能夠?qū)系绤^(qū)乃至TFT與柵極乃至掃描線(xiàn)之間的位置關(guān)系適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行調(diào)整·確定。
(第2實(shí)施方式)下面，對(duì)本發(fā)明的第2實(shí)施方式，結(jié)合圖8至圖11進(jìn)行說(shuō)明。其中，圖8和圖10是類(lèi)似于圖2的附圖，與該圖相比，示出的是在TFT陣列基板10上形成有槽以及在該槽內(nèi)埋設(shè)掃描線(xiàn)的至少一部分等方面有所不同的實(shí)施例，圖9和圖11分別是對(duì)第2實(shí)施方式所涉及的掃描線(xiàn)的窄幅部處的狀況與其剖面一起加以展示的立體圖(圖9對(duì)應(yīng)于圖8，圖8中以Z1-Z1′線(xiàn)剖開(kāi)的剖面對(duì)應(yīng)于圖9中的Z1-Z1’剖面；而圖11對(duì)應(yīng)于圖10，圖10中以Z2-Z2’線(xiàn)剖開(kāi)的剖面對(duì)應(yīng)于圖9中的Z2-Z2’剖面)。此外，圖12是圖10的T-T’剖視圖。第2實(shí)施方式的電光裝置的基本結(jié)構(gòu)以及作用等與前述第1實(shí)施方式相同，因此，在以下的說(shuō)明中，主要就第2實(shí)施方式的特征部分進(jìn)行說(shuō)明。此外，圖8和圖12中所使用的編號(hào)，在實(shí)質(zhì)上表示相同要素的場(chǎng)合，將使用與前面說(shuō)明所參照的圖1至圖7中所使用的編號(hào)相同的編號(hào)。
首先，第2實(shí)施方式的一個(gè)實(shí)施例如圖8和圖9所示，在TFT陣列基板10上沿掃描線(xiàn)方向形成有槽3G1。該槽3G1形成于除了形成有TFT30的半導(dǎo)體層1a的區(qū)域之外的區(qū)域內(nèi)。因此，作為槽3G1，若僅著眼于它，則從俯視角度看過(guò)去，是以呈矩陣狀排列的狀態(tài)形成(參照?qǐng)D8)的。并且，掃描線(xiàn)340a是以其窄幅部342a可以說(shuō)是被完全埋設(shè)在該槽3G1內(nèi)的狀態(tài)形成(參照?qǐng)D9)。
而第2實(shí)施方式的另一個(gè)實(shí)施例如圖10和圖11所示，與所說(shuō)槽3G1大致同樣地，在TFT陣列基板10上形成有槽3G2。但是，該槽3G2，以比所說(shuō)槽3G1窄若干地形成為宜。并且，掃描線(xiàn)350a是其窄幅部352a沿該槽3G2形成的。窄幅部352a具有其一部分埋設(shè)在槽3G2內(nèi)的埋入部352aB，以及與該埋入部352aB相平行地延伸的、未埋入槽3G2內(nèi)的非埋入部352aNB。其中的埋入部352aB形成于TFT陣列基板10的表面上。
第2實(shí)施方式的一個(gè)實(shí)施例以及其它實(shí)施例如圖8和圖10所示，在TFT陣列基板10上沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)方向形成有槽6G1。并且，數(shù)據(jù)線(xiàn)6a以可以說(shuō)是被完全埋入該槽6G1內(nèi)的狀態(tài)形成。而且，在槽6G1中，半導(dǎo)體層1a也以可以說(shuō)是被完全埋入的狀態(tài)形成。
根據(jù)具有這種結(jié)構(gòu)的第2實(shí)施方式的電光裝置，可獲得如下所述的效果。首先，對(duì)于掃描線(xiàn)340a和350a之任一掃描線(xiàn)來(lái)說(shuō)，其全部或局部埋設(shè)在槽3G1或槽3G2中，因此，如圖9和圖11所示，在該埋入部分，基底絕緣膜12同掃描線(xiàn)340a與掃描線(xiàn)350a的埋入部352aB的表面高度大致相同因而保持其平坦性。由此，作為該掃描線(xiàn)340a和350a的上層而形成的第1至第3層間絕緣膜41至43，或者象素電極9a及取向膜16，其良好的平坦性也能夠得到保證。因此，根據(jù)第2實(shí)施方式，例如，由于取向膜16的表面幾乎不會(huì)產(chǎn)生沿所說(shuō)窄幅部342a或所說(shuō)埋入部352aB產(chǎn)生的臺(tái)階，因此，能夠得到如下效果，即，對(duì)于取向膜16能夠很好地實(shí)施磨擦處理，使得取向不良等現(xiàn)象幾乎不會(huì)發(fā)生，而且，因該取向不良而產(chǎn)生的漏光以及由此而產(chǎn)生的圖像質(zhì)量變差等現(xiàn)象幾乎不會(huì)發(fā)生。
