專利名稱：電磁屏蔽面板及其制備方法和顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電磁屏蔽技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種電磁屏蔽面板及其制備方法和一種含有該電磁屏蔽面板的顯示器。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的電磁屏蔽面板包括玻璃基底及鍍于玻璃基底表面上的一層ITO膜，這種電磁屏蔽面板具有一定的電磁屏蔽效果，但其透光效果較差，滿足不了一些應(yīng)用要求。例如， 將傳統(tǒng)的電磁屏蔽面板應(yīng)用于液晶顯示屏?xí)r，其透光效果和視覺(jué)效果皆較差；又例如，將傳統(tǒng)的電磁屏蔽面板應(yīng)用于飛機(jī)內(nèi)部時(shí)，既要求電磁屏蔽面板具有較好的電磁屏蔽效果，同時(shí)還需要電磁屏蔽面板具有較高的透射率，只有這樣才使飛行員很好地看到外面的場(chǎng)景，才能滿足正常的飛行的需要。而且傳統(tǒng)的電磁屏蔽面板中的ITO膜層裸露在外，長(zhǎng)時(shí)間使用后，容易出現(xiàn)ITO膜層吸水或由于使用不當(dāng)導(dǎo)致部分ITO膜層刮落，從而導(dǎo)致電磁屏蔽效果下降，進(jìn)而縮短其使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
基于此，有必要提供一種透射率高且使用壽命較長(zhǎng)的電磁屏蔽面板及其制備方法?！N電磁屏蔽面板，包括玻璃基底、設(shè)于所述玻璃基底表面上的ITO層及設(shè)于所述ITO層上的SiO2層，其中，所述ITO層的厚度為8(Tl00nm，所述SiO2層的厚度為85 95nm。由于ITO具有電阻率低，透明性好且折射率較高(一般為2. O左右)等優(yōu)點(diǎn)，而SiO2的折射率較低(一般為1.5左右)，因此，ITO層與SiO2層可以構(gòu)成兩層減反射膜系，在保證電磁屏蔽效果的同時(shí)還能獲得較好的透光率；同時(shí)根據(jù)光的干涉原理、光的波動(dòng)性特性以及電磁屏蔽的效果將ITO層的厚度設(shè)計(jì)為8(Tl00nm，SiO2層的厚度設(shè)計(jì)為85、5nm。根據(jù)光的干涉原理及光的波動(dòng)性特性可知，膜層的厚度只有在滿足一定的光學(xué)厚度時(shí)，才能獲得較佳的透光率；同時(shí)對(duì)于兩層減反射膜系，既要考慮兩層膜各自的膜的厚度，還要考慮二者的一個(gè)協(xié)同作用的膜的厚度；而且膜層的厚度對(duì)電磁屏蔽效果也有一定的影響。此外，ITO層外的SiO2層對(duì)ITO層能夠起到很好的保護(hù)作用，從而使得上述電磁屏蔽面板具有相對(duì)較長(zhǎng)的使用壽命。因此，上述電磁屏蔽面板具有優(yōu)良的電磁屏蔽效果、高透射率以及相對(duì)較長(zhǎng)的使用壽命。此外，通過(guò)測(cè)試傳統(tǒng)的方阻為17歐姆的電磁屏蔽面板和上述方阻為17歐姆的電磁屏蔽面板的透射率，透射率分別80%和90%，因此上述設(shè)計(jì)的電磁屏蔽面板的透射率得到了較大的提高。一種電磁屏蔽面板的制備方法，包括如下步驟使用ITO靶材進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底表面上鍍制厚度為8(Tl00nm的ITO層；使用Si靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在所述ITO層上鍍制厚度為85 95nm的SiO2層。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述使用ITO靶材進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底表面上鍍制厚度為8(Tl00nm的ITO層的過(guò)程是在直流或中頻電源下進(jìn)行磁控濺射鍍膜，其中氣體氛圍是流量為10(T200sccm的気氣氛圍。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述使用Si靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在所述ITO層上鍍制厚度為85、5nm的SiO2層的過(guò)程中，磁控濺射頻率為40KHZ，氣體氛圍是Ar與O2的混合氣體氛圍，其中Ar的流量為10(T200sccm，O2的流量為8(Tl20sccm。