所描述的技術(shù)總體涉及用于適應(yīng)性電壓控制的電致發(fā)光顯示器以及驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器的方法。

背景技術(shù)：

諸如液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示器和電致發(fā)光顯示器的各種顯示裝置已得到普及。在這些顯示器中，電致發(fā)光顯示器使用通過電子與空穴的復(fù)合而發(fā)光的發(fā)光二極管(LED)或有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，因此具有快速的響應(yīng)速度和降低的功耗。

電致發(fā)光顯示器可通過模擬或數(shù)字驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)。模擬驅(qū)動(dòng)方法使用與輸入數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的可變電壓電平產(chǎn)生灰度，而數(shù)字驅(qū)動(dòng)方法使用LED在其間發(fā)光的可變時(shí)間區(qū)間產(chǎn)生灰度。由于模擬驅(qū)動(dòng)方法需要制造起來復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)集成電路(IC)，因此在顯示器是大型的并且具有高分辨率時(shí)，模擬驅(qū)動(dòng)方法難以被實(shí)現(xiàn)。另一方面，數(shù)字驅(qū)動(dòng)方法可通過更簡(jiǎn)單的IC結(jié)構(gòu)輕易實(shí)現(xiàn)所需的高分辨率。隨著顯示面板的尺寸變大并且分辨率增加，數(shù)字驅(qū)動(dòng)方法相對(duì)于模擬驅(qū)動(dòng)方法可具有更有利的特性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一些發(fā)明方面為能夠通過適應(yīng)性電壓控制降低功耗并且增強(qiáng)顯示圖像品質(zhì)的電致發(fā)光顯示器以及驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器的方法。

另一方面為驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器的方法，該方法包括基于高供電電壓、低供電電壓、高數(shù)據(jù)電壓和低數(shù)據(jù)電壓對(duì)包括多個(gè)像素的顯示面板執(zhí)行數(shù)字驅(qū)動(dòng)，通過感測(cè)提供至顯示面板的總體電流生成電流檢測(cè)信號(hào)，以及基于電流檢測(cè)信號(hào)改變高數(shù)據(jù)電壓和低數(shù)據(jù)電壓中的至少一個(gè)。

高數(shù)據(jù)電壓可被改變以使得用于關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管的每個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓被均勻地維持。

低數(shù)據(jù)電壓可被改變以使得用于導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的每個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓被均勻地維持。

該方法還可包括基于輸入圖像數(shù)據(jù)改變提供至顯示面板的高供電電壓。

改變高數(shù)據(jù)電壓和低數(shù)據(jù)電壓中的至少一個(gè)可包括確定高供電電壓的供給電壓電平，基于電流檢測(cè)信號(hào)計(jì)算高供電電壓的歐姆壓降，通過從供電電壓電平減去歐姆壓降而計(jì)算高供電電壓的本地電壓電平，通過從本地電壓電平減去第一電壓偏移而計(jì)算第一目標(biāo)電壓電平，以及基于第一目標(biāo)電壓電平生成高數(shù)據(jù)電壓。

改變高數(shù)據(jù)電壓和低數(shù)據(jù)電壓中的至少一個(gè)還可包括通過從本地電壓電平減去第二電壓偏移而計(jì)算第二目標(biāo)電壓電平，第二電壓偏移大于第一電壓偏移，以及基于第二目標(biāo)電壓電平生成低數(shù)據(jù)電壓。

確定高供電電壓的供給電壓電平可包括計(jì)算輸入圖像數(shù)據(jù)的平均灰度值，以及基于平均灰度值計(jì)算提供至顯示面板的高供電電壓的供給電壓電平。

確定高供電電壓的供給電壓電平可包括感測(cè)提供至顯示面板的高供電電壓的供給電壓電平。

確定高供電電壓的供給電壓電平可包括計(jì)算輸入圖像數(shù)據(jù)的平均灰度值，基于平均灰度值計(jì)算提供至顯示面板的高供電電壓的供給電壓電平，感測(cè)提供至顯示面板的高供電電壓的供給電壓電平，以及將供給電壓電平設(shè)置成計(jì)算出的供給電壓電平和感測(cè)出的供給電壓電平中更高的電壓電平。

高數(shù)據(jù)電壓和低數(shù)據(jù)電壓可被提供至包括在電致發(fā)光顯示器中的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器可基于輸入圖像數(shù)據(jù)生成具有高數(shù)據(jù)電壓或低數(shù)據(jù)電壓的電壓電平的數(shù)據(jù)信號(hào)，并且每個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)可被施加到每個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極。

高數(shù)據(jù)電壓和低數(shù)據(jù)電壓可被提供至顯示面板，包括在電致發(fā)光顯示器中的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器可基于輸入圖像數(shù)據(jù)生成具有邏輯高電平或邏輯低電平的數(shù)據(jù)信號(hào)，并且高數(shù)據(jù)電壓或低數(shù)據(jù)電壓可響應(yīng)于每個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)而被施加到每個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極。

高供電電壓可具有根據(jù)輸入圖像數(shù)據(jù)而改變的電壓電平，并且低供電電壓可具有與輸入圖像數(shù)據(jù)無關(guān)的、被固定的電壓電平。

生成電流檢測(cè)信號(hào)可包括感測(cè)提供至像素中紅色像素的紅色總體電流以生成表示紅色總體電流的紅色電流檢測(cè)信號(hào)，感測(cè)提供至像素中綠色像素的綠色總體電流以生成表示綠色總體電流的綠色電流檢測(cè)信號(hào)，以及感測(cè)提供至像素中藍(lán)色像素的藍(lán)色總體電流以生成表示藍(lán)色總體電流的藍(lán)色電流檢測(cè)信號(hào)。

改變高數(shù)據(jù)電壓和低數(shù)據(jù)電壓中的至少一個(gè)可包括基于紅色電流檢測(cè)信號(hào)控制提供至紅色像素的紅色高數(shù)據(jù)電壓，基于綠色電流檢測(cè)信號(hào)控制提供至綠色像素的綠色高數(shù)據(jù)電壓，以及基于藍(lán)色電流檢測(cè)信號(hào)控制提供至藍(lán)色像素的藍(lán)色高數(shù)據(jù)電壓。

改變高數(shù)據(jù)電壓和低數(shù)據(jù)電壓中的至少一個(gè)還可包括基于紅色電流檢測(cè)信號(hào)控制提供至紅色像素的紅色低數(shù)據(jù)電壓，基于綠色電流檢測(cè)信號(hào)控制提供至綠色像素的綠色低數(shù)據(jù)電壓，以及基于藍(lán)色電流檢測(cè)信號(hào)控制提供至藍(lán)色像素的藍(lán)色低數(shù)據(jù)電壓。

另一方面為電致發(fā)光顯示器，該電致發(fā)光顯示器包括顯示面板、供電單元、電流檢測(cè)單元和電壓控制器。顯示面板包括配置成基于高供電電壓、低供電電壓、高數(shù)據(jù)電壓和低數(shù)據(jù)電壓執(zhí)行數(shù)字驅(qū)動(dòng)的多個(gè)像素。供電單元基于輸入電壓和電壓控制信號(hào)生成高供電電壓、低供電電壓、高數(shù)據(jù)電壓和低數(shù)據(jù)電壓。電流檢測(cè)單元感測(cè)提供至顯示面板的總體電流以生成電流檢測(cè)信號(hào)。電壓控制器基于電流檢測(cè)信號(hào)生成電壓控制信號(hào)以改變高數(shù)據(jù)電壓和低數(shù)據(jù)電壓中的至少一個(gè)。

電壓控制器可包括配置成基于電流檢測(cè)信號(hào)計(jì)算高供電電壓的歐姆壓降的第一計(jì)算器、配置成通過從高供電電壓的供給電壓電平減去歐姆壓降而計(jì)算高供電電壓的本地電壓電平的第二計(jì)算器、配置成通過從本地電壓電平減去第一電壓偏移而計(jì)算第一目標(biāo)電壓電平的第三計(jì)算器、配置成從本地電壓電平減去第二電壓偏移而計(jì)算第二目標(biāo)電壓電平的第四計(jì)算器、以及配置成基于第一目標(biāo)電壓電平和第二目標(biāo)電壓電平生成電壓控制信號(hào)的控制信號(hào)生成器，其中，第二電壓偏移大于第一電壓偏移。

電壓控制器還可包括配置成計(jì)算輸入圖像數(shù)據(jù)的平均灰度值并且配置成基于平均灰度值計(jì)算提供至顯示面板的高供電電壓的供給電壓電平的電壓計(jì)算器。

電致發(fā)光顯示器還可包括配置成感測(cè)提供至顯示面板的高供電電壓的供給電壓電平以生成表示感測(cè)出的供給電壓電平的電壓檢測(cè)信號(hào)的電壓檢測(cè)單元。

電壓控制器可生成電壓控制信號(hào)以改變高數(shù)據(jù)電壓以使得用于關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管的每個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓被均勻地維持，以及改變低數(shù)據(jù)電壓以使得用于導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓被均勻地維持。

電致發(fā)光顯示器以及相關(guān)聯(lián)的驅(qū)動(dòng)方法通過改變高數(shù)據(jù)電壓和/或低數(shù)據(jù)電壓以使得用于導(dǎo)通或關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓可被均勻地維持從而能夠降低電致發(fā)光顯示器的功耗并且增強(qiáng)顯示圖像的品質(zhì)。

另一方面為驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器的方法，該方法包括基于第一供電電壓、低于第一供電電壓的第二供電電壓、第一數(shù)據(jù)電壓以及低于第一數(shù)據(jù)電壓的第二數(shù)據(jù)電壓數(shù)字驅(qū)動(dòng)包括多個(gè)像素的顯示面板。該方法還包括感測(cè)提供至顯示面板的總體電流，基于感測(cè)出的總體電流生成電流檢測(cè)信號(hào)，以及基于電流檢測(cè)信號(hào)改變第一數(shù)據(jù)電壓和第二數(shù)據(jù)電壓中的至少一個(gè)。

在上述方法中，像素中的每個(gè)包驅(qū)動(dòng)晶體管，驅(qū)動(dòng)晶體管具有配置成關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓，其中，所述改變包括更改第一數(shù)據(jù)電壓以使得柵-源電壓被基本均勻地維持。

在上述方法中，像素中的每個(gè)包括驅(qū)動(dòng)晶體管，驅(qū)動(dòng)晶體管具有配置成導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓，其中，所述改變包括更改第二數(shù)據(jù)電壓以使得柵-源電壓被基本均勻地維持。

