本發(fā)明是有關于一種主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器的像素陣列及其驅動方法。

背景技術：

主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器具有不存在彩色濾光片、自體發(fā)光以及低功耗等優(yōu)點，因此，被視為能夠取代液晶顯示器的最佳候選，并且作為下一代顯示器的主流技術。

在傳統(tǒng)的主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器中，一個像素陣列具有多個像素。各像素包括一個藍色子像素、一個綠色子像素以及一個紅色子像素。在制造主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器的有機發(fā)光顯示器的階段時，主要是通過蒸鍍沉積制程來制造像素陣列。傳統(tǒng)的主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器是運用具有直立式條狀開口的精細金屬罩幕并通過有機發(fā)光材料的蒸鍍所制造而成。所述的藍色、綠色以及紅色子像素是依序通過罩幕并利用蒸鍍而形成于基板上。運用此類型的罩幕可用以形成于水平方向相鄰設置的藍色子像素、綠色子像素以及紅色子像素所構成的像素。傳統(tǒng)罩幕的蒸鍍制程需要相當高的精確度，并且可用以達到稱為條狀式(stripe type)的像素排列。

此外，在傳統(tǒng)的像素陣列中，在罩幕的各條狀開口之間需維持特定的距離以使罩幕保有足夠的結構強度，并且，避免因制造過程中的工藝變化以及低對準精度所造成像素陣列的良率損失。然而，為了因應像素陣列的高解析度的需求，條狀開口之間的距離需被縮小。換言之，精細金屬罩幕(fine metal mask，簡稱FMM)的條狀開口的大小會有一定的物理限制。據(jù)此，精細金屬罩幕的復雜制程以及有機發(fā)光材料的穩(wěn)定性惡化等問題可能會變的相對嚴重。另外，傳統(tǒng)精細金屬罩幕的開口限制亦會限制主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器的顯示品質(zhì)。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種有機發(fā)光二極管顯示器的像素陣列及其驅動方法，包括多個像素。所述多個像素排列成一陣列。各像素電性連接至掃描線、第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線、介于第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線之間的第三數(shù)據(jù)線以及電源。掃描線交錯于第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線以及第三數(shù)據(jù)線。各像素包括第一子像素、第二子像素以及一對第三子像素。第一子像素的第一有機發(fā)光二極管通過第一子像素的第一驅動線路電性連接至掃描線、第一數(shù)據(jù)線以及電源。第二子像素的第二有機發(fā)光二極管通過第二子像素的第二驅動線路電性連接至掃描線、第二數(shù)據(jù)線以及電源。各第三子像素的第三有機發(fā)光二極管通過對應的第三子像素的第三驅動線路電性連接至掃描線、第三數(shù)據(jù)線以及電源。在各像素中，第一子像素、第二子像素以及一對第三子像素排列成一個二乘二陣列。所述一對第三子像素彼此對角設置，且第一子像素以及第二子像素彼此對角設置。各像素的第一子像素與三個相鄰像素的第一子像素排列成一個二乘二陣列。各像素的第二子像素與三個相鄰像素的第二子像素排列成一個二乘二陣列。各像素的其中一個第三子像素與三個相鄰像素的其中一個第三子像素排列成一個二乘二陣列。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一有機發(fā)光二極管發(fā)出綠光。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二有機發(fā)光二極管發(fā)出紅光。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的第三有機發(fā)光二極管發(fā)出藍光。

在本發(fā)明的一實施例中，各第一驅動線路、各第二驅動線路以及各第三驅動線路包括開關單元、驅動單元以及至少一電性連接于開關單元與驅動單元之間的電容。

在本發(fā)明的一實施例中，一種驅動像素陣列中各像素的方法包括在一致能信號提供至掃描線時，分別將數(shù)據(jù)通過第一數(shù)據(jù)線寫入第一子像素、通過第二數(shù)據(jù)線寫入第二子像素以及通過第三數(shù)據(jù)線寫入第三子像素。

