相鄰兩幀畫(huà)面時(shí):前一幀畫(huà)面內(nèi)，所述掃描線逐行提供時(shí)長(zhǎng)為第一時(shí)長(zhǎng)(tl)的掃描信號(hào)，所述時(shí)鐘信號(hào)(CK)先提供時(shí)長(zhǎng)為第二時(shí)長(zhǎng)(t2)的高電位控制偶數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2)或奇數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2’ )打開(kāi)，于此同時(shí)，數(shù)據(jù)線提供正極性電壓，使得偶數(shù)列像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的源極電壓或奇數(shù)列像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的源極電壓為正極性，對(duì)偶數(shù)列像素或奇數(shù)列像素進(jìn)行充電；之后，所述時(shí)鐘信號(hào)(CK)再提供時(shí)長(zhǎng)為第三時(shí)長(zhǎng)(t3)的低電位控制在所述第二時(shí)長(zhǎng)(t2)內(nèi)未打開(kāi)的奇數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2’)或偶數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2)打開(kāi)，于此同時(shí)，數(shù)據(jù)線提供負(fù)極性電壓，使得奇數(shù)列像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的源極電壓或偶數(shù)列像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的源極電壓為負(fù)極性，對(duì)奇數(shù)列像素或偶數(shù)列像素進(jìn)行充電； 后一幀畫(huà)面內(nèi)，所述掃描線逐行提供時(shí)長(zhǎng)為第一時(shí)長(zhǎng)(tl)的掃描信號(hào)，所述時(shí)鐘信號(hào)(CK)先提供時(shí)長(zhǎng)為第三時(shí)長(zhǎng)(t3)的高電位控制偶數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2)或奇數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2’ )打開(kāi)，于此同時(shí)，數(shù)據(jù)線提供負(fù)極性電壓，使得偶數(shù)列像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的源極電壓或奇數(shù)列像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的源極電壓為負(fù)極性，對(duì)偶數(shù)列像素或奇數(shù)列像素進(jìn)行充電；之后，所述時(shí)鐘信號(hào)(CK)再提供時(shí)長(zhǎng)為第二時(shí)長(zhǎng)(t2)的低電位控制在所述第三時(shí)長(zhǎng)(t3)內(nèi)未打開(kāi)的奇數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2’)或偶數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2)打開(kāi)，于此同時(shí)，數(shù)據(jù)線提供正極性電壓，使得奇數(shù)列像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的源極電壓或偶數(shù)列像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的源極電壓為正極性，對(duì)奇數(shù)列像素或偶數(shù)列像素進(jìn)行充電； 所述第一時(shí)長(zhǎng)(tl)為第二時(shí)長(zhǎng)(t2)與第三時(shí)長(zhǎng)(t3)的加和。2.如權(quán)利要求1所述的列翻轉(zhuǎn)模式的液晶顯示面板，其特征在于，所述第三時(shí)長(zhǎng)(t3)不等于第二時(shí)長(zhǎng)(t2)。3.如權(quán)利要求2所述的列翻轉(zhuǎn)模式的液晶顯示面板，其特征在于，所述第三時(shí)長(zhǎng)(t3)大于第二時(shí)長(zhǎng)(t2)。4.如權(quán)利要求1所述的列翻轉(zhuǎn)模式的液晶顯示面板，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的柵極電性連接于像素所在行對(duì)應(yīng)的掃描線，源極電性連接于充電控制薄膜晶體管的漏極，漏極電性連接于存儲(chǔ)電容(CSTl)的一端及液晶電容(CLCl)的一端；所述充電控制薄膜晶體管的源極電性連接于像素所在列對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線；所述存儲(chǔ)電容(CSTl)的另一端及液晶電容(CLCl)的另一端均電性連接于公共電極(VCOM)； 所述奇數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2’ )為P型薄膜晶體管，所述偶數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2)為N型薄膜晶體管；或所述奇數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2’)為N型薄膜晶體管，所述偶數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2)為P型薄膜晶體管。