一種用于led顯示屏的無非控點亮消影電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型公告了一種用于LED顯示屏的無非控點亮消影電路,設(shè)置在1/4掃描行列分控的LED顯示屏的行驅(qū)動電路中,其特征在于:在相應(yīng)的譯碼芯片行控制線輸出端、場效應(yīng)管的行線輸出端和公共地之間設(shè)有三極管開關(guān)電路,當(dāng)行控制線輸出端由輸出低電平變?yōu)楦唠娖綍r,行線輸出端將行電源迅速拉低,隨著隔離電容的充電,斷開與公共地的連接,且選擇器件參數(shù)使一幀圖像內(nèi)前一行與后一行存在約為30ns的重疊時間,與行電源的下降時間近似。電路簡單,成本較低,可以有效消除同列它行LED在行電源的驅(qū)動下非控點亮,即使因LED漏電導(dǎo)致某些LED非控點亮,也可以顯著改善LED顯示屏拖尾現(xiàn)象,使人眼不足以識別“前一行在微亮”的效應(yīng)。
【專利說明】—種用于LED顯示屏的無非控點亮消影電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及LED顯示屏,特別是涉及一種用于LED顯示屏的無非控點亮消影電路。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,縮略詞為LED)顯示屏大多采用掃描方式,掃描屏通用的控制方式為行列分控方式,即通常所說的掃描方式,LED顯示屏的多掃描模式通常包括I / 2掃描模式、I / 4掃描模式、I / 8掃描模式和I / 16掃描模式,這些掃描模式下的LED反向漏電改善電路結(jié)構(gòu)類似,下面以I / 4掃描模式為例對現(xiàn)有LED反向漏電改善電路予以說明。LED顯示屏的驅(qū)動電路中的行驅(qū)動功率管,基本都是采用雙P溝道金屬-氧化物 _半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Metal-Oxide-S emiconductor Field-Effect-Transistor,縮略詞為M0SFET) 4953,其內(nèi)部包括相互獨立的雙P溝道場效應(yīng)管M0SFET1、M0SFET2,具有超低的導(dǎo)通電阻,驅(qū)動兩個顯示行,I / 4掃描行列分控驅(qū)動電路如圖1所示。I / 4掃描模式的LED顯示屏的一幀圖像內(nèi)每行LED只顯示I / 4時間,行選信號經(jīng)高速硅柵互補MOS (Complementary M0S,縮略詞為CMOS)譯碼芯片74HC138譯碼后分別控制M0SFET4953的雙P溝道場效應(yīng)管MOSFET1、M0SFET2的柵極G1、G2。由于場效應(yīng)管MOSFET1、M0SFET2的寄生電容以及分布電容的影響,行電源上升時間很短,可以忽略不計,但是,行電源下降時間Tf>100ii S,導(dǎo)致在一幀圖像內(nèi),前一行與后一行存在近似為行電源下降時間Tf的重疊時間Tn約IOOy S,在列功率管閉合時,顯示下一行時前一行仍然會在重疊時間Tn內(nèi)點亮,在人的視覺里會出現(xiàn)拖尾現(xiàn)象,又稱“前一行在微亮”的效應(yīng)。所述“前一行在微亮”的程度與重疊時間Tn與每行的顯示時間Tm的重疊比值Tn / Tm成正比,如果幀頻為500Hz,每行的顯示時間為 Tm=IOOO/ (500X4)=0.5ms,重疊比值為 Tn/Tm=0.1 / (1000 / (4X 500)) =20%,如此大的重疊比值對應(yīng)的“前一行在微亮”的效應(yīng)會嚴重影響顯示效果。現(xiàn)有解決拖尾現(xiàn)象的方法是在場效應(yīng)管M0SFET1、M0SFET2的行線輸出端各添加一接地用電阻到公共地,將各行線上的電荷泄放到公共地,且通過選擇接地用電阻的阻值縮短行電源的下降時間Tf,例如選擇接地用電阻的阻值為27KQ,行電源的下降時間Tf約30ns左右,相應(yīng)的重疊比值Tn / Tm=30X10-6 / (1000) / (4X500)) =0.006%,可以一定程度的解決拖尾現(xiàn)象,但是,如果某一列上的某行LED存在反向漏電時,當(dāng)列功率管關(guān)斷時,而譯碼芯片74HC138的二進制加權(quán)地址輸入端AO、Al輸入的行選信號一直在變化。
[0003]行選信號經(jīng)譯碼芯片74HC138的互斥的低有效的行控制線輸出端YO輸出行控制線,至雙P溝道M0SFET4953內(nèi)部的場效應(yīng)管MOSFETI的控制腳2,即場效應(yīng)管M0SFET1的柵極G1,控制場效應(yīng)管M0SFET1相連的7、8腳,即場效應(yīng)管M0SFET1的行線輸出端Hl的行線輸出;
[0004]行選信號經(jīng)譯碼芯片74HC138的互斥的低有效的行控制線輸出端Yl輸出行控制線,至雙P溝道M0SFET4953內(nèi)部包括的兩個獨立的、P溝道場效應(yīng)管M0SFET1的控制腳4,即場效應(yīng)管MOSFETI的柵極G2,控制場效應(yīng)管MOSFETI相連的5、6腳,即場效應(yīng)管MOSFETI的行線輸出端H2的行線輸出;
