有機發(fā)光二極管顯示器件的驅(qū)動晶體管中的閾值電壓補償?shù)闹谱鞣椒?br> 【專利摘要】一種包括多個像素被設(shè)置成矩陣形式的顯示面板的有機發(fā)光二極管顯示器件，每個像素包括：驅(qū)動TFT，包括連接到第一節(jié)點的柵極，連接到第二節(jié)點的源極和連接到高電勢電壓線的漏極；有機發(fā)光二極管，包括連接到第二節(jié)點的陽極和連接到低電勢電壓線的陰極；第一TFT，響應(yīng)于掃描信號將數(shù)據(jù)電壓提供至第一節(jié)點；初始化控制電路，響應(yīng)于初始化信號和發(fā)射信號將第一節(jié)點初始化為第一參考電壓，并將第二節(jié)點或者第三節(jié)點初始化成第二參考電壓；和電容。
【專利說明】有機發(fā)光二極管顯示器件的驅(qū)動晶體管中的閾值電壓補償
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2012年7月31日提交的韓國專利申請N0.10-2012-0083847的優(yōu)先權(quán)，在此通過參考將其整體并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本文涉及對驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)的閾值電壓進行補償?shù)挠袡C發(fā)光二極管顯示器件。
【背景技術(shù)】
[0004]隨著信息社會的發(fā)展，對于用于顯示圖像的各種類型顯示器件的需求日益增加。近些年已經(jīng)廣泛使用了各種平板顯示器，諸如液晶顯示器(IXD)、等離子顯示面板(PDP)和有機發(fā)光二極管(OLED )。在平板顯示器當(dāng)中，有機發(fā)光二極管顯示器件可在低電壓下驅(qū)動，輕薄，具有寬視角以及快速響應(yīng)速度。
[0005]OLED顯示器的顯示面板包括被設(shè)置成矩陣形式的多個像素。每個像素都包括用于響應(yīng)于掃描線的掃描信號來提供數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓的掃描薄膜晶體管(TFT)，和用于根據(jù)提供到柵極的數(shù)據(jù)電壓來調(diào)整提供到有機發(fā)光二極管的電流量的驅(qū)動TFT。提供到有機發(fā)光二極管的驅(qū)動TFT的漏源電流Ids可由以下等式表示:
[0006]Ids = k/.(Vgs-Vth)2 (I)
[0007]這里，k’表示由驅(qū)動TFT的結(jié)構(gòu)和物理特性確定的比例系數(shù)，Vgs表示驅(qū)動TFT的柵源電壓，Vth表示驅(qū)動TFT的閾值電壓。
[0008]驅(qū)動TFT的漏源電流Ids取決于驅(qū)動TFT的閾值電壓Vth。但是，由于驅(qū)動TFT退化導(dǎo)致的閾值電壓Vth偏移，致使每個像素的驅(qū)動TFT的閾值電壓Vth可具有不同值。因此，即使將相同數(shù)據(jù)電壓提供到每個像素，提供到有機發(fā)光二極管的電流Ids在各像素間也彼此不同。因此，即使將相同數(shù)據(jù)電壓提供給每個像素，從每個像素的有機發(fā)光二極管發(fā)出的光亮度也可能不同。為了解決這個問題，已經(jīng)提出了用于對驅(qū)動TFT的閾值電壓Vth進行補償?shù)母鞣N類型像素結(jié)構(gòu)。
[0009]圖1是示出常規(guī)的二極管連接的閾值電壓補償像素結(jié)構(gòu)的一部分的電路圖。圖1描述了將電流提供到有機發(fā)光二極管的驅(qū)動TFT DT，和在驅(qū)動TFT DT的柵極節(jié)點Ng和漏極節(jié)點Nd之間連接的感測TFT ST0感測TFT ST允許在驅(qū)動TFT DT的閾值電壓感測期間，在驅(qū)動TFT DT的柵極節(jié)點Ng和漏極節(jié)點Nd之間進行連接，以使驅(qū)動TFT DT用作二極管。圖1中，驅(qū)動TFT DT和感測TFT ST被圖示為N型MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。
