顯示裝置、制造該顯示裝置的方法和電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了顯示裝置、制造該顯示裝置的方法和含有該顯示裝置的電子設(shè)備，以顯示高清晰度圖像且提高分辨率。所述顯示裝置包括：多個(gè)單位像素，所述多個(gè)單位像素均包括顯示元件和向所述顯示元件提供驅(qū)動電流的驅(qū)動晶體管，所述多個(gè)單位像素被排列成沿第一方向而被掃描和驅(qū)動；以及在與所述第一方向相交的第二方向上延伸的單條電源線，所設(shè)置的所述單條電源線是針對單位像素對分配的，所述單位像素對是所述多個(gè)單位像素中的在所述第一方向上彼此相鄰的兩個(gè)單位像素。所述制造該顯示裝置的方法包括：在基板上形成晶體管，且在該步驟中，由離子注入裝置進(jìn)行掃描的第一方向與由準(zhǔn)分子激光退火裝置進(jìn)行掃描的第二方向相交；以及形成顯示元件。
【專利說明】顯示裝置、制造該顯示裝置的方法和電子設(shè)備
[0001]相關(guān)申請的交叉參考
[0002]本申請主張享有于2012年11月19日提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請JP2012-253065的權(quán)益,因此將該日本優(yōu)先權(quán)申請的全部內(nèi)容以引用的方式并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及具有電流驅(qū)動型顯示元件的顯示裝置、制造所述顯示裝置的方法和含有所述顯示裝置的電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0004]近年來，在顯示圖像的顯示裝置的領(lǐng)域中，開發(fā)出了使用發(fā)光亮度根據(jù)所流過的電流值而變化的電流驅(qū)動型光學(xué)元件(例如，使用有機(jī)EL(電致發(fā)光)元件)作為發(fā)光元件的顯示裝置(有機(jī)EL顯示裝置)，且其商品化正在進(jìn)展中。與液晶元件不同，發(fā)光元件是自發(fā)光元件，且因此不需要背光(backlight)。于是，與必須有背光的液晶顯示裝置相比，有機(jī)EL顯示裝置具有圖像視認(rèn)度高、電力消耗低和元件響應(yīng)速度快的特點(diǎn)。
[0005]不僅在固定型電視接收器中而且在諸如智能手機(jī)等移動終端中，都渴望在顯示裝置中顯示出高清晰度圖像。鑒于以上所述，為了提高顯示裝置的分辨率，開發(fā)了各種技術(shù)。例如，在日本待審查專利申請公開案第2008-83084中，公開了如下的顯示裝置:其中，在具有呈所謂5Trl C配置的子像素的有機(jī)EL顯示裝置中，在水平方向上相鄰的紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)三個(gè)子像素共用一開關(guān)晶體管(電源晶體管)。在這個(gè)顯示裝置中，三個(gè)子像素如上所述共用了電源晶體管以減少元件的數(shù)量和提高分辨率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]如上所述，在顯示裝置中，渴望顯示出高清晰度圖像且期望提高分辨率。
[0007]本發(fā)明期望提供均能夠提高分辨率的一種顯示裝置、一種制造所述顯示裝置的方法和一種電子設(shè)備。
[0008]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置，其包括:多個(gè)單位像素，所述多個(gè)單位像素均包括顯示元件和向所述顯示元件提供驅(qū)動電流的驅(qū)動晶體管，所述多個(gè)單位像素被排列成沿第一方向而被掃描和驅(qū)動；以及單條電源線，所述單條電源線在與所述第一方向相交的第二方向上延伸，這里所設(shè)置的所述單條電源線是針對單位像素對分配的，所述單位像素對是所述多個(gè)單位像素中的在所述第一方向上彼此相鄰的兩個(gè)單位像素。
[0009]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造顯示裝置的方法，其包括:在基板上形成晶體管的步驟，在該步驟中，由離子注入裝置進(jìn)行掃描的第一方向與由準(zhǔn)分子激光退火裝置進(jìn)行掃描的第二方向相交；以及形成顯示元件的步驟。
[0010]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備，其設(shè)置有顯示裝置和控制部，所述控制部被構(gòu)造用于進(jìn)行對所述顯示裝置的操作控制。所述顯示裝置包括:多個(gè)單位像素，所述多個(gè)單位像素均包括顯示元件和向所述顯示元件提供驅(qū)動電流的驅(qū)動晶體管，這里所述多個(gè)單位像素被排列成沿第一方向而被掃描和驅(qū)動；以及單條電源線，所述單條電源線在與所述第一方向相交的第二方向上延伸，這里所設(shè)置的所述單條電源線是針對單位像素對分配的，所述單位像素對是所述多個(gè)單位像素中的在所述第一方向上彼此相鄰的兩個(gè)單位像素。
[0011]所述電子設(shè)備的一些示例可以包括TV設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、個(gè)人電腦、攝像機(jī)和諸如移動電話等便攜式終端設(shè)備。