這樣的效果，對(duì)于順沿于數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的部分來(lái)說(shuō)，由于槽6G1的存在，也同樣能夠得到。
此外，在圖10和圖11中，特別是由于非埋入部352aNB的存在，能夠得到如下所述的效果。下面對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
首先，作為本實(shí)施方式這樣的電光裝置，一般來(lái)說(shuō)，為了防止因施加直流電壓而導(dǎo)致電光物質(zhì)的劣化，防止顯示的圖像中產(chǎn)生串?dāng)_和閃爍，有時(shí)采用使施加在各象素電極9a上的電壓極性按照既定規(guī)律倒相的倒相驅(qū)動(dòng)方式。更具體地說(shuō)，對(duì)所謂“1H倒相驅(qū)動(dòng)方式”進(jìn)行如下說(shuō)明。
首先，如圖13(a)所示，在顯示第n(其中，n為自然數(shù))個(gè)場(chǎng)或幀的圖像信號(hào)期間，每個(gè)象素電極9a以+或-表示的液晶驅(qū)動(dòng)電壓的極性不進(jìn)行倒相，每一行各自以相同極性驅(qū)動(dòng)象素電極9a。之后如圖13(b)所示，在顯示第n+1個(gè)場(chǎng)或一幀的圖像信號(hào)時(shí)，各象素電極9a的液晶驅(qū)動(dòng)電壓的極性進(jìn)行倒相，在顯示該第n+1個(gè)場(chǎng)或一幀的圖像信號(hào)期間，每個(gè)象素電極9a各自以+或-表示的液晶驅(qū)動(dòng)電壓的極性不進(jìn)行倒相，每一行各自以相同極性驅(qū)動(dòng)象素電極9a。并且，圖13(a)和圖13(b)所示的狀態(tài)按照一場(chǎng)或一幀的周期反復(fù)出現(xiàn)。這就是以1H倒相驅(qū)動(dòng)方式進(jìn)行的驅(qū)動(dòng)。其結(jié)果，不僅能夠避免因施加直流電壓而導(dǎo)致液晶劣化，而且能夠進(jìn)行串?dāng)_和閃爍得以減輕的圖像顯示。此外，作為1H倒相驅(qū)動(dòng)方式，與后述的1S倒相驅(qū)動(dòng)方式相比，從幾乎不會(huì)在圖中縱向(Y方向)上產(chǎn)生串?dāng)_這一點(diǎn)來(lái)說(shuō)具有優(yōu)勢(shì)。
但是，由圖13(a)和圖13(b)可知，1H倒相驅(qū)動(dòng)方式中，會(huì)在圖中縱向(Y方向)上相鄰的象素電極9a之間產(chǎn)生橫向電場(chǎng)。在這些附圖中，產(chǎn)生橫向電場(chǎng)的區(qū)域C1總是在沿Y方向上相鄰的象素電極9a之間的間隙附近。當(dāng)施加有這種橫向電場(chǎng)時(shí)，會(huì)出現(xiàn)如下的問(wèn)題，即，作為可以想象會(huì)受到存在于相向的象素電極與相向電極之間的縱向電場(chǎng)(即，垂直于基板表面的電場(chǎng))的影響的電光物質(zhì)，會(huì)發(fā)生如同液晶取向不良那樣的電光物質(zhì)動(dòng)作不良現(xiàn)象，在該部位出現(xiàn)漏光等現(xiàn)象而導(dǎo)致對(duì)比度降低。
對(duì)此，雖可以將產(chǎn)生橫向電場(chǎng)的區(qū)域以遮光膜進(jìn)行遮擋，但這種做法會(huì)造成象素的開(kāi)口區(qū)域相應(yīng)于產(chǎn)生橫向電場(chǎng)的區(qū)域的大小而減小的問(wèn)題。特別是，隨著相鄰象素電極之間的距離因象素間距微小化而減小，這種橫向電場(chǎng)將增強(qiáng)，因此，這些問(wèn)題將隨著電光裝置向高精細(xì)化方面發(fā)展而變得更為突出。