[0005]行選信號經(jīng)譯碼芯片74HC138的互斥的低有效的行控制線輸出端Y2輸出行控制線,至雙P溝道M0SFET4953內(nèi)部包括的兩個獨立的、P溝道場效應(yīng)管M0SFET2的控制腳2,即場效應(yīng)管M0SFET2的柵極Gl,控制場效應(yīng)管M0SFET2相連的7、8腳,即場效應(yīng)管M0SFET2的行線輸出端H3的行線輸出;
[0006]行選信號經(jīng)譯碼芯片74HC138的互斥的低有效的行控制線輸出端Y3輸出行控制線,至雙P溝道M0SFET4953內(nèi)部包括的兩個獨立的、P溝道場效應(yīng)管M0SFET2的控制腳4,即場效應(yīng)管M0SFET2的柵極G2,控制場效應(yīng)管M0SFET2相連的5、6腳,即場效應(yīng)管M0SFET2的行線輸出端H4的行線輸出。
[0007]場效應(yīng)管M0SFET1的1、3腳連接VCC,只有當(dāng)場效應(yīng)管M0SFET1的控制腳2,即場效應(yīng)管M0SFET1的柵極Gl為低電平時,所對應(yīng)的行電源導(dǎo)通,相連的7、8腳,即場效應(yīng)管MOSFETI的行線輸出端Hl輸出行線,否則輸出為高阻狀態(tài),漏極Dl開路;只有當(dāng)場效應(yīng)管MOSFETI的控制腳4,即場效應(yīng)管M0SFET1的柵極G2為低電平時,所對應(yīng)的行電源導(dǎo)通,相連的5、6腳,即場效應(yīng)管M0SFET1的行線輸出端H2輸出行線,否則輸出為高阻狀態(tài),漏極D2開路;
[0008]場效應(yīng)管M0SFET2的1、3腳連接VCC,只有當(dāng)場效應(yīng)管M0SFET2的控制腳2,即場效應(yīng)管M0SFET2的柵極Gl為低電平時,所對應(yīng)的行電源導(dǎo)通,相連的7、8腳,即場效應(yīng)管MOSFETI的行線輸出端H3輸出行線,否則輸出為高阻狀態(tài),漏極Dl開路;只有當(dāng)場效應(yīng)管M0SFET2的控制腳4,即場效應(yīng)管M0SFET2的柵極G2為低電平時,所對應(yīng)的行電源導(dǎo)通,相連的5、6腳,S卩場效應(yīng)管M0SFET2的行線輸出端H4輸出行線,否則輸出為高阻狀態(tài),漏極D2開路。
[0009]當(dāng)列功率管關(guān)斷時,在I / 4掃描的LED點陣顯示屏中的行線H1、H2、H3和H4依次輸出過程中,同列的其它行上的LED將通過同列反向漏電的LED以及與反向漏電LED所對應(yīng)行線上相連接的接地用電阻到公共地形成回路,在場效應(yīng)管M0SFET1,M0SFET2行線輸出下,即行電源的驅(qū)動下同列的其它行上的LED將不受控制的點亮,即非控點亮,如果非控點亮的LED點數(shù)大于I / 10000,會影響LED顯示屏的顯示效果。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0010]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是彌補上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供一種用于LED顯示屏的無非控點亮消影電路。
[0011]本實用新型的技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案予以解決。
[0012]這種用于LED顯示屏的無非控點亮消影電路,設(shè)置在I / 4掃描行列分控的LED顯示屏的行驅(qū)動電路中,所述行驅(qū)動電路包括設(shè)有二進制加權(quán)地址的行選信號輸入端A0、Al和互斥的低有效的行控制線輸出端YO、Yl、Y2、Y3的譯碼芯片74HC138,以及與所述譯碼芯片74HC138連接的雙P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor,縮略詞為M0SFET)4953,其內(nèi)部包括兩個獨立的、P溝道場效應(yīng)管M0SFET1、M0SFET2,所述輸出端YO與場效應(yīng)管M0SFET1的控制腳2,即場效應(yīng)管M0SFET1的柵極Gl連接,所述輸出端Yl與場效應(yīng)管M0SFET1的控制腳4,即場效應(yīng)管M0SFET1的柵極G2連接,所述輸出端Y2與場效應(yīng)管M0SFET2的控制腳2,即場效應(yīng)管M0SFET2的柵極Gl連接,所述輸出端Y3與場效應(yīng)管M0SFET2的控制腳4,即場效應(yīng)管M0SFET2的柵極G2連接,場效應(yīng)管M0SFET1相連的7、8腳是行線輸出端Hl,場效應(yīng)管M0SFET1相連的5、6腳是行線輸出端H2,場效應(yīng)管M0SFET2相連的7、8腳是行線輸出端H3,場效應(yīng)管M0SFET2相連的5、6腳是行線輸出端H4。
[0013]這種用于LED顯示屏的無非控點亮消影電路的特點是:
[0014]在所述行控制線輸出端Y0、所述行線輸出端Hl和公共地之間設(shè)有第一三極管開關(guān)電路,所述第一三極管開關(guān)電路包括第一三極管、連接在所述行控制線輸出端YO與所述第一三極管基極之間由第一隔離電阻和第一隔離電容組成的第一耦合支路、連接在所述第一三極管基極與發(fā)射極之間的第一極間電阻,以及連接在所述第一三極管集電極與所述行線輸出端Hl之間的第一集電極電阻,所述行控制線輸出端YO和公共地是所述第一三極管開關(guān)電路的輸入端,所述行線輸出端Hl和公共地是所述第一三極管開關(guān)電路的輸出端;
