專利名稱：應(yīng)用垂直耦合的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的光學(xué)交叉點(diǎn)開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明公開了一種光學(xué)交叉點(diǎn)開關(guān)。該開關(guān)允許光信號從任意數(shù)量的輸入端口轉(zhuǎn)向到任意數(shù)量的輸出端口中的任一個端口或幾個端口。該開關(guān)由形成在平面基片上的兩組截斷光波導(dǎo)組成，這兩組光波導(dǎo)分別為輸入和輸出波導(dǎo)。在每個交叉上，另一個波導(dǎo)形成在該輸入和輸出波導(dǎo)之上。通過電或光信號控制在這個上部波導(dǎo)和輸入/輸出波導(dǎo)之間的光學(xué)耦合。上部波導(dǎo)在該交叉上具有隅角反射鏡。當(dāng)控制信號允許時，光從輸入波導(dǎo)耦合到上部波導(dǎo)。在由該隅角反射鏡反射之后，光從上部波導(dǎo)耦合到輸出波導(dǎo)。上部波導(dǎo)并入有源開關(guān)元件，允許較高的調(diào)制深度和較低的串?dāng)_電平。
已有技術(shù)描述在光學(xué)通信系統(tǒng)/網(wǎng)絡(luò)中應(yīng)用光學(xué)交叉點(diǎn)開關(guān)來確定光信號傳輸路由。它允許以下述方式對光進(jìn)行轉(zhuǎn)向(1)從任一輸入端口到任意一個或多個輸出端口(確定路由)，(2)以任意順序從幾個端口到相等數(shù)量或更少數(shù)量的輸出端口(混合或組合)以及(3)從任一輸入端口到幾個輸出端口(廣播)。該開關(guān)可以具有任意數(shù)量的輸入和輸出端口并容易擴(kuò)大。在光學(xué)通信網(wǎng)絡(luò)中實現(xiàn)這些功能具有重要的應(yīng)用。
人們已經(jīng)提出了三種主要的常規(guī)結(jié)構(gòu)的光學(xué)交叉點(diǎn)開關(guān)。第一種將所有的光學(xué)輸入分為許多分支，如Kato，T等人在IEICE Trans.OnElectronics Vol.E82C，No.2 pp.305-312，1999中所描述。分支的數(shù)量等于輸出的數(shù)量。然后它需要重新分組和重新組合這些分支。在重新組合之前通過阻塞這些分支執(zhí)行開關(guān)。第二種應(yīng)用在平面基片上的兩組垂直的波導(dǎo)分別作為輸入和輸出。通過在相同的平面上構(gòu)造耦合器實現(xiàn)開關(guān)，如Fish G.A.等人在IEEE Photonics TechnologyLetters Vol.10，No.2 pp.230-232，1998中所描述。第三種也應(yīng)用在平面基片上的兩組垂直的波導(dǎo)分別作為輸入和輸出。通過僅應(yīng)用折射率的變化構(gòu)造在垂直方向上的方向耦合器作為開關(guān)機(jī)構(gòu)來實現(xiàn)開關(guān)，如R.Maciejko，A.Champagne，B.Reid和H Mani在IEEE Journalof Quantum Electronics 1994，Vol.30，No.9 pp.2106-2113的“analysis of an InGaAsP/InP twin-overlayed-waveguideswitch”中所描述。
然而，第一種結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)在于它具有與輸出數(shù)量成比例的較高的插入損耗，而且它應(yīng)用大的的基片面積。第二種結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)在于它應(yīng)用大的的基片面積。第三種結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)在于很難實現(xiàn)較高的調(diào)制深度和較低的串?dāng)_電平。
