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一種光纖預(yù)制件的制造方法及其裝置的制作方法

文檔序號(hào):2814274閱讀:223來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):一種光纖預(yù)制件的制造方法及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種光纖預(yù)制件的制造方法及其裝置,屬光導(dǎo)纖維的制造領(lǐng)域。
背景技術(shù)
無(wú)機(jī)光導(dǎo)纖維在通訊行業(yè)已受到廣泛應(yīng)用,其中石英系光纖以其光損耗低、適用光波范圍廣、適應(yīng)長(zhǎng)距離通訊等優(yōu)點(diǎn)而成為無(wú)機(jī)光導(dǎo)纖維的主導(dǎo)。在制造石英系光纖預(yù)制件的方法中,有一種汽相軸向沉積法(VAD法),它采用的制造裝置包括一帶有排氣口的反應(yīng)容器,反應(yīng)容器下部設(shè)置有大致朝向排氣口的噴槍?zhuān)诜磻?yīng)容器內(nèi)豎向設(shè)置種棒。制造光纖預(yù)制件時(shí),將種棒豎直置于反應(yīng)容器內(nèi)與噴槍對(duì)應(yīng),將氫氣和氧氣通入噴槍并在反應(yīng)容器內(nèi)點(diǎn)燃產(chǎn)生氫氧焰,將氣體原料SiCl4(四氯化硅)、GeCl4(四氯化鍺)經(jīng)噴槍送至氫氧焰中,令之發(fā)生氫氧水解反應(yīng),生成SiO2、GeO2微粒并沉積在種棒的下端,同時(shí)旋轉(zhuǎn)種棒并將其向上提升,使微粒在種棒下端沉積成內(nèi)外兩層具有不同光學(xué)折射率的圓柱形光纖預(yù)制件。這種制造方法和裝置的排氣效果差,使未能沉積成形的SiO2(二氧化硅)、GeO2(二氧化鍺)微粒較多的滯留在反應(yīng)容器內(nèi),導(dǎo)致以下缺陷1、以一定的壓力從噴槍噴出的SiO2、GeO2微粒在噴射至種棒上形成預(yù)制件的同時(shí),使反應(yīng)容器內(nèi)存在一定程度的氣流紊亂,影響光纖預(yù)制件的成形;2、隨著光纖預(yù)制件沉積長(zhǎng)度的增加,未沉積到預(yù)制件上的剩余SiO2、GeO2微粒不斷地沉積在溫度較低的反應(yīng)容器壁上(尤其是排氣口上側(cè))形成鏡面,反射熱量,致使反應(yīng)容器內(nèi)的溫度逐漸上升,最終導(dǎo)致沉積過(guò)程不穩(wěn)定,沉積速率波動(dòng)。
3、未沉積到預(yù)制件上的剩余SiO2、GeO2微粒也會(huì)在已沉積成形的預(yù)制件上附著,這樣就造成了光纖預(yù)制件沿軸線方向生長(zhǎng)的不均勻,比如沿軸線方向上各處的包芯比(即具有不同光學(xué)折射率的圓柱形外層與內(nèi)層直徑的比值)波動(dòng)較大。
4、因沉積在反應(yīng)容器內(nèi)壁上的SiO2、GeO2微粒剝落而附著在正在沉積成形的光纖預(yù)制件的表面上,形成密度較小的區(qū)域,在后續(xù)工序中對(duì)光纖預(yù)制件進(jìn)行玻璃化時(shí),該區(qū)域?qū)a(chǎn)生氣泡,這樣會(huì)導(dǎo)致由光纖預(yù)制件拉制成光纖的過(guò)程中產(chǎn)生斷纖現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題和提出的技術(shù)任務(wù)是克服現(xiàn)有光纖預(yù)制件的制造所存在的技術(shù)缺陷,提供一種可以調(diào)整反應(yīng)容器內(nèi)氣流的光纖預(yù)制件的制造方法及其裝置,以快速高效地排出反應(yīng)容器內(nèi)未沉積成形的SiO2、GeO2微粒,防止反應(yīng)容器內(nèi)的溫度波動(dòng)、光纖預(yù)制件的生長(zhǎng)不均以及在后續(xù)制造工序中對(duì)光纖預(yù)制件進(jìn)行玻璃化時(shí)產(chǎn)生氣泡。