[0015]當(dāng)譯碼芯片74HC138的行控制線輸出端YO由輸出低電平變?yōu)楦唠娖綍r,即掃描到下一行,因第一隔離電容兩端電壓不能突變而為“0”,選擇第一隔離電阻和第一極間電阻的比值,使第一三極管飽和導(dǎo)通,行線輸出端Hl通過第一集電極電阻即未改進的電路中的接地用電阻將行電源迅速拉低,隨著第一隔離電容的充電,其兩端電壓逐漸升高,通過第一隔離電容的電流逐漸減小,直至使第一三極管截止,第一集電極電阻即未改進的電路中的接地用電阻斷開與公共地的連接,確保同列的其它行的LED不會通過漏電的某行LED以及與漏電的某行LED相連接的接地用電阻到公共地形成回路,在行電源的驅(qū)動下非控點亮;當(dāng)譯碼芯片74HC138的行控制線輸出端YO由輸出高電平變?yōu)榈碗娖綍r,第一隔離電容放電,將恢復(fù)到初始狀態(tài),第一三極管的導(dǎo)通時間就是行電源下降時間Tf,選擇第一隔離電阻和第一極間電阻的阻值和第一隔離電容的容值,使Tf=30ns,在一幀圖像內(nèi)的前一行與后一行存在約為30ns的重疊時間Tn,與行電源的下降時間Tf近似,即使因LED漏電導(dǎo)致某些LED非控點亮,由于相應(yīng)的重疊時間Tn與每行的顯示時間Tm的重疊比值Tn / Tm非常小,在人的視覺里不會出現(xiàn)拖尾現(xiàn)象,即人眼不足以識別“前一行在微亮”的效應(yīng);
[0016]在所述行控制線輸出端Υ1、所述行線輸出端Η2和公共地之間設(shè)有第二三極管開關(guān)電路,所述第二三極管開關(guān)電路與第一三極管開關(guān)電路的組成以及元器件完全相同,所述第二三極管開關(guān)電路包括第二三極管、連接在所述行控制線輸出端Yl與所述第二三極管基極之間由第二隔離電阻和第二隔離電容組成的第二耦合支路、連接在所述第二三極管基極與發(fā)射極之間的第二極間電阻,以及連接在所述第二三極管集電極與所述行線輸出端Η2之間的第二集電極電阻,所述行控制線輸出端Yl和公共地是所述第二三極管開關(guān)電路的輸入端,所述行線輸出端Η2和公共地是所述第二三極管開關(guān)電路的輸出端;
[0017]當(dāng)譯碼芯片74HC138的行控制線輸出端Yl由輸出低電平變?yōu)楦唠娖綍r,即掃描到下一行,因第二隔離電容兩端電壓不能突變而為“0”,選擇第二隔離電阻和第二極間電阻的比值,使第二三極管飽和導(dǎo)通,行線輸出端Η2通過第二集電極電阻即未改進的電路中的接地用電阻將行電源迅速拉低,隨著第二隔離電容的充電,其兩端電壓逐漸升高,通過第二隔離電容的電流逐漸減小,直至使第二三極管截止,第二集電極電阻即未改進的電路中的接地用電阻斷開與公共地的連接,確保同列的其它行的LED不會通過漏電的某行LED以及與漏電的某行LED相連接的接地用電阻到公共地形成回路,在行電源的驅(qū)動下非控點亮;當(dāng)譯碼芯片74HC138的行控制線輸出端Yl由輸出高電平變?yōu)榈碗娖綍r,第二隔離電容放電,將恢復(fù)到初始狀態(tài),第二三極管的導(dǎo)通時間就是行電源下降時間Tf,選擇第二隔離電阻和第二極間電阻的阻值和第二隔離電容的容值,使Tf=30ns,在一幀圖像內(nèi)的前一行與后一行存在約為30ns的重疊時間Tn,與行電源的下降時間Tf近似,即使因LED漏電導(dǎo)致某些LED非控點亮,由于相應(yīng)的重疊時間Tn與每行的顯示時間Tm的重疊比值Tn / Tm非常小,在人的視覺里不會出現(xiàn)拖尾現(xiàn)象,即人眼不足以識別“前一行在微亮”的效應(yīng);
[0018]在所述行控制線輸出端Υ2、所述行線輸出端Η3和公共地之間設(shè)有第三三極管開關(guān)電路,所述第三三極管開關(guān)電路與第一三極管開關(guān)電路的組成以及元器件完全相同,所述第三三極管開關(guān)電路包括第三三極管、連接在所述行控制線輸出端Υ2與所述第三三極管基極之間由第三隔離電阻和第三隔離電容組成的第三耦合支路、連接在所述第三三極管基極與發(fā)射極之間的第三極間電阻,以及連接在所述第三三極管集電極與所述行線輸出端Η2之間的第三集電極電阻,所述行控制線輸出端Υ2和公共地是所述第三三極管開關(guān)電路的輸入端,所述行線輸出端Η3和公共地是所述第三三極管開關(guān)電路的輸出端;
[0019]當(dāng)譯碼芯片74HC138的行控制線輸出端Υ2由輸出低電平變?yōu)楦唠娖綍r,即掃描到下一行,因第三隔離電容兩端電壓不能突變而為“0”,選擇第三隔離電阻和第三極間電阻的比值,使第三三極管飽和導(dǎo)通,行線輸出端Η2通過第三集電極電阻即未改進的電路中的接地用電阻將行電源迅速拉低,隨著第三隔離電容的充電,其兩端電壓逐漸升高,通過第三隔離電容的電流逐漸減小,直至使第三三極管截止,第三集電極電阻即未改進的電路中的接地用電阻斷開與公共地的連接,確保同列的其它行的LED不會通過漏電的某行LED以及與漏電的某行LED相連接的接地用電阻到公共地形成回路,在行電源的驅(qū)動下非控點亮;當(dāng)譯碼芯片74HC138的行控制線輸出端Υ2由輸出高電平變?yōu)榈碗娖綍r,第三隔離電容放電,將恢復(fù)到初始狀態(tài),第三三極管的導(dǎo)通時間就是行電源下降時間Tf,選擇第三隔離電阻和第三極間電阻的阻值和第三隔離電容的容值,使Tf=30ns,在一幀圖像內(nèi)的前一行與后一行存在約為30ns的重疊時間Tn,與行電源的下降時間Tf近似,即使因LED漏電導(dǎo)致某些LED非控點亮,由于相應(yīng)的重疊時間Tn與每行的顯示時間Tm的重疊比值Tn / Tm非常小,在人的視覺里不會出現(xiàn)拖尾現(xiàn)象,即人眼不足以識別“前一行在微亮”的效應(yīng);