本發(fā)明的另一目的是提供一種每個交叉點(diǎn)(輸入/輸出對)占用小的面積的光學(xué)交叉點(diǎn)開關(guān)。
本發(fā)明的進(jìn)一步目的是提供(并不限于)該方案的一種特定的實施例，這種實施例同時利用在上部波導(dǎo)中的折射率和光學(xué)增益的變化。
本發(fā)明的進(jìn)一步目的是提供(并不限于)該方案的一種特定的實施例，這種實施例同時利用波導(dǎo)中的折射率和光學(xué)吸收的變化。
為實現(xiàn)本發(fā)明的目的，如在附

圖1中一般性地示出，在合適的材料的平面基片上形成兩組截斷波導(dǎo)，即輸入波導(dǎo)(01)和輸出波導(dǎo)(02)。在每個交叉點(diǎn)的附近，在輸入和輸出波導(dǎo)之上形成了另一層波導(dǎo)，形成了垂直耦合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)[VCWS(03)]。通過電或光信號控制在這種上部波導(dǎo)和下部輸入/輸出波導(dǎo)之間的垂直光學(xué)耦合。上部波導(dǎo)在交叉點(diǎn)上具有全內(nèi)部反射[TIR(04)]隅角反射鏡。當(dāng)控制信號選擇一個特定的開關(guān)時，光全部地或部分地從輸入波導(dǎo)耦合到上部波導(dǎo)。通過隅角反射鏡的反射，光被調(diào)整成一個角度，然后從上部波導(dǎo)耦合進(jìn)輸出波導(dǎo)中。通過與開關(guān)動作同步地改變在波導(dǎo)中的光學(xué)吸收和/或增益來實現(xiàn)較高的調(diào)制深度和較低串?dāng)_電平。
為實現(xiàn)本發(fā)明的另一目的，設(shè)計在下部波導(dǎo)層、上部波導(dǎo)層和在其之間的間隔層的折射率和厚度以使將耦合長度降低到這樣的程度輸入/輸出光纖耦合所需的間隔決定在相鄰的端口之間的距離。
為實現(xiàn)本發(fā)明的一種特定實施例，在適合于信號波長的半導(dǎo)體基片上順序地形成下部波導(dǎo)、間隔層和上部波導(dǎo)層，以形成晶片。下部波導(dǎo)的帶隙是這樣的它對于信號波長透明。上部波導(dǎo)的帶隙為這樣的當(dāng)沒有載流子注入時它提供較高的光學(xué)吸收而當(dāng)存在載流子注入時它提供光學(xué)增益。這樣設(shè)計兩個波導(dǎo)的傳播常數(shù)以使當(dāng)沒有載流子注入時下部波導(dǎo)具有比上部波導(dǎo)更小的傳播常數(shù)。這些層的摻雜分布能夠確保注入的大多數(shù)載流子限制在上部波導(dǎo)中。
為實現(xiàn)本發(fā)明的另一特定的實施例，在適合于信號波長的III-V半導(dǎo)體基片上順序地形成下部波導(dǎo)、間隔層和上部波導(dǎo)層，以形成晶片。下部波導(dǎo)的帶隙是這樣的使它在該信號波長上它具有較低的光學(xué)損耗。上部波導(dǎo)的帶隙為這樣的當(dāng)施加電場時它提供較高的光學(xué)吸收而當(dāng)沒有施加電場時它具有較低的光學(xué)損耗。這樣設(shè)計兩個波導(dǎo)的傳播常數(shù)以使在沒有施加電場時兩個波導(dǎo)具有相等的傳播常數(shù)。這些層的摻雜分布能夠確保電場大部分施加在上部波導(dǎo)上。
本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)部分在下文中闡述，部分從上文的描述中可以清楚地看出或通過本發(fā)明的實踐可以得知。尤其是通過在附加的權(quán)利要求中所指出的元件及其組合可以實現(xiàn)本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)。
附圖1所示為具有2個輸入和2個輸出的光學(xué)交叉點(diǎn)開關(guān)陣列的配置，輸入和輸出的數(shù)量可以擴(kuò)展到任意數(shù)量。