上述方法還包括基于輸入圖像數(shù)據(jù)改變提供至顯示面板的第一供電電壓。

在上述方法中，改變第一數(shù)據(jù)電壓和第二數(shù)據(jù)電壓中的至少一個(gè)包括確定第一供電電壓的供給電壓電平，基于電流檢測(cè)信號(hào)計(jì)算第一供電電壓的歐姆壓降，從供給電壓電平減去計(jì)算出的歐姆壓降以計(jì)算第一供電電壓的本地電壓電平，從本地電壓電平減去第一電壓偏移以計(jì)算第一 目標(biāo)電壓電平，以及基于第一目標(biāo)電壓電平生成第一數(shù)據(jù)電壓。

在上述方法中，所述改變還包括從本地電壓電平減去第二電壓偏移以計(jì)算第二目標(biāo)電壓電平，以及基于第二目標(biāo)電壓電平生成第二數(shù)據(jù)電壓，其中，第二電壓偏移大于第一電壓偏移。

在上述方法中，所述確定包括計(jì)算輸入圖像數(shù)據(jù)的平均灰度值，以及基于平均灰度值計(jì)算提供至顯示面板的第一供電電壓的供給電壓電平。

在上述方法中，所述確定包括感測(cè)提供至顯示面板的第一供電電壓的供給電壓電平。

在上述方法中，所述確定包括計(jì)算輸入圖像數(shù)據(jù)的平均灰度值，基于平均灰度值計(jì)算提供至顯示面板的第一供電電壓的供給電壓電平，感測(cè)提供至顯示面板的第一供電電壓的供給電壓電平，以及將供給電壓電平設(shè)置成計(jì)算出的供給電壓電平和感測(cè)出的供給電壓電平中具有更高電平的一個(gè)。

在上述方法中，第一數(shù)據(jù)電壓和第二數(shù)據(jù)電壓提供至包括在電致發(fā)光顯示器中的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，其中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器配置成基于輸入圖像數(shù)據(jù)生成具有第一數(shù)據(jù)電壓或第二數(shù)據(jù)電壓的電壓電平的多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)，其中，像素中的每個(gè)具有包括柵電極的驅(qū)動(dòng)晶體管，并且其中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器還配置成分別將各個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)施加到柵電極。

在上述方法中，第一數(shù)據(jù)電壓和第二數(shù)據(jù)電壓提供至顯示面板，其中，電致發(fā)光顯示器包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器配置成基于輸入圖像數(shù)據(jù)生成具有邏輯高電平或邏輯低電平的多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)，其中，像素中的每個(gè)具有包括柵電極的驅(qū)動(dòng)晶體管，并且其中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器還配置成基于每個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)分別將第一數(shù)據(jù)電壓或第二數(shù)據(jù)電壓施加至柵電極。

上述方法還包括基于輸入圖像數(shù)據(jù)改變第一供電電壓的電壓電平，以及將第二供電電壓的電壓電平固定成具有與輸入圖像數(shù)據(jù)無關(guān)的電壓電平。

在上述方法中，像素包括紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素，其中，所述生成包括感測(cè)提供至紅色像素的紅色總體電流以生成表示紅色總體電流的紅色電流檢測(cè)信號(hào)，感測(cè)提供至綠色像素的綠色總體電流以生成 表示綠色總體電流的綠色電流檢測(cè)信號(hào)，以及感測(cè)提供至藍(lán)色像素的藍(lán)色總體電流以生成表示藍(lán)色總體電流的藍(lán)色電流檢測(cè)信號(hào)。

在上述方法中，所述改變包括基于紅色電流檢測(cè)信號(hào)控制提供至紅色像素的紅色第一數(shù)據(jù)電壓，基于綠色電流檢測(cè)信號(hào)控制提供至綠色像素的綠色第一數(shù)據(jù)電壓，以及基于藍(lán)色電流檢測(cè)信號(hào)控制提供至藍(lán)色像素的藍(lán)色第一數(shù)據(jù)電壓。

在上述方法中，所述改變還包括基于紅色電流檢測(cè)信號(hào)控制提供至紅色像素的紅色第二數(shù)據(jù)電壓，基于綠色電流檢測(cè)信號(hào)控制提供至綠色像素的綠色第二數(shù)據(jù)電壓，以及基于藍(lán)色電流檢測(cè)信號(hào)控制提供至藍(lán)色像素的藍(lán)色第二數(shù)據(jù)電壓。

另一方面為電致發(fā)光顯示器，該電致發(fā)光顯示器包括顯示面板，顯示面板包括配置成基于第一供電電壓、低于第一供電電壓的第二供電電壓、第一數(shù)據(jù)電壓以及低于第一數(shù)據(jù)電壓的第二數(shù)據(jù)電壓而被數(shù)字驅(qū)動(dòng)的多個(gè)像素。該顯示器還包括配置成基于輸入電壓和電壓控制信號(hào)生成第一供電電壓和第二供電電壓以及第一數(shù)據(jù)電壓和第二數(shù)據(jù)電壓的電源、配置成感測(cè)提供至顯示面板的總體電流以生成電流檢測(cè)信號(hào)的電流檢測(cè)器、以及配置成基于電流檢測(cè)信號(hào)生成電壓控制信號(hào)以改變第一數(shù)據(jù)電壓和第二數(shù)據(jù)電壓中的至少一個(gè)的電壓控制器。

在上述顯示器中，電壓控制器包括配置成基于電流檢測(cè)信號(hào)計(jì)算第一供電電壓的歐姆壓降的第一計(jì)算器、配置成從第一供電電壓的供給電壓電平減去計(jì)算出的歐姆壓降以計(jì)算第一供電電壓的本地電壓電平的第二計(jì)算器、配置成從本地電壓電平減去第一電壓偏移以計(jì)算第一目標(biāo)電壓電平的第三計(jì)算器、配置成從本地電壓電平減去第二電壓偏移以計(jì)算第二目標(biāo)電壓電平的第四計(jì)算器、以及配置成基于第一目標(biāo)電壓電平和第二目標(biāo)電壓電平生成電壓控制信號(hào)的控制信號(hào)生成器，其中，第二電壓偏移大于第一電壓偏移。

在上述顯示器中，電壓控制器還包括配置成計(jì)算輸入圖像數(shù)據(jù)的平均灰度值并且基于平均灰度值計(jì)算提供至顯示面板的第一供電電壓的供給電壓電平的電壓計(jì)算器。

上述顯示器還包括配置成感測(cè)提供至顯示面板的第一供電電壓的供 給電壓電平以生成表示感測(cè)出的供給電壓電平的電壓檢測(cè)信號(hào)的電壓檢測(cè)器。

在上述顯示器中，像素中的每個(gè)包括具有柵-源電壓的驅(qū)動(dòng)晶體管，其中，電壓控制器還配置成改變第一數(shù)據(jù)電壓以使得配置成關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓被基本均勻地維持以及改變第二數(shù)據(jù)電壓以使得配置成導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓被基本均勻地維持。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器的方法的流程圖。

圖2是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示器的框圖。

圖3是示出包括在圖2的電致發(fā)光顯示器中的像素的基本結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖4、圖5和圖6是用于描述根據(jù)示例性實(shí)施方式的適應(yīng)性電壓控制的概念圖。

圖7是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的改變數(shù)據(jù)電壓的處理的視圖。

圖8是示出包括在圖2的電致發(fā)光顯示器中的電壓控制器的示例性實(shí)施方式的框圖。

圖9是示出包括在圖2的電致發(fā)光顯示器中的電壓控制器的另一示例性實(shí)施方式的框圖。

圖10是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示器的框圖。

圖11是示出包括在圖10的電致發(fā)光顯示器中的電壓控制器的示例性實(shí)施方式的框圖。

圖12是示出包括在圖10的電致發(fā)光顯示器中的用于高供電電壓的布線、電流檢測(cè)單元和電壓檢測(cè)單元的視圖。

圖13是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示器的框圖。

圖14是示出包括在圖13的電致發(fā)光顯示器中的用于高供電電壓的布線和電流檢測(cè)單元的視圖。

圖15是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示器的框圖。

圖16是示出包括在圖15的電致發(fā)光顯示器中的像素的示例的電路 圖。

圖17是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示器的框圖。

圖18是示出包括在圖17的電致發(fā)光顯示器中的像素的示例的電路圖。

圖19和圖20是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示器的框圖。

圖21是示出包括在圖20的電致發(fā)光顯示器中的像素的示例的電路圖。

圖22是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的移動(dòng)裝置的框圖。

圖23是示出包括在根據(jù)示例性實(shí)施方式的移動(dòng)裝置中的接口的框圖。

圖24是示出包括根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示器的電子裝置的框圖。

具體實(shí)施方式

對(duì)于數(shù)字驅(qū)動(dòng)的電致發(fā)光顯示器而言，由于電壓的歐姆壓降或IR壓降、溫度的波動(dòng)、OLED的特性偏差等，可導(dǎo)致功耗增加并且可導(dǎo)致惡化顯示圖像的品質(zhì)。

下文中參照附圖對(duì)示例性實(shí)施方式進(jìn)行了更加全面的描述。貫穿全文，相同或相似的參考編號(hào)指示相同或相似的元件。在本公開中，在一些應(yīng)用下對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，措辭“基本上”包括完全、幾乎完全、或者任何顯著程度的含義。此外，“形成在…上”也可意味著“形成在…上方”。措辭“連接”可包括電連接。

圖1是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器的方法的流程圖。

在一些實(shí)施方式中，圖1的過程是通過傳統(tǒng)的編程語言(諸如C或C++或其他適當(dāng)?shù)木幊陶Z言)實(shí)現(xiàn)的。程序可被存儲(chǔ)在電致發(fā)光顯示器10(參見圖2)的計(jì)算機(jī)可訪問存儲(chǔ)介質(zhì)上，例如，電致發(fā)光顯示器10的內(nèi)存(未示出)、電壓控制器20(參見圖2)或時(shí)序控制器250(參見圖15)。在某些實(shí)施方式中，存儲(chǔ)介質(zhì)包括隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、硬盤、軟盤、數(shù)字視頻裝置、光盤、影碟、和/或其他光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)等。程序可被存儲(chǔ)在處理器中。處理器可具有基于例如i)高級(jí)RISC機(jī)器(ARM)微控制器 和ii)英特爾公司的微處理器(例如，奔騰系列微處理器)的配置。在某些實(shí)施方式中，處理器通過各種計(jì)算機(jī)平臺(tái)使用單芯片或多芯片微處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、嵌入式微處理器、微控制器等來實(shí)現(xiàn)。在另一實(shí)施方式中，處理器通過諸如Unix、Linux、Microsoft DOS、Microsoft Windows 8/7/Vista/2000/9x/ME/XP、Macintosh OS,OS X,OS/2、安卓(Android)、iOS等的各種操作系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)。在另一實(shí)施方式中，過程中的至少一部分可通過嵌入式軟件來實(shí)現(xiàn)。根據(jù)實(shí)施方式，在圖1中可添加附加狀態(tài)、移除其他狀態(tài)、或者更改狀態(tài)的順序。本段的描述應(yīng)用于圖7中所示的實(shí)施方式。