[0010]參考圖1，在其中感測TFT ST開啟的閾值電壓感測周期期間，柵極節(jié)點Ng和漏極節(jié)點Nd連接，從而柵極節(jié)點Ng和漏極節(jié)點Nd在基本相同的電勢下處于浮置狀態(tài)。浮置狀態(tài)指的是其中不將電壓提供至節(jié)點的狀態(tài)，因此處于浮置狀態(tài)的節(jié)點容易影響相鄰節(jié)點的電壓變化。如果在柵極節(jié)點Ng和源極節(jié)點Ns之間的電壓差Vgs大于閾值電壓，則驅(qū)動TFT DT形成電流路徑，直到在柵極節(jié)點Ng和源極節(jié)點Ns之間的電壓差Vgs達到驅(qū)動TFTDT的閾值電壓Vth，且結(jié)果是，降低了柵極節(jié)點Ng的電壓和漏極節(jié)點Nd的電壓。但是，如果驅(qū)動TFT DT的閾值電壓Vth轉(zhuǎn)變?yōu)樨撾妷?，則由于驅(qū)動TFT DT的閾值電壓Vth低于0V，因此，即使柵極節(jié)點Ng的電壓下降至源極節(jié)點Ns的電壓，在柵極節(jié)點Ng和源極節(jié)點Ns之間的電壓差Vgs也不能達到驅(qū)動TFT DT的閾值電壓Vth。因此，如果驅(qū)動TFT DT的閾值電壓Vth轉(zhuǎn)變?yōu)樨撾妷?，則不能正確感測驅(qū)動TFT DT的閾值電壓Vth。負向轉(zhuǎn)變指的是當(dāng)驅(qū)動TFT DT是作為N型MOSFET實現(xiàn)時，驅(qū)動TFT DT的閾值電壓Vth轉(zhuǎn)變?yōu)榈陀贠V的電壓。負向轉(zhuǎn)變通常是在驅(qū)動TFT DT的半導(dǎo)體層由氧化物形成時發(fā)生的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]實施例涉及到包括被設(shè)置成矩陣形式的多個像素的有機發(fā)光二極管顯示器件。每個像素包括驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)、有機發(fā)光二極管、第一 TFT、初始化控制電路和第一電容。驅(qū)動TFT包括連接到第一節(jié)點的柵極,連接到第二節(jié)點的源極和連接到高電勢電壓線的漏極。有機發(fā)光二極管設(shè)置在第二節(jié)點和低電勢電壓線之間。第一 TFT配置成在一幀周期的數(shù)據(jù)電壓提供期間將數(shù)據(jù)線連接到第一節(jié)點。初始化控制電路連接在第一節(jié)點和提供第一參考電壓的第一參考電壓線之間，并連接到第二節(jié)點、第三節(jié)點和提供第二參考電壓的第二參考電壓線。初始化控制電路配置成在數(shù)據(jù)電壓提供周期之前的所述幀周期的初始化周期期間，將第一節(jié)點初始化為第一參考電壓，并將第二節(jié)點和第三節(jié)點初始化為第二參考電壓。第一電容連接在第一節(jié)點和第三節(jié)點之間。第一電容配置成在初始化周期期間存儲第一節(jié)點和第三節(jié)點之間的電壓差，并在初始化周期和數(shù)據(jù)電壓提供周期之間的閾值電壓感測周期中，根據(jù)第三節(jié)點的電壓電平來改變第一節(jié)點的電壓電平。
[0012]該
【發(fā)明內(nèi)容】
中描述的特征和優(yōu)勢以及下文的具體描述并非意在限制。考慮到附圖、說明書和權(quán)利要求，很多其他特征和優(yōu)勢對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見的。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1是示出常規(guī)二極管連接的閾值電壓補償像素結(jié)構(gòu)的一部分的電路圖；
[0014]圖2是根據(jù)第一示范性實施例的像素的等效電路圖。
[0015]圖3是示出輸入到根據(jù)示范性實施例的像素中的信號的波形圖。
[0016]圖4是示出根據(jù)第一示范性實施例的像素的節(jié)點電壓變化的表格。
[0017]圖5A至5E是在第一至第五周期期間根據(jù)第一示范性實施例的像素的電路圖。
[0018]圖6是根據(jù)第二示范性實施例的像素的電路圖。
[0019]圖7是示出根據(jù)第二示范性實施例的節(jié)點電壓變化的表格。
[0020]圖8A至SE是在第一至第五周期期間根據(jù)第二示范性實施例的像素的電路圖。
[0021]圖9是根據(jù)第三示范性實施例的像素的電路圖。
[0022]圖10是示出根據(jù)第三示范性實施例的像素節(jié)點電壓變化的表格。
[0023]圖1lA至IlE是第一至第五周期根據(jù)第三示范性實施例的像素的電路圖。