[0012]在根據(jù)本發(fā)明上述各個(gè)實(shí)施例的所述顯示裝置、制造所述顯示裝置的方法和所述電子設(shè)備中，所述多個(gè)單位像素是沿所述第一方向而被掃描和驅(qū)動的。所設(shè)置的所述單條電源線是針對所述單位像素對被分配的，所述單位像素對是所述多個(gè)單位像素中的在所述第一方向上彼此相鄰的兩個(gè)單位像素。
[0013]根據(jù)本發(fā)明上述各個(gè)實(shí)施例的所述顯示裝置、制造所述顯示裝置的方法和所述電子設(shè)備，所設(shè)置的所述單條電源線是針對所述單位像素對而被分配的，所述單位像素對是在所述第一方向上彼此相鄰的兩個(gè)單位像素。因此，能夠提高分辨率。
[0014]應(yīng)理解，前面的一般性說明和下面的詳細(xì)說明都是示例的，且意在為本發(fā)明要求保護(hù)的技術(shù)提供進(jìn)一步的解釋。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]這里所包括的附圖提供了對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，這些附圖被并入本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分。附圖圖示了實(shí)施例，并且與本說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。
[0016]圖1是圖示了根據(jù)參考示例的顯示裝置的一個(gè)配置示例的方框圖。
[0017]圖2是圖示了在圖1所示的顯示部中的電路配置示例的電路圖。
[0018]圖3是圖示了在圖1所示的顯示部中的子像素的電路配置示例的電路圖。
[0019]圖4是圖示了在圖1所示的顯示部中的晶體管的一個(gè)配置示例的解釋圖。
[0020]圖5是圖示了圖3所示的發(fā)光元件的布置的解釋圖。
[0021]圖6是圖示了圖3所示的發(fā)光元件的配置的示意圖。
[0022]圖7是圖示了圖3所示的發(fā)光元件的要部的橫斷面結(jié)構(gòu)的橫斷面圖。
[0023]圖8是圖示了根據(jù)變型示例的發(fā)光元件的要部的橫斷面結(jié)構(gòu)的橫斷面圖。
[0024]圖9是圖示了圖1所示的驅(qū)動部的一個(gè)操作示例的時(shí)序波形圖。
[0025]圖10是圖示了圖1所示的顯示裝置的一個(gè)操作示例的時(shí)序波形圖。
[0026]圖11是圖示了在圖1所示的顯示裝置的在寫入期間內(nèi)的一個(gè)操作示例的時(shí)序波形圖。
[0027]圖12是圖示了由于通過ELA裝置進(jìn)行的處理而導(dǎo)致的閾值電壓Vth的變化的示意圖。
[0028]圖13是圖示了由于通過離子注入裝置進(jìn)行的處理而導(dǎo)致的閾值電壓Vth的變化的示意圖。
[0029]圖14是圖示了圖2所示的子像素的布置的解釋圖。
[0030]圖15是圖示了在圖2所示的子像素中的驅(qū)動晶體管的布置的解釋圖。
[0031]圖16是圖示了根據(jù)比較示例的顯示部的電路配置示例的電路圖。
[0032]圖17是圖示了根據(jù)另外一個(gè)參考示例的顯示裝置的一個(gè)配置示例的方框圖。
[0033]圖18是圖示了圖17所示的顯示部的電路配置示例的電路圖。[0034]圖19是圖示了圖18所示的發(fā)光元件的布置的解釋圖。
[0035]圖20是圖示了圖18所示的發(fā)光元件的配置的示意圖。
[0036]圖21是圖示了圖18所示的發(fā)光元件的要部的橫斷面結(jié)構(gòu)的橫斷面圖。
[0037]圖22是圖示了圖18所示的發(fā)光元件的配置的示意圖。
[0038]圖23是圖示了圖18所示的發(fā)光元件的要部的橫斷面結(jié)構(gòu)的橫斷面圖。
[0039]圖24是圖示了圖18所示的驅(qū)動部的一個(gè)操作示例的時(shí)序波形圖。
[0040]圖25是圖示了根據(jù)另外一個(gè)參考示例的像素的一個(gè)布置示例的解釋圖。
[0041]圖26是圖示了根據(jù)另外一個(gè)參考示例的像素的一個(gè)布置示例的解釋圖。
[0042]圖27是圖示了根據(jù)另外一個(gè)參考示例的像素的一個(gè)布置示例的解釋圖。
[0043]圖28是圖示了根據(jù)另外一個(gè)參考示例的像素的一個(gè)布置示例的解釋圖。
[0044]圖29是圖示了根據(jù)另外一個(gè)參考示例的顯示部的電路配置示例的電路圖。
[0045]圖30是圖示了在圖29所示的顯示部中的子像素的電路配置示例的電路圖。
[0046]圖31是圖示了根據(jù)另外一個(gè)參考示例的晶體管的一個(gè)配置示例的解釋圖。
[0047]圖32是圖示了根據(jù)另外一個(gè)參考示例的子像素中的驅(qū)動晶體管的布置的解釋圖。
[0048]圖33是圖示了根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的一個(gè)配置示例的方框圖。
[0049]圖34是圖示了圖33所示的顯示部的電路配置示例的電路圖。
[0050]圖35是圖示了在圖33所示的顯示部中的子像素的電路配置示例的電路圖。