參照?qǐng)D1，基于高供電電壓ELVDD、低供電電壓ELVSS、高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL對(duì)包括多個(gè)像素的顯示面板執(zhí)行數(shù)字驅(qū)動(dòng)(S100)。數(shù)字驅(qū)動(dòng)指示將基本相同電平的數(shù)據(jù)電壓施加到像素并且使用使LED發(fā)光的可變時(shí)間區(qū)間產(chǎn)生灰度的驅(qū)動(dòng)方式。例如，每個(gè)幀被劃分成多個(gè)子幀，并且每個(gè)子幀包括掃描周期和發(fā)射周期。各個(gè)子幀中的發(fā)射周期可為不同長(zhǎng)度的時(shí)間段。每個(gè)像素可在掃描周期中存儲(chǔ)相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)，并且通過根據(jù)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)光或不發(fā)光來表示灰度。

高供電電壓ELVDD可具有正電壓電平，并且低供電電壓ELVSS可具有負(fù)電壓電平或接地電壓電平。高數(shù)據(jù)電壓VDH可具有正電壓電平，并且低數(shù)據(jù)電壓VDL可具有低于高數(shù)據(jù)電壓VDH的電壓電平。低數(shù)據(jù)電壓VDL可具有正電壓電平、接地電壓電平或負(fù)電壓電平。

通過感測(cè)提供至顯示面板的總體電流GI生成電流檢測(cè)信號(hào)CDET(S300)?？傮w電流GI可與分別流經(jīng)像素的驅(qū)動(dòng)電流之和相對(duì)應(yīng)。在一些實(shí)施方式中，總體電流與顯示面板中的所有像素的驅(qū)動(dòng)電流之和相對(duì)應(yīng)。在其他實(shí)施方式中，總體電流與顯示面板中的所有像素(例如，紅色像素、綠色像素或藍(lán)色像素)中的一部分的驅(qū)動(dòng)電流之和相對(duì)應(yīng)。

基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET改變高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL中的至少一個(gè)(S500)。在一些實(shí)施方式中，僅高數(shù)據(jù)電壓VDH基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET而改變，并且低數(shù)據(jù)電壓VDL維持固定電壓電平而與電流檢測(cè)信號(hào)CDET無關(guān)。在其他實(shí)施方式中，高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL兩者均可基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET而改變。在這種情況下，高數(shù)據(jù)電 壓VDH與低數(shù)據(jù)電壓VDL之間的差值可被基本均勻地維持而與電流檢測(cè)信號(hào)CDET無關(guān)。

如下面將描述的那樣，高數(shù)據(jù)電壓VDH可基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET而改變，以使得用于關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管的每個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓可被均勻地維持。此外，低數(shù)據(jù)電壓VDL可基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET而改變，以使得用于導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓可被基本均勻地維持。

由此，根據(jù)示例性實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器的方法通過改變高數(shù)據(jù)電壓VDH和/或低數(shù)據(jù)電壓VDL以使得用于導(dǎo)通或關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓可被基本均勻地維持從而降低了電致發(fā)光顯示器的功耗并且增強(qiáng)了顯示圖像的品質(zhì)。

圖2是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示器的框圖。

參照?qǐng)D2，電致發(fā)光顯示器10包括電壓控制器20、供電單元或電源30、電流檢測(cè)單元或電流檢測(cè)器40和顯示面板50。電流檢測(cè)單元40可被包括在供電單元30中或位于供電單元30的外部。

顯示面板50包括基于高供電電壓ELVDD、低供電電壓ELVSS、高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL來執(zhí)行數(shù)字驅(qū)動(dòng)的多個(gè)像素PX。將參照?qǐng)D3以及圖15至圖21對(duì)顯示面板50和像素PX進(jìn)行進(jìn)一步描述。

數(shù)字驅(qū)動(dòng)指示將基本相同電平的數(shù)據(jù)電壓施加到像素PX并且使用使LED發(fā)光的可變時(shí)間區(qū)間產(chǎn)生灰度的驅(qū)動(dòng)方式。例如，每個(gè)幀被劃分成多個(gè)子幀，并且每個(gè)子幀包括掃描周期和發(fā)射周期。各個(gè)子幀中的發(fā)射周期可為不同長(zhǎng)度的時(shí)間段。每個(gè)像素可在掃描周期中存儲(chǔ)相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)，并且通過根據(jù)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)光或不發(fā)光來表示灰度。

供電單元30基于輸入電壓VIN和電壓控制信號(hào)VCTRL生成高供電電壓ELVDD、低供電電壓ELVSS、高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL。供電單元30可包括生成高正電壓的升壓變換器、生成負(fù)電壓的反相降壓變換器等。提供至供電單元30的輸入電壓VIN可為來自電池的交流電壓或直流電壓，并且供電單元30中的電壓變換器可為交流-直流變換器或直流-直流變換器。如圖2中所示，高供電電壓ELVDD和低供電電壓ELVSS被提供至顯示面板50。在一些實(shí)施方式中，如下面參照?qǐng)D15和圖16描述的那樣，高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL被提供至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。在其他實(shí) 施方式中，如下面參照?qǐng)D17和圖18描述的那樣，高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL被提供至顯示面板。

電流檢測(cè)單元40感測(cè)提供至顯示面板50的總體電流GI，并且生成電流檢測(cè)信號(hào)CDET?？傮w電流GI可與分別流經(jīng)像素的驅(qū)動(dòng)電流之和相對(duì)應(yīng)。在一些實(shí)施方式中，總體電流與顯示面板中的所有像素的驅(qū)動(dòng)電流之和相對(duì)應(yīng)。在其他實(shí)施方式中，總體電流與顯示面板中的所有像素(例如，紅色像素、綠色像素或藍(lán)色像素)中的一部分的驅(qū)動(dòng)電流之和相對(duì)應(yīng)。將參照?qǐng)D12和圖14對(duì)電流檢測(cè)單元40的操作進(jìn)行進(jìn)一步描述。

電壓控制器20生成電壓控制信號(hào)VCTRL，以使得高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL中的至少一個(gè)可基于從電流檢測(cè)單元40提供的電流檢測(cè)信號(hào)CDET而改變，并且將電壓控制信號(hào)VCTRL提供至供電單元30。電壓控制器20可調(diào)節(jié)電壓控制信號(hào)VCTRL以分別控制通過供電單元30生成的高供電電壓ELVDD、低供電電壓ELVSS、高數(shù)據(jù)電壓VDH和/或低數(shù)據(jù)電壓VDL的電壓電平。電壓控制信號(hào)VCTRL可包括用于分別控制高供電電壓ELVDD、低供電電壓ELVSS、高數(shù)據(jù)電壓VDH和/或低數(shù)據(jù)電壓VDL的多個(gè)控制信號(hào)。

在一些實(shí)施方式中，僅高數(shù)據(jù)電壓VDH基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET而改變，并且低數(shù)據(jù)電壓VDL維持固定電壓電平而與電流檢測(cè)信號(hào)CDET無關(guān)。在其他實(shí)施方式中，高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL兩者均可基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET而改變。在這種情況下，高數(shù)據(jù)電壓VDH與低數(shù)據(jù)電壓VDL之間的差值可被基本均勻地維持而與電流檢測(cè)信號(hào)CDET無關(guān)。

如下面將描述的那樣，電致發(fā)光顯示器10可基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET改變高數(shù)據(jù)電壓VDH以使得用于關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管的每個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓可被基本均勻地維持。此外，電致發(fā)光顯示器10可基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET改變低數(shù)據(jù)電壓VDL以使得用于導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓可被基本均勻地維持。

由此，電致發(fā)光顯示器10通過改變高數(shù)據(jù)電壓VDH和/或低數(shù)據(jù)電壓VDL以使得用于導(dǎo)通或關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓可被基本均勻地維持，從而降低了電致發(fā)光顯示器10的功耗并且增強(qiáng)了顯示圖像的品質(zhì)。

圖3是示出包括在圖2的電致發(fā)光顯示器中的像素PX的基本結(jié)構(gòu)的電 路圖。

如圖16、圖18和圖21中所示，像素PX可以各種方式配置成包括圖3的基本結(jié)構(gòu)。

參照?qǐng)D3，像素PX包括串聯(lián)連接在高供電電壓ELVDD與低供電電壓ELVSS之間的驅(qū)動(dòng)晶體管DT和OLED。驅(qū)動(dòng)晶體管DT的源電極NS連接至高供電電壓ELVDD，并且驅(qū)動(dòng)晶體管DT的漏電極ND連接至二極管OLED。如圖3中所示，驅(qū)動(dòng)晶體管DT用p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管實(shí)現(xiàn)。在這種情況下，當(dāng)相對(duì)較高電壓電平的高數(shù)據(jù)電壓VDH被施加到柵電極NG時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管DT可被關(guān)斷，并且當(dāng)相對(duì)較低電壓電平的低數(shù)據(jù)電壓VDL被施加到柵電極NG時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管DT可被導(dǎo)通。

施加到驅(qū)動(dòng)晶體管DT的高供電電壓ELVDD具有本地電壓電平LVL。由于電源路徑上的寄生電阻分量，本地像素處的高供電電壓ELVDD的本地電壓電平LVL低于提供至顯示面板的高供電電壓ELVDD的供給電壓電平SVL。根據(jù)示例性實(shí)施方式，通過反映高供電電壓ELVDD的變化而更改高數(shù)據(jù)電壓VDH和/或低數(shù)據(jù)電壓VDL，從而降低了功耗并且增強(qiáng)了顯示圖像的品質(zhì)。

圖4、圖5和圖6是用于描述根據(jù)示例性實(shí)施方式的適應(yīng)性電壓控制的概念圖。

圖4、圖5和圖6示出了在第一幀周期FRAME1中顯示相對(duì)較高亮度的輸入圖像數(shù)據(jù)并且在第二幀周期FRAME2中顯示相對(duì)較低亮度的輸入圖像數(shù)據(jù)。圖4和圖5示出了當(dāng)高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL被固定時(shí)電壓之間的關(guān)系。圖6示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式當(dāng)高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL適應(yīng)性地改變時(shí)電壓之間的關(guān)系。

參照?qǐng)D4，提供至顯示面板的高供電電壓ELVDD的供給電壓電平SVL被固定，而與輸入圖像數(shù)據(jù)的亮度或灰度值無關(guān)。例如，第二幀周期FRAME2中的供給電壓電平SVL12與第一幀周期FRAME1中的供給電壓電平SVL11基本相等。

因?yàn)闅W姆壓降或IR壓降隨著輸入圖像數(shù)據(jù)的亮度增加而增加，所以本地像素處的高供電電壓ELVDD的本地電壓電平LVL可根據(jù)輸入圖像數(shù)據(jù)的亮度而改變。例如，第二幀周期FRAME2中的歐姆壓降VDR12大于 第一幀周期FRAME1中的歐姆壓降VDR11，并由此第二幀周期FRAME2中的本地電壓電平LVL12小于第一幀周期FRAME1中的本地電壓電平LVL11。

