一種等離子顯示設(shè)備及驅(qū)動(dòng)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種等離子顯示設(shè)備及驅(qū)動(dòng)方法。所述設(shè)備包括掃描電極、尋址電極、維持電極、用于施加驅(qū)動(dòng)波形的驅(qū)動(dòng)器，其中所述驅(qū)動(dòng)器施加如下的驅(qū)動(dòng)波形：在一個(gè)子場(chǎng)中，所述驅(qū)動(dòng)波形復(fù)位期階段緩慢下降的階梯狀波形區(qū)間及在尋址期X_shelf基準(zhǔn)電壓的基礎(chǔ)上再疊加一個(gè)電壓。本發(fā)明在不調(diào)整PCB板參數(shù)的情況下解決了PDP黑背景畫面相互切換后低放電的問(wèn)題，效果顯著，保證產(chǎn)品不受影響，具有極大的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。
【專利說(shuō)明】 一種等離子顯示設(shè)備及驅(qū)動(dòng)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請(qǐng)屬于rop (等離子體顯示器)驅(qū)動(dòng)波形【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種等離子顯示設(shè)備及驅(qū)動(dòng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前PDP驅(qū)動(dòng)方式主要采用尋址與顯示分離的方法，一幀畫面的驅(qū)動(dòng)波形包含10個(gè)子場(chǎng)。每個(gè)子場(chǎng)包括復(fù)位期，尋址期和維持期。
[0003]PDP顯示屏圖像之間的切換是通過(guò)黑色畫面來(lái)過(guò)渡的，當(dāng)黑色過(guò)渡畫面結(jié)束時(shí)顯示畫面的波形驅(qū)動(dòng)程序啟動(dòng)，出現(xiàn)肉眼可見(jiàn)的彩色圖像，然而PDP顯示的彩色圖像不是所有的放電單元都需要發(fā)光的，總是存在一些甚至更多的黑背景圖像。隨著PDP技術(shù)的發(fā)展高能效低功耗是大趨勢(shì)，增加潘寧器氣體中Xe氣含量是PDP領(lǐng)域常采用一種方法，其中副作用也是顯而易見(jiàn)的，即放電單元的著火電壓(Vf)升高，其表現(xiàn)就是黑背景圖像相互切換時(shí)，存在放電單元放電延時(shí)增大的客觀事實(shí)，即部分放電單元無(wú)法立即發(fā)光，需要延時(shí)一段時(shí)間后才能恢復(fù)到正常的發(fā)光狀態(tài)，而在短暫時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)的低放電，嚴(yán)重影響到彩色圖像的顯示效果。
[0004]為了解決PDP黑背景畫面相互切換后低放電的問(wèn)題，通常采用升高維持電壓(Vs)的方式，但是調(diào)整的范圍、效果都有一定限制，調(diào)整倘若超出額定值很有可能導(dǎo)致電路板失效出現(xiàn)死機(jī)、關(guān)機(jī)等影響產(chǎn)品質(zhì)量的問(wèn)題，為了提高PDP產(chǎn)品的可靠性，盡量避免調(diào)整PCB板參數(shù)的方式。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種等離子顯示設(shè)備，包括掃描電極、尋址電極、維持電極、用于施加驅(qū)動(dòng)波形的驅(qū)動(dòng)器，
其中所述驅(qū)動(dòng)器施加如下的驅(qū)動(dòng)波形:在一個(gè)子場(chǎng)中，所述驅(qū)動(dòng)波形復(fù)位期階段緩慢下降的階梯狀波形區(qū)間及在尋址期X_shelf基準(zhǔn)電壓的基礎(chǔ)上再疊加一個(gè)電壓。
[0006]進(jìn)一步的，所述驅(qū)動(dòng)波形在第一幀畫面第一個(gè)子場(chǎng)施加。
[0007]上述的等離子顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法為:在一個(gè)子場(chǎng)中，所述驅(qū)動(dòng)波形復(fù)位期階段緩慢下降的階梯狀波形區(qū)間及在尋址期X_Shelf基準(zhǔn)電壓的基礎(chǔ)上再疊加一個(gè)電壓。
[0008]進(jìn)一步的，所述驅(qū)動(dòng)波形在第一幀畫面第一個(gè)子場(chǎng)施加。
[0009]本發(fā)明的有益效果為:
本發(fā)明在不調(diào)整PCB板參數(shù)的情況下解決了 PDP黑背景畫面相互切換后低放電的問(wèn)題，效果顯著，保證產(chǎn)品不受影響，對(duì)于PDP面板生產(chǎn)企業(yè)而言，使用低成本材料可謂是企業(yè)發(fā)展的趨勢(shì)，當(dāng)然也存在一定的質(zhì)量隱患，例如:低成本ADD (尋址電極)材料(金屬銀含量降低)的使用，其帶來(lái)的負(fù)作用為ADD電極阻抗增大低放電不良就成為最大的質(zhì)量隱患、通過(guò)上述驅(qū)動(dòng)技術(shù)的應(yīng)用可以很好的改善這類不良，對(duì)于企業(yè)來(lái)說(shuō)就可以產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟(jì)價(jià)值?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中驅(qū)動(dòng)波形示意圖。
