專利名稱：核徑跡微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)的制造方法及其制品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于防偽技術(shù)領(lǐng)域，涉及核微孔徑跡綜合防偽標(biāo)識(shí)的制造方法及其制品，特別是以核微孔防偽技術(shù)為主、以激光彩虹全息圖象防信技術(shù)和核微孔真空蒸鍍防偽技術(shù)為輔的綜合手段制造防偽標(biāo)識(shí)的方法。
綜合防偽是防偽技術(shù)發(fā)展的一個(gè)方向。我國(guó)從80年代引進(jìn)激光全息圖象生產(chǎn)線以來，所生產(chǎn)的激光防偽標(biāo)識(shí)在防偽打假斗爭(zhēng)中曾一度發(fā)揮重要作用。以后由于各地蜂擁而起，目前能生產(chǎn)此類單一防偽標(biāo)識(shí)的廠家多達(dá)數(shù)百個(gè)，而技術(shù)上和管理上也存在諸多問題，使得有些真的標(biāo)識(shí)不易識(shí)別，一些仿真標(biāo)識(shí)又能以假亂真，極大地降低了激光全息防偽標(biāo)識(shí)在人們心目中的地位。
高分子聚合物在膜上的核微孔是經(jīng)過重離子輻照和化學(xué)蝕刻步驟產(chǎn)生的。核微孔具有高度均一的孔徑。肉眼看不見的核微孔，作為核密碼信息的載體，在防偽中可以發(fā)揮兩方面的重要作用。一方面，用于設(shè)置和貯存重離子輻射誘發(fā)產(chǎn)生的、無法仿制的微觀參數(shù)和統(tǒng)計(jì)參數(shù)，給仿造者造成根本不能逾越的障礙；另一方面，核微孔膜具有光學(xué)透明性和液體滲透性，使由百萬量級(jí)核微孔群體組成的防偽標(biāo)識(shí)顯示出肉眼可見的防偽圖文影像，經(jīng)過彩筆透印后，就可在底膜上獲得防偽圖文，供大眾鑒別真?zhèn)?，讓消費(fèi)者自己參與識(shí)別防偽技術(shù)。更為重要的是，核微孔防偽標(biāo)識(shí)制造過程中的重離子輻照步驟，必須依靠重離子加速器或核反應(yīng)堆。加速器和反應(yīng)堆都是高科技、高投入的國(guó)家?？氐臄?shù)量很少的大型核設(shè)施，具有高度的壟斷性和唯一性，從而加強(qiáng)了防偽控制的力度，縮小了打假追查的范圍。因此，核微孔防偽標(biāo)識(shí)具有獨(dú)特的防偽功能，必將在防偽領(lǐng)域獨(dú)樹一幟。但核微孔防偽標(biāo)識(shí)的美觀性卻不如激光全息防偽標(biāo)識(shí)，因而也使其應(yīng)用范圍受到影響。
本發(fā)明的目的是為克服已有技術(shù)的不足之處，研究和開發(fā)一種核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)，將激光全息防偽標(biāo)識(shí)的美觀性和真空蒸度核微孔膜的光學(xué)特性，巧妙地同核微孔防偽技術(shù)相結(jié)合，創(chuàng)造出一種全新的、一體化的綜合防偽標(biāo)識(shí)，集多重防偽性、美觀性、實(shí)用性于一體，以滿足商品市場(chǎng)對(duì)防偽技術(shù)越來越高的要求。
本發(fā)明的核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)制造方法，包括以下步驟1)、用具有一定能量和質(zhì)量的重離子對(duì)透明的高分子聚合物薄膜進(jìn)行輻照；2)、在所說的輻照過的透明高分子聚合物薄膜上，制作激光彩虹模壓全息圖像；3)、在照射過的透明高分子聚合物薄膜上，印刷核微孔防偽標(biāo)識(shí)圖案和文字；4)、在所說的激光彩虹全息圖像的上面復(fù)合或涂布一層耐堿或酸保護(hù)層；
5)、用化學(xué)蝕刻劑對(duì)經(jīng)過上述步驟處理過的透明高分子聚合物薄膜進(jìn)行成孔蝕刻，化學(xué)蝕刻后對(duì)薄膜進(jìn)行清洗和干燥處理，得到二元一體綜合核微孔防偽標(biāo)識(shí)。
在上述步驟的基礎(chǔ)上，還包括用真空蒸鍍法在核微孔膜表面和微孔內(nèi)壁上鍍一層光亮的鋁膜，得到三元一體綜合核微孔防偽標(biāo)識(shí)。
