專利名稱：感光元件、感光元件輥、使用其的抗蝕圖形的制法、抗蝕圖形、抗蝕圖形的積層片、布線圖 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及感光元件、感光元件輥、使用其的抗蝕圖形的制法、抗蝕圖形、抗蝕圖形的積層片、布線圖形的制法及布線圖形。
感光元件通常由光透過性的支撐膜、感光性樹脂組合物層、保護膜三層構(gòu)成。作為其使用方法一般可舉出如下的方法，即，首先剝離保護膜后，感光性樹脂層以直接接觸進行壓接(層壓)，粘接在光透過性膜上形成圖形的底片，照射(曝光)活性光線(多半使用紫外線)，然后噴射有機溶劑或堿水溶液，除去不需要部分，以此形成(顯影)抗蝕圖形。尤其從環(huán)境等方面出發(fā)，要求作為顯影液使用堿水溶液。
近年來，正在推進電子機器的小型化和輕量化。印刷布線板也要求電路的微細(xì)化、抗蝕圖形也要求細(xì)線化，感光元件也要求高分辨率化。然而，已有的由三層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的感光性元件不能滿足這種要求。即，由于通過光透過性支撐膜進行曝光，所以為了得到高分辨率，需要將該膜的厚度盡可能地作薄。另一方面，為了發(fā)揮作為涂布感光性樹脂組合物時的支撐體的作用要求其具有一定程度的自身保持性，一般需要有15-25μm的厚度。因此，使用已有的等級的光透過性支撐膜，則達不到高分辨率要求，這就是現(xiàn)狀。
針對這些要求，為了達到高分辨率，進行了各種試驗。例如，可舉出在曝光前，剝離支撐膜，在感光性樹脂組合物層上直接粘合底片的方法。通常，感光性樹脂組合物層以粘合在基材上的方式保持一定程度的粘合性。因此，若直接地適用該法，則有下列問題，即，底片與感光性樹脂組合物層粘合，難于剝離底片，降低作業(yè)性，感光樹脂污染底片，由于阻礙了空氣中的氧，感光度下降等問題。
因此，作為改進這種方法的試驗，將感光性樹脂組合物層作成2層以上，并將與底片直接接觸的層作成非粘合性層(特開昭61-31855號公報、特開平1-221735號公報、特開平2-230149號公報等)。然而，這種方法為了使感光性樹脂組合物層多層化，涂布要花時間，而且對感光度下降也不起作用。
此外，作為另一種方法，在感光性樹脂組合物層上設(shè)置中間層，以克服這些缺點的試驗公開于特公昭56-40824號公報、特公昭55-501072號公報、特公昭54-12215號公報、特公昭47-469號公報、特公昭59-97138號公報、特公昭59-216141號公報、特公昭63-197942號公報等。然而，所有這些專利文獻均必需在支撐膜與感光性樹脂組合物層之間設(shè)置中間層，涂布也需花費時間，而且對薄的中間層難于處理。
本發(fā)明的目的是，提供一種抗蝕圖形側(cè)面鋸齒形刻紋性、抗蝕圖形上面的平整性、分辨率、粘合性、堿顯影性、生產(chǎn)率及作業(yè)性優(yōu)異、不良腐蝕數(shù)少的感光元件。
本發(fā)明的目的是，還提供一種發(fā)揮上述效果、抗蝕圖形側(cè)面鋸齒形刻紋性優(yōu)異的感光元件。
本發(fā)明的目的是，還提供一種發(fā)揮上述效果、分辨率優(yōu)異的感光性元件。
本發(fā)明的目的是，還提供一種除上述效果外，層壓時感光元件的尺寸變化性優(yōu)異的感光元件。
本發(fā)明的目的是，還提供一種除上述發(fā)明效果外，抗蝕固化后的膜強度優(yōu)異的感光性元件。
本發(fā)明的目的是，還提供一種除上述發(fā)明效果外，剝離性優(yōu)異的感光元件。
本發(fā)明的目的是，還提供一種除上述效果外，耐電鍍性優(yōu)異的感光元件。
本發(fā)明的目的是，還提供一種除上述效果外，粘合性優(yōu)異的感光元件。
本發(fā)明的目的是，還提供一種除上述效果外，保管時的冷流性優(yōu)異的感光元件。
本發(fā)明的另一目的是，還提供一種抗蝕圖形的側(cè)面鋸齒形刻紋性、抗蝕圖形上面的平整性、分辨率、粘合性、堿顯影性、輸送時卷繞誤差性、生產(chǎn)率及作業(yè)性優(yōu)異、不良腐蝕數(shù)少的感光元件輥。
本發(fā)明的目的是，提供一種抗蝕圖形的側(cè)面鋸齒形刻紋性、抗蝕圖形上面的平整性、分辨率、粘合性、堿顯影性、輸送時卷繞誤差性、生產(chǎn)率及作業(yè)性優(yōu)異、不良腐蝕數(shù)少的感光元件輥。
本發(fā)明的再另一目的是，抗蝕圖形的側(cè)面鋸齒形刻紋性、抗蝕圖形上面的平整性、分辨率、粘合性、生產(chǎn)率及作業(yè)性優(yōu)異、不良腐蝕數(shù)少的抗蝕圖形的制法。
本發(fā)明的再一目的是，提供一種抗蝕圖形的側(cè)面鋸齒形刻紋性、抗蝕圖形上面的平整性、分辨率、粘合性、生產(chǎn)率及作業(yè)性優(yōu)異、不良腐蝕數(shù)少的抗蝕圖形。
本發(fā)明的再一目的是，提供一種抗蝕圖形的側(cè)面鋸齒形刻紋性、抗蝕圖形上面的平整性、分辨率、粘合性、生產(chǎn)率及作業(yè)性優(yōu)異、不良腐蝕數(shù)少的抗蝕圖形積層基片。
本發(fā)明的再一目的是，提供一種布線圖形的側(cè)面鋸齒形刻紋性、電阻及線美觀優(yōu)異的布線圖形的制造方法。
本發(fā)明的再一目的是，提供一種布線圖形的側(cè)面鋸齒形刻紋性、電阻及線美觀優(yōu)異的布線圖形。
還有，本發(fā)明涉及一種感光元件，在支撐膜上具有感光性樹脂組合物層，支撐膜橫向的200℃、30分鐘的熱收縮率為0.00-4.00％，所述感光性樹脂組合物含有(A)含羧基的粘合劑聚合物；(B)分子內(nèi)有至少一種可聚合的烯類不飽基團的光聚合性化合物，以及(C)光聚合引發(fā)劑。
還有，本發(fā)明涉及所述的感光元件，其支撐膜橫向的150℃、30分鐘的熱收縮率為0.00-0.20％。
還有，本發(fā)明涉及所述的感光元件，其支撐膜橫向的150℃、30分鐘的熱收縮率為0.00-0.20％。
還有，本發(fā)明涉及一種感光元件，在支撐膜上具有感光性樹脂組合物層，支撐膜橫向的150℃、30分鐘的熱收縮率為0.00-0.20％，所述感光性樹脂組合物含有(A)含羧基的粘合劑聚合物；(B)分子內(nèi)有至少一種可聚合的烯類不飽基團的光聚合性化合物，以及(C)光聚合引發(fā)劑。
還有，本發(fā)明涉及一種感光元件，支撐膜橫向的105℃、30分鐘的熱收縮率為0.00-0.20％。
還有，本發(fā)明涉及一種感光元件，在支撐膜上具有感光性樹脂組合物層，支撐膜水的接觸角(°)應(yīng)滿足下列數(shù)式(1)(X面的接觸角)/(Y面的接觸角)＞1.1(1)X面涂布、干燥感光性樹脂組合物的面；Y面與涂布、干燥感光性樹脂組合物面對側(cè)的面；所述感光樹脂組合物含有(A)含羧基的粘合劑聚合物；(B)分子內(nèi)有至少一種可聚合的烯類不飽基團的光聚合性化合物，以及(C)光聚合引發(fā)劑。
還有，本發(fā)明涉及所述的感光元件，支撐膜為在雙軸取向聚酯膜的一側(cè)面上積層了含微粒子樹脂層的支撐膜，在已形成所述樹脂層的對面上涂布、干燥感光性樹脂組合物層。
還有，本發(fā)明涉及所述的感光元件，微粒子的平均粒徑為0.01-5.0μm。
還有，本發(fā)明涉及所述的感光元件，含有微粒子的樹脂層厚度為0.05-5.0μm。
還有，本發(fā)明涉及所述的感光元件，支撐膜的濁度為0.01-5.0％。
還有，本發(fā)明涉及所述的感光元件，支撐膜縱向的105℃、30分鐘的熱收縮率為0.30-0.60％。
還有，本發(fā)明涉及所述的感光元件，支撐膜縱向的150℃、30分鐘的熱收縮率為1.00-1.90％。
還有，本發(fā)明涉及所述的感光元件，支撐膜縱向的200℃、30分鐘的熱收縮率為3.00-6.50％。
還有，本發(fā)明涉及所述的感光元件，(A)含有羧基的粘合劑聚合物的重均分子量為20,000-300,000。
還有，本發(fā)明涉及所述的感光元件，(A)含有羧基的粘合劑聚合物的酸值為50-300mg KOH/g。
還有，本發(fā)明涉及所述的感光元件，作為(B)光聚合性化合物含有雙酚A類(甲基)丙烯酸酯化合物。
還有，本發(fā)明涉及所述的感光元件，作為(C)光聚合引發(fā)劑含有2，4，5-三芳基咪唑二聚物。
還有，本發(fā)明涉及所述的感光元件，(A)成分、(B)成分及(C)成分的配合量為(A)成分對(A)成分及(B)成分的總量100重量份為40-80重量份；(B)成分對(A)成分及(B)成分的總量100重量份為20-60重量份，以及
(C)成分對(A)成分及(B)成分的總量100重量份為0.01-20重量份。
還有，本發(fā)明涉及一種感光元件輥，是將所述感光元件卷繞在卷芯上的感光元件輥。
還有，本發(fā)明涉及一種感光元件輥，將感光元件卷繞在卷芯上，使所述卷芯的軸向與沖突面成垂直的方式，將所述感光元件輥由沖突面10cm高度5次自然落下后的感光元件輥端面的卷繞誤差高度為1mm以下。
還有，本發(fā)明涉及一種抗蝕圖形的制法，其特征是，將所述感光元件在電路形成用基片上以感光性樹脂組合物層粘接的方式積層，以圖像狀照射活性光線，使曝光部分光固化，通過顯影除去未曝光部分。
還有，本發(fā)明涉及一種抗蝕圖形，由所述抗蝕圖形的制法制造。
還有，本發(fā)明涉及一種抗蝕圖形，抗蝕圖形側(cè)面的凹凸為0-3.0μm。
還有，本發(fā)明涉及一種抗蝕圖形，抗蝕圖形側(cè)面的中線中大于3.0μm的凹凸數(shù)為0-5個/4mm。
還有，本發(fā)明涉及一種抗蝕圖形，抗蝕圖形側(cè)面的算術(shù)平均粗度(Ra)為0-2.0μm。
還有，本發(fā)明涉及所述的抗蝕圖形，抗蝕圖形側(cè)面的最大高度(Ry)為0-3.0μm。
還有，本發(fā)明涉及一種抗蝕圖形，抗蝕圖形側(cè)面的最大高度(Ry)為0-3.0μm。
還有，本發(fā)明涉及所述的抗蝕圖形，抗蝕圖形的寬度為1μm以上。
