Oled像素驅(qū)動電路與oled顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED像素驅(qū)動電路與OLED顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Display，OLED)顯示裝置具有自發(fā)光、驅(qū)動電壓低、發(fā)光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點，被業(yè)界公認為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示
目.ο
[0003]目前，大部分OLED都采用直流驅(qū)動，其包括:陽極、設(shè)于陽極上的空穴注入層、設(shè)于空穴注入層上的空穴傳輸層、設(shè)于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設(shè)于發(fā)光層上的電子傳輸層、設(shè)于電子傳輸層上的電子注入層、及設(shè)于電子注入層上的陰極。電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層迀移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出可見光。
[0004]當有電流流過有OLED時，OLED發(fā)光，且發(fā)光亮度由流過OLED自身的電流決定。大部分已有的集成電路(Integrated Circuit, IC)都只傳輸電壓信號，故OLED的像素驅(qū)動電路需要完成將電壓信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏餍盘柕娜蝿?wù)?，F(xiàn)有的OLED像素驅(qū)動電路通常為2T1C即兩個薄膜晶體管加一個電容的結(jié)構(gòu)，將電壓變換為電流。
[0005]如圖1所示，現(xiàn)有的2T1C結(jié)構(gòu)的OLED像素驅(qū)動電路，包括一第一薄膜晶體管T10、一第二薄膜晶體管T20、及一電容C10。具體地，所述第一薄膜晶體管TlO的柵極電性連接掃描線Gate，漏極電性連接數(shù)據(jù)線Data，源極與第二薄膜晶體管T20的柵極、及電容ClO的一端電性連接；所述第二薄膜晶體管T20的漏極電性連接有機發(fā)光二級管DlO的陰極，源極接地；有機發(fā)光二級管DlO的陽極電性連接直流電壓端Vdd，陰極電性連接第二薄膜晶體管T20的漏極；電容C的一端電性連接第一薄膜晶體管TlO的源極，另一端接地。當OLED顯示面板進行顯示時，對應于各行像素的掃描線依次逐行提供掃描脈沖信號，第一薄膜晶體管TlO在掃描信號的控制下導通，數(shù)據(jù)信號經(jīng)過第一薄膜晶體管TlO進入到第二薄膜晶體管T20的柵極及電容C10，然后第一薄膜晶體管TlO斷開，由于電容ClO的存儲作用，第二薄膜晶體管T20的柵極電壓仍可繼續(xù)保持數(shù)據(jù)信號電壓，使得第二薄膜晶體管T20處于導通狀態(tài)，電流進入有機發(fā)光二級管D10，驅(qū)動有機發(fā)光二級管DlO發(fā)光。
[0006]然而，上述2T1C結(jié)構(gòu)的OLED像素驅(qū)動電路使得當OLED顯示面板進行顯示時，所有的像素都持續(xù)保持發(fā)光狀態(tài)。隨著OLED顯示面板使用時間的增加，會有空穴和電子累積在各自傳輸層和發(fā)光層的界面，在有機發(fā)光二級管內(nèi)部形成內(nèi)建電場，導致有機發(fā)光二極管的閾值電壓增大，降低其發(fā)光亮度，并影響到OLED顯示面板的壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種OLED像素驅(qū)動電路，能夠方便地控制OLED的發(fā)光時間。
[0008]本發(fā)明的另一目的在于提供一種OLED顯示面板，能夠方便地對各個像素中OLED的發(fā)光時間進行控制，縮短各個像素中OLED的發(fā)光時間，延長OLED顯示面板的壽命。
[0009]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種OLED像素驅(qū)動電路，包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、有機發(fā)光二級管、及電容；
[0010]所述第一薄膜晶體管的柵極電性連接于掃描線，漏極電性連接于數(shù)據(jù)線，源極電性連接于第二薄膜晶體管的柵極及電容的一端；
[0011]所述第二薄膜晶體管的柵極電性連接于第一薄膜晶體管的源極及電容的一端，漏極電性連接于有機發(fā)光二級管的陰極，源極接地；
[0012]所述第三薄膜晶體管的柵極電性連接于傳輸控制信號的控制信號線，漏極電性連接于直流電壓端，源極電性連接于有機發(fā)光二級管的陽極；
[0013]所述有機發(fā)光二級管的陽極電性連接于第三薄膜晶體管的源極，陰極電性連接于第二薄膜晶體管的漏極；
[0014]所述電容的一端電性連接于第一薄膜晶體管的源極及第二薄膜晶體管的柵極，另一端接地；
[0015]所述控制信號交替提供高、低電平，控制第三薄膜晶體管源極與漏極的導通或斷開。
[0016]所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、與第三薄膜晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。
[0017]所述控制信號為一脈沖信號。
[0018]所述控制信號由外部時序控制器提供。
[0019]本發(fā)明還提供一種OLED顯示面板，包括多個呈陣列式排布的像素，每一像素又包括數(shù)個子像素，每個子像素內(nèi)均設(shè)置OLED像素驅(qū)動電路；
[0020]位于同一行的子像素均電性連接于對應該行子像素的掃描線，位于同一列的子像素均電性連接于對應該列子像素的數(shù)據(jù)線；