[0020]在所述行控制線輸出端Υ3、所述行線輸出端Η4和公共地之間設(shè)有第四三極管開關(guān)電路,所述第四三極管開關(guān)電路與第一三極管開關(guān)電路的組成以及元器件完全相同,所述第四三極管開關(guān)電路包括第四三極管、連接在所述行控制線輸出端Υ3與所述第四三極管基極之間由第四隔離電阻和第四隔離電容組成的第四耦合支路、連接在所述第四三極管基極與發(fā)射極之間的第四極間電阻,以及連接在所述第四三極管集電極與所述行線輸出端Η4之間的第四集電極電阻,所述行控制線輸出端Υ3和公共地是所述第四三極管開關(guān)電路的輸入端,所述行線輸出端Η4和公共地是所述第四三極管開關(guān)電路的輸出端;
[0021]當(dāng)譯碼芯片74HC138的行控制線輸出端Υ3由輸出低電平變?yōu)楦唠娖綍r,即掃描到下一行,因第四隔離電容兩端電壓不能突變而為“0”,選擇第四隔離電阻和第四極間電阻的比值,使第四三極管飽和導(dǎo)通,行線輸出端Η2通過第四集電極電阻即未改進的電路中的接地用電阻將行電源迅速拉低,隨著第四隔離電容的充電,其兩端電壓逐漸升高,通過第四隔離電容的電流逐漸減小,直至使第四三極管截止,第四集電極電阻即未改進的電路中的接地用電阻斷開與公共地的連接,確保同列的其它行的LED不會通過漏電的某行LED以及與漏電的某行LED相連接的接地用電阻到公共地形成回路,在行電源的驅(qū)動下非控點亮;當(dāng)譯碼芯片74HC138的行控制線輸出端Y3由輸出高電平變?yōu)榈碗娖綍r,第四隔離電容放電,將恢復(fù)到初始狀態(tài),第四三極管的導(dǎo)通時間就是行電源下降時間Tf,選擇第四隔離電阻和第四極間電阻的阻值和第四隔離電容的容值,使Tf=30ns,在一幀圖像內(nèi)的前一行與后一行存在約為30ns的重疊時間Tn,與行電源的下降時間Tf近似,即使因LED漏電導(dǎo)致某些LED非控點亮,由于相應(yīng)的重疊時間Tn與每行的顯示時間Tm的重疊比值Tn / Tm非常小,在人的視覺里不會出現(xiàn)拖尾現(xiàn)象,即人眼不足以識別“前一行在微亮”的效應(yīng)。
[0022]所述第一三極管開關(guān)電路、第二三極管開關(guān)電路、第三三極管開關(guān)電路和第四三極管開關(guān)電路的功能如下:
[0023]在掃描到下一行時,第一三極管開關(guān)電路、第二三極管開關(guān)電路、第三三極管開關(guān)電路和第四三極管開關(guān)電路處于飽和導(dǎo)通狀態(tài),當(dāng)前一行的行電源下降時間Tf后,所述第一三極管開關(guān)電路、第二三極管開關(guān)電路、第三三極管開關(guān)電路和第四三極管開關(guān)電路處于截止狀態(tài),使所述第一集電極電阻、第二集電極電阻、第三集電極電阻和第四集電極電阻,即原有解決拖尾現(xiàn)象的電路中的接地用電阻斷開與公共地的連接,確保同列的其它行的LED不會通過漏電的某行LED以及與漏電的某行LED相連接的接地用電阻到公共地形成回路,有效消除同列上LED在行電源的驅(qū)動下非控點亮。
[0024]本實用新型的技術(shù)問題通過以下進一步的技術(shù)方案予以解決。
[0025]所述第一三極管、第二三極管、第三三極管和第四三極管,是截止頻率至少為IOOMHz的NPN型開關(guān)三極管。
[0026]所述第一三極管、第二三極管、第三三極管和第四三極管,是型號為BC817的低功耗NPN型開關(guān)三極管。
[0027]所述第一隔離電阻、第二隔離電阻、第三隔離電阻和第四隔離電阻,是片式固定電阻,所述第一隔離電阻、第二隔離電阻、第三隔離電阻和第四隔離電阻,用于限制電流過大,分別避免燒毀第一三極管、第二三極管、第三三極管和第四三極管。
[0028]優(yōu)選的是,所述第一隔離電阻、第二隔離電阻、第三隔離電阻和第四隔離電阻,是引腳加工成F型的精密片式固定電阻。
[0029]所述第一隔離電容、第二隔離電容、第三隔離電容和第四隔離電容,是瓷片隔離電容,所述第一隔離電容、第二隔離電容、第三隔離電容和第四隔離電容的充放電時間分別由所述第一隔離電容與所述第一隔離電阻、第二隔離電容與所述第二隔離電阻、第三隔離電容與所述第三隔離電阻和第四隔離電容與所述第四隔離電阻共同決定,用于分別精準控制第一三極管、第二三極管、第三三極管和第四三極管的導(dǎo)通時間。
[0030]所述第一極間電阻、第二極間電阻、第三極間電阻和第四極間電阻,是片式固定電阻,所述第一極間電阻、第二極間電阻、第三極間電阻和第四極間電阻,分別用于泄放第
一三極管、第二三極管、第三三極管和第四三極管的基極電荷,分別使第一隔離電容、第二隔離電容、第三隔離電容和第四隔離電容恢復(fù)到初始狀態(tài)并且分別確保第一三極管、第二三極管、第三三極管和第四三極管處于截止狀態(tài)。
[0031]所述第一集電極電阻、第二集電極電阻、第三集電極電阻和第四集電極電阻,是片式固定電阻,其阻值選擇是分別確保第一三極管、第二三極管、第三三極管和第四三極管處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)。
