專利名稱：顯示裝置和顯示方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置及電子設(shè)備。具體地，本發(fā)明涉及其中以矩陣形式布置有包括電光元件的像素的平板(平面)顯示裝置以及具有該顯示裝置的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
作為平板顯示裝置、有機(jī)EL (電致發(fā)光)顯示裝置、IXD (液晶顯示)裝置、PDP (等離子體顯示面板)裝置等被廣泛應(yīng)用。在這些顯示裝置中，包括電光元件的像素以矩陣形式布置在基板(面板)上，用于驅(qū)動像素等的驅(qū)動信號由設(shè)置在面板的一側(cè)的驅(qū)動器或設(shè)置在面板的相對兩側(cè)的驅(qū)動器
通過控制線來提供。控制線沿著像素行中的像素所排列的方向進(jìn)行布線(即，行方向)。對于平板顯示裝置，隨著面板尺寸的增加，控制線的配線長度增加，因而配線電阻和配線電容增加。由于配線電阻和配線電容的影響，通過控制線傳輸?shù)尿?qū)動信號的波形根據(jù)在控制線延伸方向上與驅(qū)動器的距離而不同。更具體地，因為在遠(yuǎn)離驅(qū)動器的部分處配線電阻、配線電容的影響大于接近驅(qū)動器的部分處配線電阻、配線電容的影響，在遠(yuǎn)離驅(qū)動器的部分處驅(qū)動信號的波形以更大的量變圓。因此，利用驅(qū)動信號進(jìn)行的晶體管驅(qū)動在接近驅(qū)動器的部分和遠(yuǎn)離驅(qū)動器的部分之間產(chǎn)生差異。為了解決該問題，諸如正弦波信號、梯形波信號或具有變圓的方波的信號等的基本波信號已被使用(例如參見日本未審查專利申請公開第2008-96554號)。

發(fā)明內(nèi)容
在日本未審查專利申請公開第2008-96554號所披露的相關(guān)技術(shù)中，因為基本波信號僅用作驅(qū)動信號，因此難以實現(xiàn)以與晶體管在控制線延伸方向上的位置無關(guān)的方式利用驅(qū)動信號恒定驅(qū)動晶體管。因此，期望實現(xiàn)利用驅(qū)動信號的晶體管的恒定驅(qū)動，而與晶體管在控制線配線方向上的位置無關(guān)，換句話說，與控制線的與驅(qū)動器之間的配線距離無關(guān)。因此，期望提供一種顯示裝置及具有該顯示裝置的電子設(shè)備，其能夠利用來自驅(qū)動器的信號輸出實現(xiàn)晶體管的恒定驅(qū)動，而與晶體管在控制線延伸方向上的位置無關(guān)。因此，根據(jù)本發(fā)明實施方式，提供了一種顯示裝置，其包括控制線，通過其傳輸來自驅(qū)動器的驅(qū)動信號；晶體管，沿著控制線延伸方向配置，并且利用通過控制線傳輸?shù)尿?qū)動信號來驅(qū)動。晶體管的柵極和源/漏極之間的寄生電容根據(jù)其在控制線延伸方向上與驅(qū)動器的距離而變化。此顯示裝置可以用作各種電子設(shè)備的顯示裝置。各晶體管在柵極和源/漏極之間均具有寄生電容。在通過控制線向柵電極提供的驅(qū)動信號的轉(zhuǎn)變期間，因轉(zhuǎn)變時的寄生電容引起的電容耦合使源/漏極電壓發(fā)生變化。此時的耦合量依賴于向柵電極提供的驅(qū)動信號的轉(zhuǎn)變波形以及柵極與源/漏極之間的寄生電容。S卩，在驅(qū)動信號的轉(zhuǎn)變波形陡峭時耦合量大，在轉(zhuǎn)變波形緩和(S卩，圓化)時耦合量小。在柵極與源/漏極之間的寄生電容大時耦合量大，在寄生電容小時耦合量小。因為控制線具有配線電阻和配線電容，因此驅(qū)動信號的波形根據(jù)在控制線延伸方向上與驅(qū)動器的距離而不同。因此，通過根據(jù)與驅(qū)動器的距離來改變晶體管的柵極與源/漏極之間的寄生電容，使得耦合量能夠基本相等，而不管在控制線延伸方向上與驅(qū)動器的距離。根據(jù)本發(fā)明，因為不管在控制線延伸方向上與驅(qū)動器的距離，耦合量都能夠基本上相等，因此能夠?qū)崿F(xiàn)利用從驅(qū)動器輸出的驅(qū)動信號對晶體管進(jìn)行恒定驅(qū)動，而與晶體管在控制線延伸方向上的位置無關(guān)。


圖I是示出應(yīng)用本發(fā)明實施方式的有源矩陣有機(jī)EL顯示裝置的基本配置的概況的系統(tǒng)框圖；圖2是示出一個像素(像素電路)的具體電路配置的一個實例的電路圖；
圖3是示出應(yīng)用本發(fā)明實施方式的有機(jī)EL顯示裝置的基本電路操作的時序波形圖；圖4A到圖4D是示出應(yīng)用本發(fā)明實施方式的有機(jī)EL顯示裝置的基本電路操作的示圖(第I部分)；圖5A到圖是示出應(yīng)用本發(fā)明實施方式的有機(jī)EL顯示裝置的基本電路操作的示圖(第2部分)；圖6A是示出驅(qū)動晶體管閾值電壓的變化導(dǎo)致的問題的示圖，圖6B是示出驅(qū)動晶體管的遷移率的變化導(dǎo)致的問題的示圖；圖7是示出采用選擇器驅(qū)動方式的信號輸出電路的配置的一個實例的電路圖；圖8是示出采用使用晶體管作為開關(guān)元件的選擇器驅(qū)動方式的信號輸出電路的實例的電路圖；圖9示出選擇晶體管的柵極輸入波形根據(jù)與驅(qū)動器的距離而不同；圖10示出根據(jù)與驅(qū)動器的距離而不同的耦合量所導(dǎo)致的顯示圖像的亮度非均勻性；圖11不出第一實施方式,其中,本發(fā)明被應(yīng)用于選擇器驅(qū)動方式的信號輸出電路的選擇晶體管；圖12A到圖12C是示出電容耦合的示意圖；圖13A和圖13B示出控制線的配線電阻和配線電容與選擇晶體管的柵極輸入波形之間的關(guān)系；圖14是示出關(guān)于選擇晶體管的柵極電壓的模擬結(jié)果的示圖；圖15是示出關(guān)于選擇晶體管的源極電壓的模擬結(jié)果的示圖；圖16是示出選擇晶體管的柵極波形的瞬態(tài)響應(yīng