如參照?qǐng)D2描述的那樣，具有本地電壓電平LVL的高供電電壓ELVDD被施加到驅(qū)動(dòng)晶體管DT的源電極NS。當(dāng)高數(shù)據(jù)電壓VDH被施加到驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵電極NG時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管DT被關(guān)斷，并且用于關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵-源電壓VGS(OFF)與本地電壓電平LVL與高數(shù)據(jù)電壓VDH之間的差值相對(duì)應(yīng)。相反，當(dāng)?shù)蛿?shù)據(jù)電壓VDL被施加到驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵電極NG時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管DT被導(dǎo)通，并且用于導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵-源電壓VGS(ON)與本地電壓電平LVL與低數(shù)據(jù)電壓VDL之間的差值相對(duì)應(yīng)。

如圖4中所示，高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL分別維持固定電壓電平。例如，第一幀周期FRAME1中的高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL的電壓電平HL11和LL11分別與第二幀周期FRAME2中的高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL的電壓電平HL12和LL12基本相等。在這種情況下，根據(jù)輸入圖像數(shù)據(jù)的亮度，第一幀周期FRAME1中的柵-源電壓VGS(OFF)11和VGS(ON)11不同于第二幀周期FRAME2中的柵-源電壓VGS(OFF)12和VGS(ON)12。

參照?qǐng)D5，提供至顯示面板的高供電電壓ELVDD的供給電壓電平SVL根據(jù)輸入圖像數(shù)據(jù)的亮度或灰度值而改變。例如，第二幀周期FRAME2中的供給電壓電平SVL22大于第一幀周期FRAME1中的供給電壓電平SVL21。

因?yàn)闅W姆壓降或IR壓降隨著輸入圖像數(shù)據(jù)的亮度增加而增加，所以本地像素處的高供電電壓ELVDD的本地電壓電平LVL可根據(jù)輸入圖像數(shù)據(jù)的亮度而改變。例如，如圖5中所示，第二幀周期FRAME2中的歐姆壓降VDR22可大于第一幀周期FRAME1中的歐姆壓降VDR21，并由此第二幀周期FRAME2中的本地電壓電平LVL22可低于第一幀周期FRAME1中的本地電壓電平LVL21。如果第二幀周期FRAME2的供給電壓電平SVL22被設(shè)置成高于如圖5中所示的電平，則第二幀周期FRAME2中的本地電壓電平LVL22可高于第一幀周期FRAME1中的本地電壓電平LVL21。

如圖5中所示，高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL分別可維持固定電 壓電平。例如，第一幀周期FRAME1中的高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL的電壓電平HL21和LL21分別與第二幀周期FRAME2中的高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL的電壓電平HL22和LL22基本相等。在這種情況下，根據(jù)輸入圖像數(shù)據(jù)的亮度，第一幀周期FRAME1中的柵-源電壓VGS(OFF)21和VGS(ON)21不同于第二幀周期FRAME2中的柵-源電壓VGS(OFF)22和VGS(ON)22。

當(dāng)高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL如圖4和圖5中所示維持固定電壓電平時(shí)，高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL需要設(shè)置有足夠的余量以使得驅(qū)動(dòng)晶體管DT的開關(guān)操作(即，導(dǎo)通和關(guān)斷)是可靠的。高數(shù)據(jù)電壓VDH需要被設(shè)置成比所需更高的電平以在最壞的情況下使得驅(qū)動(dòng)晶體管DT的關(guān)斷是可靠的，并且低數(shù)據(jù)電壓VDL需要被設(shè)置成比需要更低的電平以在最壞的情況下使得驅(qū)動(dòng)晶體管DT的導(dǎo)通是可靠的。

結(jié)果，高數(shù)據(jù)電壓VDH與低數(shù)據(jù)電壓VDL之間的差值需要被設(shè)置成顯著較大的值，從而增加了驅(qū)動(dòng)晶體管DT的開關(guān)損耗。開關(guān)操作在使驅(qū)動(dòng)晶體管DT在每個(gè)子幀可被導(dǎo)通或關(guān)斷的數(shù)字驅(qū)動(dòng)中變得更加頻繁，并由此開關(guān)損耗隨著高數(shù)據(jù)電壓VDH與低數(shù)據(jù)電壓VDL之間的差值增加而顯著增加。

參照?qǐng)D6，提供至顯示面板的高供電電壓ELVDD的供給電壓電平SVL根據(jù)輸入圖像數(shù)據(jù)的亮度或灰度值而改變。例如，第二幀周期FRAME2中的供給電壓電平SVL32大于第一幀周期FRAME1中的供給電壓電平SVL31。

因?yàn)闅W姆壓降或IR壓降隨著輸入圖像數(shù)據(jù)的亮度增加而增加，所以本地像素處的高供電電壓ELVDD的本地電壓電平LVL可根據(jù)輸入圖像數(shù)據(jù)的亮度而改變。例如，如圖6中所示，第二幀周期FRAME2中的歐姆壓降VDR32大于第一幀周期FRAME1中的歐姆壓降VDR31，并由此第二幀周期FRAME2中的本地電壓電平LVL32小于第一幀周期FRAME1中的本地電壓電平LVL31。如果第二幀周期FRAME2中的供給電壓電平SVL32被設(shè)置成大于如圖6中所示的電平，則第二幀周期FRAME2中的本地電壓電平LVL32可大于第一幀周期FRAME1中的本地電壓電平LVL31。

如圖6中所示，高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL基于上面提及的電 流檢測(cè)信號(hào)CDET而改變。例如，第二幀周期FRAME2中的高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL的電壓電平HL32和LL32分別小于第一幀周期FRAME1中的高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL的電壓電平HL31和LL31。在這種情況下，第一幀周期FRAME1中的柵-源電壓VGS(OFF)31和VGS(ON)31與第二幀周期FRAME2中的柵-源電壓VGS(OFF)32和VGS(ON)32基本相同，而與輸入圖像數(shù)據(jù)的亮度無關(guān)。

由此，用于導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵-源電壓VGS(ON)和用于關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵-源電壓VGS(OFF)可分別被基本均勻地維持。在這種情況下，不需要考慮用于最壞情況的余量，并且高數(shù)據(jù)電壓VDH與低數(shù)據(jù)電壓VDL之間的差值可被設(shè)置成小于圖4和圖5的情況中的值。結(jié)果，開關(guān)損耗可通過減小高數(shù)據(jù)電壓VDH與低數(shù)據(jù)電壓VDL之間的差值而降低。

圖7是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的改變數(shù)據(jù)電壓的處理的視圖。圖8是示出包括在圖2的電致發(fā)光顯示器中的電壓控制器的示例性實(shí)施方式的框圖。

參照?qǐng)D7和圖8，電壓控制器20a包括第一計(jì)算器CAL1、第二計(jì)算器CAL2、第三計(jì)算器CAL3、第四計(jì)算器CAL4和控制信號(hào)生成器CSG。

可確定高供電電壓ELVDD的供給電壓電平SVL(S510)。在一些實(shí)施方式中，感測(cè)提供至顯示面板的高供電電壓ELVDD的供給電壓電平，并且感測(cè)出的供給電壓電平SVLS被確定作為高供電電壓ELVDD的供給電壓電平SVL。在其他實(shí)施方式中，基于輸入圖像數(shù)據(jù)計(jì)算提供至顯示面板的高供電電壓ELVDD的供給電壓電平，并且計(jì)算出的供給電壓電平SVLC被確定作為高供電電壓ELVDD的供給電壓電平SVL。在另外的實(shí)施方式中，對(duì)感測(cè)出的供給電壓電平SVLS和計(jì)算出的供給電壓電平SVLC進(jìn)行比較，并且供給電壓電平SVL被設(shè)置成感測(cè)出的供給電壓電平SVLS和計(jì)算出的供給電壓電平SVLC中更大的電壓電平。

第一計(jì)算器CAL1可基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET計(jì)算高供電電壓ELVDD的歐姆壓降VDR(S520)。如上所述，電流檢測(cè)信號(hào)CDET可表示總體電流GI。用于供給高供電電壓ELVDD的路徑上的總體電流GI和電阻值Rp的乘積GI*Rp可被計(jì)算作為歐姆壓降VDR。路徑和電阻值Rp可基于預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范來確定。例如，路徑確定為從圖2中的供電單元30附近的第一點(diǎn) 至使總體電流GI劃分成多個(gè)單元驅(qū)動(dòng)電流的第二點(diǎn)，并且第一點(diǎn)與第二點(diǎn)之間的寄生電阻設(shè)置成用于歐姆壓降VDR的計(jì)算的電阻值Rp。在示例性配置中，高供電電壓ELVDD被施加到顯示面板50的中心部，并且單元驅(qū)動(dòng)電流依次被分支以從中心部去往邊緣部。在這種情況下，從供電單元30至顯示面板50的中心部的寄生電阻可被確定作為用于歐姆壓降VDR的計(jì)算的電阻值Rp。

第二計(jì)算器CAL2可通過從高供電電壓ELVDD的供給電壓電平SVL減去歐姆壓降VDR而計(jì)算高供電電壓ELVDD的本地電壓電平LVL(S530)。

第三計(jì)算器CAL3可通過從本地電壓電平LVL減去第一電壓偏移VOFS1而計(jì)算第一目標(biāo)電壓電平TVL1(S541)。第四計(jì)算器CAL4可通過從本地電壓電平LVL減去第二電壓偏移VOFS2而計(jì)算第二目標(biāo)電壓電平TVL2(S551)，其中，第二電壓偏移VOFS2大于第一電壓偏移VOFS1。返回參照?qǐng)D6，第一電壓偏移VOFS1可與用于關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵-源電壓VGS(OFF)相對(duì)應(yīng)，并且第二電壓偏移VOFS2可與用于導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵-源電壓VGS(ON)相對(duì)應(yīng)。

控制信號(hào)生成器CSG可分別基于第一目標(biāo)電壓電平TVL1和第二目標(biāo)電壓電平TVL2生成第一電壓控制信號(hào)VCTRL1和第二電壓控制信號(hào)VCTRL2。第一電壓控制信號(hào)VCTRL1和第二電壓控制信號(hào)VCTRL2可被包括在圖2中所示的電壓控制信號(hào)VCTRL中。圖2中的供電單元30可基于第一電壓控制信號(hào)VCTRL1生成高數(shù)據(jù)電壓VDH(S542)，并且可基于第二電壓控制信號(hào)VCTRL2生成低數(shù)據(jù)電壓VDL(S552)。