以上步驟，1、2可任意先后進(jìn)行，3、4也可任意先后進(jìn)行。
經(jīng)過上述步驟制造的防偽標(biāo)識(shí)，就是核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)，它以核微孔防偽技術(shù)為主，集激光彩虹全息防偽與核微孔真空蒸鍍技術(shù)于一體，不但具有核微孔標(biāo)識(shí)的防偽特性，而且具備激光全息防偽標(biāo)識(shí)的美觀性。
在本發(fā)明的制造綜合防偽標(biāo)識(shí)的方法中，所用的重離子是具有一定能量和質(zhì)量的重離子束，能量范圍在50Mev以上。
在本發(fā)明制造綜合防偽標(biāo)識(shí)的方法中，所用的透明高分子聚合物薄膜的厚度范圍，在5μm和40μm之間，最好為10～30μm之間，與重離子的能量相匹配。
在本發(fā)明的制造綜合防偽標(biāo)識(shí)的方法中，所要求的核微孔密度在104～108/cm2之間，所用的輻照時(shí)間要依據(jù)密度大小與薄膜的傳動(dòng)速度相匹配。
在本發(fā)明的制造綜合防偽標(biāo)識(shí)的方法中，所用的激光全息標(biāo)識(shí)采用多重圖像激光模壓和隱形全息模壓防偽標(biāo)識(shí)。
在本發(fā)明的制造綜合防偽標(biāo)識(shí)的方法中，所用的保護(hù)層是耐堿或酸的熱熔膠層或預(yù)涂膜。
在本發(fā)明的制造綜合防偽標(biāo)識(shí)的方法中，化學(xué)蝕刻工藝所用的蝕刻劑是堿性或酸性的，共主要成分是NaOH、KOH或H2SO4，蝕刻液的濃度在4M和8M之間，化學(xué)蝕刻的工作溫度在50℃和100℃之間。
在本發(fā)明的制造綜合防偽標(biāo)識(shí)的方法中，真空蒸鍍所用的金屬是工業(yè)純鋁絲，其熔化溫度在660℃。薄膜真空蒸鍍過程中要進(jìn)行水冷處理。
應(yīng)用本發(fā)明制造的綜合防偽標(biāo)識(shí)，不僅保留了核微孔防偽標(biāo)識(shí)和激光全息防偽標(biāo)識(shí)造價(jià)低、生產(chǎn)率高、便于自動(dòng)化的優(yōu)點(diǎn)，還具有一種用其他方法不能得到的獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，這個(gè)獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)就是在一片塑料薄膜標(biāo)識(shí)上有機(jī)地綜合了三種防偽要素，各自具有獨(dú)立的科研生產(chǎn)步驟，從而便于制約和管理，使得本發(fā)明所制造的產(chǎn)品不能利用單一的方法來偽冒，能更好地表明被保護(hù)物品的真實(shí)性，更好地維護(hù)名優(yōu)產(chǎn)品及其企業(yè)的聲譽(yù)。
附圖簡(jiǎn)要說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一的制品結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本發(fā)明實(shí)施例二的制品結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為本發(fā)明實(shí)施例三的制品結(jié)構(gòu)示意圖。
下面介紹本發(fā)明的實(shí)施例。
實(shí)施例1三元一體型核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)的制造方法本料施例的制造三元一體型核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)的方法，基本上可以分為五個(gè)相對(duì)獨(dú)立的步驟1、重離子輻照 利用總能量為120Mev、由重離子加速器產(chǎn)生的S-32重離子，在輻照真空腔內(nèi)照射28μm厚透明的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜。重離子束流強(qiáng)度100nA，電磁掃描寬度40cm，薄膜運(yùn)行速度25m/min。重離子輻照過程是一種無序的隨機(jī)過程，因而在受照PET薄膜內(nèi)形成服從統(tǒng)計(jì)規(guī)律分布的核潛跡。