本發(fā)明另提供一種主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器的像素陣列包括多個像素。所述多個像素排列成一陣列。各像素電性連接至掃描線、第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線、介于第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線之間的第三數(shù)據(jù)線以及二條電源線。掃描線交錯于第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線以及第三數(shù)據(jù)線，其中各電源線、第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線以及第三數(shù)據(jù)線彼此平行且交替排列。各像 素包括第一子像素、第二子像素以及一對第三子像素。掃描線與各子像素的開關單元連接，第一子像素的開關單元與第一數(shù)據(jù)線連接，第二子像素的開關單元與第二數(shù)據(jù)線連接，且所述一對第三子像素的各開關單元與第三數(shù)據(jù)線連接。各電源線連接于各像素同一列的兩個子像素各自的一個驅動單元，且各子像素的有機發(fā)光二極管電性連接于各子像素的驅動單元。在各像素中，第一子像素、第二子像素以及一對第三子像素排列成一個二乘二陣列，所述一對第三子像素彼此對角設置，且第一子像素以及第二子像素彼此對角設置。各像素的第一子像素與三個相鄰像素的第一子像素排列成一個二乘二陣列，各像素的第二子像素與三個相鄰像素的第二子像素排列成一個二乘二陣列，且各像素的其中一個第三子像素與三個相鄰像素的其中一個第三子像素排列成一個二乘二陣列。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一有機發(fā)光二極管發(fā)出綠光。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二有機發(fā)光二極管發(fā)出紅光。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的第三有機發(fā)光二極管發(fā)出藍光。

在本發(fā)明的一實施例中，各像素還包括一電性連接于開關單元與驅動單元之間的電容。

在本發(fā)明的一實施例中，一種驅動像素陣列中各像素的方法，包括在一致能信號提供至掃描線時，分別將數(shù)據(jù)通過第一數(shù)據(jù)線寫入第一子像素、通過第二數(shù)據(jù)線寫入第二子像素以及通過第三數(shù)據(jù)線寫入各第三子像素。

本發(fā)明另提供一種驅動主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器的雙像素的方法。所述雙像素包括第一子像素、第二子像素以及一對第三子像素所排列成的一個二乘二陣列。所述雙像素電性連接至第一掃描線、第二掃描線、第一數(shù)據(jù)線以及第二數(shù)據(jù)線。所述雙像素作為兩個像素，且各像素包括第一子像素、第二子像素以及其中一個第三子像素，且所述兩個像素共用第一子像素以及第二子像素。在一致能信號提供至第一掃描線時，分別將數(shù)據(jù)通過第一數(shù)據(jù)線寫入雙像素的第一列中的第一子像素，以及通過第二數(shù)據(jù)線寫入第三子像素的其中一者。在一致能信號提供至第二掃描線時，分別將數(shù)據(jù)通過第一數(shù)據(jù)線寫入雙像素的第三子像素的其中另一者，且另一第三子像素位于該第二列中，以及通過第二數(shù)據(jù)線寫入第二列中的第二子像素。在數(shù)據(jù)寫入第一子像素以及第二子像素時，第一子像素以及第二子像素表現(xiàn)如兩個獨立像 素的子像素。

基于上述，所述像素通過第一子像素、第二子像素以及一對第三子像素形成一個二乘二陣列。所述像素陣列是通過相同子像素排列的二乘二陣列所形成的。換言之，用于制造像素陣列的罩幕可具有較大的開口。因此，罩幕的制造良率以及穩(wěn)定性可以提高，且所形成的主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器的解析度可以提高。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1是依照本發(fā)明一實施例的主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器的像素陣列的示意圖；

圖2至圖4是用于制造圖1像素陣列的罩幕的示意圖；

圖5是圖1像素陣列的其中一個像素的示意圖；

圖6是依照本發(fā)明另一實施例的主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器的像素陣列的示意圖；