還有，本發(fā)明涉及所述的抗蝕圖形，抗蝕圖形的高度為1-150μm。
還有，本發(fā)明涉及一種抗蝕圖形積層基片，在電路形成用基片上形成所述的抗蝕圖形。
還有，本發(fā)明涉及一種布線圖形的制法，其特征是，蝕刻或電鍍所述的抗蝕圖形積層片。
還有，本發(fā)明涉及一種布線圖形，由所述的布線圖形的制法制造。
還有，本發(fā)明涉及一種布線圖形，布線圖形側(cè)面的凹凸為0-3.0μm。
還有，本發(fā)明涉及一種布線圖形，在布線圖形側(cè)面的中線中大于3.0μm的凹凸數(shù)為0-5個/4mm。
還有，本發(fā)明涉及一種布線圖形，布線圖形的側(cè)面的算術(shù)粗度(Ra)為0-2.0μm。
還有，本發(fā)明涉及所述的布線圖形，布線圖形側(cè)面的最大高度(Ry)為0-3.0μm。
還有，本發(fā)明涉及一種布線圖形，布線圖形側(cè)面的最大高度(Ry)為0-3.0μm。
還有，本發(fā)明涉及所述的布線圖形，布線圖形的寬度為1μm以上。
還有，本發(fā)明涉及所述的布線圖形，布線圖形的高度為0.01-200μm。
圖2A及B為感光元件輥卷繞誤差高度測定法模式圖，圖2B為將圖2A作90℃旋轉(zhuǎn)的圖。
圖3為L型直角尺的模式圖。
圖4A為感光元件卷繞誤差發(fā)生部分的模式圖，圖4B為該部分的放大圖。
圖5為抗蝕圖形的模式圖。
圖6為抗蝕圖形側(cè)面的凹凸部分測定法的模式圖。
圖7為抗蝕圖形的剖視圖。
圖8為抗蝕圖形側(cè)面的凹凸部的剖視圖。
本發(fā)明的感光元件具有如下四個特征。
本發(fā)明的感光元件的第1個特征為在由雙軸取向聚酯膜及在其一方的面上具有感光性樹脂組合物層的支撐膜所構(gòu)成的感光元件中，在與形成了該支撐膜的所述感光性樹脂組合物層的面的對面上有含微粒子的樹脂層，所述感光性樹脂組合物為含有(A)含羧基的粘合劑聚合物、和(B)分子內(nèi)有至少一種可聚合的烯類不飽和基團的光聚合性化合物，以及(C)光聚合引發(fā)劑所構(gòu)成。
本發(fā)明的感光元件的第2特征為在支撐膜上具有感光性樹脂組合物層的感光元件中，支撐膜橫向的200℃、30分鐘的熱收縮率為0.00-4.00％，所述感光性樹脂組合物含有(A)含羧基的粘合劑聚合物；和(B)分子內(nèi)有至少一種可聚合的烯類不飽基團的光聚合性化合物，以及(C)光聚合引發(fā)劑所構(gòu)成。
本發(fā)明的感光元件的第3特征為在支撐膜上具有感光性樹脂組合物的感光元件中，支撐膜橫向的150℃、30分鐘的熱收縮率為0.00-0.20％，所述感光性樹脂組合物含有(A)含羧基的粘合劑聚合物；和(B)分子內(nèi)有至少一種可聚合的烯類不飽基團的光聚合性化合物，以及(C)光聚合引發(fā)劑所構(gòu)成。
本發(fā)明的感光元件的第4特征為在支撐膜上具有感光性樹脂組合物的感光元件中，支撐膜的水的接觸角(°)滿足所述式(1)，所述感光性樹脂組合物含有(A)含羧基的粘合劑聚合物；和(B)分子內(nèi)有至少一種可聚合的烯類不飽基團的光聚合性化合物，以及(C)光聚合引發(fā)劑所構(gòu)成。
本發(fā)明的感光元件的第1特征中的支撐膜，在雙軸取向聚酯膜的一方的面上積層含微粒子的樹脂層，第2感光元件、第2感光元件及第4感光元件最好也是上述結(jié)構(gòu)的支撐膜。
上述微粒子的平均粒徑以0.01-5.0μm為優(yōu)選，以0.02-4.0μm為更優(yōu)選，以0.03-3.0μm為特優(yōu)選。該平均粒徑未滿0.01μm，則有作業(yè)性變差的傾向，若超過5.0μm，則有產(chǎn)生分辨率及感光度下降的傾向。
上述微粒子的配合量，例如按照構(gòu)成樹脂層的基底樹脂、微粒子的種類以及平均半徑、所希望的物理性質(zhì)等為不同的優(yōu)選配合量。
作為上述微粒子，可舉出例如二氧化硅、高領(lǐng)土、滑石、三氧化二鋁、磷酸鈣、二氧化鈦、碳酸鈣、硫酸鋇、氟化鈣、氟化鋰、沸石、硫化鉬等無機粒子、交聯(lián)高分子粒子、草酸鈣等的有機粒子等。從透明性的觀點出發(fā)，優(yōu)選二氧化硅粒子。這些微粒子可單獨或者將其兩種以上組合使用。
作為構(gòu)成含有所述微粒子樹脂層的基底樹脂，可舉出例如聚酯類樹脂、聚氨酯類樹脂、丙烯酸類樹脂，以及這些樹脂的混合物及其共聚物。
所述的樹脂層厚度以0.01-5.0μm為優(yōu)選，以0.05-3.0μm為更優(yōu)選，以0.1-2.0μm為特別優(yōu)選，以0.1-1.0μm為最優(yōu)選。在該厚度未滿0.01μm，具有得不到本發(fā)明效果的傾向，若超過5.0μm，則有聚酯膜的透明性變差、感光度及分辨率差的傾向。
在所述雙軸取向聚酯膜的一方的面上，作為積層所述樹脂層的方法無特別限制，可舉出例如涂布方法。
作為構(gòu)成所述雙軸取向聚酯膜的聚酯類樹脂，可舉出例如以聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等芳香族二羧酸類與二元醇類作為構(gòu)成的成分的芳香族線形聚酯、和以脂肪族二羧酸類和二元醇類作為構(gòu)成成分的脂肪族線形聚酯，以及由這些共聚物等的聚酯等為主構(gòu)成的聚酯類樹脂等。這些聚酯類樹脂可以單獨或者將其兩種以上組合使用。
在積層上述樹脂層的雙軸取向聚酯膜中也可以含有微粒子，作為上述的微粒子可列舉例如與上述樹脂層中所含有的微粒子相同的微粒子。其含量以0-80ppm為優(yōu)選，以0-60ppm為更優(yōu)選，以0-40ppm為特別優(yōu)選。若這種含量超過80ppm，則有聚酯膜的全部透明性下降、分辨率及感光度降低的傾向。
所述雙軸取向聚酯膜的制法無特別限定，例如，可使用雙軸拉伸方法等。并且，在未拉伸膜或單軸拉伸膜一方的面上形成所述的樹脂層后，也可以進一步拉伸制成支撐膜。
所述雙軸取向樹脂膜的厚度以1-100μm為優(yōu)選，以1-50μm為更優(yōu)選，以1-30μm為特優(yōu)選，而最好為10-30μm。在該厚度未滿足1μm時，則有容易制造性和容易得到性變差的傾向，若超過100μm，則有廉價性變差的傾向。
本發(fā)明的感光元件的第2特征中的支撐膜，支撐膜橫向的200℃、30分鐘的熱收縮率為0.00-4.00％，第1感光元件、第3感光元件及第4感光元件最好是也具有上述范圍熱收縮率的支撐膜。
上述支撐膜橫向的200℃、30分鐘的熱收縮率為0.00-4.00％，以0.00-3.00％為優(yōu)選，以0.00-2.00％為更優(yōu)選，以0.00-1.50％為特別優(yōu)選，以0.00-1.30％為最優(yōu)選，以0.00-1.00％為極最優(yōu)選。若該熱收縮率超過4.00％，則尺寸精度變差。
本發(fā)明的感光元件第3特征中的支撐膜，支撐膜橫向的150℃、30分鐘的熱收縮率為0.00-2.00％，第1感光元件、第2感光元件及第4感光元件最好是也具有上述范圍熱收縮率的支撐膜。
上述支撐膜橫向的150℃、30分鐘的熱收縮率為0.00-0.20％，以0.00-0.15％為優(yōu)選，以0.00-0.10％為更優(yōu)選，以0.00-0.05％為特別優(yōu)選，以0.00-0.04％為最優(yōu)選，以0.00-0.03％為極最優(yōu)選。若該熱收縮率超過0.20％，則尺寸精度變差。
上述支撐膜的濁度以0.01-5.0％為優(yōu)選，以0.01-3.0％為更優(yōu)選，以0.01-2.0％為特優(yōu)選，以0.01-1.0％為極優(yōu)選，在該濁度為未滿0.01％時，則有容易制造性變差的傾向，若超過5.0％，則有感光度及分辨率變差的傾向，再有，本發(fā)明中的濁度是按照J(rèn)IS K 7105測定的，例如，可使用NDH-1001DP[日本電色工業(yè)(株式會社制)，商品名]等市售的濁度計等測定。
上述支撐膜橫向的105℃、30分鐘的熱收縮率以0.00-0.20％為優(yōu)選，以0.00-0.15％為更優(yōu)選，以0.00-0.10％為特優(yōu)選，以0.00-0.05％為極優(yōu)選，若該熱收縮率超過0.20％，則有尺寸精度變差傾向。
本發(fā)明的感光元件的第4特征中的支撐膜，其支撐膜的X面(涂布、干燥感光樹脂組合物的面)的接觸角與Y面(與涂布、干燥感光樹脂組合物的面對側(cè)的面)的接觸角的關(guān)系為(X面的接觸角)/(Y面的接觸角)＞1.1，第1感光元件、第2感光元件及第3感光元件最好是也滿足上述接觸角關(guān)系的支撐膜。
上述支撐膜的接觸角的關(guān)系為(X面的接觸角)/(Y面的接觸角)＞1.1，以(X面的接觸角)/(Y面的接觸角)＞1.15為優(yōu)選，以(X面的接觸角)/(Y面的接觸角)＞1.2為更優(yōu)選，以(X面的接觸角)/(Y面的接觸角)＞1.25為特優(yōu)選，以(X面的接觸角)/(Y面的接觸角)＞1.3為非常優(yōu)選，以(X面的接觸角)/(Y面的接觸角)＞1.35為極優(yōu)選，以(X面的接觸角)/(Y面的接觸角)＞1.4為非常極優(yōu)選。還有，作為(X面的接觸角)/(Y面的接觸角)的上限以5.0為優(yōu)選，以4.0為更優(yōu)選，以3.0為特優(yōu)選，以2.0為極優(yōu)選。這種接觸角關(guān)系未滿1.1時，尺寸精度變差。還有，本發(fā)明中的接觸角，例如參照J(rèn)IS R 3257，可通過靜滴法測定。
上述支撐膜縱向的105℃、30分鐘的熱收縮率以0.30-0.60％為優(yōu)選，以0.35-0.55％為更優(yōu)選，以0.40-0.50％為特優(yōu)選。該熱收縮率未滿0.30％時，則有聚酯膜變脆傾向，若超過0.60％，則有在層壓時感光元件尺寸發(fā)生變化的傾向。
