專利名稱：具有阻隔構(gòu)件的反射式液晶光閘的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于觀看用裝置部件，特別是一種具有阻隔構(gòu)件的反射式液晶光閘。
如

圖1所示，當有光束進入液晶投影顯示器時，部分分光后的原色光進入反射式液晶光閘時，無法避免地會經(jīng)由畫素彼此之間的畫素間隙進入電路結(jié)構(gòu)中。如圖2所示，分光后的原色光1L經(jīng)由畫素間隙15a進入反射式液晶光閘的內(nèi)部，當碰觸到吸收層13時，吸收層13無法完全吸收進入的原色光1L的能量，因此會穿透吸收層碰觸到反射層12而被反射，被反射的原色光1L會打到反射層15，因此進入反射式液晶光閘內(nèi)部的原色光1L會在氧化層14間的上、下兩個金屬層表面間進行連續(xù)的反射，其中氧化層14的厚度約為10k。根據(jù)不同的反射式液晶光閘的大小，在氧化層14行進一定距離后的原色光1L會經(jīng)由金屬線間隙11a進入基底11當中，這種情況稱為漏光?；?1為具有半導(dǎo)體組件的基底，例如CMOS?；诪榫哂袛?shù)個半導(dǎo)體組件的電路裝置，為簡化圖式，故以平整基底表示。基底11的電流由鎢栓塞16傳導(dǎo)至反射層15，用以控制反射式液晶光閘的打開或關(guān)閉，使光線反射或者不反射。原色光1L進入基底11會引起光電流，此光電流同樣藉由鎢栓塞16傳導(dǎo)至反射層15。當原色光1L所引起的光電流超過臨界值時，會影響傳送到反射層15的電壓值，使得液晶分子扭轉(zhuǎn)的角度不正確，造成不正確的光線強度反射，使顯示器表現(xiàn)的色彩亮度無法準確顯示，因而降低液晶投影顯示器的顯示品質(zhì)。
本發(fā)明包括基底、設(shè)置于基底上的第一反射層、設(shè)置于第一反射層上的用以吸收光源的吸收層、介電層、復(fù)數(shù)第二反射層、栓塞及阻隔構(gòu)件；第一反射層具有形成復(fù)數(shù)連接部的復(fù)數(shù)作為光源進入基底路徑的環(huán)狀第一開口；介電層設(shè)置于吸收層上及環(huán)狀第一開口內(nèi)，以形成光源通路；其上具有對應(yīng)于復(fù)數(shù)環(huán)狀第一開口以分別設(shè)置栓塞及阻隔構(gòu)件的復(fù)數(shù)第二開口及復(fù)數(shù)環(huán)狀凹槽；復(fù)數(shù)第二反射層上設(shè)有畫素間隙；復(fù)數(shù)第二反射層設(shè)置于介電層及復(fù)數(shù)栓塞及阻隔構(gòu)件上。
其中阻隔構(gòu)件為由鎢金屬制成的鎢框架。
阻隔構(gòu)件表面涂有可吸收光線能量的吸收層。
介電層為氧化層。
阻隔構(gòu)件外側(cè)與介電層上凹槽之間形成供光線通過的通路。
構(gòu)成通路的介電層厚度小于其上凹槽的寬度。
構(gòu)成通路的介電層厚度最好為2k。
栓塞為由鎢金屬制成的鎢栓塞。
第一反射層為金屬層。
第二反射層為金屬層。
基底為CMOS。
由于本發(fā)明包括基底、設(shè)置于基底上的第一反射層、設(shè)置于第一反射層上的用以吸收光源的吸收層、介電層、復(fù)數(shù)第二反射層、栓塞及阻隔構(gòu)件；第一反射層具有形成復(fù)數(shù)連接部的復(fù)數(shù)作為光源進入基底路徑的環(huán)狀第一開口；介電層設(shè)置于吸收層上及環(huán)狀第一開口內(nèi)，以形成光源通路；其上具有對應(yīng)于復(fù)數(shù)環(huán)狀第一開口以分別設(shè)置栓塞及阻隔構(gòu)件的復(fù)數(shù)第二開口及復(fù)數(shù)環(huán)狀凹槽；復(fù)數(shù)第二反射層上設(shè)有畫素間隙；復(fù)數(shù)第二反射層設(shè)置于介電層及復(fù)數(shù)栓塞及阻隔構(gòu)件上。當有光束進入本發(fā)明時，部分分光后的進入本發(fā)明的原色光無法避免地會經(jīng)由畫素彼此之間的畫素間隙進入電路結(jié)構(gòu)中，當原色光在介電層中行進時，原色光會因為撞擊阻隔構(gòu)件而增加反射次數(shù)，原色光的能量部分會被阻隔構(gòu)件吸收；且部分原色光會因撞擊到阻隔構(gòu)件而受到阻隔，撞擊到阻隔構(gòu)件后的反射角度會使原色光經(jīng)由介電層向外行進而不進入基底內(nèi)，以減少漏光；不僅減少漏光、降低介電層的厚度、增加光線進入介電層后的反射次數(shù)，而且提高投影顯示系統(tǒng)品質(zhì)、提高效率、降低成本，從而達到本發(fā)明的目的。
圖2、為習知的反射式液晶光閘結(jié)構(gòu)示意剖視圖。
