顯示裝置的制造方法
【專利摘要】在a—ITO層(112)上形成IZO層(113)，至少在子像素(71R、71G)形成膜厚不同的抗蝕劑圖案(202R、202G)，利用通過灰化實(shí)現(xiàn)的抗蝕劑圖案(202R、202G)的薄膜化以及通過a—ITO層(112)向p—ITO層(114)的轉(zhuǎn)化來實(shí)現(xiàn)的蝕刻耐性的變化，對a—ITO層(112)和IZO層(113)進(jìn)行蝕刻。
【專利說明】顯示裝置的制造方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種顯示裝置的制造方法，該顯示裝置中，至少I個(gè)子像素的電極具有反射電極層和形成在該反射電極層上的多個(gè)透明電極層，子像素間透明電極層的合計(jì)膜厚不同。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，平板顯示器被用于各種商品和領(lǐng)域，要求平板顯示器的進(jìn)一步的大型化、高畫質(zhì)化、低耗電化。
[0003]在這種狀況下,具有利用了有機(jī)材料的電致發(fā)光(Electro Luminescence:電致發(fā)光，以下記作“EL”)的有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示裝置，作為在低電壓驅(qū)動(dòng)、高速響應(yīng)性、白發(fā)光性、寬視野角特性等方面優(yōu)秀的全固體型平板顯示器，備受矚目。 [0004]有機(jī)EL顯示裝置例如具有如下結(jié)構(gòu):在由設(shè)置有TFT (Thin Film Transistor:薄膜晶體管)的玻璃基板等構(gòu)成的基板上，設(shè)置有與TFT電連接的有機(jī)EL元件。
[0005]有機(jī)EL元件是能夠利用低電壓直流驅(qū)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)高亮度發(fā)光的發(fā)光元件，具有第一電極、有機(jī)EL層和第二電極依次層疊的結(jié)構(gòu)。
[0006]作為用于使使用了有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示裝置全彩化的方式，已知例如:(I)將發(fā)出紅色(R)光的有機(jī)EL元件、發(fā)出綠色(G)光的有機(jī)EL元件、發(fā)出藍(lán)色⑶光的有機(jī)EL元件作為子像素排列在基板上的方式；(2)將發(fā)出白色光的有機(jī)EL元件和彩色濾光片組合，選擇各子像素的發(fā)光色的方式。
[0007]近年來，提出了在這些方式的基礎(chǔ)上，利用微腔(微小諧振器)效應(yīng)來提高發(fā)光的色度和發(fā)光效率的方法(例如參照專利文獻(xiàn)1、2)。
[0008]微腔是指如下現(xiàn)象:發(fā)出的光在陽極與陰極之間多重反射、諧振，由此使得發(fā)光光譜變得陡峭，峰值波長的發(fā)光強(qiáng)度增大。
[0009]微腔效應(yīng)能夠通過例如將陽極的反射率和膜厚、陰極的反射率和膜厚、有機(jī)層的層厚等設(shè)計(jì)到最佳來得到。
[0010]作為將這種諧振結(jié)構(gòu)、即微腔結(jié)構(gòu)導(dǎo)入到有機(jī)EL元件中的方法，已知例如按每個(gè)發(fā)光色改變各子像素的有機(jī)EL元件的光程的方法。
[0011]作為按每個(gè)發(fā)光色改變各子像素的有機(jī)EL元件的光程的方法，可以列舉在反射電極與半透明電極之間層疊包含發(fā)光層的有機(jī)EL層和透明電極層的方法。
[0012]即，例如在頂部發(fā)光型有機(jī)EL元件的情況下，可以列舉如下方法:令陽極為反射電極層和透明電極層的層疊結(jié)構(gòu)，按每個(gè)子像素改變陽極的反射電極層上的透明電極層的膜厚。
[0013]在頂部發(fā)光型的有機(jī)EL元件的情況下，像這樣令陽極為反射電極層和透明電極層的層疊結(jié)構(gòu)，適當(dāng)層疊有機(jī)EL層之后，陰極作為半透明電極使用例如做成薄膜的半透明的銀等，由此能夠?qū)⑽⑶唤Y(jié)構(gòu)導(dǎo)入到有機(jī)EL元件中。
[0014]像這樣將微腔結(jié)構(gòu)導(dǎo)入到有機(jī)EL元件時(shí)，從發(fā)光層發(fā)光、通過陰極出射的光的光譜，比有機(jī)EL元件不具有微腔結(jié)構(gòu)的情況要陡，而且向正面的出射強(qiáng)度大幅增大。
[0015]在專利文獻(xiàn)1、2中公開了通過按每個(gè)子像素改變層疊相同材料的透明電極層的數(shù)量，將微腔結(jié)構(gòu)導(dǎo)入到有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示裝置。
[0016]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0017]專利文獻(xiàn)
[0018]專利文獻(xiàn)1:日本公開特許公報(bào)“特開2007— 280677號公報(bào)(2007年10月25日公開)”
[0019]專利文獻(xiàn)2:日本公開特許公報(bào)“特開2005—116516號公報(bào)(2005年4月28日公開)，，
[0020]專利文獻(xiàn)3:日本公開特許公報(bào)“特開2009—129604號公報(bào)(2009年6月11日公開)，，

【發(fā)明內(nèi)容】

[0021]發(fā)明要解決的技術(shù)問題
[0022]但是，在通過如上所述改變透明電極層的膜厚來使微腔效應(yīng)變化、從而調(diào)整發(fā)光色的方式的有機(jī)EL顯示裝置中，按各色的每個(gè)子像素適當(dāng)?shù)馗淖兺该麟姌O層的膜厚的方法至今未知。
[0023]另外，在專利文獻(xiàn)I中，沒有公開按各色的子像素改變透明電極的膜厚的方法。
[0024]另外，在專利文獻(xiàn)2中，作為層疊的透明電極層使用相同材料，并按各色的每個(gè)子像素改變透明電極的膜厚的方法，公開了以下的方法。
[0025]首先，一邊將層疊抗蝕劑圖案的子像素按B — G — R的順序改變，一邊在反射電極層上交替地層疊透明電極層和抗蝕劑圖案。
[0026]接著，在R子像素上層疊了抗蝕劑圖案之后，以R子像素的抗蝕劑圖案作為掩模對最上層的透明電極層進(jìn)行蝕刻，使G子像素的抗蝕劑圖案露出，以R子像素和G子像素的抗蝕劑圖案作為掩模，對白上方起第二個(gè)透明電極層進(jìn)行蝕刻。
[0027]之后，B子像素的抗蝕劑圖案露出后，以R子像素、G子像素、B子像素的抗蝕劑圖案作為掩模，對最下層的透明電極層進(jìn)行蝕刻，由此使所有透明電極層圖案化。
[0028]最后，以R子像素、G子像素、B子像素的抗蝕劑圖案為掩模，將反射電極層蝕刻而圖案化。
[0029]但是，在專利文獻(xiàn)2中，雖然能夠?qū)⑽g刻次數(shù)和抗蝕劑的剝離次數(shù)削減至I次，但抗蝕劑圖案的形成工序需要3次。另外，為了在抗蝕劑圖案上層疊透明電極層，如果抗蝕劑與透明電極層的緊貼性不夠，則處理中會導(dǎo)致透明電極層的膜發(fā)生剝落，有導(dǎo)致圖案不良和污染的危險(xiǎn)性。
[0030]另外，將層疊了抗蝕劑的基板投入到濺射裝置內(nèi)時(shí)，有可能附著塵土等異物，導(dǎo)致成品率降低，并且有可能引起缺陷、膜厚不均、膜質(zhì)不均(光學(xué)性質(zhì)的面內(nèi)分布)。
[0031]另外，在如專利文獻(xiàn)2中記載的那樣在抗蝕劑圖案上層疊透明電極的情況下，當(dāng)抗蝕劑圖案的厚度厚時(shí)，被抗蝕劑圖案遮擋的部分變大，有可能因該被遮擋的部分導(dǎo)致在透明電極層產(chǎn)生缺陷，發(fā)生膜厚不均。因此，難以將透明電極層按各色的子像素設(shè)定為最佳的膜厚，另外，無法以高精細(xì)的圖案形成子像素。[0032]因此，如果僅將透明電極層單純地層疊，難以按各色的每個(gè)子像素改變透明電極的膜厚。
[0033]作為按各色的每個(gè)子像素改變透明電極的膜厚的方法，例如可以列舉以下的方法。
[0034]圖18的(a)?(f)是按工序順序表示按每個(gè)子像素改變陽極的反射電極層上的透明電極層的膜厚的方法的一例的剖視圖。
[0035]下面，參照圖18的(a)?(f)對如上所述按每個(gè)子像素改變陽極的反射電極層上的透明電極層的膜厚的方法進(jìn)行說明。
[0036]首先，如圖18(a)所示，在支承基板301上通過濺射法等形成由銀(Ag)等反射電極材料構(gòu)成的反射電極層302。
[0037]接著，在上述反射電極層302上按各色的每個(gè)子像素通過光刻形成未圖示的抗蝕劑圖案，以這些抗蝕劑圖案作為掩模對反射電極層302進(jìn)行蝕刻后，利用抗蝕劑剝離液將這些抗蝕劑圖案剝離洗凈。
[0038]由此，如圖18(b)所示，將反射電極層302圖案化使得該反射電極層302按各色的每個(gè)子像素分離。
[0039]接著，如圖18(c)所示，在反射電極層302上，作為透明電極層，形成例如IZO (Indium Zinc Oxide:銦鋅氧化物)膜從而形成IZO層303,通過光刻僅在R子像素形成光致抗蝕劑311。
[0040]接著，如圖18(d)所示，利用草酸將露出的IZO層303蝕刻去除之后，剝離光致抗蝕劑311，由此僅在R子像素形成圖案化后的IZO層303，作為第一 IZO層303。
[0041]之后，如圖18(e)所示，以覆蓋R子像素的IZO層303、以及G子像素和B子像素的反射電極層302的方式再次形成IZO膜形成IZO層304，接著通過光刻僅在R子像素和G子像素形成光致抗蝕劑312。
[0042]之后，如圖18(f)所示，以光致抗蝕劑312作為掩模，利用草酸將IZO層304蝕刻之后，剝離光致抗蝕劑312，由此在子像素R和子像素G中形成圖案化后的IZO層304，作為
第二 IZO層。
[0043]像這樣，為了得到微腔效應(yīng)，用相同材料的透明電極層按每個(gè)子像素改變透明電極層的層疊數(shù)時(shí)，例如在子像素由R子像素、G子像素、B子像素構(gòu)成的情況下，至少需要3次光刻、蝕刻和抗蝕劑剝離。
[0044]換言之，為了按每個(gè)子像素改變陽極的反射電極層上的透明電極層的膜厚，如圖18的(a)?(f)所示，需要3次光刻。另外，如果包括反射電極層的圖案化在內(nèi)，則需要4次光刻。另外，圖18(f)中，在B子像素中進(jìn)一步形成透明電極層的情況下，需要4次光刻。
[0045]因此，如上所述為了得到微腔效應(yīng)，按每個(gè)子像素改變電極的厚度時(shí)，需要用于進(jìn)行至少3次(如果包括用于進(jìn)行反射電極層的圖案化的光刻，則為至少4次)光刻、蝕刻和抗蝕劑剝離的裝置。因此，生產(chǎn)線中所需的用于進(jìn)行上述處理的光刻裝置(光刻工藝裝置)的數(shù)量增多。
[0046]在光刻中，需要高價(jià)的裝置和材料。因此，如果如上所述按每個(gè)子像素改變電極的厚度，則會導(dǎo)致裝置整體的成本上升和占用面積(footprint)的增加。
[0047]而且，光刻由于需要一定時(shí)間的顯影處理和烘烤處理等，所以難以縮短處理工時(shí)。[0048]因此，希望光刻次數(shù)盡可能少。
[0049]另外，在如上所述反復(fù)進(jìn)行光致抗蝕劑的剝離的情況下，當(dāng)該反復(fù)進(jìn)行的次數(shù)變多時(shí)，反射電極層的表面會變得粗糙或者被氧化，導(dǎo)致反射效率降低。另外，因反射電極層的表面粗糙導(dǎo)致產(chǎn)生電極間泄漏，有可能造成產(chǎn)生像素缺陷。
[0050]在專利文獻(xiàn)3中公開了通過層疊結(jié)晶性不同的ITO來減少光刻的次數(shù)的方法。但是，即使使用這種方法，光刻也至少需要2次。
[0051]另外，在專利文獻(xiàn)3中，在第一子像素和第三子像素形成具有結(jié)晶性的ITO膜而進(jìn)行圖案化之后，在第一子像素和第二子像素層疊非晶質(zhì)的ITO而進(jìn)行圖案化，由此按每個(gè)子像素改變透明電極層的膜厚。
[0052]S卩，專利文獻(xiàn)3中，每次光刻時(shí)在2個(gè)子像素形成相同膜厚的透明電極層的圖案，每次光刻改變形成透明電極層的圖案的子像素，由此減少光刻的次數(shù)。
[0053]因此，專利文獻(xiàn)3中，利用2個(gè)透明電極層的膜厚的組合來確定各子像素的光程。因此，光程的設(shè)定存在制約，難以任意改變光程。
[0054]本發(fā)明是鑒于上述問題而完成，目的在于提供一種能夠按顯示色不同的每個(gè)子像素改變反射電極層上的透明電極層的膜厚的實(shí)用的顯示裝置的制造方法，并且削減光刻的次數(shù)。
[0055]解決技術(shù)問題的技術(shù)手段
[0056]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的顯示裝置的制造方法，其中，該顯示裝置中，至少I個(gè)子像素的形成電場的成對的電極中的一個(gè)電極具有反射電極層和形成在該反射電極層上的多個(gè)透明電極層，在顯示色不同的子像素間，上述透明電極層的合計(jì)的膜厚不同，所述顯示裝置的制造方法的特征在于，包括:
[0057]第一透明電極層成膜工序，形成包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層；
[0058]第二透明電極層成膜工序，在上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層上，形成包含與上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層組成不同的透明電極材料的第二透明電極層；
[0059]第一抗蝕劑圖案形成工序，在顯示色不同的多個(gè)子像素中的至少2個(gè)子像素的第二透明電極層上，分別形成膜厚不同的第一抗蝕劑圖案；
[0060]透明電極層圖案化工序，以上述第一抗蝕劑圖案作為掩模，至少將上述第二透明電極層和包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層蝕刻而圖案化；
[0061]至少I次的透明電極層蝕刻工序，通過灰化將上述多個(gè)子像素中的上述第一抗蝕劑圖案的膜厚最薄的子像素的第一抗蝕劑圖案去除而使第二透明電極層露出，另一方面，使剩余子像素的第一抗蝕劑圖案薄膜化后，以上述薄膜化后的第一抗蝕劑圖案作為掩模，將露出的第二透明電極層蝕刻去除，或者在上述第二透明電極層的下層存在包含非晶質(zhì)的透明電極材料的透明電極層的情況下，將上述第二透明電極層和其下層的包含非晶質(zhì)的透明電極材料的透明電極層蝕刻去除；和
[0062]第一抗蝕劑圖案去除工序，上述透明電極層蝕刻工序之后，將在上述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案的膜厚最厚的子像素的第一抗蝕劑圖案去除，
[0063]上述透明電極層蝕刻工序反復(fù)進(jìn)行，直到將上述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案中的第一抗蝕劑圖案的膜厚第二厚的子像素的第二透明電極層蝕刻去除為止，并且
[0064]上述透明電極層蝕刻工序至少包括:
[0065]灰化工序，通過灰化將上述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案的膜厚第二厚的子像素的第一抗蝕劑圖案去除而使第二透明電極層露出，另一方面，使上述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案的膜厚最厚的子像素的第一抗蝕劑圖案薄膜化；
[0066]第二透明電極層蝕刻工序，以上述灰化工序中薄膜化后的、上述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案的膜厚最厚的子像素的第一抗蝕劑圖案作為掩模，將露出的第二透明電極層蝕刻去除；和
[0067]第一透明電極層結(jié)晶化工序，使上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層結(jié)晶化而使該第一透明電極層轉(zhuǎn)化為多晶的第一透明電極層，
[0068]上述第一透明電極層結(jié)晶化工序在上述灰化工序的上一個(gè)工序或上述灰化工序與上述第二透明電極層蝕刻工序之間進(jìn)行。
[0069]在上述方法中，利用包含非晶質(zhì)的透明電極材料的透明電極層和包含多晶的透明電極材料的透明電極層的蝕刻耐性的不同所帶來的蝕刻選擇性，使透明電極層多層層疊。
[0070]根據(jù)上述方法，通過使非結(jié)晶的透明電極材料轉(zhuǎn)化為多晶的透明電極材料，能夠提高對蝕刻液的蝕刻耐性。
[0071]因此，根據(jù)上述方法，例如僅用I次光刻就能夠在子像素間例如按每個(gè)子像素改變上述反射電極層上的透明電極層的層疊數(shù)。
[0072]因此，用比現(xiàn)有技術(shù)少的次數(shù)的光刻就能夠例如按顯示色不同的每個(gè)子像素任意地改變上述反射電極層上的透明電極層的合計(jì)的膜厚。
[0073]其結(jié)果是，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠?qū)崿F(xiàn)成本降低和占用面積的降低。
[0074]另外，在現(xiàn)有的方法中，光致抗蝕劑的剝離和烘烤工序較多，所以有可能出現(xiàn)以下情況:反射電極層的表面變粗糙或是氧化從而反射效率降低，或者發(fā)生因反射電極層的表面粗糙導(dǎo)致的電極間泄漏，成為像素缺陷。
[0075]但是，根據(jù)上述方法，能夠減少曝光、顯影、抗蝕劑剝離處理的次數(shù)，所以不會有這種風(fēng)險(xiǎn)。另外，能夠縮短處理工時(shí)。
[0076]發(fā)明的效果
[0077]根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法，如上所述，在包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層上，形成包含與上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層組成不同的透明電極材料的第二透明電極層，在至少2個(gè)子像素形成膜厚不同的抗蝕劑圖案，利用通過灰化實(shí)現(xiàn)的抗蝕劑圖案的薄膜化和通過第一透明電極層的結(jié)晶化實(shí)現(xiàn)的蝕刻耐性的變化，將上述透明電極層蝕刻，由此例如僅用I次光刻就能夠在子像素間改變上述反射電極層上的透明電極層的層疊數(shù)。
[0078]因此，用比現(xiàn)有技術(shù)少的次數(shù)的光刻就能夠按顯示色不同的每個(gè)子像素任意地改變上述反射電極層上的透明電極層的合計(jì)的膜厚。
[0079]其結(jié)果是，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠?qū)崿F(xiàn)成本降低和占用面積的降低。
[0080]另外，根據(jù)上述方法，能夠減少曝光、顯影、抗蝕劑剝離處理的次數(shù)，所以能夠防止反射效率的下降，能夠防止因反射電極層的表面粗糙導(dǎo)致的電極間泄漏而產(chǎn)生像素缺陷，并且能夠縮短處理工時(shí)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0081]圖1(a)?(i)是按工序順序表示實(shí)施方式I的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置的第一電極的制作方法的一例的剖視圖。
[0082]圖2是表示實(shí)施方式I的有機(jī)EL顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的分解剖視圖。
[0083]圖3是表示實(shí)施方式I的有機(jī)EL顯示裝置的支承基板的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0084]圖4是表示圖3所示的支承基板的顯示區(qū)域的主要部分的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0085]圖5是表示用圖4所示的A—A線截?cái)鄬?shí)施方式I的有機(jī)EL顯示面板時(shí)的有機(jī)EL顯示面板的概略結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0086]圖6是對實(shí)施方式I的有機(jī)EL顯示裝置的圖像顯示方法進(jìn)行說明的示意圖。
[0087]圖7是按工序順序表示實(shí)施方式I的有機(jī)EL顯示裝置的制造工序的一例的流程圖。
[0088]圖8是按工序順序表示實(shí)施方式I的有機(jī)EL層的制作工序的一例的流程圖。
[0089]圖9(a)?(i)是按工序順序表示實(shí)施方式I的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置的第一電極的制作方法的其他例子的剖視圖。
[0090]圖10 (a)?(i)是按工序順序表示實(shí)施方式2的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置的第一電極的制作方法的一例的剖視圖。
[0091]圖11 (a)?(i)是按工序順序表示實(shí)施方式3的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置的第一電極的制作方法的一例的剖視圖。
[0092]圖12 (a)?(i)是按工序順序表示實(shí)施方式4的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置的第一電極的制作方法的一例的剖視圖。
[0093]圖13 (a)?(j)是按工序順序表示實(shí)施方式5的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置的第一電極的制作方法的一例的剖視圖。
[0094]圖14(a)?(j)是按工序順序表示實(shí)施方式6的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置的第一電極的制作方法的一例的剖視圖。
[0095]圖15 (a)?(j)是按工序順序表示實(shí)施方式7的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置的第一電極的制作方法的一例的剖視圖。
[0096]圖16是表示實(shí)施方式8的有機(jī)EL顯示面板的概略結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0097]圖17是按工序順序表示圖16所示的有機(jī)EL層的制作工序的一例的流程圖。