上述電磁屏蔽面板的制備方法的制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，制備得到的電磁屏蔽面板具有優(yōu)良的電磁屏蔽效果和高透射率。此外，還有必要提供一種使用上述電磁屏蔽面板的顯示器?！N顯不器,包括電磁屏蔽面板，所述電磁屏蔽面板包括玻璃基底、設(shè)于所述玻璃基底表面上的ITO層及設(shè)于所述ITO層上的SiO2層，其中，所述ITO層的厚度為8(Tl00nm， 所述SiO2層的厚度為85 95nm。上述顯示器由于使用了上述高透防電磁屏蔽的面板，其透光效果和視覺(jué)效果均得到提聞。


圖I為一實(shí)施方式的電磁屏蔽面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面主要結(jié)合附圖及具體實(shí)施方式
對(duì)電磁屏蔽面板及其制備方法和應(yīng)用作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。如圖I所示，一實(shí)施方式的電磁屏蔽面板100，包括玻璃基底110、ITO層120及SiO2層130。其中，ITO層120位于玻璃基底110的表面上，SiO2層130位于ITO層120上；ITO層120的厚度為8(Tl00nm，SiO2層130的厚度為85 95nm。其中，ITO是一種優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，具有相對(duì)較低的電阻率，從而使得上述電磁屏蔽面板100具有較好的電磁屏蔽效果。而且ITO的折射率較高(一般為2. O左右)，而SiO2的折射率較低(一般為I. 5左右)，ITO和SiO2均為透光性良好的材料，因此，ITO層120與SiO2層130能構(gòu)成兩層減反射膜系，從而使得上述電磁屏蔽面板100具有較好的透射率。為了使上述電磁屏蔽面板100的性能效果更佳，同時(shí)還對(duì)ITO層120和SiO2層130的厚度設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化。首先，ITO層120的厚度設(shè)計(jì)要能滿足具有較好的電磁屏蔽效果。其次，ITO層120與SiO2層130構(gòu)成兩層減反射膜系，根據(jù)光的干涉原理及光的波動(dòng)性特性可知，二者的厚度只有在滿足一定光學(xué)厚度時(shí)，才能獲得較佳的透光率；同時(shí)對(duì)于兩層減反射膜系，既要考慮兩層膜各自的膜的厚度，還要考慮二者的一個(gè)協(xié)同作用的膜的厚度，以使ITO層120與SiO2層130構(gòu)成的兩層減反射膜系具有高的透射率；另外，從節(jié)約成本和透光性好的角度考慮，二者的膜層厚度不宜過(guò)厚，因?yàn)槟釉胶瘢拥奈諘?huì)變大，透光性也會(huì)變差。而且電磁屏蔽面板100中的SiO2層130能夠?qū)TO層120起到很好的保護(hù)作用，從而能夠確保電磁屏蔽面板100具有相對(duì)較長(zhǎng)的使用壽命。此外，上述設(shè)計(jì)的兩層減反射膜具有紫紅色的顏色，還可以應(yīng)用在一些對(duì)顏色有特別要求的領(lǐng)域。
因此，上述電磁屏蔽面板100具有優(yōu)良的電磁屏蔽效果、高透射率、相對(duì)較長(zhǎng)的使用壽命以及顏色的獨(dú)特性。此外，本實(shí)施方式還提供一種電磁屏蔽面板的制備方法，包括如下步驟使用ITO靶材進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底表面上鍍制厚度為8(Tl00nm的ITO層；使用Si靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在ITO層上鍍制厚度為85 95nm的SiO2層。其中，使用ITO靶材進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底表面上鍍制厚度為8(Tl00nm的ITO層的過(guò)程是在直流或中頻電源下進(jìn)行磁控濺射鍍膜，其中氣體氛圍是流量為100^200sccm的氬氣氛圍。