圖7是圖6像素陣列的雙像素的示意圖。

附圖標記說明：

100、200：像素陣列；

110、210：像素；

110G、210G：第一子像素；

110R、210R：第二子像素；

110B、210B：第三子像素；

112：第一罩幕；

112G：第一開口；

114：第二罩幕；

114R：第二開口；

116：第三罩幕；

116B：第三開口；

120：掃描線；

132、232：第一數(shù)據(jù)線；

134：第三數(shù)據(jù)線；

136、234：第二數(shù)據(jù)線；

142、242：第一電源線；

144、244：第二電源線；

152、252：第一驅動線路；

162、262：第二驅動線路；

172、272：第三驅動線路；

180、280：第一有機發(fā)光二極管；

182、282：第二有機發(fā)光二極管；

184、284：第三有機發(fā)光二極管；

150、250：開關單元；

160、260：驅動單元；

210：雙像素；

220：第一掃描線；

222：第二掃描線；

C1、C2：電容。

具體實施方式

在以下描述中，將參考形成本發(fā)明的一部分的附圖進行說明。在圖式中，類似符號通常識別類似組件，除非上下文另有指示。

圖1是依照本發(fā)明一實施例的主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器的像素陣列的示意圖。圖2至圖4是用于制造圖1像素陣列的罩幕的示意圖。參考圖1，像素陣列100包括多個像素110所排成的陣列。各像素110包括第一子像素110G、第二子像素110R以及一對第三子像素110B。

在各像素110中，第一子像素110G、第二子像素110R以及一對第三子像素110B排列成一個二乘二陣列。所述一對第三子像素110B彼此對角設置，且第一子像素110G以及第二子像素110R彼此對角設置。各像素110的第一子像素110G與三個相鄰像素110的第一子像素110G相鄰設置。各像素110的第二子像素110R與三個相鄰像素110的第二子像素110R相鄰設置，且各 像素110的其中一個第三子像素110B與三個相鄰像素110的其中一個第三子像素110B相鄰設置。

各像素110的第一子像素110G與三個相鄰像素110的第一子像素110G排列成一個二乘二陣列。各像素110的第二子像素110R與三個相鄰像素110的第二子畫110R素排列成一個二乘二陣列。各像素110的其中一個第三子像素110B與三個相鄰像素110的其中一個第三子畫110B素排列成一個二乘二陣列。

圖2至圖4是用于制造圖1像素陣列的罩幕的示意圖。主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器的像素陣列100是運用蒸鍍沉積制程并通過具有不同開口圖案的罩幕來分別制造第一子像素110G、第二子像素110R以及第三子像素110B。圖2繪示出了具有多個第一開口112G對應于圖1的像素陣列100的第一子像素110G的第一罩幕112。圖3繪示出了具有多個第二開口114R對應于圖1的像素陣列100的第二子像素110R的第二罩幕114。圖4繪示出了具有多個第三開口116B對應于圖1的像素陣列100的第三子像素110B的第三罩幕116。

第一罩幕112、第二罩幕114以及第三罩幕116中的開口排列類似，區(qū)別在于，各罩幕的開口排列相對于其它罩幕的開口排列彼此偏移。另外，可依據(jù)需求改變及調(diào)整所述開口的尺寸。圖1所示的像素陣列可在蒸鍍沉積制程中，依序通過使用第一罩幕112、第二罩幕114以及第三罩幕116來形成。各罩幕的各個開口是運用蒸鍍沉積制程來形成四個相同的子像素。換句話說，各第一開口112G會形成四個第一子像素110G，各第二開口114R會形成四個第二子像素110R，且各第三開口116B會形成四個第三子像素110B。

基于上述，所述罩幕可具有較大的開口。因此，在制造過程中所需要的精確度要求沒有以往來的高。也就是說，即使在制造過程中的精確度較低，所制造的主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器依然可維持較高的解析度。據(jù)此，罩幕的制造良率以及穩(wěn)定性可以提高。

