Amoled像素驅(qū)動電路及像素驅(qū)動方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種AMOLED像素驅(qū)動電路及像素驅(qū)動方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Display，OLED)顯示裝置具有自發(fā)光、驅(qū)動電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示
目.ο
[0003]OLED顯示裝置按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED,PM0LED)和有源矩陣型OLED (Active Matrix OLED, AM0LED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。
[0004]AMOLED是電流驅(qū)動器件，當(dāng)有電流流過有機發(fā)光二極管時，有機發(fā)光二極管發(fā)光，且發(fā)光亮度由流過有機發(fā)光二極管自身的電流決定。大部分已有的集成電路(IntegratedCircuit, IC)都只傳輸電壓信號，故AMOLED的像素驅(qū)動電路需要完成將電壓信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏餍盘柕娜蝿?wù)。傳統(tǒng)的AMOLED像素驅(qū)動電路通常為2T1C，即兩個薄膜晶體管加一個電容的結(jié)構(gòu)，將電壓變換為電流。
[0005]如圖1所述，傳統(tǒng)的用于AMOLED的2T1C像素驅(qū)動電路，包括一第一薄膜晶體管T10、一第二薄膜晶體管T20、及一電容C10，所述第一薄膜晶體管TlO為開關(guān)薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管T20為驅(qū)動薄膜晶體管，所述電容ClO為存儲電容。具體地，所述第一薄膜晶體管TlO的柵極電性連接掃描信號Scan，源極電性連接數(shù)據(jù)信號Data，漏極與第二薄膜晶體管T20的柵極、及電容ClO的一端電性連接；所述第二薄膜晶體管T20的漏極電性連接電源正電壓VDD，源極電性連接有機發(fā)光二級管D的陽極；有機發(fā)光二級管D的陰極電性連接于電源負(fù)電壓VSS ；電容ClO的一端電性連接第一薄膜晶體管TlO的漏極及第二薄膜晶體管T20的柵極，另一端電性連接第二薄膜晶體管T20的漏極及電源正電壓VDD。AMOLED顯示時，掃描信號Scan控制第一薄膜晶體管TlO打開，數(shù)據(jù)信號Data經(jīng)過第一薄膜晶體管TlO進入到第二薄膜晶體管T20的柵極及電容C10，然后第一薄膜晶體管TlO閉合，由于電容ClO的存儲作用，第二薄膜晶體管T20的柵極電壓仍可繼續(xù)保持?jǐn)?shù)據(jù)信號電壓，使得第二薄膜晶體管T20處于導(dǎo)通狀態(tài)，驅(qū)動電流通過第二薄膜晶體管T20進入有機發(fā)光二級管D，驅(qū)動有機發(fā)光二級管D發(fā)光。
[0006]上述傳統(tǒng)用于AMOLED的2T1C像素驅(qū)動電路對薄膜晶體管的閾值電壓和溝道迀移率、有機發(fā)光二極管的啟動電壓和量子效率以及供電電源的瞬變過程都很敏感。第二薄膜晶體管T20，即驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓會隨著工作時間而漂移，從而導(dǎo)致有機發(fā)光二極管D的發(fā)光不穩(wěn)定；進一步地，各個像素的像素驅(qū)動電路的第二薄膜晶體管T20，即驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓的漂移不同，漂移量或增大或減小，導(dǎo)致各個像素間的發(fā)光不均勻、亮度不一。使用這種傳統(tǒng)的不帶補償?shù)?T1C像素驅(qū)動電路造成的AMOLED顯示亮度的不均勻性約為50%甚至更高。
[0007]解決AMOLED顯示亮度不均勻的一個方法是對每一個像素加補償電路，補償意味著必須對每一個像素中的驅(qū)動薄膜晶體管的參數(shù)，例如閾值電壓和迀移率，進行補償，使流經(jīng)有機發(fā)光二極管的電流變得與這些參數(shù)無關(guān)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種AMOLED像素驅(qū)動電路，能夠有效補償驅(qū)動薄膜晶體管及有機發(fā)光二級管的閾值電壓變化，使AMOLED的顯示亮度較均勻，提升顯示品質(zhì)。