圖3、為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意俯視圖。
圖4、為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意剖視圖。
具有半導(dǎo)體組件的基底21為CMOS。
第一反射層22上由金屬線間隙211a構(gòu)成形成復(fù)數(shù)連接部的復(fù)數(shù)環(huán)狀第一開口21a，用來作為原色光1L光源進入基底21的路徑。
設(shè)置于第一反射層22上的吸收層23用來吸收原色光1L的能量。
介電層24為氧化層，其設(shè)置于吸收層23及由金屬線間隙211a構(gòu)成的環(huán)狀第一開口21a上，以成為原色光1L的通路。為氧化層的介電層24上具有分別對應(yīng)于環(huán)狀第一開口21a的復(fù)數(shù)環(huán)狀凹槽27a及復(fù)數(shù)第二開口26a。
復(fù)數(shù)第二反射層25上設(shè)有畫素間隙25a。
栓塞26為由鎢金屬制成的鎢栓塞。
阻隔構(gòu)件27為由鎢金屬制成的鎢框架，其表面涂有與吸收層23相同材質(zhì)的可吸收光線能量吸收層。
復(fù)數(shù)為鎢栓塞的復(fù)數(shù)栓塞26分別設(shè)置于第二開口26a內(nèi)。復(fù)數(shù)為鎢框架的阻隔構(gòu)件27分別設(shè)置于凹槽27a內(nèi)，使阻隔構(gòu)件27位于栓塞26周圍相對于第一開口21a的氧化層24中，并使阻隔構(gòu)件27外側(cè)與介電層24上凹槽27a之間形成供光線通過的通路。
第二反射層25設(shè)置于為氧化層的介電層24、為鎢栓塞的栓塞26及為鎢框架27阻隔構(gòu)件之上，使原色光1L經(jīng)畫素間隙25a進入為氧化層的介電層24，并經(jīng)由為鎢栓塞的栓塞26的吸收及反射而進入至基底21。
當有光束進入液晶投影顯示器時，部分分光后的原色光1L進入本發(fā)明時，無法避免地會經(jīng)由畫素彼此之間的畫素間隙25a進入電路結(jié)構(gòu)中，當原色光1L在為氧化層的介電層24中行進時，原色光1L會因為撞擊為鎢框架的阻隔構(gòu)件27而增加反射次數(shù)，原色光1L的能量部分會被為鎢框架的阻隔構(gòu)件27表面所涂的吸收材質(zhì)所吸收；且部分原色光1L會因撞擊到阻隔構(gòu)件27而受到阻隔，撞擊到阻隔構(gòu)件27后的反射角度會使原色光1L經(jīng)由介電層24向外行進而不進入基底21內(nèi)。如此，可達到減少漏光的目的。
除此之外，在本發(fā)明中，分光后的原色光1L會經(jīng)由畫素間隙25a進入反射式液晶光閘的內(nèi)部，當碰觸到吸收層23時，吸收層23無法完全吸收進入的原色光1L的能量，因此會穿透吸收層23碰觸到反射層22而被反射，被反射的原色光1L會打到反射層25，因此進入反射式液晶光閘內(nèi)部的原色光1L會在介電層24間行進，介電層24的厚度為2k，以形成小于既定寬度。約為金屬線間隙211a寬度的一半以下，并小于凹槽27a的寬度；且相較于習知的厚度10k減少許多。根據(jù)不同的反射式液晶光閘的大小，在介電層24行進一定距離后的原色光1L會經(jīng)由金屬線間隙211a進入基底21當中。當原色光1L由畫素間隙25a進入介電層24時，因為介電層24的厚度減小，原色光1L于介電層24中的反射次數(shù)增加，接觸吸收層23的次數(shù)亦增加，進而使被吸收的原色光1L的能量增加，所以進入基底21的原色光1L能量將會減少，如此，可達到減少漏光的效果。
另外，由于習知的反射式液晶光閘的介電層厚度較厚，所以需要沉積的厚度會多出許多才能加以磨平，因此化學機械研磨程序所需花費的材料及時間會浪費許多。在本發(fā)明的制程中，由于在對應(yīng)由金屬線間隙211a構(gòu)成的環(huán)狀第一開口21a的位置會預(yù)留第二開口26a及環(huán)狀凹槽27a，以填補為鎢栓塞的復(fù)數(shù)栓塞26及為鎢框架的阻隔構(gòu)件27，因此不須將構(gòu)成環(huán)狀第一開口21a的金屬線間隙211a整個填滿，而且，因為本發(fā)明的介電層24厚度較薄，相較于習知技術(shù)，可有效節(jié)省化學機械研磨時間，進而降低成本。
與習知的反射式液晶光閘，本發(fā)明不須增加其它額外的罩幕或疊層，只要在為鎢栓塞的復(fù)數(shù)栓塞26周圍設(shè)置為鎢框架的阻隔構(gòu)件27，即可輕易達到改善光電流遺漏狀態(tài)的情況。
權(quán)利要求