上述支撐膜縱向的150℃、30分鐘的熱收縮率以1.00-1.90％為優(yōu)選，以1.10-1.70％為更優(yōu)選，以1.20-1.60％為特優(yōu)選。該熱收縮率未滿1.00％時，則有聚酯膜變脆傾向，若超過1.90％，則有在層壓時發(fā)生感光元件尺寸發(fā)生變化的傾向。
上述支撐膜縱向的200℃、30分鐘的熱收縮率以3.00-6.50％為優(yōu)選，以3.30-5.00％為更優(yōu)選，以3.60-4.70％為特優(yōu)選。該熱收縮率未滿3.00％時，則有聚酯膜變脆傾向，若超過6.50％，則有在層壓時發(fā)生感光元件尺寸發(fā)生變化的傾向。
還有，本發(fā)明的熱收縮率為可通過下列方法測定，即，從膜的縱向及橫向分別采取寬度20mm、長度150mm的試驗片5枚，在各自的中間部分以約100mm的距離加上標(biāo)記，并將試驗片垂直地掛在保持上述溫度±3℃的熱風(fēng)循環(huán)式恒溫槽上，加熱30分鐘后取出，在室溫下放置30分鐘后測定標(biāo)記間距離，通過下述式(2)求出其平均值，即可測定出。其他的規(guī)定參照J(rèn)IS C 2318-1997(5、3、4尺寸變化)。
ΔL(％)＝(L0-L)/L0×100(2)ΔL熱收縮率(％)L0加熱前的標(biāo)記間距離(mm)L加熱后的標(biāo)記間距離(mm)作為可得到的上述支撐膜，可舉出例如東洋紡織株式會社制的A2100-16、A4100-25(商品名)等。
上述支撐膜的厚度以1-100μm為優(yōu)選，以1-50μm為更優(yōu)選，以1-30μm為特優(yōu)選，以10-30μm為極優(yōu)選。該厚度未滿1μm時，則有發(fā)生機械強度下降、涂布時聚合物膜破壞等問題的傾向，若超過100μm，則有分辨率降低和價格變高的傾向。
本發(fā)明的第1感光元件，在雙軸取向聚酯膜的一方的面上，將積層含有微粒子樹脂層的聚酯膜作成了支撐膜，在形成上述樹脂層的對面上可通過涂布、干燥感光性樹脂組合物層而得到。上述涂布可通過輥筒涂布、點涂布、凹板印刷輥涂布、刮涂氣刀式涂布、棒式涂布等已知的方法進行。另外，干燥可在80-150℃進行5-30分鐘。
還有，本發(fā)明的第2感光元件及第3感光元件在上述支撐膜一方的面上根據(jù)需要有含微粒子樹脂層時，在形成上述樹脂層的對面上可通過涂布、干燥感光性樹脂組合物層得到。上述涂布及干燥，可舉出與第1感光元件的涂布及干燥例示出的方法相同。
本發(fā)明中的(A)具有羧基的粘合劑聚合物，可通過使具有羧基的聚合性單體與其他聚合性單體自由基聚合制造。
作為具有羧基的聚合性單體可舉出，例如(甲基)丙烯酸、α-溴(甲基)丙烯酸、α-氯(甲基)丙烯酸、β-呋喃基(甲基)丙烯酸、β-苯乙烯基(甲基)丙烯酸、馬來酸、馬來酸酐、馬來酸一甲酯、馬來酸一乙酯、馬來酸一異丙酯等馬來酸單酯、富馬酸、桂皮酸、α-氰基桂皮酸、衣康酸、巴豆酸、丙塊酸等。
作為其他聚合性單體無特別限定，可舉出例如苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯等的α位或芳香環(huán)中被取代的可聚合的苯乙烯衍生物、雙丙酮丙烯酰胺等丙烯酰胺、丙烯腈、乙烯基-n-丁基醚等乙烯醇的酯類、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸四氫糠醛酯、(甲基)丙烯酸二甲氨基乙酯、(甲基)丙烯酸二乙基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、2，2，2-三氟乙基(甲基)丙烯酸酯、2，2，3，3-四氟丙基(甲基)丙烯酸酯等。
作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯，可舉出例如下列通式(1)所示的化合物 式中R1表示為氫原子或甲基，R2表示為碳數(shù)1-12的烷基。
這些化合物中的烷基可由羥基、環(huán)氧基、鹵代基等所取代。
作為上述通式(1)中的R2所表示的碳數(shù)1-12的烷基，可舉出例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基及其結(jié)構(gòu)異構(gòu)體。
作為上述通式(1)所表示的單體可舉出，例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯等。這些單體可單獨或者將基兩種以上組合使用。
還有，本發(fā)明中的(A)成分粘合劑聚合物從可繞性觀點出發(fā)，最好是使其含有將苯乙烯或苯乙烯衍生物作為聚合性單體。
為了使粘接性與剝離性良好，將上述苯乙烯或苯乙烯衍生物作為共聚成分，以含0.1-30wt％為優(yōu)選，以含1-28wt％為更優(yōu)選，以含1.5-27wt％為特優(yōu)選。在該含量未滿0.1wt％時，有粘接性變差的傾向，若超過30wt％，則有剝離片變大，剝離時間變長的傾向。
這些粘合劑聚合物可以單獨或?qū)⑵鋬煞N以組合使用。作為將兩種以上組合使用時的粘合劑聚合物，可舉出例如由不同的共聚成分組成的兩種以上的粘合劑聚合物、不同重均分子量的兩種以上的粘合劑聚合物、不同分散度的兩種以上的粘合劑聚合物。
還有，本發(fā)明中(A)含有羧基的粘合劑聚合物從涂膜性及分辨率觀點出發(fā)，以重均分子量20,000-300,000為優(yōu)選，以25,000-200,000為更優(yōu)選，以30,000-150,000為特優(yōu)選。在該重均分子量未滿20,000時，則有耐顯影液性下降的傾向，若超過300,000，則有顯影時間變長的傾向。還有，在本發(fā)明中，重均分子量由凝膠滲透色譜測定，為使用標(biāo)準(zhǔn)聚苯乙烯校正曲線換算的值。
還有，本發(fā)明中的(A)含有羧基的粘合劑聚合物的酸值以50-300mgKOH/g為優(yōu)選，以60-250mg KOH/g為更優(yōu)選，以70-200mg KOH/g為特優(yōu)選。在該酸值未滿50mg KOH/g時，則有顯影時間變長的傾向，若超過300mg KOH/g，則有光固化的抗蝕的耐顯影性降低的傾向。
作為本發(fā)明的(B)分子內(nèi)至少一個可聚合的烯類不飽和基團的可光聚合性化合物，雖然可以列舉的有，例如，由多元醇與α，β-不飽和和羧酸反應(yīng)得到的化合物、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧多乙氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧多丙氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基酰氧多乙氧多丙氧基)苯基]丙烷等雙酚A類(甲基)丙烯酸酯化合物；由含縮水甘油基的化合物與α，β-不飽和羧酸反應(yīng)得到的化合物、含氨基甲酸酯鍵的(甲基)丙烯酸酯化合物等氨基甲酸酯單體、壬基苯基二氧戊環(huán)(甲基)丙烯酸酯、γ-氯-β-羥丙基-β’-(甲基)丙烯酰氧乙基-O-苯二甲酸酯、β-羥乙基-β’-(甲基)丙烯酰氧乙基-O-苯二甲酸酯、β-羥丙基-β’-(甲基)丙烯酰氧乙基-O-苯二甲酸酯、(甲基)丙烯酸烷基酯等，不過，以雙酚A類(甲基)丙烯酸酯化合物或含氨基甲酸酯鍵的(甲基)丙烯酸酯化合物為必須成分者為優(yōu)選。它們可以單獨或2種以上組合使用。
作為上述的由多元醇與α，β-不飽和羧酸反應(yīng)得到的化合物，列舉的有，例如，乙烯基數(shù)為2-14的聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙烯基數(shù)為2-14的聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷乙氧基三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二乙氧基三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三乙氧基三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷四乙氧基三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷五乙氧基三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、丙烯基數(shù)為2-14的聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。
作為上面所述α，β-不飽和羧酸列舉的有，例如，(甲基)丙烯酸等。