2、激光彩虹模壓全息圖像制作 本步驟與上述步驟1完全獨(dú)立，便與制約和管理。應(yīng)用激光彩虹全息圖制版技術(shù)和模壓復(fù)制技術(shù)，在受照過的透明PET薄膜上制作一種可視的或不可視的圖象，并按激光全息防偽技術(shù)加密。
3、印刷防偽標(biāo)識(shí) 將通過電腦設(shè)計(jì)繪制的標(biāo)識(shí)圖案，制成印刷母版。在印刷機(jī)上均勻而清晰地把標(biāo)識(shí)圖案印刷到受照近過的PET薄膜。有時(shí)可根據(jù)要求以隨機(jī)方式排布標(biāo)識(shí)圖案。
4、核微孔的化學(xué)蝕刻 在化學(xué)蝕刻之前，先在復(fù)膜機(jī)上將熱熔膠預(yù)涂膜與具有激光彩虹膜壓全息圖像的PET薄膜表面平整地復(fù)合。復(fù)膜時(shí)的工作溫度為85℃。然后，將復(fù)合膜在核孔膜蝕刻機(jī)內(nèi)進(jìn)行化學(xué)蝕刻。蝕刻條件為6N NaOH，85℃。核微孔的大小依賴于蝕刻時(shí)間的長(zhǎng)短，核微孔的直徑通常選為0.5～16μm。
5、核微孔真空蒸鍍 本步驟與上述4個(gè)步驟相對(duì)獨(dú)立。具有核微孔圖文和激光彩虹模壓全息圖像的PET薄膜，在真空鍍膜機(jī)內(nèi)通過蒸發(fā)鍍上一層鋁膜，核微孔的內(nèi)壁同時(shí)也鍍上一層鋁膜。鍍鋁層的厚度在熔化鋁量一定的前提下由PET薄膜的傳動(dòng)速度調(diào)制，以保證核微孔的透印特性和鍍鋁層的高反射率。
本實(shí)施例方法制成的三元一體型核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)結(jié)構(gòu)如圖1所示，圖中，自上而下各層結(jié)構(gòu)為帶有激光全息圖象的核徑跡微孔防偽標(biāo)識(shí)11，鍍鋁層12，不干膠層13，硅油紙14。
真空蒸鍍后的綜合防偽標(biāo)識(shí)具有很強(qiáng)的外觀藝術(shù)視覺效果，不僅如此，由于標(biāo)識(shí)上核微孔是無規(guī)則分布、按同一方式取向的大量相同的微孔，因而發(fā)生傅南和費(fèi)衍射效應(yīng)，在光學(xué)顯微鏡下觀察時(shí)，在鍍鋁層造成的暗視場(chǎng)中，一個(gè)一個(gè)光亮的核微孔，宛如夜空中的繁星，也比較容易觀測(cè)和設(shè)置密碼。這是核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)區(qū)別于普通核微孔標(biāo)識(shí)的一大特點(diǎn)。
三元一體型核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)集核微孔防偽標(biāo)識(shí)、激光彩虹模壓全息防偽標(biāo)識(shí)和真空蒸鍍核微孔的特點(diǎn)于一身，是任何單一的方法不能仿造的。
實(shí)施例二二元一體型核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)的制造方法二元一體型核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)是由三元一體型派生出的、技術(shù)性能相同但又互不相同的防偽產(chǎn)品。本發(fā)明的制造二元一體型核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)的方法，基本上可以分為5個(gè)相對(duì)獨(dú)立的步驟
1、重離子輻照；本步驟與實(shí)施例1的步驟1相同2、激光彩虹模壓全息圖像制作；本步驟與實(shí)施例1的步驟2相同。
3、印刷防偽標(biāo)識(shí)；本步驟與實(shí)施例1的步驟3基本相同。所不同的是，核微孔圖案和文字是按一定序列分布的，以保證每一個(gè)激光全息防偽標(biāo)識(shí)上都至少有一個(gè)完整的核微孔防偽圖案。
4、核微孔的化學(xué)蝕刻；本步驟與實(shí)施例1的步驟4相同。