[0032]本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是:[0033]本實用新型電路簡單,成本較低。在相應(yīng)的譯碼芯片行控制線輸出端、場效應(yīng)管的行線輸出端和公共地之間設(shè)有三極管開關(guān)電路,當(dāng)行控制線輸出端由輸出低電平變?yōu)楦唠娖綍r,行線輸出端將行電源迅速拉低,隨著隔離電容的充電,斷開與公共地的連接,且選擇器件參數(shù)使一幀圖像內(nèi)前一行與后一行存在約為30ns的重疊時間,與行電源的下降時間近似,可以有效消除同列它行LED在行電源的驅(qū)動下非控點亮,即使因LED漏電導(dǎo)致某些LED非控點亮,也可以顯著改善LED顯示屏拖尾現(xiàn)象,使人眼不足以識別“前一行在微亮”的效應(yīng)。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0034]圖1是現(xiàn)有I / 4掃描的LED顯示屏的行列分控驅(qū)動電路圖;
[0035]圖2是本實用新型【具體實施方式】的行列分控驅(qū)動電路圖;
【具體實施方式】
[0036]下面結(jié)合【具體實施方式】并對照附圖對本實用新型進行說明。
[0037]—種如圖2所示的用于LED顯示屏的無非控點亮消影電路,設(shè)置在I / 4掃描行列分控的LED顯示屏的行驅(qū)動電路中。行驅(qū)動電路包括設(shè)有二進制加權(quán)地址的行選信號輸入端A0、A1和互斥的低有效的行控制線輸出端Y0、Y1、Y2、Y3的譯碼芯片74HC138,以及與譯碼芯片74HC138連接的雙P溝道M0SFET4953,其內(nèi)部包括兩個獨立的、P溝道場效應(yīng)管M0SFET1、M0SFET2,輸出端YO與場效應(yīng)管M0SFET1的控制腳2,即場效應(yīng)管M0SFET1的柵極Gl連接,輸出端Yl與場效應(yīng)管M0SFET1的控制腳4,即場效應(yīng)管M0SFET1的柵極G2連接,輸出端Υ2與場效應(yīng)管M0SFET2的控制腳2,即場效應(yīng)管M0SFET2的柵極Gl連接,輸出端Υ3與場效應(yīng)管M0SFET2的控制腳4,即場效應(yīng)管M0SFET2的柵極G2連接,場效應(yīng)管MOSFETI相連的7、8腳是行線輸出端Η1,場效應(yīng)管M0SFET1相連的5、6腳是行線輸出端Η2,場效應(yīng)管M0SFET2相連的7、8腳是行線輸出端Η3,場效應(yīng)管M0SFET2相連的5、6腳是行線輸出端Η4,行線輸出端Η1、Η2、Η3和Η4分別與LED顯示屏顯示具體圖象的行上發(fā)光二極管D1、D2、D3和D4連接,用于驅(qū)動LED顯示屏的列上發(fā)光二極管的16位恒流LED驅(qū)動集成電路U2,內(nèi)建有CMOS位移緩存器與栓鎖,可以將串行的輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成并行的數(shù)據(jù)輸出格式,驅(qū)動集成電路U2所有通道的輸出電流通過調(diào)整電阻BRl設(shè)定。
[0038]在行控制線輸出端Y0、行線輸出端Hl和公共地之間設(shè)有第一三極管開關(guān)電路,第一三極管開關(guān)電路包括第一三極管Q1、連接在行控制線輸出端YO與第一三極管Ql基極之間由第一隔離電阻RRl和第一隔離電容Cl組成的第一耦合支路、連接在第一三極管Ql基極與發(fā)射極之間的第一極間電阻HR1,以及連接在第一三極管Ql集電極與行線輸出端Hl之間的第一集電極電阻NR1,行控制線輸出端YO和公共地是第一三極管開關(guān)電路的輸入端,行線輸出端Hl和公共地是第一三極管開關(guān)電路的輸出端;
[0039]當(dāng)譯碼芯片74HC138的行控制線輸出端YO由輸出低電平變?yōu)楦唠娖綍r,即掃描到下一行,因第一隔離電容Cl兩端電壓不能突變而為“0”,選擇第一隔離電阻RRl和第一極間電阻HRl的比值,使第一三極管Ql飽和導(dǎo)通,行線輸出端Hl通過第一集電極電阻NRl即未改進的電路中的接地用電阻將行電源迅速拉低,隨著第一隔離電容Cl的充電,其兩端電壓逐漸升高,通過第一隔離電容Cl的電流逐漸減小,直至使第一三極管Ql截止,第一集電極電阻NRl即未改進的電路中的接地用電阻斷開與公共地的連接,確保同列的其它行的LED不會通過漏電的某行LED以及與漏電的某行LED相連接的接地用電阻到公共地形成回路,在行電源的驅(qū)動下非控點亮;當(dāng)譯碼芯片74HC138的行控制線輸出端YO由輸出高電平變?yōu)榈碗娖綍r,第一隔離電容Cl放電,將恢復(fù)到初始狀態(tài),第一三極管Ql的導(dǎo)通時間就是行電源下降時間Tf,選擇第一隔離電阻RRl和第一極間電阻HRl的阻值和第一隔離電容Cl的容值,使Tf=30ns,在一幀圖像內(nèi)的前一行與后一行存在約為30ns的重疊時間Tn,與行電源的下降時間Tf近似,即使因LED漏電導(dǎo)致某些LED非控點亮,由于相應(yīng)的重疊時間Tn與每行的顯示時間Tm的重疊比值Tn / Tm非常小,在人的視覺里不會出現(xiàn)拖尾現(xiàn)象,即人眼不足以識別“前一行在微亮”的效應(yīng);