作為上面所述，2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧多乙氧基)苯基]丙烷列舉的有，例如，2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧二乙氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧三乙氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧四乙氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧五乙氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧六乙氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧七乙氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧八乙氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧九乙氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧十乙氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧十一乙氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧十二乙氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧十三乙氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧十四乙氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧十五乙氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧十六乙氧基)苯基]丙烷等，2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧五乙氧基)苯基]丙烷可以在市場上買到，其商品名為BPE-500，由新中村化學(xué)工業(yè)株式會社制的，2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧十五乙氧基)苯基]丙烷也可以在市場上買到，其商品名為BPE-1300，也是由新中村化學(xué)工業(yè)株式會社制的。這些化合物被單獨或2種以上組合使用。
作為上面所述的2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧多乙氧多丙氧基)苯基]丙烷、例如，2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧二乙氧八丙氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧四乙氧四丙氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧六乙氧六丙氧基)苯基]丙烷等。它們被單獨或2種以上組合使用。
作為上面所述的含縮水甘油基的化合物列舉的有，例如，三(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷三縮水甘油基醚酯、2，2-二[4-(“甲基”丙烯基氧-2-羥基丙氧基)苯基等。
作為上面所述的氨基甲酸酯單體列舉的有，例如，在β位有OH基的(甲基)丙烯基單體與異佛爾酮二異氰酸酯、2，6-亞甲苯基二異氰酸酯、2，4-亞甲苯基二異氰酸酯、1，6-六亞甲基二異氰酸酯等二異氰酸酯化合物的加成化合物；三[(甲基)丙烯基氧四乙二醇異氰酸酯]六亞甲基異氰脲酸酯、EO改性氨基甲酸二(甲基)丙烯酸酯、EO，PO改性氨基甲酸二(甲基)丙烯酸酯等，其中，EO表示乙烯氧化物，EO改性化合物有氧化乙烯基鏈段。PO表示丙烯氧化物，PO改性化合物有氧化丙烯基鏈段。
作為EO改性氨基甲酸二(甲基)丙烯酸酯列舉有，例如，新中村化學(xué)工業(yè)株式會社制的商品名為UA-11的產(chǎn)品等。還有，作為EO，PO改性氨基甲酸二(甲基)丙烯酸酯列舉有，例如，新中村化學(xué)工業(yè)株式會社制的商品名為UA-13的產(chǎn)品等。
作為上面所述的(甲基)丙烯酸烷基酯列舉的有，例如，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基乙酯等。
它們被單獨或2種以上組合使用。
作為本發(fā)明中的(B)成分的光聚合引發(fā)劑，列舉的有，例如，二苯甲酮、N，N’-四甲基-4，4’-二氨基二苯甲酮(米蟲酮)、N，N’-四乙基-4，4’-二氨基二苯甲酮、4-甲氧基-4’-二甲基氨基二苯甲酮、2-芐基-2-二甲基氨基-1-(4-嗎啉代苯基)丁酮-1、2-甲基-1-[4-(甲基硫)苯基]-2-嗎啉代丙酮-1等芳香酮；2-乙基蒽醌、萘醌、2-叔丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1，2-苯并蒽醌、2，3-苯并蒽醌、2-苯基蒽醌、2，3-二苯基蒽醌、1-氯代蒽醌、2-甲基蒽醌、1，4-萘醌、9，10-菲醌、2-甲基-1，4-萘醌、2，3-二甲基蒽醌等醌類；苯偶因甲醚、苯偶因乙醚、苯偶因苯醚等偶因醚類化合物；苯偶因、甲基丙偶因、乙基苯偶因等苯偶因化合物；苯偶酰二甲基縮酮等苯偶酰衍生物；2-(o-氯代苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚物、2-(o-氯代苯基)-4，5-(甲氧苯基)咪唑二聚物、2-(o-氟代苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚物、2-(o-甲氧苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚物、2-(p-甲氧苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚物等的2，4，5-三芳基咪唑二聚物；9-苯基吖啶、1，7-二(9，9’-吖啶左)庚烷等吖啶衍生物；N-苯基甘氨酸、N-苯基甘氨酸衍生物；香豆素類化合物等。
還有，兩個2，4，5-三芳基咪唑的芳基取代基既可給予相同的對稱化合物，也可以給不同的非對稱化合物。
還有，如使二乙基噻噸酮與二甲氨基安息香酸的組合那樣，也可以使噻噸酮類化合物與叔胺化合物組合。
還有，從粘接性與感光度的觀點來看，2，4，5-三芳基咪唑二聚物為更優(yōu)選。這些化合物可以單獨或者將其兩種以上組合使用。
本發(fā)明中(A)成分配合量對(A)成分及(B)成分100重量份，以50-70重量份為優(yōu)選，以55-65重量份為更優(yōu)選，在該配合量未滿40重量份而用作感光元件時，有涂膜性變差的傾向，若超過80重量份，則有光固化性變?yōu)椴怀浞值膬A向。
本發(fā)明中(B)成分配合量對(A)成分及(B)成分100重量份，以30-50重量份為優(yōu)選，以35-45重量份為更優(yōu)選，在該配合量未滿20重量份時，則有光固化性不充分的傾向，若超過60重量份，則有涂膜性變壞的傾向。
本發(fā)明中(C)成分配合量對(A)成分及(B)成分100重量份，以0.01-20重量份為優(yōu)選，以0.05-10重量份為更優(yōu)選，以0.1-5重量份為特優(yōu)選，在該配合量未滿0.01重量份時，則有感光度變?yōu)椴怀浞值膬A向，若超過20重量份，則有分辨率變壞的傾向。
還有，在本發(fā)明的感光樹脂組合物中，根據(jù)需要，可對(A)成分及(B)成分的總量100重量份分別含有0.01-20重量份的孔雀綠等染料、無色尤膽紫等光發(fā)色劑、防止熱發(fā)色劑、P-甲苯磺酰胺等增塑劑、顏料、填充劑、消泡劑、阻燃劑、隱定劑、增粘劑、矯正劑、促進剝離劑、抗氧劑、香料、成像劑和熱交聯(lián)劑等。這些添加劑可以單獨或者組合兩種以上使用。
本發(fā)明中的感光性樹脂組合物根據(jù)需要可溶解于甲醇、乙醇、丙酮、丁酮、乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、甲苯、N-二甲基磺酰胺等溶劑或其混合溶劑中，制成固形部分30-60wt％的溶液，進行涂布。
還有，感光性樹脂組合物層的厚度根據(jù)用途不同而不同，干燥后的厚度以1-200μm為優(yōu)選，以1-100μm為更優(yōu)選，以1-30μm為特優(yōu)選。在該厚度未滿1μm時，有用工業(yè)方法涂布困難的傾向，超過200μm，則有抗蝕底部光固化性變壞的傾向。
由如此得到的感光性樹脂組合物層與支撐膜兩層構(gòu)成的本發(fā)明感光元件，例如，在其直接的或感光性樹脂組合物層的另一面(與支撐膜存在的面的對面)上再積層保護膜，卷繞在卷芯上加以貯藏。這時最好是使支撐膜卷繞成最外側(cè)，卷繞時的卷繞速度及卷繞張力等可適當(dāng)決定。作為上述保護膜，可列舉有，例如聚乙烯、聚丙烯等非性活性的聚烯烴膜等，但從感光性樹脂組合物層的剝離性的觀點出發(fā)，最好是聚乙烯膜。并且，從氣孔的發(fā)生性觀點出發(fā)，最好使用低失透現(xiàn)象的保護膜。在上述輥型的感光元件輥的端面上，從保護端面的觀點出發(fā)，最好設(shè)置端面隔離裝置，從耐邊緣熔化的觀點出發(fā)，最好設(shè)置防濕端面的隔離裝置。還有，作為捆包的方法，最好是用透濕性低的黑色薄片捆包包裝。還有，在本發(fā)明中所謂的邊緣熔化是指由感光元件輥端面滲出感光性樹脂組合物層所產(chǎn)生的現(xiàn)象。
作為上述的卷芯最好是圓筒型的，可列舉例如聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚氯乙烯樹脂、ABS樹脂(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)等的塑料、紙等。
還有，在另一方面，本發(fā)明的感光元件輥如

圖1所示將感光元件2卷繞在卷芯1，使芯1的軸向與沖突面4呈垂直方式，將所述感光元件輥3從沖突面上10cm的高度5次自然落下后的感光元件輥端面的卷繞誤差高度為1mm以下。
上述落下最好是連續(xù)地進行5次，而且最好是1分鐘連續(xù)進行5次。并且，最好是，將上述感光性元件輥在0-10℃的冷藏室內(nèi)保存8-12小時后，進行上述落下實驗。
作為上述卷芯的尺寸列舉出，例如直徑為5-10cm、軸向長度為10-80cm。
在將上述感光元件卷繞在卷芯上時，感光元件的寬度無特別限制，但最好是短于卷芯軸向長度，以短于1-10cm為優(yōu)選。卷繞感光元件的長度也無特別限制，但以10-550m為優(yōu)選。