5、復(fù)膜 本步驟與上述四個(gè)步驟完全獨(dú)立?；瘜W(xué)蝕刻后，將具有核微孔圖文和激光彩虹全息圖像和綜合防偽標(biāo)識(shí)膜在復(fù)膜機(jī)上與塑料鍍鋁膜復(fù)后，以增加反射率。最后按激光圖象裁切成標(biāo)識(shí)產(chǎn)品。
本實(shí)施例方法制成的二元一體型核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)結(jié)構(gòu)如圖2所示，圖中，自上而下各層結(jié)構(gòu)為帶有激光全息圖象的核徑跡微孔防偽標(biāo)識(shí)21，熱融膠層22，普通鍍鋁膜23，不干膠層24，硅油紙25。
實(shí)施例三 復(fù)合型核微孔防偽標(biāo)識(shí)的制造方法復(fù)合型核微孔防偽標(biāo)識(shí)是由二元一體型核微孔防偽標(biāo)識(shí)派生出的、技術(shù)性能相同但又不相同的防偽產(chǎn)品?；旧峡梢苑譃?個(gè)相對(duì)獨(dú)立的步驟1、重離子輻照 本步驟與實(shí)施例的步驟1相同。
2、凹片印刷核微孔防偽標(biāo)識(shí) 本步驟與實(shí)施例2的步驟3相同。
3、核微孔的化學(xué)蝕刻 本步驟與實(shí)施例1的步驟4相同。
4、激光彩虹膜壓全息防偽標(biāo)識(shí)制作 應(yīng)用激光彩虹全息圖制版技術(shù)和模壓復(fù)制技術(shù)，在普通PET鍍鋁薄膜上制作激光彩虹模壓全息圖象防偽標(biāo)識(shí)。
5、復(fù)合 在復(fù)膜機(jī)上將核微孔防偽標(biāo)識(shí)與激光全息防偽標(biāo)識(shí)復(fù)合在一起。最后按激光彩虹模壓在全息防偽標(biāo)識(shí)的尺寸切割成復(fù)合型核微孔防偽標(biāo)識(shí)。
本實(shí)施例方法制成的復(fù)合型核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)結(jié)構(gòu)如圖3所示，圖中，自上而下各層結(jié)構(gòu)為核徑跡微孔防偽標(biāo)識(shí)31，熱融膠層32，激光全息防偽標(biāo)識(shí)膜33，不干膠層34，硅油紙35。
利用本發(fā)明制造的三元一體和二元一體的兩種類型核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)以及復(fù)合型核微孔防偽標(biāo)識(shí)，集多重防偽性、美觀性和實(shí)用性于一體，具有很強(qiáng)的防偽功能和藝術(shù)視覺效果，不僅防信性能可靠，而且容易實(shí)現(xiàn)大眾識(shí)別，使用配套的顯微鏡還可以準(zhǔn)確無誤地進(jìn)行真?zhèn)舞b別。
權(quán)利要求
1.一種核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)制造方法，其特征在于，包括以下步驟1)、用具有一定能量和質(zhì)量的重離子對(duì)透明的高分子聚合物薄膜進(jìn)行輻照；2)、在所說的輻照過的透明高分子聚合物薄膜上，制作激光彩虹模壓全息圖像；3)、在照射過的透明高分子聚合物薄膜上，印刷核微孔防偽標(biāo)識(shí)圖案和文字；4)、在所說的激光彩虹全息圖像的上面復(fù)合或涂布一層耐堿或酸保護(hù)層；5)、用化學(xué)蝕刻劑對(duì)經(jīng)過上述步驟處理過的透明高分子聚合物薄膜進(jìn)行成孔蝕刻，化學(xué)蝕刻后對(duì)薄膜進(jìn)行清洗和干燥處理，得到二元一體綜合核微孔防偽標(biāo)識(shí)。
2.如權(quán)利要求1所述的核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)制造方法，其特征在于，還包括用真空蒸鍍法在核微孔膜表面和微孔內(nèi)壁上鍍一層光亮的鋁膜，得到三元一體綜合核微孔防偽標(biāo)識(shí)。
3.如權(quán)利要求1所述的核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)制造方法，其特征在于，所說的重離子是具有一定能量和質(zhì)量的重離子束，能量范圍在50Mev以上。
