柵極驅(qū)動(dòng)電路及其單元和一種amoled顯示器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種柵極驅(qū)動(dòng)電路，包括級(jí)聯(lián)的至少一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元，該單元包括：驅(qū)動(dòng)模塊，用于通過(guò)開(kāi)關(guān)狀態(tài)切換，將第一信號(hào)的有效電平傳送到柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的掃描信號(hào)輸出端，從而輸出掃描信號(hào)；輸入模塊，與驅(qū)動(dòng)模塊耦合形成自舉節(jié)點(diǎn)，響應(yīng)第一脈沖信號(hào)和第二脈沖信號(hào)的電平控制切換開(kāi)關(guān)狀態(tài)；低電平維持模塊，用于通過(guò)其低電平維持控制端切換的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，在該柵極驅(qū)動(dòng)電路單元輸出掃描信號(hào)后將驅(qū)動(dòng)模塊的掃描信號(hào)輸出端維持在低電平；發(fā)光控制模塊，其包括發(fā)光控制信號(hào)輸出端，用于向本級(jí)像素電路提供發(fā)光控制信號(hào)；發(fā)光控制模塊耦合至所述自舉節(jié)點(diǎn)，用于通過(guò)切換開(kāi)關(guān)狀態(tài)，調(diào)整其輸出的發(fā)光控制信號(hào)。實(shí)現(xiàn)了同時(shí)輸出掃描信號(hào)和發(fā)光控制信號(hào)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】柵極驅(qū)動(dòng)電路及其單元和一種AMOLED顯示器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子電路領(lǐng)域，具體涉及一種柵極驅(qū)動(dòng)電路及其單元和一種AMOLED
顯示器。

【背景技術(shù)】
[0002]近幾年里，窄邊框顯示技術(shù)發(fā)展迅速，并且開(kāi)始逐步成為主流的平板顯示技術(shù)。尤其對(duì)于智能手機(jī)和平板等中小尺寸薄膜晶體管(TFT)顯示屏而言，窄邊框顯示技術(shù)的應(yīng)用更加廣泛。窄邊框顯示技術(shù)的核心是TFT集成的柵掃描驅(qū)動(dòng)電路(Gate-driver on array,簡(jiǎn)稱(chēng)GOA)設(shè)計(jì)。采用GOA電路之后，不僅可以顯著地縮小顯示器的邊框尺寸，使得整個(gè)TFT顯示面板更加緊湊、美觀，而且還可以減少TFT平板上行列驅(qū)動(dòng)芯片的數(shù)量，以及相應(yīng)的連接線數(shù)量。此外，顯示模組的后道封裝工藝也能夠減少。于是，顯示器的制造成本可以較大幅度地降低、由于后道模組工藝發(fā)生的不良率降低，TFT屏幕的可靠性也可能得到提高。此夕卜，由于引出線數(shù)量減少，引線間節(jié)距不再?lài)?yán)重地限制高分辨率顯示器的實(shí)現(xiàn)。
[0003]傳統(tǒng)的a-Si或者poly-Si等技術(shù)由于遷移率、可靠性或者均勻性不適合于實(shí)現(xiàn)高分辨率TFT顯示面板。而近年來(lái)涌現(xiàn)的氧化物TFT技術(shù)則具有突出的優(yōu)勢(shì)，例如其遷移率較高、特性均勻以及可靠性高。例如近年來(lái)廣泛受到關(guān)注的銦鎵鋅氧化物晶體管(indiumgallium zinc oxide TFT，簡(jiǎn)稱(chēng)IGZO-TFT)，鋁鋅氧化物晶體管(AZO)，銦鋅氧化物晶體管(IZO)等等。因此，IGZO等氧化物TFT特別適合于高分辨率、大尺寸TFT顯示面板的實(shí)現(xiàn)。我國(guó)的TFT產(chǎn)業(yè)界也在積極地開(kāi)展IGZO-TFT技術(shù)的研制，但是總體而言，我國(guó)在IGZO等氧化物TFT技術(shù)上的知識(shí)產(chǎn)權(quán)積累仍然不足。
[0004]傳統(tǒng)的IGZO等氧化物TFT設(shè)計(jì)的GOA電路主要是針對(duì)TFT IXD?，F(xiàn)在以有源有機(jī)發(fā)光二極管顯不(Active Matrix Organic Light Emitting D1de, AM0LED)為代表的新型的平板顯示器等正在蓬勃地興起之中，這些新型的平板顯示器的特點(diǎn)是主動(dòng)發(fā)光、功耗更低、對(duì)比度更好等，因此它們極有可能取代TFT IXD成為下一代顯示技術(shù)。和TFT IXD一樣，AMOLED面板也需要借助于GOA技術(shù)實(shí)現(xiàn)窄邊框顯示。但是現(xiàn)有的GOA電路技術(shù)主要還是針對(duì)TFT IXD，這種情況下像素的結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，于是對(duì)應(yīng)地GOA電路的輸出也較為單一。在AMOLED的場(chǎng)合下，由于要補(bǔ)償TFT特性漂移等效應(yīng)對(duì)OLED發(fā)光的影響，因此其像素結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜。對(duì)應(yīng)地，AMOLED像素也需要較多的控制線，而這些控制信號(hào)也是常規(guī)的GOA電路無(wú)法提供的。因此，亟待研究適合于AMOLED顯示的新型的GOA電路。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N柵極驅(qū)動(dòng)電路及其單元和一種顯示器，以實(shí)現(xiàn)柵極驅(qū)動(dòng)電路及其單元同時(shí)提供掃描信號(hào)和發(fā)光控制信號(hào)。
[0006]根據(jù)第一方面，一種實(shí)施例中提供一種柵極驅(qū)動(dòng)電路及其單元，柵極驅(qū)動(dòng)電路包括級(jí)聯(lián)的至少一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元，柵極驅(qū)動(dòng)電路單元包括:驅(qū)動(dòng)模塊、輸入模塊、低電平維持模塊和發(fā)光控制模塊，其中，
[0007]驅(qū)動(dòng)模塊用于通過(guò)開(kāi)關(guān)狀態(tài)切換，將第一信號(hào)的有效電平傳送到柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的掃描信號(hào)輸出端，從而輸出掃描信號(hào)；輸入模塊與驅(qū)動(dòng)模塊耦合形成自舉節(jié)點(diǎn)，自舉節(jié)點(diǎn)響應(yīng)第一脈沖信號(hào)和第二脈沖信號(hào)的電平控制切換開(kāi)關(guān)狀態(tài)；低電平維持模塊，用于通過(guò)其低電平維持控制端切換的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，在該柵極驅(qū)動(dòng)電路單元輸出掃描信號(hào)后將驅(qū)動(dòng)模塊的掃描信號(hào)輸出端維持在低電平；發(fā)光控制模塊包括發(fā)光控制信號(hào)輸出端，用于向本級(jí)像素電路提供發(fā)光控制信號(hào)；發(fā)光控制模塊耦合至自舉節(jié)點(diǎn)，用于通過(guò)切換開(kāi)關(guān)狀態(tài)，調(diào)整其輸出的發(fā)光控制信號(hào)；第一脈沖信號(hào)的有效電平到來(lái)時(shí)間早于第一信號(hào)的有效電平到來(lái)時(shí)間，第一信號(hào)的有效電平到來(lái)時(shí)間早于第二脈沖信號(hào)的有效電平到來(lái)時(shí)間；第一信號(hào)的有效電平與第一脈沖信號(hào)和第二脈沖信號(hào)的有效電平不交疊。