[0051]圖36是圖示了圖33所示的驅(qū)動部的一個(gè)操作示例的時(shí)序波形圖。
[0052]圖37是圖示了圖33所示的顯示裝置的一個(gè)操作示例的時(shí)序波形圖。
[0053]圖38是圖示了圖34所示的子像素的布置的解釋圖。
[0054]圖39是圖示了在圖34所示的子像素中的驅(qū)動晶體管的布置的解釋圖。
[0055]圖40是圖示了根據(jù)實(shí)施例的一個(gè)變型示例的顯示裝置的一個(gè)配置示例的方框圖。
[0056]圖41是圖示了圖40所示的顯示部的電路配置示例的電路圖。
[0057]圖42是圖示了圖40所示的驅(qū)動部的一個(gè)操作示例的時(shí)序波形圖。
[0058]圖43是圖示了根據(jù)實(shí)施例的另外一個(gè)變型示例的顯示裝置的一個(gè)配置示例的方框圖。
[0059]圖44是圖示了圖43所示的顯示部的電路配置示例的電路圖。
[0060]圖45是圖示了圖43所示的顯示裝置的一個(gè)操作示例的時(shí)序波形圖。
[0061]圖46是圖示了應(yīng)用了根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的TV設(shè)備的外觀配置的透視圖。
[0062]圖47是圖示了根據(jù)一個(gè)變型示例的顯示部的電路配置示例的電路圖。
[0063]圖48是圖示了根據(jù)另一變型示例的發(fā)光元件的配置的示意圖。
[0064]圖49是圖示了圖48所示的發(fā)光元件的要部的橫斷面結(jié)構(gòu)的橫斷面圖。
[0065]圖50是圖示了根據(jù)又一變型示例的發(fā)光元件的配置的示意圖。
[0066]圖51是圖示了圖50所示的發(fā)光元件的要部的橫斷面結(jié)構(gòu)的橫斷面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0067]在下文中，參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施例。在這里，以下面的順序進(jìn)行說明。
[0068]1.參考示例
[0069]2.實(shí)施例
[0070]3.應(yīng)用示例
[0071]1.參考示例
[0072][配置示例]
[0073]在說明根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置之前，首先說明參考示例。圖1圖示了根據(jù)參考示例的顯示裝置的一個(gè)配置示例。顯示裝置I是使用發(fā)光元件的有源矩陣型顯示裝置。該顯示裝置I包括顯示部10和驅(qū)動部20。
[0074]顯示部10具有以矩陣形狀布置的多個(gè)像素Pix。每個(gè)像素Pix具有紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)和白(W)四個(gè)子像素11。此外，顯示部10具有在行方向上延伸的多條掃描線WSL、電源線PL和電源控制線DSL，且具有在列方向上延伸的多條數(shù)據(jù)線DTL。掃描線WSL、電源線PL、電源控制線DSL和數(shù)據(jù)線DTL各自的一端連接到驅(qū)動部20。上述子像素11中的每一者都布置在掃描線WSL與數(shù)據(jù)線DTL的交點(diǎn)處。
[0075]圖2圖示了顯示部10的電路配置的一個(gè)示例。圖2圖示了在顯示部10中的第k行像素Pix。像素Pix具有紅(R)、綠(G)、藍(lán)⑶和白(W)四個(gè)子像素11 (11R、11G、11B和11W)。在這個(gè)示例中，四個(gè)子像素I IR、11G、11B和IlW以兩行兩列的方式布置在像素Pix中。具體地，在像素Pix中，紅(R)的子像素IlR布置在左上方、綠(G)的子像素IlG布置在右上方、白(W)的子像素IlW布置在左下方且藍(lán)(B)的子像素IlB布置在右下方。在四個(gè)子像素I IR、11G、11B和IlW中，子像素IlR及IlW連接到掃描線WSL、電源線PL、電源控制線DSL和數(shù)據(jù)線DTL。另一方面，子像素IlG及IlB連接到掃描線WSL和數(shù)據(jù)線DTL。子像素IlR及IlG連接到同一掃描線WSL，子像素IlW及IlB連接到同一掃描線WSL。此外，子像素I IR和IIW連接到同一數(shù)據(jù)線DTL，且子像素IIG和IIB連接到同一數(shù)據(jù)線DTL。如在下文中說明的那樣，子像素IlR連接到子像素11G，且子像素IlW連接到子像素11B。
[0076]圖3圖示了子像素I IR和IlG的電路配置的一個(gè)示例。此外，對子像素IIW和IlB而言也是大致如此。子像素IlR具有寫入晶體管WSTr、驅(qū)動晶體管DRTr、電源晶體管DSTr、電容Cs和發(fā)光元件30。子像素IlG具有寫入晶體管WSTr、驅(qū)動晶體管DRTr、電容Cs和發(fā)光元件30。子像素IlR和IlG共用電源晶體管DSTr。即，子像素IlR和IlG中的每一者都由三個(gè)晶體管(寫入晶體管WSTr、驅(qū)動晶體管DRTr和電源晶體管DSTr)和一個(gè)電容Cs配置而成。在所謂“3Trl C”配置中，將子像素IlR和IlG配置成共用電源晶體管DSTr。在這個(gè)示例中，在子像素IlR和IlG中，子像素IlR具有電源晶體管DSTr ;然而，并不限于此。代替上面所述的是，例如，子像素IlG可以具有電源晶體管DSTr。