附圖2所示為在控制信號分別為“接通”和“切斷”狀態(tài)下光信號在每個交叉點(diǎn)上傳播的示意圖。包括在每個狀態(tài)中的平面視圖(頂視圖)和透視圖。
附圖3A和3B所示為在“接通”和“切斷”兩種狀態(tài)下具有光折射率(n)和吸收分布的本發(fā)明的第一特定實施例的光信號的傳播示意圖。
附圖4A和4B所示為在“接通”和“切斷”兩種狀態(tài)下具有光折射率(n)和吸收分布的本發(fā)明的第二特定實施例的光信號的傳播示意圖。
附圖5所示為在其上制造了陣列的晶片的層結(jié)構(gòu)。
附圖6所示為4×4開關(guān)陣列的設(shè)計。
附圖7所示為開關(guān)單元元件。
附圖8所示為開關(guān)單元元件的開關(guān)特性。
下文參考附圖解釋本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例。
在“接通”狀態(tài)下，注入載流子并限制在附圖3的上部波導(dǎo)中。上部波導(dǎo)可以包括體積或量子井III-V半導(dǎo)體材料比如InGaAsP，在信號光波長上這種材料能夠提供具有適合的非均衡的載流子濃度的光學(xué)增益，但當(dāng)沒有這種載流子濃度時具有高的吸收性。由于這些載流子的存在降低了在信號波長上的上部波導(dǎo)的折射率，使得上部波導(dǎo)的傳播常數(shù)降低到接近下部波導(dǎo)的傳播常數(shù)的值。結(jié)果，在兩個波導(dǎo)之間發(fā)生較強(qiáng)的光耦合，使光從下部輸入波導(dǎo)傳輸?shù)缴喜坎▽?dǎo)，在通過隅角反射鏡反射之后，它從上部波導(dǎo)傳輸?shù)较虏枯敵霾▽?dǎo)。在“切斷狀態(tài)”下，沒有注入的載流子，兩個波導(dǎo)層的不相等的傳播常數(shù)將光耦合降低到弱的耦合程度。在沒有注入載流子的情況下，在上部波導(dǎo)中高的光學(xué)吸收確保吸收了耦合進(jìn)上部波導(dǎo)的弱的信號光而不耦合進(jìn)輸出波導(dǎo)。由此實現(xiàn)了高的調(diào)制深度和低串?dāng)_電平。本發(fā)明的這個實施例還進(jìn)一步具有提供光學(xué)增益以補(bǔ)償在交叉點(diǎn)開關(guān)或光學(xué)傳輸鏈路的其它的部件中可能產(chǎn)生的損耗的優(yōu)點(diǎn)。
下文參考附圖解釋本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例。
在“接通”狀態(tài)下，在附圖4的上部波導(dǎo)上沒有施加電場。結(jié)果，由于它們相等的光學(xué)傳播常數(shù)造成在兩個波導(dǎo)之間發(fā)生了較強(qiáng)的光耦合，這使得信號從下部輸入波導(dǎo)傳輸?shù)缴喜坎▽?dǎo)，在通過隅角反射鏡反射之后，它從上部波導(dǎo)傳輸?shù)较虏枯敵霾▽?dǎo)。在“切斷”狀態(tài)下，在上部波導(dǎo)上施加電場，增加它的折射率(由此增加它的光學(xué)傳播常數(shù))和它的吸收。兩個波導(dǎo)層的不相等的傳播常數(shù)將光耦合降低到弱的程度。在上部波導(dǎo)中高的光吸收確保吸收了耦合進(jìn)上部波導(dǎo)中的弱的信號光而不耦合進(jìn)輸出波導(dǎo)中。由此實現(xiàn)了高的調(diào)制深度和低的串?dāng)_電平。
對于在本領(lǐng)域熟練的人員來說通過在此所公開的本發(fā)明的實施例和詳細(xì)描述本發(fā)明的其它實施例是清楚的。在此的詳細(xì)描述和實例僅是實例性的，本發(fā)明的真正范圍由權(quán)利要求確定。