本發(fā)明采取下述技術(shù)方案一種光纖預(yù)制件的制造方法,其特征是a、準(zhǔn)備在側(cè)面有排氣口、下部有噴槍的球形反應(yīng)容器的上部連接法蘭管,法蘭管內(nèi)設(shè)置氣流調(diào)節(jié)件,將種棒經(jīng)法蘭管置于反應(yīng)容器內(nèi)并使其與噴槍相對(duì);b、頂吹風(fēng)從法蘭管上端向下導(dǎo)入壓力為0.5×105~2.0×105Pa、溫度為20~600℃的整流氣流,使該整流氣流流經(jīng)氣流調(diào)節(jié)件后沿法蘭管內(nèi)壁和反應(yīng)容器內(nèi)壁流動(dòng),再由排氣口排出;所述整流氣流為空氣、氮?dú)饣蚨栊詺怏w中的一種;c、沉積成形先將氫氣和氧氣通入噴槍?zhuān)诜磻?yīng)容器內(nèi)產(chǎn)生氫氧焰;再將氣體原料SiCl4、GeCl4送入噴槍?zhuān)瑲怏w原料在氫氧焰中便發(fā)生氫氧水解反應(yīng),生成SiO2、GeO2微粒并沉積在種棒上逐漸形成光纖預(yù)制件,同時(shí)勻速旋轉(zhuǎn)提升種棒;d、待光纖預(yù)制件達(dá)到預(yù)定長(zhǎng)度時(shí),停止導(dǎo)入氣體原料、氫氣和氧氣以及整流氣流,將光纖預(yù)制件提升至法蘭管外;e、在整個(gè)制造過(guò)程中,排氣口始終排氣。
一種制造光纖預(yù)制件的裝置,包括一上部接有法蘭管的反應(yīng)容器,該反應(yīng)容器下部有噴槍?zhuān)鋫?cè)面有排氣口,其特征是所述的法蘭管內(nèi)設(shè)有氣流調(diào)節(jié)件,一種棒經(jīng)所述的法蘭管置于反應(yīng)容器內(nèi)并與噴槍相對(duì)。
所述的制造光纖預(yù)制件的裝置,其特征是所述的氣流調(diào)節(jié)件通過(guò)滑套和緊定螺釘連接在種棒上;其直徑與光纖預(yù)制件的直徑比為0.5∶1~3∶1;所述的氣流調(diào)節(jié)件可以是圓形平板;可以由上、下兩圓形平板疊置而成,并在上、下兩圓形平板的邊緣開(kāi)設(shè)相互對(duì)應(yīng)的缺口;可以是半球面形板,并進(jìn)一步在半球面形板的邊緣開(kāi)設(shè)與種棒平行的氣孔;可以由外半球面形板和內(nèi)半球面形板疊置而成,并在內(nèi)、外半球面形板的邊緣開(kāi)設(shè)與種棒平行且相互對(duì)應(yīng)的氣孔。
本發(fā)明具有以下技術(shù)效果1、按照上述方法,①消除了反應(yīng)容器內(nèi)氣流紊亂的現(xiàn)象,從反應(yīng)容器上端向下導(dǎo)入的氣流可以縮小未沉積成形而剩余的SiO2、GeO2微粒在反應(yīng)容器內(nèi)游動(dòng)的空間,減少微粒在反應(yīng)容器內(nèi)滯留的時(shí)間,并可以盡快順利地將其排出反應(yīng)容器之外,而不使其附著在反應(yīng)容器內(nèi)壁上,保證反應(yīng)容器內(nèi)的溫度穩(wěn)定,減少波動(dòng);②由于剩余的SiO2、GeO2微粒被盡快地排出反應(yīng)容器之外,因此其附著在已成形的光纖預(yù)制件上的機(jī)會(huì)大大減少,從而可以保證光纖預(yù)制件沿軸線方向生長(zhǎng)均勻,尤其是外徑均勻;③由于沒(méi)有SiO2、GeO2微粒附著在反應(yīng)容器內(nèi)壁上,因此也不會(huì)有SiO2、GeO2玻璃微粒從反應(yīng)容器壁上剝落而附著在光纖預(yù)制件的表面上而形成密度不均勻的區(qū)域,從而可以防止光纖預(yù)制件在后續(xù)的玻璃化工序后產(chǎn)生氣泡;④由于導(dǎo)入的整流氣流沿法蘭管和反應(yīng)容器的內(nèi)壁向下流動(dòng),可以有效地阻止未沉積成形而剩余的SiO2、GeO2微??拷磻?yīng)容器內(nèi)壁并沉積在其上,同時(shí)阻止導(dǎo)入的整流氣流直接流至已成形的光纖預(yù)制件上,有效避免光纖預(yù)制件表面開(kāi)裂。