[0011]圖2為實(shí)施例1驅(qū)動(dòng)波形Ramp-Up及Ramp-down階段示意圖。
[0012]圖3為實(shí)施例2驅(qū)動(dòng)波形Ramp-up及Ramp-down階段示意圖。
[0013]圖4為實(shí)施例3中驅(qū)動(dòng)波形示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備包括在上基板處的掃描電極、尋址電極、維持電極、用于施加驅(qū)動(dòng)波形的驅(qū)動(dòng)器，通過(guò)由該驅(qū)動(dòng)器施加的驅(qū)動(dòng)波形，產(chǎn)生放電并顯示圖像。
[0015]現(xiàn)有技術(shù)中等離子顯示設(shè)備驅(qū)動(dòng)方式主要采用尋址與顯示分離的方法，一幀畫面的驅(qū)動(dòng)波形包含10個(gè)子場(chǎng)。每個(gè)子場(chǎng)包括復(fù)位期，尋址期和維持期。如圖1所示則為現(xiàn)有技術(shù)中PDP驅(qū)動(dòng)波形。
[0016]復(fù)位期是對(duì)全部放電單元進(jìn)行初始化，目的是所有放電單元的狀態(tài)保持一致，即達(dá)到著火電壓又不產(chǎn)生強(qiáng)放電，包含圖1中的Ramp-up (緩慢上升的階梯狀波形)及Ramp-down (緩慢下降的階梯狀波形)兩個(gè)階段,均為弱的暗放電。現(xiàn)有技術(shù)中Ramp-up基準(zhǔn)電壓:330±20V ；Ramp-down 基準(zhǔn)電壓:150±10V。
[0017]尋址期掃描電極(Y電極)依次輸出掃描脈沖，尋址電極(A電極)根據(jù)所需顯示圖像同步輸出尋址脈沖，只有那些同時(shí)在尋址電極和掃描電極上有相應(yīng)電壓的單元才會(huì)放電，在那些放電單元內(nèi)積累壁電荷，這些壁電荷決定該放電單元是繼續(xù)放電還是保持熄滅。
[0018]維持期只有在尋址期有壁電荷積累的放電單元，維持電極(X電極)、Y電極才可以交替施加維持脈沖信號(hào)，放電單元才會(huì)放電發(fā)光。
[0019]實(shí)施例1:
設(shè)計(jì)構(gòu)思:在原有rop Y電極驅(qū)動(dòng)波形的基礎(chǔ)上提升第一幀畫面第一個(gè)子場(chǎng)復(fù)位期波形Ramp-up階段的最高電壓。
[0020]基本原理:提升Ramp-up階段的電壓，即進(jìn)一步加強(qiáng)放電單元弱的暗放電的強(qiáng)度，在Y電極上得到更多負(fù)的壁電荷的積累(A與X電極介質(zhì)層表面積累正電荷)，同時(shí)抵消掉外部電壓的不斷升高，使放電單元保持在著火電壓(所謂著火電壓就是驅(qū)動(dòng)放電單元(3個(gè)放電單元等于一個(gè)像素)的最小驅(qū)動(dòng)電壓)狀態(tài)，從而使后續(xù)放電可以以一致?tīng)顟B(tài)為基礎(chǔ)進(jìn)行。
[0021]圖2示為根據(jù)第一實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形Ramp-up及Ramp-down兩個(gè)階段的波形圖。虛線部分是增加的Ramp-up階段的電壓。在維持極短時(shí)間后，由于能量恢復(fù)，降低到原來(lái)Ramp-up的能力回復(fù)電壓。
[0022]Ramp-up階段電壓提升量根據(jù)實(shí)際情況選擇不同而不同。
[0023]實(shí)施例2:
設(shè)計(jì)構(gòu)思:原有rop Y電極驅(qū)動(dòng)波形的基礎(chǔ)上降低第一幀畫面第一個(gè)子場(chǎng)復(fù)位期波形Ramp-down降階段的最低電壓。
[0024]基本原理:降低Ramp-down階段的電壓,實(shí)際為增大Ramp-down電壓，電壓方向?yàn)樨?fù)向。由于在Ramp-up階段積累了足夠多的壁電荷,Ramp-down在緩慢下降的過(guò)程中,擦除放電能力增強(qiáng)，所有放電單元生成擦除放電以擦除壁電荷和Ramp-up階段所生成足量的空間離子，將形成均勻殘留可以穩(wěn)定發(fā)生尋址放電的壁電荷，從而降低了放電單元的著火電壓，消除放電延時(shí)。
[0025]Ramp-down階段電壓降低量根據(jù)實(shí)際情況選擇不同而不同。
[0026]該實(shí)施例可以和實(shí)施例1結(jié)合使用。圖3所示為結(jié)合后等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形Ramp-up及Ramp-down兩個(gè)階段的波形圖。虛線部分是降低的Ramp-down階段的電壓。在維持極短時(shí)間后，由于能量恢復(fù)，降低到原來(lái)Y_shelf電壓。
[0027]實(shí)施例3:
設(shè)計(jì)構(gòu)思:在第一幀畫面第一個(gè)子場(chǎng)復(fù)位期的Ramp-down階段及尋址期X_shelf基準(zhǔn)電壓的基礎(chǔ)上再疊加一個(gè)電壓(圖4)。