上述沖突面4最好即使使感光元件輥落下也不受到破壞，例如混凝土面、金屬面等。
上述5次自然落下后的感光元件輥端面卷驍誤差的高度，例如可以下列方式測定。首先，如圖2、圖3、圖4所示，以L型直角尺5的X片與通過卷芯1的軸向平面成為平行，Y片與通過卷芯1的平面成為垂直的方式，使L型直角尺5與感光元件輥3的端部接觸。然后，測定由感光元件輥3的端面所產(chǎn)生的卷繞誤差6頂點的距離(卷繞誤差高度d)。還有，在本發(fā)明中，作為卷繞誤差高度采用最大的卷繞誤差值，將其定為感光元件卷繞誤差高度。并且，在本發(fā)明中，所謂感光元件輥卷繞誤差是落下前與落下后的感光元件輥端面的誤差的高低差。
在用上述感光元件制造抗蝕圖形時，可舉出下列積層方法，即，在有上述保護膜存在的情況下，去掉保護膜之后，通過邊加熱感光樹脂組合物層邊壓接電路形成用基片，從粘接性及隨動性的觀點出發(fā)，最好是在減壓下積層。被積層的表面在通常為金屬面，但無特別限制。感光性樹脂組合物層的加熱溫度以70-130℃為優(yōu)選，壓接壓力以0.1-1Mpa(1-10kgf/cm2)為優(yōu)選，但是，這些條件無特別限制。還有，如有所述，若將感光性樹脂組合物層加熱至70-130℃，則不需要對電路形成用基片作預(yù)熱處理，但是，為了進一步提高積層性，也可以進行電路形成用基片的預(yù)熱處理。
這樣積層結(jié)束的感光性樹脂組合物層，通過所謂原圖的底片或正掩膜圖形，活性光線以圖像狀照射。此時，在存在于光性樹脂組合物層上的聚合物膜為透明的情況下，也可以直接照射活性光線，而在不透明的情況下，當(dāng)然需要除去。
作為活性光線的光源，可使用已知的光源，例如碳弧燈、水銀蒸氣弧燈、超高壓水銀燈、高壓水銀燈、氙燈等紫外線有效地進行幅射。此外，也可以使用有效地幅射攝影用閃光燈、太陽燈等的可見光。
其次，曝光之后，在感光樹脂組合物層上有支撐體存在的情況下，除去支撐體之后，通過濕式顯影和干式顯像等除去未曝光部分進行顯影，制造抗蝕圖形。
在濕式顯影的場合下，使用堿性水溶液、水系顯影液和與有機溶劑等感光性樹脂組合物對應(yīng)的顯影液，使用例如噴霧、搖動浸漬、沖洗、刮削等已知的方法進行顯影。
作為顯影液，使用堿性水溶液等的安全且穩(wěn)定的、操作性良好的顯影液。
作為上述堿性水溶液的堿，使用例如鋰、鈉或鉀的氫氧化物等的氫氧化堿金屬鹽，鋰、鈉、鉀或按的碳酸鹽或碳酸氫鹽等的碳酸堿金屬鹽，磷酸鉀、磷酸鈉、磷酸鈉等堿金屬磷酸鹽，吡咯磷酸鈉、吡咯磷酸鉀等堿金屬吡咯磷酸鹽，鋰、鈉或鉀的硼氧化等的硼酸堿金屬鹽等。
此外，作為用于顯影的堿性水溶液最好是0.1-5wt％碳酸鈉的稀溶液、0.1-5wt％碳酸鉀的稀溶液、0.1-5wt％氫氧化鈉的稀溶液、0.1-5wt％四硼酸鈉的稀溶液等。
還有，用于顯影的堿性水溶液的pH最好是定為9-11的范圍。其溫度與感光性樹脂組合物層的顯影性一致進行調(diào)節(jié)。
還有，在堿性水溶液中也可以混入表面活性劑、消泡劑、促進顯影用的少量有機溶劑等。
作為水系顯影液由水或堿性水溶液與一種以上的有機溶劑組成。這里作為堿性物質(zhì)可舉出，除上述物質(zhì)之外，例如還有硼砂、硅酸鈉、氫氧化四甲氨、乙醇胺、乙二胺、二乙三胺、2-氨基-2-羥基甲基-1，3-丙二醇、1，3-二氨基丙二醇-2、嗎啉等。
顯影液的pH最好是在抗蝕顯影能夠充分的范圍內(nèi)盡可能地降低，以定為pH8-12為優(yōu)選，pH9-10為更優(yōu)選。
作為上述有機溶劑可舉出例如三丙酮醇、丙酮、乙酸乙酯、具有碳數(shù)1-4的烷氧基的烷氧基乙醇、乙醇、異丙醇、丁醇、二甘醇單甲醚、二甘醇單乙醚，二甘醇單丁醚等。這些有機溶劑可單獨或?qū)⑵鋬煞N以上組合使用。
有機溶劑的濃度通常最好是2-90wt％，其溫度可與顯影性一致進行調(diào)整。
還有，在水系顯影液中，也可少量混入表面活性劑和消泡劑等。
作為單獨使用的有機溶劑類顯影液，可舉出例如1，1，1-三氯甲烷、N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、環(huán)己酮、甲基異丁基甲酮、γ-呋喃烷酮等。為了防止起火，最好向這些有機溶劑中加1-20wt％的水。根據(jù)需要，也可以合并使用兩種以上的顯影方法。
在顯影方式中，有浸漬方式、容器方式、噴霧方式、沖洗方式、刮剝方式；為提高分辨率，最好適用高壓噴霧方式。
作為顯影后的處理，也可以根據(jù)需要通過進行60-250℃的加熱或0.2-10mJ/cm2的曝光，進一步使抗蝕圖形固化。
還有，另一方面在本發(fā)明的抗蝕圖形中還有如下的4個特征。
本發(fā)明抗蝕圖形的第1特征是，抗蝕圖形側(cè)面的凹凸為0-3.0μm。
本發(fā)明抗蝕圖形的第2特征是，抗蝕圖形側(cè)面的中線中，大于3.0μm的凹凸數(shù)為0-5個/4mm。
本發(fā)明抗蝕圖形的第3特征是，抗蝕圖形側(cè)面的算術(shù)平均粗度(Ra)為0-2.0μm。
本發(fā)明抗蝕圖形的第4特征是，抗蝕圖形側(cè)面的最大高度(Ry)為0-3.0μm。
這里，本發(fā)明中所謂的抗蝕圖形側(cè)面，是指在如圖5所示的將在基片中積層的感光性樹脂組合物層從基片上方以圖像狀曝光活性光線，然后進行顯影所得到的抗蝕圖形7中，與基片15的垂直方向(感光元件中的感光性樹脂組合物層的厚度方向)上的抗蝕圖形的面。
還有，本發(fā)明中所謂的抗蝕圖形側(cè)面的凹凸，是指在如圖5中所示的、與在抗蝕圖形側(cè)面8所存在的基片15垂直方向(感光元件的感光性樹脂組合物層的厚度方向)上所具有的線形溝9。
本發(fā)明抗蝕圖形的第1特征的抗蝕圖形側(cè)面的凹凸為0-3.0μm，以0-2.8μm為優(yōu)選，以0-2.5μm為更優(yōu)選，以0-2.3μm為特優(yōu)選，以0-2.0μm為非常優(yōu)選，以0-1.8μm為極優(yōu)選，以0-1.5μm為非常極優(yōu)選。若該值超過3.0μm，則所得到的布線圖形側(cè)面的鋸齒形刻紋性、電阻及線美觀變差。
本發(fā)明抗蝕圖形的第2特征的抗蝕圖形的中線中大于3.0μm的凹凸數(shù)為0-5個/4mm，以0-4個/4mm為優(yōu)選、以0-3個/4mm為更優(yōu)選、以0-2個/4mm為特優(yōu)選、以0-1個/4mm為非常優(yōu)選、以0個/4mm為極優(yōu)選。若該值超過5個/4mm，則所得到的布線圖形的側(cè)面鋸齒形刻紋性、電阻及線美觀變差。
本發(fā)明抗蝕圖形第3特征的抗蝕圖形側(cè)面的算術(shù)平均粗度(Ra)為0-2.0μm，以0-1.8μm為優(yōu)選，以0-1.5μm為更優(yōu)選，以0-1.3μm為特優(yōu)選，以0-1.0μm為非常優(yōu)選，以0-0.8μm為更非常優(yōu)選，以0-0.5μm為極優(yōu)選，以0-0.3μm為非常極優(yōu)選。若該值超過2.0μm，則得到的布線圖形側(cè)面的鋸齒形刻紋性、電阻及線美觀變差。
本發(fā)明抗蝕圖形第4特征的抗蝕圖形側(cè)面的最大高度(Ry)為0-3.0μm，以0-2.8μm為優(yōu)選，以0-2.5μm為更優(yōu)選，以0-2.3μm為特優(yōu)選，以0-2.0μm為非常優(yōu)選，以0-1.8μm為極優(yōu)選，以0-1.5μm為非常極優(yōu)選，若該值超過3.0μm，則得到的布線圖形側(cè)面的鋸齒形刻紋性、電阻及線的美觀變差。
還有，本發(fā)明抗蝕圖形的寬度雖無特別限制，但以1μm以上為優(yōu)選，以3μm以上為更優(yōu)選，以5μm以上為特優(yōu)選，以5-1000μm為非常優(yōu)選，以6-1000μm為非常優(yōu)選，以7-1000μm為極優(yōu)選，以8-1000μm為非常極優(yōu)選，以9-900μm為更極優(yōu)選，10-800μm為非常極優(yōu)選。
還有，本發(fā)明抗蝕圖形的高度雖無特別限制，但以1-150μm為優(yōu)選，以1-110μm為更優(yōu)選，以2-100μm為特優(yōu)選，以3-90μm為非常優(yōu)選，以4-80μm為更非常優(yōu)選，5-75μm為極優(yōu)選。
本發(fā)明的抗蝕圖形側(cè)面的凹凸，例如可進行如下測定。首先，在基片上進行感光性樹脂組合物的積層，使用直線形底片圖形(具有透過100μm×1cm尺寸的活性光的窗)，通過曝光(30-200mJ/cm2以得到矩形抗蝕圖形的方式進行適宜地選擇)和顯影(0.1-5wt％碳酸鈉稀溶液等，20-40℃以得到矩形抗蝕圖形的方式進行適宜地選擇)，制成直線形及矩形抗蝕圖形(寬度100μm，長度1cm，高度感光性樹脂組合物層薄膜)。
這里，如圖6所示，將與基片成垂直方向且與抗蝕圖形7的長度方向成平行的抗蝕圖形的面作為抗蝕圖形側(cè)面8，將其抗蝕圖形側(cè)面8的橫幅作為抗蝕圖形的高度。并且將與基片成平行方向，并與抗蝕圖形側(cè)面成垂直的抗蝕圖形的面的橫幅作為抗蝕圖形的寬度。其次，在抗蝕圖形側(cè)面8上任意拉出兩條與基片成垂直方向的線并將其中點分別定為中點S10及中點T11。將中點S10與中點T11由線連結(jié)，并將該線稱為抗蝕圖形側(cè)面8的中線12(以中線12的長度成為4mm方式，成為中點S10及中點T11)。這里，所謂抗蝕圖形側(cè)面的凹凸是在抗蝕圖形側(cè)面8的中線12(長度4mm)的范圍內(nèi)測定的。
所謂上述抗蝕圖形側(cè)面中線上的凹凸，是指如圖7及圖8所示的，在鄰近的兩個凸部的接線上為垂直并且在基片上為平行的線，在作成夾在兩個凸部之間的、通過凹部的最深點13的線與上述接線的交點14時上述最深點13以及上述交點14之間的距離。還有，圖7為通過抗蝕圖形側(cè)面的中線在與基板成平行的面剖開的剖視圖，圖8為圖7中的凹凸部的剖視圖。