[0024]圖12是示意性示出根據(jù)示范性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器件的框圖。
【具體實施方式】[0025]下文將參考附圖更全面地描述實施例。貫穿說明書，相同參考數(shù)字表示相同元件。在以下描述中，如果確定與實施例相關(guān)的已知功能或者結(jié)構(gòu)的具體描述會使得主題不清楚，則將省略該具體描述。
[0026]根據(jù)示范性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器件的像素可對驅(qū)動TFT的閾值電壓進行內(nèi)部補償。內(nèi)部補償指的是在像素內(nèi)實時地感測和補償驅(qū)動TFT的閾值電壓。
[0027]圖2是根據(jù)第一示范性實施例的像素的電路圖。參考圖2，根據(jù)第一示范性實施例的像素P包括驅(qū)動TFT (薄膜晶體管)DT、有機發(fā)光二極管(0LED)、控制電路和電容。
[0028]驅(qū)動TFT DT根據(jù)施加到柵極的電壓電平來調(diào)整漏源電流量Ids。驅(qū)動TFT DT的柵極連接到第一節(jié)點NI，其源極連接到第二節(jié)點N2，其漏極連接到提供高電勢電壓VDD的高電勢電壓線VDDL。
[0029]有機發(fā)光二極管的陽極連接至第二節(jié)點N2，其陰極連接到提供低電勢電壓VSS的低電勢電壓線VSSL。有機發(fā)光二極管OLED根據(jù)驅(qū)動TFT DT的漏源電流Ids發(fā)光。
[0030]控制電路包括第一 TFT Tl和初始化控制電路ICC。第一 TFT Tl是掃描TFT，其響應(yīng)于經(jīng)由掃描線SL提供的掃描信號SCAN，將數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)電壓DATA提供給第一節(jié)點NI。第一 TFT Tl的柵極連接到掃描線SL，其源極連接到第一節(jié)點NI，其漏極連接到數(shù)據(jù)線DL0
[0031]初始化控制電路(ICC)包括第二至第四TFT T2至T4，。第二 TFT T2是節(jié)點連接控制TFT，其響應(yīng)于經(jīng)由發(fā)射線EML提供的發(fā)射信號EM進行控制以將第二節(jié)點N2連接至第三節(jié)點N3。第二 TFT T2的柵極連接到發(fā)射線EML，其源極連接到第三節(jié)點N3，其漏極連接到第二節(jié)點N2。第三TFT T3是第一初始化TFT，其響應(yīng)于經(jīng)由初始化線IL提供的初始化信號INI，將第一節(jié)點NI初始化為經(jīng)由第一參考電壓線REFLl提供的第一參考電壓REF1。第三TFT T3的柵極連接到初始化線IL，其源極連接到第一參考電壓線REFLl，其漏極連接到第一節(jié)點NI。第四TFT T4是第二初始化TFT，其響應(yīng)于初始化信號INI，將第二節(jié)點N2初始化為經(jīng)由第二參考電壓線REFL2提供的第二參考電壓REF2。第三TFT T4的柵極連接到初始化線IL，其源極連接到第二參考電壓線REFL2，其漏極連接到第二節(jié)點N2。
[0032]第一電容Cl連接在第一節(jié)點NI和第三節(jié)點N3之間。第一電容Cl存儲第一節(jié)點NI的電壓和第三節(jié)點N3的電壓之間的差值電壓。第二電容C2連接在第一節(jié)點NI和高電勢電壓線VDDL之間。這種情況下，第二電容C2存儲第一節(jié)點NI的電壓和高電勢電壓VDD之間的差值電壓?；蛘撸诙娙軨2可連接在第一節(jié)點NI和第一參考電壓線REFLl之間。這種情況下，第二電容C2存儲第一節(jié)點NI的電壓和第一參考電壓REFl之間的差值電壓。替換地，第二電容C2可連接在第一節(jié)點NI和第二參考電壓線REFL2之間。這種情況下，第二電容C2存儲第一節(jié)點NI的電壓和第二參考電壓REF2之間的差值電壓。
[0033]第一節(jié)點NI是驅(qū)動TFT DT的柵極、第一 TFT Tl的源極、第三TFT T3的漏極、第一電容Cl的一個電極、以及第二電容C2的一個電極相連接的接觸點。第二節(jié)點N2是驅(qū)動TFT DT的源極、有機發(fā)光二極管的陽極、第二 TFT T2的漏極、以及第四TFT T4的漏極相連接的接觸點。第三節(jié)點N3是第二 TFT T2的源極和第一電容Cl的另一電極相連接的接觸點。