但是，在第2實(shí)施方式中，作為前述圖10和圖11所示的形式，起因于非埋入部352aNB的高度而產(chǎn)生的臺(tái)階是形成于縱向上相鄰的象素電極9a(即，施加極性相反的電位的相鄰象素電極9a)之間的。由于該臺(tái)階的存在，在使該臺(tái)階上所設(shè)置的象素電極9a的邊緣附近的縱向電場(chǎng)增強(qiáng)的同時(shí)還使橫向電場(chǎng)減弱。更具體地說(shuō)，如圖12所示，能夠使設(shè)置在臺(tái)階430上的象素電極9a的邊緣附近與相向電極21之間的距離相應(yīng)于臺(tái)階430的高度減小。因此，在圖13所示的橫向電場(chǎng)的產(chǎn)生區(qū)域C1中，象素電極9a與相向電極21之間的縱向電場(chǎng)得以增強(qiáng)。并且，在圖12中，相鄰的象素電極9a之間的間隙是一定的，因此，隨著間隙變窄而增強(qiáng)的橫向電場(chǎng)的強(qiáng)弱也是一定的。因此，在圖13所示的橫向電場(chǎng)產(chǎn)生區(qū)域C1中，通過(guò)使縱向電場(chǎng)更具決定性作用，可防止因橫向電場(chǎng)而引起液晶取向不良。并且，由于由絕緣膜構(gòu)成的臺(tái)階430的存在，不僅橫向電場(chǎng)的強(qiáng)度得到削弱，而且，置換到橫向電場(chǎng)所存在的臺(tái)階430的部分的、受橫向電場(chǎng)影響的液晶部分減少，因此，能夠減輕該橫向電場(chǎng)對(duì)液晶層50的作用。
另外，在上面的說(shuō)明中，就1H倒相驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了說(shuō)明，而本發(fā)明并不限于應(yīng)用于這種驅(qū)動(dòng)方式下。例如，對(duì)同一列的象素電極以極性相同的電位進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，并使所說(shuō)電壓極性以列為單位按照幀或場(chǎng)周期進(jìn)行倒相的1S倒相驅(qū)動(dòng)方式也可以作為控制較為容易、能夠?qū)崿F(xiàn)高品位的圖像顯示的倒相驅(qū)動(dòng)方式而加以采用，而本發(fā)明可應(yīng)用于該方式下。再有，使得在列方向及行方向的兩個(gè)方向上相鄰的象素電極之間，施加在各象素電極上的電壓極性彼此反相的點(diǎn)倒相驅(qū)動(dòng)方式也正在得到開(kāi)發(fā)，毋庸置疑，本發(fā)明也能夠應(yīng)用于該驅(qū)動(dòng)方式下。
在第2實(shí)施方式中，對(duì)于，窄幅部342a和352a如圖2所示地從相鄰的象素電極9a之間的第1間隙的中央穿過(guò)而形成的實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，而本發(fā)明并不限于這種形式。即，也可以如圖5和圖6所示，在窄幅部以自所說(shuō)第1間隙的中央偏離的位置上延伸的狀態(tài)形成這樣一種實(shí)施例中，還具有圖8至圖11所示槽3G1或槽3G2的形式。作為這樣一種形式，例如可以采用圖14和圖15所示的形式。其中，圖14是類(lèi)似于圖2的附圖，與該圖相比，示出的是在TFT陣列基板10上形成有槽以及掃描線(xiàn)的窄幅部自第1間隙的中央偏離而形成等方面有所不同的實(shí)施例，圖15是圖14的T-T’剖視圖。
在圖14中，作為掃描線(xiàn)360a，與圖5和圖6相比，其相同點(diǎn)在于，窄幅部362a是在自從相鄰的象素電極9a之間穿過(guò)而延伸的長(zhǎng)條狀的第1間隙的中央偏離的位置上形成，而不同點(diǎn)在于，窄幅部362a沿TFT陣列基板10上所形成的槽3G1′形成、以及寬幅部361a以?xún)H向圖14中的下方突出的形狀形成。據(jù)此，該掃描線(xiàn)360a的窄幅部362a在從第1間隙的中央看過(guò)去時(shí)是將形成于圖中靠上方處，因此，窄幅部362a將以位于用來(lái)將象素電極9a與中間層71二者連接起來(lái)的連接孔85的正下方位置上而形成。該窄幅部362a是以完全埋入槽3G1′內(nèi)的狀態(tài)形成的。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，如圖15所示，連接孔85將形成于埋入槽3G1′內(nèi)而形成的掃描線(xiàn)360a上。換言之，連接孔85能夠以起因于掃描線(xiàn)360a的高度而產(chǎn)生的臺(tái)階幾乎未產(chǎn)生的第3層間絕緣膜43的表面為前提而形成。
另外，作為圖14和圖15所示的這種形式，特別是具有連接孔85較容易形成且其形成能夠可靠實(shí)現(xiàn)這樣的優(yōu)點(diǎn)。即，若假設(shè)起因于窄幅部乃至掃描線(xiàn)的高度而產(chǎn)生的臺(tái)階出現(xiàn)在第3層間絕緣膜43上，則有可能出現(xiàn)連接孔85的形成必須在該臺(tái)階的頂部或其棱面上進(jìn)行這樣一種不希望的情況。而本形式可避免這種不利情況出現(xiàn)。