2、本發(fā)明的制造裝置,通過(guò)在反應(yīng)容器上部的法蘭管內(nèi)設(shè)置氣流調(diào)節(jié)件,進(jìn)一步地將該氣流調(diào)節(jié)件連接在種棒上,在使用過(guò)程中,氣流調(diào)節(jié)件隨著種棒的旋轉(zhuǎn)提升而上升,可以達(dá)到如下效果①可以有效地消除反應(yīng)容器內(nèi)氣流的紊亂現(xiàn)象;②在從法蘭管上端向下導(dǎo)入氣流時(shí),迫使氣流僅沿反應(yīng)容器內(nèi)壁向下流動(dòng),避開(kāi)預(yù)制件,氣流調(diào)整單元可以防止垂直氣流與玻璃微粒沉積體直接接觸,避免光纖預(yù)制件表面溫度下降,防止光纖預(yù)制件表面開(kāi)裂;③由于氣流沿反應(yīng)容器內(nèi)壁向下流動(dòng),對(duì)反應(yīng)容器內(nèi)壁具有一定的清洗作用,阻止SiO2、GeO2微粒沉積在反應(yīng)容器內(nèi)壁;④氣流調(diào)整單元與玻璃微粒沉積體之間的距離可以調(diào)節(jié),從而可以得到更好的整流效果,當(dāng)光纖預(yù)制件被提升至法蘭管上端后,光纖預(yù)制件自身的整流作用結(jié)合氣流調(diào)整單元的整流作用會(huì)更有利于得到穩(wěn)定的氣流條件。
下面結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。

圖1為本發(fā)明制造裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為氣流調(diào)節(jié)件的第一種結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為氣流調(diào)節(jié)件的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4為氣流調(diào)節(jié)件的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5為氣流調(diào)節(jié)件的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6為氣流調(diào)節(jié)件的第五種結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示,本發(fā)明的制造裝置包括球形反應(yīng)容器6和連接于其上部的法蘭管1;球形反應(yīng)容器6的中部左側(cè)固定排氣口7,其下部自下而上依次固定第一噴槍10和第二噴槍9,兩只噴槍均朝向排氣口7,種棒4經(jīng)法蘭管1豎直置于反應(yīng)容器6內(nèi)并使其下端與噴槍對(duì)應(yīng),氣流調(diào)節(jié)件5通過(guò)滑套16和緊定螺釘17(見(jiàn)圖2~6)連接在種棒4上,在反應(yīng)開(kāi)始時(shí),氣流調(diào)節(jié)件通常位于法蘭管1與球形反應(yīng)容器6的結(jié)合部,在制造過(guò)程中,隨種棒的提升而上升;氣流調(diào)節(jié)件的直徑為最終制成的光纖預(yù)制件直徑的0.5~3倍,隨著光纖預(yù)制件預(yù)定直徑的改變而改變,保證其與法蘭管1內(nèi)壁之間有適當(dāng)?shù)目p隙供氣流通過(guò)。
圖2所示為氣流調(diào)節(jié)件的第一種結(jié)構(gòu),它是圓形平板12a,通過(guò)其中心的滑套16和緊定螺釘17固定在種棒4上,因此可以根據(jù)需要在種棒上移動(dòng)以調(diào)整位置。在制造預(yù)制件的過(guò)程中,從法蘭管1上端引導(dǎo)至反應(yīng)容器內(nèi)的氣流繞過(guò)圓形平板,沿法蘭管內(nèi)壁向下流動(dòng)。