4.如權(quán)利要求1所述的核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)制造方法，其特征在于，所說的透明高分子聚合物薄膜的厚度范圍，在5μm和40μm之間，最好為10～30μm之間，與重離子的能量相匹配。
5.如權(quán)利要求1所述的核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)制造方法，其特征在于，所說的核微孔密度在104～108/cm2之間，所用的輻照時(shí)間要依據(jù)密度大小與薄膜的運(yùn)動(dòng)速度相匹配。
6.如權(quán)利要求1所述的核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)制造方法，其特征在于，所說的激光全息標(biāo)識(shí)采用多重圖像激光模壓和隱形全息模壓防偽標(biāo)識(shí)。
7.如權(quán)利要求1所述的核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)制造方法，其特征在于，所說的保護(hù)層是耐堿或酸的熱熔膠層或預(yù)涂膜。
8.如權(quán)利要求1所述的核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)制造方法，其特征在于，所說的化學(xué)蝕刻工藝所用的蝕刻劑是堿性或酸性的，其主要成分是NaOH、KOH或H2SO4，蝕刻液的濃度在4M和8M之間，化學(xué)蝕刻的工作溫度在50℃和100℃之間。
9.如權(quán)利要求1所述的核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)制造方法，其特征在于，所說的真空蒸鍍所用的金屬是工業(yè)純鋁絲，其熔化溫度在660℃左右，薄膜真空蒸鍍過程中要進(jìn)行水冷處理。
10.如權(quán)利要求7所述的核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)制造方法，其特征在于，所說的耐堿保護(hù)層是聚丙烯、聚酯或聚碳酸酯高分子聚合物預(yù)涂膜。
11.如權(quán)利要求1所述的核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)制造方法，其特征在于，所說的重離子輻照是加速器掃描式的垂直輻照或反應(yīng)堆的裂變碎片的輻照。
12.一種核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)制品，其特征在于，由帶有激光全息圖象的核徑跡微孔防偽標(biāo)識(shí)，鍍鋁層，不干膠層及硅油紙結(jié)合而成。
13.一種核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)制品，其特征在于，由帶有激光全息圖象的核徑跡微孔防偽標(biāo)識(shí)，熱融膠層，普通鍍鋁膜，不干膠層及硅油紙結(jié)合而成。
14.一種核微孔綜合防偽標(biāo)識(shí)制品，其特征在于，由核徑跡微孔防偽標(biāo)識(shí)，熱融膠層，激光全息防偽標(biāo)識(shí)膜，不干膠層及硅油紙結(jié)合而成。
全文摘要
本發(fā)明屬于防偽技術(shù)領(lǐng)域制造方法,包括以下步驟:用具有一定能量和質(zhì)量的重離子對(duì)透明的高分子聚合物薄膜進(jìn)行輻照;在輻照過的薄膜上,制作激光彩虹模壓全息圖像;在照射過的薄膜上,印刷核微孔防偽標(biāo)識(shí)圖案和文字;在激光彩虹全息圖像的上面復(fù)合或涂布一層保護(hù)層;用化學(xué)蝕刻劑對(duì)經(jīng)過上述薄膜進(jìn)行成孔蝕刻,清洗和干燥處理。本發(fā)明集多重防偽性、美觀性、實(shí)用性于一體,以滿足商品市場(chǎng)對(duì)防偽技術(shù)越來越高的要求。
文檔編號(hào)G09F3/02GK1243300SQ9911955
公開日2000年2月2日 申請(qǐng)日期1999年9月3日 優(yōu)先權(quán)日1999年9月3日
發(fā)明者陳大年, 朱天成, 劉宣瑋, 胡兵 申請(qǐng)人:北京試金石防偽技術(shù)有限公司