對(duì)這種作用和效果還可以從以下角度進(jìn)行說(shuō)明。即，在第2實(shí)施方式中，由于掃描線(xiàn)的全部或局部埋入槽內(nèi)，因而在各層間絕緣膜的表面上幾乎不會(huì)產(chǎn)生起因于該掃描線(xiàn)的高度而產(chǎn)生的臺(tái)階，因此，不需要對(duì)掃描線(xiàn)的形成位置以及延伸位置特別加以注意，換言之，可以做到只要是在掃描線(xiàn)方向的相鄰的象素電極之間，在何處形成均可。即使在自由選擇掃描線(xiàn)的形成位置和延伸位置并且在其上形成連接孔等場(chǎng)合，也如上所述，由于不存在所說(shuō)臺(tái)階，因而該連接孔等的形成能夠較為容易且可靠地進(jìn)行。
在窄幅部由埋入部和非埋入部構(gòu)成的場(chǎng)合，槽最好是這樣形成，即，使其中的埋入部部分位于連接孔85正下方。前述圖12即屬于這種形式的一個(gè)例子。
(第3實(shí)施方式)下面，對(duì)本發(fā)明的第3實(shí)施方式，結(jié)合圖16至圖19進(jìn)行說(shuō)明。其中，圖16是類(lèi)似于圖2的附圖，與該圖相比，示出的是數(shù)據(jù)線(xiàn)的形式有所不同的實(shí)施例，圖17是圖16的P-P’剖視圖，圖18是圖16的Q-Q’剖視圖，圖19是圖16的R-R’剖視圖。第3實(shí)施方式的電光裝置的基本結(jié)構(gòu)及作用等與前述第1實(shí)施方式相同，因此，在下面，對(duì)于第3實(shí)施方式主要就其特征部分進(jìn)行說(shuō)明。此外，圖16至圖19中所使用的編號(hào)在實(shí)質(zhì)上表示相同要素的場(chǎng)合，將使用與前面說(shuō)明所參照的圖1至圖15中所使用的編號(hào)相同的編號(hào)。
第3實(shí)施方式中，如圖16至圖19所示，作為數(shù)據(jù)線(xiàn)6a1，與TFT30相重疊的部分具有局部加寬地形成的寬幅部6aW。并且，電容線(xiàn)300上的沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)6a1延伸的部分、即突出部302的寬度W1，第一，以比數(shù)據(jù)線(xiàn)6a1上的寬幅部6aW之外的部分的寬度W2′更寬地形成(參照?qǐng)D17)。并且第二，該突出部302的寬度W1以與數(shù)據(jù)線(xiàn)6a1上的寬幅部6aW的寬度W6大致相同地形成(參照?qǐng)D18)。半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)1a′位于該寬幅部6aW的寬度方向上的大約中央，并且，位于掃描線(xiàn)3a的寬度方向上的大約中央。此外，第3實(shí)施方式中，如圖16或者圖18和圖19所示，數(shù)據(jù)線(xiàn)6a1的寬幅部6aW按照呈矩陣狀排列的每個(gè)TFT30，從與該TFT30相重疊的部分起到設(shè)有將該TFT30的半導(dǎo)體層1a與數(shù)據(jù)線(xiàn)6a二者連接起來(lái)的連接孔81的部分為止是連續(xù)的。并且，第3實(shí)施方式中，如圖17至圖19所示，在相向基板20上形成有遮光膜23。并且，該遮光膜23的一條一條的格子的寬度WS大于前述寬幅部6aW。
具有上述結(jié)構(gòu)的第3實(shí)施方式的電光裝置可得到如下效果。即，第一，由于TFT30上存在有均寬度較寬地形成的數(shù)據(jù)線(xiàn)6a1的寬幅部6aW以及電容線(xiàn)300的突出部302，因而能夠得到可以說(shuō)是雙重的遮光作用。因此，光要入射到TFT30的溝道區(qū)1a′上比前述實(shí)施方式更難，因此，也不容易產(chǎn)生光致漏電流。
特別是，在第3實(shí)施方式中，在TFT30上，與這種電容線(xiàn)300相重疊地，還存在有數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的寬幅部6aW。在這種場(chǎng)合，在TFT30上，能夠得到與它們的透光率的求積值相當(dāng)?shù)恼诠庑阅?。此外，由于半?dǎo)體層1a的溝道區(qū)1a′位于寬幅部6aW的寬度方向上的大約中央，并且位于掃描線(xiàn)3a的寬度方向上的大約中央，因此遮光性能可得到進(jìn)一步提高。