)與選擇晶體管的源極電壓之間的關(guān)系的不圖；圖17是示出選擇晶體管的柵極波形的瞬態(tài)響應(yīng)與選擇晶體管的柵源間寄生電容之間的關(guān)系的示圖；圖18是示出距離驅(qū)動器的配線距離與柵源重疊面積之間的關(guān)系的示圖；圖19示出寫入晶體管的寄生電容引起的電容耦合所導(dǎo)致的失效；圖20是示出驅(qū)動晶體管的柵極電位的變化的時序波形圖的示圖，該變化由電容奉禹合引起；圖21示出第二實施方式，其中，本發(fā)明應(yīng)用于像素中的寫入晶體管；圖22是示出應(yīng)用本發(fā)明實施方式的電視機(jī)的外觀的斜視圖；圖23A和圖23B分別是示出應(yīng)用本發(fā)明實施方式的數(shù)碼相機(jī)的外觀的前視圖和后視圖；圖24是示出應(yīng)用本發(fā)明實施方式的筆記本個人計算機(jī)的外觀的斜視圖；圖25是示出應(yīng)用本發(fā)明實施方式的攝像機(jī)的外觀的斜視圖；以及圖26A到圖26G是應(yīng)用本發(fā)明實施方式的移動電話的外觀圖，圖26A是移動電話在其打開時的前視圖，圖26B是其側(cè)視圖，圖26C在移動電話被關(guān)閉時的前視圖，圖26D是其左側(cè)視圖，圖26E是其右側(cè)視圖，圖26F是其頂視圖，并且圖26G是其底視圖。
具體實施例方式以下將參考附圖詳細(xì)描述用于實現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)的模式(以下稱為“實施方式”)。描述以如下順序給出I.應(yīng)用本發(fā)明實施方式的有機(jī)EL顯示裝置1-1.系統(tǒng)配置1-2.基本電路操作1-3.選擇器驅(qū)動方式1-4.控制線的配線電阻和配線電容所導(dǎo)致的失效2.實施方式2-1.第一實施方式(選擇晶體管的實例)2-2.第二實施方式(寫入晶體管的實例)3.應(yīng)用實例4.電子設(shè)備5.本發(fā)明的配置〈I.應(yīng)用本發(fā)明實施方式的有機(jī)EL顯示裝置>[1-1.系統(tǒng)配置]圖I是示出應(yīng)用本發(fā)明實施方式的有源矩陣顯示裝置的基本配置的概況的系統(tǒng)框圖。在有源矩陣有機(jī)顯示裝置中，被設(shè)置在與其中設(shè)置有電光元件的像素相同的像素內(nèi)的有源元件(例如絕緣柵場效應(yīng)晶體管)控制有機(jī)EL元件中的電流流動。通常由TFT (薄膜晶體管)來實現(xiàn)絕緣柵場效應(yīng)晶體管。將對有源矩陣有機(jī)EL顯示裝置的實例給出描述，在該顯示裝置中，發(fā)光亮度根據(jù)流經(jīng)裝置的電流的值而變化的電流驅(qū)動型電光元件(例如有機(jī)EL元件)被用作像素(像素電路)的發(fā)光元件。如圖I所示，根據(jù)本應(yīng)用實例的有機(jī)EL顯示裝置10包括像素20，其包括有機(jī)EL元件；像素陣列部30，像素20以二維矩陣形式布置在其中；驅(qū)動電路部，設(shè)置在像素陣列部30附近。驅(qū)動電路部包括寫掃描電路40、供電掃描電路50、信號輸出電路60等，以驅(qū)動像素陣列部30中的像素20。
當(dāng)有機(jī)EL顯示裝置10是彩色顯示裝置時，用作形成彩色圖像的單位的單個像素(單位像素)由多個子像素構(gòu)成，其對應(yīng)于圖I所示的像素20。更具體地，在彩色顯示裝置中，一個像素由三個子像素構(gòu)成，例如，發(fā)紅(R)光的子像素、發(fā)綠(G)光的子像素和發(fā)藍(lán)(B)光的子像素。然而，一個像素并不限于具有包括RGB的三原色的子像素的組合。即，其他顏色的一個子像素或其他顏色的多個子像素也可被添加到三原色子像素中，從而構(gòu)成單個像素。更具體地，例如，為了改進(jìn)亮度，可以添加發(fā)白(W)光的子像素以構(gòu)成單個像素，或者，為了增加顏色再現(xiàn)范圍，可以添加發(fā)補充顏色的至少一個子像素以構(gòu)成單個像素。
對于像素陣列部30中配置為m行Xn列的像素20，掃描線31 Ul1到31m)和供電線32 (32!到32J，沿著行方向(B卩，像素行中的像素20的排列方向上)被布線在相應(yīng)像素行中。此外，對于配置為m行Xn列的像素20，信號線33 (33i到33n)沿著列方向(SP，像素列中的像素20的排列方向)被布線在相應(yīng)像素列中。掃描線到31m連接到寫掃描電路40的相應(yīng)行輸出端。供電線32i到32m連接到供電掃描電路50的相應(yīng)行輸出端。信號線33i到33n連接到信號輸出電路60的相應(yīng)列輸出端。總體上，像素陣列部30被設(shè)置在諸如玻璃基板的透明絕緣基板上。因此，有機(jī)EL顯示裝置10具有平板結(jié)構(gòu)。像素陣列部30中的像素20的驅(qū)動電路可以使用非晶硅TFT或低溫多晶硅TFT制造。如圖I所示，在使用低溫多晶硅TFT時，寫掃描電路40、供電掃描電路50以及信號輸出電路60也可被設(shè)置在包括在像素陣列部30中的顯示面板(基板)70上。寫掃描電路40包括移位寄存器電路等，移位寄存器電路以與時鐘脈沖Ck同步的方式順序地轉(zhuǎn)移(傳輸)起始脈沖sp。在視頻信號的信號電壓寫入像素陣列部30的像素20期間，寫掃描電路40順序地提供寫掃描信號WS (WS1到WSm)至相應(yīng)掃描線31 (31!到31m)，從而順序地逐行掃描(即，線順序掃描)像素陣列部30中的像素20。供電掃描電路50包括移位寄存器電路等，移位寄存器電路以與時鐘脈沖Ck同步的方式順序地轉(zhuǎn)移起始脈沖sp。與寫掃描電路40執(zhí)行的線順序掃描同步，供電掃描電路50提供供電電位DS (DS1到DSm)到相應(yīng)供電線32 (32i到32m)。