亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

顯示面板的制作方法_3

文檔序號:8906411閱讀:來源:國知局
醒(POM)、聚對苯二甲酸二了醋(PBT)、聚己內(nèi)醋(P化)、聚對苯二甲酸己二醋(PET)、 聚碳酸醋(PC)、聚醋(polyester)、聚己締(PE:)、聚苯離謎酬(PEEK)、聚乳酸(PLA)、聚丙締 (PP)、聚苯己締(PS)或聚偏二氯己締(PVDC),但不W此為限。圖案化堤巧層62可為單層或 多層結構,且其材料也可為其它適合的無機材料、有機材料(例如可選自上述的有機材料) 或有機/無機混成材料。隨后可選擇性地于圖案化堤巧層62上形成至少一反射層66,其中 反射層66可至少設置于圖案化堤巧層62的開口 62A的側壁68上,且反射層66可進一步 設置于下電極60上并與下電極60電連接。反射層66可為單層或多層結構,其材料包括反 射材料例如金屬、合金、或其他合適的材料。
[0066]接著,如圖13所示,隨后利用多個導電粘著層72將多個發(fā)光元件74分別固定并 電連接于各反射層66上。發(fā)光元件74可包括無機發(fā)光二極管元件、有機發(fā)光二極管元件 或其它各種類型的電激發(fā)光元件。在本實施例中,發(fā)光元件74優(yōu)選包括多個無機發(fā)光二極 管元件,其中各無機發(fā)光二極管元件包括一第一電極78、一第二電極80W及一P-N二極管 層82。第二電極80是設置于第一電極78上,且P-N二極管層82是設置于第一電極78與 第二電極80之間。舉例而言,本實施例的方法可利用微機械裝置夾取或吸取制作完成的無 機發(fā)光二極管元件并利用導電粘著層72將無機發(fā)光二極管元件分別固定并電連接于反射 層66上。也就是說,導電粘著層72是夾設于各反射層66與各無機發(fā)光二極管元件的第一 電極78之間。導電粘著層72具備導電特性,并具有可烙化(meltable)特性,由此可利用 熱制作工藝將導電粘著層72烙化。固定無機發(fā)光二極管元件可利用下列方法。先于反射 層66上形成對應的導電粘著層72,并將導電粘著層72烙化,再將無機發(fā)光二極管元件放置 于所對應的導電粘著層72上且與導電粘著層72接觸,而待導電粘著層72固化后即可使無 機發(fā)光二極管元件粘固并電連接于反射層66上;或者,將導電粘著層72先形成于無機發(fā)光 二極管元件上,并將導電粘著層72烙化,接著再將無機發(fā)光二極管元件上的導電粘著層72 放置于所對應的反射層66上且與反射層66接觸,而待導電粘著層72固化后即可使無機發(fā) 光二極管元件粘固并電連接于反射層66上。導電粘著層72可為導電膠或其它合適的導電 材料,其導電材料可為例如銅(In)、餓炬i)、錫(Sn)、銀(Ag)、金、銅、嫁佑a)與鋪(Sb)的 其中至少一者,但不W此為限。接著,多個填充層84分別填入開口 62A內(nèi)并分別環(huán)繞對應 的發(fā)光元件74。在本實施例中,填充層84是分別填充于無機發(fā)光二極管元件W及反射層 66之間所形成的空間。隨后,至少一上電極86形成于填充層84上并與發(fā)光元件74的第二 電極80電連接,W制作出本實施例的顯示面板1,其中上電極86的材料可為透明導電材料 例如氧化銅錫、氧化銅鋒或氧化侶鋒,由此發(fā)光元件74所發(fā)出的光可穿透上電極86W提供 顯示效果。值得一提的是,本發(fā)明的發(fā)光元件74并不限定于利用導電粘著層72將發(fā)光元 件74分別固定并電連接于各反射層66上,也可先W圖案化制作工藝(例如光刻蝕刻制作 工藝)于各反射層66形成開口,再利用導電粘著層72將發(fā)光元件74分別固定并電連接于 各下電極60上。另外,本發(fā)明的發(fā)光元件74也可不通過導電粘著層72,而是直接將各發(fā)光 元件74形成于各下電極60或各反射層66上,但不W此為限。此外,本實施例是W于各像 素區(qū)14中設置一發(fā)光元件74為范例做說明,但不限于此。在其他變化實施例中,也可于各 像素區(qū)14中設置多個發(fā)光元件74。
[0067]請繼續(xù)參考圖13,圖13為顯示面板的示意圖。如圖13所示,本發(fā)明的顯示面板1 的結構包括基板12、像素陣列16W及熱電模塊58?;?2包括多個像素區(qū)14。像素陣 列16設置于基板12上,其中像素陣列16包括多個驅動元件18W及多個發(fā)光元件74,驅 動元件18W及發(fā)光元件74都是設置于像素區(qū)14內(nèi)。熱電模塊58是設置于像素陣列16 內(nèi),熱電模塊58是一種能利用溫度梯度或溫度差來驅動載流子移動W形成電流的元件,也 就是熱電模塊58可W將熱轉換成電能。W本實施例為例,發(fā)光元件74與熱電模塊58是共 用熱端絕緣基材54。