[0040]在行控制線輸出端Υ1、行線輸出端Η2和公共地之間設(shè)有第二三極管開關(guān)電路,第二三極管開關(guān)電路與第一三極管開關(guān)電路的組成以及元器件完全相同,第二三極管開關(guān)電路包括第二三極管Q2、連接在行控制線輸出端Yl與第二三極管基極之間由第二隔離電阻RR2和第二隔離電容C2組成的第二耦合支路、連接在第二三極管Q2基極與發(fā)射極之間的第二極間電阻HR2,以及連接在第二三極管Q2集電極與行線輸出端Η2之間的第二集電極電阻NR2,行控制線輸出端Yl和公共地是第二三極管開關(guān)電路的輸入端,行線輸出端Η2和公共地是第二三極管開關(guān)電路的輸出端;
[0041]當(dāng)譯碼芯片74HC138的行控制線輸出端Yl由輸出低電平變?yōu)楦唠娖綍r,即掃描到下一行,因第二隔離電容C2兩端電壓不能突變而為“0”,選擇第二隔離電阻RR2和第二極間電阻HR2的比值,使第二三極管Q2飽和導(dǎo)通,行線輸出端Η2通過第二集電極電阻NR2即未改進的電路中的接地用電阻將行電源迅速拉低,隨著第二隔離電容C2的充電,其兩端電壓逐漸升高,通過第二隔離電容C2的電流逐漸減小,直至使第二三極管Q2截止,第二集電極電阻NR2即未改進的電路中的接地用電阻斷開與公共地的連接,確保同列的其它行的LED不會通過漏電的某行LED以及與漏電的某行LED相連接的接地用電阻到公共地形成回路,在行電源的驅(qū)動下非控點亮;當(dāng)譯碼芯片74HC138的行控制線輸出端Yl由輸出高電平變?yōu)榈碗娖綍r,第二隔離電容C2放電,將恢復(fù)到初始狀態(tài),第二三極管Q2的導(dǎo)通時間就是行電源下降時間Tf,選擇第二隔離電阻PR2和第二極間電阻HR2的阻值和第二隔離電容C2的容值,使Tf=30ns,在一幀圖像內(nèi)的前一行與后一行存在約為30ns的重疊時間Tn,與行電源的下降時間Tf近似,即使因LED漏電導(dǎo)致某些LED非控點亮,由于相應(yīng)的重疊時間Tn與每行的顯示時間Tm的重疊比值Tn / Tm非常小,在人的視覺里不會出現(xiàn)拖尾現(xiàn)象,即人眼不足以識別“前一行在微亮”的效應(yīng);
[0042]在行控制線輸出端Υ2、行線輸出端Η3和公共地之間設(shè)有第三三極管開關(guān)電路,第三三極管開關(guān)電路與第一三極管開關(guān)電路的組成以及元器件完全相同,第三三極管開關(guān)電路包括第三三極管Q3、連接在行控制線輸出端Υ2與第三三極管Q3基極之間由第三隔離電阻RR3和第三隔離電容C3組成的第三耦合支路、連接在第三三極管Q3基極與發(fā)射極之間的第三極間電阻HR3,以及連接在第三三極管Q3集電極與行線輸出端Η2之間的第三集電極電阻NR3,行控制線輸出端Υ2和公共地是第三三極管開關(guān)電路的輸入端,行線輸出端Η3和公共地是第三三極管開關(guān)電路的輸出端;
[0043]當(dāng)譯碼芯片74HC138的行控制線輸出端Υ2由輸出低電平變?yōu)楦唠娖綍r,即掃描到下一行,因第三隔離電容C3兩端電壓不能突變而為“0””,選擇第三隔離電阻RR3和第三極間電阻HR3的比值,使第三三極管Q3飽和導(dǎo)通,行線輸出端H2通過第三集電極電阻NR3即未改進的電路中的接地用電阻將行電源迅速拉低,隨著第三隔離電容C3的充電,其兩端電壓逐漸升高,通過第三隔離電容C3的電流逐漸減小,直至使第三三極管Q3截止,第三集電極電阻NR3即未改進的電路中的接地用電阻斷開與公共地的連接,確保同列的其它行的LED不會通過漏電的某行LED以及與漏電的某行LED相連接的接地用電阻到公共地形成回路,在行電源的驅(qū)動下非控點亮;當(dāng)譯碼芯片74HC138的行控制線輸出端Y2由輸出高電平變?yōu)榈碗娖綍r,第三隔離電容C3放電,將恢復(fù)到初始狀態(tài),第三三極管Q3的導(dǎo)通時間就是行電源下降時間Tf,選擇第三隔離電阻PR3和第三極間電阻HR3的阻值和第三隔離電容C3的容值,使Tf=30ns,在一幀圖像內(nèi)的前一行與后一行存在約為30ns的重疊時間Tn,與行電源的下降時間Tf近似,即使因LED漏電導(dǎo)致某些LED非控點亮,由于相應(yīng)的重疊時間Tn與每行的顯示時間Tm的重疊比值Tn / Tm非常小,在人的視覺里不會出現(xiàn)拖尾現(xiàn)象,即人眼不足以識別“前一行在微亮”的效應(yīng);
[0044]在行控制線輸出端Υ3、行線輸出端Η4和公共地之間設(shè)有第四三極管開關(guān)電路,第四三極管開關(guān)電路與第一三極管開關(guān)電路的組成以及元器件完全相同,第四三極管開關(guān)電路包括第四三極管Q4、連接在行控制線輸出端Υ3與第四三極管Q4基極之間由第四隔離電阻RR4和第四隔離電容C4組成的第四耦合支路、連接在第四三極管Q4基極與發(fā)射極之間的第四極間電阻HR4,以及連接在第四三極管Q4集電極與行線輸出端Η4之間的第四集電極電阻NR4,行控制線輸出端Υ3和公共地是第四三極管開關(guān)電路的輸入端,行線輸出端Η4和公共地是第四三極管開關(guān)電路的輸出端;
