一種OLED屏gamma校正方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種OLED顯示器的校正方法，通過圖像采集系統(tǒng)對(duì)OLED屏幕各像素點(diǎn)進(jìn)行多次采樣和中值濾波，得到各像素點(diǎn)的亮度信息；對(duì)圖像采集系統(tǒng)采集的圖像信息進(jìn)行非線性補(bǔ)償處理，建立圖像采集系統(tǒng)的感光像素與OLED顯示屏像素的對(duì)應(yīng)關(guān)系；對(duì)圖像采集系統(tǒng)采集的各像素點(diǎn)的亮度信息進(jìn)行統(tǒng)計(jì)、分析和二次函數(shù)擬合，得到各像素點(diǎn)的發(fā)光特性曲線和校正系數(shù)矩陣；根據(jù)各像素點(diǎn)的發(fā)光特性曲線計(jì)算得到各子像素點(diǎn)的特征參數(shù)；根據(jù)校正系數(shù)矩陣與視頻輸入做預(yù)加重處理，對(duì)顯示屏一致性的校正實(shí)現(xiàn)亮度均勻性校正，所述方法能夠自動(dòng)提取每個(gè)像素的發(fā)光特征曲線進(jìn)行分析，利用校正系數(shù)矩陣與視頻輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行一系列的運(yùn)算，達(dá)到對(duì)顯示屏一致性的校正。
【專利說明】-種OLED屏gamma校正方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種0LED顯示器的校正方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)是一種新型主動(dòng)發(fā)光的顯示器件，利用它可以制成超輕、 超薄、低功耗、高亮度、高對(duì)比度、高分辨率的具有優(yōu)秀顯示性能的顯示器。作為一種嶄新的 顯示器件，無(wú)論是在實(shí)際的生產(chǎn)中，還是在研發(fā)過程中都有必要對(duì)產(chǎn)品或樣品的亮度及其 均勻性進(jìn)行測(cè)量和評(píng)估。大量的樣品制備和測(cè)試是一件耗神費(fèi)力的工作，測(cè)試采用的方法、 手段、環(huán)境等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果都將有不同程度的影響，其結(jié)果又直接影響了研制開發(fā)、性能 提升等多方面工作的進(jìn)展。所以測(cè)試是0LED顯示屏生產(chǎn)和研發(fā)過程中面臨的一件重要工 作。目前對(duì)于0LED像素亮度的測(cè)試還多局限于傳統(tǒng)的單像素式亮度計(jì)，這種單像素式的亮 度計(jì)一般一次只能測(cè)到一個(gè)0LED像素的亮度，每測(cè)量一個(gè)像素必須移動(dòng)儀器并且重新對(duì) 焦。這樣，用傳統(tǒng)的單像素式測(cè)量?jī)x器測(cè)量顯示設(shè)備上每一個(gè)像素的亮度不但耗時(shí)費(fèi)力，而 且要準(zhǔn)確測(cè)量上百萬(wàn)的像素是很困難的。
[0003] 由于目前0LED制造工藝還不成熟，如晶體管的閾值電壓的不均勻性以及0LED開 啟電壓的退化；工藝導(dǎo)致0LED的各像素閾值電壓及寄生電容大小不一致，其實(shí)際的預(yù)充電 過程不一致，導(dǎo)致流過0LED的有效電流不一致；由于工藝或老化等原因，各像素點(diǎn)的發(fā)光 效率不一致等因素導(dǎo)致0LED顯示屏模組中出現(xiàn)的顏色漂移、亮度不均勻等問題，嚴(yán)重的影 響了顯示屏的顯示效果和實(shí)際使用壽命?；谝陨显?qū)е履壳按蟛糠?LED廠商不能實(shí) 現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的重要原因之一。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 針對(duì)背景內(nèi)容提出的由于目前0LED生產(chǎn)工藝原因?qū)е?LED顯示屏模組中出現(xiàn)的 顏色漂移、亮度不均勻等問題以及目前0LED，本專利提出一種0LED顯示器的亮度均勻性 校正系統(tǒng)及方法。