第二，與這樣優(yōu)異的遮光性能相關(guān)聯(lián)，在第3實(shí)施方式中，還如前所述，電容線(xiàn)300的突出部302的寬度W1及數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的寬幅部6aW的寬度W6小于相向基板20上的遮光膜23的寬度WS(即，WS＜W1，WS＜W6)。這樣，從TFT30的上方入射的光首先受到遮光膜23的遮擋，或者即便能夠從中通過(guò)，也受到接下來(lái)的數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的寬幅部6aW的遮擋。而且，即使入射光從該寬幅部6aW中通過(guò)，也將受到接下來(lái)的電容線(xiàn)300的突出部302的遮擋。也就是說(shuō)，在第3實(shí)施方式中，實(shí)現(xiàn)了三重遮光，因此，處于光更難以入射到TFT30上的狀況。
第三，第3實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的寬幅部6aW按照呈矩陣狀排列的每個(gè)TFT30，從與TFT30相重疊的部分到連接孔81處為止是連續(xù)地形成的。其中，該連接孔81是如前所述為了將TFT30的半導(dǎo)體層1a和數(shù)據(jù)線(xiàn)6a二者連接起來(lái)而設(shè)置的，因此，在該部分處無(wú)法形成電容線(xiàn)300，但在第3實(shí)施方式中，在形成該連接孔81的部位，與TFT30的上方同樣，存在有數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的寬幅部6aW。因此，遮光性能因無(wú)法設(shè)置電容線(xiàn)300而相應(yīng)地降低的程度，可通過(guò)該寬幅部6aW的存在而得到彌補(bǔ)。另外，根據(jù)像第3實(shí)施方式這樣，使TFT30上及連接孔81形成部位處的數(shù)據(jù)線(xiàn)6a連續(xù)地形成的實(shí)施例，不必一味地加大寬幅部6aW形成區(qū)域即可，因此，從不增加內(nèi)表面反射作用的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)適宜采用。
如上所述，在第3實(shí)施方式中，各種效果相輔相成，光入射到溝道區(qū)1a′上的可能性極度減小，TFT30中光致漏電流的產(chǎn)生乃至以該光致漏電流為起因的圖像上的閃爍等的產(chǎn)生能夠得到有效的抑制。
(電光裝置的總體結(jié)構(gòu))對(duì)如上構(gòu)成的本實(shí)施方式所涉及的電光裝置的整體結(jié)構(gòu)，結(jié)合圖20和圖21進(jìn)行說(shuō)明。圖20是對(duì)TFT陣列基板，連同形成于該基板上的各種構(gòu)成要素一起從相向基板20一側(cè)看過(guò)去時(shí)的俯視圖，圖21是圖20的H-H’剖視圖。
在圖20和圖21中，作為本實(shí)施方式所涉及的電光裝置，TFT陣列基板10與相向基板20二者相向配置。在TFT陣列基板10與相向基板20之間密封有液晶層50，TFT陣列基板10與相向基板20二者通過(guò)設(shè)置在位于圖像顯示區(qū)域10a周?chē)拿芊鈪^(qū)域內(nèi)的密封件52而相連結(jié)。
在密封件52的外部的區(qū)域，順沿于TFT陣列基板10的一個(gè)邊設(shè)設(shè)置有通過(guò)以既定時(shí)序向數(shù)據(jù)線(xiàn)6a供給圖像信號(hào)而驅(qū)動(dòng)該數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101及外部電路連接端子102，沿與所說(shuō)一個(gè)邊相鄰的兩個(gè)邊設(shè)置通過(guò)以既定時(shí)序向掃描線(xiàn)3a供給掃描信號(hào)而驅(qū)動(dòng)掃描線(xiàn)3a的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路104。
另外，若供給掃描線(xiàn)3a的掃描信號(hào)的延遲不會(huì)帶來(lái)問(wèn)題，則顯然，掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路104也可以只設(shè)置在一側(cè)。此外，數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101也可以沿圖像顯示區(qū)域10a的邊排列于兩側(cè)。