[0008]根據(jù)第二方面，一種實(shí)施例中提供一種AMOLED顯示器，包括:由多個(gè)像素構(gòu)成的二維像素陣列，以及與陣列中每個(gè)像素相連的第一方向的多條數(shù)據(jù)線和第二方向的多條柵極掃描線；數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，為數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)信號(hào)；上述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，為所述柵極掃描線提供柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
[0009]依據(jù)上述實(shí)施例的柵極驅(qū)動(dòng)電路，由于柵極驅(qū)動(dòng)電路單元還包括耦合在自舉節(jié)點(diǎn)的發(fā)光控制模塊，使得在本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元切換開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)，也能夠調(diào)整發(fā)光控制模塊輸出的發(fā)光控制信號(hào)，即實(shí)現(xiàn)了由柵極驅(qū)動(dòng)電路單兀同時(shí)輸出掃描信號(hào)和發(fā)光控制信號(hào)，相應(yīng)地，能夠減少像素電路控制線的數(shù)量，降低像素電路結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1a為一種電壓型AMOLED像素電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖1b為一種具有補(bǔ)償功能的AMOLED像素電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖1c為圖1b所示像素電路的一種工作時(shí)序圖；
[0013]圖1d為AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電流的瞬態(tài)響應(yīng)對(duì)比示意圖；
[0014]圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例一公開(kāi)的一種柵極驅(qū)動(dòng)電路單元電路結(jié)構(gòu)圖；
[0015]圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例一公開(kāi)的另一種柵極驅(qū)動(dòng)電路單元電路結(jié)構(gòu)圖；
[0016]圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例一柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的一種工作時(shí)序圖；
[0017]圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例二公開(kāi)的一種柵極驅(qū)動(dòng)電路單元結(jié)構(gòu)框圖；
[0018]圖6為本申請(qǐng)實(shí)施例二公開(kāi)的一種柵極驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖7為本申請(qǐng)實(shí)施例二公開(kāi)的一種柵極驅(qū)動(dòng)電路的一種工作時(shí)序圖；
[0020]圖8為本申請(qǐng)實(shí)施例二公開(kāi)的一種柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的一種模擬工作時(shí)序圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]為便于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解本申請(qǐng)的發(fā)明構(gòu)思，首先對(duì)AMOLED像素電路進(jìn)行簡(jiǎn)單說(shuō)明。請(qǐng)參考圖1a至圖ld，圖中，Vdd為高電平，GND為地，1led為OLED的驅(qū)動(dòng)電流。圖1a為一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的電壓型AMOLED像素電路，包括了兩個(gè)晶體管(TFT):TD1和TD2，其中，TDl用于像素陣列的尋址，TD2用于產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件OLED的電流信號(hào)。通過(guò)簡(jiǎn)單的分析可以知道，這種AMOLED像素電路的驅(qū)動(dòng)電流與TD2的電學(xué)特性相關(guān)，當(dāng)TD2發(fā)生了閾值電壓的退化，或者遷移率退化之后，OLED上的驅(qū)動(dòng)電流將相應(yīng)地改變。換言之，由于TD2的退化，相同的數(shù)據(jù)電壓Vdata將對(duì)應(yīng)于不同值的OLED驅(qū)動(dòng)電流，即OLED的亮度將不同，這會(huì)損害AMOLED面板的發(fā)光質(zhì)量。為改善AMOLED像素的驅(qū)動(dòng)效果，許多的研究者提出了各式的具有VTH或者遷移率補(bǔ)償功能的AMOLED像素電路。譬如，圖1b即為一種典型的具有補(bǔ)償功能的AMOLED像素電路:在通常的數(shù)據(jù)電流IDATA(或者數(shù)據(jù)電壓)、柵極掃描信號(hào)％_之夕卜，一般還需要有發(fā)光控制信號(hào)E[n]的控制。圖1c是圖1b所示的具有補(bǔ)償功能的AMOLED像素電路的工作時(shí)序圖。圖1c表明，發(fā)光控制信號(hào)Vem與柵極掃描信號(hào)Vsoffl大體上邏輯相反。但是，根據(jù)補(bǔ)償原理的不同，發(fā)光控制信號(hào)的上升沿和柵極掃描信號(hào)的下降沿之間可能需要存在有一定的時(shí)間間隔(偏差量)。圖1d比較了如圖1a所示的普通AMOLED像素電路和如圖1b所示的具有補(bǔ)償功能的AMOLED像素電路中的驅(qū)動(dòng)電流。圖1d分別示出了閾值電壓Λ Vth漂移量為0，I，2，3V時(shí)，AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電流的瞬態(tài)響應(yīng)。圖1d上圖表明，普通的AMOLED像素電路中，隨著閾值電壓的漂移，OLED的驅(qū)動(dòng)電路呈現(xiàn)出顯著的分散性，當(dāng)閾值電壓漂移達(dá)到4V時(shí)，其驅(qū)動(dòng)電流的退化幅度超過(guò)90% ;圖1d下圖表明，當(dāng)采用具有補(bǔ)償功能的AMOLED像素電路之后，即使閾值電壓存在4V的漂移，OLED的驅(qū)動(dòng)電流仍然保持著較為穩(wěn)定的值。因此，實(shí)用的AMOLED像素電路必須是有補(bǔ)償功能的。但是，對(duì)于如圖1b所示的具有補(bǔ)償功能的AMOLED像素電路，TFT面板不僅需要有柵極掃描信號(hào)，而且還需要與柵極掃描信號(hào)反相的發(fā)光控制信號(hào)。
[0022]通常，柵極驅(qū)動(dòng)電路(單元)不僅可以輸出掃描信號(hào)S[n](用于向像素電路提供柵極掃描信號(hào)Vscan)，而且其電路內(nèi)部一般還有兩路相關(guān)信號(hào):自舉節(jié)點(diǎn)Q上電壓和低電平維持控制端的電壓。利用這三種信號(hào)并配合外部的時(shí)鐘信號(hào)，能夠較靈活地產(chǎn)生AMOLED面板所需要的發(fā)光控制信號(hào)E[n]等其他信號(hào)來(lái)。此外，由于AMOLED像素電路需要一定的時(shí)間來(lái)做TFT或者OLED的特性漂移補(bǔ)償，因此，對(duì)GOA產(chǎn)生的信號(hào)有一定要求，例如S [η]和E[η]具有一定的偏移量。而S[n]和E[n]的偏移量也可能通過(guò)上述三種信號(hào)的波形控制來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0023]為使本申請(qǐng)的申請(qǐng)目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面通過(guò)【具體實(shí)施方式】結(jié)合附圖對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0024]首先對(duì)一些術(shù)語(yǔ)進(jìn)行說(shuō)明:
[0025]本申請(qǐng)中的晶體管可以為雙極型晶體管或場(chǎng)效應(yīng)晶體管。當(dāng)晶體管為雙極型晶體管時(shí)，其控制極是指雙極型晶體管的基極，第一極可以為雙極型晶體管的集電極或發(fā)射極，對(duì)應(yīng)的第二極可以為雙極型晶體管的發(fā)射極或集電極；當(dāng)晶體管為場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí)，其控制極是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極，第一極可以為場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極或源極，對(duì)應(yīng)的第二極可以為場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極或漏極。顯示器中的晶體管通常為一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管:薄膜晶體管(TFT)。下面以晶體管為場(chǎng)效應(yīng)晶體管為例對(duì)本申請(qǐng)做詳細(xì)的說(shuō)明，在其它實(shí)施例中晶體管也可以是雙極型晶體管。
[0026]偏差量是指兩路信號(hào)之間，其中一路的有效電平結(jié)束時(shí)到另一路有效電平開(kāi)始時(shí)之間的時(shí)間間隔。譬如當(dāng)有效電平為高電平時(shí)，其中一路的下降沿與另一路的上升沿之間的時(shí)間間隔。
[0027]交疊是指兩路信號(hào)至少在某一相同時(shí)刻都處于有效電平狀態(tài)，因此，不交疊為兩路信號(hào)沒(méi)有共同處于有效電平狀態(tài)的時(shí)刻。
[0028]本實(shí)施中有效電平為高電平，在其它可替換的實(shí)施例中，也可以根據(jù)選取的晶體管確定有效電平為低電平。
[0029]實(shí)施例一:
[0030]請(qǐng)參考圖2，為本實(shí)施例公開(kāi)的一種柵極驅(qū)動(dòng)電路單元電路結(jié)構(gòu)圖，包括:驅(qū)動(dòng)模塊20、輸入模塊10、低電平維持模塊30和發(fā)光控制模塊40，其中，
[0031]輸入模塊10與驅(qū)動(dòng)模塊20耦合形成自舉節(jié)點(diǎn)Q，自舉節(jié)點(diǎn)Q響應(yīng)第一脈沖信號(hào)V11和第二脈沖信號(hào)V12的電平控制切換開(kāi)關(guān)狀態(tài)。例如用于從第一脈沖信號(hào)輸入端輸入第一脈沖信號(hào)V11,給自舉節(jié)點(diǎn)Q充電提供驅(qū)動(dòng)電壓；還用于從第二脈沖信號(hào)輸入端輸入第二脈沖信號(hào)V12，將自舉節(jié)點(diǎn)Q耦合至低電平端。在一種具體實(shí)施例中，輸入模塊10可以包括用于輸入第一脈沖信號(hào)V11的第一晶體管Tl以及用于輸入第二脈沖信號(hào)V12的第三晶體管T3，其中，第一晶體管Tl的控制極(例如柵極)耦合至第一極(例如漏極)，用于輸入第一脈沖信號(hào)V11 ;第一晶體管Tl的第二極(例如源極)耦合至第三晶體管T3的第一極(例如漏極)形成自舉節(jié)點(diǎn)Q ;第三晶體管T3的控制極(例如柵極)用于輸入第二脈沖信號(hào)V12,第二極(例如源極)用于耦合至低電平端。在其它實(shí)施例中，也可以是其它現(xiàn)有的輸入方式。需要說(shuō)明的是，自舉節(jié)點(diǎn)Q完成充電和放電過(guò)程即完成了柵極驅(qū)動(dòng)電路單元開(kāi)關(guān)狀態(tài)的切換。
[0032]驅(qū)動(dòng)模塊20用于通過(guò)開(kāi)關(guān)狀態(tài)切換，將第一信號(hào)Va的有效電平傳送到柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的掃描信號(hào)輸出端，從而輸出掃描信號(hào)S[n]。在自舉節(jié)點(diǎn)Q充電獲得驅(qū)動(dòng)電壓后，將第一信號(hào)Va傳送到柵極驅(qū)動(dòng)電路單兀的信號(hào)輸出端。在一種具體實(shí)施例中,驅(qū)動(dòng)模塊20可以包括用于耦合到柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的掃描信號(hào)輸出端的第二晶體管T2和用于存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)控制端Q電荷的第一電容Cl，例如，第二晶體管T2的控制極(例如柵極)耦合至自舉節(jié)點(diǎn)Q，第一極(例如漏極)用于輸入第一信號(hào)VA，第二極(例如源極)為柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的掃描信號(hào)輸出端；第一電容Cl分別耦合至第二晶體管T2的控制極(例如柵極)和第二極(例如源極)之間。在其它實(shí)施例中，也可以是其它現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)方式。
[0033]低電平維持模塊30用于通過(guò)其低電平維持控制端切換的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，在該柵極驅(qū)動(dòng)電路單元輸出掃描信號(hào)后將驅(qū)動(dòng)模塊20的掃描信號(hào)輸出端維持在低電平。在一具體實(shí)施例中，低電平維持模塊30包括第五晶體管T5和第八晶體管T8，第五晶體管T5和第八晶體管T8的控制極(例如柵極)為其低電平維持控制端，耦合至發(fā)光控制模塊40的發(fā)光控制信號(hào)輸出端；第五晶體管T5和第八晶體管T8的第二極(例如源極)用于耦合至低電平端；第五晶體管T5的第一極(例如漏極)耦合至掃描信號(hào)輸出端；第八晶體管T8的第一極(例如漏極)耦合至自舉節(jié)點(diǎn)Q ;在低電平維持控制端獲得有效電平時(shí)，第五晶體管T5和第八晶體管T8導(dǎo)通，分別將掃描信號(hào)輸出端和自舉節(jié)點(diǎn)Q耦合至低電平端，維持掃描信號(hào)輸出端和自舉節(jié)點(diǎn)Q的低電平。在另一具體實(shí)施例中，低電平維持模塊30還可以包括第四晶體管T4，第四晶體管T4的第一極(例如漏極)耦合至掃描信號(hào)輸出端，第二極(例如源極)用于耦合至低電平端，控制極(例如柵極)用于輸入第二脈沖信號(hào)V12，第四晶體管T4響應(yīng)第二脈沖信號(hào)V12的有效電平導(dǎo)通將掃描信號(hào)輸出端耦合至低電平端，當(dāng)然，也能實(shí)現(xiàn)第一電容Cl的放電過(guò)程。在其它實(shí)施例中，也可以是其它現(xiàn)有的低電平維持方式，或者增加/減少若干元器件。
[0034]需要說(shuō)明的是，上述各個(gè)模塊只是以示例的方式原理性地闡述柵極驅(qū)動(dòng)電路單元，各模塊均可采用現(xiàn)有的技術(shù)方案，因此，上述各模塊中，有些細(xì)節(jié)并未詳細(xì)描述，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員依據(jù)現(xiàn)有的技術(shù)方案能夠?qū)崿F(xiàn)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元各模塊之間的連接。
[0035]發(fā)光控制模塊40包括發(fā)光控制信號(hào)輸出端，用于向本級(jí)像素電路提供發(fā)光控制信號(hào)E [η];發(fā)光控制模塊40耦合至自舉節(jié)點(diǎn)Q，用于通過(guò)切換開(kāi)關(guān)狀態(tài)，調(diào)整其輸出的發(fā)光控制信號(hào)E[η]。