[0005] 為了達(dá)到以上目的，本發(fā)明采用自動(dòng)提取每個(gè)像素的特征曲線，然后進(jìn)行整屏分 析，最終得到正屏的校正系數(shù)矩陣，利用該矩陣與視頻輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行一系列的運(yùn)算，最終得 通過調(diào)整0LED像素對(duì)應(yīng)灰階的亮度，從而達(dá)到對(duì)顯示屏一致性的校正，本發(fā)明的技術(shù)方案 所述的一種0LED屏ga_a校正方法，所述方法包括如下步驟： a) 通過圖像采集系統(tǒng)對(duì)0LED屏幕各像素點(diǎn)進(jìn)行多次采樣和中值濾波，得到各像素點(diǎn) 的亮度信息； b) 對(duì)圖像采集系統(tǒng)采集的圖像信息進(jìn)行非線性補(bǔ)償處理，以消除0LED屏幕邊緣亮度 偏暗和圖像采集系統(tǒng)的鏡頭產(chǎn)生的幾何畸變的影響； c) 對(duì)0LED屏幕的像素進(jìn)行定位，建立圖像采集系統(tǒng)的感光像素與0LED顯示屏像素的 對(duì)應(yīng)關(guān)系； d) 對(duì)圖像采集系統(tǒng)采集的各像素點(diǎn)的亮度信息進(jìn)行統(tǒng)計(jì)、分析和二次函數(shù)擬合，得到 各像素點(diǎn)的發(fā)光特性曲線和校正系數(shù)矩陣； e) 根據(jù)各像素點(diǎn)的發(fā)光特性曲線計(jì)算得到各子像素點(diǎn)的特征參數(shù)；這里所述的特征 函數(shù)可以是應(yīng)當(dāng)補(bǔ)償?shù)牧炼认禂?shù)； f) 根據(jù)校正系數(shù)矩陣與視頻輸入做預(yù)加重處理，對(duì)顯示屏一致性的校正實(shí)現(xiàn)亮度均勻 性校正。
[0006] 所述的0LED屏gamma校正方法，步驟b)中所述的非線性補(bǔ)償處理方法是：圖像陰 影校正和/或圖像畸變矯正；以消除屏幕邊緣亮度偏暗的現(xiàn)象，以及由于鏡頭產(chǎn)生的幾何 崎變現(xiàn)象。
[0007] 所述的0LED屏gamma校正方法，步驟e)中所述的子像素點(diǎn)的特征參數(shù)是指子像 素應(yīng)當(dāng)補(bǔ)償?shù)牧炼认禂?shù)。
[0008] 所述的0LED屏gamma校正方法，步驟f)所述的校正是： Π )來(lái)自圖像或視頻信息里像素的亮度信號(hào)，經(jīng)過數(shù)模轉(zhuǎn)換器調(diào)制成模擬電壓信號(hào)； f2)通過控制所述模擬電壓信號(hào)來(lái)控制0LED屏各像素的驅(qū)動(dòng)電流，并根據(jù)電壓、光強(qiáng) 度等信息進(jìn)行調(diào)整，最后得到各像素點(diǎn)的特征參數(shù)； f3)模擬電壓信號(hào)控制流過0LED的電流1^,1^與TFT2的有如下關(guān)系：

【權(quán)利要求】