在所有的高速光學(xué)網(wǎng)絡(luò)中都非常需要一種具有緊湊、高速和低串?dāng)_電平的特征的光學(xué)交叉點(diǎn)開關(guān)陣列。所展示的基于如今的各種波導(dǎo)部件的裝置不能同時實現(xiàn)這些質(zhì)量特性。一種交叉點(diǎn)開關(guān)應(yīng)用MMI耦合器以將所有的光輸入分解成許多分支。然后尋求對這些分支重新分組并進(jìn)行重新組合。在進(jìn)行重新組合之前使這些分支阻塞來執(zhí)行開關(guān)。這種交叉點(diǎn)開關(guān)具有與輸出數(shù)量成比例的較高的插入損耗并且應(yīng)用大的基片面積。第二種開關(guān)應(yīng)用在平面基片上的兩組垂直波波導(dǎo)分別作為輸入和輸出。如在此所述通過在相同的平面中構(gòu)造定向耦合器實現(xiàn)開關(guān)。這種開關(guān)也應(yīng)用大的基片面積。本開關(guān)結(jié)構(gòu)利用在垂直方向上的光耦合(垂直于基片平面，見附圖7)將任意輸入信號正交地切換到任意輸出上。通過使耦合器同時具有弱的耦合和高的吸收狀態(tài)來實現(xiàn)在“切斷”狀態(tài)下的超低串?dāng)_水平，由此充分地衰減任何寄生信號。通過仔細(xì)設(shè)計使耦合器較短，并使開關(guān)緊湊，但容忍制造偏差。部件開關(guān)機(jī)構(gòu)應(yīng)該允許以納秒時標(biāo)進(jìn)行切換。器件設(shè)計和制造在InGaAsP/InP晶片上制造在此所提出的交叉點(diǎn)開關(guān)陣列，InGaAsP/InP晶片的層結(jié)構(gòu)如附圖5所示。它包含了兩個波導(dǎo)層，這些波導(dǎo)層通過在(100)InP基片的MOVPE生長。包含了具有Q1.26壁壘的5個無應(yīng)變的65A InGaAs量子井的未摻雜的上部波導(dǎo)芯作為在1550納米的波長下的活性層。為控制在兩個波導(dǎo)層之間的光學(xué)耦合，通過并入適當(dāng)數(shù)量的37A厚度的量子井將無源下部波導(dǎo)芯的有效折射率調(diào)節(jié)到低于有源波導(dǎo)的折射率的合適的值。對于1500納米及其以上的波長，無源波導(dǎo)具有較低的吸收。兩個波導(dǎo)芯層的厚度為0.3毫米，由1.2毫米厚的InP間隔層分隔。將間隔層和無源波導(dǎo)芯n-摻雜為3×1017/厘米3，下面的InP包層也一樣。這種結(jié)構(gòu)設(shè)計使得在～50納米的活性層的整個增益帶寬上可以實現(xiàn)有效的開關(guān)。在晶片上形成兩個垂直組的脊形波導(dǎo)管分別作為輸入和輸出波導(dǎo)。在每組上的波導(dǎo)為3毫米寬并間隔250毫米。雖然現(xiàn)在制造的是4×4開關(guān)陣列(附圖2)，但是容易將它擴(kuò)展到任何輸入/輸出數(shù)。如附圖3所示，除了從該交叉朝輸入和輸出延伸200毫米長度以外，從該波導(dǎo)中除去上部有源波導(dǎo)層。在這些有源波導(dǎo)層和下部無源波導(dǎo)層之間形成垂直光學(xué)定向耦合器。在波導(dǎo)交叉上對角地形成全內(nèi)部反射鏡(TIR)，該反射鏡的深度進(jìn)入上部波導(dǎo)。通過在耦合器的有源上部波導(dǎo)中的載流子引起的折射率的變化提供開關(guān)機(jī)理，其改變了垂直耦合器[3]的耦合長度。在“接通”狀態(tài)下，通過注入載流子將有源上部波導(dǎo)的有效折射率降低到等于下部波導(dǎo)的折射率，因此輸入光學(xué)信號強(qiáng)烈地從無源輸入波導(dǎo)耦合進(jìn)上部有源波導(dǎo)中，通過TIR反射，然后從上部波導(dǎo)耦合進(jìn)輸出波導(dǎo)中。所注入的載流子還提供信號的光學(xué)增益，由此形成了較高的接通/切斷反差。通過將耦合進(jìn)有源上部波導(dǎo)的非常弱的信號和有源上部波導(dǎo)對任何剩余的耦合信號的高度吸收特性組合實現(xiàn)了在“切斷”狀態(tài)(沒有載流子注入)下較低的串?dāng)_電平。在切斷狀態(tài)下輸入光通過下部無源波導(dǎo)行進(jìn)到下一單元元件。應(yīng)用H2/CH4等離子體通過反應(yīng)離子刻蝕過程形成該結(jié)構(gòu)。