[0036]本實(shí)施例中,各時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)序關(guān)系應(yīng)滿(mǎn)足如下條件:第一脈沖信號(hào)V11的有效電平到來(lái)時(shí)間早于第一信號(hào)Va的有效電平到來(lái)時(shí)間，第一信號(hào)Va的有效電平到來(lái)時(shí)間早于第二脈沖信號(hào)V12的有效電平到來(lái)時(shí)間；第一信號(hào)Va的有效電平與第一脈沖信號(hào)V11和第二脈沖信號(hào)V12的有效電平不交疊。
[0037]請(qǐng)參考圖2和圖3，在具體實(shí)施例中，發(fā)光控制模塊40包括:第六晶體管Τ6、第七晶體管Τ7和第九晶體管T9，其中，第六晶體管Τ6的第一極(例如漏極)和第七晶體管Τ7的第一極(例如漏極)用于耦合至高電平端；第六晶體管Τ6的第二極(例如源極)耦合至第七晶體管Τ7的控制極(例如柵極)；第六晶體管Τ6的控制極(例如柵極)用于耦合至高電平端(如圖3所示)或者用于輸入第一信號(hào)Va(如圖2所示)；第七晶體管Τ7的第二極(例如源極)耦合至第九晶體管T9的第一極(例如漏極)形成發(fā)光控制信號(hào)輸出端；第九晶體管T9的控制極(例如柵極)耦合至自舉節(jié)點(diǎn)Q ;第九晶體管T9的第二極(例如源極)用于耦合至低電平端；低電平維持模塊30的低電平維持控制端耦合至發(fā)光控制信號(hào)輸出端。
[0038]為方便后續(xù)的描述，本實(shí)施例、后續(xù)實(shí)施例以及其它實(shí)施例中，假設(shè)各時(shí)鐘信號(hào)和脈沖信號(hào)的高電平(高電位)值為VH，低電平(低電位)值為vss。
[0039]請(qǐng)參考圖4，為本實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)電路單元模擬的工作時(shí)序圖，下面將結(jié)合圖4具體說(shuō)明圖2和圖3所示柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的工作工程。
[0040]( I )對(duì)于驅(qū)動(dòng)模塊20和輸入模塊10
[0041]第一脈沖信號(hào)V11和第二脈沖信號(hào)V12的有效電平(例如高電平，下同)相繼到來(lái)時(shí)，本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元處于選通階段，完成本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元信號(hào)輸出端輸出掃描信號(hào)S [η]的上拉和下拉過(guò)程，該階段為柵極驅(qū)動(dòng)電路單元驅(qū)動(dòng)模塊20和輸入模塊10的工作階段。
[0042]第一脈沖信號(hào)V11的有效電平到來(lái)時(shí)，第一信號(hào)￥4和第二脈沖信號(hào)V12均為低電平。此時(shí)，第一晶體管Tl導(dǎo)通，第一脈沖信號(hào)V11通過(guò)導(dǎo)通的第一晶體管Tl對(duì)自舉節(jié)點(diǎn)Q充電，并將電荷存儲(chǔ)在第一電容Cl中，由于Q點(diǎn)被上拉到高電平電壓，于是第二晶體管Τ2被打開(kāi)，此時(shí)，第二晶體管Τ2的控制極-第二極(例如柵極-源極，下同)之間也存儲(chǔ)了高電平電壓。
[0043]第一信號(hào)Va的有效電平到來(lái)時(shí)，第一脈沖信號(hào)V11的有效電平結(jié)束，變?yōu)榈碗娖?，此時(shí)，第二脈沖信號(hào)V12依舊為低電平。與第二晶體管Τ2控制極(例如柵極)相連的第一晶體管Tl和第三晶體管Τ3均處于關(guān)閉狀態(tài)，因此，第二晶體管Τ2的控制極(例如柵極)處于懸浮狀態(tài)；第二晶體管Τ2的第一極(例如漏極)電壓被上拉到與第一信號(hào)Va等幅值的高電平電壓，第二晶體管Τ2的柵極-源極之間的電壓被自舉到更高的電位。
[0044]第二脈沖信號(hào)V12的有效電平到來(lái)時(shí)，第三晶體管Τ3和第四晶體管Τ4均導(dǎo)通，于是，第二晶體管Τ2的控制極(例如柵極)和第一極(例如漏極)分別被第三晶體管Τ3和第四晶體管Τ4耦合到低電平端，從而該兩極的電位被下拉到低電平電壓Vss。
[0045]( II )對(duì)于低電平維持模塊30
[0046]在掃描信號(hào)輸出端電位下拉至低電平'之后，本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元進(jìn)入非選通狀態(tài)。掃描信號(hào)輸出端的輸出掃描信號(hào)S[n]的電位必須維持在低電平，以避免與掃描信號(hào)輸出端相連的顯示器像素中的開(kāi)關(guān)晶體管誤導(dǎo)通，導(dǎo)致圖像信息寫(xiě)入錯(cuò)誤，該過(guò)程為維持階段。
[0047]此外，對(duì)于驅(qū)動(dòng)模塊20，第二晶體管T2的柵極和源極的電壓容易受到時(shí)鐘饋通效應(yīng)的影響，它們的電壓會(huì)跟隨第一信號(hào)Va的改變而浮動(dòng)。而對(duì)于GOA電路而言，在柵極掃描信號(hào)之外，大部分的時(shí)候GOA電路的輸出應(yīng)該是處于低電平維持狀態(tài)。第二晶體管T2的柵極和源極的電壓的浮動(dòng)可能會(huì)在柵極驅(qū)動(dòng)電路鏈路中傳遞，導(dǎo)致GOA輸出的柵極掃描信號(hào)在低電平維持部分出現(xiàn)幅值較大的噪聲電壓，而且這種噪聲電壓有可能逐級(jí)累積，最終導(dǎo)致GOA電路輸出的邏輯紊亂。
[0048]為了抑制時(shí)鐘饋通效應(yīng)的影響，在GOA電路中引入了低電平維持模塊30，在其低電平維持控制端獲得有效電平時(shí)，第五晶體管T5和第八晶體管T8導(dǎo)通，分別將自舉節(jié)點(diǎn)Q和掃描信號(hào)輸出端I禹合至低電平端，維持在低電平電壓Vss,從而維持GOA電路輸出的柵極掃描信號(hào)的低電平電壓。
[0049]需要說(shuō)明的是，在低電平維持階段，發(fā)光控制信號(hào)E[n]應(yīng)保持高電平，因此，在本實(shí)施例中，低電平維持控制端耦合至發(fā)光控制信號(hào)輸出端，低電平維持控制端的有效電平由發(fā)光控制信號(hào)E [η]提供。
[0050]以上主要為產(chǎn)生GOA的柵極掃描信號(hào)S[n]。發(fā)光控制模塊40則用于產(chǎn)生GOA的發(fā)光控制信號(hào)E [η]。
[0051 ] (III)對(duì)于發(fā)光控制模塊40
[0052]大體上，發(fā)光控制信號(hào)E [η]的電平邏輯與柵極掃描信號(hào)S [η]是相反的:當(dāng)柵極掃描信號(hào)S [η]為低電平時(shí),發(fā)光控制信號(hào)E [η]為高電平；反之在柵極掃描信號(hào)S [η]為高電平時(shí)，發(fā)光控制信號(hào)Ε[η]為低電平。這種時(shí)序的控制主要是因?yàn)锳MOLED像素電路有驅(qū)動(dòng)電流補(bǔ)償和發(fā)光這兩個(gè)階段。因此，以上這兩個(gè)狀態(tài)分別對(duì)應(yīng)于發(fā)光和驅(qū)動(dòng)電流補(bǔ)償階段柵極掃描信號(hào)S[n]和發(fā)光控制信號(hào)E[n]的電平狀態(tài)。
[0053]如圖2和圖3所示的柵極驅(qū)動(dòng)電路單元電路中，發(fā)光控制模塊40包括第六晶體管T6、第七晶體管T7和第九晶體管T9。下面將根據(jù)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元工作的階段來(lái)闡釋發(fā)光信號(hào)控制部分的工作原理。
[0054](3.1) Q點(diǎn)為高電平階段
[0055]在預(yù)充電或者自舉時(shí)段，Q點(diǎn)為高電平，因此第九晶體管T9被打開(kāi)，發(fā)光控制信號(hào)輸出端被稱(chēng)合到低電平端，發(fā)光控制信號(hào)E [η]被下拉到低電平電壓。