上述抗蝕圖形側(cè)面的中線上的凹凸，可通過例如光學(xué)顯微鏡、掃描型電子顯微鏡(SEM)、接觸型表面光潔度測定器、非接觸型三維表面光潔度測定器、表面形狀存儲顯微鏡(Keyenc株式會社制VF-7500等)、超深度形狀測定顯微鏡(Keyenc株式會社制VK-8500等)等進行測定。
通過使用上述表面形狀存儲顯微鏡(Keyenc株式會社制VF-7500等)、超深度形狀測定顯微鏡(Keyenc株式會社制VK-8500等)等的可進行非接觸深度方向的測定裝置，能夠很容易地從抗蝕圖形側(cè)面的垂直方向測定凹凸。
在使用上述光學(xué)顯微鏡、掃描型電子顯微鏡(SEM)等測定抗蝕圖形側(cè)面凹凸時，通過對抗蝕圖形側(cè)面8的中線12沿著與基片成平行方向并且與抗蝕圖形側(cè)面成垂直方向切斷所得到的中線剖面從基片上方觀察，可容易地觀察抗蝕圖形7。而且，即使不切斷也可從基片斜上方觀察到。
還有，本發(fā)明中的抗蝕圖形側(cè)面的算術(shù)平均粗度(Ra)及量大高度(Ry)，例如與上述抗蝕圖形側(cè)面的凹凸測定相同，也可在抗蝕圖形側(cè)面的中線(長度4mm)范圍內(nèi)進行測定。再有，本發(fā)明中的算術(shù)平均粗度(Ra)及最大高度(Ry)根據(jù)JIS B 0601，為切斷值λc＝0.8mm，評價長度1n＝4mm時的值。
上述抗蝕圖形側(cè)面算術(shù)平均粗度(Ra)及最大高度(Ry)可用例如接觸型表面光潔度測定器、表面形存儲顯微鏡(Keyenc株式會社制VF-7500等)、超深度形狀測定顯微鏡(Keyenc株式會社制VK-8500等)等測定，但最好是使用可非接觸測定的表面形狀存儲顯微鏡和超深度形狀測定顯微鏡等。
在顯影后所進行的金屬面蝕刻時，可使用氯化銅溶液、氯化鐵溶液、堿腐蝕溶液、過氧化氫類腐蝕溶液，但是，從腐蝕系數(shù)良好這一點出發(fā)，最好是使用氯化鐵溶液。
在用本發(fā)明的感光性元件制造印刷布線板時，將已顯影的抗蝕圖形掩蔽，通過腐蝕、電鍍等已知方法處理電路形成用基片的表面。
作為上述的電鍍法有，例如硫酸銅電鍍、吡咯磷酸銅電鍍等銅電鍍、高低焊鍍等焊電鍍、瓦特浴(硫酸鎳-氯化鋅)電鍍、氨基磺酸鎳電鍍等鎳電鍍、硬金電鍍和軟金電鍍等金電鍍等。
通過對如上所述的抗蝕圖形形成的電路形成用基片的腐蝕或電鍍，可得到布線圖形。
還有，另一方面，本發(fā)明的布線圖形還有4個特征。
本發(fā)明布線圖形的第1特征是，布線圖形側(cè)面的凹凸為0-3.0μm。
本發(fā)明布線圖形的第2特征是，布線圖形側(cè)面中線中大于3.0μm的凹凸數(shù)為0-5個/4mm。
本發(fā)明布線圖形的第3特征是，布線圖形的算術(shù)平均粗度(Ra)為0-2.0μm。
本發(fā)明布線圖形的第4特征是，布線圖形的最大高度(Ry)為0-3.0μm。
本發(fā)明的布線圖形沿著抗蝕圖形側(cè)面的凹凸有腐蝕或電鍍的傾向，從線美觀及電阻的觀點出發(fā)，最好是布線圖形側(cè)面的凹凸小。
本發(fā)明布線圖形的第1特征的布線圖形側(cè)面的凹凸為0-3.0μm，以0-2.8μm為優(yōu)選，以0-2.5μm為更優(yōu)選，以0-2.3μm為特優(yōu)選，以0-2.0μm為非常優(yōu)選，以0-1.8μm為極優(yōu)選，以0-1.5μm為非常極優(yōu)選。若該值超過3.0μm，則所得到的配線圖形側(cè)面的鋸齒形刻紋性、電阻及線美觀變差。
本發(fā)明布線圖形的第2特征的布線圖形的中線中大于3.0μm的凹凸數(shù)為0-5個/4mm，以0-4個/4mm為優(yōu)選、以0-3個/4mm為更優(yōu)選、以0-2個/4mm為特優(yōu)選、以0-1個/4mm為非常優(yōu)選、以0個/4mm為極優(yōu)選。若該值超過5個/4mm，則所得到的布線圖形的側(cè)面鋸齒形刻紋性、電阻及線的美觀變差。
本發(fā)明布線圖形第3特征的布線圖形側(cè)面的算術(shù)平均粗度(Ra)為0-2.0μm，以0-1.8μm為優(yōu)選，以0-1.5μm為更優(yōu)選，以0-1.3μm為特優(yōu)選，以0-1.0μm為非常優(yōu)選，以0-0.8μm為更非常優(yōu)選，以0-0.5μm為極優(yōu)選，以0-0.3μm為非常極優(yōu)選。若該值超過2.0μm，則得到的布線圖形側(cè)面的鋸齒形刻紋性、電阻及線的美觀變差。
本發(fā)明布線圖形第4特征的布線圖形側(cè)面的最大高度(Ry)為0-3.0μm，以0-2.8μm為優(yōu)選，以0-2.5μm為更優(yōu)選，以0-2.3μm為特優(yōu)選，以0-2.0μm為非常優(yōu)選，以0-1.8μm為極優(yōu)選，以0-1.5μm為非常極優(yōu)選，若該值超過3.0μm，則得到的布線圖形側(cè)面的鋸齒形刻紋性、電阻及線的美觀變差。
還有，本發(fā)明布線圖形的寬度雖無特別限制，但以1μm以上為優(yōu)選，以3μm以上為更優(yōu)選，以5μm以上為特優(yōu)選，以5-1000μm為非常優(yōu)選，以6-1000μm為非常優(yōu)選，以7-1000μm為非常特優(yōu)選，以8-1000μm為非常極優(yōu)選，以9-900μm為更極優(yōu)選，10-800μm為非常極優(yōu)選。
還有，本發(fā)明布線圖形的高度雖無特別限制，但以0.01-200μm為優(yōu)選，以0.02-190μm為更優(yōu)選，以0.03-180μm為特優(yōu)選，以0.05-150μm為非常優(yōu)選，以0.08-130μm為更非常優(yōu)選，以0.10-100μm為極優(yōu)選，以1.00-100μm為更極優(yōu)選，以5.00-50μm為非常極優(yōu)選。
本發(fā)明的布線圖形側(cè)面的凹凸，例如可按下列方式測定。首先，在電路形成用基片上形成抗蝕圖形，通過將其進行腐蝕(氯化鐵水溶液、氯化銅水溶液等，40-60℃)，制成直線形布線圖形(寬度100μm，長度1cm，高度電路形成用基片的金屬層厚度)。這里，與抗蝕圖形側(cè)面相同，將以與基片成垂直方向并且與布線圖形的長度方向成平行的布線圖形的面作為布線圖形側(cè)面，將該布線圖形側(cè)面的橫幅作為布線圖形的高度。并且，將與基片成平行方向并且與布線圖形側(cè)面成垂直布線圖形的面的橫幅作為布線圖形的寬度。然后，在布線圖形側(cè)面上任意引出兩條與基片成垂直方向的線，并將其中點分別作成中點M及中點N，由線連接上述中點M與中點N，將該線稱為布線側(cè)面的中線(以中線的長度成為4mm的方式取中點M及中點N)。這里，所謂布線圖形側(cè)面的凹凸是在布線圖形側(cè)面的中線(長度4mm)的范圍內(nèi)測定的。
所述上述布線圖形側(cè)面的中線的凹凸，如同抗蝕圖形側(cè)面的線上的凹凸相同，是指在鄰近的兩個凸部的接線上為垂直并且在基片上為平行的線，在作成夾在兩個凸部之間的、通過凹部的最深點的線與上述接線的交點時的上述最深點及上述交點間的距離。
上述布線圖形側(cè)面的中線上的凹凸，可通過例如光學(xué)顯微鏡、掃描型電子顯微鏡(SEM)、接觸型表面光潔度測定器、表面形狀存儲(Keyenc株式會社制VF-7500等)、超深度形狀測定顯微鏡(Keyenc株式會社制VK-8500等)等測定。
通過使用上述表面形狀存儲顯微鏡(Keyenc株式會社制VF-7500等)、超深度形狀測定顯微鏡(Keyenc株式會社制VK-8500等)等的、可進行非接觸深度方向的測定裝置，能夠很容易地從布線圖形側(cè)面的垂直方向測定凹凸。
在使用上述光學(xué)顯微鏡、掃描型電子顯微鏡(SEM)等測定布線圖形側(cè)面凹凸時，通過對布線圖形側(cè)面的中線沿著與基片成平行方向并且與布線圖形側(cè)面成垂直方向切斷所得到的中線剖面從基片上方觀察，可容易地觀察抗蝕圖形。而且，即使不切斷布線圖形，也可從基片斜上方觀察到。
還有，本發(fā)明中的布線圖形側(cè)面的算術(shù)平均粗度(Ra)及量大高度(Ry)，例如與上述布線圖形側(cè)面的凹凸測定相同，也可在布線圖形側(cè)面的中線(長度4mm)范圍內(nèi)進行測定。再有，本發(fā)明中的算術(shù)平均粗度(Ra)及最大高度(Ry)根據(jù)JIS B 0601，為切斷值λc＝0.8mm，評價長度1n＝4mm時的值。
上述布線圖形側(cè)面算術(shù)平均粗度(Ra)及最大高度(Ry)可用例如接觸型表面光潔度測定器、表面形狀存儲顯微鏡(Keyenc株式會社制VF-7500等)、超深度形狀測定顯微鏡(Keyenc株式會社制VK-8500等)等測定，但最好是使用可非接觸測定的表面形狀存儲顯微鏡和超深度形狀測定顯微鏡等。
然后，可利用比用于顯影的堿性水溶液更強的堿性水溶液剝離抗蝕圖形。
作為該強堿性水溶液可用例如1-10wt％氫氧化鈉水溶液、1-10wt％氫氧化鉀水溶液。
作為剝離方式可舉出如浸漬方式、噴涂方式，這兩種方式可單獨使用，也可以合并使用。形成有抗蝕圖形的印刷布線板也可以是多層印刷布線板。
實施例以下通過實施例說明本發(fā)明。
實施例1、實施例2及比較例1-3用表1中表示的配合量合成(A)成份，調(diào)制溶液，并在該溶液中混合(B)成份、(C)成份、其他成份及溶劑，得到了感光性樹脂組合物。
表1

將所得到的感光樹脂組合物溶液均勻地涂布在表2所示的支撐膜[A2100-16及A4100-25(分別在一方的面上具有含微粒子二氧化硅樹脂層的雙軸取向聚對苯二甲酸乙二醇酯)東洋紡織株式會社制和G2-16、G2-19及V-20(分別不具有含微粒子樹脂層的聚對苯二甲酸乙二醇酯)帝人株式會社制]上，用100℃的熱風(fēng)對流或干燥機干燥10分鐘后，得到了感光元件。感光性樹脂組合物層的干燥后的膜厚度為20μm。
表2中所示的支撐膜的濁度是按照J(rèn)IS K 7105用濁度計(東洋電色株式會社制TC-H3DP)測定的。