[0034]已經(jīng)將第一至第四TFT Tl、T2、T3和T4以及驅(qū)動TFT DT的半導(dǎo)體層描述為由氧化物半導(dǎo)體形成。但是，實施例不限于此，第一至第四TFT T1、T2、T3和T4以及驅(qū)動TFT DT的半導(dǎo)體層也可由a-Si (非晶硅)或者Poly-Si (多晶硅)形成。而且，已經(jīng)參考其中將第一至第四TFT T1、T2、T3和Τ4以及驅(qū)動TFT DT實施為N型MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的實例描述了示范性實施例。但是，本發(fā)明不限于此，也可將第一至第四TFTTl、Τ2、Τ3和Τ4以及驅(qū)動TFT DT實施為P型M0SFET。
[0035]在考慮到驅(qū)動TFT DT的特性以及有機發(fā)光二極管OLED的特性之后，將高電勢電壓源設(shè)置成經(jīng)由高電勢電壓線VDDL提供高電勢電壓VDD，將低電勢電壓源設(shè)置成經(jīng)由低電勢電壓線VSSL提供低電勢電壓VSS。例如，可將高電勢電壓VDD設(shè)置成接近20V，將低電勢電壓VSS設(shè)置成接近0V。而且，將第一參考電壓源設(shè)置成經(jīng)由第一參考電壓線REFLl提供第一參考電壓REFl，將第二參考電壓源設(shè)置成經(jīng)由第二參考電壓線REFL2提供第二參考電壓REF2。第二參考電壓REF2低于第一參考電壓REFl和驅(qū)動TFT DT的閾值電壓Vth之間的差值電壓，以感測驅(qū)動TFT DT的閾值電壓Vth。
[0036]圖3是示出在根據(jù)示范性實施例的像素處接收的信號的波形圖。圖3描述了提供到初始化線IL的初始化信號INI，提供到掃描線SL的掃描信號SCAN，和提供到發(fā)射線EMI的發(fā)射信號EM。而且，圖3描述了提供到數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)電壓DATA。
[0037]參考圖3，初始化信號IN1、掃描信號SCAN和發(fā)射信號EM是用于控制第一至第四TFT Tl、T2、T3和T4的信號。作為一幀周期的一個循環(huán)，產(chǎn)生初始化信號IN1、掃描信號SCAN和發(fā)射信號EM中的每一個。初始化信號IN1、掃描信號SCAN和發(fā)射信號EM中的每一個都在第一邏輯電平電壓和第二邏輯電平電壓之間擺動。例如，將第一邏輯電平電壓實施為柵極高電壓VGH，將第二邏輯電平電壓實施為柵極低電壓VGL，如圖3中所示。將柵極高電壓VGH設(shè)置成接近14V至20V，將柵極低電壓VGL設(shè)置成接近-5V至-12V。
[0038]將一巾貞周期劃分成第一至第五周期tl、t2、t3、t4和t5。第一周期tl是對第一至第三節(jié)點N1、N2和N3進行初始化的初始化周期。第二周期t2是對驅(qū)動TFT DT的閾值電壓Vth進行感測的閾值電壓感測周期。第三周期t3是將數(shù)據(jù)電壓DATA提供至第一節(jié)點NI的數(shù)據(jù)電壓提供周期。第四周期t4和第五周期t5是根據(jù)驅(qū)動TFT DT的漏源電流Ids使得有機發(fā)光二極管OLED發(fā)光的發(fā)射周期。
[0039]在第一周期tl期間，產(chǎn)生作為柵極高電壓VGH的初始化信號INI和發(fā)射信號EM，產(chǎn)生作為柵極低電壓VGL的掃描信號SCAN。在第二周期t2期間，產(chǎn)生作為柵極高電壓VGH的發(fā)射信號EM，產(chǎn)生作為柵極低電壓VGL的掃描信號SCAN和發(fā)射信號EM。在第三周期t3期間，產(chǎn)生作為柵極高電壓VGH的掃描信號SCAN，產(chǎn)生作為柵極低電壓VGL的初始化信號INI和發(fā)射信號EM。在第四周期t4期間，產(chǎn)生作為柵極高電壓VGH的發(fā)射信號EM，產(chǎn)生作為柵極低電壓VGL的初始化信號INI和掃描信號SCAN。在第五周期t5期間，產(chǎn)生作為柵極低電壓VGL的初始化信號IN1、掃描信號SCAN和發(fā)射信號EM。
[0040]每個水平周期IH都產(chǎn)生數(shù)據(jù)電壓DATA。在圖3的實施例中，將數(shù)據(jù)電壓DATA提供給第一節(jié)點NI的第三周期t3是作為一個水平周期IH而產(chǎn)生的。但是，在其他實施例中也可使用其他設(shè)置。也就是說，為了提高每個像素的畫面質(zhì)量，第一至第四周期tl、t2、t3和t4是幾個水平周期或者是幾十個水平周期。同時，一個水平周期指的是一個線掃描周期，其中將數(shù)據(jù)電壓提供給在顯示面板一條水平線中排列的像素。