[0028]基本原理:不變動(dòng)rop Y電極驅(qū)動(dòng)波形的基礎(chǔ)上，在原有X_shelf電壓上給Ramp-down與尋址期再疊加一個(gè)X_shelf電壓,提高Y電極與X電極之間的放電強(qiáng)度，使電極介質(zhì)層表面積累足夠多的壁電荷及產(chǎn)生足夠多的空間離子，從而達(dá)到降低放電單元的著火電壓避免放電延時(shí)，徹底消除黑背景畫面相互切換后低放電不良。其目的就是降低放電單元Vf的電壓，消除放電延時(shí)。
[0029]在基準(zhǔn)X_shelf電壓的基礎(chǔ)上疊加的電壓根據(jù)實(shí)際情況而不同，X_shelf電壓基準(zhǔn)值為:75±10V。
[0030]圖4為第三實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形。虛線部分是疊加后的電壓示
O
[0031]需要說(shuō)明的是，根據(jù)PDP黑背景畫面相互切換后低放電的嚴(yán)重程度，亦可在第二幀畫面、第三幀畫面、第四幀畫面依次類推，使用上述技術(shù)方案，其它幀畫面按照正常驅(qū)動(dòng)波形設(shè)定。
[0032]上述三個(gè)實(shí)施例可以單獨(dú)使用來(lái)解決PDP黑背景畫面相互切換后低放電問(wèn)題，還可以任意兩種技術(shù)方案組合來(lái)使用或者三種技術(shù)方案一起同時(shí)使用。
[0033]上述的等離子顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法，在一個(gè)子場(chǎng)中，所述驅(qū)動(dòng)波形復(fù)位期波形中緩慢上升的階梯狀波形的最高電壓高于緩慢上升的階梯狀波形基準(zhǔn)電壓。
[0034]進(jìn)一步的，所述驅(qū)動(dòng)波形復(fù)位期波形中緩慢下降的階梯狀波形的最低電壓低于緩慢下降的階梯狀波形的基準(zhǔn)電壓。
[0035]進(jìn)一步的，所述驅(qū)動(dòng)波形復(fù)位期階段緩慢下降的階梯狀波形區(qū)間及在尋址期X_shelf基準(zhǔn)電壓的基礎(chǔ)上再疊加一個(gè)電壓。
[0036]進(jìn)一步的，所述驅(qū)動(dòng)波形復(fù)位期階段緩慢下降的階梯狀波形區(qū)間及在尋址期X_shelf基準(zhǔn)電壓的基礎(chǔ)上再疊加一個(gè)電壓。
[0037]進(jìn)一步的，所述驅(qū)動(dòng)波形在第一幀畫面第一個(gè)子場(chǎng)施加。
[0038]本發(fā)明的有益效果為:
本發(fā)明在不調(diào)整PCB板參數(shù)的情況下解決了 PDP黑背景畫面相互切換后低放電的問(wèn)題，效果顯著，保證產(chǎn)品不受影響，對(duì)于PDP面板生產(chǎn)企業(yè)而言，使用低成本材料可謂是企業(yè)發(fā)展的趨勢(shì)，當(dāng)然也存在一定的質(zhì)量隱患，例如:低成本ADD (尋址電極)材料(金屬銀含量降低)的使用，其帶來(lái)的負(fù)作用為ADD電極阻抗增大低放電不良就成為最大的質(zhì)量隱患、通過(guò)上述驅(qū)動(dòng)技術(shù)的應(yīng)用可以很好的改善這類不良，對(duì)于企業(yè)來(lái)說(shuō)就可以產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子顯示設(shè)備，其特征在于，包括掃描電極、尋址電極、維持電極、用于施加驅(qū)動(dòng)波形的驅(qū)動(dòng)器， 其中所述驅(qū)動(dòng)器施加如下的驅(qū)動(dòng)波形:在一個(gè)子場(chǎng)中，所述驅(qū)動(dòng)波形復(fù)位期階段緩慢下降的階梯狀波形區(qū)間及在尋址期x_shelf基準(zhǔn)電壓的基礎(chǔ)上再疊加一個(gè)電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)波形在第一幀畫面第一個(gè)子場(chǎng)施加。
3.如權(quán)利要求1或2所述的等離子顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)波形復(fù)位期階段緩慢下降的階梯狀波形區(qū)間及在尋址期X_shelf基準(zhǔn)電壓的基礎(chǔ)上再疊加一個(gè)電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的等離子顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)波形在第一幀畫面第一個(gè)子場(chǎng)施加。
【文檔編號(hào)】G09G3/291GK103854590SQ201410079381
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2014年3月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月6日
【發(fā)明者】衛(wèi)偉, 陳富貴, 楊發(fā)明, 周超, 陳修強(qiáng), 柳希武 申請(qǐng)人:四川虹歐顯示器件有限公司