1. 一種OLED屏gamma校正方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟： 通過圖像采集系統(tǒng)對(duì)OLED屏幕各像素點(diǎn)進(jìn)行多次采樣和中值濾波，得到各像素點(diǎn)的 亮度信息； 對(duì)圖像采集系統(tǒng)采集的圖像信息進(jìn)行非線性補(bǔ)償處理，以消除OLED屏幕邊緣亮度偏 暗和圖像采集系統(tǒng)的鏡頭產(chǎn)生的幾何畸變的影響， 對(duì)OLED屏幕的像素進(jìn)行定位，建立圖像采集系統(tǒng)的感光像素與OLED顯示屏像素的對(duì) 應(yīng)關(guān)系； 對(duì)圖像采集系統(tǒng)采集的各像素點(diǎn)的亮度信息進(jìn)行統(tǒng)計(jì)、分析和二次函數(shù)擬合，得到各 像素點(diǎn)的發(fā)光特性曲線和校正系數(shù)矩陣； 根據(jù)各像素點(diǎn)的發(fā)光特性曲線計(jì)算得到各子像素點(diǎn)的特征參數(shù)； 根據(jù)校正系數(shù)矩陣與視頻輸入做預(yù)加重處理，對(duì)顯示屏一致性的校正實(shí)現(xiàn)亮度均勻性 校正。
2. 如權(quán)利要求1所述的OLED屏8&_8校正方法，其特征在于，步驟b)中所述的非線性 補(bǔ)償處理方法是：圖像陰影校正和/或圖像畸變矯正。
3. 如權(quán)利要求1所述的OLED屏8&_8校正方法，其特征在于，步驟e)中所述的子像素 點(diǎn)的特征參數(shù)是指子像素應(yīng)當(dāng)補(bǔ)償?shù)牧炼认禂?shù)。
4. 如權(quán)利要求1 一3任一權(quán)利要求所述的OLED屏gamma校正方法，其特征在于，步驟 f)所述的校正是： fl)來(lái)自圖像或視頻信息里像素的亮度信號(hào)，經(jīng)過數(shù)模轉(zhuǎn)換器調(diào)制成模擬電壓信號(hào)；f2)通過控制所述模擬電壓信號(hào)來(lái)控制OLED屏各像素的驅(qū)動(dòng)電流，并根據(jù)電壓、光強(qiáng) 度等信息進(jìn)行調(diào)整，最后得到各像素點(diǎn)的特征參數(shù)； f3)模擬電壓信號(hào)控制流過OLED的電流Iim,Ilij!與TFT2的Ifip有如下關(guān)系：
其中/1表不電子遷移率;{^表不氧化層分布電容;
良不MOS管溝道寬長(zhǎng)比；JT表 示MOS管柵極相對(duì)于源極的電壓；表示MOS管閾值開啟電壓； 由于輸入信號(hào)V與I;有近似線性關(guān)系，與亮度L有近似線性關(guān)系，則亮度L與輸入 電壓信號(hào)V可以轉(zhuǎn)換成下面的2次函數(shù)關(guān)系：
其中L為M位整數(shù)，表示灰度級(jí)，V為N位整數(shù)，表示數(shù)字化的電壓； 在驅(qū)動(dòng)OLED時(shí)，需要根據(jù)亮度L計(jì)算對(duì)應(yīng)的電壓V，a，b，c表示2次函數(shù)系數(shù)其關(guān)系 為：
以^表示
表示
，K表示
則上式可以表示為：
其中，V為N位整數(shù)，L為M位整數(shù),K._、K:、K:.為浮點(diǎn)數(shù)； 進(jìn)一步將fC_、K:、K;分解為整數(shù)部分和小數(shù)部分，容易知道，K:、K;的小數(shù)部分對(duì)整數(shù) V的影響非常小，可以忽略，即可以將1、1作為整數(shù)處理； 考慮到L為M位整數(shù)，則K._的整數(shù)部分也需要M位，小數(shù)部分也需要M位，K:、K1都需 要M位，V需要M+1位； 為方便處理，將K:分解為2個(gè)參數(shù)Q、C:,同時(shí)將K2、K;.以(：3表示，則V=C1L+C2L4C5,C:、Q、C4 是M位整數(shù)，C:為M位小數(shù)。
【文檔編號(hào)】G09G5/10GK104269157SQ201410534249
【公開日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年10月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月11日
【發(fā)明者】黎守新 申請(qǐng)人:成都晶砂科技有限公司