應(yīng)用金屬和電介質(zhì)掩模材料的組合便于兩級干蝕刻，并產(chǎn)生TIR要求的光滑的且垂直的側(cè)壁的光潔度。TIR鏡的深度大約為在兩個波導(dǎo)層之間的間距的一半。應(yīng)用聚酰亞胺平面化(planitization)和Ti/Au接觸完成這種結(jié)構(gòu)。然后從該晶片上切下該陣列(附圖3)，使在輸入和輸出端口上均具有100毫米的無源接入波導(dǎo)。從該陣列上也可以切下單個的開關(guān)以便對其進(jìn)行特征化。結(jié)果在此給出單個的開關(guān)單元元件的初步特征化結(jié)果。該開關(guān)元件具有100毫米的輸入和輸出無源波導(dǎo)，輸入波導(dǎo)延伸過交叉500毫米。應(yīng)用HP8168E可調(diào)諧激光源來形成在1470-1580納米的波長范圍中的輸入信號。通過光纖透鏡將該信號耦合進(jìn)和出該器件。應(yīng)用光纖偏振控制器來形成TE或TM偏振輸入信號。應(yīng)用光學(xué)濾光器來消除輸出信號中的大部分自發(fā)輻射。
應(yīng)用TE輸入偏振以1＝1548納米(有源波導(dǎo)的增益峰值波長)實現(xiàn)在附圖8中以虛線所示的最佳的開關(guān)特性。可以看到，在“切斷”狀態(tài)，即當(dāng)所注入的電流為零時，對-5毫瓦分貝的入光纖(in-fibre)輸入信號功率，所測量的串?dāng)_信號電平低至-79毫瓦分貝?？紤]到包括輸入/輸出耦合和濾光器的大約14分貝的總的損耗，片內(nèi)(on chip)串?dāng)_大約為-60分貝，迄今為止這是我們所知最低的值。在70毫安下接通/切斷反差高達(dá)45分貝而對于160毫安的注入電流可以實現(xiàn)＞50分貝的最大值。結(jié)論在應(yīng)用有源垂直耦合器的InGaAsP/InP基片上已經(jīng)制造了緊湊的集成4×4光學(xué)交叉點(diǎn)開關(guān)陣列以實現(xiàn)緊湊的、較低串?dāng)_電平和高的接通/切斷反差。初步結(jié)果顯示該開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)低至-60分貝的片內(nèi)(onchip)串?dāng)_電平和大于50分貝的高的接通/切斷反差。正在測量該器件的開關(guān)時間，相信該開關(guān)時間在由該載流子壽命所決定的納秒范圍內(nèi)。在該會議中將提供進(jìn)一步的結(jié)果。
已經(jīng)設(shè)計、制造和測試了基于第一優(yōu)選實施例和第二優(yōu)選實施例的4×4光學(xué)交叉點(diǎn)開關(guān)陣列。該器件制造在InP基片上。4×4陣列的面積僅為1.2×1.2毫米，在相鄰的輸入和輸出波導(dǎo)之間的距離為0.25毫米。在1548納米的輸入波長上串?dāng)_電平為-60分貝。調(diào)制深度(接通/切斷反差)為50分貝。在由本發(fā)明人授權(quán)的附加文件中詳細(xì)地描述了制造和測試結(jié)果。
權(quán)利要求
1.一種構(gòu)造占用最小的基片面積的集成光學(xué)交叉點(diǎn)開關(guān)的方案，包括形成彼此相互交叉的輸入和輸出光波導(dǎo)，以及在通向所述交叉的輸入波導(dǎo)上形成上部波導(dǎo)，以通過電或光信號控制的方式能夠?qū)⑤斎牍獯怪钡伛詈系剿錾喜坎▽?dǎo)中，以及在所述交叉上提供隅角反射鏡，其穿過上部波導(dǎo)并將在波導(dǎo)中的光反射到正交方向，以及在從所述交叉導(dǎo)引出的輸出波導(dǎo)上形成從所述隅角反射鏡導(dǎo)引出的上部波導(dǎo)，以通過電或光信號控制的方式能夠從該上部波導(dǎo)垂直地耦合光，以及控制在耦合波導(dǎo)中的光模式分布以使耦合長度最小。
2.一種使在交叉點(diǎn)開關(guān)中的串?dāng)_電平最小并增加調(diào)制深度的設(shè)計方法，包括改變在VCWS中的折射率分布以實現(xiàn)開關(guān)功能，和在“接通”狀態(tài)下在上部波導(dǎo)中降低光學(xué)損耗或引入光學(xué)增益以增強(qiáng)開關(guān)，和/或在“切斷”狀態(tài)下增加上部波導(dǎo)的光學(xué)損耗以抑制進(jìn)入輸出的寄生信號電平。