[0045]當(dāng)譯碼芯片74HC138的行控制線輸出端Υ3由輸出低電平變?yōu)楦唠娖綍r,即掃描到下一行,因第四隔離電容C4兩端電壓不能突變而為“0”,選擇第四隔離電阻RR4和第四極間電阻HR4的比值,使第四三極管Q4飽和導(dǎo)通,行線輸出端Η2通過第四集電極電阻NR4即未改進的電路中的接地用電阻將行電源迅速拉低,隨著第四隔離電容C4的充電,其兩端電壓逐漸升高,通過第四隔離電容C4的電流逐漸減小,直至使第四三極管Q4截止,第四集電極電阻NR4即未改進的電路中的接地用電阻斷開與公共地的連接,確保同列的其它行的LED不會通過漏電的某行LED以及與漏電的某行LED相連接的接地用電阻到公共地形成回路,在行電源的驅(qū)動下非控點亮;當(dāng)譯碼芯片74HC138的行控制線輸出端Υ3由輸出高電平變?yōu)榈碗娖綍r,第四隔離電容C4放電,將恢復(fù)到初始狀態(tài),第四三極管Q4的導(dǎo)通時間就是行電源下降時間Tf,選擇第四隔離電阻PR4和第四極間電阻HR4的阻值和第四隔離電容C4的容值,使Tf=30ns,在一幀圖像內(nèi)的前一行與后一行存在約為30ns的重疊時間Tn,與行電源的下降時間Tf近似,即使因LED漏電導(dǎo)致某些LED非控點亮,由于相應(yīng)的重疊時間Tn與每行的顯示時間Tm的重疊比值Tn / Tm非常小,在人的視覺里不會出現(xiàn)拖尾現(xiàn)象,即人眼不足以識別“前一行在微亮”的效應(yīng)。
[0046]第一三極管開關(guān)電路、第二三極管開關(guān)電路、第三三極管開關(guān)電路和第四三極管開關(guān)電路的功能如下:
[0047]在掃描到下一行時,第一三極管開關(guān)電路、第二三極管開關(guān)電路、第三三極管開關(guān)電路和第四三極管開關(guān)電路處于飽和導(dǎo)通狀態(tài),當(dāng)前一行的行電源下降時間Tf后,第一三極管開關(guān)電路、第二三極管開關(guān)電路、第三三極管開關(guān)電路和第四三極管開關(guān)電路處于截止狀態(tài),使第一集電極電阻NR1、第二集電極電阻NR2、第三集電極電阻NR3和第四集電極電阻NR4,即原有解決拖尾現(xiàn)象的電路中的接地用電阻斷開與公共地的連接,確保同列的其它行的LED不會通過漏電的某行LED以及與漏電的某行LED相連接的接地用電阻到公共地形成回路,有效消除同列上LED在行電源的驅(qū)動下非控點亮。
[0048]第一三極管Q1、第二三極管Q2、第三三極管Q3和第四三極管Q4,是型號為BC817的低功耗NPN型開關(guān)三極管,截止頻率至少為IOOMHz。
[0049]第一隔離電阻RRl、第二隔離電阻RR2、第三隔離電阻RR3和第四隔離電阻RR4,是阻值為220歐姆的引腳加工成F型的精密片式固定電阻,用于限制電流過大,分別避免燒毀第一三極管Q1、第二三極管Q2、第三三極管Q3和第四三極管Q4。
[0050]第一隔離電容Cl、第二隔離電容C2、第三隔離電容C3和第四隔離電容C4,是容值為1000PF的瓷片隔離電容,第一隔離電容Cl、第二隔離電容C2、第三隔離電容C3和第四隔尚電容C4的充放電時間分別由第一隔尚電容Cl與第一隔尚電阻RR1、第二隔尚電容C2與第二隔離電阻RR2、第三隔離電容C3與第三隔離電阻RR3和第四隔離電容C4與第四隔離電阻RR4共同決定,用于分別精準控制第一三極管Q1、第二三極管Q2、第三三極管Q3和第四三極管Q4的導(dǎo)通時間。
[0051]第一極間電阻HRl、第二極間電阻HR2、第三極間電阻HR3和第四極間電阻HR4,是阻值為27K歐姆的片式固定電阻,第一極間電阻HR1、第二極間電阻HR2、第三極間電阻HR3和第四極間電阻HR4,分別用于泄放第一三極管Q1、第二三極管Q2、第三三極管Q3和第四三極管Q4的基極電荷,分別使第一隔離電容Cl、第二隔離電容C2、第三隔離電容C3和第四隔離電容C4恢復(fù)到初始狀態(tài)并且分別確保第一三極管Q1、第二三極管Q2、第三三極管Q3和第四三極管Q4處于截止狀態(tài)。
[0052]第一集電極電阻NRl、第二集電極電阻NR2、第三集電極電阻NR3和第四集電極電阻NR4,是阻值為220歐姆的片式固定電阻,其阻值選擇是分別確保第一三極管Q1、第二三極管Q2、第三三極管Q3和第四三極管Q4處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)。
[0053]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本實用新型所作的進一步詳細說明,不能認定本實用新型的具體實施只局限于這些說明。對于本實用新型所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下做出若干等同替代或明顯變型,而且性能或用途相同,都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實用新型由所提交的權(quán)利要求書確定的專利保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種用于LED顯示屏的無非控點亮消影電路,設(shè)置在I / 4掃描行列分控的LED顯示屏的行驅(qū)動電路中,所述行驅(qū)動電路包括設(shè)有二進制加權(quán)地址的行選信號輸入端A0、Al和互斥的低有效的行控制線輸出端YO、Yl、Y2、Y3的譯碼芯片74HC138,以及與所述譯碼芯片74HC138連接的雙P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管M0SFET4953,其內(nèi)部包括兩個獨立的P溝道場效應(yīng)管M0SFET1、M0SFET2,所述輸出端YO與場效應(yīng)管MOSFET1的控制腳2,即場效應(yīng)管MOSFET1的柵極Gl連接,所述輸出端Yl與場效應(yīng)管MOSFET1的控制腳4,即場效應(yīng)管MOSFET1的柵極G2連接,所述輸出端Y2與場效應(yīng)管MOSFET2的控制腳2,即場效應(yīng)管MOSFET2的柵極Gl連接,所述輸出端Y3與場效應(yīng)管MOSFET2的控制腳4,即場效應(yīng)管MOSFET2的柵極G2連接,場效應(yīng)管MOSFETI相連的7、8腳是行線輸出端Hl,場效應(yīng)管MOSFETI相連的5、6腳是行線輸出端H2,場效應(yīng)管M0SFET2相連的7、8腳是行線輸出端H3,場效應(yīng)管M0SFET2相連的5、6腳是行線輸出端H4,其特征在于: 