[0077]寫入晶體管WSTr和驅(qū)動晶體管DRTr例如可以由N溝道MOS (金屬氧化物半導(dǎo)體)型TFT (薄膜晶體管)配置而成。此外，電源晶體管DSTr例如可以由P溝道MOS型TFT配置而成；然而，并不限于此。代替上面所述的是，例如，寫入晶體管WSTr可以由P溝道MOS型TFT配置而成。此外，電源晶體管DSTr可以由N溝道MOS型TFT配置而成。例如，可以通過使用LTPS(低溫多晶硅)工藝來形成這些晶體管。例如，因?yàn)樵谠揕TPS工藝中能夠?qū)崿F(xiàn)高遷移率μ，所以使得晶體管小型化且實(shí)現(xiàn)高分辨率。形成方法并不限于LTPS工藝。代替上面所述的是，例如，可以通過使用非晶硅(a-Si) TFT工藝或氧化物TFT工藝來形成上述那些晶體管。
[0078]在子像素IlR和IlG的每一者中，在寫入晶體管WSTr中，柵極連接到掃描線WSL，源極連接到數(shù)據(jù)線DTL，且漏極連接到驅(qū)動晶體管DRTr的柵極和電容Cs的一端。在驅(qū)動晶體管DRTr中，柵極連接到寫入晶體管WSTr的漏極和電容Cs的一端，漏極連接到子像素IlR中的電源晶體管DSTr的漏極，且源極連接到電容Cs的另一端和發(fā)光元件30的陽極。在子像素IlR中，在電源晶體管DSTr中，柵極連接到電源控制線DSL，源極連接到電源線PL，且漏極連接到子像素IlR中的驅(qū)動晶體管DRTr的漏極和子像素IlG中的驅(qū)動晶體管DRTr的漏極。
[0079]圖4圖示了 TFT的一個(gè)配置示例,其中，(A)圖示了橫斷面圖且(B)圖示了要部的平面圖。該TFT具有柵極電極110和多晶硅層140。柵極電極110形成在可以由玻璃制成的基板100上。柵極電極110可以由例如鑰Mo制成。在柵極電極110及基板100的上方，依次形成絕緣層120和130。絕緣層120可以由例如氮化硅(SiNx)形成，且絕緣層130可以由例如二氧化硅(SiO2)形成。多晶硅層140形成在絕緣層130上。如在下文中所述，非晶娃層形成在絕緣層130上且經(jīng)受使用ELA(Excimer Laser Anneal,準(zhǔn)分子激光退火)裝置的退火處理，從而形成了多晶硅層140。多晶硅層140由溝道區(qū)141、LDD (輕摻雜漏極)142和接觸區(qū)143配置而成。如在下文中所述，通過使用離子注入裝置或離子摻雜裝置來注入離子，從而形成上述各區(qū)域。如上所述，在這個(gè)示例中，柵極電極110形成在多晶硅層140的下面。即，該TFT包括所謂的底柵結(jié)構(gòu)。在多晶硅層140和絕緣層130的上方，絕緣層150和160以此順序形成。類似于絕緣層130，絕緣層150可以由例如二氧化硅(SiO2)形成。類似于絕緣層120，絕緣層160可以由例如氮化硅(SiNx)形成。在絕緣層160上，形成有配線170。在絕緣層150和160中，開口形成在與多晶硅層140的接觸區(qū)143相對應(yīng)的區(qū)域中。此外，配線170被形成為通過該開口與接觸區(qū)143連接。
[0080]如在下文中所述，在顯示部20中，在其中電源晶體管DSTr被共用的一對子像素11中的驅(qū)動晶體管DRTr被形成為并排設(shè)置于由離子注入裝置進(jìn)行的掃描方向上、以及由ELA裝置進(jìn)行的與該掃描方向相交的掃描方向上。具體地，如在下文中所述，在這個(gè)示例中，在屬于同一像素Pix的子像素IlR和IlG中的驅(qū)動晶體管DRTr如上所述地并排設(shè)置著。此夕卜，在屬于同一像素Pix的子像素IlW和IlB中的驅(qū)動晶體管DRTr如上所述地并排設(shè)置著。如在下文中所述，這使得這些驅(qū)動晶體管DRTr的特性(特別地，閾值電壓Vth)能夠彼此處于相同的水平。即，形成在顯示部20中的各個(gè)晶體管的特性在平面內(nèi)是變化的。然而，通過這樣的布置，使得在屬于同一像素Pix的子像素IlR和IlG中的驅(qū)動晶體管DRTr的特性大體上相同。此外，使得在屬于同一像素Pix的子像素IlW和IlB中的驅(qū)動晶體管DRTr的特性大體上相同。
[0081]如在圖3中所述，在子像素IlR和IlG每一者中，電容Cs的一端連接到驅(qū)動晶體管DRTr的柵極和寫入晶體管WSTr的漏極。此外，電容Cs的另外一端連接到驅(qū)動晶體管DRTr的源極和發(fā)光元件30的陽極。
[0082]發(fā)光元件30是發(fā)出與各個(gè)子像素I IR、11G、11B和IlW相對應(yīng)的顏色(紅、綠、藍(lán)或白)的光的發(fā)光元件，且發(fā)光元件30由有機(jī)EL元件配置而成。發(fā)光元件30的陽極連接到驅(qū)動晶體管DRTr的源極和電容Cs的所述另外一端，且發(fā)光元件30的陰極由驅(qū)動部20提供陰極電壓Vcath。[0083]圖5圖示了在顯示部10中的發(fā)光元件30的布置。圖6示意性地圖示了在像素Pix中的發(fā)光元件30的配置。圖7圖示了發(fā)光元件30的要部的橫斷面結(jié)構(gòu)。