[0041]圖4是示出根據(jù)第一示范性實施例的像素的各節(jié)點的電壓變化的表格。圖5A至5E是第一至第五周期期間根據(jù)第一示范性實施例的像素的電路圖。下文將參考圖3、4和5A至5E描述像素P的操作方法。
[0042]第一，在第一周期tl期間，經(jīng)由掃描線SL提供具有柵極低電壓VGL的掃描信號SCAN,經(jīng)由初始化線IL提供具有柵極高電壓VGH的初始化信號INI，如圖3中所示。而且，在第一周期tl期間，經(jīng)由發(fā)射線EML提供具有柵極高電壓VGH的發(fā)射信號EM，如圖3中所
/Jn ο
[0043]參考圖5A，通過具有柵極低電壓VGL的掃描信號SCAN，第一 TFT Tl截止。響應(yīng)于具有柵極高電壓VGH的發(fā)射信號EM，第二 TFT T2開啟。因此，第二節(jié)點N2連接到第三節(jié)點N3。響應(yīng)于具有柵極高電壓VGH的初始化信號INI，第三TFT T3開啟。因此，第一節(jié)點NI連接到第一參考電壓線REFLl。響應(yīng)于具有柵極高電壓VGH的初始化信號INI，第四TFTT4開啟。因此，第二節(jié)點N2連接到第二參考電壓線REF2。
[0044]最后，由于第三TFT T3開啟，因此將第一節(jié)點NI的電壓初始化為第一參考電壓REFl。由于第四TFT T4開啟，因此將第二節(jié)點N2的電壓初始化為第二參考電壓REF2。由于第二 TFT T2開啟，因此將第三節(jié)點N3的電壓初始化為第二參考電壓REF2。
[0045]第二，在第二周期t2期間，經(jīng)由掃描線SL提供具有柵極低電壓VGL的掃描信號SCAN,經(jīng)由初始化線IL提供具有柵極低電壓VGL的初始化信號INI，如圖3中所示。而且，在第二周期t2期間，經(jīng)由發(fā)射線EML提供具有柵極高電壓VGH的發(fā)射信號EM，如圖3中所
/Jn ο
[0046]參考圖5B，通過具有柵極低電壓VGL的掃描信號SCAN，第一 TFT Tl截止。響應(yīng)于具有柵極高電壓VGH的發(fā)射信號EM第二 TFT T2開啟。因此，第二節(jié)點N2連接到第三節(jié)點N3。通過具有柵極低電壓VGL的初始化信號INI，第三TFT T3和第四TFT T4截止。因此，第二節(jié)點N2和第三節(jié)點N3中的每一個都不再連接到第二參考電壓線REF2。同時，由于第二 TFT T2開啟，因此第二節(jié)點N2和第三節(jié)點N3具有基本相同的電勢。
[0047]由于驅(qū)動TFT DT的柵極和源極之間的電壓差Vgs大于閾值電壓Vth，因此驅(qū)動TFT DT形成電流通路，直到柵極和源極之間的電壓差Vgs達到閾值電壓Vth。因此，第二節(jié)點N2的電壓升高。而且，由于第二節(jié)點N2連接到第三節(jié)點N3，導(dǎo)致第三節(jié)點N3的電壓升高。同時，通過第一電容Cl的CAP升壓(cap boosting),第三節(jié)點N3的電壓變化被施加到第一節(jié)點NI。如果已被施加了第三節(jié)點N3的電壓變化的第一節(jié)點NI的電壓是“A”電壓，則第二節(jié)點N2的電壓升高至第一節(jié)點NI的電壓A和驅(qū)動TFT DT的閾值電壓Vth之間的差值電壓A-Vth。而且，由于第二節(jié)點N2連接到第三節(jié)點N3，因此第三節(jié)點N3的電壓升高至第一節(jié)點NI的電壓A和驅(qū)動TFT DT的閾值電壓Vth之間的差值電壓A-Vth?！癆”電壓可為“REFl+α”。最后，在第二周期t2期間，可將驅(qū)動TFT DT的閾值電壓Vth存儲至第一電容Cl。
[0048]第三，在第三周期t3期間，經(jīng)由掃描線SL提供具有柵極高電壓VGH的掃描信號SCAN,經(jīng)由初始化線IL提供具有柵極低電壓VGL的初始化信號INI，如圖3中所示。而且，在第三周期t3期間，經(jīng)由發(fā)射線EML提供具有柵極低電壓VGL的發(fā)射信號EM，如圖3中所
/Jn ο