當顯示面板1運作時,熱端絕緣基材54的溫度是比位于熱電模塊58 另一側的冷端絕緣基材40的溫度高,由于本實施例的第一半導體層的材料是P型滲雜娃, 因此第一半導體層中的多數(shù)載流子是空穴,并通過熱端絕緣基材54與冷端絕緣基材40之 間的溫度梯度可W驅動第一半導體層中的空穴往冷端絕緣基材40移動。另一方面,本實施 例的第二半導體層的材料是N型滲雜娃,因此第二半導體層中的多數(shù)載流子是電子,并通 過熱端絕緣基材54與冷端絕緣基材40之間的溫度梯度驅動第二半導體層中的電子往冷端 絕緣基材40移動。如此一來,只要通過第一連接電極52與第二連接電極42將各熱電單元 44中的第一半導體層與第二半導體層串聯(lián)成一回路,即可于熱電模塊58內(nèi)形成電流,并且 若進一步將熱電模塊58電連接至像素陣列16外部的一負載即可輸出對應的電壓。詳細而 言,熱電模塊58中各熱電單元44中的第一半導體層與第二半導體層可通過第一連接電極 52與第二連接電極42串聯(lián)成一回路,且熱電模塊58可通過第一連接電極52或第二連接電 極42連接至電源模塊88,但不W此為限。在其它變化實施例中,熱電單元44也可W其它方 式彼此電連接,利用W并聯(lián)方式電連接,或者一部分的熱電單元44可利用串聯(lián)方式電連接 且另一部分的熱電單元44可利用并聯(lián)方式電連接。詳細而言,在本實施例中于彼此電連接 的熱電單元44中,兩終端的熱電單元44的第一通道層46或第二通道層48對應的第一連 接電極52或第二連接電極42可分別通過導線電連接至電源模塊88中的輔助電源92,將熱 電單元44產(chǎn)生的電能輸出至電源模塊88,但不W此為限。在其他變化實施例中,也可于彼 此電連接的熱電單元44中選擇其中的兩個第一通道層46或第二通道層48對應的第一連 接電極52或第二連接電極42,并通過導線電連接至電源模塊88中的輔助電源92?;蛘?, 當熱電單元44區(qū)分為多組,且不同組內(nèi)的熱電單元44則彼此不電連接時,可W于各組內(nèi)的 熱電單元44中選擇其中的兩個第一通道層46或第二通道層48對應的第一連接電極52或 第二連接電極42,并通過導線電連接至電源模塊88中的輔助電源92。由此,只要當顯示面 板1在運作時,熱電模塊58可將發(fā)光元件74產(chǎn)生的熱轉換成電能輸出至電源模塊88,達到 同時能散熱也可產(chǎn)生額外電能的效果。
[0068] 在本實施例中,熱電模塊58包括熱端絕緣基材54、冷端絕緣基材40及多個熱電單 元44,且熱電單元44是設置于熱端絕緣基材54與冷端絕緣基材40之間。熱端絕緣基材54 是設置于發(fā)光元件74W及熱電單元44之間,而冷端絕緣基材40是設置于熱電單元44W及 驅動元件18之間。換句話說,熱端絕緣基材54是距離發(fā)光元件74較近,而冷端絕緣基材 40是距離發(fā)光元件74較遠。各熱電單元44包括第一通道層46W及第二通道層48。第一 通道層46與第二通道層48材料的選擇可從各材料的席貝克系數(shù)(seebeckcoefficient) 搭配席貝克效應(seebeckeffect)的公式,再依據(jù)熱電模塊58欲產(chǎn)生的電壓來決定。表 1列舉了熱電單元44的第一通道層46與第二通道層48的材料及其席貝克系數(shù),但不W此 為限。公式(1)為席貝克效應的公式其中Th是熱端絕緣基材54的溫度、T。為冷端絕緣基 材40的溫度、a。為第一通道層46的席貝克系數(shù)、ab為第二通道層48的席貝克系數(shù)、n為熱 電單元44串聯(lián)的個數(shù),W及AVgb為熱電模塊58產(chǎn)生的電壓差。舉例而言,若熱電模塊58 中包括=個熱電單元44的串聯(lián),各熱電單元44的第一通道層46與第二通道層48的材料 分別為P型滲雜娃與N型滲雜娃,且熱電模塊58兩端的溫度差為5°C至8(TC,則熱電模塊 58可產(chǎn)生的電壓差可為0.0135伏特至0.22伏特。值得一提的是,公式(1)說明熱電模塊 58產(chǎn)生的電壓差與熱電單元44中第一通道層46與第二通道層48材料席貝克系數(shù)的差呈 正比關系。也就是說,第一通道層46與第二通道層48材料的席貝克系數(shù)的差距越大,熱電 模塊58的熱電轉換效率會越高。由上述可知,若分別WP型半導體與N型半導體作為熱電 單元44中的第一通道層46與第二通道層48,熱電單元44可提供優(yōu)選的熱電轉換效率。熱 電單元44的第一通道層46與第二通道層48的材料選擇并不W上述為限,舉例來說,第一 通道層46與第二通道層48的材料可依據(jù)熱電模塊58所搭配的裝置的制作工藝相容性來 選擇。此外,熱電模塊58中的熱電單元44并不W串聯(lián)為限,例如熱電單元44可為并聯(lián)或 是串聯(lián)與并聯(lián)的組合。
[0069]表1
[0070]
當前第3頁1 2 3 4 
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1