在所述行控制線輸出端Y0、所述行線輸出端Hl和公共地之間設(shè)有第一三極管開關(guān)電路,所述第一三極管開關(guān)電路包括第一三極管、連接在所述行控制線輸出端YO與所述第一三極管基極之間由第一隔離電阻和第一隔離電容組成的第一耦合支路、連接在所述第一三極管基極與發(fā)射極之間的第一極間電阻,以及連接在所述第一三極管集電極與所述行線輸出端Hl之間的第一集電極電阻,所述行控制線輸出端YO和公共地是所述第一三極管開關(guān)電路的輸入端,所述行線輸出端Hl和公共地是所述第一三極管開關(guān)電路的輸出端; 在所述行控制線輸出端Y1、所述行線輸出端H2和公共地之間設(shè)有第二三極管開關(guān)電路,所述第二三極管開關(guān)電路與第一三極管開關(guān)電路的組成以及元器件完全相同,所述第二三極管開關(guān)電路包括第二三極管、連接在所述行控制線輸出端Yl與所述第二三極管基極之間由第二隔離電阻和第二隔離電容組成的第二耦合支路、連接在所述第二三極管基極與發(fā)射極之間的第二極間電阻,以及連接在所述第二三極管集電極與所述行線輸出端H2之間的第二集電極電阻,所述行控制線輸出端Yl和公共地是所述第二三極管開關(guān)電路的輸入端,所述行線輸出端H2和公共地是所述第二三極管開關(guān)電路的輸出端; 在所述行控制線輸出端Y2、所述`行線輸出端H3和公共地之間設(shè)有第三三極管開關(guān)電路,所述第三三極管開關(guān)電路與第一三極管開關(guān)電路的組成以及元器件完全相同,所述第三三極管開關(guān)電路包括第三三極管、連接在所述行控制線輸出端Y2與所述第三三極管基極之間由第三隔離電阻和第三隔離電容組成的第三耦合支路、連接在所述第三三極管基極與發(fā)射極之間的第三極間電阻,以及連接在所述第三三極管集電極與所述行線輸出端H2之間的第三集電極電阻,所述行控制線輸出端Y2和公共地是所述第三三極管開關(guān)電路的輸入端,所述行線輸出端H3和公共地是所述第三三極管開關(guān)電路的輸出端; 在所述行控制線輸出端Y3、所述行線輸出端H4和公共地之間設(shè)有第四三極管開關(guān)電路,所述第四三極管開關(guān)電路與第一三極管開關(guān)電路的組成以及元器件完全相同,所述第四三極管開關(guān)電路包括第四三極管、連接在所述行控制線輸出端Y3與所述第四三極管基極之間由第四隔離電阻和第四隔離電容組成的第四耦合支路、連接在所述第四三極管基極與發(fā)射極之間的第四極間電阻,以及連接在所述第四三極管集電極與所述行線輸出端H4之間的第四集電極電阻,所述行控制線輸出端Y3和公共地是所述第四三極管開關(guān)電路的輸入端,所述行線輸出端H4和公共地是所述第四三極管開關(guān)電路的輸出端。
2.如權(quán)利要求1所述的用于LED顯示屏的無非控點亮消影電路,其特征在于:所述第一三極管、第二三極管、第三三極管和第四三極管,是截止頻率至少為IOOMHz的NPN型開關(guān)三極管。
3.如權(quán)利要求1或2所述的用于LED顯示屏的無非控點亮消影電路,其特征在于: 所述第一三極管、第二三極管、第三三極管和第四三極管,是型號為BC817的低功耗NPN型開關(guān)三極管。
4.如權(quán)利要求3所述的用于LED顯示屏的無非控點亮消影電路,其特征在于: 所述第一隔離電阻、第二隔離電阻、第三隔離電阻和第四隔離電阻,是片式固定電阻。
5.如權(quán)利要求4所述的用于LED顯示屏的無非控點亮消影電路,其特征在于: 所述第一隔離電阻、第二隔離電阻、第三隔離電阻和第四隔離電阻,是引腳加工成F型的精密片式固定電阻。
6.如權(quán)利要求5所述的用于LED顯示屏的無非控點亮消影電路,其特征在于: 所述第一隔離電容、第二隔離電容、第三隔離電容和第四隔離電容,是瓷片隔離電容,所述第一隔離電容、第二隔離電容、第三隔離電容和第四隔離電容的充放電時間分別由所述第一隔離電容與所述第一隔離電阻、第二隔離電容與所述第二隔離電阻、第三隔離電容與所述第三隔離電阻
7.如權(quán)利要求6所述的用于LED顯示屏的無非控點亮消影電路,其特征在于: 所述第一極間電阻、第二極間電阻、第三極間電阻和第四極間電阻,是片式固定電阻。
8.如權(quán)利要求7所述的用于LED顯示屏的無非控點亮消影電路,其特征在于: 所述第一集電極電阻、第二集電極電阻、第三集電極電阻和第四集電極電阻,是片式固定電阻。
【文檔編號】G09G3/32GK203596163SQ201320628493
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2013年10月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月12日
【發(fā)明者】王占明, 鐘濤, 盧青松, 李鷗, 謝群 申請人:深圳市大族元亨光電股份有限公司