[0098]圖18的(a)?(f)是按工序順序表示按每個(gè)子像素改變陽極的反射電極層上的透明電極層的合計(jì)的膜厚的方法的一例的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0099]以下，對本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0100][實(shí)施方式I]
[0101]基于圖1(a)?⑴至圖9(a)?⑴對本實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。
[0102]〈有機(jī)EL顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)>
[0103]首先，對有機(jī)EL顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。[0104]圖2是表示本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置100的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的分解剖視圖。
[0105]如圖2所示，本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置100具有像素部101和電路部102。
[0106]像素部101由有機(jī)EL顯示面板I (顯示面板)構(gòu)成。另外，電路部102包括設(shè)直有驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL顯不裝直100的驅(qū)動(dòng)電路等的電路基板和IC(集成電路！IntegratedCircuits)芯片等。
[0107]有機(jī)EL顯示面板I具有如下結(jié)構(gòu):在支承基板10 (被成膜基板、TFT基板)上依次設(shè)置有有機(jī)EL元件20和密封樹脂層41、填充樹脂層42、密封基板50。
[0108]支承基板10由TFT基板等半導(dǎo)體基板構(gòu)成，具有例如如下結(jié)構(gòu):在絕緣基板11上作為能動(dòng)元件(驅(qū)動(dòng)元件)設(shè)置有TFT (薄膜晶體管:Thin Film Transistor) 12 (參照圖5)等。
[0109]有機(jī)EL元件20與TFT12連接。在有機(jī)EL元件20上形成含有干燥劑的具有粘接性的填充樹脂層42。構(gòu)成填充樹脂層42的充填樹脂，被充填到由支承基板10、密封基板50和密封樹脂層41包圍的空間。
[0110]另外，有機(jī)EL顯示裝置100可以是從支承基板10側(cè)射出光的底部發(fā)光型，也可以是從密封基板50側(cè)射出光的頂部發(fā)光型。
[0111]作為支承基板10和密封基板50所使用的基底基板，能夠使用例如玻璃、塑料等。作為一例，例如能夠使用無堿玻璃基板等的玻璃基板。
[0112]但是，并不限定于此，作為不射出光的一側(cè)的基板，也能夠使用金屬板等不透明材料。
[0113]在頂部發(fā)光型的情況下，作為密封基板50也可以使用形成有CF(彩色濾光片:Color Filter)層的基板。另外，在底部發(fā)光型的情況下，也可以在支承基板10側(cè)形成CF層。
[0114]像這樣在并用CF層的情況下，能夠利用CF層調(diào)整從有機(jī)EL元件20出射的光的光譜。
[0115]下面，在本實(shí)施方式中，以有機(jī)EL顯示裝置100為頂部發(fā)光型的情況為例進(jìn)行說明。但是，本實(shí)施方式并不限定于此也可以如上所述例如為底部發(fā)光型。
[0116]本實(shí)施方式的密封基板50，如圖2所示，具有例如在絕緣基板51上設(shè)置有CF層52和BM(黑色矩陣=Black Matrix) 53 (參照圖5)等的結(jié)構(gòu)。
[0117]將層疊有該有機(jī)EL元件20的支承基板10，隔著設(shè)置于框狀的密封區(qū)域L的密封樹脂層41和填充樹脂層42，與密封基板50貼合，由此將有機(jī)EL元件20封入到該一對基板(支承基板10、密封基板50)之間，以使得該有機(jī)EL元件20不會因水分或氧氣而損傷。
[0118]有機(jī)EL顯示面板I像這樣通過將有機(jī)EL元件20封入到支承基板10與密封基板50之間，防止氧氣和水分從外部侵入有機(jī)EL元件20。
[0119]另外，在支承基板10的框狀的密封區(qū)域L的外側(cè)設(shè)置有形成有電配線端子2 (電連接部、連接端子)等的端子部區(qū)域R3。
[0120]電配線端子2是與電路部102的連接端子103連接的連接端子，由金屬等配線材料形成。
[0121]在電路部102設(shè)置有例如柔性薄膜線纜等配線、驅(qū)動(dòng)器等驅(qū)動(dòng)電路等。[0122]如圖2所示，電路部102經(jīng)設(shè)置于端子部區(qū)域R3的電配線端子2與有機(jī)EL顯示面板I連接。
[0123]<支承基板10的結(jié)構(gòu)>
[0124]下面，參照圖3對包括端子部區(qū)域R3的支承基板10的各區(qū)域進(jìn)行說明。
[0125]圖3是表示的有機(jī)EL顯示裝置100的支承基板10的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0126]如圖3所示,在支承基板10的作為能動(dòng)面(能動(dòng)元件形成面)的一個(gè)主面設(shè)置有顯示區(qū)域R1、第二電極連接區(qū)域R2、端子部區(qū)域R3和框狀的密封區(qū)域L。
[0127]〈顯示區(qū)域Rl>
[0128]顯示區(qū)域Rl (顯示部)設(shè)置于支承基板10的中央部，例如形成為矩形狀。在顯示區(qū)域Rl形成有包括多個(gè)子像素71 (參照圖4和圖5)的像素陣列。另外，顯示區(qū)域Rl的結(jié)構(gòu)將在后面詳述。
[0129]〈第二電極連接區(qū)域R2>
[0130]第二電極連接區(qū)域R2是與有機(jī)EL元件20的第二電極31 (參照圖5)連接的區(qū)域。第二電極連接區(qū)域R2，例如在顯示區(qū)域Rl的2組成對的邊中的一組成對的邊的外側(cè)，沿著彼此相對的邊形成。
[0131]在這些第二電極連接區(qū)域R2分別形成連接部60 (連接電極)。連接部60是與第二電極31連接的部分，由金屬材料形成。
[0132]〈密封區(qū)域L>
[0133]在密封區(qū)域L，如上所述，形成有用于將支承基板10和密封基板50貼合的密封樹脂層41。
[0134]密封區(qū)域L，如圖3所示，以包圍顯示區(qū)域Rl和第二電極連接區(qū)域R2的方式形成框狀。
[0135]〈端子部區(qū)域R3>
[0136]端子部區(qū)域R3，如上所述，是像素部101和電路部102的連接所用的區(qū)域。端子部區(qū)域R3在框狀的密封區(qū)域L的外側(cè)沿該框狀的密封區(qū)域L設(shè)置。
[0137]具體而言，如圖3所示，端子部區(qū)域R3在各第二電極連接區(qū)域R2的外側(cè)沿各第二電極連接區(qū)域R2形成。另外，端子部區(qū)域R3，在顯示區(qū)域Rl的、未設(shè)置上述第二電極連接區(qū)域R2的、另一組成對的邊的外側(cè)，沿彼此相對的邊形成。
[0138]另外，端子部區(qū)域R3并不需要存在于所有的邊，也可以例如僅集中于任意一邊地形成。
[0139]〈顯示區(qū)域Rl的結(jié)構(gòu)〉
[0140]接著，對顯示區(qū)域Rl的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0141]圖4是表示支承基板10的顯示區(qū)域Rl的主要部分的結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖5是表示用圖4所示的A— A線截?cái)嘤袡C(jī)EL顯示面板I時(shí)的有機(jī)EL顯示面板I的概略結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0142]如圖4和圖5所示，顯示區(qū)域Rl由形成有有機(jī)EL元件20的多個(gè)像素70構(gòu)成。
[0143]各像素70分別由多個(gè)子像素71構(gòu)成。有機(jī)EL顯示裝置100是全彩的有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置，例如如圖5所示，由發(fā)出紅(R)色光的子像素71 (以下記作“子像素71R”)、發(fā)出綠(G)色光的子像素71(以下記作“子像素71G”)、發(fā)出藍(lán)(B)色光的子像素71(以下記作“子像素71B”)這三個(gè)子像素71R、71G、71B構(gòu)成I個(gè)像素70。
[0144]在顯示區(qū)域R1，由具有發(fā)出R、G、B各色的有機(jī)EL元件20構(gòu)成的各色的子像素71，排列成矩陣狀。本實(shí)施方式中，各子像素71R、71G、71B以如下方式排列:在支承基板10的能動(dòng)面的X軸方向(橫向)和Y軸方向(縱向)中的一個(gè)方向(例如X軸方向)與相同發(fā)光色的子像素71相鄰，在另一個(gè)方向(例如Y軸方向)與不同的發(fā)光色的子像素71相鄰。
[0145]如圖4和圖5所示，在顯示區(qū)域R1，在X軸方向和Y軸方向排列有多個(gè)信號線14(配線)。
[0146]信號線14例如包括:選擇像素的多個(gè)線(柵極線)、寫入數(shù)據(jù)的多個(gè)線(源極線)、將電力供給到有機(jī)EL元件20的多個(gè)線(電源線)等。
[0147]另外，柵極線例如沿著X軸方向敷設(shè)，源極線以與柵極線交叉的方式例如沿著Y軸方向敷設(shè)。
[0148]另外，柵極線與驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O線的未圖示的柵極線驅(qū)動(dòng)電路連接，源極線與驅(qū)動(dòng)源極線的未圖示的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路連接。
[0149]各子像素71排列在由這些信號線14包圍的區(qū)域。即，由這些信號線14包圍的區(qū)域是I個(gè)子像素71，按每個(gè)子像素71劃分出各色的發(fā)光區(qū)域72。
[0150]這些信號線14在顯示區(qū)域Rl之外與電路部102的外部電路連接。通過從電路部102對信號線14輸入電信號，能夠驅(qū)動(dòng)配置于信號線14的交叉部的有機(jī)EL元件20 (發(fā)光)O
[0151]在各子像素71R、71G、71B分別設(shè)置有與有機(jī)EL元件20的第一電極21連接的TFT12。
[0152]信號線14與設(shè)置于各子像素71的TFT12連接。在有源矩陣型的情況下，在各子像素71至少配置有I個(gè)TFT12。
[0153]另外，在各子像素71也可以還形成有保持寫入的電壓的電容器、用于對TFT12的特性的偏差進(jìn)行補(bǔ)償?shù)难a(bǔ)償電路。
[0154]各子像素71的發(fā)光強(qiáng)度由利用信號線14和TFT12進(jìn)行的掃描和選擇來確定。有機(jī)EL顯示裝置100用TFT12使有機(jī)EL元件20有選擇地以期望的亮度發(fā)光，由此實(shí)現(xiàn)圖像顯不O
[0155]<支承基板10的截面結(jié)構(gòu)>
[0156]如圖4和圖5所示，支承基板10具有絕緣基板11作為基底基板。
[0157]如圖5所示，在顯示區(qū)域Rl中，支承基板10具有在玻璃基板等透明的絕緣基板11上形成TFT12(開關(guān)元件)和信號線14、層間絕緣膜13 (平坦化膜)、邊緣罩15等的結(jié)構(gòu)。
[0158]在絕緣基板11上設(shè)置有信號線14，并且與各子像素71R、71G、71B對應(yīng)地分別設(shè)置有TFT12。另外，TFT的結(jié)構(gòu)以往眾所周知。另外，TFT12用已知的方法制作。因此，省略TFT12的各層的圖示以及說明。
[0159]層間絕緣膜13以覆蓋各子像素71R、71G、71B和信號線14的方式遍及絕緣基板11的整個(gè)區(qū)域?qū)盈B在絕緣基板11上。
[0160]在層間絕緣膜13上形成有有機(jī)EL元件20的第一電極21。
[0161]另外，在層間絕緣膜13設(shè)置有用于將有機(jī)EL元件20的第一電極21與TFT12電連接的接觸孔13a。由此，TFT12經(jīng)接觸孔13a與有機(jī)EL元件20電連接。
[0162]邊緣罩15是用于防止因后述的有機(jī)EL層43在第一電極21的端部(圖案端部)變薄或電場在第一電極21的端部(圖案端部)集中而使有機(jī)EL兀件20的第一電極21與第二電極31短路的絕緣層(分隔壁)。
[0163]邊緣罩15在層間絕緣膜13上以覆蓋第一電極21的端部(圖案端部)的方式形成。
[0164]邊緣罩15按每個(gè)子像素71R、71G、71B設(shè)置有開口部15R、15G、15B。由此，第一電極21如圖5所示在沒有邊緣罩15的部分(開口部15R、15G、15B)露出。該露出部分成為各子像素71R、71G、71B的發(fā)光區(qū)域72。
[0165]<有機(jī)EL元件20的結(jié)構(gòu)>
[0166]本實(shí)施方式中，發(fā)光色使用白(W)色的發(fā)光層，通過將微腔結(jié)構(gòu)導(dǎo)入到各子像素71如上所述實(shí)現(xiàn)全彩的圖像顯示。
[0167]此時(shí)，通過如上所述并用CF層52，能夠利用CF層52調(diào)整從有機(jī)EL元件20出射的光的光譜。
[0168]有機(jī)EL元件20是能夠利用低電壓直流驅(qū)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)高亮度發(fā)光的發(fā)光元件，依次層疊第一電極21、有機(jī)EL層43和第二電極31。
[0169]第一電極21具有將空穴注入(供給)到上述有機(jī)EL層43的功能。第一電極21經(jīng)接觸孔13a與TFT12連接。
[0170]另外，第二電極31具有將電子注入(供給)到上述有機(jī)EL層43的功能。
[0171]像這樣組合W發(fā)光(發(fā)出白色光)的發(fā)光層和CF層52的情況下，隔著載流子產(chǎn)生層層疊載流子輸送層(空穴輸送層、電子輸送層)和發(fā)光層。
[0172]具體而言，在第一電極21與第二電極31之間，如圖5所示，作為有機(jī)EL層43從第一電極21側(cè)依次形成空穴注入層22、空穴輸送層23、第一發(fā)光層24、電子輸送層25、載流子產(chǎn)生層26、空穴輸送層27、第二發(fā)光層28、電子輸送層29和電子注入層30。另外，第一發(fā)光層24和第二發(fā)光層28的發(fā)光色不同，這些發(fā)光色重疊，得到W發(fā)光。
[0173]作為上述發(fā)光色的組合，可以列舉例如藍(lán)色光與橙色光的組合、藍(lán)色光與黃色光的組合等。另外，如后所述通過在第一發(fā)光層24和第二發(fā)光層28的基礎(chǔ)上層疊第三發(fā)光層，利用三色的發(fā)光色的重疊得到W發(fā)光的情況下，作為上述發(fā)光色的組合，可以列舉紅色光、藍(lán)色光、綠色光的組合。
[0174]另外，在本實(shí)施方式中，作為第一發(fā)光層24形成發(fā)光色為藍(lán)色的發(fā)光層，作為第二發(fā)光層28形成發(fā)光色為橙色的發(fā)光層。
[0175]像這樣在作為發(fā)光層層疊第一發(fā)光層24和第二發(fā)光層28的情況下,通過有機(jī)EL元件20得到在從第一發(fā)光層24和第二發(fā)光層28出射的光的混合中加入了微腔效應(yīng)的光。另外，利用設(shè)置于密封基板50的CF層52對該光進(jìn)行調(diào)整，能夠?qū)⒕哂衅谕墓庾V的光取出到外部。像這樣通過將W發(fā)光的發(fā)光層和微腔效應(yīng)CF層52組合，能夠提高色純度。
[0176]空穴注入層22是具有提高從第一電極21向有機(jī)EL層43注入空穴的效率的功能的層。電子注入層30是具有提高從第二電極31向有機(jī)EL層43注入電子的效率的功能的層。
[0177]另外，空穴輸送層23是具有提高向第一發(fā)光層24輸送空穴的效率的功能的層，空穴輸送層27是具有提高向第二發(fā)光層28輸送空穴的效率的功能的層。
[0178]另一方面，電子輸送層25是具有提高向第一發(fā)光層24輸送電子的效率的功能的層，電子輸送層29是具有提高向第二發(fā)光層28輸送電子的效率的功能的層。
[0179]第一發(fā)光層24和第二發(fā)光層28分別是使從第一電極21側(cè)注入的空穴和從第二電極31注入的電子再結(jié)合而射出光的功能的層。第一發(fā)光層24和第二發(fā)光層28分別由低分子熒光色素、金屬絡(luò)合物等發(fā)光效率高的材料形成。
[0180]另外，載流子產(chǎn)生層26是用于將電子供給到第一發(fā)光層24側(cè)、將空穴供給到第二發(fā)光層28側(cè)的層。
[0181]S卩，如果將空穴輸送層、發(fā)光層和電子輸送層作為I個(gè)單元考慮，則第一發(fā)光層24側(cè)的單元和第二發(fā)光層28側(cè)的單元通過載流子產(chǎn)生層26連接。
[0182]像這樣在將W發(fā)光的發(fā)光層(例如第一發(fā)光層24和第二發(fā)光層28)和CF層52組合而得的有機(jī)EL顯示裝置100中，用微腔效應(yīng)或CF層52或其他方法改變各子像素71的發(fā)光色，所以不需要按每個(gè)子像素71分別涂敷發(fā)光層。
[0183]因此，本實(shí)施方式中，如圖5所示，空穴注入層22、空穴輸送層23、第一發(fā)光層24、電子輸送層25、載流子產(chǎn)生層26、空穴輸送層27、第二發(fā)光層28、電子輸送層29、電子注入層30和第二電極31，以覆蓋第一電極21和邊緣罩15的方式，遍及支承基板10的顯示區(qū)域Rl的整個(gè)面均勻地形成。
[0184]另外，圖5中，以將空穴輸送層、發(fā)光層和電子輸送層作為I個(gè)單兀時(shí)，第一發(fā)光層24側(cè)的單元和第二發(fā)光層28側(cè)的單元通過載流子產(chǎn)生層26連接的情況為例進(jìn)行了說明，但本實(shí)施方式并不限定于此。
[0185]例如，也可以將具有第三發(fā)光層的單元同樣地層疊，也能夠?qū)盈B4個(gè)以上的單元。
[0186]另外，也可以具有第二發(fā)光層28和第三發(fā)光層直接層疊的層疊結(jié)構(gòu)。
[0187]而且，雖然未圖示，可以根據(jù)需要插入用于阻擋空穴、電子等載流子的流動(dòng)的載流子阻擋層。例如，在發(fā)光層與電子輸送層之間追加空穴阻擋層作為載流子阻擋層，由此阻止空穴漏到電子輸送層，能夠提高發(fā)光效率。同樣地，在發(fā)光層與空穴輸送層之間追加電子阻擋層作為載流子阻擋層，由此能夠阻止電子漏到空穴輸送層。
[0188]另外，也能夠在電子輸送層與載流子產(chǎn)生層之間插入電子注入層。
[0189]作為有機(jī)EL元件20的結(jié)構(gòu)的一例，能夠采用例如下述(I)?(8)所示的層結(jié)構(gòu)和這些層的組合。
[0190](I)第一電極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層(第一發(fā)光層)/電子輸送層/載流子產(chǎn)生層/空穴輸送層/發(fā)光層(第二發(fā)光層)/電子輸送層/電子注入層/第二電極
[0191](2)第一電極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層(第一發(fā)光層)/電子輸送層/電子注入層/載流子產(chǎn)生層/空穴輸送層/發(fā)光層(第二發(fā)光層)/電子輸送層/電子注入層/第二電極
[0192](3)第一電極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層(第一發(fā)光層)/空穴阻擋層/電子輸送層/載流子產(chǎn)生層/空穴輸送層/發(fā)光層(第二發(fā)光層)/空穴阻擋層/電子輸送層/電子注入層/第二電極
[0193](4)第一電極/空穴注入層/空穴輸送層/電子阻擋層/發(fā)光層(第一發(fā)光層)/空穴阻擋層/電子輸送層/電子注入層/載流子產(chǎn)生層/空穴輸送層/電子阻擋層/發(fā)光層(第二發(fā)光層)/空穴阻擋層/電子輸送層/電子注入層/第二電極
[0194](5)第一電極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層(第一發(fā)光層)/電子輸送層/載流子產(chǎn)生層/空穴輸送層/發(fā)光層(第二發(fā)光層)/電子輸送層/載流子產(chǎn)生層/空穴輸送層/發(fā)光層(第三發(fā)光層)/電子輸送層/電子注入層/第二電極
[0195](6)第一電極/空穴注入層/空穴輸送層/電子阻擋層/發(fā)光層(第一發(fā)光層)/空穴阻擋層/電子輸送層/電子注入層/載流子產(chǎn)生層/空穴輸送層/電子阻擋層/發(fā)光層(第二發(fā)光層)/空穴阻擋層/電子輸送層/電子注入層/載流子產(chǎn)生層/空穴輸送層/電子阻擋層/發(fā)光層(第三發(fā)光層)/空穴阻擋層/電子輸送層/電子注入層/第二電極
[0196](7)第一電極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層(第一發(fā)光層)/電子輸送層/載流子產(chǎn)生層/空穴輸送層/發(fā)光層(第二發(fā)光層)/發(fā)光層(第三發(fā)光層)/電子輸送層/電子注入層/第二電極
[0197](8)第一電極/空穴注入層/空穴輸送層/電子阻擋層/發(fā)光層(第一發(fā)光層)/空穴阻擋層/電子輸送層/電子注入層/載流子產(chǎn)生層/空穴輸送層/電子阻擋層/發(fā)光層(第二發(fā)光層)/發(fā)光層(第三發(fā)光層)/空穴阻擋層/電子輸送層/電子注入層/第二電極
[0198]另外，本實(shí)施方式中，以如下情況為例進(jìn)行了說明:隔著載流子產(chǎn)生層設(shè)置載流子輸送層(空穴輸送層、電子輸送層)和W發(fā)光的發(fā)光層(第一發(fā)光層24、第二發(fā)光層28),作為W發(fā)光的發(fā)光層設(shè)置有第一發(fā)光層24和第二發(fā)光層28至少兩個(gè)發(fā)光層。
[0199]但是，發(fā)光層以外的有機(jī)層不是作為有機(jī)EL層43必須的層，另外，發(fā)光層只要至少設(shè)置I個(gè)即可。有機(jī)EL層43的結(jié)構(gòu)只要根據(jù)要求的有機(jī)EL元件20的特性適當(dāng)形成即可。
[0200]因此，上述有機(jī)EL元件20，作為一例，例如可以具有(9)所示的層結(jié)構(gòu)。