3.如權(quán)利要求1所述的開關(guān)結(jié)構(gòu)，其應(yīng)用在權(quán)利要求2中所述的設(shè)計原理。
4.如權(quán)利要求1和3所述的開關(guān)結(jié)構(gòu)，其中在輸入和輸出波導(dǎo)之間的角度為90度。
5.如權(quán)利要求1和3所述的開關(guān)結(jié)構(gòu)，其中在輸入和輸出波導(dǎo)之間的角度不是90度。
6.如權(quán)利要求1、3、4和5所述的開關(guān)結(jié)構(gòu)，其中在開關(guān)的過程中改變上部波導(dǎo)的折射率。
7.如權(quán)利要求1、3、4和5所述的開關(guān)結(jié)構(gòu)，其中在開關(guān)的過程中改變下部波導(dǎo)的折射率。
8.如權(quán)利要求1、3、4、5、6和7所述的開關(guān)結(jié)構(gòu)，其中上部波導(dǎo)具有與下部波導(dǎo)相同的寬度。
9.如權(quán)利要求1、3、4、5、6和7所述的開關(guān)結(jié)構(gòu)，其中上部波導(dǎo)具有與下部波導(dǎo)不同的寬度。
10.如權(quán)利要求1、3、4、5、6、7、8和9所述的開關(guān)結(jié)構(gòu)，其中上部波導(dǎo)具有與下部波導(dǎo)相同的厚度。
11.如權(quán)利要求1、3、4、5、6、7、8和9所述的開關(guān)結(jié)構(gòu)，其中上部波導(dǎo)具有與下部波導(dǎo)不同的厚度。
12.一種互連或不互連的開關(guān)陣列，該開關(guān)陣列包括如 1、3、4、5、6、7、8、9、10和11所述的單獨(dú)的開關(guān)。
13.如權(quán)利要求12所述的開關(guān)陣列，具有錐形輸入/輸出波導(dǎo)端部以增強(qiáng)在所述陣列和光纖之間的耦合。
14.如前述任何權(quán)利要求所述的單獨(dú)開關(guān)或開關(guān)陣列，其中基片材料基本為平面。
15.如前述任何權(quán)利要求所述的單獨(dú)開關(guān)或開關(guān)陣列，其中上部和下部波導(dǎo)由端部小平面終結(jié)，該端部小平面不垂直于波導(dǎo)軸線。
16.如前述任何權(quán)利要求所述的單獨(dú)開關(guān)或開關(guān)陣列，其中基片和/或波導(dǎo)材料是如下的一種半導(dǎo)體、基于二氧化硅的材料、聚合體。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光學(xué)交叉點(diǎn)開關(guān)。該開關(guān)允許光信號從任意數(shù)量的輸入端口轉(zhuǎn)向到任意數(shù)量的輸出端口中的任一個端口或幾個端口。該開關(guān)由形成在平面基片上的兩組截斷光波導(dǎo)組成,這兩組光波導(dǎo)分別為輸入和輸出波導(dǎo)。在每個交叉上,另一個波導(dǎo)形成在該輸入和輸出波導(dǎo)之上。通過電或光信號控制在這個上部波導(dǎo)和輸入/輸出波導(dǎo)之間的光學(xué)耦合。上部波導(dǎo)在所述交叉上具有隅角反射鏡。當(dāng)控制信號允許時,光從輸入波導(dǎo)耦合到上部波導(dǎo)。在由該隅角反射鏡反射之后,光從上部波導(dǎo)耦合到輸出波導(dǎo)。上部波導(dǎo)并入了有源開關(guān)元件允許高調(diào)制深度和低串?dāng)_電平。
文檔編號G02F1/313GK1353826SQ0080830
公開日2002年6月12日 申請日期2000年3月30日 優(yōu)先權(quán)日1999年3月31日
發(fā)明者I·懷特, R·V·彭蒂, S·余 申請人:布里斯托爾大學(xué)