圖3所示為氣流調(diào)節(jié)件的第二種結(jié)構(gòu),它是向上突出的半球面形板13a;在制造預(yù)制件的過(guò)程中,從法蘭管上端引導(dǎo)至反應(yīng)容器內(nèi)的氣流首先流至半球面形板的上表面,再沿法蘭管內(nèi)壁向下流動(dòng),由于半球面形板對(duì)整流氣流具有一定導(dǎo)向作用,可以更有效的防止氣流產(chǎn)生紊流。
圖4所示為氣流調(diào)節(jié)件的第三種結(jié)構(gòu),它是在半球面形板13a的邊緣處開(kāi)設(shè)與種棒平行的氣孔14a;在制造預(yù)制件的過(guò)程中,從法蘭管上端引導(dǎo)至反應(yīng)容器內(nèi)的氣流首先流至半球面形板13a的上表面,再沿法蘭管內(nèi)壁向下流動(dòng),氣孔可以增大整流氣流的流量,輔助半球面形板有效地防止氣流產(chǎn)生紊流。
圖5所示為氣流調(diào)節(jié)件的第四種結(jié)構(gòu),它是由內(nèi)半球面形板13c與外半球面形板13b重疊而成,兩半球面形板的邊緣處開(kāi)設(shè)與種棒平行且相互對(duì)應(yīng)的氣孔14b,兩半球面形板可以沿其軸線相互轉(zhuǎn)動(dòng),使其上的氣孔產(chǎn)生錯(cuò)位,以更有效地調(diào)節(jié)氣流。
圖6所示為氣流調(diào)節(jié)件的第四種結(jié)構(gòu),它是由兩圓形平板12b上下重疊而成,該圓形平板的邊緣開(kāi)設(shè)對(duì)應(yīng)的缺口11,兩圓形平板可以沿其軸線相互轉(zhuǎn)動(dòng),使其上的缺口產(chǎn)生錯(cuò)位,以更有效地調(diào)節(jié)氣流。
實(shí)施例一在排氣口7排氣的情況下,先將直徑為145mm的氣流調(diào)節(jié)件5通過(guò)滑套16和緊定螺釘17安裝在直徑為25mm的種棒4上,再將種棒4從內(nèi)徑為250mm的法蘭管1上端的進(jìn)風(fēng)口3插入球形反應(yīng)容器6內(nèi),并使種棒4的下端與兩只噴槍對(duì)應(yīng),勻速旋轉(zhuǎn)提升種棒,排氣口與排氣風(fēng)機(jī)連接,其壓力控制在100Pa左右,開(kāi)始排氣;從法蘭管上端的進(jìn)風(fēng)口向反應(yīng)容器內(nèi)通入壓力約為0.5×105Pa、溫度約為20℃的空氣整流氣流2;之后向兩只噴槍內(nèi)通入氫氣和氧氣,并在反應(yīng)容器內(nèi)點(diǎn)燃產(chǎn)生約1000℃的氫氧焰,接著向第一噴槍內(nèi)以約高于大氣壓100Pa的壓力、1.5g/min的流量通入SiCl4(四氯化硅)氣體原料,以同樣的壓力、0.15g/min的流量通入GeCl4(四氯化鍺)氣體原料,使之發(fā)生氫氧水解反應(yīng),生成SiO2、GeO2微粒并沉積在種棒的下端,形成光纖預(yù)制件的圓柱形芯層,同時(shí)向第二噴槍內(nèi)以高于大氣壓100Pa的壓力、10g/min的流量通入SiCl4(四氯化硅)氣體原料,使之發(fā)生氫氧水解反應(yīng),生成SiO2微粒并沉積在圓柱形芯層的表面,進(jìn)而形成具有不同光學(xué)折射率的圓柱形光纖預(yù)制件8;使該反應(yīng)在平衡狀態(tài)下進(jìn)行一定時(shí)間,可以得到預(yù)定要求的的光纖預(yù)制件;停止導(dǎo)入氣體原料、氫氣和氧氣以及整流氣流,將該光纖預(yù)制件緩慢提升至法蘭管外結(jié)束反應(yīng);由于其間向反應(yīng)容器內(nèi)導(dǎo)入了整流氣流,迫使該整流氣流沿反應(yīng)容器內(nèi)壁向下流動(dòng),避開(kāi)預(yù)制件,使未沉積成形的SiO2、GeO2微粒較快的從排氣口排出,成形的光纖預(yù)制件生長(zhǎng)均勻,無(wú)瑕疵,質(zhì)量?jī)?yōu)良。其間,由于整流氣流選用空氣,生產(chǎn)成本較低,同時(shí)由于導(dǎo)入壓力接近大氣壓,故可以不使用加壓設(shè)備而讓空氣自由的從進(jìn)風(fēng)口導(dǎo)入。