[0201](9)第一電極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層(第一發(fā)光層)/電子輸送層/電子注入層/第二電極
[0202]另外，也可以一個(gè)層具有多個(gè)功能，例如空穴注入層和空穴輸送層，可以如上所述作為彼此獨(dú)立的層形成，也可以彼此一體化地設(shè)置。即，設(shè)置有將空穴注入層和空穴輸送層一體化的空穴注入層兼空穴輸送層，作為空穴注入層和空穴輸送層。
[0203]同樣地，電子輸送層和電子注入層，可以如上所述作為彼此獨(dú)立的層形成，也可以作為電子輸送層兼電子注入層彼此一體化地設(shè)置。
[0204]另外，上述層疊順序是以第一電極21為陽極，以第二電極31為陰極時(shí)的順序。在以第一電極21為陰極、以第二電極31為陽極的情況下，有機(jī)EL層43的層疊順序相反。
[0205]另外，通過使第一電極21為半透明電極，第二電極31為反射電極，來形成底部發(fā)光型的有機(jī)EL元件20。
[0206]而通過使第一電極21為反射電極，第二電極31為半透明電極，來形成頂部發(fā)光型的有機(jī)EL元件20。
[0207]另外，有機(jī)EL元件20的結(jié)構(gòu)并不限定于上述例示的層結(jié)構(gòu)，能夠根據(jù)要求的有機(jī)EL元件20的特性采用期望的層結(jié)構(gòu)。[0208]<圖像顯示方法>
[0209]圖6是對本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置100的圖像顯示方法進(jìn)行說明的示意圖。另外，圖6中，將有機(jī)EL元件20的光路的主要部分的結(jié)構(gòu)簡化表示。
[0210]本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件20具有微腔結(jié)構(gòu)。
[0211]微腔是指如下現(xiàn)象:發(fā)出的光在陽極與陰極之間多重反射、諧振，由此使得發(fā)光光譜變得陡，峰值波長的發(fā)光強(qiáng)度增大。
[0212]微腔效應(yīng)能夠通過例如將陽極的反射率和膜厚、陰極的反射率和膜厚、有機(jī)層的膜厚等設(shè)計(jì)到最佳來得到。
[0213]本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件20是頂部發(fā)光型的有機(jī)EL元件，如圖6所示，取出發(fā)光一側(cè)的作為陰極的第二電極31作為半透明電極(半透過反射電極)發(fā)揮作用，不取出發(fā)光的一側(cè)的作為陽極的第一電極21由于具有反射電極層111，所以作為反射電極發(fā)揮作用。
[0214]因此，從設(shè)置于第一電極21與第二電極31之間的有機(jī)EL層43的發(fā)光層(圖5所不的例子中為第一發(fā)光層24和第二發(fā)光層28)發(fā)出的光,在第一電極21的反射電極層111與第二電極31之間反復(fù)反射。
[0215]此時(shí)，如圖6所示，按每個(gè)發(fā)光色改變各子像素71R、71G、71B的有機(jī)EL元件20的光程73R、73G、73B，由此，從上述發(fā)光層發(fā)出的光在第一電極21的反射層與第二電極31之間往復(fù)，特定波長的光的強(qiáng)度增大。
[0216]本實(shí)施方式中，在反射電極層111上設(shè)置有透明電極層121，按每個(gè)子像素71R、71G、71B改變該透明電極層121的膜厚，由此改變各子像素71R、71G、71B的有機(jī)EL元件20的光程 73R、73G、73B。
[0217]具體而言，本實(shí)施方式中，如圖5和圖6所示，第一電極21在子像素71B中僅由反射電極層111形成，在子像素71R、71G中為反射電極層111和透明電極層121的層疊結(jié)構(gòu)，子像素71R、71G的反射電極層111上的透明電極層121由I層或2層構(gòu)成，由此改變各子像素71R、71G、71B的透明電極層121的膜厚。
[0218]另外，圖5和圖6所示的例子中，子像素71B的透明電極層121的膜厚為0(零)，但也可以如后述的實(shí)施方式所示，也在子像素71B設(shè)置透明電極層121。另外，子像素71R、71G的反射電極層111上的透明電極層121，并不限定于I層或2層。
[0219]像這樣，通過改變各子像素71R、71G、71B的透明電極層121的膜厚，能夠使微腔效應(yīng)變化，能夠調(diào)整發(fā)光色。
[0220]各子像素71R、71G、71B的有機(jī)EL元件20的光程73R、73G、73B，即，各子像素71R、71G、71B的微腔結(jié)構(gòu)內(nèi)的光路的光學(xué)距離,被設(shè)定為與要諧振的光的波長具有一定關(guān)系。
[0221]S卩，通過如上所述調(diào)整各子像素71R、71G、71B的第一電極21的反射電極層111與第二電極31之間的距離，光程一致的波長的光的強(qiáng)度因諧振而變強(qiáng)，從第二電極31側(cè)僅出射波長一致的光。另一方面，此外的光程不一致的波長的光強(qiáng)度變?nèi)酢?br> [0222]因此，這些光程73R、73G、73B被設(shè)定為與從來自第二電極31的放出光的顏色相應(yīng)的光學(xué)長度。
[0223]如本實(shí)施方式所示，例如子像素71的顯示色為R、G、B的情況下，各光程73R、73G、73B以光程73R>光程73G>光程73B的順序變短的方式設(shè)定各子像素7IR、71G、7IB的透明電極層121的膜厚，使得各光程73R、73G、73B與R、G、B的各色的發(fā)光光譜峰值波長一致。[0224]但是，適合于各光的諧振的光程存在多個(gè)，所以并不一定需要以光程73R>光程73G>光程73B的順序變短，也能夠具有這以外的關(guān)系。
[0225]S卩，與R光的有機(jī)EL層43重疊的透明電極層121，被設(shè)定為適于R光的諧振的厚度，與G光的有機(jī)EL層43重疊的透明電極層121,被設(shè)定為適于G光的諧振的厚度,與B光的有機(jī)EL層43重疊的透明電極層121，被設(shè)定為適于B光的諧振的厚度(本實(shí)施方式為厚度O)。由此，能夠放出色純度高的光，能夠提高有機(jī)EL顯示裝置100的色再現(xiàn)性。
[0226]<有機(jī)EL顯示裝置100的制造方法>
[0227]接著，對本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置100的制造方法進(jìn)行說明。
[0228]首先，對有機(jī)EL元件20的各層的材料和層疊方法的概略進(jìn)行說明。
[0229]<有機(jī)EL元件20的各層的材料和層疊方法的概略>
[0230]第一電極21在用濺射法等形成電極材料之后，通過光刻技術(shù)和蝕刻等，與各個(gè)子像素7IR、71G、7IB對應(yīng)地進(jìn)行圖案化。
[0231]作為第一電極21能夠使用各種導(dǎo)電性材料，但如上所述在絕緣基板11側(cè)放射光的底部發(fā)光型的有機(jī)EL元件20的情況下，需要為半透明。
[0232]另一方面，在從與絕緣基板11相反的一側(cè)放射光的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL兀件20的情況下，第二電極31需要為半透明。
[0233]在有機(jī)EL元件20為頂部發(fā)光型的情況下，不希望第一電極21的反射電極層111使用不透明的電極。作為反射電極層111所用的反射電極材料，能夠使用包括由例如Ag (銀)、Ag合金、Al (鋁)、Al合金和這些電極材料構(gòu)成的層的層疊體(層疊膜)。
[0234]另外，作為這些透明電極層121所用的透明電極材料,能夠使用IT0(Indium TinOxide:銦錫氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide:銦鋅氧化物)、添加鎵的氧化鋅(GZO)等。
[0235]另一方面，第二電極31優(yōu)選使用半透明電極。作為半透明電極，例如能夠使用金屬的半透明電極單體、金屬的半透明電極層和透明電極層的層疊體，但出于反射率和透過率的觀點(diǎn)，優(yōu)選銀。
[0236]另外，作為第一電極21和第二電極31的層疊方法，能夠使用濺射法、真空蒸鍍法、CVD (chemical vapor deposition:化學(xué)蒸鍍)法、等離子體CVD法、印刷法等。
[0237]本實(shí)施方式中，為了利用光程之差控制出射的發(fā)光色，按每個(gè)子像素71R、71G、71B改變第一電極21或第二電極31 (圖5和圖6所不的例子中為第一電極21)的透明電極層121的厚度，由此在子像素71R、71G、71B中導(dǎo)入微腔結(jié)構(gòu)。
[0238]另外，對于像這樣通過改變透明電極層121的厚度在子像素71R、71G、71B中導(dǎo)入微腔結(jié)構(gòu)的方法，將在后面詳述。
[0239]作為有機(jī)EL層43的材料，能夠使用已知的材料。
[0240]作為空穴注入層、空穴輸送層或者空穴注入層兼空穴輸送層，可以列舉例如蒽、氮雜苯并菲、芴酮、腙、芪、苯并菲、苯炔、苯乙烯胺、三苯胺、葉啉、三唑、咪唑、嗯二唑、嗯唑、多芳基鏈烷、苯二胺、芳基胺和它們的衍生物、噻吩類化合物、聚硅烷類化合物、乙烯基咔唑類化合物、苯胺類化合物等鏈狀式或多環(huán)式共軛類的單體、低聚物或聚合物等。
[0241]作為電子輸送層、電子注入層或電子輸送層兼電子注入層的材料，可以列舉例如三(8-羥基喹啉)鋁絡(luò)合物、嗯二唑衍生物、三唑衍生物、苯基喹喔啉衍生物、噻咯衍生物
坐寸ο[0242]作為發(fā)光層的材料，可以使用低分子熒光色素、金屬絡(luò)合物等發(fā)光效率高的材料?？梢粤信e例如蒽、萘、茚、菲、芘、并四苯、苯并菲、茈、茜、熒蒽、醋菲烯、戊芬、并五苯、暈苯、丁二烯、香豆素、吖啶、芪和它們的衍生物；三(8-羥基喹啉)鋁絡(luò)合物、雙(苯并羥基喹啉)鈹絡(luò)合物、三(二苯甲?；谆?菲咯啉銪絡(luò)合物、二甲苯甲酰基乙烯基聯(lián)苯、羥基苯基嗯唑、羥基苯基噻唑等。
[0243]另外，發(fā)光層可以分別使用單一的材料，也可以使用將某種材料作為主體(host)材料、其他材料作為客體(guest)材料或摻雜劑混入的混合材料。
[0244]作為載流子產(chǎn)生層的材料，可以列舉將氧化鑰、五氧化釩等金屬氧化物、或者它們與芳香族烴、咔唑衍生物等共蒸鍍后的產(chǎn)物、Au、Ag的金屬薄膜、IZO和ITO等透明導(dǎo)電層(透明電極層)等。
[0245]<有機(jī)EL顯示裝置100的制造方法>
[0246]接著，對有機(jī)EL顯示裝置100的制造方法進(jìn)行說明。
[0247]本實(shí)施方式中記載的各構(gòu)成要素的尺寸、材質(zhì)、形狀等，僅是一個(gè)實(shí)施方式，并不由此限定本發(fā)明的范圍。
[0248]首先，參照圖7對有機(jī)EL顯示裝置100的制造工序的流程的概要進(jìn)行說明。
[0249]圖7是按工序流程表示有機(jī)EL顯示裝置100的制造工序的一例的流程圖。
[0250]另外，如上所述，本實(shí)施方式中記載的層疊順序是第一電極21為陽極，第二電極31為陰極時(shí)的順序，在第一電極21為陰極、第二電極31為陽極的情況下，第一電極21和第二電極31的材料和厚度互換。
[0251]首先，在步驟SI中，如圖5所示，用已知的方法在絕緣基板11的顯示區(qū)域Rl上形成TFT12、信號線14、層間絕緣膜13和接觸孔13a。
[0252]如本實(shí)施方式所示，在制造頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置100的情況下，作為絕緣基板11使用例如板厚0.7?1.1mm的無堿玻璃基板等玻璃基板或塑料基板。
[0253]另外，絕緣基板11的X軸方向和Y軸方向的大小可以根據(jù)用途等適當(dāng)設(shè)定，并不做特別限定。另外，本實(shí)施方式中，使用板厚0.7mm的無堿玻璃基板。
[0254]層間絕緣膜13和接觸孔13a，通過在用公知的技術(shù)形成了 TFT12和信號線14等的絕緣基板11上涂敷感光性樹脂，利用光刻技術(shù)進(jìn)行圖案化而形成。
[0255]另外，作為層間絕緣膜13能夠使用已知的感光性樹脂。作為上述感光性樹脂，可以列舉例如丙烯酸樹脂和聚酰亞胺樹脂等。作為層間絕緣膜13的膜厚，只要能夠補(bǔ)償TFT12的高度差即可，并不特別限定。本實(shí)施方式中，例如以約2μπι的膜厚形成丙烯酸樹脂。
[0256]另外，在該工序中，按照用于驅(qū)動(dòng)TFT12的柵極線和源極線等信號線14被引出至端子部區(qū)域R3的方式圖案化。另外，在該工序中，例如如圖3所示，在第二電極連接區(qū)域R2圖案形成連接部60。
[0257]接著，在步驟S2中，制作按每個(gè)子像素71R、71G、71B厚度不同的第一電極21。另夕卜，對于如上所述有機(jī)EL顯示裝置100為頂部發(fā)光型的情況的第一電極21的制作方法，將在后面詳述。
[0258]之后，在步驟S3中，以在層間絕緣膜13上覆蓋第一電極21的端部(圖案端部)，并且如圖4所示按每個(gè)子像素71R、71G、71B形成開口部15R、15G、15B的方式，制作邊緣罩15。
[0259]與層間絕緣膜13同樣，邊緣罩15能夠使用已知的感光性樹脂。作為上述感光性樹脂，可以列舉例如丙烯酸樹脂和聚酰亞胺樹脂等。
[0260]邊緣罩15，對相鄰的子像素71的第一電極21的層厚的不同導(dǎo)致的高度差進(jìn)行補(bǔ)償，并且在上述第一電極21的端部，為了防止第一電極21和第二電極31短路，從第一電極21的膜厚最厚的子像素71R的第一電極21的表面起的高度，例如被設(shè)定為I μ m。
[0261]本實(shí)施方式中，以從子像素71R的第一電極21的表面起的高度成為約I μ m的方式，將從層間絕緣膜13的表面起的高度為1.2μπι的由丙烯酸樹脂構(gòu)成的邊緣罩15圖案化。
[0262]通過以上工序，制作形成有第一電極21和邊緣罩15的支承基板10。
[0263]接著，在步驟S4中，對經(jīng)過上述工序的支承基板10實(shí)施用于脫水的減壓烘烤并進(jìn)行用于對第一電極21的表面進(jìn)行清洗的氧等離子體處理，然后，如圖5所示以覆蓋第一電極21和邊緣罩15的方式在支承基板10的顯示區(qū)域Rl的整個(gè)面制作有機(jī)EL層43。另外，對于有機(jī)EL層43的制作方法在后面具體說明。
[0264]之后，在步驟S5中，用已知的方法形成第二電極31。具體而言，在顯示區(qū)域Rl的整個(gè)面形成第二電極31，并且為了使該第二電極31與第二電極連接區(qū)域R2的連接部60電連接，以這些區(qū)域露出的方式，例如通過使用了蒸鍍用的掩模的蒸鍍法來進(jìn)行圖案化。另外，第二電極31的制作能夠使用與有機(jī)EL層43相同的方法。
[0265]第二電極31的膜厚優(yōu)選10~30nm。在第二電極31的膜厚小于IOnm的情況下，光的反射不能充分進(jìn)行，有可能不能充分地得到微腔效應(yīng)。另一方面，在第二電極31的膜厚超過30nm的情況下，光的透 過率降低，有可能導(dǎo)致亮度降低。在本實(shí)施方式中，作為第二電極31,以20nm的膜厚形成Ag。
[0266]由此，在支承基板10上形成包括第一電極21、有機(jī)EL層43和第二電極31的有機(jī)EL元件20。
[0267]接著，在步驟S6中，如圖2所示，將形成有有機(jī)EL元件20的支承基板10和密封基板50用密封樹脂層41貼合，進(jìn)行有機(jī)EL元件20的封入。
[0268]另外，有機(jī)EL元件20的封入例如能夠通過以下的方法進(jìn)行。
[0269]首先，在包圍圖3所示的支承基板10的顯示區(qū)域Rl和第二電極連接區(qū)域R2的框狀的密封區(qū)域L，如圖2所示形成密封樹脂層41。
[0270]接著，在由支承基板10和密封樹脂層41包圍的空間，以覆蓋第二電極31的方式，作為阻止氧氣、水分從外部侵入到有機(jī)EL元件20內(nèi)的保護(hù)膜，充填含有干燥劑的具有粘接性的填充樹脂層42。
[0271]填充樹脂層42例如使用環(huán)氧樹脂等。填充樹脂層42的膜厚例如為I~20 μ m。
[0272]之后，將支承基板10和密封基板50隔著該密封樹脂層41貼合。
[0273]由此，通過支承基板10、密封基板50、密封樹脂層41以及填充樹脂層42，將有機(jī)EL元件20密封。
[0274]作為密封基板50，例如使用具有0.4~1.1mm板厚的玻璃基板或塑料基板等絕緣基板。另外，本實(shí)施方式中，使用板厚0.7mm的無堿玻璃基板。
[0275]之后,在步驟S7中，如圖2所示,通過例如未圖示的ACF(Anisotropic ConductiveFilm:各向異性導(dǎo)電膜)，將電路部102的連接端子103與支承基板10的端子部區(qū)域R3的電配線端子2連接。通過這樣的方式制造有機(jī)EL顯示裝置100。
[0276]另外，密封基板50的X軸方向和Y軸方向的大小，可以根據(jù)作為目標(biāo)的有機(jī)EL顯示裝置100的尺寸適當(dāng)調(diào)整，也可以使用與支承基板10的絕緣基板11大致相同的尺寸的絕緣基板，將有機(jī)EL元件20密封之后，按照作為目標(biāo)的有機(jī)EL顯示裝置100的尺寸截?cái)唷?br> [0277]<有機(jī)EL層43的制作工序的流程>
[0278]接著，以具有圖5所示的結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL顯示裝置100為例，對步驟S4的有機(jī)EL層43的制作工序的流程的概要進(jìn)行說明。
[0279]圖8是按工序順序表示有機(jī)EL層43的制作工序的一例的流程圖。
[0280]但是，圖8所示的層疊順序是第一電極21為陽極、第二電極31為陰極時(shí)的順序，在第一電極21為陰極、第二電極31為陽極的情況下，有機(jī)EL層43的層疊順序相反。
[0281]圖7所示的步驟S4中，對實(shí)施了用于脫水的減壓烘烤并進(jìn)行了用于對第一電極21的表面進(jìn)行清洗的氧等離子體處理的支承基板10，如圖8所示，首先以覆蓋第一電極21和邊緣罩15的方式，通過蒸鍍來在支承基板10的顯示區(qū)域Rl的整個(gè)面圖案形成空穴注入層22 (步驟 SI I)。
[0282]上述圖案化例如使用真空蒸鍍法。在真空蒸鍍法中，使緊貼固定有顯示區(qū)域Rl的整個(gè)面開口的掩模(開放式掩模)的支承基板10的被蒸鍍面與蒸鍍源相對，使來自蒸鍍源的蒸鍍粒子(成膜材料)通過掩模的開口蒸鍍到被蒸鍍面。由此，使從蒸鍍源飛散的蒸鍍粒子通過開放式掩模的開口部后均勻地蒸鍍到顯示區(qū)域Rl的整個(gè)面。
[0283]另外，上述蒸鍍可以是將例如顯示區(qū)域Rl的整個(gè)面開口的開放式掩模在相對于支承基板10進(jìn)行校準(zhǔn)調(diào)整之后與支承基板10緊密貼合，一邊使支承基板10和開放式掩模一起回轉(zhuǎn)，一邊使從蒸鍍源飛散的蒸鍍粒子通過開放式掩模的開口部蒸鍍到顯示區(qū)域R1，也可以是使用上述開放式掩模，在支承基板10和開放式掩模緊貼固定的狀態(tài)下使蒸鍍源進(jìn)行掃描(移動(dòng))從而進(jìn)行蒸鍍，即掃描蒸鍍。
[0284]另外，此處在顯示區(qū)域Rl的整個(gè)面蒸鍍，是指遍及相鄰的顏色不同的子像素之間不間斷地蒸鍍。
[0285]上述蒸鍍能夠使用與現(xiàn)有技術(shù)同樣的真空蒸鍍裝置。因此，在此，針對真空蒸鍍裝置以及蒸鍍方法的詳情，省略說明和圖示。
[0286]另外，在如上所述使用真空蒸鍍裝置形成蒸鍍膜的情況下，該真空蒸鍍裝置優(yōu)選利用真空泵被設(shè)定為1.0X 10_4Pa以上的真空到達(dá)率。換言之，真空腔室內(nèi)的壓力優(yōu)選被設(shè)定為1.0X 10 4Pa以下。
[0287]通過成為比1.0X 10_3Pa高的真空度，蒸鍍粒子的平均自由程能夠得到必要充分的值。另一方面，當(dāng)真空度低于1.0X IO-3Pa時(shí)，該平均自由程變短，所以蒸鍍粒子變得散舌L到達(dá)作為被成膜基板的支承基板10的效率降低，或者蒸鍍粒子附著到不需要的區(qū)域。因此，真空腔室的優(yōu)選設(shè)定為上述真空到達(dá)率。
[0288]接著，在步驟S12中，使用開放式掩模，以覆蓋空穴注入層22的方式，按照與空穴注入層22相同的圖案，與空穴注入層22同樣地在顯示區(qū)域Rl的整個(gè)面圖案形成(蒸鍍)空穴輸送層23。
[0289]之后，使用開放式掩模，以覆蓋上述空穴輸送層23的方式，按照與空穴注入層22和空穴輸送層23相同的圖案，與空穴注入層22和空穴輸送層23同樣地，在顯示區(qū)域Rl的整個(gè)面，在各步驟中，依次均勻地圖案形成(蒸鍍)第一發(fā)光層24(步驟S13)、電子輸送層25 (步驟S14)、載流子產(chǎn)生層26 (步驟S15)、空穴輸送層27 (步驟S16)、第二發(fā)光層28 (步驟S17)、電子輸送層29 (步驟S18)、電子注入層30 (步驟S19)。
[0290]這些有機(jī)EL層43的膜厚例如與現(xiàn)有技術(shù)同樣地設(shè)定。
[0291]另外，空穴注入層22和空穴輸送層23，可以如上所述作為獨(dú)立的層形成，也可以如上所述一體化地設(shè)置。作為各自的膜厚，例如為I?lOOnm。另外，空穴注入層22和空穴輸送層23的合計(jì)膜厚，例如為2?200nm。
[0292]另外，電子輸送層29和電子注入層30，可以如上所述作為獨(dú)立的層形成，也可以如上所述一體化地設(shè)置。
[0293]電子輸送層25、電子輸送層29、電子注入層30各自的膜厚,例如為I?lOOnm。另夕卜，電子輸送層29和電子注入層30的合計(jì)膜厚，例如為20?200nm。
[0294]第一發(fā)光層24和第二發(fā)光層28各自的膜厚,例如為10?lOOnm。
[0295]另外，載流子產(chǎn)生層26的膜厚例如為I?30nm。
[0296]本實(shí)施方式中，作為空穴注入層22形成膜厚2nm的銅酞菁。另外，作為空穴輸送層23，形成膜厚30nm的NPB (4，4'-雙[(1_萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯。
[0297]另外，作為電子輸送層25和電子輸送層29分別形成膜厚40nm的嗯二唑衍生物。另外，作為電子注入層30形成膜厚Inm的氟化鋰。
[0298]另外，作為第一發(fā)光層24和第二發(fā)光層28，以膜厚30nm形成分別以銥絡(luò)合物為客體材料，以CBP(4，4' -N，N' - 二咔唑-聯(lián)苯)為主體材料共蒸鍍后的產(chǎn)物。另外，作為載流子產(chǎn)生層26，以膜厚IOnm形成氧化鑰和NPB共蒸鍍后的產(chǎn)物。
[0299]另外，在層疊具有第三發(fā)光層的單元的情況下，例如在步驟S18與步驟S19之間，如二點(diǎn)劃線所示，依次均勻地圖案形成(蒸鍍)載流子產(chǎn)生層(步驟S21)、空穴輸送層(步驟S22)、第三發(fā)光層(步驟S23)、電子輸送層(步驟S24)。
