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一種像素電路、顯示裝置及顯示驅(qū)動(dòng)方法

文檔序號(hào):8544633閱讀:177來源:國(guó)知局
一種像素電路、顯示裝置及顯示驅(qū)動(dòng)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請(qǐng)涉及顯示器件領(lǐng)域,具體涉及一種像素電路、顯示裝置及顯示驅(qū)動(dòng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)發(fā)光二極管(0LED;0rganicLight-EmittingDiode)顯示因具有高亮度、高 發(fā)光效率、寬視角、低功耗、低制造成本等優(yōu)點(diǎn),近年來被人們廣泛研究,并迅速應(yīng)用到新 一代的顯示器件中。0LED顯示按像素驅(qū)動(dòng)方式可W分為PM0LED(PassiveMatrix0LED: 無源矩陣0LED)和AM0LED(ActiveMatrix0LED;有源矩陣0LED)兩種。PM0LED雖然制造 成本低,但其具有交叉串?dāng)_、需要的驅(qū)動(dòng)電流大,因而存在使用壽命短、功耗高等缺點(diǎn),不能 滿足大面積、高分辨率的顯示要求。相比之下,AM0L邸避免了占空比和交叉串?dāng)_等問題,所 需要的驅(qū)動(dòng)電流較小、功耗較低,因而壽命更長(zhǎng)。AM0L邸更容易滿足大面積、高分辨率、高灰 度級(jí)顯不的需要。
[0003] 傳統(tǒng)的AM0L邸像素電路由兩個(gè)薄膜晶體管(TFT;ThinFilmTransistor)和一個(gè) 存儲(chǔ)電容構(gòu)成,如圖1所示,該像素電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管11、開關(guān)晶體管12、存儲(chǔ)電容13和 發(fā)光器件0L邸14,掃描控制信號(hào)線15上的信號(hào)控制開關(guān)晶體管12,采樣數(shù)據(jù)信號(hào)線16上 的數(shù)據(jù)信號(hào),提供給驅(qū)動(dòng)晶體管11的柵極,使得驅(qū)動(dòng)晶體管11產(chǎn)生0LED14所需要的電流, 從而產(chǎn)生所需要的灰度,并將該灰度信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容13中,存儲(chǔ)電容13保持采樣到的 數(shù)據(jù)信息直到下一峽。該像素電路中流過0L邸14的電流可W表示為:
[0004]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種像素電路,其特征在于,包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體 管、第一電容、第二電容和發(fā)光器件; 所述第四晶體管、所述第一晶體管和所述發(fā)光器件順次串聯(lián)在第一電壓源和地之間, 所述第四晶體管用作開關(guān)管,在第三掃描控制信號(hào)的控制下開啟或關(guān)閉;所述第一晶體管 用作所述發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)晶體管,用于為所述發(fā)光器件提供驅(qū)動(dòng)電流; 所述第二晶體管的控制極耦合至第一掃描控制信號(hào)線,所述第二晶體管的第一電極耦 合至數(shù)據(jù)信號(hào)線,所述第二晶體管的第二電極耦合至所述第一晶體管的控制極,所述第二 晶體管用于響應(yīng)第一掃描控制信號(hào)傳送參考電壓及數(shù)據(jù)電壓信號(hào); 所述第三晶體管的控制極耦合至第二掃描控制信號(hào)線,所述第三晶體管的第一電極耦 合至偏置電流信號(hào)線,所述第三晶體管的第二電極耦合至所述第一晶體管的第二電極,所 述第三晶體管用于響應(yīng)第二掃描控制信號(hào)傳輸偏置電流; 所述第一電容的第一電極耦合至所述第一晶體管的控制極,第二電極耦合至所述第一 晶體管的第二電極;所述第二電容的第一電極耦合至所述第一晶體管的第二電極,所述第 二電容的第二電極耦合至交流地; 在第一閾值電壓信息產(chǎn)生階段,所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述第三晶體管 導(dǎo)通,以電流偏置的形式產(chǎn)生與所述第一晶體管的第一閾值電壓有關(guān)的信息;在數(shù)據(jù)分壓 寫入階段,所述第二晶體管導(dǎo)通,所述第三晶體管和所述第四晶體管關(guān)斷,通過所述第一電 容和所述第二電容分壓的形式在所述第一電容兩端產(chǎn)生與所述第一閾值電壓和灰度信息 有關(guān)的基準(zhǔn)電壓;在發(fā)光階段,所述第一晶體管和所述第四晶體管導(dǎo)通,所述第二晶體管和 所述第三晶體管關(guān)斷,保持所述第一電容兩端的電壓差為所述基準(zhǔn)電壓。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素電路,其特征在于,所述第一晶體管和所述第四晶體管為N 型管; 所述第一晶體管的控制極耦合至所述第二晶體管的第二電極,所述第一晶體管的第一 電極耦合至所述第四晶體管的第二電極,所述第一晶體管的第二電極耦合至所述發(fā)光器件 的陽極;所述第四晶體管的控制極耦合至第三掃描控制信號(hào)線,所述第四晶體管的第一電 極耦合至所述第一電壓源;所述發(fā)光器件的陰極接地。