實(shí)施例二與實(shí)施例一不同之處是,從法蘭管上端的進(jìn)風(fēng)口向反應(yīng)容器內(nèi)通入壓力約為2.0×105Pa的被加溫至600℃的氮?dú)庹鳉饬?;使該反應(yīng)在平衡狀態(tài)下進(jìn)行一定時(shí)間,可以得到預(yù)定要求的的光纖預(yù)制件;由于整流氣流選用經(jīng)加溫的性質(zhì)穩(wěn)定的氮?dú)?,可以更好地保持反?yīng)容器內(nèi)的溫度穩(wěn)定,反應(yīng)效果更好。
對(duì)于整流氣流選用惰性氣體的情況,主要是因?yàn)槎栊詺怏w的穩(wěn)定性好,能夠更好地保證反應(yīng)過(guò)程的穩(wěn)定。
對(duì)于三種用于整流氣流的氣體,其溫度和壓力,可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行選擇。
需要說(shuō)明的是,在制造過(guò)程中,將整流氣流限制在壓力為0.5×105~2.0×105Pa、溫度為20~600℃的范圍內(nèi),主要是與反應(yīng)容器內(nèi)的反應(yīng)條件相適應(yīng),保證整流氣流能夠順暢地被導(dǎo)入反應(yīng)容器內(nèi),并不會(huì)因?yàn)槠錅囟?、壓力與反應(yīng)容器內(nèi)的溫度、壓力差異過(guò)大而影響反應(yīng)容器內(nèi)的反應(yīng)過(guò)程(通常情況下,法蘭管上端進(jìn)風(fēng)口的溫度在20~600℃之間,排氣口的溫度在200~400℃之間,隨著整流氣流在反應(yīng)容器內(nèi)的向下流動(dòng),其溫度也逐漸升高,反應(yīng)趨于平衡狀態(tài)),并在工藝上容易實(shí)施,不會(huì)因此而導(dǎo)致制造成本的大幅提高。
至于種棒和法蘭管的直徑,種棒的旋轉(zhuǎn)提升速度,排氣口的壓力,向噴槍內(nèi)通入氣體原料的壓力及流量等制造參數(shù),在實(shí)際制造過(guò)程中均可以根據(jù)需要進(jìn)行改變,此處不贅述。
權(quán)利要求
1.一種光纖預(yù)制件的制造方法,其特征是a、準(zhǔn)備在側(cè)面有排氣口(7)、下部有噴槍(9、10)的球形反應(yīng)容器(6)的上部連接法蘭管(1),法蘭管(1)內(nèi)設(shè)置氣流調(diào)節(jié)件(5),將種棒(4)經(jīng)法蘭管(1)置于反應(yīng)容器(4)內(nèi)并使其與噴槍(9、10)相對(duì);b、頂吹風(fēng)從法蘭管(1)上端向下導(dǎo)入壓力為0.5×105~2.0×105Pa、溫度為20~600℃的整流氣流,使該整流氣流流經(jīng)氣流調(diào)節(jié)件(5)后沿法蘭管內(nèi)壁和反應(yīng)容器內(nèi)壁流動(dòng),再由排氣口(7)排出;所述整流氣流為空氣、氮?dú)饣蚨栊詺怏w中的一種;c、沉積成形先將氫氣和氧氣通入噴槍(9、10),在反應(yīng)容器(6)內(nèi)產(chǎn)生氫氧焰;再將氣體原料SiCl4、GeCl4送入噴槍?zhuān)瑲怏w原料在氫氧焰中便發(fā)生氫氧水解反應(yīng),生成SiO2、GeO2微粒并沉積在種棒上逐漸形成光纖預(yù)制件,同時(shí)勻速旋轉(zhuǎn)提升種棒(4);d、待光纖預(yù)制件達(dá)到預(yù)定長(zhǎng)度時(shí),停止導(dǎo)入氣體原料、氫氣和氧氣以及整流氣流,將光纖預(yù)制件(8)提升至法蘭管(1)外;e、在整個(gè)制造過(guò)程中,排氣口(7)始終排氣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖預(yù)制件的制造方法,其特征是所述的法蘭管(1)和氣流調(diào)節(jié)件(5)呈圓形;所述的氣流調(diào)節(jié)件(5)固定在種棒(4)上,其直徑與光纖預(yù)制件的直徑比為0.5∶1~3∶1。