[0300]作為這種情況下的載流子產(chǎn)生層、空穴輸送層、第三發(fā)光層、電子輸送層的材料和膜厚，例如與具有第二發(fā)光層28的單元同樣地設(shè)定即可。
[0301]在這種有機(jī)EL顯示裝置100中，通過來自信號線14的信號輸入使TFT12導(dǎo)通(ON)時(shí)，從第一電極21向有機(jī)EL層43注入孔(空穴)。另一方面，從第二電極31將電子注入到有機(jī)EL層43，空穴和電子在各發(fā)光層內(nèi)再結(jié)合，再結(jié)合后的空穴和電子失去能量時(shí)，作為光出射。
[0302]在本實(shí)施方式中，第一發(fā)光層24和第二發(fā)光層28為不同的發(fā)光色的發(fā)光層,通過有機(jī)EL元件20能夠得到在從第一發(fā)光層24和第二發(fā)光層28出射的光的混合加上微腔效應(yīng)后的光。
[0303]<第一電極21的制作方法>
[0304]接著，對頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置100的第一電極21的制作方法(即，按每個(gè)子像素71光程不同的電極的制作方法)進(jìn)行說明。
[0305]圖1 (a)?(i)是按工序順序表示步驟S2所示的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置100的第一電極21的制作方法的一例的剖視圖。
[0306]首先，在圖5所示的形成了層間絕緣膜13和接觸孔13a的支承基板10上，如圖1(a)所示，通過濺射法等形成由金屬材料等反射電極材料構(gòu)成的反射電極層111。
[0307]接著，在上述反射電極層111上按每個(gè)子像素71R、71G、71B，通過光刻形成抗蝕劑圖案201R、201G、201B(第二抗蝕劑圖案)。之后，以各抗蝕劑圖案201R、201G、201B作為掩模將反射電極層111蝕刻之后，利用抗蝕劑剝離液將這些抗蝕劑圖案20 IR、201G、20IB剝離洗凈。
[0308]由此，如圖1(b)所示，將反射電極層111圖案化，使得反射電極層111按各色的每個(gè)子像素71R、71G、71B分離。即，按各色的每個(gè)子像素71R、71G、71B形成圖案化后的反射電極層111。
[0309]作為上述反射電極層111所用的反射電極材料，優(yōu)選不與非晶質(zhì)(非晶)的ITO發(fā)生電蝕反應(yīng)的反射電極材料，例如能夠使用從Ag、Ag合金和Al合金中選出的任一種。其中優(yōu)選Ag或Ag合金。
[0310]另外，反射電極層111的厚度被設(shè)定為例如50?150nm。在本實(shí)施方式中，制作電極厚度IOOnm的Ag電極，作為反射電極層111。
[0311]另外，上述蝕刻，采用使用例如磷酸、硝酸、醋酸的混合液和氯化亞鐵等蝕刻液作為蝕刻液的濕式蝕刻。另外，抗蝕劑剝離液使用例如一異丙醇胺等。
[0312]接著，如圖1(c)所示，在上述支承基板10上以覆蓋反射電極層111的方式，通過例如濺射依次層疊作為透明電極層121的非晶質(zhì)(非晶)的ΙΤ0(以下記作“a — ΙΤ0”)層112 (第一透明電極層)和IZO層113 (第二透明電極層)。
[0313]此時(shí)，a — ITO層112和IZO層113的合計(jì)膜厚被設(shè)定成能夠得到光程最長的子像素7IR的光程73R的膜厚。
[0314]a — ITO層112的膜厚例如被設(shè)定為40?50nm。另外，IZO層113的膜厚例如被設(shè)定為45?55nm。本實(shí)施方式中，a— ITO層112的膜厚為45nm，IZ0層113的膜厚為50nm。
[0315]接著，如圖1(d)所示，在子像素71R和子像素71G，通過光刻，以俯視時(shí)與圖案化后的反射電極層111重疊的方式，形成具有俯視時(shí)與圖案化后的反射電極層111相同的圖案、且在子像素7IR和子像素7IG中厚度不同的抗蝕劑圖案202R、202G (第二抗蝕劑圖案)。
[0316]本實(shí)施方式中，通過進(jìn)行二重曝光來改變子像素71R和子像素71G中的抗蝕劑圖案202R、202G的膜厚，使得子像素7IR的抗蝕劑圖案202R比子像素7IG的抗蝕劑圖案202G厚。
[0317]二重曝光中，首先，進(jìn)行光致抗蝕劑的第一曝光(全曝光)，使得例如在子像素71R、71G分別形成抗蝕劑圖案202R、202G。之后，以構(gòu)成子像素71G的抗蝕劑圖案202G的光致抗蝕劑不完全曝光的曝光量，對子像素71G的光致抗蝕劑進(jìn)行第二曝光(半曝光)。由此，在顯影后，子像素71G的抗蝕劑圖案202G的膜厚減少，小于子像素71R的抗蝕劑圖案202R的膜厚。
[0318]本實(shí)施方式中，第一曝光和第二曝光使用步進(jìn)曝光機(jī)，第一曝光的曝光量為5OmJ / cm2,第二曝光的曝光量為30mJ / cm2,由此在子像素71R形成膜厚1.6 μ m的抗蝕劑圖案202R，在子像素7IG形成膜厚0.8 μ m的抗蝕劑圖案202G。
[0319]另外，在本實(shí)施方式中，通過二重曝光來改變子像素71R和子像素71G中光致抗蝕劑的曝光量，也可以使用半色調(diào)掩模來改變子像素71R和子像素71G的曝光量。
[0320]之后，以抗蝕劑圖案202R、202G作為掩模，使用蝕刻液，統(tǒng)一對未被抗蝕劑圖案202R、202G遮掩的a—ITO層112和IZO層113(即，子像素71R、71G以外的a—ITO層112和IZO層113)進(jìn)行濕式蝕刻。
[0321]作為上述蝕刻液，能夠使用草酸等。
[0322]由此，如圖1(e)所示，按每個(gè)子像素71R、71G將包括上述a — ITO層112和IZO層113的透明電極層121圖案化。
[0323]另外，此時(shí)，作為反射電極層111的Ag沒有被蝕刻，或者蝕刻速度顯著地慢。因此，如圖1(e)所示，在子像素71G僅殘留反射電極層111。
[0324]接著，用干式蝕刻裝置進(jìn)行灰化處理，將抗蝕劑圖案202R、202G的表面分解、去除而使之消退，由此如圖1 (f)所示，使子像素71R的抗蝕劑圖案202R薄膜化，而將子像素71G的抗蝕劑圖案202G完全去除。由此，使子像素71G的IZO層113的表面露出。
[0325]上述灰化處理能夠使用例如O2灰化處理。本實(shí)施方式中，作為干式蝕刻裝置使用東京毅力科創(chuàng)公司制的“HT系列”，進(jìn)行灰化處理直到子像素71G的抗蝕劑圖案202G被完全去除為止。
[0326]之后，通過對上述支承基板10進(jìn)行熱處理(退火)，如圖1(g)所示，使a — ITO層112結(jié)晶化。
[0327]另外，上述熱處理的處理溫度以及處理時(shí)間，只要適當(dāng)設(shè)定為能夠使a — ITO層112結(jié)晶化即可，并未特別限定。
[0328]本實(shí)施方式中，在200°C進(jìn)行熱處理I小時(shí)。由此，a — ITO轉(zhuǎn)化為結(jié)晶性的ITO (以下記作“P— ΙΤ0”)。其結(jié)果是，如圖1(g)所示，子像素71R、71G中，IZO層113的下層的a — ITO 層 112 轉(zhuǎn)化為 P — ITO 層 114。
[0329]另外，在從a — ITO向p — ITO的轉(zhuǎn)化中，沒有膜厚的減少等，維持a — ITO的成膜時(shí)的膜厚。
[0330]之后，以殘留于子像素71R的抗蝕劑圖案202R作為掩模，使用蝕刻液，對未被抗蝕劑圖案202R遮掩的IZO層113進(jìn)行濕式蝕刻。
[0331]作為此時(shí)的蝕刻液，能夠使用草酸等，在圖1(e)所示的工序中，能夠使用與a—ITO層112和IZO層113的蝕刻所使用的蝕刻液相同的蝕刻液。
[0332]此時(shí)，作為P — ITO層114 (多晶的第一透明電極層)的P — ΙΤ0，沒有被上述蝕刻液(草酸)蝕刻，或者蝕刻速度顯著地慢。
[0333]另外，如上所述，作為反射電極層111的Ag沒有被蝕刻，或者蝕刻速度顯著地慢。因此，子像素71B的反射電極層111沒有被蝕刻去除而殘留。
[0334]因此，圖1(g)所示的濕式蝕刻工序中，僅作為子像素71G的IZO層113使用的IZO被蝕刻。
[0335]其結(jié)果是，如圖1(h)所示，子像素71G中，作為透明電極層121僅p—ITO層114殘留，得到具有由P — ITO層114構(gòu)成的透明電極層121及其下的反射電極層111的層疊結(jié)構(gòu)的第一電極21。
[0336]另外，子像素71B中，得到由反射電極層111構(gòu)成的第一電極21。
[0337]之后，如圖l(i)所示，進(jìn)行灰化處理直到殘留于子像素71R的抗蝕劑圖案202R被完全去除為止，使子像素71R的IZO層113的表面露出。由此，子像素71R中，得到具有從上層側(cè)起依次層疊有IZO層113、P — ITO層114的透明電極層121及其下的反射電極層111的層疊結(jié)構(gòu)的第一電極21。
[0338]上述灰化處理與圖1(f)所示的工序同樣地，能夠使用例如O2灰化處理。另外，上述灰化處理能夠使用與圖1(f)所示的工序中使用的干式蝕刻裝置相同的干式蝕刻裝置。
[0339]另外，此時(shí)，也可以并用利用抗蝕劑剝離液的濕式處理?；蛘?，也可以僅通過利用抗蝕劑剝離液的濕式處理來去除殘留于子像素71R的抗蝕劑圖案202R。
[0340]經(jīng)過以上的處理后，如圖1 (i)所示，能夠按不同顏色的每個(gè)子像素71R、71G、71B改變透明電極層121的膜厚。
[0341]本實(shí)施方式中，通過這樣的方式形成第一電極21之后，如步驟S3所示，制作邊緣罩15。
[0342]< 效果 >
[0343]根據(jù)本實(shí)施方式，僅用I次光刻就能夠按每個(gè)子像素71任意改變透明電極層的層疊數(shù)，換言之，第一電極21的厚度。另外，根據(jù)本實(shí)施方式，包括反射電極層111的圖案化在內(nèi)，用2次光刻就能夠按每個(gè)子像素71形成厚度不同的第一電極21。因此，用比現(xiàn)有技術(shù)少的次數(shù)的光刻就能夠按每個(gè)子像素71改變第一電極21的膜厚，換言之，有機(jī)EL元件20的光程。
[0344]因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠?qū)崿F(xiàn)成本和占用面積的降低。
[0345]另外，如上所述在現(xiàn)有的方法中，光致抗蝕劑的剝離和烘烤工序較多，所以有可能反射電極層的表面會變粗糙或是氧化從而反射效率降低，或者發(fā)生因反射電極層的表面粗糙導(dǎo)致的電極間泄漏，成為像素缺陷。
[0346]但是，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠減少曝光、顯影、抗蝕劑剝離處理的次數(shù)，所以不會有這種風(fēng)險(xiǎn)，能夠提高作為有機(jī)EL用基板的支承基板10的品質(zhì)。另外，能夠縮短處理工時(shí)。
[0347]接著，對本實(shí)施方式的各種變形例進(jìn)行說明。
[0348]<第一電極21的制作方法的變形例>
[0349]本實(shí)施方式中，以如圖1(f)所示通過灰化處理進(jìn)行了子像素71R的抗蝕劑圖案202R的薄膜化和子像素71G的抗蝕劑圖案202G的去除之后，如圖1(g)所示通過熱處理使a — ITO層112結(jié)晶化的情況為例進(jìn)行了說明。
[0350]但是，圖1(f)所不的工序和圖1(g)所不的工序，能夠調(diào)換工序順序。
[0351]圖9 (a)?(i)是按工序順序表示步驟S2所示的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置100的第一電極21的制作方法的其它例子的剖視圖。
[0352]圖9(a)?(e)所示的工序，與圖1(a)?(e)所示的工序相同。本變形例中，在圖9 (e)所示的用圖1 (e)說明過的工序之后，不進(jìn)行灰化處理，而是如圖1 (f)所示通過對支承基板10進(jìn)行熱處理，使子像素71R、71G的a — ITO層112結(jié)晶化。
[0353]另外，此處也是，上述熱處理的處理溫度以及處理時(shí)間只要適當(dāng)設(shè)定為能夠使a—ITO層112結(jié)晶化即可，并未特別限定。
[0354]本變形例也是，通過200°C進(jìn)行熱處理I小時(shí)，形成作為IZO層113的下層的a—ITO層112的a— ITO轉(zhuǎn)化為P — ITO而形成的p — ITO層114。
[0355]本變形例中，之后，用干式蝕刻裝置，與圖1(f)所示的工序同樣地進(jìn)行灰化處理，由此使抗蝕劑圖案202R、202G的表面分解、去除從而消退。由此，如圖9(g)所示，使子像素7IR的抗蝕劑圖案202R薄膜化，另一方面，將子像素7IG的抗蝕劑圖案202G完全去除。由此，使子像素71G的IZO層113的表面露出。
[0356]之后，以殘留于子像素71R的抗蝕劑圖案202R作為掩模，使用蝕刻液，對未被抗蝕劑圖案202R遮掩的IZO層113進(jìn)行濕式蝕刻。
[0357]其結(jié)果是，如圖9 (h)所示，與圖1 (h)同樣，子像素71G中，作為透明電極層121僅P — ITO層114殘留，得到具有由P — ITO層114構(gòu)成的透明電極層121及其下的反射電極層111的層疊結(jié)構(gòu)的第一電極21。
[0358]之后，如圖9(h)、(i)所示，與圖l(h)、(i)同樣，進(jìn)行濕式蝕刻和抗蝕劑圖案202R的去除，由此如圖9 (i)所示，能夠按不同顏色的每個(gè)子像素71R、71G、71B改變透明電極層121的膜厚。
[0359]〈有機(jī)EL元件20的密封方法的變形例>
[0360]另外，本實(shí)施方式中，如上所述，以通過在有機(jī)EL元件20上形成含有干燥劑的具有粘接性的填充樹脂層42，將支承基板10和密封基板50貼合，并且進(jìn)行有機(jī)EL元件20的封入的情況為例進(jìn)行了說明。
[0361]但是，本實(shí)施方式并不限定于此。也可以替代在由支承基板10、密封基板50和密封樹脂層41包圍的空間中充填密封樹脂，采用在上述空間中封入惰性氣體的中空結(jié)構(gòu)。另夕卜，也可以在此基礎(chǔ)上具有在中空結(jié)構(gòu)內(nèi)涂敷或粘貼干燥劑的結(jié)構(gòu)。但是，在從密封基板50側(cè)射出光的情況下，需要不被干燥劑遮光。
[0362]另外，本實(shí)施方式中，以具有在支承基板10上依次設(shè)置有有機(jī)EL元件20和密封樹脂層41、填充樹脂層42、密封基板50的結(jié)構(gòu)的情況進(jìn)行了說明。但是，本實(shí)施方式并不限定于此。
[0363]例如，為了進(jìn)一步提高有機(jī)EL元件20的密封性能，也可以在有機(jī)EL元件20上層疊未圖示的無機(jī)膜、有機(jī)和無機(jī)的混合層疊膜等。
[0364]而且，如果僅用無機(jī)膜、有機(jī)和無機(jī)的混合層疊膜等就能夠使有機(jī)EL元件20的密封性能充分，則也可以省略密封樹脂層41和密封基板50、填充樹脂層42。
[0365]另外，本實(shí)施方式中，以隔著形成為框狀的密封樹脂層41，將支承基板10和密封基板50貼合，由此進(jìn)行有機(jī)EL元件20的密封的情況為例進(jìn)行了說明。
[0366]但是，有機(jī)EL元件20的密封方法并不限定于此，也可以例如框狀地形成燒結(jié)玻璃(粉末玻璃)替代密封樹脂，進(jìn)行有機(jī)EL元件20的密封。
[0367]<像素結(jié)構(gòu)的變形例>
[0368]另外，在本實(shí)施方式中，以I個(gè)像素70由R、G、B三色的子像素71R、71G、71B構(gòu)成的情況為例進(jìn)行說明。但是，本實(shí)施方式并不限定于此。I個(gè)像素70也可以由青色(C)、品紅色(M)、黃色⑴等R、G、B以外的三色子像素71構(gòu)成。
[0369]另外，本實(shí)施方式中，如上所述，列舉在各子像素71形成了 TFT12的有源矩陣型的有機(jī)EL顯示裝置100的例子。但是，本實(shí)施方式并不限定于此，只要不影響有機(jī)EL元件20的驅(qū)動(dòng)方式，未形成TFT的無源矩陣型的有機(jī)EL顯示裝置的制造也能夠應(yīng)用本發(fā)明。
[0370]<有機(jī)EL層43的制作方法的變形例>
[0371]另外，在本實(shí)施方式中，以通過真空蒸鍍法制作有機(jī)EL層43的情況為例進(jìn)行說明。但是，有機(jī)EL層43的制作方法并不限定于此，白不必說也能夠適當(dāng)選擇噴墨法、激光轉(zhuǎn)印法等現(xiàn)有公知的有機(jī)膜的成膜方法。[0372]〈顯示裝置的變形例〉
[0373]另外，本實(shí)施方式中，作為本實(shí)施方式中制造的顯示裝置，以發(fā)光元件使用有機(jī)EL元件的顯示裝置為例進(jìn)行了說明。但是，本實(shí)施方式并不限定于此，也能夠廣泛適用于例如使用了無機(jī)EL元件那樣的能夠構(gòu)成為微小諧振器的發(fā)光元件的顯示裝置。
[0374][實(shí)施方式2]
[0375]主要基于圖10(a)?(i)對本實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。
[0376]另外，在本實(shí)施方式中，主要對與實(shí)施方式I的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，對具有與在上述實(shí)施方式I中說明過的構(gòu)成要素相同的功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的編號，省略其說明。
[0377]本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置100的結(jié)構(gòu)，與實(shí)施方式I相同。本實(shí)施方式中，步驟S2所示的第一電極21的制作方法與實(shí)施方式I不同。于是，本實(shí)施方式中，對步驟S2所示的第一電極21的其他制作方法進(jìn)行說明。
[0378]<第一電極21的制作方法>
[0379]圖10(a)?(i)是按工序順序表示步驟S2所示的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置100的第一電極21的制作方法的一例的剖視圖。
[0380]本實(shí)施方式中，首先，在圖5所示的形成了層間絕緣膜13和接觸孔13a的支承基板10上，如圖10(a)所示，通過例如濺射等依次層疊由金屬材料等反射電極材料構(gòu)成的反射電極層111、作為透明電極層121的a— ITO層112 (第一透明樹脂層)和IZO層113 (第二透明樹脂層)。
[0381]本實(shí)施方式中也是，作為上述反射電極材料，能夠使用與實(shí)施方式I同樣的反射電極材料。另外，反射電極材料的厚度(即反射電極層111的厚度)也能夠與實(shí)施方式I同樣地設(shè)定。另外，在本實(shí)施方式中，作為反射電極層111，制作與實(shí)施方式I相同的電極厚度IOOnm的Ag電極。
[0382]另外，本實(shí)施方式中也與實(shí)施方式I同樣地，a — ITO層112和IZO層113的合計(jì)膜厚被設(shè)定為能夠得到光程最長的子像素71R的光程73R的膜厚。本實(shí)施方式中也與實(shí)施方式I相同，a — ITO層112的膜厚為45nm，IZO層113的膜厚為50nm。
[0383]接著，如圖10(b)所示，在上述IZO層113上按每個(gè)子像素71R、71G、71B，通過光刻形成每個(gè)子像素71R、71G、71B厚度不同的抗蝕劑圖案211R、211G、211B (第一抗蝕劑圖案)。
[0384]本實(shí)施方式中，通過進(jìn)行三重曝光來改變各子像素71R、71G、71B的抗蝕劑圖案21 IR、211G、21IB的膜厚，使得各子像素7IR、71G、7IB的抗蝕劑圖案21 IR、211G、21IB的膜厚為子像素71R的抗蝕劑圖案211R>子像素71G的抗蝕劑圖案211G>子像素71B的抗蝕劑圖案 211B。
[0385]三重曝光中，首先，進(jìn)行光致抗蝕劑的第一曝光(全曝光)，使得例如在子像素71R、71G、71B分別形成抗蝕劑圖案211R、211G、211B。之后，以構(gòu)成子像素71G的抗蝕劑圖案21IG的光致抗蝕劑不完全曝光的曝光量，對子像素71G的光致抗蝕劑進(jìn)行第二曝光(半曝光)。另外，以構(gòu)成子像素71B的抗蝕劑圖案211B的光致抗蝕劑不完全曝光的曝光量(其中，第三曝光的曝光量 > 第二曝光的曝光量)，對子像素71B的光致抗蝕劑進(jìn)行第三曝光(半曝光)。
[0386]由此，在顯影后減少子像素71G、71B的抗蝕劑圖案211G、211B的膜厚，如上所述，抗蝕劑圖案21 IR、211G、21IB的膜厚按照抗蝕劑圖案21 IR〉抗蝕劑圖案211G>抗蝕劑圖案21IB的順序變小。
[0387]本實(shí)施方式中，第一曝光?第二曝光分別使用步進(jìn)曝光機(jī)，第一曝光的曝光量為70mJ / cm2，第二曝光的曝光量為20mJ / cm2，第三曝光量為40mJ / cm2，由此在子像素71R形成膜厚2.4μ m的抗蝕劑圖案21 IR，在子像素7IG形成膜厚1.6 μ m的抗蝕劑圖案211G，在子像素7IB形成膜厚0.8 μ m的抗蝕劑圖案211B。
[0388]另外，雖然在本實(shí)施方式中，通過三重曝光按每個(gè)子像素71R、71G、71B改變光致抗蝕劑的曝光量，但也可以使用半色調(diào)掩模按每個(gè)子像素71R、71G、71B改變曝光量。
[0389]另外，也可以在第一曝光(全曝光)后，以構(gòu)成子像素71G、71B的抗蝕劑圖案211G、211B的光致抗蝕劑不完全曝光的曝光量，對子像素71G、71B的光致抗蝕劑進(jìn)行第二曝光(半曝光)，之后以構(gòu)成子像素71B的抗蝕劑圖案211B的光致抗蝕劑不完全曝光的曝光量僅對子像素71B的光致抗蝕劑進(jìn)一步進(jìn)行第三曝光(半曝光)。
[0390]之后，以各抗蝕劑圖案211R、211G、211B作為掩模，使用蝕刻液統(tǒng)一對未被抗蝕劑圖案211R、211G、211B遮掩的反射電極層111、a— ITO層112和IZO層113進(jìn)行濕式蝕刻，使得各子像素7IR、71G、7IB的第一電極21分離。
[0391]另外，作為上述蝕刻液，能夠采用例如磷酸、硝酸、醋酸的混合液和氯化亞鐵等蝕刻液作為蝕刻液。
[0392]由此,如圖10(c)所示，按每個(gè)子像素71R、71G、71B將包括上述反射電極層111、a — ITO層112和IZO層113的透明電極層121圖案化。
[0393]接著，用與實(shí)施方式I同樣的干式蝕刻裝置進(jìn)行灰化處理，將抗蝕劑圖案211R、211G、211B的表面分解、去除使之消退，由此如圖10(d)所示，使子像素71R、71G的抗蝕劑圖案211R、211G薄膜化，另一方面，將子像素71B的抗蝕劑圖案211B完全去除。由此，使子像素71B的IZO層113的表面露出。