每個供電電位DS能夠在第一供電電位Vcxp和低于第一供電電位Vrap的第二供電電位Vini之間轉(zhuǎn)換。通過供電電位DS在供電電位Veep和供電電位Vini之間的轉(zhuǎn)換，控制像素20的發(fā)光和不發(fā)光。信號輸出電路60選擇性地輸出視頻信號的信號電壓Vsig和參考電壓Vtjfs,其中，Vsig與來自信號源(未示出)的亮度信息相對應(yīng)。參考電壓Vtjfs用作視頻信號的信號電壓Vsig的參考電位(例如，對應(yīng)于視頻信號的黑色電平的電壓)，并且用于閾值校正處理(稍后描述)。對于通過寫掃描電路40的掃描而選擇的各像素行，選擇性地從信號輸出電路60輸出的信號電壓Vsig和參考電位Vtjfs通過信號線33 (33!到33n)被寫入像素陣列部30中的相應(yīng)像素20。即，信號輸出電路60具有用于逐行(或逐線)寫入信號電壓Vsig的線順序?qū)懭腧?qū)動方式。(像素電路)圖2是示出一個像素(像素電路)20的具體電路構(gòu)成的一個實例的電路圖。像素20具有包括有機(jī)EL元件21 (其為電流驅(qū)動型電光元件)的發(fā)光部。有機(jī)EL元件21的發(fā)光亮度根據(jù)流經(jīng)裝置的電流的值變化。如圖2所示，像素20除了包括有機(jī)EL元件21之外，還包括驅(qū)動電路，用于向有機(jī)EL元件21提供電流從而驅(qū)動有機(jī)EL元件21。有機(jī)EL元件21具有連接至公共供電線34的陰極(cathode)電極，該公共供電線34連接至所有像素20 (此配線可被稱為“公共配線”)。用于驅(qū)動有機(jī)EL元件21的驅(qū)動電路具有驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23、存儲電容器24和輔助電容器25。驅(qū)動晶體管22和寫入晶體管23可以由η溝道TFT實現(xiàn)。然而，驅(qū)動晶體管22和寫入晶體管23的導(dǎo)電類型的示例性組合僅是一個實例，并且其導(dǎo)電類型的組合不限于此。此外，晶體管、存儲電容器、有機(jī)EL裝置等的配線連接關(guān)系不限于所公開的關(guān)系。驅(qū)動晶體管22的第一電極(源/漏電極)連接至有機(jī)EL元件21的陽極，驅(qū)動晶體管22的第二電極(源/漏電極)連接至供電線32 (32!到32π)中的相應(yīng)一個。寫入晶體管23的第一電極(源/漏電極)連接到信號線33 (33!到33η)中的相應(yīng)一個，寫入晶體管23的第二電極(源/漏電極)連接到驅(qū)動晶體管22的柵電極。寫入晶體管23的柵電極連接到掃描線31 (31!到31m)中的相應(yīng)一個。驅(qū)動晶體管22和寫入晶體管23的表述“第一電極”表示電連接至源/漏區(qū)的金屬配線，并且表述“第二電極”表示電連接至漏/源區(qū)的金屬配線。根據(jù)第一電極和第二電極之間的電位關(guān)系，第一電極用作源電極或漏電極，或第二電極用作漏電極或源電極。存儲電容器24的第一電極連接至驅(qū)動晶體管22的柵電極，存儲電容器24的第二電極連接至驅(qū)動晶體管22的第一電極以及有機(jī)EL元件21的陽極。輔助電容器25的第一電極連接至有機(jī)EL元件21的陽極，且輔助電容器25的第二電極連接至公共供電線34。可適當(dāng)?shù)卦O(shè)置輔助電容器25，以補償有機(jī)EL元件21的電容量的不足，并且提高關(guān)于存儲電容器24的視頻信號寫入增益。即，輔助電容器25是任意元件，并且當(dāng)有機(jī)EL元件21的等效電容足夠大時可以被消除。在該情況下，雖然輔助電容器25的第二電極連接至公共供電線34，輔助電容器25的第二電極可以連接至固定電位節(jié)點，而不是公共供電線34。輔助電容器25的第二電極和固定電位節(jié)點的連接使得能夠補償有機(jī)EL元件21的電容量的不足，并且使得能夠?qū)崿F(xiàn)關(guān)于存儲電容器24的視頻信號的寫入增益的提高。響應(yīng)于通過掃描線31從寫掃描電路40提供至寫入晶體管23的柵電極的高(即，有效)寫掃描信號WS，具有上述配置的像素20中的寫入晶體管23進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。然后寫入晶體管23采樣視頻信號的信號電壓Vsig (對應(yīng)于亮度信息)或者從信號輸出電路60通過信號線33提供的參考電位Vtjfs并將所采樣的信號電壓Vsig或參考電壓Vtjfs寫入像素20。寫入的信號電壓Vsig或參考電壓Vtjfs被施加至驅(qū)動晶體管22的柵電極并且還由存儲電容器24存儲。當(dāng)供電線32 (32!到32J中的相應(yīng)一個的供電電位DS是第一供電電位Vcxp時，驅(qū)動晶體管22操作在飽和區(qū)，其第一電極用作漏電極，第二電極用作源電極。從而，響應(yīng)于從 供電線32提供的電流，驅(qū)動晶體管22通過向其提供驅(qū)動電流來驅(qū)動有機(jī)EL元件21發(fā)光。更具體地，通過在飽和區(qū)中的操作，驅(qū)動晶體管22向有機(jī)EL元件21提供驅(qū)動電流，該驅(qū)動電流具有與由存儲電容器24存儲的信號電壓Vsig的電壓值相對應(yīng)的電流值。驅(qū)動電流使有機(jī)EL元件21被驅(qū)動以發(fā)光。當(dāng)供電電位DS從第一供電電位Vcxp轉(zhuǎn)換至第二供電電位Vini，驅(qū)動晶體管22操作為開關(guān)晶體管，其第一電極用作源電極，其第二電極用作漏電極。通過開關(guān)操作，驅(qū)動晶體管22停止向有機(jī)EL元件21提供驅(qū)動電流，從而使有機(jī)EL元件21進(jìn)入不發(fā)光狀態(tài)。即，驅(qū)動晶體管22還具有用于控制有機(jī)EL元件21發(fā)光和 不發(fā)光的晶體管的功能。