圖5是圖1像素陣列的其中一個像素的示意圖。參考圖5，在像素110中，各子像素110G、110R、110B包括驅動線路(第一驅動線路152、第二驅動線路162、第三驅動線路172)以及有機發(fā)光二極管(第一有機發(fā)光二極管180、第二有機發(fā)光二極管182、第三有機發(fā)光二極管184)。第一子像素110G 的第一有機發(fā)光二極管180發(fā)出綠光。換言之，第一子像素110G為綠色子像素。第二子像素110R的第二有機發(fā)光二極管182發(fā)出紅光。換言之，第二子像素110R為紅色子像素。各第三子像素110B的第三有機發(fā)光二極管184發(fā)出藍光。換言之，各第三子像素110B為藍色子像素。各驅動線路152、162、172包括至少兩個晶體管。在本實施例中，各驅動線路152、162、172包括開關單元150以及驅動單元160。

各像素110電性連接至掃描線120、第一數(shù)據(jù)線132、第二數(shù)據(jù)線136、介于第一數(shù)據(jù)線132與第二數(shù)據(jù)線136之間的第三數(shù)據(jù)線134、第一電源線142以及第二電源線144。像素陣列100的電源線(第一電源線142、第二電源線144)可以與電源連接，并同時作為電源。在各像素110中，掃描線120交錯于第一數(shù)據(jù)線132、第二數(shù)據(jù)線136以及第三數(shù)據(jù)線134以形成一個二乘二陣列。

詳細來說，在像素110中，掃描線120與各子像素110G、110R、110B的開關單元150連接。第一子像素110G的第一驅動線路152的開關單元150與第一數(shù)據(jù)線132電性連接。第二子像素110R的第二驅動線路162的開關單元150與第二數(shù)據(jù)線136電性連接。一對第三子像素110B的各第三驅動線路172的開關單元150與第三數(shù)據(jù)線134電性連接。第一電源線142連接于各像素110同一列的兩個子像素各自的驅動單元160。在本實施例中，舉例來說，第一電源線142電性連接于第一子像素110G的第一驅動線路152的驅動單元160以及與第一子像素110G同一列的其中一個第三子像素110B的第三驅動線路172。第二電源線144連接于各像素110同一列的兩個子像素各自的驅動單元160，且與第一電源線142連接的兩個子像素為不同的子像素。在本實施例中，舉例來說，第二電源線144電性連接于第二子像素110R的第二驅動線路162的驅動單元160以及與第二子像素110R同一列的其中另一個第三子像素110B的第三驅動線路172。

第一子像素110G的第一有機發(fā)光二極管180通過第一子像素110G的第一驅動線路152電性連接于掃描線120、第一數(shù)據(jù)線132以及第一電源線142。第二子像素110R的第二有機發(fā)光二極管182通過第二子像素110R的第二驅動線路162電性連接于掃描線120、第二數(shù)據(jù)線136以及第二電源線144。各第三子像素110B的第三有機發(fā)光二極管184通過對應的第三子像素110B的 第三驅動線路172電性連接于掃描線120以及第三數(shù)據(jù)線134。各子像素110G、110R、110B的各個有機發(fā)光二極管180、182、184電性連接于對應驅動線路152、162、172的驅動單元160。

此外，各驅動線路152、162、172還包括一電性連接于開關單元150與驅動單元160之間的電容C1。因此，各驅動線路152、162、172具有例如，兩個晶體管一個電容的結構。然而，本發(fā)明不限于此。各驅動線路可以包括額外的晶體管與電容，并具有m個晶體管n個電容的結構，其中m大于2且n大于1。

圖5中所示的結構是以像素陣列100的其中一個像素110為例。在像素陣列100中的其它像素110具有類似結構，但子像素110G、110R、110B的位置與圖5所示的子像素110G、110R、110B的位置不一定完全相同。舉例來說，在圖1像素陣列100的像素110下方的一個像素中，其具有位于左下角的第一子像素110G，以及位于右上角的第二子像素110R。在圖1像素陣列100的像素110右邊的一個像素中，其具有位于右上角的第一子像素110G，以及位于左下角的第二子像素110R。各子像素的排列不限于此。然而，值得注意的是，在任一個像素結構中，兩個第三子像素110B彼此對角設置，且第一子像素110G與第二子像素110R彼此對角設置。另外，數(shù)據(jù)線、掃描線以及電源線的數(shù)量并不限于上述的描述。數(shù)據(jù)線、掃描線以及電源線的數(shù)量是取決于像素陣列100中像素110的數(shù)量，且是如上所述，用以電性連接像素陣列100中的像素110。換句話說，掃描線是連接像素陣列100中位于同一行的像素110。數(shù)據(jù)線以及電源線是連接像素陣列100中位于同一列的像素110。