5.如權(quán)利要求1所述的列翻轉(zhuǎn)模式的液晶顯示面板，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)、充電控制薄膜晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。6.一種列翻轉(zhuǎn)模式的液晶顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供一列翻轉(zhuǎn)模式的液晶顯示面板； 所述列翻轉(zhuǎn)模式的液晶顯示面板包括多條相互平行并依次排列的豎直的數(shù)據(jù)線、多條相互平行并依次排列的水平的掃描線、及呈陣列式排布的多個(gè)像素，每個(gè)像素內(nèi)均設(shè)置像素驅(qū)動(dòng)電路；同一行像素內(nèi)的多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路均電性連接于對(duì)應(yīng)該行像素的掃描線；分別位于每條數(shù)據(jù)線左、右兩側(cè)的一奇數(shù)列像素與一偶數(shù)列像素內(nèi)的多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路均電性連接于該條數(shù)據(jù)線； 所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括:驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)、充電控制薄膜晶體管、存儲(chǔ)電容(CSTl)、及液晶電容(CLCl);偶數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2)與奇數(shù)列像素內(nèi)的充電薄膜晶體管(T2’ )的其中之一受高電位的控制而打開(kāi)，另一個(gè)受低電位的控制而打開(kāi)； 所述偶數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2)與奇數(shù)列像素內(nèi)的充電薄膜晶體管(T2’ )的柵極均電性連接于時(shí)鐘信號(hào)(CK)； 步驟2、驅(qū)動(dòng)所述列翻轉(zhuǎn)模式的液晶顯示面板進(jìn)行一幀畫(huà)面的顯示； 設(shè)N、M為正整數(shù)，對(duì)于第N行像素，第N條掃描線向第N行像素的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的柵極提供時(shí)長(zhǎng)為第一時(shí)長(zhǎng)(tl)的掃描信號(hào)(GATE(N))，所述時(shí)鐘信號(hào)(CK)先提供時(shí)長(zhǎng)為第二時(shí)長(zhǎng)(t2)的高電位控制第N行偶數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2)或第N行奇數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2’ )打開(kāi)，于此同時(shí)，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線(S(M))提供正極性電壓，使得第N行偶數(shù)列像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的源極電壓或第N行奇數(shù)列像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的源極電壓為正極性，對(duì)第N行偶數(shù)列像素或第N行奇數(shù)列像素進(jìn)行充電；之后，所述時(shí)鐘信號(hào)(CK)再提供時(shí)長(zhǎng)為第三時(shí)長(zhǎng)(t3)的低電位控制在所述第二時(shí)長(zhǎng)(t2)內(nèi)未打開(kāi)的第N行奇數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2’ )或第N行偶數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2)打開(kāi)，于此同時(shí)，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線(S(M))提供負(fù)極性電壓，使得第N行奇數(shù)列像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的源極電壓或第N行偶數(shù)列像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的源極電壓為負(fù)極性，對(duì)第N行奇數(shù)列像素或第N行偶數(shù)列像素進(jìn)行充電；所述第一時(shí)長(zhǎng)(tl)為第二時(shí)長(zhǎng)(t2)與第三時(shí)長(zhǎng)(t3)的加和； 按同樣方式依次逐行掃描，直至完成對(duì)一幀畫(huà)面的驅(qū)動(dòng)； 步驟3、驅(qū)動(dòng)所述列翻轉(zhuǎn)模式的液晶顯示面板進(jìn)行下一幀畫(huà)面的顯示； 