驅(qū)動晶體管22執(zhí)行開關(guān)操作以提供一時間段(不發(fā)光期)，在該時間段中，有機(jī)EL元件21不發(fā)光，從而使得能夠控制有機(jī)EL元件21的發(fā)光期和不發(fā)光期的比例(占空比)。通過占空比控制，能夠減少在整個一個顯示幀期間像素20的發(fā)光中包含的殘像。從而，特別是，移動圖像的圖像質(zhì)量進(jìn)一步提高。在由供電掃描電路50通過供電線32選擇性地提供的第一和第二供電電壓Vcxp和Vini中，第一供電電位Vcxp是用于向驅(qū)動晶體管22提供用于驅(qū)動有機(jī)EL元件21發(fā)光的驅(qū)動電流的供電電位。第二供電電位Vini是用于反向偏置有機(jī)EL元件21的供電電位。第二供電電位Vini被設(shè)定為低于參考電壓V&。例如，第二供電電位Vini被設(shè)定為低于Vtxfs-Vth的電位，優(yōu)選地，設(shè)定為一個充分低于Vtjfs-Vth的電位,其中Vth表不驅(qū)動晶體管22的閾值電壓。[1-2.基本電路操作]接下來，將參考圖3示出的時序波形圖和圖4A至圖示出的操作圖，描述具有上述配置的有機(jī)EL顯示裝置10的基本電路操作。在圖4A至圖示出的操作圖中，寫入晶體管23由開關(guān)符號代表，以簡化說明。圖3的時序波形圖示出掃描線31的電位(寫掃描信號)WS的變化、供電線32的電位(供電電位)DS的變化、信號線33的電位(Vsig/Xfs)的變化、以及驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg和源極電位Vs的變化。(前一顯示幀的發(fā)光期)在圖3的時序波形圖中，時間til之前的時間段是先前顯示幀的有機(jī)EL元件21的發(fā)光期。在先前顯示幀的發(fā)光期中，供電線32的電位DS處在第一供電電位(以下簡稱為“高電位”)Vccp,并且寫入晶體管23處于非導(dǎo)通狀態(tài)。驅(qū)動晶體管22被設(shè)計為使得此時其在飽和區(qū)中操作。因此，如圖4A所示，與驅(qū)動晶體管22的柵源電壓Vgs相應(yīng)的驅(qū)動電流(漏源電流)Ids通過驅(qū)動晶體管22從供電線32提供到有機(jī)EL元件21。因此，有機(jī)EL元件21發(fā)出亮度與驅(qū)動電流Ids的電流值相應(yīng)的光。(閾值校正準(zhǔn)備期)在時間tll，操作進(jìn)入新的顯示幀(當(dāng)前顯示幀)以執(zhí)行線順序掃描。如圖4B所示，供電線32的電位DS從高電位Vcxp轉(zhuǎn)換到第二供電電位(以下簡稱為“低電位”)Vini，其相對于信號線33的參考電位Vtjfs,充分地低于Vtjfs-Vthtl設(shè)Vthel是有機(jī)EL元件21的閾值電壓，Veath是公共供電線34的電位(陰極電位)。在該情況下，當(dāng)假設(shè)低電位Vini滿足Vin^UVcath時，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs基本上等于低電位Vini。結(jié)果，有機(jī)EL元件21被設(shè)為反向偏置狀態(tài)并且停止發(fā)光。接下來，在時間112，掃描線31的電位WS從低電位側(cè)向高電位側(cè)轉(zhuǎn)變，從而寫入晶體管23被設(shè)為導(dǎo)通狀態(tài)，如圖4C所示。此時，因為參考電位Vtjfs由信號輸出電路60提供到信號線33，驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg用作參考電位Nois。驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs等于充分地低于參考電位Vtjfs的電位Vini,即等于低電位Vini。此時，驅(qū)動晶體管22的柵源電壓Vgs等于Vtjfs-Vinitl在該情況下，除非Vtjfs-Vini充分地大于驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth，否則難以執(zhí)行下述的閾值校正處理。因此，執(zhí)行設(shè)定以滿足由Vtjfs-ViniMth表達(dá)的電位關(guān)系。將驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg固定(設(shè)定)為參考電位Vtjfs,并將源極電位Vs固定為低電位Vini的初始化處理是下述的閾值校正處理(閾值校正操作)實施之前的用于準(zhǔn)備的處理(閾值校正準(zhǔn)備)。這樣，參考電位Vtjfs和低電位Vini用作用于驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg和源極電位Vs的初始化電位。(閾值校正期)接下來，在時間tl3，供電線32的電位DS從低電位Vini轉(zhuǎn)換到高電位Vcxp，如圖4D所示，并且在驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg維持在參考電壓Vtjfs時開始閾值校正處理。即， 驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs開始朝著通過從柵極電位Vg減去驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth而獲得的電位增加。在此，為便于說明，以驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg的初始化電位Vtjfs為基準(zhǔn)、朝著通過從初始化電位Vtjfs減去驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth所獲得的電位來改變源極電位Vs的處理被稱為“閾值校正處理”。