在TFT陣列基板10的剩下的一個(gè)邊上，設(shè)置有用來(lái)將設(shè)置在圖像顯示區(qū)域10a的兩側(cè)的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路104之間連接起來(lái)的多個(gè)配線(xiàn)105。此外，在相向基板20的角部的至少一處，設(shè)置有使TFT陣列基板10與相向基板20之間在電氣上實(shí)現(xiàn)連通的連通件106。并且，如圖21所示，具有與圖20所示的密封件52大致相同的輪廓的相向基板20通過(guò)該密封件52固定在TFT陣列基板10上。
圖21中，在TFT陣列基板10上，在形成了象素開(kāi)關(guān)用TFT和掃描線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn)等配線(xiàn)之后的象素電極9a上形成有取向膜。而在相向基板20上，除了相向電極21之外，在最上層部分形成有取向膜。此外，液晶層50例如由將一種或數(shù)種向列的液晶混合后的液晶構(gòu)成，在上述一對(duì)取向膜之間處于既定的取向狀態(tài)。
在TFT陣列基板10上，除了上述數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路104之外，還可以形成，以既定時(shí)序向多個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)6a施加圖像信號(hào)的采樣電路、先于圖像信號(hào)將既定電壓電平的預(yù)通電信號(hào)分別供給多個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的預(yù)通電電路、以及在制造過(guò)程中和出廠時(shí)用來(lái)對(duì)該電光裝置的質(zhì)量、缺陷等進(jìn)行檢查的檢查電路等。
(電子設(shè)備的實(shí)施方式)其次，對(duì)于將經(jīng)過(guò)以上詳細(xì)說(shuō)明的電光裝置作為光閥而使用的、電子設(shè)備之一例的投影式彩色顯示裝置的實(shí)施方式，就其總體結(jié)構(gòu)、特別是光學(xué)結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖22是投影式彩色顯示裝置的示意性剖視圖。
圖22中，本實(shí)施方式中的作為投影式彩色顯示裝置的一個(gè)例子的液晶投影儀1100，是具備三個(gè)包括驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置在TFT陣列基板上的液晶裝置的液晶模塊，分別作為用于RGB的光閥100R、100G及100B而構(gòu)成的投影儀。作為液晶投影儀1100，當(dāng)金屬鹵化物燈等白色光源的燈單元1102發(fā)出投射光時(shí)，通過(guò)三片反射鏡1106及兩片分色鏡1108分離為與RGB三原色相對(duì)應(yīng)的光成分R、G和B，并被分別引向與各顏色相對(duì)應(yīng)的光閥100R、100G和100B中。此時(shí)，特別是對(duì)于B光，為避免較長(zhǎng)的光路造成光的損失，經(jīng)由由入射鏡1122、中繼透鏡1123及出射鏡1124構(gòu)成的中繼透鏡系統(tǒng)進(jìn)行引導(dǎo)。并且，經(jīng)光閥100R、100G及100B分別進(jìn)行調(diào)制的與三原色相對(duì)應(yīng)的光成分經(jīng)分色棱鏡1112再度合成之后，經(jīng)由投射鏡1114在銀幕1120上投影成彩色圖像。