[0084]如在圖6和圖7中所示，發(fā)光元件30由發(fā)光層32和彩色濾光片31配置而成。發(fā)光層32形成在陽極電極層34和陰極電極層37之間。在這個(gè)示例中，發(fā)光層32可以通過將發(fā)射黃(Y)光的黃色發(fā)光層35和發(fā)射藍(lán)(B)光的藍(lán)色發(fā)光層36層疊起來而形成,從而發(fā)出白(W)光。從發(fā)光層32中發(fā)出的光穿過彩色濾光片31且從顯示部10的顯示表面中輸出。在各個(gè)子像素11R、11G、11B和IlW中，設(shè)置有開口 33，且已經(jīng)穿過該開口 33的光從顯示表面中輸出。在如上所述的將發(fā)光層層疊起來的情況下，可以改變發(fā)光層的順序。具體地，在這個(gè)示例中，發(fā)光層32的藍(lán)色發(fā)光層36布置在陰極電極層37側(cè)且發(fā)光層32的黃色發(fā)光層35布置在陽極電極層34側(cè)；然而，并不限于此。代替上面所述的是，例如，黃色發(fā)光層35可以布置在陰極電極層37側(cè)且藍(lán)色發(fā)光層36可以布置在陽極電極層34側(cè)。此外，不特別限定發(fā)光元件30的類型。例如，發(fā)光元件30可以是所謂的頂部發(fā)射型發(fā)光元件，該類型的發(fā)光元件從發(fā)光層32在與其上形成有元件和配線的基板相反的方向上發(fā)射光；或者是所謂的底部發(fā)射型發(fā)光元件，該類型的發(fā)光元件從發(fā)光層32在基板的方向上發(fā)射光。
[0085]在這個(gè)示例中，黃色發(fā)光層35可以由發(fā)射黃(Y)光的材料配置而成；然而，并不限于此。代替上面所述的是，如在圖8中所示，例如，發(fā)射綠(G)光的材料可以摻雜在發(fā)射紅(R)光的材料中以構(gòu)成黃色發(fā)光層35A。在這個(gè)示例中，也可以改變發(fā)光層的層疊順序。
[0086]如在圖1中所示，基于從外部提供的圖像信號Sdisp和同步信號Ssync，驅(qū)動部20驅(qū)動顯示部10。驅(qū)動部20包括圖像信號處理部21、時(shí)序生成部22、掃描線驅(qū)動部23、電源控制線驅(qū)動部25、電源線驅(qū)動部26和數(shù)據(jù)線驅(qū)動部27。
[0087]圖像信號處理部21對從外部提供的圖像信號Sdisp進(jìn)行預(yù)定的信號處理以便生成圖像信號Sdisp2。預(yù)定的信號處理的示例可以包括伽馬校正(gamma correction)和過驅(qū)校正(overdrive correction)。
[0088]基于從外部提供的同步信號Ssync，時(shí)序生成部22向掃描線驅(qū)動部23、電源控制線驅(qū)動部25、電源線驅(qū)動部26和數(shù)據(jù)線驅(qū)動部27提供控制信號，且控制它們彼此同步地進(jìn)行操作。
[0089]根據(jù)從時(shí)序生成部22中提供的控制信號，掃描線驅(qū)動部23依次施加掃描信號WS到多條掃描線WSL，從而依次選擇子像素11。具體地，如在圖2中所示，掃描線驅(qū)動部23向子像素IlR和IlG提供掃描信號WSA，且向子像素IIW和IlB提供掃描信號WSB，從而依次選擇子像素11。
[0090]根據(jù)從時(shí)序生成部22中提供的控制信號，電源控制線驅(qū)動部25依次施加電源控制信號DSl到多條電源控制線DSL，從而控制子像素11的發(fā)光操作和消光操作。具體地，如在圖2中所示，電源控制線驅(qū)動部25向子像素IlR和IlG提供電源控制信號DS1A，且向子像素IIW和IlB提供電源控制信號DS1B，從而控制子像素11。
[0091]根據(jù)從時(shí)序生成部22中提供的控制信號，電源線驅(qū)動部26依次施加電源信號DS2到多條電源線PL，從而控制子像素11的發(fā)光操作和消光操作。具體地，如在圖2中所示，電源線驅(qū)動部26向子像素IlR和IlG提供電源信號DS2A，且向子像素IlW和IlB提供電源信號DS2B，從而控制子像素11。電源信號DS2在電壓Vccp和電壓Vini之間轉(zhuǎn)移。如在下文中所述，電壓Vini是將子像素11初始化的電壓，且電壓Vccp是使電流Ids流經(jīng)驅(qū)動晶體管DRTr并且使發(fā)光兀件30發(fā)光的電壓。
[0092]根據(jù)從圖像信號處理部21中提供的圖像信號Sdisp2和從時(shí)序生成部22中提供的控制信號，數(shù)據(jù)線驅(qū)動部27生成信號Sig且將這些信號Sig施加到各條數(shù)據(jù)線DTL，所述信號Sig含有用于指示各個(gè)子像素11的發(fā)光亮度的像素電壓Vsig和用于進(jìn)行在下文中說明的Vth校正的電壓Vofs。
[0093]通過這樣的配置，如在下文中所述，驅(qū)動部20在一個(gè)水平期間(IH)內(nèi)進(jìn)行為了抑制由像素Pix中所包括的四個(gè)子像素11(11R、11G、11B和11W)上的驅(qū)動晶體管DRTr的元件差異施加到圖像質(zhì)量上的影響的校正(Vth校正)。然后，驅(qū)動部20對子像素11進(jìn)行像素電壓Vsig的寫入，且發(fā)光元件30發(fā)射具有與寫入的像素電壓Vsig對應(yīng)的亮度的光。
[0094][操作和作用]
[0095]接著，說明根據(jù)參考示例的顯示裝置I的操作和作用。
[0096](整體操作概要)