[0394]之后，以殘留的抗蝕劑圖案211R、211G作為掩模，使用蝕刻液統(tǒng)一對未被抗蝕劑圖案211R、211G遮掩的子像素71B的a— ITO層112和IZO層113進(jìn)行濕式蝕刻。
[0395]作為上述蝕刻液，能夠使用草酸等。
[0396]另外，此時(shí)，作為反射電極層111的Ag沒有被蝕刻，或者蝕刻速度顯著地慢。因此，如圖10(e)所示，在子像素71G僅殘留反射電極層111。
[0397]接著，與圖10(d)同樣地，用干式蝕刻裝置再次進(jìn)行灰化處理將抗蝕劑圖案202R、202G的表面分解、去除使之消退，由此如圖10(f)所示，使子像素71R的抗蝕劑圖案211R薄膜化，另一方面，將子像素7IG的抗蝕劑圖案21IG完全去除。由此，使子像素7IG的IZO層113的表面露出。
[0398]之后，通過對上述支承基板10進(jìn)行熱處理，如圖1(g)所示，使a — ITO層112結(jié)晶化。
[0399]另外，圖10(f)?⑴所示的工序，與圖1(f)?⑴所示的工序相同。因此，本實(shí)施方式中，省略對圖10(f)?(i)所示的工序的說明和詳情。
[0400]<變形例>
[0401]另外，本實(shí)施方式中也可以在圖10 (i)所示的工序中，與圖l(i)所示的工序相同地，并用利用抗蝕劑剝離液的濕式處理?；蛘撸部梢詢H用利用抗蝕劑剝離液的濕式處理去除殘留于子像素71R的抗蝕劑圖案211R。[0402]另外，本實(shí)施方式中，圖10(f)和圖10(g)所示的工序，如圖9(f)和圖9(g)說明的那樣，與圖1(f)和圖1(g)所示的工序同樣地，能夠互相替換工序順序。
[0403]< 效果 >
[0404]經(jīng)過以上的處理，本實(shí)施方式中也如圖10(i)所示，能夠按不同顏色的每個(gè)子像素71R、71G、71B任意地改變透明電極層121的膜厚。
[0405]另外，本實(shí)施方式中，如上所述在反射電極層111上依次層疊了 a — ITO層112和IZO層113之后，使用每個(gè)子像素膜厚不同的抗蝕劑圖案21 IR、211G、211B，統(tǒng)一對反射電極層111、a—ITO層112和IZO層113進(jìn)行蝕刻，由此包括反射電極層111的圖案化在內(nèi)，僅用I次光刻就能夠按每個(gè)子像素71R、71G、71B形成厚度不同的第一電極21。
[0406]因此，能夠進(jìn)一步縮短處理工時(shí)，并且與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠?qū)崿F(xiàn)成本和占用面積的降低。
[0407][實(shí)施方式3]
[0408]主要基于圖11(a)?⑴對本實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。
[0409]另外，在本實(shí)施方式中，主要對與實(shí)施方式I的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，對具有與在上述實(shí)施方式I中說明過的構(gòu)成要素相同的功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的編號，省略其說明。
[0410]本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置100，除了第一電極21的層疊結(jié)構(gòu)和步驟S2所示的第一電極21的制作方法與實(shí)施方式I不同以外，與實(shí)施方式I相同。于是，本實(shí)施方式中，對步驟S2所示的第一電極21的其他制作方法和層疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0411]<第一電極21的制作方法>
[0412]圖11(a)?(i)是按工序順序表示步驟S2所示的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置100的第一電極21的制作方法的一例的剖視圖。
[0413]圖11(a)?(C)所示的工序，除了使用與實(shí)施方式I不同的反射電極材料這一點(diǎn)以外，與圖1(a)?(C)所示的工序相同。因此，本實(shí)施方式中，對圖11(a)?(C)所示的工序，省略說明。
[0414]本實(shí)施方式中，作為反射電極層111所用的反射電極材料，使用Al(鋁)或Al合金，替代Ag(銀)或Ag合金。另外，作為反射電極層111，也可以使用表面具有Al層的層疊電極。作為表面具有Al層的層疊電極，可以列舉例如Al和Mo(鑰)的層疊體，或者Al和Ti(欽)的層置體等。
[0415]在這種情況下，反射電極層111的厚度被設(shè)定為例如100?300nm。在本實(shí)施方式中，作為反射電極層111，制作電極厚度IOOnm的Al電極。
[0416]另外，本實(shí)施方式中，反射電極層111的蝕刻也與實(shí)施方式I同樣，采用使用例如磷酸、硝酸、醋酸的混合液和氯化亞鐵等蝕刻液作為蝕刻液的濕式蝕刻。
[0417]另外，本實(shí)施方式中也與實(shí)施方式I同樣地，a — ITO層112 (第一透明樹脂層)和IZO層113 (第二透明樹脂層)的合計(jì)膜厚被設(shè)定為能夠得到光程最長的子像素71R的光程73R的膜厚。本實(shí)施方式中也與實(shí)施方式I相同，a — ITO層112的膜厚為45nm，IZO層113的膜厚為50nm。
[0418]本實(shí)施方式中，在圖11(c)所示的工序之后，如圖11(d)所示，與實(shí)施方式I同樣進(jìn)行二重曝光，由此在子像素71R和子像素71G通過光刻形成在子像素71R和子像素71G中厚度不同的抗蝕劑圖案202R、202G (第一抗蝕劑圖案)。[0419]另外，此時(shí)的二重曝光的條件，設(shè)定為與實(shí)施方式I相同的條件。由此，本實(shí)施方式中，與實(shí)施方式I同樣，在子像素71R形成膜厚1.6μπι的抗蝕劑圖案202R，在子像素71G形成膜厚0.8 μ m的抗蝕劑圖案202 (G。
[0420]但是，本實(shí)施方式中，如圖11(d)所示，抗蝕劑圖案202R、202G，以俯視時(shí)覆蓋反射電極層111的圖案端部的方式形成得比子像素71R、71G的各反射電極層111的圖案寬。
[0421]另外，本實(shí)施方式中，將俯視時(shí)的抗蝕劑圖案202R、202G從各反射電極層111的圖案端部伸出的伸出量分別設(shè)定為5 μ m。
[0422]另外，在本實(shí)施方式中，通過二重曝光來改變子像素71R和子像素71G中光致抗蝕劑的曝光量，但白不必說也可以與實(shí)施方式I同樣使用半色調(diào)掩模來改變子像素71R和子像素7IG的曝光量。
[0423]接著，如圖11(e)所示，本實(shí)施方式中以抗蝕劑圖案202R、202G作為掩模，使用蝕刻液，統(tǒng)一對未被抗蝕劑圖案202R、202G遮掩的a— ITO層112和IZO層113 ( S卩，子像素71R、71G以外的a — ITO層112和IZO層113)進(jìn)行濕式蝕刻。
[0424]另外，作為上述蝕刻液，與實(shí)施方式I同樣能夠使用草酸等。
[0425]由此，如圖11(e)所示，按每個(gè)子像素71R、71G對包括上述a — ITO層112和IZO層113的透明電極層121進(jìn)行圖案化。
[0426]另外，此時(shí)，與Ag同樣，作為反射電極層111的Al沒有被蝕刻，或者蝕刻速度顯著地慢。因此，如圖11(e)所示，在子像素71G僅殘留反射電極層111。
[0427]另外，本實(shí)施方式中，如圖11(d)所示，抗蝕劑圖案202R、202G，以俯視時(shí)覆蓋反射電極層111的圖案端部的方式形成得比子像素71R、71G的各反射電極層111的圖案寬。
[0428]因此，本實(shí)施方式中，通過上述蝕刻，被抗蝕劑圖案202R、202G覆蓋的、反射電極層111的周圍的透明電極層121 (圖11(d)所示的例子中，至少為a — ITO層112)不被蝕刻去除，而以覆蓋反射電極層111的方式殘留。
[0429]因此，本實(shí)施方式中，反射電極層111和a— ITO層112的接觸部不露出。在反射電極材料使用Al或未被賦予電蝕耐性的Al合金的情況下，當(dāng)上述接觸部露出時(shí)，在清洗時(shí)和邊緣罩15的顯影時(shí)等，發(fā)生Al與ITO的電蝕反應(yīng)，有可能損傷Al和ΙΤ0。
[0430]但是，根據(jù)本實(shí)施方式，如上所述在反射電極材料使用Al或未被賦予電蝕耐性的Al合金的情況下，也不會發(fā)生這種問題。
[0431]接著，如圖10(f)所示，與圖1(f)同樣地進(jìn)行灰化處理，使子像素71R的抗蝕劑圖案202R薄膜化，另一方面，將子像素7IG的抗蝕劑圖案202G完全去除。
[0432]另外，圖11的(f)?⑴所示的工序，與圖1(f)?⑴所示的工序相同，除了反射電極層111未被P — ITO層114覆蓋以外，第一電極21的制作過程和最終得到的第一電極21的層疊結(jié)構(gòu),與實(shí)施方式I相同。
[0433]因此，本實(shí)施方式中，對圖11(f)?⑴所示的工序，省略說明。其中，白不必說本實(shí)施方式也能夠進(jìn)行與實(shí)施方式I同樣的變形。
[0434]< 效果 >
[0435]如上所述，本實(shí)施方式中也如圖11 (i)所示，僅用I次光刻就能夠按不同顏色的每個(gè)子像素71R、71G、71B任意地改變透明電極層121的膜厚。另外，本實(shí)施方式中也是，包括反射電極層111的圖案化在內(nèi)，用2次光刻就能夠按每個(gè)子像素71形成厚度不同的第一電極21。
[0436]另外，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠不會產(chǎn)生因電蝕反應(yīng)導(dǎo)致的Al或ITO的損傷地，在反射電極層111形成使用了 Al或未被賦予電蝕耐性的Al合金的第一電極21。
[0437]<變形例>
[0438]另外，本實(shí)施方式中，如上所述以反射電極層111包括由Al或Al合金構(gòu)成的層的情況為例進(jìn)行了說明，但作為反射電極層111所用的反射電極材料，白不必說也可以使用與實(shí)施方式I中例示的反射電極材料同樣的反射電極材料。
[0439][實(shí)施方式4]
[0440]主要基于圖12(a)?(i)對本實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。
[0441]另外，在本實(shí)施方式中，主要對與實(shí)施方式1、3的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，對具有與在上述實(shí)施方式I中說明過的構(gòu)成要素相同的功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的編號，省略其說明。
[0442]本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置100，除了第一電極21的層疊結(jié)構(gòu)和步驟S2所示的第一電極21的制作方法與實(shí)施方式I不同以外，與實(shí)施方式I相同。于是，本實(shí)施方式中，對步驟S2所示的第一電極21的其他制作方法和層疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0443]<第一電極21的制作方法>
[0444]圖12(a)?(i)是按工序順序表示步驟S2所示的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置100的第一電極21的制作方法的一例的剖視圖。
[0445]圖12(a)、(b)所示的工序，與實(shí)施方式3的圖ll(a)、(b)所示的工序相同。因此，對圖12(a)、(b)所不的工序，省略說明。
[0446]本實(shí)施方式中，也與實(shí)施方式3同樣,使用Al作為反射電極層111所用的反射電極材料。另外，在本實(shí)施方式中，作為反射電極層111，制作與實(shí)施方式3相同的電極厚度IOOnm的Al電極。
[0447]另外，反射電極層111的蝕刻使用與實(shí)施方式3同樣的濕式蝕刻。
[0448]接著，如圖12(c)所示，以覆蓋反射電極層111的方式，通過例如濺射依次層疊作為透明電極層121的IZO層113 (第三透明電極層)、a— ITO層112 (第一透明電極層)和IZO層115 (第二透明電極層)。
[0449]此時(shí)，這些IZO層113、a — ITO層112、IZO層115的合計(jì)膜厚被設(shè)定為能夠得到光程最長的子像素71R的光程73R的膜厚。
[0450]另外，這種情況下也是，IZO層113的膜厚設(shè)定為例如20?30nm，a—ITO層112的膜厚設(shè)定為例如15?25nm。另外，IZO層115的膜厚例如設(shè)定為45?55nm。
[0451]本實(shí)施方式中，IZO層113的膜厚為25nm，a — ITO層112的膜厚為25nm，IZO層115的膜厚為50nm。
[0452]接著，如圖12(d)所示，與實(shí)施例1同樣進(jìn)行二重曝光，由此通過光刻在子像素71R和子像素71G形成子像素71R和子像素71G中厚度不同的抗蝕劑圖案202R、202G(第一抗蝕劑圖案)。
[0453]另外，本實(shí)施方式中也是，此時(shí)的二重曝光的條件，設(shè)定為與實(shí)施方式I相同的條件。由此，本實(shí)施方式中也與實(shí)施方式I同樣，在子像素71R形成膜厚1.6 μ m的抗蝕劑圖案202R，在子像素7IG形成膜厚0.8 μ m的抗蝕劑圖案202G。
[0454]其中，白不必說在本實(shí)施方式中也是，可以使用半色調(diào)掩模來改變子像素71R和子像素71G的曝光量，替代通過二重曝光來改變子像素71R和子像素71G中的光致抗蝕劑的曝光量。
[0455]接著，如圖12(e)所示，以抗蝕劑圖案202R、202G作為掩模，使用蝕刻液，統(tǒng)一對未被抗蝕劑圖案202R、202G遮掩的IZO層113、a—ITO層112和IZO層115 ( S卩，子像素71R、71G以外的IZO層113、a— ITO層112和IZO層115)進(jìn)行濕式蝕刻。
[0456]另外，作為上述蝕刻液，與實(shí)施方式I同樣能夠使用草酸等。
[0457]由此，如圖12(e)所示，按每個(gè)子像素71R、71G、71B將包括上述IZO層113、a— ITO層112和IZO層115的透明電極層121圖案化。
[0458]另外，此時(shí)，作為反射電極層111的Al沒有被蝕刻，或者蝕刻速度顯著地慢。因此，如圖12(e)所示，在子像素71G僅殘留反射電極層111。
[0459]接著，如圖12(f)所示，與圖1(f)同樣進(jìn)行灰化處理，使子像素71R的抗蝕劑圖案202R薄膜化，另一方面，將子像素7IG的抗蝕劑圖案202G完全去除。由此，使子像素7IG的IZO層115的表面露出。
[0460]之后，如圖12(g)所示，與圖1(g)同樣地對支承基板10進(jìn)行熱處理，由此使a—ITO層112結(jié)晶化。由此，本實(shí)施方式中a — ITO也轉(zhuǎn)化為P — ΙΤ0。其結(jié)果是，如圖12(g)所示，子像素71R、71G中，IZO層115的下層的a — ITO層112轉(zhuǎn)化為P — ITO層114。
[0461]之后，以殘留于子像素71R的抗蝕劑圖案202R作為掩模，使用蝕刻液，對未被抗蝕劑圖案202R遮掩的IZO層115進(jìn)行濕式蝕刻。
[0462]作為此時(shí)的蝕刻液，能夠使用草酸等，在圖12(e)所示的工序中，能夠使用與IZO層113、a— ITO層112和IZO層115的蝕刻所使用的蝕刻液同樣的蝕刻液。
[0463]此時(shí)，作為p—ITO層114的ρ—ΙΤ0，沒有被上述蝕刻液(草酸)蝕刻，或者蝕刻速度顯著地慢。
[0464]另外，如上所述，作為反射電極層111的Al沒有被蝕刻，或者蝕刻速度顯著地慢。
[0465]因此，上述蝕刻工序中，僅作為子像素71G的IZO層115使用的IZO被蝕刻。
[0466]其結(jié)果是，如圖12(h)所示，子像素71G中，作為透明電極層121僅p—ITO層114和其下的IZO層113殘留，得到具有由P— ITO層114和IZO層113構(gòu)成的透明電極層121及其下的反射電極層111的層疊結(jié)構(gòu)的第一電極21。
[0467]另外，子像素71Β中，得到由反射電極層111構(gòu)成的第一電極21。
[0468]之后，如圖12(i)所示，進(jìn)行灰化處理直到殘留于子像素71R的抗蝕劑圖案202R被完全去除為止，使子像素71R的IZO層115的表面露出。由此，子像素71R中，得到具有從上層側(cè)起依次層疊了 IZO層115、a— ITO層112和IZO層113的透明電極層121及其下的反射電極層111的層疊結(jié)構(gòu)的第一電極21。
[0469]另外，上述灰化處理能夠使用與圖1(f)和圖12(f)所示的工序同樣的灰化處理以及干式蝕刻裝置。
[0470]< 效果 >
[0471]經(jīng)過以上的處理，在本實(shí)施方式中也如圖12(i)所示，能夠按不同顏色的每個(gè)子像素71R、71G、71B改變透明電極層121的膜厚。
[0472]另外，根據(jù)本實(shí)施方式，在作為反射電極層111的Al與ITO層之間隔著IZO層，所以Al與ITO層不直接接觸，能夠抑制電蝕反應(yīng)的發(fā)生。[0473]<變形例>
[0474]另外，本實(shí)施方式中也可以在圖12 (i)所示的工序中，與圖l(i)所示的工序相同地，并用利用抗蝕劑剝離液的濕式處理。或者，也可以僅通過利用抗蝕劑剝離液的濕式處理來去除殘留于子像素7IR的抗蝕劑圖案202R。
[0475]另外，本實(shí)施方式中，圖12(f)和圖12(g)所示的工序，如用圖9(f)和圖9(g)說明的那樣，與圖1(f)和圖1(g)所示的工序同樣地，能夠互相替換工序順序。
[0476]另外，本實(shí)施方式中，如上所述，除了反射電極材料的種類不同、以及透明電極層的層疊數(shù)為3層以外，利用與實(shí)施方式I同樣的方法改變透明電極層121的膜厚，但也可以用實(shí)施方式2的方法(順序)改變透明電極層121的膜厚。
[0477]另外，本實(shí)施方式中，上述抗蝕劑圖案202R、202G也與實(shí)施方式3同樣，俯視時(shí)與上述圖案化后的反射電極層111重疊，且形成為俯視時(shí)比上述圖案化后的反射電極層111大。由此，能夠得到與實(shí)施方式3同樣的效果。
[0478]另外，本實(shí)施方式中，如上所述以反射電極層111包括由Al構(gòu)成的層的情況為例進(jìn)行了說明，但作為反射電極層111所用的反射電極材料，白不必說也可以使用與實(shí)施方式1、3中例示的反射電極材料同樣的反射電極材料。
[0479][實(shí)施方式5]
[0480]主要基于圖13(a)?(j)對本實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。
[0481]另外，在本實(shí)施方式中，主要對與實(shí)施方式I的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，對具有與在上述實(shí)施方式I中說明過的構(gòu)成要素相同的功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的編號，省略其說明。
[0482]本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置100，除了第一電極21的層疊結(jié)構(gòu)和步驟S2所示的第一電極21的制作方法與實(shí)施方式I不同以外，與實(shí)施方式I相同。于是，本實(shí)施方式中，對步驟S2所示的第一電極21的其他制作方法和層疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0483]<第一電極21的制作方法>
[0484]圖13(a)?(j)是按工序順序表示步驟S2所示的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置100的第一電極21的制作方法的一例的剖視圖。
[0485]本實(shí)施方式中，首先，在圖5所示的形成有層間絕緣膜13和接觸孔13a的支承基板10上，如圖13(a)所示，通過例如濺射依次層疊由金屬材料等反射電極材料構(gòu)成的反射電極層111和a — ITO層116 (第四透明電極層)。
[0486]接著，在上述a — ITO層116上按每個(gè)子像素71R、71G、71B，通過光刻形成抗蝕劑圖案201R、201G、201B(第二抗蝕劑圖案)。之后，以各抗蝕劑圖案201R、201G、201B作為掩模對上述反射電極層111和a — ITO層116進(jìn)行蝕刻之后，利用抗蝕劑剝離液將這些抗蝕劑圖案201R、201G、201B剝離洗凈。
[0487]另外，上述蝕刻能夠采用使用了與圖1(b)所示的工序中使用的蝕刻液相同的蝕刻液的濕式蝕刻。另外，作為抗蝕劑剝離液，能夠使用與圖1(b)所示的工序中使用的抗蝕劑剝離液相同的抗蝕劑剝離液。
[0488]由此，如圖13(b)所示，將反射電極層111和a— ITO層116圖案化，使得反射電極層111和a— ITO層116按各色的每個(gè)子像素71R、71G、71B分離的方式。即，按各色的每個(gè)子像素71R、71G、71B形成圖案化后的反射電極層111和a— ITO層116。
[0489]本實(shí)施方式中也是，作為上述反射電極材料，能夠使用與實(shí)施方式I同樣的反射電極材料。另外，上述反射電極層111的厚度也能夠與實(shí)施方式I同樣地設(shè)定。另外，在本實(shí)施方式中，作為反射電極層111，制作與實(shí)施方式I相同的電極厚度IOOnm的Ag電極。
[0490]另外，a — ITO層116的膜厚例如設(shè)定為15?25nm。本實(shí)施方式中，a— ITO層116的膜厚為20nm。
[0491]之后，通過對上述支承基板10進(jìn)行熱處理，如圖13(c)所示，使a — ITO層116結(jié)晶化。
[0492]另外，此時(shí)的熱處理的處理溫度以及處理時(shí)間，只要適當(dāng)設(shè)定成能夠使a — ITO層116結(jié)晶化即可，并未特別限定。
[0493]本實(shí)施方式中，在200°C進(jìn)行熱處理I小時(shí)。由此，各子像素71R、71G、71B的a—ITO層116轉(zhuǎn)化為P — ITO層117 (第四透明電極層)。
[0494]接著，如圖13(d)所示，在形成有圖案化后的上述反射電極層111和P— ITO層117的支承基板10上，以覆蓋上述反射電極層111和P — ITO層117的方式，通過例如濺射依次層疊作為透明電極的a — ITO層112 (第一透明電極層)和IZO層113 (第二透明電極層)。
[0495]此時(shí)，這些p—ITO層117、a— ITO層112和IZO層113的合計(jì)膜厚被設(shè)定為能夠得到光程最長的子像素71R的光程73R的膜厚。