1.一種具有阻隔構(gòu)件的反射式液晶光閘，它包括基底、設(shè)置于基底上的第一反射層、設(shè)置于第一反射層上的用以吸收光源的吸收層、介電層、復(fù)數(shù)第二反射層及栓塞；第一反射層具有形成復(fù)數(shù)連接部的復(fù)數(shù)作為光源進入基底路徑的環(huán)狀第一開口；介電層設(shè)置于吸收層上及環(huán)狀第一開口內(nèi)，以形成光源通路；其上具有對應(yīng)于復(fù)數(shù)環(huán)狀第一開口以分別設(shè)置栓塞的復(fù)數(shù)第二開口；復(fù)數(shù)第二反射層上設(shè)有畫素間隙；其特征在于所述的介電層上具有對應(yīng)于復(fù)數(shù)環(huán)狀第一開口以分別設(shè)置阻隔構(gòu)件的復(fù)數(shù)環(huán)狀凹槽；復(fù)數(shù)第二反射層設(shè)置于介電層及復(fù)數(shù)栓塞及阻隔構(gòu)件上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有阻隔構(gòu)件的反射式液晶光閘，其特征在于所述的阻隔構(gòu)件為由鎢金屬制成的鎢框架。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有阻隔構(gòu)件的反射式液晶光閘，其特征在于所述的阻隔構(gòu)件表面涂有可吸收光線能量的吸收層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有阻隔構(gòu)件的反射式液晶光閘，其特征在于所述的介電層為氧化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有阻隔構(gòu)件的反射式液晶光閘，其特征在于所述的阻隔構(gòu)件外側(cè)與介電層上凹槽之間形成供光線通過的通路。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有阻隔構(gòu)件的反射式液晶光閘，其特征在于所述的構(gòu)成通路的介電層厚度小于其上凹槽的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有阻隔構(gòu)件的反射式液晶光閘，其特征在于所述的構(gòu)成通路的介電層厚度最好為2k。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有阻隔構(gòu)件的反射式液晶光閘，其特征在于所述的栓塞為由鎢金屬制成的鎢栓塞。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有阻隔構(gòu)件的反射式液晶光閘，其特征在于所述的第一反射層為金屬層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有阻隔構(gòu)件的反射式液晶光閘，其特征在于所述的第二反射層為金屬層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有阻隔構(gòu)件的反射式液晶光閘，其特征在于所述的基底為CMOS。
全文摘要
一種具有阻隔構(gòu)件的反射式液晶光閘。為提供一種減少漏光、降低介電層的厚度、增加光線進入介電層后的反射次數(shù)、提高投影顯示系統(tǒng)品質(zhì)、提高效率、降低成本的觀看用裝置部件，提出本發(fā)明，它包括基底、設(shè)置于基底上的第一反射層、設(shè)置于第一反射層上的用以吸收光源的吸收層、介電層、復(fù)數(shù)第二反射層、栓塞及阻隔構(gòu)件；第一反射層具有形成復(fù)數(shù)連接部的復(fù)數(shù)作為光源進入基底路徑的環(huán)狀第一開口；介電層設(shè)置于吸收層上及環(huán)狀第一開口內(nèi)，以形成光源通路；其上具有對應(yīng)于復(fù)數(shù)環(huán)狀第一開口以分別設(shè)置栓塞及阻隔構(gòu)件的復(fù)數(shù)第二開口及復(fù)數(shù)環(huán)狀凹槽；復(fù)數(shù)第二反射層上設(shè)有畫素間隙；復(fù)數(shù)第二反射層設(shè)置于介電層及復(fù)數(shù)栓塞及阻隔構(gòu)件上。
文檔編號G02F1/13GK1437046SQ0210359
公開日2003年8月20日 申請日期2002年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月7日
發(fā)明者陳慧倫, 歐乃天, 陳姿鈞, 鐘士勇 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司