3.一種制造光纖預(yù)制件的裝置,包括一上部接有法蘭管(1)的反應(yīng)容器(6),該反應(yīng)容器下部有噴槍(9、10),其側(cè)面有排氣口(7),其特征是所述的法蘭管(1)內(nèi)設(shè)有氣流調(diào)節(jié)件(5),一種棒(4)經(jīng)所述的法蘭管(1)置于反應(yīng)容器(6)內(nèi)并與噴槍(9、10)相對(duì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造光纖預(yù)制件的裝置,其特征是所述的氣流調(diào)節(jié)件(5)通過(guò)滑套(16)和緊定螺釘(17)連接在種棒(4)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造光纖預(yù)制件的裝置,其特征是所述的氣流調(diào)節(jié)件為圓形平板(12a),其直徑與光纖預(yù)制件的直徑比為0.5∶1~3∶1。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造光纖預(yù)制件的裝置,其特征是所述的氣流調(diào)節(jié)件為半球面形板(13a),其直徑與光纖預(yù)制件的直徑比為0.5∶1~3∶1。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造光纖預(yù)制件的裝置,其特征是所述的半球面形板(13a)的邊緣開(kāi)設(shè)與種棒平行的氣孔(14a)。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造光纖預(yù)制件的裝置,其特征是所述的氣流調(diào)節(jié)件(5)由外半球面形板(13b)和內(nèi)半球面形板(13c)疊置而成,所述的內(nèi)、外半球面形板的邊緣開(kāi)設(shè)與種棒平行且相互對(duì)應(yīng)的氣孔(14b),其直徑與光纖預(yù)制件的直徑比為0.5∶1~3∶1。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造光纖預(yù)制件的裝置,其特征是所述的氣流調(diào)節(jié)件(5)由上、下兩圓形平板(12b)疊置而成,上、下兩圓形平板的邊緣開(kāi)設(shè)相互對(duì)應(yīng)的缺口(11),其直徑與光纖預(yù)制件的直徑比為0.5∶1~3∶1。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光纖預(yù)制件的制造方法及其裝置,屬光導(dǎo)纖維的制造領(lǐng)域。它主要是在側(cè)面有排氣口、下部有噴槍的球形反應(yīng)容器的上部連接法蘭管,法蘭管內(nèi)設(shè)置氣流調(diào)節(jié)件,將種棒經(jīng)法蘭管置于反應(yīng)容器內(nèi)并使其與噴槍相對(duì);并從法蘭管上端向下導(dǎo)入壓力為0.5×10
文檔編號(hào)G02B6/00GK1418835SQ0213758
公開(kāi)日2003年5月21日 申請(qǐng)日期2002年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月21日
發(fā)明者兒玉喜直, 森昭彥, 山本岳彥, 徐衠, 曹松峰 申請(qǐng)人:杭州富通昭和光通信股份有限公司
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