[0049]參考圖5C，響應(yīng)于具有柵極高電壓VGH的掃描信號SCAN，第一 TFT Tl開啟。因此，將第一節(jié)點NI連接到數(shù)據(jù)線DL。通過具有柵極低電壓VGL的發(fā)射信號EM，第二 TFT T2截止。因此，第二節(jié)點N2不再連接到第三節(jié)點N3。通過具有柵極低電壓VGL的初始化信號INI，第三TFT T3和第四TFT T4截止。因此，第二節(jié)點Ν2和第三節(jié)點Ν3中的每一個都不連接到第二參考電壓線REF2。同時，由于第一 TFT Tl開啟，因此將數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓DATA提供至第一節(jié)點NI。由于第二 TFT T2截止，因此第三節(jié)點N3處于浮置狀態(tài)。浮置狀態(tài)指的是不將電壓提供至節(jié)點的狀態(tài)，因此處于浮置狀態(tài)的節(jié)點容易影響相鄰節(jié)點的電壓變化。
[0050]由于在第三周期t3期間第三節(jié)點N3處于浮置狀態(tài)，因此第一節(jié)點NI的電壓變化被施加至第三節(jié)點N3。因此，與第一節(jié)點NI電壓變化相對應(yīng)的“A-DATA”被施加至第三節(jié)點N3，由此，第三節(jié)點的電壓變化為“A-Vth- (A-DATA)",即為“DATA_Vth”。 [0051]第四，在第四周期t4期間，經(jīng)由掃描線SL提供具有柵極低電壓VGL的掃描信號SCAN,經(jīng)由初始化線IL提供具有柵極低電壓VGL的初始化信號INI，如圖3中所示。而且，在第四周期t4期間，經(jīng)由發(fā)射線EMI提供具有柵極高電壓VGH的發(fā)射信號EM，如圖3中所
/Jn ο
[0052]參考圖K)，通過具有柵極低電壓VGL的掃描信號SCAN，第一 TFT Tl截止。因此，第一節(jié)點NI不再連接到數(shù)據(jù)線DL。響應(yīng)于具有柵極高電壓VGH的發(fā)射信號EM，第二 TFTT2開啟。因此，第二節(jié)點N2連接到第三節(jié)點N3。通過具有柵極低電壓VGL的初始化信號INI，第三TFT T3和第四TFT T4截止。因此，第二節(jié)點N2和第三節(jié)點N3中的每一個都不連接到第二參考電壓線REF2。同時，由于第一 TFT Tl和第三TFT T3截止，因此第一節(jié)點NI處于浮置狀態(tài)。由于第二 TFT T2開啟，因此第二節(jié)點N2和第三節(jié)點N3處于基本相同的電勢。
[0053]如圖4中所示，根據(jù)第一節(jié)點NI的電壓，由于驅(qū)動TFT DT的漏源電流Ids，導(dǎo)致第二節(jié)點N2的電壓變?yōu)椤癡oled_anode”。而且，由于第二 TFT T2開啟導(dǎo)致第二節(jié)點N2連接至第三節(jié)點N3，因此第三節(jié)點N3的電壓變?yōu)椤癡oled_anode”。
[0054]由于在第四周期t4期間第一節(jié)點NI處于浮置狀態(tài)，因此第三節(jié)點N3的電壓變化通過第一電容器Cl而被施加到第一節(jié)點NI。因此，第三節(jié)點N3的電壓變化“DATA-Vth_Voled_anode”被施加到第一節(jié)點NI。但是,第一節(jié)點NI連接在串聯(lián)連接的第一電容CAl和第二電容CA2之間。因此，按照如下等式表示的比率“C’”施加電壓變化:
~ CAl
[0055]C=C4lTG42(2)
[0056]這里，CAl表示第一電容Cl的電容，CA2表示第二電容C2的電容。結(jié)果是，“C’(DATA-Vth-Voled_anode)”被施加到第一節(jié)點NI，且由此第一節(jié)點NI的電壓變?yōu)椤癉ATA-C，(DATA-Vth-VoIed_anode)”。同時，第一節(jié)點NI的變化電壓是在以下等式中用CAl和CA2表不:
DATA X CA2 + CA I ( Vth+Vole dan ode)
[0057]CAI+CA2—(3)
[0058]而且，被提供至有機發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動TFT DT的漏源電流Ids由如下等式表不:
[0059]Ids = k/.(Vgs-Vth)2 (4)
[0060]這里，k’表示由驅(qū)動TFT DT的結(jié)構(gòu)和物理特性確定的比例系數(shù)，取決于驅(qū)動TFTDT的電子遷移率、溝道寬度、溝道長度等。Vgs表示驅(qū)動TFT DT的柵極和源極之間的電壓差，Vth表示驅(qū)動TFT DT的閾值電壓。在第四周期t4期間的‘Vgs-Vth’如以下等式中表