還有，由支撐膜縱向及橫向分別取5枚寬度20mm、長度150mm的試驗片，在各自的中心部分設(shè)100mm的距離，加標(biāo)記，在保持有105±3℃、150±3℃及200±3℃的熱風(fēng)循環(huán)式恒溫槽中垂直地吊掛試驗片，在30分鐘加熱后取出，在室溫下放置30分鐘后，測定標(biāo)記之間的距離，通過上述式(2)算出熱收縮率，求出其平均值。
其次，利用具有相當(dāng)于#600電刷的研磨機(山啟株式會社制)研磨兩面積層銅箔(厚度35μm)的積層的玻璃環(huán)氧材料滲銅積層板(日立化成工業(yè)株式會社制、商品名MCL-E-61)的銅表面，水洗后由空氣流干燥，將所得到的滲銅積層板加熱到80℃，在該銅表面上在120℃、0.4MPa(4kgf/cm2)下對所述感光性樹脂組合物層進行了層壓。
此后，利用具有3KW超高壓水銀燈的曝光機(Orc Seisakusho株式會社制)HMW-201B，用具有作為底片的Stofa 21段分段壓片的光學(xué)器件(Photo tool)、和作為粘合性評價用底片的線幅/空隙幅30/400/-250/400(單位μm)的布線圖形的光學(xué)器件，以顯影后殘留分段段數(shù)8.0的能量進行了曝光。然后，除去支撐膜，通過在30℃下噴射1.0wt％碳酸鈉水溶液進行了顯影。這里，粘合性在顯影后通過在基片上粘合的細(xì)線的線幅最小的值進行了評價。粘合性的評價是，數(shù)值愈小，愈為良好值。
此后，用5μm的梳形圖形，與上述粘合性評價相同得到了抗蝕圖形，由殘存的抗蝕圖形求出分辨率(μm)。分辨率的評價是，數(shù)值愈小，愈為良好值。
其次，以上述能量在線幅/空隙幅為50μm/50μm的條件下曝光，進行20秒的顯影，用掃描型電子顯微鏡觀察所得到的抗蝕圖形，研究了抗蝕圖形側(cè)面的鋸齒形刻紋性。所謂抗蝕圖形側(cè)面鋸齒形刻紋性是指抗蝕圖形的形狀不是直線形而是帶鋸齒的不理想的狀態(tài)，抗蝕圖形的側(cè)面鋸齒形的凹凸淺是理想的。
深的抗蝕圖形的側(cè)面鋸齒形刻紋的凹凸超過2μm的情況；淺的抗蝕圖形的側(cè)面鋸齒形刻紋的凹凸為2μm以下的情況；上述結(jié)果匯總示于表2。
還有，對于在表2上所示出的支撐膜的X面(涂布和干燥感光性樹脂組合物的面)以及Y面(與涂布和干燥感光性樹脂組合物的面的對側(cè)一面)的接觸角，根據(jù)JIS R 3257，利用協(xié)和界面科學(xué)株式會社制的接觸角計CA-A(Q1光學(xué)鏡式)進行了測定。
表2

實施例3在兩面上積層有銅箔(厚度35μm)的玻璃環(huán)氧材料的滲銅積層板(日立化成工業(yè)株式會社制、商品名MCL-E-61)上，與實施例1相同，將實施例1所制成的感光元件進行了層壓。然后，作為底片使用直線形底片圖形(具有透過100μm×1cm尺寸的活性光的窗)，與實施例1相同，以顯影后的分段段數(shù)為8.0的能量進行了曝光、顯影。
用表面形狀存儲顯微鏡(Keyenc株式會社制VF-7500)測定了所得到的抗蝕圖形側(cè)面的中線(長度4mm)上的凹凸，該最深的凹凸為0.9μm。并且，利用表面形狀存儲顯微鏡(Keyenc株式會社制VF-7500)測定了所得到的抗蝕圖形側(cè)面的中線(長度4mm)上的算術(shù)平均粗度(Ra)及最大高度(Ry)(切斷值λc＝0.8mm、評價長度1n＝4mm)，Ra＝0.3μm及Ry＝0.9μm。
實施例4除取代實施例1所制成的感光元件而使用實施例2所制成的感光元件外，與實施例3相同。
所得到的抗蝕圖形側(cè)面中線(長度4mm)上的最深的凹凸為1.0μm。并且，所得到的抗蝕圖形側(cè)面中線(長度4mm)上的算術(shù)平均粗度(Ra)及最大高度(Ry)為Ra＝0.4μm及Ry＝1.0μm。
比較例4除取代實施例1所制成的感光元件而使用對比較例1所制成的感光元件外，與實施例3相同。
所得到的抗蝕圖形側(cè)面中線(長度4mm)上的最深的凹凸為5.0μm。大于3.0μm的凹凸數(shù)為8個。并且，所得到的抗蝕圖形側(cè)面中線(長度4mm)上的算術(shù)平均粗度(Ra)及最大高度(Ry)為Ra＝2.3μm及Ry＝5.0μm。
比較例5除取代實施例1所制成的感光元件而使用對比較例2所制成的感光元件外，與實施例3相同。
所得到的抗蝕圖形側(cè)面中線(長度4mm)的最深的凹凸為5.1μm，大于3.0μm的凹凸數(shù)為9個。并且所得到的抗蝕圖形側(cè)面中線(長度4mm)上的算術(shù)平均粗度(Ra)及最大高度(Ry)為Ra＝2.2μm及Ry＝5.1μm。
比較例6除取代實施例1所制成的感光元件而使用對比較例3所制成的感光元件外，與實施例3相同。
所得到的抗蝕圖形側(cè)面中線(長度4mm)上的最深的凹凸為5.5μm，大于3.0μm的凹凸數(shù)為7個。并且，所得到的抗蝕圖形側(cè)面中線(長度4mm)上的算術(shù)平均粗度(Ra)及最大高度(Ry)為Ra＝2.3μm及Ry＝5.5μm。
實施例5在兩面上積層有銅箔(厚度35μm)的玻璃環(huán)氧材料的滲銅積層板(日立化成工業(yè)株式會社制、商品名MCL-E-61)上，與實施例1相同對由實施例1所制成的感光元件進行了積層。得到了直線形布線圖形(寬度100μm、長度1cm、高度電路形成用基片的金屬層厚度)，與實施例1相同，以顯影后的分段段數(shù)為8.0的能量進行了曝光、顯影，然后在50℃用氯化鐵溶劑進行腐蝕處理。
用表面形狀存儲顯微鏡(Keyenc株式會社制VF-7500)測定了所得到的抗蝕圖形側(cè)面的中線(長度4mm)上的凹凸，該最深的凹凸為0.9μm。并且，利用表面形狀存儲顯微鏡(Keyenc株式會社制VF-7500)測定了所得到的抗蝕圖形側(cè)面的中線(長度4mm)上的算術(shù)平均粗度(Ra)及最大高度(Ry)(切斷值λc＝0.8mm、評價長度1n＝4mm)，Ra＝0.3μm及Ry＝0.9μm。
所得到的的布線圖形外觀良好，電阻特性也良好。
實施例6除取代實施例1制成的感光元件而使用實施例2所制成的感光元件外，與實施例5相同。
所得到的布線圖形側(cè)面的中線(長度4mm)上最深的凹凸為1.0μm。并且，所得到的布線圖形側(cè)面中線(長度4mm)上的算術(shù)平均粗度(Ra)及最大高度(Ry)為Ra＝0.4μm及Ry＝1.0μm。
所得到的的布線圖形外觀良好，電阻特性也良好。
比較例7除取代實施例1所制成的感光元件而使用比較例1所制成的感光元件外，與實施例5相同。
所得到的布線圖形側(cè)面的中線(長度4mm)上最深的凹凸為5.0μm。大于3.0μm的凹凸數(shù)為8個。并且，所得到的布線圖形側(cè)面中線(長度4mm)上的算術(shù)平均粗度(Ra)及最大高度(Ry)為Ra＝2.3μm及Ry＝5.0μm。
所得到的的布線圖形與實施例5及6所得到的布線圖形相比，外觀不良，電阻特性也不良。
比較例8除取代實施例1所制成的感光元件而使用比較例2所制成的感光元件外，與實施例5相同。
所得到的布線圖形側(cè)面的中線(長度4mm)上最深的凹凸為5.1μm。大于3.0μm的凹凸數(shù)為9個。并且，所得到的布線圖形側(cè)面中線(長度4mm)上的算術(shù)平均粗度(Ra)及最大高度(Ry)為Ra＝2.2μm及Ry＝5.1μm。
所得到的的布線圖形與實施例5及6所得到的布線圖形相比，外觀不良，電阻特性也不良。
比較例9除取代實施例1所制成的感光元件而使用比較例3所制成的感光元件外，與實施例5相同。
所得到的布線圖形側(cè)面的中線(長度4mm)上最深的凹凸為5.5μm。大于3.0μm的凹凸數(shù)為7個。并且，所得到的布線圖形側(cè)面中線(長度4mm)上的算術(shù)平均粗度(Ra)及最大高度(Ry)為Ra＝2.3μm及Ry＝5.5μm。
所得到的的布線圖形與實施例5及6所得到的布線圖形相比，外觀不良，電阻特性也不良。
實施例7在與由實施例1所得到的感光元件的感光性樹脂組合物層支撐膜相對的面上作為保護膜積層了聚乙烯膜。然后，在卷芯(直徑8cm、軸向長度60cm)卷繞感光元件(寬55cm、長度300m)，使具有支撐膜的面成外側(cè)，得到了感光元件輥。然后，將所得到的感光元件輥在0℃的冷藏室保存10小時。
在冷藏室保存后，使卷芯軸方向與混凝土面(沖突面)成垂直方式使感光元件輥自沖突面上10cm落下5次。并且，該落下在1分鐘連續(xù)地進行5次。
5次落下后的感光元件輥端面卷繞誤差為0.5mm。
實施例8除取代實施例1所得到的感光元件而使用實施例2所得到的感光元件外，與實施例7相同。
5次落下后的感光元件輥端面卷繞誤差高度為0.6mm。
比較例10除取代實施例1所得到的感光元件而使用比較例1所得到的光元件外，與實施例7相同。
5次落下后的感光元件輥端面卷繞誤差高度為5.0mm。
比較例11除取代實施例1所得到的感光元件而使用比較例2所得到的感光元件外，與實施例7相同。
5次落下后的感光元件輥端面卷繞誤差高度為4.0mm。
比較例12除取代實施例1所得到的感光元件而使用比較例2所得到的感光元件外，與實施例7相同。
5次落下后的感光元件輥端面卷繞誤差高度為6.0mm。
工業(yè)上利用的可能性本發(fā)明的感光元件，其抗蝕圖形側(cè)面鋸齒形刻紋性、抗蝕圖形上面的平整性、分辨率、粘合性、堿處理性、生產(chǎn)率及作業(yè)性優(yōu)異，不良腐蝕數(shù)少。
本發(fā)明的感光元件除有上述發(fā)明效果外，還有優(yōu)異的抗蝕圖形側(cè)面鋸鋸齒形刻紋性。
本發(fā)明的感光元件除有上述發(fā)明效果外，還有優(yōu)異的分辨率。
本發(fā)明的感光元件除有上述發(fā)明效果外，還有優(yōu)異的層壓時感光元件的尺寸變化性。
本發(fā)明的感光元件除有上述發(fā)明效果外，還有優(yōu)異的抗蝕固化后的膜強度。