在閾值校正處理進(jìn)行時，驅(qū)動晶體管22的柵源電壓Vgs最終安定在驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth。與閾值電壓Vth相應(yīng)的電壓由存儲電容器24存儲。在執(zhí)行閾值校正處理的時間段中(即，在閾值校正期中)，公共供電線34的電位Vcath被設(shè)定為使得有機(jī)EL元件21被置為截止?fàn)顟B(tài)，以使電流流入存儲電容器24，并防止電流流入有機(jī)EL元件21。接下來，在時間tl4，掃描線31的電位WS向低電位側(cè)轉(zhuǎn)變，從而寫入晶體管23被置為非導(dǎo)通狀態(tài)，如圖5A所示。此時，驅(qū)動晶體管22的柵電極與信號線33電性斷開，從而驅(qū)動晶體管22的柵電極進(jìn)入浮置狀態(tài)。然而，因為柵源電壓Vgs等于驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth，驅(qū)動晶體管22處于截止?fàn)顟B(tài)。因此，幾乎沒有漏源電流Ids流入驅(qū)動晶體管22。(信號寫入和遷移率校正期)接下來，在時間tl5，如圖5B所示，信號線33的電位從參考電位Vtjfs切換為視頻信號的信號電壓Vsig。隨后，在時間tl6，掃描線31的電位WS轉(zhuǎn)變到高電位側(cè)，從而寫入晶體管23進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，如圖5C所示，以采樣視頻信號的信號電壓Vsig,并將信號電壓Vsig寫入像素20。在寫入晶體管23寫入信號電壓Vsig時，驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg變得等于信號電壓Vsig。當(dāng)驅(qū)動晶體管22被視頻信號的信號電壓Vsig驅(qū)動時，驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth被與存儲電容器24存儲的閾值電壓Vth相應(yīng)的電壓所抵消。閾值消除原理的詳情稍后說明。此時，有機(jī)EL元件21處于截止?fàn)顟B(tài)(高阻抗?fàn)顟B(tài))。這樣，根據(jù)視頻信號的信號電壓Vsig、從供電線32流入驅(qū)動晶體管22的電流(漏源電流Ids)流入有機(jī)EL元件21的等效電容器和輔助電容器25。結(jié)果，有機(jī)EL元件21的等效電容器和輔助電容器25開始充電。作為有機(jī)EL元件21的等效電容器以及輔助電容器25充電的結(jié)果，在一段時間內(nèi)，驅(qū)動晶體管22源極電位Vs增加。因為像素的驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth的差異此時已經(jīng)被消除，因此驅(qū)動晶體管22的漏源電流Ids依賴于驅(qū)動晶體管22的遷移率μ。驅(qū)動晶體管22的遷移率μ表示包括在驅(qū)動晶體管22的溝道中的半導(dǎo)體薄膜的遷移率。現(xiàn)在假定由存儲電容器24存儲的電壓Vgs和視頻信號的信號電壓Vsig (該比率被稱為“寫入增益G”)的比率是I (理想值)。在該情況下，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs增加到由Hh+ Λ V表達(dá)的電位，從而驅(qū)動晶體管22的柵源電壓Vgs變?yōu)橛蒝sigUVth- Λ V表達(dá)的值。S卩，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs的增加Λ V起作用，使得其被從由存儲電容器24存儲的電壓(Vsig-VtjfJVth)中減去，即，使得存儲電容器24中的電荷被釋放。換句話說，與源極電位Vs的增加Λ V相應(yīng)的負(fù)反饋被施加于存儲電容器24。這樣，源極電位Vs的增加AV對應(yīng)于負(fù)反饋的量。當(dāng)具有與流入驅(qū)動晶體管22的漏源電流Ids相對應(yīng)的負(fù)反饋量△ V的負(fù)反饋被以上述方式施加上述的柵源電壓Vgs時，能夠消除驅(qū)動晶體管22的漏源電流Ids對遷移率μ 的依賴。這個用于消除對遷移率μ的依賴的處理是用于校正各像素的驅(qū)動晶體管22的遷移率μ的差異的遷移率校正處理。更具體地，寫入驅(qū)動晶體管22的柵電極的視頻信號的信號幅度Vin (=Vsig-Vtjfs)越高，漏源電流Ids越大。這樣，負(fù)反饋量AV的絕對值也增加。相應(yīng)地，遷移率校正處理根據(jù)發(fā)光亮度水平而執(zhí)行。當(dāng)視頻信號的信號幅度Vin恒定時，隨著驅(qū)動晶體管22的遷移率μ增加，負(fù)反饋量AV的絕對值增加。因此，各像素的遷移率μ的差異能夠被減小或消除。即，負(fù)反饋量Δ V也可被稱為“遷移率校正處理的校正量”。遷移率校正原理的詳情稍后說明。(發(fā)光期)接下來，在時間tl7，掃描線31的電位WS轉(zhuǎn)變到低電位側(cè)，從而寫入晶體管23被置為非導(dǎo)通狀態(tài)，如圖所示。因此，驅(qū)動晶體管22的柵電極與信號線33電性斷開，從而驅(qū)動晶體管22的柵電極進(jìn)入浮置狀態(tài)。在該情況下，在驅(qū)動晶體管22的柵電極處于浮置狀態(tài)時，因為存儲電容器24被連接在驅(qū)動晶體管22的柵極和源極之間，因此跟隨驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs的變化，柵極電位Vg也發(fā)生變化。