[0097]首先，參照圖1說明顯示裝置I的整體操作概要。圖像信號處理部21對從外部提供的圖像信號Sdisp進(jìn)行預(yù)定的信號處理以生成圖像信號Sdisp2?；趶耐獠刻峁┑耐叫盘朣sync，時(shí)序生成部22向掃描線驅(qū)動部23、電源控制線驅(qū)動部25、電源線驅(qū)動部26和數(shù)據(jù)線驅(qū)動部27提供控制信號，且控制它們彼此同步地進(jìn)行操作。根據(jù)從時(shí)序生成部22中提供的控制信號，掃描線驅(qū)動部23依次施加掃描信號WS (WSA、WSB)到多條掃描線WSL，從而依次選擇子像素11。根據(jù)從時(shí)序生成部22中提供的控制信號，電源控制線驅(qū)動部25依次施加電源控制信號DS1(DS1A和DS1B)到多條電源控制線DSL，從而控制子像素11的發(fā)光操作和消光操作。根據(jù)從時(shí)序生成部22中提供的控制信號，電源線驅(qū)動部26依次施加電源信號DS2 (DS2A和DS2B)到多條電源線PL，從而控制子像素11的發(fā)光操作和消光操作。根據(jù)從圖像信號處理部21中提供的圖像信號Sdisp2和從時(shí)序生成部22中提供的控制信號，數(shù)據(jù)線驅(qū)動部27生成信號Sig且將這些信號Sig施加到各條數(shù)據(jù)線DTL，所述信號Sig含有與各個(gè)子像素11的亮度相對應(yīng)的像素電壓Vsig和用于進(jìn)行Vth校正操作的電壓Vofs?；趶尿?qū)動部20中提供的掃描信號WS、電源控制信號DSl、電源信號DS2和信號Sig,顯不部10進(jìn)行顯示。
[0098](詳細(xì)操作)
[0099]接著，說明顯示裝置I的詳細(xì)操作。
[0100]圖9圖示了驅(qū)動部20的操作的時(shí)序圖，其中，(A)圖示了掃描信號WS (WSA和WSB)的波形、(B)圖示了電源控制信號DS1(DS1A和DS1B)的波形、(C)圖示了電源信號DS2 (DS2A和DS2B)的波形，且(D)圖示了信號Sig的波形。在圖9的㈧中，掃描信號WSA(k)和WSB (k)是驅(qū)動第k行像素Pix的掃描信號WS，且掃描信號WSA (k+Ι)和WSB (k+Ι)是驅(qū)動第(k+Ι)行像素Pix的掃描信號WS。對于電源控制信號DSl(圖9的(B))和電源信號DS2(圖9的(C))而言也是大致如此。
[0101]驅(qū)動部20的掃描線驅(qū)動部23依次施加具有脈沖形狀的掃描信號WS到掃描線WSL(圖9的(A))。在這種情況下，掃描線驅(qū)動部23在一個(gè)水平期間(IH)內(nèi)依次施加脈沖到兩條掃描線WSL。對于電源線PL，電源線驅(qū)動部26只有在掃描信號WS的脈沖的開始時(shí)間之后的預(yù)定期間(時(shí)間tl?t2等)內(nèi)以電壓Vini施加電源信號DS2，且在其他期間內(nèi)以電壓Vccp施加電源信號DS2 (圖9的(C))。對于電源控制線DSL，電源控制線驅(qū)動部25只有在含有掃描信號WS的脈沖的終止時(shí)間的預(yù)定期間(時(shí)間t3?t5等)內(nèi)以高電平施加電源控制信號DS1，且在其他期間內(nèi)以低電平施加電源控制信號DSl(圖9的(B))。對于數(shù)據(jù)線DTL，數(shù)據(jù)線驅(qū)動部27在電源控制信號DSl變成高電平的期間(時(shí)間t3?t5等)內(nèi)施加像素電壓Vsig，且在其他期間內(nèi)施加電壓Vofs (圖9的(D))。
[0102]這樣，驅(qū)動部20在一個(gè)水平期間(時(shí)間tl?t6)的前半期間(時(shí)間tl?t5)內(nèi)驅(qū)動在第k行像素Pix中的子像素IlR和11G，且在該一個(gè)水平期間(時(shí)間tl?t6)的后半期間(時(shí)間t5?t6)內(nèi)驅(qū)動在第k行像素Pix中的子像素IlW和11B。同樣地，驅(qū)動部20在下一個(gè)水平期間(時(shí)間t6?t8)的前半期間(時(shí)間t6?t7)內(nèi)驅(qū)動在第(k+Ι)行像素Pix中的子像素IlR和11G，且在該下一個(gè)水平期間(時(shí)間t6?t8)的后半期間(時(shí)間t7?t8)內(nèi)驅(qū)動在第(k+Ι)行像素Pix中的子像素IlW和IlB。
[0103]圖10是圖示了在時(shí)間tl?t5期間內(nèi)的子像素IlR和IlG的操作的時(shí)序圖，其中，㈧圖示了掃描信號WSA的波形、⑶圖示了電源控制信號DSlA的波形、(C)圖示了電源信號DS2A的波形、(D)圖示了提供給子像素IlR的信號Sig的波形、(E)圖示了在子像素IlR中的驅(qū)動晶體管DRTr的柵極電壓Vg的波形、(F)圖示了在子像素IlR中的驅(qū)動晶體管DRTr的源極電壓Vs的波形、(G)圖示了提供給子像素IlG的信號Sig的波形、(H)圖示了在子像素IlG中的驅(qū)動晶體管DRTr的柵極電壓Vg的波形、且⑴圖示了在子像素IlG中的驅(qū)動晶體管DRTr的源極電壓Vs的波形。在圖10的(C)?(F)中，通過使用同一電壓軸來圖示每個(gè)波形，且同樣地，在圖10的(G)?(I)中，通過使用同一電壓軸來圖示每個(gè)波形。為了便于說明，與電源信號DS2A(圖10的(C))的波形相同的波形也被圖示在與圖10的(G)?(I)的電壓軸相同的電壓軸上。