圖8示出了用于生成第一電壓控制信號(hào)VCTRL1和第二電壓控制信號(hào)VCTRL2以控制高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL的元件。雖然未在圖8中示出，但是電壓控制器20a還可包括用于生成控制信號(hào)以控制高供電電壓ELVDD和/或低供電電壓ELVSS的元件。

由此，通過改變高數(shù)據(jù)電壓VDH和/或低數(shù)據(jù)電壓VDL以使得用于導(dǎo)通或關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵-源電壓可被基本均勻地維持，能夠降低電致發(fā)光顯示器的功耗并且可增強(qiáng)顯示圖像的品質(zhì)。

圖9是示出包括在圖2的電致發(fā)光顯示器中的電壓控制器的另一示例 性實(shí)施方式的框圖。

參照?qǐng)D7和圖9，電壓控制器20b可包括電壓計(jì)算器VCAL、第一計(jì)算器CAL1、第二計(jì)算器CAL2、第三計(jì)算器CAL3、第四計(jì)算器CAL4和控制信號(hào)生成器CSG。與圖8的電壓控制器20a相比，圖9的電壓控制器20b還包括電壓計(jì)算器VCAL。其他元件基本相同，并且省略重復(fù)描述。

電壓計(jì)算器VCAL可計(jì)算輸入圖像數(shù)據(jù)DIN的平均灰度值，并且基于平均灰度值計(jì)算高供電電壓ELVDD的供給電壓電平SVL。通過電壓計(jì)算器VCAL計(jì)算的供給電壓電平SVL可被確定作為提供至顯示面板的高供電電壓ELVDD的供給電壓電平SVL(S510)。

第一計(jì)算器CAL1可基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET計(jì)算高供電電壓ELVDD的歐姆壓降VDR(S520)。第二計(jì)算器CAL2可通過從高供電電壓ELVDD的供給電壓電平SVL減去歐姆壓降VDR而計(jì)算高供電電壓ELVDD的本地電壓電平LVL(S530)。第三計(jì)算器CAL3可通過從本地電壓電平LVL減去第一電壓偏移VOFS1而計(jì)算第一目標(biāo)電壓電平TVL1(S541)。第四計(jì)算器CAL4可通過從本地電壓電平LVL減去第二電壓偏移VOFS2而計(jì)算第二目標(biāo)電壓電平TVL2(S551)，其中，第二電壓偏移VOFS2大于第一電壓偏移VOFS1?？刂菩盘?hào)生成器CSG可分別基于第一目標(biāo)電壓電平TVL1和第二目標(biāo)電壓電平TVL2生成第一電壓控制信號(hào)VCTRL1和第二電壓控制信號(hào)VCTRL2。圖2中的供電單元30可基于第一電壓控制信號(hào)VCTRL1生成高數(shù)據(jù)電壓VDH(S542)，并且可基于第二電壓控制信號(hào)VCTRL2生成低數(shù)據(jù)電壓VDL(S552)。

圖10是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示器的框圖。

參照?qǐng)D10，電致發(fā)光顯示器11包括電壓控制器21、供電單元或電源31、電流檢測(cè)單元或電流檢測(cè)器41、電壓檢測(cè)單元或電壓檢測(cè)器61和顯示面板50。電流檢測(cè)單元41和/或電壓檢測(cè)單元61可被包括在供電單元31中或形成在供電單元31的外部。

相比于圖2的電致發(fā)光顯示器10，圖10的電致發(fā)光顯示器11還包括電壓檢測(cè)單元61。其他元件基本相同，并且省略重復(fù)描述。

顯示面板51包括基于高供電電壓ELVDD、低供電電壓ELVSS、高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL來執(zhí)行數(shù)字驅(qū)動(dòng)的多個(gè)像素PX。

供電單元31基于輸入電壓VIN和電壓控制信號(hào)VCTRL生成高供電電壓ELVDD、低供電電壓ELVSS、高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL。如圖10中所示，高供電電壓ELVDD和低供電電壓ELVSS可被提供至顯示面板51。在一些實(shí)施方式中，如下面參照?qǐng)D15和圖16描述的那樣，高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL被提供至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。在其他實(shí)施方式中，如下面參照?qǐng)D17和圖18描述的那樣，高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL被提供至顯示面板。

電流檢測(cè)單元41感測(cè)提供至顯示面板51的總體電流GI，并且生成電流檢測(cè)信號(hào)CDET?？傮w電流GI可與分別流經(jīng)像素的驅(qū)動(dòng)電流之和相對(duì)應(yīng)。在一些實(shí)施方式中，總體電流與顯示面板中的所有像素的驅(qū)動(dòng)電流之和相對(duì)應(yīng)。在其他實(shí)施方式中，總體電流與顯示面板中的所有像素(例如，紅色像素、綠色像素或藍(lán)色像素)中的一部分的驅(qū)動(dòng)電流之和相對(duì)應(yīng)。將參照?qǐng)D12和圖14對(duì)電流檢測(cè)單元41的操作進(jìn)行進(jìn)一步描述。

電壓檢測(cè)單元61感測(cè)提供至顯示面板51的高供電電壓ELVDD的供給電壓電平SVL以生成表示感測(cè)出的供給電壓電平SVL的電壓檢測(cè)信號(hào)VDET。供給電壓電平SVL與在上述的歐姆壓降發(fā)生之前從供電單元31輸出的高供電電壓ELVDD的電壓電平相對(duì)應(yīng)。將參照?qǐng)D12對(duì)電壓檢測(cè)單元61的操作進(jìn)行進(jìn)一步描述。

電壓控制器21生成電壓控制信號(hào)VCTRL以使得高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL中的至少一個(gè)可基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET和電壓檢測(cè)信號(hào)VDET而改變，并且將電壓控制信號(hào)VCTRL提供至供電單元31。電壓控制器21可調(diào)節(jié)電壓控制信號(hào)VCTRL以分別控制通過供電單元31生成的高供電電壓ELVDD、低供電電壓ELVSS、高數(shù)據(jù)電壓VDH和/或低數(shù)據(jù)電壓VDL的電壓電平。電壓控制信號(hào)VCTRL可包括用于分別控制高供電電壓ELVDD、低供電電壓ELVSS、高數(shù)據(jù)電壓VDH和/或低數(shù)據(jù)電壓VDL的多個(gè)控制信號(hào)。

如上所述，電致發(fā)光顯示器11可基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET和電壓檢測(cè)信號(hào)VDET而改變高數(shù)據(jù)電壓VDH以使得用于關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管的每個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓可被基本均勻地維持。此外，電致發(fā)光顯示器11可基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET和電壓檢測(cè)信號(hào)VDET改變低數(shù)據(jù)電壓 VDL以使得用于導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓可被基本均勻地維持。

由此，根據(jù)示例性實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示器11通過改變高數(shù)據(jù)電壓VDH和/或低數(shù)據(jù)電壓VDL以使得用于導(dǎo)通或關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓可被基本均勻地維持，從而降低了電致發(fā)光顯示器11的功耗并且增強(qiáng)了顯示圖像的品質(zhì)。

圖11是示出包括在圖10的電致發(fā)光顯示器中的電壓控制器的示例性實(shí)施方式的框圖。

參照?qǐng)D7和圖11，電壓控制器20c包括電壓計(jì)算器VCAL、比較器COM、第一計(jì)算器CAL1、第二計(jì)算器CAL2、第三計(jì)算器CAL3、第四計(jì)算器CAL4和控制信號(hào)生成器CSG。與圖8的電壓控制器20a相比，圖11的電壓控制器20c還包括電壓計(jì)算器VCAL和比較器COM。其他元件基本相同，并且省略重復(fù)描述。

電壓計(jì)算器VCAL可計(jì)算輸入圖像數(shù)據(jù)DIN的平均灰度值，并且基于平均灰度值計(jì)算高供電電壓ELVDD的計(jì)算出的供給電壓電平SVLC。比較器COM可接收表示高供電電壓ELVDD的感測(cè)出的供給電壓電平SVLS的電壓檢測(cè)信號(hào)VDET。比較器COM可對(duì)感測(cè)出的供給電壓電平SVLS與計(jì)算出的供給電壓電平SVLC進(jìn)行比較，并將感測(cè)出的供給電壓電平SVLS和計(jì)算出的供給電壓電平SVLC中更高的電壓電平確定作為高供電電壓ELVDD的供給電壓電平SVL(S510)。

第一計(jì)算器CAL1可基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET計(jì)算高供電電壓ELVDD的歐姆壓降VDR(S520)。第二計(jì)算器CAL2可通過從高供電電壓ELVDD的供給電壓電平SVL減去歐姆壓降VDR而計(jì)算高供電電壓ELVDD的本地電壓電平LVL(S530)。第三計(jì)算器CAL3可通過從本地電壓電平LVL減去第一電壓偏移VOFS1而計(jì)算第一目標(biāo)電壓電平TVL1(S541)。第四計(jì)算器CAL4可通過從本地電壓電平LVL減去第二電壓偏移VOFS2而計(jì)算第二目標(biāo)電壓電平TVL2(S551)，其中，第二電壓偏移VOFS2大于第一電壓偏移VOFS1?？刂菩盘?hào)生成器CSG可分別基于第一目標(biāo)電壓電平TVL1和第二目標(biāo)電壓電平TVL2生成第一電壓控制信號(hào)VCTRL1和第二電壓控制信號(hào)VCTRL2。圖10中的供電單元31可基于第一電壓控制信號(hào)VCTRL1生成高數(shù)據(jù)電壓VDH(S542)，并且可基于第二電壓控制信號(hào)VCTRL2 生成低數(shù)據(jù)電壓VDL(S552)。

圖12是示出包括在圖10的電致發(fā)光顯示器11中的用于高供電電壓ELVDD的布線、電流檢測(cè)單元(或電流檢測(cè)器)41和電壓檢測(cè)單元(或電壓檢測(cè)器)61的視圖。

參照?qǐng)D12，高供電電壓布線M_RGB形成在顯示面板中。高供電電壓布線M_RGB可提供用于將高供電電壓ELVDD提供至顯示面板中的紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素的路徑。圖12示出了使布線M_RGB用網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)以將高供電電壓ELVDD基本均勻地提供至分布在顯示面板中的像素的非限制性示例。

參照?qǐng)D10和圖12，電流檢測(cè)單元41包括聯(lián)接至電壓供給線HLN的放大器CMP和模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC。放大器CMP或比較器可輸出與電阻器R的兩個(gè)端部之間的電壓差值相對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào)，并且模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC可將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)以生成表示總體電流GI的電流檢測(cè)信號(hào)CDET。電壓檢測(cè)單元61可包括聯(lián)接至電壓供給線HLN的感測(cè)放大器SA和模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC。感測(cè)放大器SA可放大電壓供給線HLN上的電壓以輸出模擬信號(hào)。模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC可將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)以生成表示高供電電壓ELVDD的供給電壓電平SVL的電壓檢測(cè)信號(hào)VDET。