跟隨源極電位Vs的變化驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg也發(fā)生變化的這樣的操作，即，當(dāng)存儲電容器24中存儲的柵源電壓Vgs被維持時柵極電位Vg和源極電位Vs增加的操作，在這里被稱為“自舉操作”。驅(qū)動晶體管22的柵電極進(jìn)入浮置狀態(tài)的同時，驅(qū)動晶體管22的漏源電流Ids開始流入有機(jī)EL元件21，從而有機(jī)EL元件21的陽極電位響應(yīng)于漏源電流Ids而增加。當(dāng)有機(jī)EL元件21的陽極電位超過Vthel+Veath時，驅(qū)動電流開始流入有機(jī)EL元件21，從而使有機(jī)EL元件21開始發(fā)光。有機(jī)EL元件21的陽極電位的增加是因為驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs的增加。當(dāng)驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs增加時，存儲電容器24的自舉操作使驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg跟隨源極電位Vs而增加。在自舉的增益假定為I (理想值)時，柵極電位Vg的增加量等于源極電位Vs的增加量。因此，在發(fā)光期，驅(qū)動晶體管22的柵源電壓Vgs維持在恒定值VsigUVth-Λ V。在時間tl8，信號線33的電位從視頻信號的信號電壓Vsig轉(zhuǎn)換到參考電壓Vofs。在上述的一系列電路操作中，閾值校正準(zhǔn)備、閾值校正、信號電壓Vsig的寫入(信號寫入)，以及遷移率校正的處理操作在一個水平掃描周期(IH)內(nèi)執(zhí)行。信號寫入和遷移率校正的處理操作在從時間tl6到時間tl7的時間段中并行地執(zhí)行。[分段閾值校正]盡管以上描述給出了使用僅執(zhí)行一次閾值校正處理的驅(qū)動方法的實例，但是該驅(qū)動方法僅是一個實例，并且不限于此。例如，也可采用用于執(zhí)行所謂的“分段閾值校正”的驅(qū)動方法。在分段閾值校正中，除了結(jié)合遷移率校正和信號寫入處理來執(zhí)行閾值校正處理的IH周期之外，在IH周期之前，在多個水平掃描周期中以分段(分割)的方式多次執(zhí)行閾值校正處理。利用分段閾值校正的驅(qū)動方法，即使當(dāng)分配給一個水平掃描周期的時間由于用于更高分辨率的像素的數(shù)量增加而降低時，在多個掃描周期中也能夠確保足夠的時間量用于·閾值校正期。因此，因為即使當(dāng)被分配給一個水平掃描周期的時間縮短時，也確保了足夠的時間量作為閾值校正期，所以能夠可靠地執(zhí)行閾值校正處理。[閾值消除原理]現(xiàn)在將說明驅(qū)動晶體管22的閾值消除(即，閾值校正)的原理。因為驅(qū)動晶體管22被設(shè)計為在飽和區(qū)中操作，因此其可操作為恒定電流源。結(jié)果，一定量的漏源電流(驅(qū)動電流)Ids從驅(qū)動晶體管22流入有機(jī)EL元件21，并由下式給出Ids= (1/2) · μ (ff/L)Cox(Vgs-Vth)2 (I)其中，w表示驅(qū)動晶體管22的溝道寬度，L表示溝道長度，且Cm表示每單位面積的柵電容。圖6Α是示出驅(qū)動晶體管22的漏源電流Ids和柵源電壓Vgs之間的關(guān)系的特性的圖。如圖6Α所示，如果沒有對各像素中的驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth的差異執(zhí)行消除處理(校正處理)，則當(dāng)閾值電壓Vth是Vthl時，相應(yīng)于柵源電壓Vgs的漏源電流Ids成為Idsl。相比之下，當(dāng)閾值電壓Vth是Vth2 (Vth2>Vthl)時，相應(yīng)于同一柵源電壓Vgs的漏源電流Ids成為Ids2(Ids2〈Idsl)。即，在驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth變化時，即使在柵源電壓Vgs不變時，漏源電流Ids也是發(fā)生變化的。另一方面，如上所述，在具有上述配置的像素(像素電路)20中，發(fā)光期間的驅(qū)動晶體管22的柵源電壓Vgs被表達(dá)為Vsig-Vtjf^Vth-AVt5這樣，將此表達(dá)式代入上述等式(I )，獲得由下式給出的漏源電流Ids:Ids= (1/2) · μ (ff/L)Cox(Vsig-Vofs-AV)2 (2)S卩，驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth的項被消除，從而從驅(qū)動晶體管22提供到有機(jī)EL元件21的漏源電流Ids不依賴于驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth。結(jié)果，即使當(dāng)各像素的驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth由于在驅(qū)動晶體管22的制造、老化或其他處理中的差異而變化時，漏源電流Ids也是不變的。因此，有機(jī)EL元件21的發(fā)光亮度能夠被維持恒定。[遷移率校正原理]接下來將說明驅(qū)動晶體管22的遷移率校正的原理。圖6B是示出用于比較像素A和像素B的特性曲線的圖，其中，在像素A中，驅(qū)動晶體管22的遷移率μ相對較大；在像素B中，驅(qū)動晶體管22的遷移率μ相對較小。當(dāng)驅(qū)動晶體管22由多晶硅TFT等實現(xiàn)時，像素的遷移率μ會產(chǎn)生差異，如在像素A和B中一樣。對以下實例給出說明當(dāng)像素A和B中的遷移率μ存在差異時，同樣水平的信號幅度Vin (=Vsig-Vtjfs)被寫入像素A和B的驅(qū)動晶體管22的柵電極。