[0104]在一個(gè)水平期間(IH)的前半期間內(nèi)，驅(qū)動部20初始化子像素IlR和11G(初始化期間Pl)、進(jìn)行為了抑制由驅(qū)動晶體管DRTr的元件差異施加到圖像質(zhì)量上的影響的Vth校正操作(Vth校正期間P2)、以及在子像素I IR和IlG中寫入像素電壓Vsig (寫入期間P3)。然后，在子像素IlR和IlG中的發(fā)光元件30發(fā)射具有與寫入的像素電壓Vsig對應(yīng)的亮度的光(發(fā)光期間P4)。同樣地，在一個(gè)水平期間(IH)的后半期間內(nèi)，驅(qū)動部20對子像素IlW和IlB進(jìn)行初始化操作、Vth校正操作和像素電壓Vsig的寫入操作。然后，子像素IlW和IlB中的發(fā)光元件30發(fā)光。下面詳細(xì)說明對子像素IlR和IlG進(jìn)行的驅(qū)動操作。
[0105]在時(shí)間tl?t2期間(初始化期間Pl)內(nèi)，驅(qū)動部20首先初始化子像素IlR和11G。具體地，在時(shí)間tl時(shí)，數(shù)據(jù)線驅(qū)動部27首先將提供給子像素IlR和IlG的信號Sig設(shè)定為電壓Vofs (圖10的(D)和(G))。此外，掃描線驅(qū)動部23將掃描信號WSA的電壓從低電平改變到高電平(圖10的(A))。因此，子像素IlR和IlG中的寫入晶體管WSTr導(dǎo)通，且子像素I IR和IlG中的驅(qū)動晶體管DRTr的柵極電壓Vg被設(shè)定為電壓Vofs (圖10的(E)和(H))。與上述同時(shí)，電源線驅(qū)動部26將電源信號DS2A從電壓Vccp改變到電壓Vini (圖10的(C))。因此，驅(qū)動晶體管DRTr導(dǎo)通，且驅(qū)動晶體管DRTr的源極電壓Vs被設(shè)定為電壓Vini(圖10的(F)和(I))。結(jié)果，在子像素IlR和IlG中，將驅(qū)動晶體管DRTr的柵極-源極間電壓Vgs (=Vofs-Vini)設(shè)定為大于驅(qū)動晶體管DRTr的閾值電壓Vth的電壓，且子像素
IIR和IlG被初始化。
[0106]接著，驅(qū)動部20在時(shí)間t2?t3期間(Vth校正期間P2)內(nèi)進(jìn)行Vth校正操作。具體地，在時(shí)間t2時(shí)，電源線驅(qū)動部26將電源信號DS2A從電壓Vini改變到電壓Vccp (圖10的(C))。因此，子像素IlR和IlG中的驅(qū)動晶體管DRTr在飽和區(qū)處進(jìn)行操作，電流Ids從漏極流向源極，且源極電壓Vs上升(圖10的(F)和(I))。在這樣的情況下，源極電壓Vs低于發(fā)光元件30的陰極的電壓Vcath。因此,發(fā)光元件30保持反向偏壓(reverse bias)狀態(tài)且電流不能在發(fā)光元件30中流動。這樣，源極電壓Vs上升以減小柵極-源極間電壓Vgs，從而減小電流Ids。通過上述的負(fù)反饋操作，電流Ids收斂到“O”(零)。換言之，子像素IlR和IlG中的驅(qū)動晶體管DRTr的柵極-源極間電壓Vgs收斂以等于驅(qū)動晶體管DRTr的閾值電壓Vth (Vgs=Vth)。
[0107]下面詳細(xì)說明Vth校正的操作。通過使用接下來的表達(dá)式來表示驅(qū)動晶體管DRTr的從漏極流向源極的電流Ids。
[0108][數(shù)學(xué)表達(dá)式I]
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置，其包括: 多個(gè)單位像素，所述多個(gè)單位像素均包括顯示元件和向所述顯示元件提供驅(qū)動電流的驅(qū)動晶體管，所述多個(gè)單位像素被排列成沿第一方向而被掃描和驅(qū)動；以及 單條電源線，所述單條電源線在與所述第一方向相交的第二方向上延伸，所設(shè)置的所述單條電源線是針對單位像素對分配的，所述單位像素對是所述多個(gè)單位像素中的在所述第一方向上彼此相鄰的兩個(gè)單位像素。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述單位像素對中的一個(gè)單位像素包括電源晶體管，所述電源晶體管被構(gòu)造成能夠?qū)ㄒ允顾鲭娫淳€連接到該單位像素對中的各個(gè)所述驅(qū)動晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述單位像素對中的每一個(gè)單位像素均包括電源晶體管，所述電源晶體管被構(gòu)造成能夠?qū)ㄒ允顾鲭娫淳€連接到所述驅(qū)動晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述單位像素對中的各所述單位像素的所述驅(qū)動晶體管包括: 柵極； 連接到所述顯示元 件的源極；以及 連接到所述電源晶體管的漏極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其還包括信號線， 其中，所述單位像素對的每一個(gè)單位像素均包括寫入晶體管，所述寫入晶體管被構(gòu)造成能夠?qū)ㄒ允顾鲂盘柧€連接到所述驅(qū)動晶體管的所述柵極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其還包括驅(qū)動部，所述驅(qū)動部被構(gòu)造用于驅(qū)動所述多個(gè)單位像素， 其中，所述驅(qū)動部在第一期間內(nèi)使所述單位像素對中的兩個(gè)所述寫入晶體管都導(dǎo)通，然后使這兩個(gè)所述寫入晶體管中的一者在第一時(shí)間處關(guān)斷且使這兩個(gè)所述寫入晶體管中的另一者在所述第一時(shí)間之后的第二時(shí)間處關(guān)斷。