電壓控制器21可生成電壓控制信號(hào)VCTRL以使得高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL中的至少一個(gè)可基于表示總體電流GI的電流檢測(cè)信號(hào)CDET和表示高供電電壓ELVDD的供給電壓電平SVL的電壓檢測(cè)信號(hào)VDET而改變。

圖13是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示器的框圖。

參照?qǐng)D13，電致發(fā)光顯示器12包括電壓控制器22、供電單元或電源32、電流檢測(cè)單元或電流檢測(cè)器42和顯示面板52。電流檢測(cè)單元42可被包括在供電單元32中或布置在供電單元32的外部。

顯示面板52包括基于紅色高供電電壓ELVDD_R、綠色高供電電壓ELVDD_G、藍(lán)色高供電電壓ELVDD_B和低供電電壓ELVSS操作的多個(gè)像素PX。

供電單元32基于輸入電壓VIN和電壓控制信號(hào)VCTRL生成紅色高供電電壓ELVDD_R、綠色高供電電壓ELVDD_G、藍(lán)色高供電電壓 ELVDD_B、低供電電壓ELVSS、紅色高數(shù)據(jù)電壓VDH_R、綠色高數(shù)據(jù)電壓VDH_G、藍(lán)色高數(shù)據(jù)電壓VDH_B、紅色低數(shù)據(jù)電壓VDL_R、綠色低數(shù)據(jù)電壓VDL_G和藍(lán)色低數(shù)據(jù)電壓VDL_B。供電單元32可包括生成高正電壓的升壓變換器、生成負(fù)電壓的反相降壓變換器等。提供至供電單元32的輸入電壓VIN可為來自電池的交流電壓或直流電壓，并且供電單元32中的電壓變換器可為交流-直流變換器或直流-直流變換器。

電流檢測(cè)單元42感測(cè)提供至顯示面板52的紅色總體電流GI_R、綠色總體電流GI_G和藍(lán)色總體電流GI_B，并且生成電流檢測(cè)信號(hào)CDET。將參照?qǐng)D14對(duì)電流檢測(cè)單元42的操作進(jìn)行進(jìn)一步描述。紅色總體電流GI_R、綠色總體電流GI_G和藍(lán)色總體電流GI_B之和可與總體電流GI相對(duì)應(yīng)。

電壓控制器22生成電壓控制信號(hào)VCTRL，以使得高數(shù)據(jù)電壓VDH_R、VDH_G和VDH_B以及低數(shù)據(jù)電壓VDL_R、VDL_G和VDL_B中的至少一個(gè)可基于從電流檢測(cè)單元42提供的電流檢測(cè)信號(hào)CDET而改變。電壓控制器22還將電壓控制信號(hào)VCTRL提供至供電單元32。電壓控制器22可調(diào)節(jié)電壓控制信號(hào)VCTRL以分別控制通過供電單元32生成的高供電電壓ELVDD_R、ELVDD_G和ELVDD_B、低供電電壓ELVSS、高數(shù)據(jù)電壓VDH_R、VDH_G和VDH_B以及低數(shù)據(jù)電壓VDL_R、VDL_G和VDL_B的電壓電平。電壓控制信號(hào)VCTRL可包括用于分別控制電壓的多個(gè)控制信號(hào)。

如上所述，電致發(fā)光顯示器12可基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET改變高數(shù)據(jù)電壓VDH_R、VDH_G和VDH_B以使得用于關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管的每個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓可被基本均勻地維持。此外，電致發(fā)光顯示器12可基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET改變低數(shù)據(jù)電壓VDL_R、VDL_G和VDL_B以使得用于導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓可被基本均勻地維持。

由此，根據(jù)示例性實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示器12通過改變高數(shù)據(jù)電壓VDH_R、VDH_G和VDH_B和/或低數(shù)據(jù)電壓VDL_R、VDL_G和VDL_B以使得用于導(dǎo)通或關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓可被基本均勻地維持從而降低了電致發(fā)光顯示器12的功耗并且增強(qiáng)了顯示圖像的品質(zhì)。

圖14是示出包括在圖13的電致發(fā)光顯示器12中的用于高供電電壓的布線和電流檢測(cè)單元42的視圖。

參照?qǐng)D14，紅色高供電電壓布線M_R、綠色高供電電壓布線M_G和藍(lán)色高供電電壓布線M_B形成在顯示面板中。紅色高供電電壓布線M_R可提供用于將紅色高供電電壓ELVDD_R提供至紅色像素的路徑，綠色高供電電壓布線M_G可提供用于將綠色高供電電壓ELVDD_G提供至綠色像素的路徑，并且藍(lán)色高供電電壓布線M_B可提供用于將藍(lán)色高供電電壓ELVDD_B提供至藍(lán)色像素的路徑。圖14示出了使布線M_R、M_G和M_B用網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)以將高供電電壓ELVDD_R、ELVDD_G和ELVDD_B基本均勻地提供至分布在顯示面板中的像素的非限制性示例。

參照?qǐng)D13和圖14，電流檢測(cè)單元42包括紅色電流檢測(cè)單元或紅色電流檢測(cè)器CDU_R、綠色電流檢測(cè)單元或綠色電流檢測(cè)器CDU_G和藍(lán)色電流檢測(cè)單元或藍(lán)色電流檢測(cè)器CDU_B。紅色電流檢測(cè)單元CDU_R可通過感測(cè)提供至顯示面板中的紅色像素的紅色總體電流GI_R而生成紅色電流檢測(cè)信號(hào)CDET_R。綠色電流檢測(cè)單元CDU_G可通過感測(cè)提供至顯示面板中的綠色像素的綠色總體電流GI_G而生成綠色電流檢測(cè)信號(hào)CDET_G。藍(lán)色電流檢測(cè)單元CDU_B可通過感測(cè)提供至顯示面板中的藍(lán)色像素的藍(lán)色總體電流GI_B而生成藍(lán)色電流檢測(cè)信號(hào)CDET_B。

紅色總體電流GI_R可與紅色像素的驅(qū)動(dòng)電流之和相對(duì)應(yīng)，并且連接紅色高供電電壓布線M_R與供電單元32的紅色電壓線HLN_R上的電流可被測(cè)量作為紅色總體電流GI_R。綠色總體電流GI_G可與綠色像素的驅(qū)動(dòng)電流之和相對(duì)應(yīng)，并且連接綠色高供電電壓布線M_G與供電單元32的綠色電壓線HLN_G上的電流可被測(cè)量作為綠色總體電流GI_G。藍(lán)色總體電流GI_B可與藍(lán)色像素的驅(qū)動(dòng)電流之和相對(duì)應(yīng)，并且連接藍(lán)色高供電電壓布線M_B與供電單元32的藍(lán)色電壓線HLN_B上的電流可被測(cè)量作為藍(lán)色總體電流GI_B。

電壓控制器22可生成電壓控制信號(hào)VCTRL以使得紅色、綠色和藍(lán)色高數(shù)據(jù)電壓VDH_R、VDH_G和VDH_B可分別基于紅色、綠色和藍(lán)色電流檢測(cè)信號(hào)CDET_R、CDET_G和CDET_B而改變。此外，電壓控制器22可生成電壓控制信號(hào)VCTRL以使得紅色、綠色和藍(lán)色低數(shù)據(jù)電壓VDL_R、VDL_G和VDL_B可分別基于紅色、綠色和藍(lán)色電流檢測(cè)信號(hào)CDET_R、CDET_G和CDET_B而改變。

由此，電流檢測(cè)單元42可相對(duì)于紅色、綠色和藍(lán)色像素獨(dú)立地生成電流檢測(cè)信號(hào)CDET_R、CDET_G和CDET_B，并且電壓控制器22可基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET_R、CDET_G和CDET_B獨(dú)立地控制高數(shù)據(jù)電壓VDH_R、VDH_G和VDH_B和/或低數(shù)據(jù)電壓VDL_R、VDL_G和VDL_B的電壓電平。

圖15是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示器的框圖。圖16是示出包括在圖15的電致發(fā)光顯示器中的像素的示例的電路圖。

參照?qǐng)D15，電致發(fā)光顯示器200包括具有多個(gè)像素排211的顯示面板210以及驅(qū)動(dòng)顯示面板210的驅(qū)動(dòng)單元或驅(qū)動(dòng)器220。驅(qū)動(dòng)單元220可包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器230、掃描驅(qū)動(dòng)器240、時(shí)序控制器250、供電單元260、電流檢測(cè)單元或電流檢測(cè)器270和電壓控制器(VC)251。

顯示面板210可經(jīng)由多個(gè)數(shù)據(jù)線連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器230，并且可經(jīng)由多個(gè)掃描線連接至掃描驅(qū)動(dòng)器240。顯示面板210可包括像素排211。即，顯示面板210可包括排列成具有多個(gè)排和多個(gè)列的矩陣的多個(gè)像素PX。連接至同一掃描線的一排像素PX可被稱為一個(gè)像素排211。在一些實(shí)施方式中，顯示面板210為在不使用背光單元的情況下發(fā)光的自發(fā)射型顯示面板。例如，顯示面板210為OLED顯示面板。

在一些實(shí)施方式中，如圖16中所示，顯示面板210的每個(gè)像素PX包括開關(guān)晶體管ST、存儲(chǔ)電容器CST、驅(qū)動(dòng)晶體管DT和OLED。

開關(guān)晶體管ST具有連接至數(shù)據(jù)線的第一源極/漏極端子、連接至存儲(chǔ)電容器CST的第二源極/漏極端子和連接至掃描線的柵極端子。開關(guān)晶體管ST響應(yīng)于從掃描驅(qū)動(dòng)器240接收到的掃描信號(hào)SSCAN將從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器230接收到的數(shù)據(jù)信號(hào)SDATA傳送至存儲(chǔ)電容器CST。

存儲(chǔ)電容器CST具有連接至具有本地電壓電平LVL的高供電電壓ELVDD的第一端子和連接至驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵極端子的第二端子。存儲(chǔ)電容器CST存儲(chǔ)經(jīng)由開關(guān)晶體管ST傳送過來的數(shù)據(jù)信號(hào)SDATA的高數(shù)據(jù)電壓VDH或低數(shù)據(jù)電壓VDL。

驅(qū)動(dòng)晶體管DT具有連接至高供電電壓ELVDD的第一源極/漏極端子、連接至OLED的第二源極/漏極端子和連接至存儲(chǔ)電容器CST的柵極端子。驅(qū)動(dòng)晶體管DT可根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器CST中的數(shù)據(jù)信號(hào)SDATA而 被導(dǎo)通或關(guān)斷。OLED具有連接至驅(qū)動(dòng)晶體管DT的陽電極和連接至低供電電壓ELVSS的陰電極。