本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式，在不違背從權(quán)利要求范圍以及整個(gè)說(shuō)明書(shū)中所讀取到的發(fā)明的要旨或思想的范圍內(nèi)可以適當(dāng)加以改變，進(jìn)行這種改變而得到的電光裝置，例如電泳裝置或電致發(fā)光顯示裝置、以及包括這些電光裝置的電子設(shè)備也屬于本發(fā)明的技術(shù)性范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置，其特征是，基板上具有在一定方向上延伸的掃描線(xiàn)及在與該掃描線(xiàn)相交叉的方向上延伸的數(shù)據(jù)線(xiàn)、與所說(shuō)掃描線(xiàn)及所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)的交叉區(qū)域相對(duì)應(yīng)地設(shè)置的薄膜晶體管、以及與該薄膜晶體管相對(duì)應(yīng)地設(shè)置的象素電極，所說(shuō)掃描線(xiàn)在與所說(shuō)薄膜晶體管的溝道區(qū)相向的部位具有作為柵極的寬幅部，并且在其它部位具有窄幅部。
2.如權(quán)利要求1所說(shuō)的電光裝置，其特征是，所說(shuō)寬幅部包括自所說(shuō)窄幅部延伸而形成的部分。
3.如權(quán)利要求1所說(shuō)的電光裝置，其特征是，所說(shuō)寬幅部包括與所說(shuō)窄幅部相連接而形成的部分。
4.如權(quán)利要求1所說(shuō)的電光裝置，其特征是，所說(shuō)掃描線(xiàn)在與所說(shuō)溝道區(qū)的延伸方向相交叉的方向上延伸，所說(shuō)寬幅部在該溝道區(qū)延伸方向的一個(gè)方向或兩個(gè)方向上延伸。
5.如權(quán)利要求1所說(shuō)的電光裝置，其特征是，所說(shuō)象素電極呈矩陣狀排列，從俯視角度看過(guò)去，所說(shuō)溝道區(qū)形成在從將所說(shuō)掃描線(xiàn)夾在中間而相鄰的象素電極之間穿過(guò)而延伸的長(zhǎng)條狀第1間隙、與從將所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)夾在中間而相鄰的象素電極之間穿過(guò)而延伸的長(zhǎng)條狀第2間隙相交叉的交點(diǎn)區(qū)域內(nèi)。
6.如權(quán)利要求5所說(shuō)的電光裝置，其特征是，所說(shuō)窄幅部形成于自所說(shuō)第1間隙的中央偏離的位置上，所說(shuō)寬幅部在所說(shuō)交點(diǎn)區(qū)域內(nèi)形成于所說(shuō)第1間隙的中央。
7.如權(quán)利要求6所說(shuō)的電光裝置，其特征是，所說(shuō)寬幅部在所說(shuō)交點(diǎn)區(qū)域內(nèi)形成于所說(shuō)第2間隙的中央。
8.如權(quán)利要求1所說(shuō)的電光裝置，其特征是，在所說(shuō)基板上，沿所說(shuō)掃描線(xiàn)開(kāi)有槽，所說(shuō)掃描線(xiàn)至少局部性地直接或中間隔著層間絕緣膜埋設(shè)在該槽內(nèi)。
9.如權(quán)利要求8所說(shuō)的電光裝置，其特征是，所說(shuō)窄幅部具有埋設(shè)在所說(shuō)槽內(nèi)并沿所說(shuō)掃描線(xiàn)延伸的埋入部分、以及未埋設(shè)在所說(shuō)槽內(nèi)并與所說(shuō)埋入部分并排沿所說(shuō)掃描線(xiàn)延伸的非埋入部分，由于該非埋入部分的存在，所說(shuō)象素電極的基底沿所說(shuō)掃描線(xiàn)隆起。
10.如權(quán)利要求1所說(shuō)的電光裝置，其特征是，還具有與所說(shuō)象素電極相連接的、構(gòu)成儲(chǔ)能電容的象素電位側(cè)電容電極，以及包括在該象素電位側(cè)電容電極上中間隔著電介質(zhì)膜相向配置的、構(gòu)成所說(shuō)儲(chǔ)能電容的固定電位側(cè)電容電極的電容線(xiàn)，所說(shuō)電容線(xiàn)具有沿所說(shuō)掃描線(xiàn)延伸的本體部和沿所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸的部分，所說(shuō)電容線(xiàn)上的沿所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸的部分的寬度與該數(shù)據(jù)線(xiàn)的寬度相比相同或更寬。
11.如權(quán)利要求10所說(shuō)的電光裝置，其特征是，所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)是其與所說(shuō)薄膜晶體管重疊的部分是局部加寬地形成的，所說(shuō)電容線(xiàn)上的沿所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸的部分的寬度比所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)上的不是加寬地形成的部分的寬度寬、且與所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)上的所說(shuō)加寬地形成的部分的寬度相同。