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，所述驅(qū)動部使所述信號線在含有所述第一時(shí)間的第一寫入期間內(nèi)被施加有第一像素電壓，且使所述信號線在含有所述第二時(shí)間的第二寫入期間內(nèi)被施加有第二像素電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，每一個(gè)所述單位像素還包括設(shè)置在所述驅(qū)動晶體管的所述柵極和所述源極之間的電容， 在所述第一期間內(nèi)的第一子期間內(nèi)，所述驅(qū)動部將所述單位像素對中的各個(gè)所述驅(qū)動晶體管的柵極電壓保持在第一電壓，且將各個(gè)所述驅(qū)動晶體管的源極電壓保持在第二電壓，并且 在所述第一期間內(nèi)的跟在所述第一子期間之后的第二子周期內(nèi)，所述驅(qū)動部將所述單位像素對中的各個(gè)所述驅(qū)動晶體管的所述柵極電壓保持在所述第一電壓，且通過使電流流經(jīng)所述單位像素對中的各個(gè)所述驅(qū)動晶體管來改變各個(gè)所述驅(qū)動晶體管的所述源極電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中，在所述第一子期間和所述第二子期間內(nèi)，所述驅(qū)動部都將所述第一電壓施加到所述信號線且使所述單位像素對中的各個(gè)所述寫入晶體管保持導(dǎo)通。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中，在所述第一子期間內(nèi)，所述驅(qū)動部將所述第二電壓施加到所述電源線，且通過使所述單位像素對中的一個(gè)或兩個(gè)所述電源晶體管保持導(dǎo)通來將各個(gè)所述驅(qū)動晶體管的所述源極電壓保持在所述第二電壓，并且 在所述第二子期間內(nèi)，所述驅(qū)動部將第三電壓施加到所述電源線，且通過使所述電源晶體管保持導(dǎo)通來使所述電流流經(jīng)所述單位像素對中的各個(gè)所述驅(qū)動晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述單位像素對中的所述驅(qū)動晶體管沿所述第一方向并排布置著。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一方向是所述單位像素對中的各個(gè)所述驅(qū)動晶體管的長度方向。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第二方向是在制造過程中準(zhǔn)分子激光退火裝置的掃描方向。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一方向是在制造過程中離子注入裝置的掃描方向。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，所述多個(gè)單位像素中的四個(gè)單位像素構(gòu)成一個(gè)顯示像素。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中，所述四個(gè)單位像素以兩行兩列的方式布置在所述顯示像素中。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，所述多個(gè)單位像素中的三個(gè)單位像素構(gòu)成一個(gè)顯示像素。
18.—種制造顯示裝置的方法，所述方法包括:` 在基板上形成晶體管的步驟，在該步驟中，由離子注入裝置進(jìn)行掃描的第一方向與由準(zhǔn)分子激光退火裝置進(jìn)行掃描的第二方向相交；以及 形成顯示元件的步驟。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制造顯示裝置的方法，其中，在所述形成晶體管的步驟中，沿所述第一方向并排地形成多個(gè)單位像素的單位像素對中的各個(gè)驅(qū)動晶體管，所述多個(gè)單位像素均包括所述顯示元件和向所述顯示元件提供驅(qū)動電流的所述驅(qū)動晶體管，所述多個(gè)單位像素被排列成沿所述第一方向而被掃描和驅(qū)動，且所述單位像素對是所述多個(gè)單位像素中的在所述第一方向上彼此相鄰的兩個(gè)單位像素。
20.一種電子設(shè)備，其設(shè)置有顯示裝置和控制部，所述控制部被構(gòu)造用于進(jìn)行對所述顯示裝置的操作控制， 所述顯示裝置是權(quán)利要求1至17中任一項(xiàng)所述的顯示裝置。
【文檔編號】G09G3/32GK103824542SQ201310526684
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2013年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月19日
【發(fā)明者】甚田誠一郎 申請人:索尼公司