[0496]本實(shí)施方式中，ρ — ITO層117的膜厚為20nm，a — ITO層112的膜厚為45nm，IZO層113的膜厚為50nm。但是,與實(shí)施方式I相比，第一電極21的反射電極層111與第二電極31之間的光程73R、73G、73B變長ρ — ITO層117的量。因此，本實(shí)施方式中，為了調(diào)整這些光程73R、73G、73B，令空穴輸送層23的膜厚(NPB的膜厚)為10nm。
[0497]圖13(d)?(j)所示的工序，除了在反射電極層111上層疊有P—ITO層117以夕卜，與圖1(c)?(i)所示的工序相同。
[0498]如實(shí)施方式I?4所示，反射電極層111同樣，p—ITO在對a — ITO層112和IZO層113進(jìn)行蝕刻時(shí)沒有被蝕刻，或者蝕刻速度顯著地慢。
[0499]因此，圖1(c)?⑴所示的工序中，能夠?qū)ⅰ胺瓷潆姌O層111”或“作為反射電極層的Ag”替換讀作“反射電極層111和在反射電極層111上層疊的作為透明電極層121的P-1TOjs 117”。
[0500]另外，本實(shí)施方式中，也可以在圖13(j)所示的工序中，與圖l(i)所示的工序相同地，并用利用抗蝕劑剝離液的濕式處理?；蛘撸部梢詢H通過利用抗蝕劑剝離液的濕式處理來去除殘留于子像素71R的抗蝕劑圖案202R(第一抗蝕劑圖案)。
[0501]〈變形例〉
[0502]另外，本實(shí)施方式中，圖13(g)和圖13(h)所示的工序，如用圖9(f)和圖9(g)說明的那樣，與圖1(f)和圖1(g)所示的工序同樣地，能夠互相替換工序順序。
[0503]< 效果 >
[0504]經(jīng)過以上的處理，本實(shí)施方式中也如圖13(j)所示，能夠按不同顏色的每個(gè)子像素71R、71G、71B改變透明電極層121的膜厚。
[0505]根據(jù)本實(shí)施方式，相對于實(shí)施方式1，能夠不增加光刻的整體次數(shù)地使子像素71R、71G的透明電極層121的層疊數(shù)增加。即，根據(jù)本實(shí)施方式，包括反射電極層111的圖案化在內(nèi)，用2次光刻就能夠按每個(gè)子像素71形成厚度不同的第一電極21。
[0506]另外，透明電極層121的膜厚能夠通過改變各透明電極層的膜厚和層疊數(shù)中的至少一者來任意地調(diào)整、改變。
[0507]因此，例如根據(jù)本實(shí)施方式，通過分別調(diào)整ρ — ITO層117、ρ— ITO層114 (a — ITO層112)和IZO層113的厚度，能夠?qū)⒏髯酉袼?1R、71G、71B的光程73R、73G、73B的比率設(shè)定為與實(shí)施方式I相同的比率，也能夠設(shè)定為與實(shí)施方式I不同的比率。
[0508]因此，如果使用本實(shí)施方式的方法，則在各子像素的合適的光程的比率與RGB子像素的合適的光程的比率不同的發(fā)光色的子像素的組合中，也能夠?qū)崿F(xiàn)合適的光程的比率。
[0509]另外，當(dāng)然，在實(shí)施方式I中，也能夠通過分別調(diào)整和改變ρ — ITO層114和IZO層113的厚度，改變各子像素的合適的光程的比率。但是，能夠改變的參數(shù)越多設(shè)定的自由度變得越高，所以如上所述通過在改變各透明電極層的膜厚的基礎(chǔ)上改變層疊數(shù)，能夠更容易地進(jìn)行各子像素的光程的比率的改變。
[0510][實(shí)施方式6]
[0511]主要基于圖14(a)?(j)對本實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。
[0512]另外，在本實(shí)施方式中，主要對與實(shí)施方式1、3、5的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，對具有與在上述實(shí)施方式1、3、5中說明過的構(gòu)成要素相同的功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的編號，省略其說明。
[0513]本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置100，除了第一電極21的層疊結(jié)構(gòu)和步驟S2所示的第一電極21的制作方法與實(shí)施方式I不同以外，與實(shí)施方式I相同。于是，本實(shí)施方式中，對步驟S2所示的第一電極21的其他制作方法和層疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0514]<第一電極21的制作方法>
[0515]圖14(a)?(j)是按工序順序表示步驟S2所示的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置100的第一電極21的制作方法的一例的剖視圖。
[0516]本實(shí)施方式中，除了進(jìn)行圖14(a)?Ce)的工序替代實(shí)施方式3中的圖11(a)?(c)所示的工序以外，與實(shí)施方式3相同。
[0517]本實(shí)施方式中，圖14(a)?(C)所示的工序，除了在反射電極材料制作電極厚度IOOnm的Al電極作為反射電極層111以外，與實(shí)施方式5的圖13(a)?(c)所不的工序相同。
[0518]另外，圖14(d)?(j)所示的工序，除了在反射電極層111上層疊P—ITO層117(第四透明電極層)以外，與圖11(c)?⑴所示的工序相同。
[0519]因此，圖11(c)?⑴所示的工序中，能夠?qū)ⅰ胺瓷潆姌O層111”替換讀作“反射電極層111和在反射電極層111上層疊的作為透明電極層121的P— ITO層117”。
[0520]但是，本實(shí)施方式與實(shí)施方式3相比，第一電極21的反射電極層111與第二電極31之間的光程73R、73G、73B變長ρ — ITO層117的量。因此，本實(shí)施方式中，為了調(diào)整這些光程73R、73G、73B，與實(shí)施方式5同樣，令空穴輸送層23的膜厚(NPB的膜厚)為10nm。
[0521]另外，本實(shí)施方式中也可以圖14(j)所示的工序中，與圖1 (i)所示的工序相同地，并用利用抗蝕劑剝離液的濕式處理?；蛘?，也可以僅用利用抗蝕劑剝離液的濕式處理去除殘留于子像素7IR的抗蝕劑圖案202R。
[0522]另外，本實(shí)施方式中，圖14(g)和圖14(h)所示的工序，如用圖9(f)和圖9(g)說明的那樣，與圖1(f)和圖1(g)所示的工序同樣地，能夠互相替換工序順序。[0523]經(jīng)過以上的處理，本實(shí)施方式中也如圖14(j)所示，能夠按不同顏色的每個(gè)子像素71R、71G、71B改變透明電極層121的膜厚。
[0524]<變形例>
[0525]另外，本實(shí)施方式中，以形成Al電極作為反射電極層111的情況為例進(jìn)行了說明，但作為反射電極層111所用的反射電極材料，白不必說也可以使用與實(shí)施方式1、3中例示的反射電極材料相同的反射電極材料。
[0526]根據(jù)本實(shí)施方式，相對于實(shí)施方式3，能夠不增加光刻的整體次數(shù)地使子像素71R、71G的透明電極層的層疊數(shù)增加。即，本實(shí)施方式中也是，包括反射電極層111的圖案化在內(nèi)，用2次光刻就能夠按每個(gè)子像素71形成厚度不同的第一電極21。
[0527]另外，根據(jù)本實(shí)施方式，如上所述圖14(d)?(j)所示的工序中，通過進(jìn)行與實(shí)施方式3同樣的工序,與實(shí)施方式3同樣,能夠以覆蓋包含反射電極層111的側(cè)面在內(nèi)的反射電極層111整體的方式形成由P — ITO構(gòu)成的透明電極層。
[0528][實(shí)施方式7]
[0529]主要基于圖15(a)?(j)對本實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。
[0530]另外，在本實(shí)施方式中，主要對與實(shí)施方式1、4、5的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，對具有與在上述實(shí)施方式1、4、5中說明過的構(gòu)成要素相同的功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的編號，省略其說明。
[0531]本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置100，除了第一電極21的層疊結(jié)構(gòu)和步驟S2所示的第一電極21的制作方法與實(shí)施方式I不同以外，與實(shí)施方式I相同。于是，本實(shí)施方式中，對步驟S2所示的第一電極21的其他制作方法和層疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0532]<第一電極21的制作方法>
[0533]圖15(a)?(j)是按工序順序表示步驟S2所示的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置100的第一電極21的制作方法的一例的剖視圖。
[0534]本實(shí)施方式中，除了進(jìn)行圖15(a)?(C)的工序替代實(shí)施方式4中的圖12(a)?(c)所示的工序以外，與實(shí)施方式4相同。
[0535]本實(shí)施方式中，圖15(a)?(C)所示的工序，除了制作電極厚度IOOnm的Al電極作為反射電極層111以外，與實(shí)施方式5的圖13(a)?(C)所示的工序相同。
[0536]另夕卜，圖15(d)?(j)所示的工序，除了在反射電極層111上層疊P—ITO層117(第四透明電極層)以外，與圖12(c)?⑴所示的工序相同。
[0537]因此，圖12(c)?⑴所示的工序中，能夠?qū)ⅰ胺瓷潆姌O層111”替換讀作“反射電極層111和在反射電極層111上層疊的作為透明電極層121的ρ— ITO層117”。
[0538]但是，本實(shí)施方式與實(shí)施方式4相比，第一電極21的反射電極層111與第二電極31之間的光程73R、73G、73B變長ρ — ITO層117的量。因此，本實(shí)施方式中，為了調(diào)整這些光程73R、73G、73B，與實(shí)施方式5、6同樣，令空穴輸送層23的膜厚(NPB的膜厚)為10nm。
[0539]<變形例>
[0540]另外，本實(shí)施方式中也可以在圖15 (j)所示的工序中，與圖l(i)所示的工序相同地，并用利用抗蝕劑剝離液的濕式處理。或者，也可以僅用利用抗蝕劑剝離液的濕式處理去除殘留于子像素7IR的抗蝕劑圖案202R。
[0541]另外，本實(shí)施方式中，圖15(g)和圖15(h)所示的工序，如用圖9(f)和圖9(g)說明的那樣，與圖1(f)和圖1(g)所示的工序同樣地，能夠互相替換工序順序。
[0542]經(jīng)過以上的處理，本實(shí)施方式中也如圖15(j)所示，能夠按不同顏色的每個(gè)子像素71R、71G、71B改變透明電極層121的膜厚。
[0543]另外，本實(shí)施方式中，以形成Al電極作為反射電極層111的情況為例進(jìn)行了說明，但作為反射電極層111所用的反射電極材料，白不必說與實(shí)施方式4同樣也可以使用實(shí)施方式1、3中例示的反射電極材料相同的反射電極材料。
[0544]根據(jù)本實(shí)施方式，相對于實(shí)施方式4，能夠不增加光刻的整體次數(shù)地使子像素71R、71G的透明電極層的層疊數(shù)增加。即，本實(shí)施方式中也是，包括反射電極層111的圖案化在內(nèi)，用2次光刻就能夠按每個(gè)子像素71形成厚度不同的第一電極21。
[0545]另外，本實(shí)施方式中，上述抗蝕劑圖案202R、202G也與實(shí)施方式3同樣，俯視時(shí)與上述圖案化后的反射電極層111重疊，且形成為俯視時(shí)比上述圖案化后的反射電極層111大。由此，能夠得到與實(shí)施方式3同樣的效果。
[0546]<實(shí)施方式5?7的變形例1>
[0547]另外，實(shí)施方式5?7中，如上所述以在反射電極層111上形成a—ITO層116之后，圖案化后轉(zhuǎn)化為P — ITO層117的情況為例進(jìn)行了說明。
[0548]Ρ—ΙΤ0不僅能夠通過對a — ITO進(jìn)行熱處理得到，也能夠直接通過成膜裝置形成P-1TO0但是，直接成膜P—ITO時(shí)，因成膜中的晶粒的成長而使膜的平坦性降低，或者容易產(chǎn)生晶體間的小孔(Pinhole)。如果膜的平坦性變低，則因第一電極21和第二電極31的短路容易使有機(jī)EL元件20損傷。另外，如果產(chǎn)生小孔，則從此處浸染蝕刻液或顯影液等，有可能損傷下層的膜。因此，優(yōu)選在反射電極層111上形成a — ITO層116之后，圖案化后轉(zhuǎn)化為 Ρ—ΙΤ0Μ 117。
[0549]<實(shí)施方式5?7的變形例2>
[0550]另外，圖13(a)?(C)、圖14(a)?(C)和圖15(a)?(C)中，如上所述以在反射電極層111上形成a — ITO層116之后，圖案化后轉(zhuǎn)化為ρ — ITO層117的情況為例進(jìn)行了說明。
[0551]但是，P — ITO層不僅能夠設(shè)置在反射電極層111上，也能夠設(shè)置在反射電極層111的下層。
[0552]在這種情況下，圖13 (a)、圖14(a)和圖15(a)所示的工序中，在形成反射電極層111之前形成a — ITO層110后，在圖13(b)、圖14(b)和圖15(b)所示的工序中統(tǒng)一對a—ITO層110、反射電極層111和a— ITO層116進(jìn)行濕式蝕刻即可。
[0553]圖13 (C)、圖14(c)和圖15(c)所示的工序中，通過對支承基板10進(jìn)行熱處理，不僅a— ITO層116結(jié)晶化而且反射電極層111的下層的a — ITO層也結(jié)晶化。由此，不僅在反射電極層111的上層，而且在反射電極層111的下層也形成P — ITO層。
[0554]像這樣，依次形成a — ITO層、反射電極層lll、a— ITO層112并圖案化后，進(jìn)行熱處理，由此能夠形成由P — ITO層夾持的反射電極層111或由P — ITO層包圍(B卩、密封)的反射電極層111。
[0555]另外，像這樣形成于反射電極層111的下層或上層的P — ITO層，在a — ITO層的成膜工序中，在源極線等信號線14的端子部上也形成a — ITO層，由此能夠作為覆蓋源極線等信號線14的端子部的保護(hù)膜使用。[0556]另外，關(guān)于在反射電極層111上層疊的其他透明電極層，通過在源極線等信號線14的端子部上層疊這些透明電極層，能夠作為覆蓋信號線14的端子部的保護(hù)膜使用。
[0557]在反射電極層111或信號線14的端子部由Ag形成的情況下，當(dāng)處于Ag剝出的狀態(tài)(即露出狀態(tài))時(shí)，為了提高例如抗蝕劑的潤濕性對支承基板10照射紫外線時(shí)，剝出的Ag氧化而成為氧化銀。
[0558]因此，在反射電極層111或信號線14的端子部由Ag形成的情況下，進(jìn)行紫外線照射的情況下，照射紫外線時(shí)不希望Ag處于剝出的狀態(tài)。
[0559]另外，在反射電極層111或信號線14的端子部由Al形成的情況下，Al溶劑耐性低，有可能通過IZO層滲入溶劑。
[0560]因此，在任何情況下，反射電極層111和信號線14的端子部，如上所述希望由P—ITO層覆蓋。
[0561]此時(shí)，反射電極層111和信號線14的端子部在制造工序的早期階段如上所述由P — ITO層覆蓋，由此能夠減少這些反射電極層111和信號線14的端子部浸入顯影液的次數(shù)和區(qū)域。
[0562][實(shí)施方式8]
[0563]基于圖16和圖17對本實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。
[0564]另外，在本實(shí)施方式中，主要對與實(shí)施方式I?7的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，對具有與在上述實(shí)施方式I?7中說明過的構(gòu)成要素相同的功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的編號，省略其說明。
[0565]圖16是表不本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯不面板I的概略結(jié)構(gòu)的剖視圖。另外,表不本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置100的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的分解剖視圖與圖2相同，表示有機(jī)EL顯不裝置100的支承基板10的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖與圖3相同。另外，表不支承基板10的顯示區(qū)域Rl的主要部分的俯視圖與圖4相同。圖16是表示用圖4所示的A— A線截?cái)嘤袡C(jī)EL顯示面板I時(shí)的有機(jī)EL顯示面板I的概略結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0566]實(shí)施方式I?7中，如上所述通過以層疊多個(gè)發(fā)光層使發(fā)光色重疊得到W發(fā)光的情況為例進(jìn)行說明。
[0567]但是，實(shí)施方式I?7所示的第一電極21的形成方法，也能夠同樣適用于通過采用按發(fā)光層的每個(gè)顏色進(jìn)行蒸鍍的分涂方式，在同一平面內(nèi)形成發(fā)光色不同的多個(gè)發(fā)光層的情況。
[0568]使用分涂方式的全彩的有機(jī)EL顯示裝置100中，如圖16所示，例如具有RGB各色的發(fā)光層82R、82G、82B的有機(jī)EL元件20，作為子像素71R、71G、71B排列形成在支承基板10上。在這種有機(jī)EL顯示裝置100中，用TFT12使這些有機(jī)EL元件20有選擇地以期望的亮度發(fā)光，由此進(jìn)行彩色圖像顯示。
[0569]本實(shí)施方式中，像這樣在同一平面內(nèi)形成發(fā)光色不同的多個(gè)發(fā)光層82R、82G、82B，并且將微腔結(jié)構(gòu)導(dǎo)入到發(fā)光色不同的各子像素71R、71G、71B，由此如上所述進(jìn)行全彩的圖
像顯示。
[0570]另外，本實(shí)施方式中也通過如圖16所示并用CF層52，能夠利用CF層52調(diào)整從有機(jī)EL兀件20出射的光的光譜。
[0571]本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置100，如圖16所示，除了有機(jī)EL元件20的有機(jī)EL層43的層疊結(jié)構(gòu)不同以外，具有與圖5所示的有機(jī)EL顯示裝置100相同的結(jié)構(gòu)。
[0572]下面，對本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件20的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0573]<有機(jī)EL元件20的結(jié)構(gòu)>
[0574]圖16所示的有機(jī)EL顯示裝置100中，具有如下結(jié)構(gòu):在第一電極21與第二電極31之間，作為有機(jī)EL層43，從第一電極21側(cè)例如依次形成有空穴注入層兼空穴輸送層81、發(fā)光層82R、82G、82B、電子輸送層兼電子注入層83。
[0575]另外，關(guān)于空穴注入層兼空穴輸送層和電子輸送層兼電子注入層，如實(shí)施方式I中說明過的那樣，在此省略空穴注入層兼空穴輸送層81和電子輸送層兼電子注入層83的說明。
[0576]如圖16所不，空穴注入層兼空穴輸送層81以覆蓋第一電極21和邊緣罩15的方式遍及支承基板10的顯示區(qū)域Rl的整個(gè)面均勻地形成。
[0577]在空穴注入層兼空穴輸送層81上，發(fā)光層82R、82G、82B分別與子像素71R、71G、7IB對應(yīng)地形成。
[0578]發(fā)光層82R、82G、82B使從第一電極21側(cè)注入的空穴和從第二電極31注入的電子再結(jié)合而射出光。本實(shí)施方式中，發(fā)光層82R、82G、82B也分別由低分子突光色素、金屬絡(luò)合物等發(fā)光效率高的材料形成。
[0579]電子輸送層兼電子注入層83以覆蓋發(fā)光層82R、82G、82B和空穴注入層兼空穴輸送層81的方式在這些發(fā)光層82R、82G、82B和空穴注入層兼空穴輸送層81上遍及支承基板10的顯示區(qū)域Rl的整個(gè)面均勻地形成。
[0580]另外，本實(shí)施方式中，如上所述，以設(shè)置有空穴注入層兼空穴輸送層81作為空穴注入層和空穴輸送層為例進(jìn)行了圖示，并且以設(shè)置有電子輸送層兼電子注入層83作為電子輸送層和電子注入層的情況為例進(jìn)行了圖示。但是，本實(shí)施方式并不限定于此，空穴注入層和空穴輸送層也可以作為彼此獨(dú)立的層形成。同樣，電子輸送層和電子注入層可以作為彼此獨(dú)立的層形成。
[0581]另外，發(fā)光層82R、82G、82B以外的有機(jī)層不是作為有機(jī)EL層43必須的層，可以根據(jù)所要求的有機(jī)EL元件20的特性適當(dāng)形成。
[0582]另外，也可以像空穴注入層兼空穴輸送層81和電子輸送層兼電子注入層83那樣一個(gè)層具有多個(gè)功能。
[0583]另外，在有機(jī)EL層43中能夠根據(jù)需要追加載流子阻擋層。例如，在發(fā)光層82R、82G、82B與電子輸送層兼電子注入層83之間追加空穴阻擋層作為載流子阻擋層，由此阻止空穴漏到電子輸送層兼電子注入層83，能夠提高發(fā)光效率。
[0584]本實(shí)施方式中，第一電極21 (陽極)、第二電極31 (陰極)和發(fā)光層82R、82G、82B以外的層，可以適當(dāng)插入。
[0585]作為上述有機(jī)EL元件20的結(jié)構(gòu)，能夠采用例如下述(I)?(8)所示的層結(jié)構(gòu)。
[0586](I)第一電極/發(fā)光層/第二電極
[0587](2)第一電極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/第二電極
[0588](3)第一電極/空穴輸送層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子輸送層/第二電極
[0589](4)第一電極/空穴輸送層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子輸送層/電子注入層/第二電極[0590](5)第一電極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/第二電極