對(duì)于第N行像素，第N條掃描線向第N行像素的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的柵極提供時(shí)長(zhǎng)為第一時(shí)長(zhǎng)(tl)的掃描信號(hào)(GATE(N))，所述時(shí)鐘信號(hào)(CK)先提供時(shí)長(zhǎng)為第三時(shí)長(zhǎng)(t3)的高電位控制第N行偶數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2)或第N行奇數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2’)打開(kāi)，于此同時(shí)，相應(yīng)的數(shù)據(jù)線(S(M))提供負(fù)極性電壓，使得第N行偶數(shù)列像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的源極電壓或第N行奇數(shù)列像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的源極電壓為負(fù)極性，對(duì)第N行偶數(shù)列像素或第N行奇數(shù)列像素進(jìn)行充電；之后，所述時(shí)鐘信號(hào)(CK)再提供時(shí)長(zhǎng)為第二時(shí)長(zhǎng)(t2)的低電位控制在所述第三時(shí)長(zhǎng)(t3)內(nèi)未打開(kāi)的第N行奇數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2’)或第N行偶數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2)打開(kāi)，于此同時(shí)，相應(yīng)的數(shù)據(jù)線(S(M))提供正極性電壓，使得第N行奇數(shù)列像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的源極電壓或第N行偶數(shù)列像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的源極電壓為正極性，對(duì)第N行奇數(shù)列像素或第N行偶數(shù)列像素進(jìn)行充電； 按同樣方式依次逐行掃描，直至完成對(duì)所述下一幀畫(huà)面的驅(qū)動(dòng)； 步驟4、步驟2、3交替循環(huán)，驅(qū)動(dòng)所述列翻轉(zhuǎn)模式的液晶顯示面板連續(xù)進(jìn)行畫(huà)面顯示。7.如權(quán)利要求6所述的列翻轉(zhuǎn)模式的液晶顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述第三時(shí)長(zhǎng)(t3)不等于第二時(shí)長(zhǎng)(t2)。8.如權(quán)利要求7所述的列翻轉(zhuǎn)模式的液晶顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述第三時(shí)長(zhǎng)(t3)大于第二時(shí)長(zhǎng)(t2)。9.如權(quán)利要求6所述的列翻轉(zhuǎn)模式的液晶顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)的柵極電性連接于像素所在行對(duì)應(yīng)的掃描線，源極電性連接于充電控制薄膜晶體管的漏極，漏極電性連接于存儲(chǔ)電容(CSTl)的一端及液晶電容(CLCl)的一端；所述充電控制薄膜晶體管的源極電性連接于像素所在列對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線；所述存儲(chǔ)電容(CSTl)的另一端及液晶電容(CLCl)的另一端均電性連接于公共電極(VCOM)； 所述奇數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2’ )為P型薄膜晶體管，所述偶數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2)為N型薄膜晶體管；或所述奇數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2’)為N型薄膜晶體管，所述偶數(shù)列像素內(nèi)的充電控制薄膜晶體管(T2)為P型薄膜晶體管。10.如權(quán)利要求6所述的列翻轉(zhuǎn)模式的液晶顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl)、充電控制薄膜晶體管(T2)均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種列翻轉(zhuǎn)模式的液晶顯示面板及其驅(qū)動(dòng)方法，通過(guò)在像素驅(qū)動(dòng)電路中增加充電控制薄膜晶體管(T2)，并依據(jù)數(shù)據(jù)線提供的電壓的正、負(fù)極性不同，調(diào)整提供給充電控制薄膜晶體管(T2)柵極的時(shí)鐘信號(hào)(CK)的電位高低及脈沖寬度，控制正、負(fù)極性電壓分別對(duì)相鄰兩列像素進(jìn)行充電的時(shí)間，能夠平衡正、負(fù)極性電壓對(duì)相鄰兩列像素的充電效果，補(bǔ)償正、負(fù)極性電壓對(duì)相鄰兩列像素造成的充電差異，使得畫(huà)面顯示效果均勻。
【IPC分類】G09G3/36, G02F1/1362
【公開(kāi)號(hào)】CN104882106
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510297185
【發(fā)明人】左清成, 謝劍星
【申請(qǐng)人】武漢華星光電技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2015年9月2日
【申請(qǐng)日】2015年6月2日