在此種結構下，可以得知的是，在像素110中的一對第三子像素110B會共享第三數(shù)據(jù)線134。此外，三種子像素110G、110R、110B的有機發(fā)光二極管180、182、184具有不同有機材料。因此，子像素110G、110R、110B的發(fā)光效率是不同的。具有較低發(fā)光效率的子像素需要較大的驅動單元，反之亦然。一般而言，具有較低發(fā)光效率的子像素是通過增加驅動單元的尺寸來進行補償。而不同大小的驅動單元需要維持一個特定比例以使像素達到白平衡(white balance)。然而，在本實施例中，由于第三子像素110B的發(fā)光效率較低，因此在相同的像素110中，分別由不同電源線提供電能的兩個第三 子像素110B可以運用相同的數(shù)據(jù)線，而不需增加第三子像素110B的驅動單元160的尺寸。換言之，使用兩個第三子像素110B可以使第三子像素110B所發(fā)出的光量倍增，且不必增加較低發(fā)光效率的第三子像素110B的驅動單元尺寸即可更好地控制白平衡。

為了驅動像素110，在一致能信號提供至掃描線120時，數(shù)據(jù)是分別通過第一數(shù)據(jù)線132寫入第一子像素110G、通過第二數(shù)據(jù)線136寫入第二子像素110R以及通過第三數(shù)據(jù)線134寫入第三子像素110B。此方法可完整的將數(shù)據(jù)寫入像素110，并且可在像素110中達到子像素110G、110R、110B之間的發(fā)光效率平衡。另外，通過適當?shù)乃惴寗酉袼仃嚵?00，可使像素110達到較高的解析度。

圖6是依照本發(fā)明另一實施例的主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器的像素陣列的示意圖。參考圖6，像素陣列包括多個雙像素210。各雙像素210包括第一子像素210G、第二子像素210R以及一對第三子像素210B排列而成的一個二乘二陣列。雙像素210可作為兩個像素。各像素包括第一子像素210G、第二子像素210R以及其中一個第三子像素210B。在雙像素210中，所述兩個像素共用第一子像素210G以及第二子像素210R。因此，在雙像素210中的各像素具有L型結構，并且是通過共用的第一子像素210G以及第二子像素210R而形成具有一個二乘二陣列的雙像素210。

圖6所示的像素陣列的制造方法是通過利用圖2至圖4的罩幕而形成。因此，圖6像素陣列的布局及制造方法與圖1所示的像素陣列100類似。詳細內(nèi)容將不再重復贅述。

圖7是圖6像素陣列的雙像素的示意圖。參考圖7，在雙像素210中，各子像素210G、210R、210B包括驅動線路(第一驅動線路252、第二驅動線路262、第三驅動線路272)以及有機發(fā)光二極管(第一有機發(fā)光二極管280、第二有機發(fā)光二極管282、第三有機發(fā)光二極管284)。第一子像素210G的第一有機發(fā)光二極管280發(fā)出綠光。換言之，第一子像素210G為綠色子像素。第二子像素210R的第二有機發(fā)光二極管282發(fā)出紅光。換言之，第二子像素210R為紅色子像素。各第三子像素210B的第三有機發(fā)光二極管284發(fā)出藍光。換言之，各第三子像素210B為藍色子像素。各驅動線路252、262、272包括至少兩個晶體管。在本實施例中，各驅動線路252、262、272包括開關 單元250以及驅動單元260。

參考圖7，雙像素210電性連接至第一掃描線220、第二掃描線222、第一數(shù)據(jù)線232、第二數(shù)據(jù)線234、第一電源線242以及第二電源線244。像素陣列200的兩個電源線(第一電源線242、第二電源線244)可以與電源連接，并同時作為電源。在各雙像素210中，第一掃描線220以及第二掃描線222交錯于第一數(shù)據(jù)線232以及第二數(shù)據(jù)線234以形成一個二乘二陣列。