3. 如權(quán)利要求2所述的像素電路,其特征在于,還包括第五晶體管,所述第五晶體管的 控制極和所述第三晶體管的控制極耦合至上一行像素電路的第一掃描控制信號(hào)線,所述第 五晶體管的第一電極耦合至第二電壓源,所述第五晶體管的第二電極耦合至所述第一晶體 管的控制極。
4. 如權(quán)利要求2所述的像素電路,其特征在于,還包括第六晶體管,所述第六晶體管的 控制極耦合至第一掃描控制信號(hào)線,所述第六晶體管的第一電極耦合至數(shù)據(jù)信號(hào)線,所述 第六晶體管的第二電極耦合至所述第二晶體管的第一電極。
5. 如權(quán)利要求1所述的像素電路,其特征在于,所述第一晶體管和所述第四晶體管為P 型管; 所述第一晶體管的控制極耦合至所述第二晶體管的第二電極,所述第一晶體管的第一 電極耦合至所述發(fā)光器件的陽極,所述第一晶體管的第二電極耦合至所述第四晶體管的第 一電極;所述第四晶體管的控制極耦合至所述第三掃描控制信號(hào)線,所述第四晶體管的第 二電極耦合至第一電壓源;所述發(fā)光器件的陰極接地; 所述第三掃描控制信號(hào)線使用所述第一掃描控制信號(hào)線。
6. 如權(quán)利要求5所述的像素電路,其特征在于,還包括第七晶體管,所述第七晶體管的 控制級(jí)耦合至所述第二掃描控制信號(hào)線,所述第七晶體管的第一電極耦合至所述第一晶體 管的第一電極,所述第七晶體管的第二電極接地。
7. 如權(quán)利要求5所述的像素電路,其特征在于,還包括第八晶體管,所述第八晶體管的 控制極耦合至第一掃描控制信號(hào)線,所述第八晶體管的第一電極耦合至所述數(shù)據(jù)信號(hào)線, 所述第八晶體管的第二電極耦合至所述第二晶體管的第一電極。
8. 如權(quán)利要求1所述的像素電路,其特征在于,所述第一電容通過增大所述第一晶體 管的控制極和第二電極的交疊面積實(shí)現(xiàn)。
9. 一種顯示裝置,其特征在于,包括: 顯示面板,包括若干如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的像素電路; 柵極驅(qū)動(dòng)電路,通過掃描控制信號(hào)線向所述像素電路提供掃描控制信號(hào); 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路,通過所述數(shù)據(jù)信號(hào)線向所述像素電路提供數(shù)據(jù)信息并通過所述偏置電 流信號(hào)線提供偏置電流信號(hào)。
10. -種基于如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的像素電路的顯示驅(qū)動(dòng)方法,其特征在于, 將一幀周期分為三個(gè)階段,包括 : 第一閾值電壓信息產(chǎn)生階段,通過電流偏置的形式產(chǎn)生與驅(qū)動(dòng)晶體管的第一閾值電壓 有關(guān)的息; 數(shù)據(jù)分壓寫入階段,通過所述第一電容和所述第二電容的分壓在所述第一電容兩端產(chǎn) 生與所述第一閾值電壓和灰度信息有關(guān)的基準(zhǔn)電壓; 發(fā)光階段,在發(fā)光過程中所述第一電容兩端保持所述基準(zhǔn)電壓,使流過所述發(fā)光器件 的驅(qū)動(dòng)電流與所述第一閾值電壓及所述發(fā)光器件的第二閾值電壓無關(guān)。
【專利摘要】本申請(qǐng)公開了一種像素電路、顯示裝置及顯示驅(qū)動(dòng)方法。本申請(qǐng)的像素電路通過電流偏置的形式產(chǎn)生與驅(qū)動(dòng)晶體管的第一閾值電壓有關(guān)的信息,通過第一電容和第二電容的分壓在第一電容兩端產(chǎn)生與第一閾值電壓和灰度信息有關(guān)的基準(zhǔn)電壓,發(fā)光過程中,使第一電容兩端保持基準(zhǔn)電壓不變,從而使得流過發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)晶體管的第一閾值電壓及發(fā)光器件的第二閾值電壓無關(guān),該像素電路能夠補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管和發(fā)光器件的閾值電壓偏移,還可以補(bǔ)償顯示面板各處驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓不同而導(dǎo)致的顯示不均勻問題。
【IPC分類】G09G3-32
【公開號(hào)】CN104867441
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410058970
【發(fā)明人】張盛東, 王翠翠, 冷傳利
【申請(qǐng)人】北京大學(xué)深圳研究生院
【公開日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2014年2月20日
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