[0009]本發(fā)明的目的還在于提供一種AMOLED像素驅(qū)動方法，能夠?qū)︱?qū)動薄膜晶體管及有機發(fā)光二級管的閾值電壓變化進行有效補償，使AMOLED的顯示亮度較均勻，提升顯示品質(zhì)。
[0010]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種AMOLED像素驅(qū)動電路，包括:第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、電容、及有機發(fā)光二極管；
[0011]所述第一薄膜晶體管的柵極電性連接于第一節(jié)點，漏極電性連接于第二節(jié)點，源極電性連接于有機發(fā)光二極管的陽極；
[0012]所述第二薄膜晶體管的柵極電性連接于第二全局信號，源極電性連接于電源正電壓，漏極電性連接于第二節(jié)點；
[0013]所述第三薄膜晶體管的柵極電性連接于第一全局信號，源極電性連接于第二節(jié)點，漏極電性連接于第一節(jié)點；
[0014]所述第四薄膜晶體管的柵極電性連接于掃描信號，源極電性連接于數(shù)據(jù)信號，漏極電性連接于第三節(jié)點；
[0015]所述第五薄膜晶體管的柵極電性連接于第二全局信號，源極電性連接于第三節(jié)點，漏極電性連接于參考電壓；
[0016]所述電容的一端電性連接于第三節(jié)點，另一端電性連接于第一節(jié)點；
[0017]所述有機發(fā)光二極管的陽極電性連接于第一薄膜晶體管的源極，陰極電性連接于電源負(fù)電壓；
[0018]所述第一薄膜晶體管為驅(qū)動薄膜晶體管，通過將驅(qū)動薄膜晶體管短路為二極管的方式進行閾值電壓的補償。
[0019]所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、及第五薄膜晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。
[0020]所述第一全局信號、及第二全局信號均通過外部時序控制器產(chǎn)生。
[0021]所述第一全局信號、第二全局信號、及掃描信號相組合先后對應(yīng)于初始化階段，數(shù)據(jù)信號寫入階段和閾值電壓補償階段、及驅(qū)動發(fā)光階段；所述數(shù)據(jù)信號寫入階段和閾值電壓補償階段同時進行，同時完成數(shù)據(jù)信號的寫入和閾值電壓的補償；
[0022]在所述初始化階段，所述第一全局信號為高電位、第二全局信號為高電位；
[0023]在所述數(shù)據(jù)信號寫入階段和閾值電壓補償階段，所述第一全局信號為高電位，第二全局信號為低電位，所述掃描信號逐行提供脈沖信號；
[0024]在所述驅(qū)動發(fā)光階段，所述第一全局信號為低電位、第二全局信號為高電位。
[0025]多個所述AMOLED像素驅(qū)動電路陣列排布于顯示面板中，同一行的每一 AMOLED像素驅(qū)動電路均通過同一掃描信號線和同一參考電壓線分別電性連接于用于提供掃描信號的掃描信號輸入電路和用于提供參考電壓的參考電壓輸入電路；同一列的每一 AMOLED像素驅(qū)動電路均通過同一數(shù)據(jù)信號線電性連接于用于提供數(shù)據(jù)信號的圖像數(shù)據(jù)輸入電路；每一 AMOLED像素驅(qū)動電路均電性連接于用于提供第一全局信號的第一全局信號控制電路、及用于提供第二全局信號的第二全局信號控制電路。
[0026]所述參考電壓為一恒定電壓。
[0027]本發(fā)明還提供一種AMOLED像素驅(qū)動方法，包括如下步驟:
[0028]步驟1、提供一 AMOLED像素驅(qū)動電路；
[0029]所述AMOLED像素驅(qū)動電路包括:第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、電容、及有機發(fā)光二極管；
[0030]所述第一薄膜晶體管的柵極電性連接于第一節(jié)點，漏極電性連接于第二節(jié)點，源極電性連接于有機發(fā)光二極管的陽極；
[0031]所述第二薄膜晶體管的柵極電性連接于第二全局信號，源極電性連接于電源正電壓，漏極電性連接于第二節(jié)點；
[0032]所述第三薄膜晶體管的柵極電性連接于第一全局信號，源極電性連接于第二節(jié)點，漏極電性連接于第一節(jié)點；
[0033]所述第四薄膜晶體管的柵極電性連接于掃描信號，源極電性連接于數(shù)據(jù)信號，漏極電性連接于第三節(jié)點；
[0034]所述第五薄膜晶體管的柵極電性連接于第二全局信號，源極電