使用Si靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在ITO層上鍍制厚度為85 95nm的SiO2層的過(guò)程中，磁控濺射頻率為40KHZ，氣體氛圍是Ar與O2的混合氣體氛圍，其中Ar的流量為100 200sccm, O2的流量為80 120sccm。 上述電磁屏蔽面板的制備方法的制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，制備得到的電磁屏蔽面板具有優(yōu)良的電磁屏蔽效果和高透射率；同時(shí)測(cè)試了傳統(tǒng)的方阻為17歐姆的電磁屏蔽面板和按上述方法制備得到的方阻為17歐姆的電磁屏蔽面板的透射率，透射率分別80%和90%，該方法制備得到的電磁屏蔽面板的透射率得到了較大的提高。此外，本實(shí)施方式還提供一種顯示器，包括電磁屏蔽面板，電磁屏蔽面板包括玻璃基底、設(shè)于玻璃基底表面上的ITO層及設(shè)于ITO層上的SiO2層，其中，ITO層的厚度為80 100nm，SiO2層的厚度為85 95nm。上述顯示器的透光效果和視覺(jué)效果皆好。以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種電磁屏蔽面板，其特征在于，包括玻璃基底、設(shè)于所述玻璃基底表面上的ITO層及設(shè)于所述ITO層上的SiO2層，其中，所述ITO層的厚度為8(Tl00nm，所述5丨02層的厚度為 85 95nm。
2.一種電磁屏蔽面板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟 使用ITO靶材進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底表面上鍍制厚度為8(Tl00nm的ITO層； 使用Si靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在所述ITO層上鍍制厚度為85 95nm的SiO2層。
3.如權(quán)利要求2所述的電磁屏蔽面板的制備方法，其特征在于，所述使用ITO靶材進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底表面上鍍制厚度為8(Tl00nm的ITO層的過(guò)程是在直流或中頻電源下進(jìn)行磁控濺射鍍膜，其中氣體氛圍是流量為10(T200SCCm的氬氣氛圍。
4.如權(quán)利要求2所述的電磁屏蔽面板的制備方法，其特征在于，所述使用Si靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在所述ITO層上鍍制厚度為85、5nm的SiO2層的過(guò)程中，磁控濺射頻率為40KHZ，氣體氛圍是Ar與O2的混合氣體氛圍，其中Ar的流量為10(T200SCCm，O2的流量為80 120sccm。
5.一種顯示器，包括電磁屏蔽面板，其特征在于，所述電磁屏蔽面板包括玻璃基底、設(shè)于所述玻璃基底表面上的ITO層及設(shè)于所述ITO層上的SiO2層，其中，所述ITO層的厚度為8(Tl00nm，所述SiO2層的厚度為85 95nm。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電磁屏蔽面板，包括玻璃基底、設(shè)于玻璃基底表面上的ITO層及設(shè)于ITO層上的SiO2層，其中，ITO層的厚度為80~100nm，SiO2層的厚度為85~95nm。該電磁屏蔽面板由ITO層與SiO2層構(gòu)成的兩層減反射膜系和玻璃基底構(gòu)成，形成一種高透防電磁屏蔽的電磁屏蔽面板；而且ITO層外的SiO2層對(duì)ITO層能夠起到很好的保護(hù)作用，從而上述電磁屏蔽面板具有相對(duì)較長(zhǎng)的使用壽命。此外，本發(fā)明還提供一種電磁屏蔽面板的制備方法。
文檔編號(hào)G09F9/00GK102963077SQ20121048744
公開(kāi)日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2012年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月26日
發(fā)明者鄭芳平, 張迅, 易偉華 申請(qǐng)人:江西沃格光電科技有限公司