OLED可基于在驅(qū)動(dòng)晶體管DT被導(dǎo)通期間從高供電電壓ELVDD流至低供電電壓ELVSS的電流而發(fā)光。每個(gè)像素PX的這種簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)或者包括兩個(gè)晶體管ST和DT以及一個(gè)電容器CST的2T1C結(jié)構(gòu)為適于大型顯示器的像素結(jié)構(gòu)的一種示例。

數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器230可經(jīng)由數(shù)據(jù)線將數(shù)據(jù)信號(hào)施加至顯示面板210。掃描驅(qū)動(dòng)器240可經(jīng)由掃描線將掃描信號(hào)施加至顯示面板210。如上所述，電壓控制器251可基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET生成電壓控制信號(hào)VCTRL。

時(shí)序控制器250可控制顯示器200的操作。如圖15中所示，電壓控制器251被包括在時(shí)序控制器250中。例如，時(shí)序控制器250將預(yù)定控制信號(hào)提供至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器230和掃描驅(qū)動(dòng)器240以控制顯示器200的操作。在一些實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器230、掃描驅(qū)動(dòng)器240和時(shí)序控制器250被實(shí)現(xiàn)為一個(gè)集成電路(IC)。在其他實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器230、掃描驅(qū)動(dòng)器240和時(shí)序控制器250被實(shí)現(xiàn)為兩個(gè)或更多個(gè)集成電路。

供電單元260可將高供電電壓ELVDD和低供電電壓ELVSS供給至顯示面板210。如上所述，電流檢測(cè)單元270可通過感測(cè)提供至顯示面板210的總體電流GI而生成電流檢測(cè)信號(hào)CDET。

如圖15和圖16中所示，供電單元260將高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL提供至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器230。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器230可基于輸入圖像數(shù)據(jù)生成具有高數(shù)據(jù)電壓VDH或低數(shù)據(jù)電壓VDL的電壓電平的數(shù)據(jù)信號(hào)SDATA。每個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)SDATA可被施加至每個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵極端子或柵電極。例如，作為數(shù)據(jù)信號(hào)SDATA的電壓電平的高數(shù)據(jù)電壓VDH或低數(shù)據(jù)電壓VDL被施加至驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵電極。

圖17是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示器的框圖。圖18是示出包括在圖17的電致發(fā)光顯示器中的像素的示例的電路圖。

在圖15的電致發(fā)光顯示器200中高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL被提供至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器230，而圖17的電致發(fā)光顯示器300中高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL被提供至顯示面板210。省略與圖15重復(fù)的描述。

在一些實(shí)施方式中，如圖18中所示，顯示面板210的每個(gè)像素包括第 一電壓選擇晶體管VT1、第二電壓選擇晶體管VT2、逆變器INV、第一開關(guān)晶體管ST1、第二開關(guān)晶體管ST2、存儲(chǔ)電容器CST、驅(qū)動(dòng)晶體管DT和OLED。

第一電壓選擇晶體管VT1具有連接至低數(shù)據(jù)電壓VDL的第一源極/漏極端子、連接至第一開關(guān)晶體管ST1的第二源極/漏極端子以及連接至數(shù)據(jù)信號(hào)SDATA的柵極端子。第二電壓選擇晶體管VT2具有連接至高數(shù)據(jù)電壓VDH的第一源極/漏極端子、連接至第二開關(guān)晶體管ST2的第二源極/漏極端子以及連接至逆變器INV的輸出(即，數(shù)據(jù)信號(hào)SDATA的逆變信號(hào))的柵極端子。

第一電壓選擇晶體管VT1和第二電壓選擇晶體管VT2可根據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)SDATA的邏輯電平選擇并傳送高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL中的一個(gè)。當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)SDATA具有邏輯低電平LL時(shí)，第一電壓選擇晶體管VT1被導(dǎo)通并且低數(shù)據(jù)電壓VDL被傳送至第一開關(guān)晶體管ST1。相反，當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)SDATA具有邏輯高電平HL時(shí)，第二電壓選擇晶體管VT2被導(dǎo)通并且高數(shù)據(jù)電壓VDH被傳送至第二開關(guān)晶體管ST2。

第一開關(guān)晶體管ST1具有連接至第一電壓選擇晶體管VT1的第一源極/漏極端子、連接至存儲(chǔ)電容器CST的第二源極/漏極端子以及連接至掃描信號(hào)SSCAN的柵極端子。第二開關(guān)晶體管ST2具有連接至第二電壓選擇晶體管VT2的第一源極/漏極端子、連接至存儲(chǔ)電容器CST的第二源極/漏極端子以及連接至掃描信號(hào)SSCAN的柵極端子。開關(guān)晶體管ST1和ST2可響應(yīng)于來自掃描驅(qū)動(dòng)器240的掃描信號(hào)SSCAN將可選擇性地傳送自電壓選擇晶體管VT1和VT2的高數(shù)據(jù)電壓VDH或低數(shù)據(jù)電壓VDL傳送至存儲(chǔ)電容器CST。

存儲(chǔ)電容器CST具有連接至具有本地電壓電平LVL的高供電電壓ELVDD的第一端子和連接至驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵極端子的第二端子。存儲(chǔ)電容器CST可存儲(chǔ)可選擇性地經(jīng)由電壓選擇晶體管VT1和VT2以及開關(guān)晶體管ST1和ST2傳送的高數(shù)據(jù)電壓VDH或低數(shù)據(jù)電壓VDL。

驅(qū)動(dòng)晶體管DT具有連接至高供電電壓ELVDD的第一源極/漏極端子、連接至OLED的第二源極/漏極端子以及連接至存儲(chǔ)電容器CST的柵極端子。驅(qū)動(dòng)晶體管DT可根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器CST中的高數(shù)據(jù)電壓VDH 或低數(shù)據(jù)電壓VDL而被導(dǎo)通或關(guān)斷。

OLED具有連接至驅(qū)動(dòng)晶體管DT的陽電極和連接至低供電電壓ELVSS的陰電極。OLED可基于在驅(qū)動(dòng)晶體管DT被導(dǎo)通期間從高供電電壓ELVDD流至低供電電壓ELVSS的電流而發(fā)光。

如圖17和圖18中所示，供電單元260將高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL提供至顯示面板210。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器230可基于輸入圖像數(shù)據(jù)生成具有邏輯高電平HL或邏輯低電平LL的數(shù)據(jù)信號(hào)SDATA。每個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)SDATA可被施加到每個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵極端子或柵電極。例如，作為數(shù)據(jù)信號(hào)SDATA的電壓電平的高數(shù)據(jù)電壓VDH或低數(shù)據(jù)電壓VDL被施加到驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵電極。高數(shù)據(jù)電壓VDH或低數(shù)據(jù)電壓VDL響應(yīng)于每個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)SDATA而被施加到每個(gè)像素PX中的驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵極端子或柵電極。

圖19是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示器的框圖。

參照?qǐng)D19，電致發(fā)光顯示器500包括顯示面板510以及驅(qū)動(dòng)顯示面板510的驅(qū)動(dòng)單元或驅(qū)動(dòng)器520。驅(qū)動(dòng)單元520包括第一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器530和第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器535、掃描驅(qū)動(dòng)器540、時(shí)序控制器550、供電單元560、電流檢測(cè)單元570和電壓控制器(VC)551。圖19的顯示器500具有與圖15的顯示器200相似的配置，除了顯示器500包括兩個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器530和535并且顯示面板510包括分別通過不同的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器530和535驅(qū)動(dòng)的上部顯示面板511和下部顯示面板515，并因此省略重復(fù)描述。

顯示面板510可被劃分成包括上部像素排513的上部顯示面板511以及包括下部像素排517的下部顯示面板515。上部顯示面板511的上部像素排513可從第一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器530接收數(shù)據(jù)信號(hào)，并且下部顯示面板515的下部像素排517可從第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器535接收數(shù)據(jù)信號(hào)。由此，上部像素排513和下部像素排517可分別通過不同的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器530和535驅(qū)動(dòng)。在一些實(shí)施方式中，掃描驅(qū)動(dòng)器540將掃描信號(hào)提供至上部顯示面板511和下部顯示面板515。在其他實(shí)施方式中，顯示器500包括分別將掃描信號(hào)提供至上部顯示面板511和下部顯示面板515的兩個(gè)掃描驅(qū)動(dòng)器。

在一些實(shí)施方式中，如參照?qǐng)D15和圖16描述的那樣，高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL被提供至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器530和535。在一些實(shí)施方式中， 如參照?qǐng)D17和圖18描述的那樣，高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL被提供至顯示面板510。

圖20是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示器的框圖。圖21是示出包括在圖20的電致發(fā)光顯示器中的像素的示例的電路圖。

參照?qǐng)D20，電致發(fā)光顯示器600可包括具有多個(gè)像素排611的顯示面板610以及驅(qū)動(dòng)顯示面板610的驅(qū)動(dòng)單元或驅(qū)動(dòng)器620。驅(qū)動(dòng)單元620可包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器630、掃描驅(qū)動(dòng)器640、時(shí)序控制器650、供電單元或電源660、電流檢測(cè)單元或電流檢測(cè)器670、發(fā)射驅(qū)動(dòng)器680和電壓控制器651。

圖20的顯示器600可具有與圖15的顯示器200相似的配置，除了顯示器600包括發(fā)射驅(qū)動(dòng)器680并且圖21的每個(gè)像素PX還包括發(fā)射控制晶體管，并因此省略重復(fù)描述。

發(fā)射驅(qū)動(dòng)器680可將發(fā)射控制信號(hào)SEM基本同步地或同時(shí)地施加到包括在顯示面板610中的所有像素PX以控制所有像素PX基本同步地或同時(shí)地發(fā)光或不發(fā)光。例如，發(fā)射驅(qū)動(dòng)器680在非發(fā)射時(shí)間過程中將具有第一電壓電平的發(fā)射控制信號(hào)SEM基本同步地或同時(shí)地施加到所有像素PX以使得所有像素PX不發(fā)光，并且可在發(fā)射時(shí)間過程中將具有第二電壓電平的發(fā)射控制信號(hào)SEM基本同步地或同時(shí)地施加到所有像素PX以使得所有像素PX基本同步地或同時(shí)地發(fā)光。

每個(gè)像素PX可響應(yīng)于發(fā)射控制信號(hào)SEM而發(fā)光或不發(fā)光。在一些實(shí)施方式中，如圖21中所示，每個(gè)像素PX包括開關(guān)晶體管ST、存儲(chǔ)電容器CST、驅(qū)動(dòng)晶體管DT、發(fā)射控制晶體管ET和OLED。例如，發(fā)射控制晶體管ET響應(yīng)于具有第一電壓電平的發(fā)射控制信號(hào)SEM而被關(guān)斷，并且響應(yīng)于具有第二電壓電平的發(fā)射控制信號(hào)SEM而被導(dǎo)通。OLED可基于在驅(qū)動(dòng)晶體管DT和發(fā)射控制晶體管ET被導(dǎo)通期間從高供電電壓ELVDD流至低供電電壓ELVSS的電流而發(fā)光。