示:
[0061]
【權(quán)利要求】
1.一種有機發(fā)光二極管顯示器件，包括設(shè)置成矩陣形式的多個像素，每個像素包括: 驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)，包括連接到第一節(jié)點的柵極，連接到第二節(jié)點的源極和連接到高電勢電壓線的漏極； 在所述第二節(jié)點和低電勢電壓線之間的有機發(fā)光二極管； 第一 TFT，配置成在一幀周期的數(shù)據(jù)電壓提供周期期間，將數(shù)據(jù)線連接到所述第一節(jié)占.初始化控制電路，連接在所述第一節(jié)點和提供第一參考電壓的第一參考電壓線之間，所述初始化控制電路還連接至第二節(jié)點、第三節(jié)點和提供第二參考電壓的第二參考電壓線，所述初始化控制電路配置成在所述數(shù)據(jù)電壓提供周期之前的所述幀周期的初始化周期期間，將所述第一節(jié)點初始化成所述第一參考電壓，并將所述第二節(jié)點和第三節(jié)點初始化成第二參考電壓；和 第一電容，連接在所述第一節(jié)點和所述第三節(jié)點之間，所述第一電容配置成在所述初始化周期期間，存儲所述第一節(jié)點和所述第三節(jié)點之間電壓差，并在所述初始化周期和所述數(shù)據(jù)電壓提供周期之間的閾值電壓感測周期中，根據(jù)所述第三節(jié)點的電壓電平來改變所述第一節(jié)點的電壓電平。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器件，其中所述初始化控制電路進一步配置成在所述數(shù)據(jù)電壓提供周期期間，使所述第二節(jié)點和所述第三節(jié)點斷開連接，以浮置所述第三節(jié)點。
3.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器件，其中每個像素進一步包括連接在所述第一節(jié)點和所述第一參考電壓線或者所述高電勢電壓線之間的第二電容。
4.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器件，其中每個像素進一步包括連接在所述第一節(jié)點和所述提供第二參考電壓的第二參考電壓線之間的第二電容。
5.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器件，其中所述第一TFT包括連接至所述掃描線的柵極，連接至所述第一節(jié)點的源極和連接至所述第二節(jié)點的漏極。
6.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器件，其中所述初始化控制電路包括: 第二 TFT，包括連接到所述發(fā)射線的柵極，連接到所述第三節(jié)點的源極和連接到所述第二節(jié)點的漏極； 第三TFT，包括與用于運送初始化信號以指示所述初始化周期的初始化線相連接的柵極，連接到所述第一參考電壓線的源極和連接到所述第一節(jié)點的漏極；和 第四TFT，包括連接到所述初始化線的柵極，連接到所述第二參考電壓線的源極，和連接到所述第二節(jié)點的漏極。
7.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器件，其中所述初始化控制電路包括: 第二 TFT，包括連接到發(fā)射線的柵極，連接到所述第三節(jié)點的源極和連接到所述第二節(jié)點的漏極； 第三TFT，包括與用于運送初始化信號以指示所述初始化周期的初始化線相連接的柵極，與提供所述第一參考電壓的所述第一參考電壓線相連接的源極，和連接到所述第一節(jié)點的漏極；和 第四TFT，包括連接到所述初始化線的柵極，與提供所述第二參考電壓的所述第二參考電壓線相連接的源極，和連接到所述第三節(jié)點的漏極。
8.如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光二極管顯示器件，其中每個像素進一步包括連接在所述第三節(jié)點和所述提供第二參考電壓的第二參考電壓線之間的第二電容。
9.如權(quán)利要求1所述有機發(fā)光二極管顯示器件，其中所述第二參考電壓低于所述第一參考電壓和所述驅(qū)動TFT的閾值電壓之間的電壓差。