在該情況下，如果沒有對遷移率μ實施校正，則在流經(jīng)具有大的遷移率μ的像素A的漏源電流Idsl'和流經(jīng)具有小的遷移率μ的像素B的漏源電流Ids2'之間產(chǎn)生大的差異。當(dāng)由于像素的遷移率μ的差異而導(dǎo)致像素中的漏源電流Ids之間產(chǎn)生大的差異時，畫面的均勻性被削弱。如由上述等式(I)給出的晶體管特性所表明的，漏源電流Ids隨著遷移率μ增加而增加。因此，隨著遷移率μ增加，負(fù)反饋量AV增加。如圖6Β所示，具有大的遷移率μ的像素A的負(fù)反饋量AV1大于具有小的遷移率μ的像素B的負(fù)反饋量AV2。因此，當(dāng)執(zhí)行遷移率校正處理以使得具有與驅(qū)動晶體管22的漏源電流Ids相對應(yīng)的反饋量AV的負(fù)反饋被施加于柵源電壓Vgs，隨著遷移率μ增加，更大負(fù)反饋量被施加。結(jié)果，能夠抑制像素的遷移率μ的差異。 更具體地，當(dāng)在具有大遷移率μ的像素A上執(zhí)行與負(fù)反饋量AV1相應(yīng)的校正時，漏源電流Ids顯著地從Ids/降低到idsl。另一方面，因為具有小遷移率μ的像素B中的反饋量AV2較小，漏源電流IdsWids2'降低到Ids2，并且這個降低的量沒有那么大。結(jié)果，像素A中的漏源電流Idsl和像素B中的漏源電流Ids2變得基本彼此相等，從而像素的遷移率μ的差異被校正。簡言之，當(dāng)像素A和B具有不同的遷移率μ時，具有大遷移率μ的像素A中的反饋量AV1大于具有小遷移率μ的像素B中的反饋量AV2。即，像素的遷移率μ越大，反饋量Λ V越大，漏源電流Ids降低的量也就越大。這樣,將具有與驅(qū)動晶體管22的漏源電流Ids相對應(yīng)的反饋量Δν的負(fù)反饋施加于柵源電壓Vgs，結(jié)果具有不同遷移率μ的像素的漏源電流Ids的電流值變得彼此相等。因此，能夠校正像素的遷移率μ的差異。即，遷移率校正處理是這樣的處理將具有與流入驅(qū)動晶體管22的電流(漏源電流Ids)相對應(yīng)的反饋量(校正量)AV的負(fù)反饋施加于驅(qū)動晶體管22的柵源電壓Vgs，即存儲電容器24。在本發(fā)明中可執(zhí)行也可不執(zhí)行上述閾值校正和遷移率校正操作，并且上述各種校正、發(fā)光等不限于這些操作和時序。[1-3.選擇器驅(qū)動方式]返回參照圖1，在顯示面板70的外部設(shè)置信號源，例如數(shù)據(jù)驅(qū)動器，以選擇性地將視頻信號的信號電壓Vsig和用于閾值校正處理的參考電壓Vtjfs提供給顯示面板70的信號輸出電路60。現(xiàn)在，為了容易理解，將對信號輸出電路60被提供視頻信號的信號電壓Vsig作為顯示信號的情況下的信號輸出電路60進(jìn)行說明。信號輸出電路60采用選擇器驅(qū)動方式，以減少數(shù)據(jù)驅(qū)動器的輸出的數(shù)量(輸出端的數(shù)量)。選擇器驅(qū)動方式是這樣的系統(tǒng)，其中，顯示面板70上的信號線33i到33n以多條信號線為單元(組)被分配到數(shù)據(jù)驅(qū)動器的一個輸出，并且以時間順序從數(shù)據(jù)驅(qū)動器輸出的信號電壓Vsig被以時間劃分的方式(分時方式)分配到該單元的信號線。通常，數(shù)據(jù)驅(qū)動器的輸出的數(shù)量和顯示面板70上的信號線33i到33n的數(shù)量被設(shè)定為彼此相等，并且數(shù)據(jù)驅(qū)動器的輸出端和顯示面板70上的信號線33i到33n—對一連接。然而，利用此配置，由于使用數(shù)據(jù)驅(qū)動器的η個輸出、在數(shù)據(jù)驅(qū)動器的輸出端和顯示面板70之間提供電連接的η條配線，并且在顯示面板70側(cè)也設(shè)置η個端子，因此整個系統(tǒng)的配置是復(fù)雜的。相比之下，選擇器驅(qū)動方式被用于信號輸出電路60，并且數(shù)據(jù)驅(qū)動器的輸出和顯示面板70上的信號線33i到33n被設(shè)定為一對X的對應(yīng)關(guān)系(X是大于等于2的整數(shù))。從數(shù)據(jù)驅(qū)動器的一個輸出端子以時間順序輸出的信號電壓Vsig被以分時方式分配給X條信號線(該X條信號線被分配給該輸出端子)。利用此選擇器驅(qū)動方式，數(shù)據(jù)驅(qū)動器的輸出的數(shù)量、數(shù)據(jù)驅(qū)動器和顯示面板70之間的配線的數(shù)量、以及顯示面板70側(cè)的端子的數(shù)量可以降低到η條信號線33i到33n的1/x。例如，對于三個子像素(B卩，R (紅色)、G (綠色)和B (藍(lán)色)像素)構(gòu)成用作彩色圖像單位的一個單位像素的彩色有機(jī)EL顯示裝置，作為用于采用選擇器驅(qū)動方式的單元的信號線的數(shù)量“X”、即時間劃分的數(shù)量X優(yōu)選被設(shè)定為3 (即x=3)或3的倍數(shù)。圖7是示出采用選擇器驅(qū)動方式的信號輸出電路60的配置的一個實例的電路圖。為了簡化說明，以實例的方式示出了 5行12列的像素陣列。此實例也對應(yīng)于對于三個子像 素(R、G和B子像素)時間劃分的數(shù)量X是3的情況(即x=3)。如圖7所不，信號輸出電路60包括選擇器電路驅(qū)動器62,各選擇器電路分別被設(shè)置用于R、G和B子像素的三個像素列的相應(yīng)單元，驅(qū)動器62用于驅(qū)動選擇器電路61^61^61^614"%各選擇器電路包括與R、G和B子像素相對應(yīng)的三個開關(guān)元件SWK、SWg和SWB。數(shù)據(jù)驅(qū)動器80被設(shè)置在顯示面板70的外部，以用作信號源。時間序列信號SIG被從數(shù)據(jù)驅(qū)動器80輸入到選擇器電路。更具體地,時間序列信號SIG(1K/K；/1B)被輸入到選擇器電路61^,且時間序列信號SIG (；ER/2(；/ao被輸入到選擇器電路612。時間序列信號SIG