在一些實(shí)施方式中，如參照?qǐng)D15和圖16描述的那樣，高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL被提供至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器630。在這種情況下，顯示面板610中的每個(gè)像素可具有與圖21的每個(gè)像素相等或相似的配置。在一些實(shí)施方式中，如參照?qǐng)D17和圖18描述的那樣，高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL被提供至顯示面板610。在這種情況下，雖未示出，但是顯示面板610 中的每個(gè)像素可具有發(fā)射控制晶體管ET添加至與圖18的每個(gè)像素相等或相似的配置中的配置。

圖22是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的移動(dòng)裝置的框圖。

參照?qǐng)D22，移動(dòng)裝置700包括系統(tǒng)芯片(system on chip；SoC)710和多個(gè)功能模塊740、750、760和770。移動(dòng)裝置700還可包括內(nèi)存裝置720、存儲(chǔ)裝置730和電力管理裝置780。

SoC 710控制移動(dòng)裝置700的整體操作。例如，SoC 710控制內(nèi)存裝置720、存儲(chǔ)裝置730和多個(gè)功能模塊740、750、760和770。SoC 710可為包括在移動(dòng)裝置700中的應(yīng)用處理器(AP)。

SoC 710可包括CPU 712和電力管理系統(tǒng)714。內(nèi)存裝置720和存儲(chǔ)裝置730可存儲(chǔ)用于移動(dòng)裝置700的操作的數(shù)據(jù)。內(nèi)存裝置720可包括易失性內(nèi)存裝置，例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、SRAM、移動(dòng)DRAM等。存儲(chǔ)裝置730可包括非易失性內(nèi)存裝置，例如，可擦可編程序只讀內(nèi)存(EPROM)、電可擦可編程序只讀內(nèi)存(EEPROM)、閃存、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)、電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)、納米浮柵內(nèi)存(NFGM)、聚合物隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PoRAM)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)等。在一些實(shí)施方式中，存儲(chǔ)裝置730還包括固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)、硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)、CD-ROM等。

功能模塊740、750、760和770執(zhí)行移動(dòng)裝置700的各種功能。例如，移動(dòng)裝置700包括執(zhí)行通信功能的通信模塊740(例如，碼分多址(CDMA)模塊、長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)模塊、射頻(RF)模塊、超寬帶(UWB)模塊、無線局域網(wǎng)(WLAN)模塊、全球微波互聯(lián)接入(WIMAX)模塊等)、執(zhí)行攝像功能的攝像模塊750、執(zhí)行顯示功能的顯示模塊760、執(zhí)行觸摸感測(cè)功能的觸板模塊770等。在一些實(shí)施方式中，移動(dòng)裝置700還包括全球定位系統(tǒng)(GPS)模塊、麥克風(fēng)(MIC)模塊、揚(yáng)聲器模塊、陀螺儀模塊等。然而，移動(dòng)裝置700中的功能模塊740、750、760和770并不限于此。

電力管理裝置780可將操作電壓提供至SoC 710、內(nèi)存裝置720、存儲(chǔ)裝置730和功能模塊740、750、760和770。

在一些實(shí)施方式中，顯示模塊760包括用于上述適應(yīng)性電壓控制的電 流檢測(cè)單元和電壓控制器。電流檢測(cè)單元可感測(cè)提供至顯示面板的總體電流GI以生成電流檢測(cè)信號(hào)CDET。電壓控制器可基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET而改變高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL中的至少一個(gè)。通過改變高數(shù)據(jù)電壓VDH和/或低數(shù)據(jù)電壓VDL以使得用于導(dǎo)通或關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓可被基本均勻地維持，從而能夠降低電致發(fā)光顯示器的功耗并且能夠增強(qiáng)顯示圖像的品質(zhì)。

圖23是示出包括在根據(jù)示例性實(shí)施方式的移動(dòng)裝置中的接口的框圖。

參照?qǐng)D23，移動(dòng)裝置800包括SoC 802和多個(gè)接口811、812、813、814、815、816、817、818、819、820、821、822和823。移動(dòng)裝置800可為任意移動(dòng)裝置，例如，移動(dòng)電話、智能電話、平板電腦、筆記本電腦、個(gè)人數(shù)字助手(PDA)、便攜式多媒體播放器(PMP)、數(shù)碼相機(jī)、便攜式游戲控制臺(tái)、音樂播放器、攝錄機(jī)、視頻播放器、導(dǎo)航系統(tǒng)等。

SoC 802控制移動(dòng)裝置800的整體操作。例如，SoC 802為包括在移動(dòng)裝置800中的應(yīng)用處理器(AP)。

SoC 802可經(jīng)由接口811至823中的每個(gè)與多個(gè)外圍裝置(未示出)中的每個(gè)通信。例如，接口811至823中的每個(gè)將從在功率域中每個(gè)中實(shí)現(xiàn)的多個(gè)IP中的各個(gè)IP輸出的至少一個(gè)控制信號(hào)傳送至多個(gè)外圍裝置中的每個(gè)。

例如，SoC 802經(jīng)由顯示器接口811和812中的每個(gè)控制每個(gè)平板顯示器的功率狀態(tài)和操作狀態(tài)。平板顯示器可包括LCD、LED顯示器、OLED顯示器或有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)顯示器等。

SoC 802可經(jīng)由攝錄機(jī)接口813控制攝錄機(jī)的功率狀態(tài)和操作狀態(tài)，并且可經(jīng)由TV接口814控制TV模塊的功率狀態(tài)和操作狀態(tài)，并且可經(jīng)由圖像感測(cè)器接口815控制攝像模塊或圖像感測(cè)器模塊的功率狀態(tài)和操作狀態(tài)。

SoC 802可經(jīng)由GPS接口816控制GPS模塊的功率狀態(tài)和操作狀態(tài)，可經(jīng)由UWB接口817控制UWB模塊的功率狀態(tài)和操作狀態(tài)，并且可經(jīng)由USB驅(qū)動(dòng)器接口818控制通用串行總線(USB)的功率狀態(tài)和操作狀態(tài)。

SoC 802可經(jīng)由DRAM接口819控制DRAM的功率狀態(tài)和操作狀態(tài)，可 經(jīng)由非易失性內(nèi)存接口820(例如，閃存接口)控制非易失性內(nèi)存裝置(例如，閃存)的功率狀態(tài)和操作狀態(tài)，可經(jīng)由音頻接口821控制音頻模塊的功率狀態(tài)和操作狀態(tài)，可經(jīng)由MFC接口822控制多格式編解碼器(MFC)的功率狀態(tài)，并且可經(jīng)由MP3播放器接口823控制MP3播放器的功率狀態(tài)。例如，模塊或接口可被實(shí)現(xiàn)在硬件或軟件中。

圖24是示出包括根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示裝置的電子裝置的框圖。

參照?qǐng)D24，電子裝置1000包括處理器1010、內(nèi)存裝置1020、存儲(chǔ)裝置1030、輸入/輸出(I/O)裝置1040、電源1050和顯示裝置1060。電子裝置1000還可包括用于與視頻卡、聲卡、內(nèi)存卡、通用串行總線(USB)裝置、其他電子裝置等通信的多個(gè)端部。

處理器1010可執(zhí)行各種計(jì)算功能。處理器1010可為微處理器、中央處理單元(CPU)等。處理器1010可經(jīng)由地址總線、控制總線、數(shù)據(jù)總線等聯(lián)接至其他部件。另外，處理器1010可聯(lián)接至延伸的總線，例如，外圍部件互連(PCI)總線。內(nèi)存裝置1020可存儲(chǔ)用于電子裝置1000的操作的數(shù)據(jù)。例如，內(nèi)存裝置1020包括至少一個(gè)非易失性內(nèi)存裝置(例如，可擦可編程序只讀內(nèi)存(EPROM)裝置、電可擦可編程序只讀內(nèi)存(EEPROM)裝置、閃存裝置、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)裝置、電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)裝置、納米浮柵內(nèi)存(NFGM)裝置、聚合物隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PoRAM)裝置、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)裝置、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)裝置等)、和/或至少一個(gè)易失性內(nèi)存裝置(例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)裝置、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)裝置、移動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(移動(dòng)DRAM)裝置等)。存儲(chǔ)裝置1030可為固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)裝置、硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)裝置、CD-ROM裝置等。

I/O裝置1040可為輸入裝置(例如，鍵盤、鍵區(qū)、鼠標(biāo)、觸板、觸屏、遠(yuǎn)程控制器等)、以及輸出裝置(例如，打印機(jī)、揚(yáng)聲器等)。電源1050可提供用于電子裝置1000的操作的電力。顯示裝置1060可經(jīng)由總線或其他通信鏈接與其他部件通信。

在一些實(shí)施方式中，顯示裝置1060包括用于上述適應(yīng)性電壓控制的 電流檢測(cè)單元和電壓控制器。電流檢測(cè)單元可感測(cè)提供至顯示面板的總體電流GI以生成電流檢測(cè)信號(hào)CDET。電壓控制器可基于電流檢測(cè)信號(hào)CDET而改變高數(shù)據(jù)電壓VDH和低數(shù)據(jù)電壓VDL中的至少一個(gè)。通過改變高數(shù)據(jù)電壓VDH和/或低數(shù)據(jù)電壓VDL以使得用于導(dǎo)通或關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-源電壓可被基本均勻地維持，從而能夠降低電致發(fā)光顯示器的功耗并且能夠增強(qiáng)顯示圖像的品質(zhì)。

上述實(shí)施方式可被應(yīng)用到各種類型的裝置和系統(tǒng)，例如，移動(dòng)電話、智能電話、平板電腦、筆記本電腦、個(gè)人數(shù)字助手(PDA)、便攜式多媒體播放器(PMP)、數(shù)字電視、數(shù)碼相機(jī)、便攜式游戲控制臺(tái)、音樂播放器、攝錄機(jī)、視頻播放器、導(dǎo)航系統(tǒng)等。

上文是示例性實(shí)施方式的說明，而不應(yīng)被解釋成限制示例性實(shí)施方式。雖然已對(duì)若干示例性實(shí)施方式進(jìn)行了描述，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將輕易明確，能夠?qū)κ纠詫?shí)施方式進(jìn)行多種修改，而不在實(shí)質(zhì)上背離發(fā)明技術(shù)的新穎性教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)。因此，所有這種修改旨在被包括在如權(quán)利要求書中限定的本發(fā)明概念的范圍內(nèi)。因此，應(yīng)理解，上文是各種示例性實(shí)施方式的說明，而不應(yīng)被解釋成限于所公開的具體示例性實(shí)施方式，并且對(duì)于所公開的示例性實(shí)施方式以及其他示例性實(shí)施方式的修改旨在被包括在隨附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。