[0056]在一種具體實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖2,由于在Q點(diǎn)的預(yù)充電階段,第一信號(hào)Va為低電平，因此第六晶體管Τ6為關(guān)閉狀態(tài)，第七晶體管Τ7的控制極(例如柵極)變成懸浮，于是第七晶體管Τ7的控制極(例如柵極)電位會(huì)隨著Ε[η]電壓的降低而降低，第七晶體管Τ7的導(dǎo)通能力下降，這有利于發(fā)光控制信號(hào)Ε[η]被更充分地下拉到低電平電壓。而在Q點(diǎn)的自舉階段，第一信號(hào)\變?yōu)楦唠娖?，于是第六晶體管Τ6被打開(kāi)，第七晶體管Τ7的柵極被上拉到高電平電壓Vh，第七晶體管Τ7的控制極-第二極之間(例如柵極-源極之間)建立起電壓差vH-'。
[0057]另一種具體實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖3，第六晶體管T6的控制極(例如柵極)與第一極(例如漏極)耦合，均用于耦合至高電平端，用于輸入高電平電壓Vh，于是，第六晶體管T6和第七晶體管Τ7在高電平Vh的控制下保持導(dǎo)通。在Q點(diǎn)的預(yù)充電階段，由于第六晶體管Τ6導(dǎo)通，第七晶體管Τ7等效于一個(gè)數(shù)值較小的電阻。在Q點(diǎn)的預(yù)充電階段，導(dǎo)通的第九晶體管T9將第七晶體管Τ7的第二極(例如源極)即發(fā)光控制信號(hào)Ε[η]輸出端耦合至低電平端；而在Q點(diǎn)的自舉階段，第九晶體管T9被更充分地打開(kāi)，于是第九晶體管T9可以等效為一個(gè)更小的電阻，而第七晶體管Τ7的控制極(例如柵極)保持高電平電壓Vh，于是，第七晶體管Τ7的控制極-第二極之間(例如柵極-源極之間)也建立起電壓差。
[0058](3.2) Q點(diǎn)被下拉到低電平
[0059]在自舉節(jié)點(diǎn)Q被下拉到低電平時(shí)，第一信號(hào)Va為低電平。
[0060]在一種具體實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖2,由于第一信號(hào)\為低電平，于是，第六晶體管Τ6再次關(guān)閉，第七晶體管Τ7的控制極(例如柵極)成為懸浮狀態(tài)。但是由于Τ7已經(jīng)在(3.1)階段預(yù)先被開(kāi)啟，所以第七晶體管Τ7等效于一個(gè)數(shù)值較小的電阻。而第七晶體管Τ7的第二極(例如源極)耦合的是AMOLED面板上整行像素中發(fā)光控制晶體管的控制極(例如柵極)，因此，第七晶體管Τ7的第二極(例如源極)上所連接的負(fù)載可以等效于一系列串聯(lián)在一起的RC串。高電平電壓Vh通過(guò)導(dǎo)通的第七晶體管Τ7管給發(fā)光控制信號(hào)輸出端上的RC負(fù)載充電，將發(fā)光控制信號(hào)輸出端的電位上拉到高電平。
[0061]在另一種具體實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖3，由于自舉節(jié)點(diǎn)Q被下拉到低電平，第九晶體管T9斷開(kāi)，而第六晶體管Τ6和第七晶體管Τ7在高電平Vh的控制下導(dǎo)通。此時(shí)，第七晶體管Τ7也等效于一個(gè)數(shù)值較小的電阻，而第七晶體管Τ7的第二極(例如源極)耦合的是AMOLED面板上整行像素中發(fā)光控制晶體管的控制極(例如柵極)，于是，高電平電壓Vh可以通過(guò)導(dǎo)通的第七晶體管Τ7給發(fā)光控制信號(hào)輸出端上的RC負(fù)載充電，將發(fā)光控制信號(hào)輸出端的電位上拉到高電平。
[0062]請(qǐng)參考圖4，柵極驅(qū)動(dòng)電路單元掃描信號(hào)輸出端上的負(fù)載為電阻1500歐姆，電容150pF ;發(fā)光控制信號(hào)輸出端上的負(fù)載為電阻1500歐姆，電容150pF ;第一脈沖信號(hào)V11和第二脈沖信號(hào)V12分別超前和滯后于掃描信號(hào)S[n] —個(gè)脈沖寬度。掃描信號(hào)S[n]的脈沖輸出后，其電壓變化為低電平時(shí)，發(fā)光控制信號(hào)E[n]的電壓開(kāi)始上升并且快速地達(dá)到高電平電壓。換言之，S[n]和E[n]的狀態(tài)變化過(guò)程幾乎同步的，期間并沒(méi)有插入新的時(shí)間偏差量(offset)，所以相應(yīng)的其偏差量為O。發(fā)光控制信號(hào)E[n]的上升過(guò)程較快，這是因?yàn)橥ㄟ^(guò)自舉效應(yīng)，第七晶體管T7具有較強(qiáng)的上拉能力。
[0063]通過(guò)簡(jiǎn)單的分析就可以得到，如果不采用圖2所示的這種第六晶體管T6和第七晶體管T7上拉結(jié)構(gòu),那么由于發(fā)光控制信號(hào)輸出端上存在較大的負(fù)載電阻和電容,于是輸出電壓上升速度將嚴(yán)重地受限，而且其幅度較之Vh也會(huì)低一個(gè)閾值電壓左右。在自舉節(jié)點(diǎn)Q預(yù)充電或者自舉階段，E[n]的低電平能夠下拉到接近'，這主要是因?yàn)榈诰啪w管T9的柵極受到自舉節(jié)點(diǎn)Q的調(diào)制，由于自舉節(jié)點(diǎn)Q的電壓幅度較高，因此第九晶體管T9具有較強(qiáng)的下拉能力。
[0064]需要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例中可能存在直流通路的問(wèn)題即Q點(diǎn)為高電平時(shí)，第七晶體管T7和第九晶體管T9同時(shí)導(dǎo)通，于是E [η]的低電平取決于Τ7和T9的導(dǎo)通電阻的分壓，其實(shí)際值高于\ ;另外，掃描信號(hào)S [η]和發(fā)光控制信號(hào)E [η]不存在偏差量，而當(dāng)掃描信號(hào)S[n]和發(fā)光控制信號(hào)E[n]存在偏差量時(shí)，請(qǐng)參考圖3，發(fā)光控制模塊40應(yīng)優(yōu)選還包括:第十晶體管T10。第十晶體管TlO的控制極(例如柵極)耦合至自舉節(jié)點(diǎn)Q ;第十晶體管TlO的第一極(例如漏極)耦合至第七晶體管T7的控制極(例如柵極)；第十晶體管TlO的第二極(例如源極)用于耦合至低電平端。在這種改進(jìn)的發(fā)光控制模塊40作用下，第七晶體管T7的控制極和第二極(例如柵極和源極)分別由第十晶體管TlO和第九晶體管T9連接到低電平電壓，于是在自舉節(jié)點(diǎn)Q的預(yù)充電或自舉時(shí)段，第七晶體管T7的柵極-源極電壓差等于0，其工作于關(guān)斷區(qū)域。雖然這個(gè)時(shí)段(Q點(diǎn)為高電平時(shí)段)中，第六晶體管T6仍然處于開(kāi)啟狀態(tài)，但是相比于第七晶體管T7，第六晶體管T6只是起到輔助作用，其寬長(zhǎng)比的設(shè)計(jì)值一般遠(yuǎn)小于第七晶體管T7的寬長(zhǎng)比，于是第七晶體管T7的控制極(例如柵極)電位還是能夠更好地被拉低。另外，掃描信號(hào)S[n]和發(fā)光控制信號(hào)E[n]在偏差量期間，自舉節(jié)點(diǎn)Q為高電平，第九晶體管T9和第十晶體管TlO分別將發(fā)光掃描信號(hào)S[n]和第七晶體管T7的控制極(例如柵極)下拉到低電平電壓。于是，掃描信號(hào)S[n]和發(fā)光控制信號(hào)E[η]在偏差量期間均較好地保持著低電平狀態(tài)。另一方面，當(dāng)Q點(diǎn)為低電平時(shí)，第九晶體管T9和第十晶體管TlO處于關(guān)閉狀態(tài)，第六晶體管Τ6和第七晶體管Τ7被打開(kāi)，而且第七晶體管Τ7的控制極(例如柵極)會(huì)由于自舉效應(yīng)而抬高到高于Vh的狀態(tài)，于是發(fā)光控制信號(hào)Ε[η]能夠無(wú)電平損失地被抬高到VH。
[0065]需要說(shuō)明的是，圖2所示的實(shí)施例中未示出第十晶體管T10，根據(jù)上述描述，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在優(yōu)選的實(shí)施例中，圖2所示的柵極驅(qū)動(dòng)電路單元也可以包括第十晶體管T10，具體連接關(guān)系與上述實(shí)施例相同，在此不再贅述。