[0021]每一子像素的OLED像素驅(qū)動電路，均包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、有機發(fā)光二級管、及電容；所述第一薄膜晶體管的柵極電性連接于掃描線，漏極電性連接于數(shù)據(jù)線，源極電性連接于第二薄膜晶體管的柵極及電容的一端；所述第二薄膜晶體管的柵極電性連接于第一薄膜晶體管的源極及電容的一端，漏極電性連接于有機發(fā)光二級管的陰極，源極接地；所述第三薄膜晶體管的柵極電性連接于傳輸?shù)谝豢刂菩盘柕牡谝豢刂菩盘柧€或傳輸?shù)诙刂菩盘柕牡诙刂菩盘柧€，漏極電性連接于直流電壓端，源極電性連接于有機發(fā)光二級管的陽極；所述有機發(fā)光二級管的陽極電性連接于第三薄膜晶體管的源極，陰極電性連接于第二薄膜晶體管的漏極；所述電容的一端電性連接于第一薄膜晶體管的源極及第二薄膜晶體管的柵極，另一端接地；
[0022]對于每相鄰的兩個像素，其中一個像素的數(shù)個子像素內(nèi)第三薄膜晶體管的柵極均電性連接第一控制信號線，另一個像素的數(shù)個子像素內(nèi)第三薄膜晶體管的柵極均電性連接第二控制信號線；
[0023]所述第一控制信號與第二控制信號均交替提供高、低電平，且所述第一控制信號與第二控制信號的電位相反。
[0024]所述每一像素包括紅色子像素、綠色子像素、與藍色子像素。
[0025]所述第一控制信號與第二控制信號為相互反相的脈沖信號。
[0026]所述第一控制信號與第二控制信號的脈沖周期均為相鄰兩幀圖像的顯示時間。
[0027]所述第一控制信號與第二控制信號均由外部時序控制器提供。
[0028]所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、與第三薄膜晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。
[0029]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種OLED像素驅(qū)動電路，在直流電壓端與有機發(fā)光二級管之間設(shè)置第三薄膜晶體管，并通過控制信號來控制第三薄膜晶體管源極與漏極的導通或斷開，能夠方便地控制OLED的發(fā)光時間。本發(fā)明提供的一種OLED顯示面板，在每一子像素的OLED像素驅(qū)動電路內(nèi)設(shè)置位于直流電壓端與有機發(fā)光二級管之間的第三薄膜晶體管，并通過電位相反的第一控制信號與第二控制信號來分別控制每相鄰的兩個像素在顯示過程中交替處于一個發(fā)光、另一個不發(fā)光的狀態(tài)，能夠方便地對各個像素中OLED的發(fā)光時間進行控制，在OLED顯示面板顯示時間不變的前提下，縮短各個像素中OLED的發(fā)光時間，延長OLED顯示面板的壽命。
【附圖說明】
[0030]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
[0031]附圖中，
[0032]圖1為現(xiàn)有的OLED像素驅(qū)動電路的電路圖；
[0033]圖2為本發(fā)明的OLED像素驅(qū)動電路的電路圖；
[0034]圖3為本發(fā)明的OLED顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖4為本發(fā)明的OLED顯示面板內(nèi)每一個子像素的OLED像素驅(qū)動電路圖；
[0036]圖5為本發(fā)明的OLED顯示面板所使用的信號的波形圖。
【具體實施方式】
[0037]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0038]請參閱圖1，本發(fā)明首先提供一種OLED像素驅(qū)動電路，包括第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、有機發(fā)光二級管D、及電容C。
[0039]所述第一薄膜晶體管Tl的柵極電性連接于掃描線Gate，漏極電性連接于數(shù)據(jù)線Data，源極電性連接于第二薄膜晶體管T2的柵極及電容C的一端；
[0040]所述第二薄膜晶體管T2的柵極電性連接于第一薄膜晶體管Tl的源極及電容C的一端，漏極電性連接于有機發(fā)光二級管D的陰極，源極接地；
[0041]所述第三薄膜晶體管T3的柵極電性連接于傳輸控制信號P的控制信號線，漏極電性連接于直流電壓端Vdd，源極電性連接于有機發(fā)光二級管D的陽極；
[0042]所述有機發(fā)光二級管D的陽極電性連接于第三薄膜晶體管T3的源極，陰極電性連接于第二薄膜晶體管T2的漏極；
[0043]所述電容C的一端電性連接于第一薄膜晶體管Tl的源極及第二薄膜晶體管T2的柵極，另一端接地。
[0044]所述控制信號P交替提供高、低電平。所述掃描線Gate提供掃描脈沖信號至第一薄膜晶體管Tl的柵極，第一薄膜晶體管Tl導通，數(shù)據(jù)信號經(jīng)過第一薄膜晶體管Tl進入到第二薄膜晶體管T2的柵極及電容C，并存儲于電容C中，使得第二薄膜晶體管T2保持導通狀態(tài)，當所述控制信號P提供高電平時，所述第三薄膜晶體管T3的柵極受高電平控制，相應的，第三薄膜晶體管T3的源極與漏極導通，直流電壓端Vdd、第三薄膜晶體管T3、有機發(fā)光二級管D、與第二薄膜晶體管T2之間形成電流通路，電流流過有機發(fā)光二級管D使其發(fā)光；當所述控制信號P提供低電平時，所述第三薄膜晶體管T3的柵極受低電平控制，相應的，第三薄膜晶體管T3的源極與漏極斷開，僅管第二薄膜晶體管T2依然保持導通狀態(tài)，但由于第三薄膜晶體管的源極與漏極斷開，進而直流電壓端Vdd、第三薄膜晶體管T3、有機發(fā)光二極管D、與第二薄膜晶體管T2形成斷路，有機發(fā)光二級管D因沒有電流流過而停止發(fā)光，從而能夠方便地控制OLED的發(fā)光時間。
[0045]具體地，所述第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、與第三薄膜晶體管T3均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。
[0046]所述控制信號P可為一脈沖信號，由