12.如權(quán)利要求10所說(shuō)的電光裝置，其特征是，所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)是其與所說(shuō)薄膜晶體管重疊的部分局部加寬地形成的，所說(shuō)電容線(xiàn)上的沿所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸的部分的寬度比所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)上的不是加寬地形成的部分的寬度寬、且比所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)上的所說(shuō)加寬地形成的部分的寬度窄地形成。
13.如權(quán)利要求11或12所說(shuō)的電光裝置，其特征是，所說(shuō)電容線(xiàn)位于所說(shuō)薄膜晶體管與所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)之間的積層位置上，所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)，除了與所說(shuō)薄膜晶體管重疊的部分之外，設(shè)有與所說(shuō)薄膜晶體管進(jìn)行連接用的連接孔的部分也是加寬地形成的。
14.如權(quán)利要求11或12所說(shuō)的電光裝置，其特征是，所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)按照每個(gè)所說(shuō)薄膜晶體管，從與所說(shuō)薄膜晶體管重疊的部分至設(shè)有所說(shuō)連接孔的部分為止連續(xù)加寬地形成。
15.如權(quán)利要求1所說(shuō)的電光裝置，其特征是，還具有在所說(shuō)基板上中間隔著電光物質(zhì)相向配置的其它基板、以及形成于該其它基板上的遮光膜，所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)及所說(shuō)電容線(xiàn)上的沿所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸的部分的寬度比所說(shuō)遮光膜的寬度窄。
16.一種電子設(shè)備，其特征是，以具有這樣一種電光裝置而構(gòu)成，該電光裝置在基板上具有在一定方向上延伸的掃描線(xiàn)及在與該掃描線(xiàn)相交叉的方向上延伸的數(shù)據(jù)線(xiàn)、與所說(shuō)掃描線(xiàn)及所說(shuō)數(shù)據(jù)線(xiàn)的交叉區(qū)域相對(duì)應(yīng)地設(shè)置的薄膜晶體管、以及與該薄膜晶體管相對(duì)應(yīng)地設(shè)置的象素電極，所說(shuō)掃描線(xiàn)在與所說(shuō)薄膜晶體管的溝道區(qū)相向的部位具有作為柵極的寬幅部，并且在其它部位具有窄幅部。
全文摘要
本發(fā)明的電光裝置是在TFT陣列基板上具有象素電極和與之相連接的TFT、與該TFT相連接的掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，所說(shuō)掃描線(xiàn)在與所說(shuō)TFT的溝道區(qū)相向的部位具有作為柵極的寬幅部，并且在其它部位具有窄幅部。以此提供一種能夠更為容易地進(jìn)行柵極與掃描線(xiàn)配置關(guān)系的調(diào)整、并能夠正確驅(qū)動(dòng)TFT的電光裝置。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK1431549SQ03100218
公開(kāi)日2003年7月23日 申請(qǐng)日期2003年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月7日
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