[0066]綜上所述，本實(shí)施例公開(kāi)的柵極驅(qū)動(dòng)電路單元電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，而且用作柵極驅(qū)動(dòng)電路單元時(shí)，不僅能夠產(chǎn)生出來(lái)柵極掃描信號(hào)，還能夠產(chǎn)生具有較強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力的發(fā)光控制信號(hào)，而且所產(chǎn)生的發(fā)光控制信號(hào)與柵極掃描信號(hào)之間具有正確的時(shí)序配合關(guān)系，能夠滿(mǎn)足AMOLED面板驅(qū)動(dòng)的要求。
[0067]實(shí)施例二:
[0068]級(jí)聯(lián)上述實(shí)施例公開(kāi)的柵極驅(qū)動(dòng)電路單元，本實(shí)施例公開(kāi)了一種柵極驅(qū)動(dòng)電路。請(qǐng)參考圖5，為本實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的一種電路結(jié)構(gòu)框圖，每級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元需要有5個(gè)輸入信號(hào):高電平信號(hào)Vh、低電平信號(hào)Vss、第一信號(hào)VA(時(shí)鐘信號(hào))、第一脈沖信號(hào)V11和第二脈沖信號(hào)Vk，其輸出兩路信號(hào):掃描信號(hào)S[η]和發(fā)光控制信號(hào)E[η]。
[0069]根據(jù)柵極驅(qū)動(dòng)電路與有源TFT面板的時(shí)序配合關(guān)系，通過(guò)簡(jiǎn)單的推理可以得到，采用圖5所示的柵極驅(qū)動(dòng)電路單元組成完整的柵極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，高電平和低電平端子可以短接到一起；近鄰級(jí)的時(shí)鐘信號(hào)之間應(yīng)該具有一定的相位偏斜；各級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元第一脈沖信號(hào)V11和第二脈沖信號(hào)V12可以取自近鄰的柵極驅(qū)動(dòng)電路單元。
[0070]從圖4所示的單級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的時(shí)序圖可知，柵極驅(qū)動(dòng)電路單元輸出的掃描信號(hào)S[n]的有效電平截取自第一信號(hào)Va(時(shí)鐘信號(hào))的某一次高電平脈沖。因此，第一信號(hào)Va的設(shè)置應(yīng)該根據(jù)所要求的掃描信號(hào)來(lái)確定。例如，當(dāng)所要求的掃描信號(hào)S[n]是交疊的，則要求一組交疊的時(shí)鐘信號(hào)；當(dāng)所要求的柵極掃描信號(hào)是非交疊的，則要求一組不交疊的時(shí)鐘信號(hào)。
[0071]請(qǐng)參考圖6，為本實(shí)施例公開(kāi)的一種柵極驅(qū)動(dòng)電路，其中，S[n]和E[n]分別表示第η級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的輸出掃描信號(hào)和發(fā)光控制信號(hào)，η = 1、2、3、4……。該柵極驅(qū)動(dòng)電路包括:
[0072]多個(gè)級(jí)聯(lián)的柵極驅(qū)動(dòng)電路單元。
[0073]多條時(shí)鐘線(CLK1和CLK2等)，用于向各級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元傳輸所需時(shí)鐘信號(hào)
(第一信號(hào)Va)。
[0074]啟動(dòng)信號(hào)線STV，耦合至首級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的第一脈沖信號(hào)V11的輸入端，用于向首級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元發(fā)送啟動(dòng)信號(hào)以啟動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)始工作。
[0075]高電平線和公共地線分別耦合至每一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的高電平端和低電平端，為每一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元提供高電平信號(hào)和低電平信號(hào)。
[0076]具體地，本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的第一脈沖信號(hào)V11應(yīng)該對(duì)應(yīng)地取自超前該級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的掃描信號(hào)，本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的第二脈沖信號(hào)V12應(yīng)該對(duì)應(yīng)地取自滯后該級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的掃描信號(hào)。在具體實(shí)施例中，超前和滯后的級(jí)數(shù)基于本級(jí)欲輸出掃描信號(hào)S[n]和發(fā)光控制信號(hào)E[n]的時(shí)序確定。在一種實(shí)施例中，本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的第一脈沖信號(hào)V11和第二脈沖信號(hào)V12分別由其前一級(jí)和后一級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的掃描信號(hào)輸出端提供。在另一種實(shí)施例中，本級(jí)欲輸出掃描信號(hào)S[n]和發(fā)光控制信號(hào)E[η]的偏差量為k倍第二脈沖信號(hào)V12的有效電平寬度，本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的第二脈沖信號(hào)V12則由滯后其k+Ι級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的掃描信號(hào)輸出端提供，其中，k為不超過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元總數(shù)的正整數(shù)。下文具體說(shuō)明:
[0077]在第一種實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖6，CLK1和CLK2提供的為兩個(gè)占空比為50%的時(shí)鐘信號(hào)，它們的脈沖不交疊。對(duì)于第m級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元而言，其第一脈沖信號(hào)V11輸入節(jié)點(diǎn)連接到第m-Ι級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的輸出掃描信號(hào)輸出端，其第二脈沖信號(hào)V12輸入節(jié)點(diǎn)連接到第m+1級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的輸出掃描信號(hào)輸出端。奇數(shù)級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的第一信號(hào)\由時(shí)鐘線CLKl提供，偶數(shù)級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的第一信號(hào)Va由時(shí)鐘線CLK2提供。對(duì)于包括η級(jí)單元的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其輸出包括η級(jí)的掃描信號(hào)S [I]?S[n],以及η級(jí)的發(fā)光控制信號(hào)E [I]?E [η]。請(qǐng)參考圖7，為該實(shí)例柵極驅(qū)動(dòng)電路的模擬結(jié)果。其中，S[0]和S [5]是第O行和第5行的柵極掃描信號(hào),S [I]?S [4]以及E [I]?E [4]是柵極驅(qū)動(dòng)電路的輸出信號(hào)。而且在各級(jí)掃描信號(hào)S[I]?S[4]輸出端和發(fā)光控制信號(hào)E[l]?E[4]輸出端都分別掛接了阻值為1500負(fù)載電阻，容值為150pF的負(fù)載電容。圖7表明，本實(shí)施例公開(kāi)的柵極驅(qū)動(dòng)電路不僅能夠正常地輸出柵極掃描信號(hào)S[l]?S[4]，而且能夠產(chǎn)生時(shí)序正確的發(fā)光控制信號(hào)E[l]?E[4]。該實(shí)施例中，掃描信號(hào)S[n]和發(fā)光控制信號(hào)E[n]之間無(wú)偏差量。