詳細來說，第一掃描線220電性連接于第一子像素210G的第一驅動線路252的開關單元250以及與第一子像素210G同一行的第三子像素210B的第三驅動線路272的開關單元250。第二掃描線222電性連接于第二子像素210R的第二驅動線路262的開關單元250以及與第二子像素210R同一行的第三子像素210B的第三驅動線路272的開關單元250。第一數(shù)據(jù)線232電性連接于第一子像素210G的第一驅動線路252的開關單元250以及與第一子像素210G同一列的第三子像素210B的第三驅動線路272的開關單元250。第二數(shù)據(jù)線234電性連接于第二子像素210R的第二驅動線路262的開關單元250以及與第二子像素210R同一行的第三子像素210B的第三驅動線路272的開關單元250。第一電源線242電性連接于雙像素210中位于同一列的兩個子像素的驅動線路的驅動單元260。在本實施例中，舉例來說，第一電源線242電性連接于第一子像素210G的第一驅動線路252的驅動單元260以及與第一子像素210G同一列的其中一個第三子像素210B的第三驅動線路272。第二電源線244電性連接于雙像素210中位于同一列的兩個子像素的驅動線路的驅動單元260，且與第一電源線242連接的兩個子像素為不同的子像素。在本實施例中，舉例來說，第二電源線244電性連接于第二子像素210R的第二驅動線路262的驅動單元260以及與第二子像素210R同一列的其中另一個第三子像素210B的第三驅動線路272。

在本實施例中，第一子像素210G的第一有機發(fā)光二極管280通過第一子像素210G的第一驅動線路252電性連接于第一掃描線220、第一數(shù)據(jù)線232以及第一電源線242。第二子像素210R的第二有機發(fā)光二極管282通過第二子像素210R的第二驅動線路262電性連接于第二掃描線222、第二數(shù)據(jù)線234以及第二電源線244。其中一個第三子像素210B的第三有機發(fā)光二極管284通過與第一子像素210G同一行的第三子像素210B的第三驅動線路 272電性連接于第一掃描線220、第二數(shù)據(jù)線234以及第二電源線244。其中另一個第三子像素210B的第三有機發(fā)光二極管284通過與第二子像素210R同一行的第三子像素210B的第三驅動線路272電性連接于第二掃描線222、第一數(shù)據(jù)線232以及第一電源線242。各子像素210G、210R、210B的各個有機發(fā)光二極管280、282、284電性連接于對應驅動線路252、262、272的驅動單元260。上述配置會依據(jù)在不同的雙像素210中的子像素210G、210R、210B的位置變化而進行改變。

此外，各驅動線路252、262、272還包括一電性連接于開關單元250與驅動單元260之間的電容C2。因此，各驅動線路252、262、272具有例如，兩個晶體管一個電容的結構。然而，本發(fā)明不限于此。各驅動線路可以包括額外的晶體管與電容，并具有m個晶體管n個電容的結構，其中m大于2且n大于1。

圖7中所示的結構是以像素陣列200的其中一個雙像素210為例。在像素陣列200中的其它雙像素210具有類似結構，但子像素210G、210R、210B的位置與圖7所示的子像素210G、210R、210B的位置不一定完全相同。舉例來說，在圖7像素陣列200的雙像素210下方的一個雙像素中，其具有位于左下角的第一子像素210G，以及位于右上角的第二子像素210R。在圖7像素陣列200的雙像素210右邊的一個雙像素中，其具有位于右上角的第一子像素210G，以及位于左下角的第二子像素210R。各子像素的排列不限于此。然而，值得注意的是，在任一個像素結構中，兩個第三子像素210B彼此對角設置，且第一子像素210G與第二子像素210R彼此對角設置。另外，數(shù)據(jù)線、掃描線以及電源線的數(shù)量并不限于上述的描述。數(shù)據(jù)線、掃描線以及電源線的數(shù)量是取決于像素陣列200中雙像素210的數(shù)量，且是如上所述，用以電性連接像素陣列200中的雙像素210。換句話說，掃描線是連接像素陣列200中位于同一行的雙像素210。數(shù)據(jù)線以及電源線是連接像素陣列200中位于同一列的雙像素210。