[0591](6)第一電極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子輸送層/第二電極
[0592](7)第一電極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子輸送層/電子注入層/第二電極
[0593](8)第一電極/空穴注入層/空穴輸送層/電子阻擋層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子輸送層/電子注入層/第二電極
[0594]另外，本實(shí)施方式中，上述層疊順序也是以第一電極21為陽極、以第二電極31為陰極時(shí)的順序。本實(shí)施方式中也是，在以第一電極21為陰極、以第二電極31為陽極的情況下，有機(jī)EL層43的層疊順序相反。
[0595]<有機(jī)EL顯示裝置100的制造方法>
[0596]首先，對本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置100的制造方法進(jìn)行說明。
[0597]本實(shí)施方式中，有機(jī)EL顯示裝置100的制造工序的流程的概要，也如用圖7說明的那樣。另外，本實(shí)施方式中也是，在以第一電極21為陰極、以第二電極31為陽極的情況下，第一電極21和第二電極31的材料和厚度相反。
[0598]以下，以具有圖16所示的結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL顯示裝置100為例，對步驟S4的圖7所示的有機(jī)EL層43的制作工序的流程的概要進(jìn)行說明。
[0599]<有機(jī)EL層43的制作工序的流程>
[0600]圖17是按工序順序表示圖16所示的有機(jī)EL層43的制作工序的一例的流程圖。
[0601]本實(shí)施方式中，首先，在圖7所示的步驟S4中，對實(shí)施了用于脫水的減壓烘烤并進(jìn)行了用于對第一電極21的表面進(jìn)行清洗的氧等離子體處理的支承基板10，如圖17所示，首先以覆蓋第一電極21和邊緣罩15的方式，通過真空蒸鍍法在支承基板10的顯示區(qū)域Rl的整個(gè)面形成空穴注入層兼空穴輸送層81 (空穴注入層和空穴輸送層)(步驟S31)。
[0602]另外，如上所述，空穴注入層兼空穴輸送層81遍及支承基板10的顯示區(qū)域Rl的整個(gè)面均勻地形成。因此，實(shí)施方式I的空穴注入層22和空穴輸送層23同樣，將顯示區(qū)域Rl的整個(gè)面開口的開放式掩模用作蒸鍍用的掩模進(jìn)行成膜。
[0603]另一方面，在像本實(shí)施方式那樣使用分涂方式的全彩的有機(jī)EL顯示裝置100中，如上所述，用TFT12使這些有機(jī)EL元件20有選擇地以期望的亮度發(fā)光，由此進(jìn)行彩色圖像顯不O
[0604]因此，為了制造上述有機(jī)EL顯示裝置100，需要使包括發(fā)出各色光的有機(jī)發(fā)光材料的發(fā)光層82R、82G、82B按每個(gè)有機(jī)EL元件20以規(guī)定的圖案成膜。
[0605]于是，為了形成發(fā)光層82R、82G、82B，將僅使期望的顯示色的發(fā)光材料蒸鍍的區(qū)域開口的精細(xì)(fine)掩模用作蒸鍍用的掩模，通過真空蒸鍍法分涂蒸鍍(步驟S32)。由此，形成與各子像素71R、71G、71B對應(yīng)的圖案膜。
[0606]之后，在形成有發(fā)光層82R、82G、82B的支承基板10上，將顯示區(qū)域Rl的整個(gè)面開口的開放式掩模用作蒸鍍用的掩模，通過真空蒸鍍法依次在像素區(qū)域整個(gè)面形成電子輸送層兼電子注入層83 (電子輸送層和電子注入層)(步驟S33)、第二電極31 (步驟S5)。
[0607]另外，本實(shí)施方式中，上述蒸鍍能夠使用與現(xiàn)有技術(shù)同樣的真空蒸鍍裝置。另外，關(guān)于合適的真空到達(dá)率等條件，如實(shí)施方式I中說明的那樣。因此，省略對真空蒸鍍裝置以及蒸鍍方法的詳情的說明和圖示。
[0608]另外，本實(shí)施方式中，用作空穴注入層兼空穴輸送層81和電子輸送層兼電子注入層83的空穴注入層兼空穴輸送層和電子輸送層兼電子注入層的材料以及膜厚，如實(shí)施方式I中說明的那樣。
[0609]另外，用作發(fā)光層82R、82G、82B的發(fā)光層的材料，如實(shí)施方式I說明的那樣。另外，發(fā)光層82R、82G、82B可以分別使用發(fā)光色不同的單一的材料，也可以使用將某種材料作為主體材料、其他材料作為客體材料或摻雜劑混入的混合材料。
[0610]另外，這種情況的發(fā)光層82R、82G、82B的膜厚，例如為10?lOOnm。
[0611]本實(shí)施方式中，如圖16所不,與實(shí)施方式I同樣，通過令第一電極21為反射電極層111和透明電極層121的層疊結(jié)構(gòu)，將微腔結(jié)構(gòu)導(dǎo)入到有機(jī)EL元件20。
[0612]因此，本實(shí)施方式中，將各發(fā)光層82R、82G、82B的膜厚設(shè)定為相同的膜厚。因此，與實(shí)施方式I?7同樣地設(shè)定光程73R、73G、73B。
[0613]因此，空穴注入層兼空穴輸送層81、電子輸送層兼電子注入層83、發(fā)光層82R、82G、82B的材料和膜厚能夠與現(xiàn)有技術(shù)同樣地設(shè)定。因此，本實(shí)施方式中，對于這些空穴注入層兼空穴輸送層81、電子輸送層兼電子注入層83、發(fā)光層82R、82G、82B具體的材料和膜厚省略說明。
[0614]〈效果〉
[0615]如上所述，本實(shí)施方式中，與實(shí)施方式I同樣，通過令第一電極21為反射電極層111和透明電極層121的層疊結(jié)構(gòu)，將微腔結(jié)構(gòu)導(dǎo)入到有機(jī)EL元件20。
[0616]因此，本實(shí)施方式中，不需要為了將微腔結(jié)構(gòu)導(dǎo)入到有機(jī)EL元件20而按每個(gè)發(fā)光色改變各發(fā)光層82R、82G、82B的膜厚。
[0617]因此,本實(shí)施方式中也與如實(shí)施方式I?7所不使用W發(fā)光的發(fā)光層的情況同樣地，能夠使各發(fā)光層82R、82G、82B的膜厚相等地薄，所以能夠縮短處理工時(shí)。
[0618]另外，本實(shí)施方式中也通過有機(jī)EL元件20得到對從各發(fā)光層82R、82G、82B出射的光的混合加入了微腔效應(yīng)的光。另外，通過設(shè)置于密封基板50的CF層52調(diào)整該光，能夠?qū)⒕哂衅谕墓庾V的光取出到外部。因此，本實(shí)施方式中也像這樣通過將采用分涂方式的發(fā)光層82R、82G、82B和微腔效應(yīng)、CF層52組合，能夠提高色純度。
[0619]另外，白不必說本實(shí)施方式中也與實(shí)施方式I?7同樣地按每個(gè)子像素71R、71G、71B改變第一電極21的透明電極層121的膜厚，能夠得到與實(shí)施方式I?7同樣的效果。
[0620]<實(shí)施方式I?8的概要和變形例>
[0621]如上所述，實(shí)施方式I?8中，在包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層上，形成第二透明電極層，該第二透明電極層包含與上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層組成不同的透明電極材料，在至少2個(gè)子像素形成膜厚不同的抗蝕劑圖案，利用通過灰化實(shí)現(xiàn)的抗蝕劑圖案的薄膜化和通過第一透明電極層的結(jié)晶化實(shí)現(xiàn)的蝕刻耐性的變化，將上述透明電極層蝕刻，由此在子像素間(例如按每個(gè)子像素)改變上述反射電極層上的透明電極層的層疊數(shù)。
[0622]另外，實(shí)施方式I?8中，對如下情況進(jìn)行了說明:(1)根據(jù)需要在層疊有透明電極層的狀態(tài)下將反射電極層圖案化之后，根據(jù)需要在層疊有透明電極層的圖案化后的反射電極層上，層疊上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和上述第二透明電極層的至少2層的透明電極層，或者，(2)在反射電極層的圖案化之前，在該反射電極層上，層疊包含上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和上述第二透明電極層的至少2層的透明電極層，將該預(yù)先層疊的透明電極層中的至少I層或所有層在發(fā)光色不同的子像素中的一部分子像素中有選擇地蝕刻去除，由此在子像素間改變透明電極層的層疊數(shù)。但是，本發(fā)明的實(shí)施方式的一例并不限定于此。
[0623]另外，實(shí)施方式I?8中，以在發(fā)光色不同的3個(gè)子像素中如上所述將透明電極層蝕刻的情況為例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明的實(shí)施方式的一例并不限定于此。
[0624]例如，通過單獨(dú)進(jìn)行上述(I)或(2)、或反復(fù)單獨(dú)進(jìn)行上述(I)或(2)的方法、或者將上述(I)和(2)的方法反復(fù)組合進(jìn)行，或者通過將這些方法與使用了光刻的透明電極的單層層疊等公知的方法組合，能夠任意且容易地設(shè)定和改變透明電極層的層疊數(shù)、以及透明電極層的層疊數(shù)不同的子像素的數(shù)量。
[0625]在任何情況下，如果與層疊相同數(shù)量的透明電極層的情況相比，用比現(xiàn)有技術(shù)少的次數(shù)的光刻就能夠在顯示色不同的每個(gè)子像素間改變反射電極層上的透明電極層的層疊數(shù)和合計(jì)的膜厚。
[0626]如上所述，本發(fā)明的實(shí)施方式的一例中，包括:第一抗蝕劑圖案形成工序，在顯示色不同的多個(gè)子像素中的至少2個(gè)子像素的第二透明電極層上，分別形成膜厚不同的第一抗蝕劑圖案；
[0627]透明電極層圖案化工序，以上述第一抗蝕劑圖案作為掩模，至少將上述第二透明電極層和包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層蝕刻而圖案化；
[0628]至少I次的透明電極層蝕刻工序，通過灰化將上述多個(gè)子像素中的上述第一抗蝕劑圖案的膜厚最薄的子像素的第一抗蝕劑圖案去除而使第二透明電極層露出，另一方面，使剩余的子像素的第一抗蝕劑圖案薄膜化后，以上述薄膜化后的第一抗蝕劑圖案作為掩模，將露出的第二透明電極層蝕刻去除，或者在上述第二透明電極層的下層存在包含非晶質(zhì)的透明電極材料的透明電極層的情況下，將上述第二透明電極層和其下層的包含非晶質(zhì)的透明電極材料的透明電極層蝕刻去除；和
[0629]第一抗蝕劑圖案去除工序，在上述透明電極層蝕刻工序之后，將在上述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案的膜厚最厚的子像素的第一抗蝕劑圖案去除，
[0630]上述透明電極層蝕刻工序反復(fù)進(jìn)行，直到將上述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案中的第一抗蝕劑圖案的膜厚第二厚的子像素的第二透明電極層蝕刻去除為止，并且
[0631]上述透明電極層蝕刻工序至少包括:
[0632]灰化工序，通過灰化將上述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案的膜厚第二厚的子像素的第一抗蝕劑圖案去除而使第二透明電極層露出，另一方面，使上述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案的膜厚最厚的子像素的第一抗蝕劑圖案薄膜化；
[0633]第二透明電極層蝕刻工序，以上述灰化工序中薄膜化后的、上述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案的膜厚最厚的子像素的第一抗蝕劑圖案作為掩模，將露出的第二透明電極層蝕刻去除；[0634]第一透明電極層結(jié)晶化工序，使上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層結(jié)晶化而使該第一透明電極層轉(zhuǎn)化為多晶的第一透明電極層，
[0635]上述第一透明電極層結(jié)晶化工序在上述灰化工序的上一個(gè)工序或上述灰化工序與上述第二透明電極層蝕刻工序之間進(jìn)行。
[0636]由此，用比現(xiàn)有技術(shù)少的次數(shù)的光刻就能夠在例如顯示色不同的每個(gè)子像素間(例如按每個(gè)子像素)任意地改變上述反射電極層上的透明電極層的合計(jì)膜厚。
[0637]<要點(diǎn)概要>
[0638]如上所述，本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置的制造方法，是如下方法:在包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層上，形成第二透明電極層，在至少2個(gè)子像素上形成膜厚不同的抗蝕劑圖案，利用通過灰化實(shí)現(xiàn)的抗蝕劑圖案的薄膜化和通過第一透明電極層的結(jié)晶化實(shí)現(xiàn)的蝕刻耐性的變化，將上述透明電極層蝕刻。
[0639]因此，如上所述，本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置的制造方法，該顯示裝置中，至少I個(gè)子像素的形成電場的成對的電極中的一個(gè)電極具有反射電極層和形成在該反射電極層上的多個(gè)透明電極層，在顯示色不同的子像素間，上述透明電極層的合計(jì)的膜厚不同，所述顯示裝置的制造方法包括:
[0640]第一透明電極層成膜工序，形成包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層；
[0641]第二透明電極層成膜工序，在上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層上，形成包含與上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層組成不同的透明電極材料的第二透明電極層；
[0642]第一抗蝕劑圖案形成工序，在顯示色不同的多個(gè)子像素中的至少2個(gè)子像素的第二透明電極層上，分別形成膜厚不同的第一抗蝕劑圖案；
[0643]透明電極層圖案化工序，以上述第一抗蝕劑圖案作為掩模，至少將上述第二透明電極層和包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層蝕刻而圖案化；
[0644]至少I次的透明電極層蝕刻工序，通過灰化將上述多個(gè)子像素中的上述第一抗蝕劑圖案的膜厚最薄的子像素的第一抗蝕劑圖案去除而使第二透明電極層露出，另一方面，使剩余子像素的第一抗蝕劑圖案薄膜化后，以上述薄膜化后的第一抗蝕劑圖案作為掩模，將露出的第二透明電極層蝕刻去除，或者在上述第二透明電極層的下層存在包含非晶質(zhì)的透明電極材料的透明電極層的情況下，將上述第二透明電極層和其下層的包含非晶質(zhì)的透明電極材料的透明電極層蝕刻去除；
[0645]第一抗蝕劑圖案去除工序，在上述透明電極層蝕刻工序之后，將在上述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案的膜厚最厚的子像素的第一抗蝕劑圖案去除，
[0646]上述透明電極層蝕刻工序反復(fù)進(jìn)行，直到將上述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案中的第一抗蝕劑圖案的膜厚第二厚的子像素的第二透明電極層蝕刻去除為止，并且
[0647]上述透明電極層蝕刻工序至少包括:
[0648]灰化工序，通過灰化將上述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案的膜厚第二厚的子像素的第一抗蝕劑圖案去除而使第二透明電極層露出，另一方面，使上述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案的膜厚最厚的子像素的第一抗蝕劑圖案薄膜化；[0649]第二透明電極層蝕刻工序，以上述灰化工序中薄膜化后的、上述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案的膜厚最厚的子像素的第一抗蝕劑圖案作為掩模，將露出的第二透明電極層蝕刻去除；和
[0650]第一透明電極層結(jié)晶化工序，使上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層結(jié)晶化而使該第一透明電極層轉(zhuǎn)化為多晶的第一透明電極層，
[0651]上述第一透明電極層結(jié)晶化工序在上述灰化工序的上一個(gè)工序或上述灰化工序與上述第二透明電極層蝕刻工序之間進(jìn)行。
[0652]像這樣利用蝕刻耐性的不同所帶來的蝕刻選擇性，將透明電極層多層層疊，由此，用比現(xiàn)有技術(shù)少的次數(shù)的光刻就能夠例如按顯示色不同的每個(gè)子像素任意地改變上述反射電極層上的透明電極層的合計(jì)膜厚。另外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠?qū)崿F(xiàn)成本降低和占用面積的降低。而且，能夠減少曝光顯影、抗蝕劑剝離處理等的次數(shù)，所以能夠防止像素缺陷的發(fā)生，并且能夠縮短處理工時(shí)。
[0653]在上述顯示裝置的制造方法中，優(yōu)選上述第一透明電極層包含銦錫氧化物，上述第二透明電極層包含銦鋅氧化物。
[0654]非晶質(zhì)的銦錫氧化物，通過熱處理能夠容易地轉(zhuǎn)化為多晶的銦錫氧化物。多晶的銦錫氧化物與銦鋅氧化物相比，蝕刻耐性高，在第二透明電極層蝕刻工序中將銦鋅氧化物蝕刻去除時(shí)，銦錫氧化物不被蝕刻，或者蝕刻速度顯著地慢。因此，在第二透明電極層蝕刻工序中，僅去除包含銦鋅氧化物的第二透明電極層，第一透明電極層不被去除。
[0655]另外，上述顯示裝置的制造方法，包括反射電極層圖案化工序，在上述第一透明電極層成膜工序之前，形成按顯示色不同的每個(gè)子像素圖案化后的反射電極層，在上述第一透明電極層成膜工序和第二透明電極層成膜工序中，在上述圖案化后的反射電極層上，依次形成上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和第二透明電極層。
[0656]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，即使包括反射電極層的圖案化在內(nèi)，也僅用2次光刻就能夠在反射電極層上形成層疊有透明電極層的、按每個(gè)子像素厚度不同的電極。
[0657]因此，根據(jù)上述方法，用比現(xiàn)有技術(shù)少的次數(shù)的光刻就能夠按顯示色不同的每個(gè)子像素形成上述反射電極層上的透明電極層的合計(jì)膜厚不同的電極。
[0658]另外，上述顯示裝置的制造方法，優(yōu)選包括反射電極層成膜工序，在上述第一透明電極層成膜工序之前，形成反射電極層，
[0659]在上述第一透明電極層成膜工序和第二透明電極層成膜工序中，在上述反射電極層上，依次形成上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和第二透明電極層。
[0660]在上述第一抗蝕劑圖案形成工序中，在各子像素的第二透明電極層上，分別形成膜厚不同的第一抗蝕劑圖案，
[0661]在上述透明電極層圖案化工序中，以上述第一抗蝕劑圖案作為掩模，將上述第二透明電極層、包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和反射電極層蝕刻而圖案化。
[0662]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠在上述反射電極層上依次層疊上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和第二透明電極層之后，用按每個(gè)子像素膜厚不同的第一抗蝕劑圖案，統(tǒng)一對上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和第二透明電極層進(jìn)行蝕刻。
[0663]因此，根據(jù)上述方法，包括反射電極層的圖案化在內(nèi)，用I次光刻就能夠在反射電極層上形成層疊有透明電極層的、按每個(gè)子像素厚度不同的電極。
[0664]因此，根據(jù)上述方法，用比現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)一步少的次數(shù)的光刻就能夠按顯示色不同的每個(gè)子像素形成上述反射電極層上的透明電極層的合計(jì)膜厚不同的電極。
[0665]另外，上述顯示裝置的制造方法，優(yōu)選在上述第一透明電極層成膜工序之前，包括:
[0666]反射電極層圖案化工序，形成按顯示色不同的每個(gè)子像素圖案化后的反射電極層；和
[0667]第三透明電極層成膜工序，在上述圖案化后的反射電極層上，形成包含與上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層組成不同的透明電極材料的第三透明電極層，
[0668]在上述第一透明電極層成膜工序和第二透明電極層成膜工序中，在上述第三透明電極層上，依次形成上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和第二透明電極層，
[0669]在上述透明電極層圖案化工序中，以上述第一抗蝕劑圖案作為掩模，將上述第二透明電極層、包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和第三透明電極層蝕刻而圖案化。
[0670]根據(jù)上述方法，在上述反射電極層上隔著上述第三透明電極層形成上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層。
[0671]因此，根據(jù)上述方法，上述反射電極層與非晶質(zhì)的透明電極層的接觸部不露出。
[0672]在上述反射電極層上直接層疊非晶質(zhì)的透明電極層的情況下，通過上述反射電極層和透明電極層的組合，有可能在清洗時(shí)或顯影時(shí)發(fā)生電蝕反應(yīng)，損傷上述反射電極層和透明電極層。
[0673]但是，根據(jù)上述方法，上述反射電極層與非晶質(zhì)的透明電極層的接觸部不露出，所以不會發(fā)生這樣的問題。
[0674]另外，上述顯示裝置的制造方法，優(yōu)選包括反射電極層-第四透明電極層形成工序，在上述第一透明電極層成膜工序之前，形成按顯示色不同的每個(gè)子像素圖案化后的反射電極層，和設(shè)置在上述反射電極層上且按每個(gè)上述子像素圖案化后的多晶的第四透明電極層，
[0675]在上述第一透明電極層成膜工序和第二透明電極層成膜工序中，在上述圖案化后的多晶的第四透明電極層上，依次形成上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和第二透明電極層。