本發(fā)明的感光元件除有上述發(fā)明效果外，還有優(yōu)異的剝離性。
本發(fā)明的感光元件除有上述發(fā)明效果外，還有優(yōu)異的保管時的冷流性。
本發(fā)明的感光元件輥，其抗蝕圖形側(cè)面鋸鋸齒形刻紋性、抗蝕圖形上面的平整性、分辨率、粘合性、堿顯影性、輸送時卷繞誤差性、生產(chǎn)率及作業(yè)性優(yōu)異，不良腐蝕數(shù)少。
本發(fā)明的感光元件輥，其抗蝕圖形側(cè)面鋸鋸齒形刻紋性、抗蝕圖形上面的平整性、分辨率、粘合性、輸送時卷繞誤差性、生產(chǎn)率及作業(yè)性優(yōu)異，不良腐蝕數(shù)少。
本發(fā)明抗蝕圖形的制法，其抗蝕圖形側(cè)面鋸鋸齒形刻紋性、抗蝕圖形上面的平整性、分辨率、粘合性、生產(chǎn)率及作業(yè)性優(yōu)異，不良腐蝕數(shù)少。
本發(fā)明的抗蝕圖形，其抗蝕圖形側(cè)面鋸鋸齒形刻紋性、抗蝕圖形上面的平整性、分辨率、粘合性、生產(chǎn)率及作業(yè)性優(yōu)異，不良腐蝕數(shù)少。
本發(fā)明的抗蝕圖形積層基片，其抗蝕圖形側(cè)面鋸鋸齒形刻紋性、抗蝕圖形上面的平整性、分辨率、粘合性、生產(chǎn)率及作業(yè)性優(yōu)異，不良腐蝕數(shù)少。
本發(fā)明的布線圖形的制法，其布線圖形側(cè)面鋸鋸齒形刻紋性、電阻特性及線美觀優(yōu)異。
本發(fā)明的布線圖形，其布線圖形側(cè)面鋸鋸齒形刻紋性、電阻特性及線美觀優(yōu)導(dǎo)。
權(quán)利要求
1.一種感光元件，由在雙軸取向聚酯膜及其一面上具有感光性樹脂組合物層的支撐膜構(gòu)成，其特征是，在與形成該支撐膜的所述感光性樹脂組合物層的面的對面上具有含微粒子的樹脂層，所述感光性樹脂組合物含有(A)含羧基的粘合劑聚合物；(B)分子內(nèi)有至少一種可聚合的烯類不飽基團的光聚合性化合物，以及(C)光聚合引發(fā)劑。
2.一種感光元件，在支撐膜上具有感光性樹脂組合物層，支撐膜橫向的200℃、30分鐘的熱收縮率為0.00-4.00％，所述感光性樹脂組合物含有(A)含羧基的粘合劑聚合物；(B)分子內(nèi)有至少一種可聚合的烯類不飽基團的光聚合性化合物，以及(C)光聚合引發(fā)劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的感光元件，支撐膜橫向的150℃、30分鐘的熱收縮率為0.00-0.20％。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的感光元件，支撐膜橫向的105℃、30分鐘的熱收縮率為0.00-0.20％。
5.一種感光元件，在支撐膜上具有感光性樹脂組合物層，支撐膜橫向的150℃、30分鐘的熱收縮率為0.00-0.20％，所述感光性樹脂組合物含有(A)含羧基的粘合劑聚合物；(B)分子內(nèi)有至少一種可聚合的烯類不飽基團的光聚合性化合物，以及(C)光聚合引發(fā)劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的感光元件，支撐膜橫向的105℃、30分鐘的熱收縮率為0.00-0.20％。
7.一種感光元件，支撐膜上具有感光性樹脂組合物層，支撐膜的水的接觸角(°)應(yīng)滿足下列數(shù)式(1)(X面的接觸角)/(Y面的接觸角)＞1.1(1)X面涂布、干燥感光性樹脂組合物的面；Y面涂布、干燥感光性樹脂組合物面對側(cè)的面；所述感光樹脂組合物含有(A)含羧基的粘合劑聚合物；(B)分子內(nèi)有至少一種可聚合的烯類不飽基團的光聚合性化合物，以及(C)光聚合引發(fā)劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的感光元件，支撐膜為在雙軸取向聚酯膜的一側(cè)面上積層了含微粒子樹脂層的支撐膜，在已形成所述樹脂層的對面上涂布、干燥感光性樹脂組合物層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光元件，微粒子的平均粒徑為0.01-5.0μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光元件，含有微粒子的樹脂層厚度為0.05-5.0μm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光元件，支撐膜的濁度為0.01-5.0％。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光元件，支撐膜縱向的105℃、30分鐘的熱收縮率為0.30-0.60％。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光元件，支撐膜縱向的150℃、30分鐘的熱收縮率為1.00-1.90％。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光元件，支撐膜縱向的200℃、30分鐘的熱收縮率為3.00-6.50％。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光元件，(A)含有羧基的粘合劑聚合物的重均分子量為20,000-300,000。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光元件，(A)含有羧基的粘合劑聚合物的酸值為50-300mg KOH/g。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光元件，作為(B)光聚合性化合物含有雙酚A類(甲基)丙烯酸酯化合物。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光元件，作為(C)光聚合引發(fā)劑含有2，4，5-三芳基咪唑二聚物。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光元件，(A)成分、(B)成分及(C)成分的配合量為(A)成分對(A)成分及(B)成分的總量100重量份為40-80重量份；(B)成分對(A)成分及(B)成分的總量100重量份為20-60重量份，以及(C)成分對(A)成分及(B)成分的總量100重量份為0.01-20重量份。
20.一種感光元件輥，是將權(quán)利要求1-19任一項所述的感光元件卷繞在卷芯上的感光元件輥。
21.一種感光元件輥，將感光元件卷繞在卷芯上，使所述卷芯的軸向與沖突面成垂直的方式，將所述感光元件輥由沖突面10cm高度5次自然落下后的感光元件輥端面的卷繞誤差高度為1mm以下。
22.一種抗蝕圖形的制法，其特征是，將權(quán)利要求1-20任一項所述的感光元件在電路形成用基片上以感光性樹脂組合物層粘接的方式積層，以圖像狀照射活性光線，使曝光部分光固化，通過顯影除去未曝光部分。
23.一種抗蝕圖形，由權(quán)利要求22所述的抗蝕圖形的制法制造。
24.一種抗蝕圖形，抗蝕圖形側(cè)面的凹凸為0-3.0μm。
25.一種抗蝕圖形，抗蝕圖形側(cè)面的中線中大于3.0μm的凹凸數(shù)為0-5個/4mm。
26.一種抗蝕圖形，抗蝕圖形側(cè)面的算術(shù)平均粗度(Ra)為0-2.0μm。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的抗蝕圖形，抗蝕圖形側(cè)面的最大高度(Ry)為0-3.0μm。
28.一種抗蝕圖形，抗蝕圖形側(cè)面的最大高度(Ry)為0-3.0μm。
29.根據(jù)權(quán)利要求24-28任一項所述的抗蝕圖形，抗蝕圖形的寬度為1μm以上。
30.根據(jù)權(quán)利要求24-28任一項所述的抗蝕圖形，抗蝕圖形的高度為1-150μm以上。
31.一種抗蝕圖形積層基片，在電路形成用基片上形成有權(quán)利要求24-28任一項所述的抗蝕圖形。
32.一種布線圖形的制法，其特征是，蝕刻或電鍍權(quán)利要求31所述的抗蝕圖形積層片。
33.一種布線圖形，由權(quán)利要求32所述的布線圖形的制法制造。
34.一種布線圖形，布線圖形側(cè)面的凹凸為0-3.0μm。
35.一種布線圖形，在布線圖形側(cè)面的中線中大于3.0μm的凹凸數(shù)為0-5個/4mm。
36.一種布線圖形，布線圖形的側(cè)面的算術(shù)粗度(Ra)為0-2.0μm。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的布線圖形，布線圖形側(cè)面的最大高度(Ry)為0-3.0μm。
38.一種布線圖形，布線圖形側(cè)面的最大高度(Ry)為0-3.0μm。
39.根據(jù)權(quán)利要求34-38任一項所述的布線圖形，布線圖形的寬度為1μm以上。
40.根據(jù)權(quán)利要求34-38任一項所述的布線圖形，布線圖形的高度為0.01-200μm。
全文摘要
本發(fā)明提供一種感光元件、感光元件輥、使用其的抗蝕圖形的制法、抗蝕圖形、抗蝕圖形的積層基片、布線圖形的制法及布形圖形,在由雙軸取向聚酯膜及其一面上具有感光性樹脂組合物層的支撐膜所構(gòu)成的感光元件中,在與形成該支撐膜的所述感光性樹脂組合物層的面的對面上具有含微粒子的樹脂層,所述感光性樹脂組合物為(A)含羧基的粘合劑聚合物、(B)分子內(nèi)有至少一種可聚合的烯類不飽基團的光聚合性化合物,以及(C)光聚合引發(fā)劑所構(gòu)成。
文檔編號G03F7/027GK1358281SQ00809410
公開日2002年7月10日 申請日期2000年6月21日 優(yōu)先權(quán)日1999年6月24日
發(fā)明者千葉達男, 市川立也 申請人:日立化成工業(yè)株式會社