10.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器件，其中通過由連接到所述初始化控制電路的初始化線傳輸?shù)某跏蓟盘杹碇甘舅龀跏蓟芷?，其中通過由連接到所述初始化控制電路的發(fā)射線傳輸?shù)陌l(fā)射信號來指示在所述數(shù)據(jù)電壓提供周期之后的發(fā)射周期的開始。
11.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器件，其中所述閾值電壓感測周期對應(yīng)于多于一個的水平周期。
12.—種操作有機發(fā)光二極管顯不器件的像素的方法,包括: 在初始化周期期間，通過初始化控制電路，將第一節(jié)點初始化為第一參考電壓，將第二節(jié)點和第三節(jié)點初始化為第二參考電壓，所述第一節(jié)點連接到驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)的柵極，所述第二節(jié)點連接到所述驅(qū)動薄膜晶體管的源極，第一電容連接在所述第一節(jié)點和第三節(jié)點之間； 在所述初始化周期期間，通過所述第一電容，存儲所述第一節(jié)點和所述第三節(jié)點之間的電壓差； 在所述初始化周期之后的感測周期中，通過施加所述第一電容中存儲的電壓差，根據(jù)閾值電壓中的所述第三節(jié)點的電壓電平，來改變所述第一節(jié)點的電壓電平； 在所述閾值電壓感測周期之后的數(shù)據(jù)電壓提供周期期間，通過第一 TFT，將數(shù)據(jù)線連接到所述第一節(jié)點；和 在所述數(shù)據(jù)電壓提供周期之后的發(fā)射周期期間，通過將所述第一節(jié)點處的電壓施加到所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極，控制通過有機發(fā)光二極管(OLED)的電流。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括在所述數(shù)據(jù)電壓提供周期期間，使所述第二節(jié)點和所述第三節(jié)點斷開連接，以浮置所述第三節(jié)點。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括將第二電容連接在所述第一節(jié)點和高電勢電壓線或者提供第一參考電壓的第一參考電壓線之間。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括將第二電容連接在所述第三節(jié)點和提供第二參考電壓的第二參考電壓線之間。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括在所述第一TFT的柵極處接收指示數(shù)據(jù)電壓提供周期的掃描信號。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括: 在所述初始化控制電路的第二 TFT的柵極處接收指示所述發(fā)射周期開始的發(fā)射信號； 在所述初始化控制電路的第三TFT的柵極處接收指示所述初始化周期的初始化信號；和 在所述初始化控制電路的第四TFT的柵極處接收所述初始化信號。
18.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第二參考電壓低于所述第一參考電壓和所述驅(qū)動TFT的閾值電壓之間的電壓差。
19.如權(quán)利要求12所述的方法，其中通過由連接到所述初始化控制電路的初始化線傳輸?shù)某跏蓟盘杹碇甘舅龀跏蓟芷?，其中通過由連接到所述初始化控制電路的發(fā)射線傳輸?shù)陌l(fā)射信號來指示所述數(shù)據(jù)電壓提供周期之后的發(fā)射周期的開始。
20.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述閾值電壓感測周期對應(yīng)于多于一個的水平周期。
【文檔編號】G09G3/32GK103578416SQ201310170738
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年5月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月31日
【發(fā)明者】裵娜榮, 尹重先, 慎旼縡 申請人:樂金顯示有限公司