[0078]在另一種實(shí)施例中，當(dāng)各級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元欲輸出掃描信號(hào)S[η]和發(fā)光控制信號(hào)E [η]需要存在偏差量時(shí)，可以通過(guò)調(diào)整第一脈沖信號(hào)V11和第二脈沖信號(hào)V12的時(shí)序關(guān)系來(lái)實(shí)現(xiàn)。與上述實(shí)施例不同之處在于，以調(diào)整第二脈沖信號(hào)V12的時(shí)序來(lái)控制本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元欲輸出掃描信號(hào)S[n]和發(fā)光控制信號(hào)E[n]的偏差量。在第一種實(shí)施例中，第m級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元第二脈沖信號(hào)V12由第m+1級(jí)掃描信號(hào)提供，于是，第m級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元自舉節(jié)點(diǎn)Q電壓在第m+1級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的掃描信號(hào)S[n]有效電平到來(lái)時(shí)被下拉到低電平電壓，E[n]信號(hào)跟隨著變成高電平。請(qǐng)參考圖4，自舉節(jié)點(diǎn)Q的電壓波形來(lái)看，其波形為“單肩”狀，總的來(lái)說(shuō)，Q點(diǎn)單肩狀波形對(duì)應(yīng)的S[n]和E[n]的偏差量為O。而在本實(shí)施例中，當(dāng)本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元欲輸出掃描信號(hào)S[n]和發(fā)光控制信號(hào)E[n]的偏差量為k倍(例如2倍)第二脈沖信號(hào)V12的有效電平寬度時(shí)，則可將第m級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元第二脈沖信號(hào)V12輸入端連接到第m+3級(jí)的掃描信號(hào)S[η]輸出端，即由第m+3級(jí)的掃描信號(hào)S [η]提供第m級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的第二脈沖信號(hào)V12，此時(shí)，第m級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元自舉節(jié)點(diǎn)Q所存儲(chǔ)的電壓被延緩到第m+3級(jí)掃描信號(hào)S[n]到來(lái)才進(jìn)行放電。請(qǐng)參考圖8，為第m級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的模擬工作時(shí)序圖，S [η]和E [η]的偏移量為2個(gè)脈沖寬度，掃描信號(hào)S[η]輸出端上的負(fù)載為電阻1500歐姆，電容150pF ；E[n]輸出端上的負(fù)載為電阻1500歐姆，電容150pF。由于第二脈沖信號(hào)V12延遲到來(lái)，自舉節(jié)點(diǎn)Q放電時(shí)間延遲，因此，自舉節(jié)點(diǎn)Q的電壓波形變?yōu)椤半p肩狀”。自舉節(jié)點(diǎn)Q的右肩寬度為2倍脈沖寬度，S[n]和E [η]的偏差量亦為2倍脈沖寬度。各級(jí)自舉節(jié)點(diǎn)Q的右肩寬度以及S [η]和E [η]的偏差量都可以通過(guò)本級(jí)第二脈沖信號(hào)V12對(duì)應(yīng)地調(diào)節(jié)，具體為第m級(jí)的第二脈沖信號(hào)V12由第m+(k+l)級(jí)掃描信號(hào)S[n]提供即可。圖8表明該實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)電路的邏輯正確，而且能夠正確地產(chǎn)生S[n]和E[n]的偏移。
[0079]綜上所述，本實(shí)施例公開(kāi)的柵極驅(qū)動(dòng)電路具有如下特點(diǎn):
[0080](I)本實(shí)施例公開(kāi)的柵極驅(qū)動(dòng)電路不僅能夠產(chǎn)生柵極掃描信號(hào)(作為柵極驅(qū)動(dòng)電路時(shí))，還能夠產(chǎn)生具有較強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力的發(fā)光控制信號(hào)，而且所產(chǎn)生的發(fā)光控制信號(hào)與柵極掃描信號(hào)之間具有正確的時(shí)序配合關(guān)系，能夠滿(mǎn)足AMOLED面板驅(qū)動(dòng)的要求。
[0081](2)低電平維持模塊低電平維持模塊控制端的狀態(tài)切換信號(hào)與發(fā)光控制信號(hào)是復(fù)用的，于是整體的電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，有利于窄邊框有源TFT面板的實(shí)現(xiàn)。
[0082](3)在優(yōu)選的實(shí)施例中，可以方便地調(diào)節(jié)掃描信號(hào)S[n]和發(fā)光控制信號(hào)E[n]之間的偏差量，可以用于不同類(lèi)型的AMOLED面板。
[0083](4)相對(duì)于沒(méi)有將柵極驅(qū)動(dòng)電路(共η級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元，用作柵極驅(qū)動(dòng)電路)集成于TFT面板上的有源TFT面板而言，節(jié)省將近2η個(gè)的外接引腳。因此，本實(shí)施例公開(kāi)的柵極驅(qū)動(dòng)電路對(duì)于形成窄邊框的AMOLED顯示面板是極為有利的。
[0084]基于上述柵極驅(qū)動(dòng)電路，本實(shí)施例還公開(kāi)了一種AMOLED顯示器，包括:由多個(gè)像素構(gòu)成的二維像素陣列，以及與陣列中每個(gè)像素相連的第一方向的多條數(shù)據(jù)線和第二方向的多條柵極掃描線；數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，為數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)信號(hào)；上述各實(shí)施例的柵極驅(qū)動(dòng)電路，為柵極掃描線提供柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
[0085]上述各實(shí)施例中，以IGZO-TFT為優(yōu)選的晶體管，在其它可替代的實(shí)施例中，本申請(qǐng)的技術(shù)方案也適用于其它能夠具有相同、等效或類(lèi)似邏輯功能的晶體管，譬如鋁鋅氧化物晶體管(AZO)，銦鋅氧化物晶體管(IZO)等等。
[0086]以上應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行闡述，只是用于幫助理解本發(fā)明，并不用以限制本發(fā)明。對(duì)于本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演、變形或替換。
【權(quán)利要求】