[0676]因反射電極材料的種類不同，在上述反射電極層處于剝出的狀態(tài)(即，露出狀態(tài))的情況下，為了例如提高抗蝕劑的潤濕性而進(jìn)行紫外線照射時(shí)，上述反射電極層有可能氧化而反射特性降低，或者溶劑耐性降低，滲入溶劑。因此，在這種反射電極層由這種反射電極材料構(gòu)成的情況下，不希望反射電極層處于剝出的狀態(tài)。
[0677]根據(jù)上述方法，在制造工序的早期階段，如上所述在反射電極層上形成上述第四透明電極層，由此能夠保護(hù)上述反射電極層免受有可能損傷該反射電極層的品質(zhì)的上述主要因素的影響。
[0678]另外，上述顯示裝置的制造方法，優(yōu)選在上述第一透明電極層成膜工序之前，包括:[0679]反射電極層-第四透明電極層形成工序，形成按顯示色不同的每個(gè)子像素圖案化后的反射電極層，和設(shè)置在上述反射電極層上且按每個(gè)上述子像素圖案化后的多晶的第四透明電極層；和
[0680]第三透明電極層成膜工序，在上述按每個(gè)子像素圖案化后的多晶的第四透明電極層上，形成包含與上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層組成不同的透明電極材料的第三透明電極層，
[0681]在上述第一透明電極層成膜工序和第二透明電極層成膜工序中，在上述第三透明電極層上，依次形成上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和第二透明電極層，
[0682]在上述透明電極層圖案化工序中，以上述第一抗蝕劑圖案作為掩模，將上述第二透明電極層、包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和第三透明電極層蝕刻而圖案化。
[0683]在這種情況下也是，在制造工序的早期階段，如上所述在反射電極層上形成上述第四透明電極層，由此能夠保護(hù)上述反射電極層免受有可能損傷該反射電極層的品質(zhì)的上述重要因素的影響。
[0684]另外，根據(jù)上述方法，能夠使反射電極層上的透明電極層的層疊數(shù)增加。通過在改變所述各透明電極層的膜厚的基礎(chǔ)上像這樣改變層疊數(shù)，能夠更容易地進(jìn)行各子像素的光程的比率的改變。
[0685]另外，上述顯示裝置的制造方法中，優(yōu)選上述反射電極層-第四透明電極層形成工序包括:
[0686]形成反射電極層的工序；
[0687]第四透明電極層成膜工序，在上述反射電極層上，形成包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第四透明電極層；
[0688]第二抗蝕劑圖案形成工序，在上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第四透明電極層上，按顯示色不同的每個(gè)子像素形成第二抗蝕劑圖案；
[0689]反射電極層-第四透明電極層圖案化工序，以上述第二抗蝕劑圖案作為掩模，將上述反射電極層和包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第四透明電極層蝕刻而圖案化；和
[0690]第四透明電極層結(jié)晶化工序，使上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第四透明電極層結(jié)晶化而使該第四透明電極層轉(zhuǎn)化為多晶的第四透明電極層。
[0691]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，與反射電極層的圖案化同時(shí)進(jìn)行上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第四透明電極層的圖案化，所以不會增加光刻工序地在上述圖案化后的反射電極層上形成具有與上述反射電極層相同的圖案的包含多晶的透明電極材料的第四透明電極層。
[0692]另外，因反射電極材料的種類不同，有可能出現(xiàn)上述反射電極層因紫外線照射而氧化、反射特性降低，或者溶劑耐性降低、滲入溶劑的情況。因此，在這種反射電極層由這種反射電極材料構(gòu)成的情況下，不希望反射電極層處于剝出的狀態(tài)。
[0693]根據(jù)上述方法，在制造工序的早期階段如上所述在反射電極層上形成上述第四透明電極層，由此能夠保護(hù)上述反射電極層免受有可能損傷該反射電極層的品質(zhì)的上述主要因素的影響。
[0694]另外，根據(jù)上述方法，能夠不增加光刻的整體次數(shù)地使反射電極層上的透明電極層的層疊數(shù)增加。根據(jù)上述方法，例如包括反射電極層的圖案化在內(nèi)，用2次光刻就能夠按顯示色不同的每個(gè)子像素形成上述反射電極層上的透明電極層的合計(jì)膜厚不同的電極。
[0695]另外，在上述顯示裝置的制造方法中，優(yōu)選上述第四透明電極層包含銦錫氧化物。
[0696]如上所述，非晶質(zhì)的銦錫氧化物，通過熱處理能夠容易地轉(zhuǎn)化為蝕刻耐性高的多晶的銦錫氧化物。
[0697]多晶的銦錫氧化物不僅能夠通過對非晶質(zhì)的銦錫氧化物進(jìn)行熱處理得到，也能夠直接通過成膜裝置形成多晶的銦錫氧化物。但是，直接成膜的多晶的銦錫氧化物，因成膜中的晶粒的成長而使膜的平坦性惡化，或者容易產(chǎn)生晶體間的小孔(Pinhole)。因此，如上所述在反射電極層上形成多晶的銦錫氧化物的情況下，優(yōu)選在反射電極層上形成非晶質(zhì)的銦錫氧化物作為非晶質(zhì)的第四透明電極層之后，如上所述圖案化后使之轉(zhuǎn)化為多晶的銦錫氧化物。
[0698]另外，在上述顯示裝置的制造方法中，優(yōu)選上述第三透明電極層包含銦鋅氧化物。
[0699]銦鋅氧化物不會在與上述反射電極層之間發(fā)生電蝕反應(yīng)。另外，與多晶的透明電極層相比蝕刻耐性低，所以在多晶的透明電極層上層疊上述第三透明電極層的情況下，能夠有選擇地僅蝕刻去除包含銦鋅氧化物的第三透明電極層。
[0700]另外，優(yōu)選上述第一抗蝕劑圖案形成工序中，上述第一抗蝕劑圖案在俯視時(shí)與上述圖案化后的反射電極層重疊，且形成為在俯視時(shí)比上述圖案化后的反射電極層大。
[0701]在上述反射電極層上直接層疊非晶質(zhì)的透明電極層的情況下，通過上述反射電極層和透明電極層的組合，有可能在清洗時(shí)或顯影時(shí)發(fā)生電蝕反應(yīng)，損傷上述反射電極層和透明電極層。
[0702]但是，根據(jù)上述方法，能夠用上述第二透明電極層覆蓋上述反射電極層。
[0703]因此，根據(jù)上述方法，上述反射電極層與非晶質(zhì)的透明電極層的接觸部不露出，所以不會發(fā)生這樣的問題。
[0704]另外，上述顯示裝置的制造方法中，優(yōu)選上述反射電極層包含選白銀、銀合金和鋁合金中的任一種。
[0705]這些材料與非晶質(zhì)的透明電極層之間不會發(fā)生電蝕反應(yīng)。因此，適于用作上述反射電極層的反射電極材料。
[0706]另外，在如上所述第一抗蝕劑圖案在俯視時(shí)與上述圖案化后的反射電極層重疊，且在俯視時(shí)形成得比上述圖案化后的反射電極層大的情況下，或者，在上述反射電極層上隔著上述第三透明電極層形成上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層的情況下，上述反射電極層也可以包含鋁層。
[0707]鋁層不容易發(fā)生像反射電極層為銀的情況那樣因紫外線照射而氧化、反射特性降低的問題。
[0708]但是，在非晶質(zhì)的透明電極材料為銦錫氧化物的情況等、根據(jù)非晶質(zhì)的透明電極材料的種類不同，有可能出現(xiàn)上述反射電極層與非晶質(zhì)的透明電極層的接觸部露出時(shí)，在清洗時(shí)或顯影時(shí)發(fā)生電蝕反應(yīng)，損傷上述反射電極層和透明電極層的情況。
[0709]但是，在如上所述第一抗蝕劑圖案在俯視時(shí)與上述圖案化后的反射電極層重疊，且在俯視時(shí)形成得比上述圖案化后的反射電極層大的情況下，或者，在上述反射電極層上隔著上述第三透明電極層形成有上述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層的情況下，上述反射電極層與非晶質(zhì)的透明電極層的接觸部不露出。因此，在這種情況下，即使上述反射電極材料使用鋁，也不會發(fā)生這種問題。因此，作為上述反射電極層能夠使用包含具有上述效果的鋁層的反射電極層。
[0710]另外，上述顯示裝置的制造方法中，優(yōu)選上述成對的電極為陽極和陰極，上述一個(gè)電極為陽極，并且按照由上述陽極和陰極夾著有機(jī)電致發(fā)光層的方式形成上述陽極、陰極和有機(jī)電致發(fā)光層。
[0711]根據(jù)上述方法，能夠容易地按發(fā)光色不同的每個(gè)子像素改變由上述陽極和陰極夾持有機(jī)電致發(fā)光層而得的有機(jī)電致發(fā)光元件的光程。
[0712]因此，根據(jù)上述方法，能夠得到具有微腔結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光元件。因此，通過微腔效應(yīng)，能夠提高使用上述有機(jī)電致發(fā)光元件的顯示裝置的色純度、發(fā)光的色度、發(fā)光效率
坐寸ο
[0713]本發(fā)明并不限定于上述的各實(shí)施方式，能夠在權(quán)利要求所示的范圍內(nèi)進(jìn)行各種改變，將在各種實(shí)施方式中分別公開的技術(shù)手段適當(dāng)組合而得到的實(shí)施方式也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
[0714]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0715]本發(fā)明能夠適用于使用有機(jī)EL元件、無機(jī)EL元件那樣的能夠構(gòu)成為微小諧振器的發(fā)光元件的顯示裝置的制造方法。
[0716]附圖標(biāo)記的說明
[0717]I 有機(jī)EL顯示面板
[0718]2 電配線端子
[0719]10支承基板
[0720]11絕緣基板
[0721]12 TFT
[0722]13層間絕緣膜
[0723]13a接觸孔
[0724]14信號線
[0725]15邊緣罩
[0726]15R、15G、15B 開口部
[0727]20有機(jī)EL元件
[0728]21第一電極
[0729]22空穴注入層
[0730]23空穴輸送層
[0731]24第一發(fā)光層
[0732]25電子輸送層
[0733]26載流子產(chǎn)生層
[0734]27空穴輸送層
[0735]28第二發(fā)光層
[0736]29 電子輸送層
[0737]30 電子注入層[0738]31第二電極
[0739]41密封樹脂層
[0740]42填充樹脂層
[0741]43有機(jī) EL 層
[0742]50密封基板
[0743]51絕緣基板
[0744]52CF 層
[0745]53BM
[0746]60連接部
[0747]70像素
[0748]71子像素
[0749]71R、71G、71B 子像素
[0750]72發(fā)光區(qū)域
[0751]73R、73G、73B 光程
[0752]81空穴注入層兼空穴輸送層
`[0753]82R、82G、82B 發(fā)光層
[0754]83電子輸送層兼電子注入層
[0755]100有機(jī)EL顯示裝置
[0756]101像素部
[0757]102電路部
[0758]103連接端子
[0759]110a — ITO 層
[0760]111反射電極層
[0761]112a — ITO 層
[0762]113IZO 層
[0763]114 p—ITO 層
[0764]115IZO 層
[0765]116a — ITO 層
[0766]117p—ITO 層
[0767]121透明電極層
[0768]201R、201G、201B 抗蝕劑圖案
[0769]211R、211G、211B 抗蝕劑圖案
[0770]L密封區(qū)域
[0771]Rl顯示區(qū)域
[0772]R2第二電極連接區(qū)域
[0773]R3端子部區(qū)域
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置的制造方法，該顯示裝置中，至少I個(gè)子像素的形成電場的成對的電極中的一個(gè)電極具有反射電極層和形成在該反射電極層上的多個(gè)透明電極層，在顯示色不同的子像素間，所述透明電極層的合計(jì)的膜厚不同，所述顯示裝置的制造方法的特征在于，包括: 第一透明電極層成膜工序，形成包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層； 第二透明電極層成膜工序，在所述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層上，形成包含與所述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層組成不同的透明電極材料的第二透明電極層； 第一抗蝕劑圖案形成工序，在顯示色不同的多個(gè)子像素中的至少2個(gè)子像素的第二透明電極層上，分別形成膜厚不同的第一抗蝕劑圖案； 透明電極層圖案化工序，以所述第一抗蝕劑圖案作為掩模，至少將所述第二透明電極層和包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層蝕刻而圖案化； 至少I次的透明電極層蝕刻工序，通過灰化將所述多個(gè)子像素中的所述第一抗蝕劑圖案的膜厚最薄的子像素的第一抗蝕劑圖案去除而使第二透明電極層露出，另一方面，使剩余子像素的第一抗蝕劑圖案薄膜化后，以所述薄膜化后的第一抗蝕劑圖案作為掩模，將露出的第二透明電極層蝕刻去除，或者在所述第二透明電極層的下層存在包含非晶質(zhì)的透明電極材料的透明電極層的情況下，將所述第二透明電極層和其下層的包含非晶質(zhì)的透明電極材料的透明電極層蝕刻去除；和 第一抗蝕劑圖案去除工序，在所述透明電極層蝕刻工序之后，將在所述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案的膜厚最厚的子像素的第一抗蝕劑圖案去除， 所述透明電極層蝕刻工序反復(fù)進(jìn)行，直到將所述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案中的第一抗蝕劑圖案的膜厚第二厚的子像素的第二透明電極層蝕刻去除為止，并且 所述透明電極層蝕刻工序至少包括: 灰化工序，通過灰化將所述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案的膜厚第二厚的子像素的第一抗蝕劑圖案去除而使第二透明電極層露出，另一方面，使所述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案的膜厚最厚的子像素的第一抗蝕劑圖案薄膜化； 第二透明電極層蝕刻工序，以所述灰化工序中薄膜化后的、所述第一抗蝕劑圖案形成工序中形成的第一抗蝕劑圖案的膜厚最厚的子像素的第一抗蝕劑圖案作為掩模，將露出的第二透明電極層蝕刻去除；和 第一透明電極層結(jié)晶化工序，使所述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層結(jié)晶化而使該第一透明電極層轉(zhuǎn)化為多晶的第一透明電極層， 所述第一透明電極層結(jié)晶化工序在所述灰化工序的上一個(gè)工序或所述灰化工序與所述第二透明電極層蝕刻工序之間進(jìn)行。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述第一透明電極層包含銦錫氧化物，所述第二透明電極層包含銦鋅氧化物。
3.如權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于: 包括反射電極層圖案化工序，在所述第一透明電極層成膜工序之前，形成按顯示色不同的每個(gè)子像素圖案化后的反射電極層， 在所述第一透明電極層成膜工序和第二透明電極層成膜工序中，在所述圖案化后的反射電極層上，依次形成所述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和第二透明電極層。
4.如權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于: 包括反射電極層成膜工序，在所述第一透明電極層成膜工序之前，形成反射電極層，在所述第一透明電極層成膜工序和第二透明電極層成膜工序中，在所述反射電極層上，依次形成所述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和第二透明電極層， 在所述第一抗蝕劑圖案形成工序中，在各子像素的第二透明電極層上，分別形成膜厚不同的第一抗蝕劑圖案， 在所述透明電極層圖案化工序中，以所述第一抗蝕劑圖案作為掩模，將所述第二透明電極層、包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和反射電極層蝕刻而圖案化。
5.如權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于: 在所述第一透明電極層成膜工序之前，包括: 反射電極層圖案化工序，形成按顯示色不同的每個(gè)子像素圖案化后的反射電極層；和第三透明電極層成膜工序，在所述圖案化后的反射電極層上，形成包含與所述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層組成不同的透明電極材料的第三透明電極層， 在所述第一透明電極層成膜工序和第二透明電極層成膜工序中，在所述第三透明電極層上，依次形成所述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和第二透明電極層，在所述透明電極層圖案化工序中，以所述第一抗蝕劑圖案作為掩模，將所述第二透明電極層、包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和第三透明電極層蝕刻而圖案化。
6.如權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于: 包括反射電極層-第四透明電極層形成工序，在所述第一透明電極層成膜工序之前，形成按顯示色不同的每個(gè)子像素圖案化后的反射電極層，和設(shè)置在所述反射電極層上且按每個(gè)所述子像素圖案化后的多晶的第四透明電極層， 在所述第一透明電極層成膜工序和第二透明電極層成膜工序中，在所述圖案化后的多晶的第四透明電極層上，依次形成所述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和第二透明電極層。
7.如權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于: 在所述第一透明電極層成膜工序之前，包括: 反射電極層-第四透明電極層形成工序，形成按顯示色不同的每個(gè)子像素圖案化后的反射電極層，和設(shè)置在所述反射電極層上且按每個(gè)所述子像素圖案化后的多晶的第四透明電極層；和 第三透明電極層成膜工序，在所述按每個(gè)子像素圖案化后的多晶的第四透明電極層上，形成包 含與所述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層組成不同的透明電極材料的第三透明電極層， 在所述第一透明電極層成膜工序和第二透明電極層成膜工序中，在所述第三透明電極層上，依次形成所述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和第二透明電極層， 在所述透明電極層圖案化工序中，以所述第一抗蝕劑圖案作為掩模，將所述第二透明電極層、包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第一透明電極層和第三透明電極層蝕刻而圖案化。
8.如權(quán)利要求6或7所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述反射電極層-第四透明電極層形成工序包括: 形成反射電極層的工序； 第四透明電極層成膜工序，在所述反射電極層上，形成包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第四透明電極層； 第二抗蝕劑圖案形成工序，在所述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第四透明電極層上，按顯示色不同的每個(gè)子像素形成第二抗蝕劑圖案； 反射電極層-第四透明電極層圖案化工序，以所述第二抗蝕劑圖案作為掩模，將所述反射電極層和包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第四透明電極層蝕刻而圖案化；和 第四透明電極層結(jié)晶化工序，使所述包含非晶質(zhì)的透明電極材料的第四透明電極層結(jié)晶化而使該第四透明電極層轉(zhuǎn)化為多晶的第四透明電極層。
9.如權(quán)利要求6~8中任一項(xiàng)所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述第四透明電極層包含銦錫氧化物。
10.如權(quán)利要求5或7所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述第三透明電極層包含銦鋅氧化物。
11.如權(quán)利要求4~7中任一項(xiàng)所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述第一抗蝕劑圖案形成工序中，所述第一抗蝕劑圖案在俯視時(shí)與所述圖案化后的反射電極層重疊，且在俯視時(shí)形成得比所述圖案化后的反射電極層大。
12.如權(quán)利要求1~11中任一項(xiàng)所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述反射電極層包含選白銀、銀合金和鋁合金中的任一種。
13.如權(quán)利要求5或11所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述反射電極層包含鋁層。
14.如權(quán)利要求1~13中任一項(xiàng)所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述成對的電極為陽極和陰極，所述一個(gè)電極為陽極，并且按照由所述陽極和陰極夾著有機(jī)電致發(fā)光層的方式形成所述陽極、陰極和有機(jī)電致發(fā)光層。
【文檔編號】G09F9/30GK103733727SQ201280039897
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2012年9月20日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月26日
【發(fā)明者】園田通, 岡崎莊治, 勝井宏充, 田中哲憲 申請人:夏普株式會社