為了驅動雙像素210，在一致能信號提供至第一掃描線220時，數(shù)據(jù)是分別通過第一數(shù)據(jù)線232寫入位于雙像素210第一列中的第一子像素210G，以及通過第二數(shù)據(jù)線234寫入位于第一列中的其中一個第三子像素210B。在一致能信號提供至第二掃描線222時，數(shù)據(jù)是分別通過第一數(shù)據(jù)線232寫入 位于雙像素210第二列中的第三子像素210B的其中另一者，以及通過第二數(shù)據(jù)線234寫入位于第二列中的第二子像素210R。當數(shù)據(jù)寫入第一子像素210G以及第二子像素210R時，第一子像素210G以及第二子像素210R表現(xiàn)如兩個獨立像素的子像素。各獨立像素，舉例來說，是包括第一子像素210G、第二子像素210R以及其中一個第三子像素210B。另一個獨立像素，舉例來說，是包括第一子像素210G、第二子像素210R以及其中另一個第三子像素210B。雙像素210可以達到兩個獨立像素的效果。通過適當?shù)乃惴寗酉袼仃嚵?00，可使雙像素210達到可與兩個獨立像素相比的高解析度。另外，雙像素210還可顯示出兩個獨立像素的顯示數(shù)據(jù)。特別是，所述適當?shù)乃惴捎嬎愠鰰懭氲谝蛔酉袼?10G以及第二子像素210R的數(shù)據(jù)。所述數(shù)據(jù)可以例如是，代表其中一個子像素灰階的驅動電壓。所述適當?shù)乃惴?，例如是根?jù)雙像素210所模擬的兩個獨立像素，運算第一子像素210G以及第二子像素210R的灰階。也就是說，第一子像素210G例如為兩個獨立像素的兩個綠色子像素，以及第二子像素210R例如為兩個獨立像素的兩個紅色子像素。因此，為了使雙像素210可以有效的模擬兩個獨立像素的效果，所述適當?shù)乃惴ū仨氂嬎愠龇謩e寫入各第一子像素210G以及第二子像素210R的數(shù)據(jù)。

據(jù)此，在驅動雙像素210之后，雙像素210的視覺效果會與兩個獨立像素產(chǎn)生的視覺效果類似。舉例來說，雙像素210在裸眼下的視覺效果會與兩個相鄰的獨立像素在裸眼下的視覺效果類似。雙像素210的解析度亦會與兩個獨立像素的解析度類似。此外，傳統(tǒng)的一個獨立像素具有三個子像素，兩個獨立像素具有六個子像素。然而，雙像素210僅有四個子像素即可達到與具有六個子像素的兩個獨立像素類似的解析度與視覺效果。因此，具有本實施例雙像素210的顯示面板可達到與包括傳統(tǒng)像素的顯示面板類似的解析度與視覺效果，并且具有較小的尺寸。

綜上所述，像素通過第一子像素、第二子像素以及一對第三子像素形成一個二乘二陣列。所述像素陣列是通過相同子像素排列的二乘二陣列所形成的。換言之，用于制造像素陣列的罩幕可具有較大的開口。因此，在制造過程中所需要的精確度要求沒有以往來的高。也就是說，即使在制造過程中的精確度較低，所制造的主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器依然可維持較高的解析度。據(jù)此，罩幕的制造良率以及穩(wěn)定性可以提高。也就是說，像素陣列 的排列可以使罩幕具有較大的開口。因此，與使用傳統(tǒng)的精細金屬罩幕(fine metal mask，簡稱FMM)相比，所述主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器的顯示品質(zhì)可達到較高的解析度。另外，運用適當?shù)乃惴寗酉袼仃嚵锌蛇_到較高的解析度。

最后應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術方案的范圍。