1.一種柵極驅(qū)動(dòng)電路，包括級(jí)聯(lián)的至少一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元，柵極驅(qū)動(dòng)電路單元包括: 驅(qū)動(dòng)模塊(20)，用于通過(guò)開(kāi)關(guān)狀態(tài)切換，將第一信號(hào)(Va)的有效電平傳送到柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的掃描信號(hào)輸出端，從而輸出掃描信號(hào)(S[n])； 輸入模塊(10)，與驅(qū)動(dòng)模塊(20)耦合形成自舉節(jié)點(diǎn)(Q)，所述自舉節(jié)點(diǎn)(Q)響應(yīng)第一脈沖信號(hào)(V11)和第二脈沖信號(hào)(V12)的電平控制切換開(kāi)關(guān)狀態(tài)； 低電平維持模塊(30)，用于通過(guò)其低電平維持控制端切換的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，在該柵極驅(qū)動(dòng)電路單元輸出掃描信號(hào)后將驅(qū)動(dòng)模塊(20)的掃描信號(hào)輸出端維持在低電平； 其特征在于，還包括:發(fā)光控制模塊(40)，其包括發(fā)光控制信號(hào)輸出端，用于向本級(jí)像素電路提供發(fā)光控制信號(hào)(E[n]);所述發(fā)光控制模塊(40)耦合至所述自舉節(jié)點(diǎn)(Q)，用于通過(guò)切換開(kāi)關(guān)狀態(tài)，調(diào)整其輸出的發(fā)光控制信號(hào)(E[n])； 第一脈沖信號(hào)(V11)的有效電平到來(lái)時(shí)間早于第一信號(hào)(Va)的有效電平到來(lái)時(shí)間，第一信號(hào)(Va)的有效電平到來(lái)時(shí)間早于第二脈沖信號(hào)(V12)的有效電平到來(lái)時(shí)間； 所述第一信號(hào)(Va)的有效電平與第一脈沖信號(hào)(V11)和第二脈沖信號(hào)(V12)的有效電平不交疊。
2.如權(quán)利要求1所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述發(fā)光控制模塊(40)包括--第六晶體管(T6)、第七晶體管(T7)和第九晶體管(T9)； 第六晶體管(T6)的第一極和第七晶體管(T7)的第一極用于耦合至高電平端；第六晶體管(T6)的第二極耦合至第七晶體管(T7)的控制極；第六晶體管(T6)的控制極用于耦合至高電平端或者用于輸入第一信號(hào)(Va)； 第七晶體管(T7)的第二極耦合至第九晶體管(T9)的第一極形成發(fā)光控制信號(hào)輸出端；第九晶體管(T9)的控制極耦合至自舉節(jié)點(diǎn)(Q);第九晶體管(T9)的第二極用于耦合至低電平端； 所述低電平維持模塊(30)的低電平維持控制端耦合至所述發(fā)光控制信號(hào)輸出端。
3.如權(quán)利要求2所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述發(fā)光控制模塊(40)還包括:第十晶體管(TlO)； 第十晶體管(TlO)的控制極耦合至自舉節(jié)點(diǎn)(Q);第十晶體管(TlO)的第一極耦合至第七晶體管(T7)的控制極；第十晶體管(TlO)的第二極用于耦合至低電平端。
4.如權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，柵極驅(qū)動(dòng)電路包括多級(jí)級(jí)聯(lián)的柵極驅(qū)動(dòng)電路單元； 本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的第一脈沖信號(hào)(V11)和第二脈沖信號(hào)(V12)分別由超前和滯后其的柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的掃描信號(hào)輸出端提供； 超前和滯后的級(jí)數(shù)基于本級(jí)欲輸出掃描信號(hào)(S[n])和發(fā)光控制信號(hào)(E[n])的時(shí)序確定。
5.如權(quán)利要求4所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的第一脈沖信號(hào)(V11)和第二脈沖信號(hào)(V12)分別由其前一級(jí)和后一級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的掃描信號(hào)輸出端提供。
6.如權(quán)利要求4所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，本級(jí)欲輸出掃描信號(hào)(S[n])和發(fā)光控制信號(hào)(E[n])的偏差量為k倍第二脈沖信號(hào)(V12)的有效電平寬度，本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的第二脈沖信號(hào)(V12)由滯后其k+Ι級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的掃描信號(hào)輸出端提供；所述k為正整數(shù)。
7.如權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述輸入模塊(10)包括:第一晶體管(Tl)和第三晶體管(T3)； 第一晶體管(Tl)的控制極耦合至第一極，用于輸入第一脈沖信號(hào)(V11);第一晶體管(Tl)的第二極耦合至第三晶體管(T3)的第一極形成自舉節(jié)點(diǎn)(Q)； 第三晶體管(T3)的控制極用于輸入第二脈沖信號(hào)(V12),第二極用于耦合至低電平端。
8.如權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述低電平維持模塊(30)包括:第五晶體管(T5)和第八晶體管(T8)，或者還包括:第四晶體管(T4)； 第五晶體管(T5)和第八晶體管(T8)的控制極為其低電平維持控制端，耦合至發(fā)光控制模塊(40)的發(fā)光控制信號(hào)輸出端；第五晶體管(T5)和第八晶體管(T8)的第二極用于耦合至低電平端；第五晶體管(T5)的第一極耦合至掃描信號(hào)輸出端；第八晶體管(T8)的第一極耦合至自舉節(jié)點(diǎn)(Q)； 第四晶體管(T4)的第一極耦合至掃描信號(hào)輸出端，第二極用于耦合至低電平端，控制極用于輸入第二脈沖信號(hào)(V12)。
9.如權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)模塊(20)包括第二晶體管(T2)和第一電容(Cl)； 第二晶體管(T2)的控制極耦合至自舉節(jié)點(diǎn)(Q)，第一極用于輸入第一信號(hào)(Va)，第二極為柵極驅(qū)動(dòng)電路單元的掃描信號(hào)輸出端； 第一電容(Cl)分別耦合至第二晶體管(T2)的控制極和第二極之間。
10.一種AMOLED顯示器，其特征在于，包括:由多個(gè)像素構(gòu)成的二維像素陣列，以及與陣列中每個(gè)像素相連的第一方向的多條數(shù)據(jù)線和第二方向的多條柵極掃描線； 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，為數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)信號(hào)； 如權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，為所述柵極掃描線提供柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK104409038SQ201410691496
【公開(kāi)日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年11月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月25日
【發(fā)明者】張盛東, 廖聰維, 胡治晉, 李文杰, 李君梅 申請(qǐng)人:北京大學(xué)深圳研究生院