(3E/3G/3B) 被輸入到選擇器電路613，時間序列信號SIG
(4E/4G/4B) 被輸入到選擇器電路
614。與各自的顏色對應(yīng)的選擇信號SELK、SELg和SELb被從驅(qū)動器62通過控制線63κ、63e、和63b提供到選擇器電路以作為三個開關(guān)元件SWK、SWe和SWb的驅(qū)動信號。從驅(qū)動器62按照R、G和B次序一像素行一像素行(逐行)地順序輸出選擇信號SELK、SELg 和 SELb。首先，對于第I行，選擇信號SELk從驅(qū)動器62輸出到選擇器電路61^61^61^61^結(jié)果，開關(guān)元件SWk導(dǎo)通，使得時間序列信號的R信號SIG (m、SIG (2K)、SIG (3E)>SIG (4e)…被選擇并且被寫入R像素列中的信號線33^33^33^33^…。接下來，從驅(qū)動器62輸出選擇信號SELe以導(dǎo)通開關(guān)元件SWe，使得G信號SIG (ie)、SIG (2e)、SIG (3G)> SIG (4G)…被選擇并且被寫入G像素列中的信號線332、335、338、33n…。接下來,選擇信號SELb從驅(qū)動器62輸出，以導(dǎo)通開關(guān)兀件SWb,使得B信號SIG(1B)、SIG (2B)、SIG (3B)、SIG (4B)…被選擇并且被寫入B像素列中的信號線333、336、339、3312…。此后，執(zhí)行類似于第I行的處理，以時間劃分方式，將時間序列信號SIG (1E/1G/1B), SIG (2E/2G/2B),SIG (3E/3G/3B)>SIG (4E/4G/4B)----像素行一像素行地(逐行)分配到用于R、G和B的三條信號線。盡管上述信號輸出電路60具有被設(shè)置在顯不面板70的一側(cè)的驅(qū)動器62驅(qū)動選擇器電路611、612、613、614*“中的開關(guān)兀件511(、51(；和SWb的配置方式,但配置方式不限于此。例如，考慮到控制線63K、63e和63b等導(dǎo)致的傳播延遲，信號輸出電路60也可以具有驅(qū)動器62被設(shè)置在顯示面板70的相對兩側(cè)的配置方式，從而從顯示面板70的相對兩側(cè)來驅(qū)動開關(guān)元件SWK、SWg和SWB。顯示面板70的“一側(cè)”和“相對兩側(cè)”的表達(dá)也分別對應(yīng)于像素陣列部30的一側(cè)和相對兩側(cè)，并且也分別對應(yīng)于選擇器電路所排列的方向上的一側(cè)和相對兩側(cè)。在采用上述選擇器驅(qū)動方式的信號輸出電路60中，晶體管可被典型地用作選擇器電路Gl1Al2Al3Alf中所包括的開關(guān)元件SWK、SW<^P SWB。圖8示出使用晶體管作為開關(guān)元件SWK、SWg和SWb的信號輸出電路60的實例。為了簡化說明，圖8示出當(dāng)從開關(guān)元件SW10SWt^P SWb所排列的方向上的相對兩側(cè)來驅(qū)動這些開關(guān)元件時，相對兩端部和中部處的關(guān)于R開關(guān)元件SWk的三個晶體管。盡管各開關(guān)元件SWK、SffG, SWb由η溝道晶體管實現(xiàn)，但晶體管類型不限于此。例如，各開關(guān)元件SWK、SWg和SWb可以由P溝道晶體管實現(xiàn)，或者可以由并聯(lián)的η溝道晶體管和ρ溝道晶體管構(gòu)成的轉(zhuǎn)換開關(guān)實現(xiàn)。如圖8所示，驅(qū)動器62α和62β被設(shè)置在像素陣列部30的相對兩側(cè)，控制線63κ被布線在驅(qū)動器62α和62β之間，以傳輸選擇信號(驅(qū)動信號)SELK。選擇晶體管64沿著控制 線6 延伸的方向排列。選擇晶體管64的柵電極連接到控制線63κ。在此實例中，因為時間劃分的數(shù)量X是3，因此對于η個水平像素設(shè)置y個選擇晶體管61到64y(y=n/3)，以作為R選擇晶體管64。圖8示出y個選擇晶體管64到64y中的位于相對兩端部的選擇晶體管6七和64y以及中部的選擇晶體管64i (I=y/2)。下文中，各選擇晶體管64^61和64y中所包括的連接到相應(yīng)信號線33的一個源/漏極被稱為“源極”，并且被輸入時間序列信號SIG(1K/iK/yK)中的相應(yīng)一個的另一源/漏極被稱為“漏極”。[1-4.由控制線的配線電阻和配線電容所引起的失效]如在上述選擇器驅(qū)動方式的信號輸出電路60的情況下，利用通過控制線提供的驅(qū)動信號來驅(qū)動沿著控制線延伸方向布置的晶體管時，控制線的配線電阻和配線電容引起如下所述的失效。結(jié)合圖8所示的選擇器驅(qū)動方式的信號輸出電路60的情況下的實例，對失效說明如下。通過控制線63κ傳輸從驅(qū)動器62α和62Β輸出的驅(qū)動信號，即選擇信號SELk,控制線6 具有配線電阻和配線電容。配線電阻和配線電容的存在使得施加于選擇晶體管61到64y的柵電極的選擇信號SELk的波形在接近驅(qū)動器62a或62B的部分和遠(yuǎn)離62A或62B部分之間存在不同，即，依賴于驅(qū)動器62a和62b與選擇晶體管61到64y的距離而不同。在圖8所示的相對兩側(cè)驅(qū)動方式的情況下，像素陣列部30的相對兩端部處的選擇晶體管61和64y是最近的部分，并且中部的選擇晶體管64是最遠(yuǎn)的部分。在該情況下，從驅(qū)動器62a和62b輸出的選擇信號SELk被假定具有矩形波形。在該情況下，選擇晶體管61和64y的柵極輸入波形是矩形波形，而中部的選擇晶體管61的柵極輸入波形由于控制線6 的配線電阻和配線電容的影響而被圓化，即，波形的下降沿變得緩和，如圖9所示。在各選擇晶體管64jlj64d^柵極輸入波形降低時，柵源之間的寄生電容導(dǎo)致的電容耦合使源極電壓下降，即，使信號線33的電位下降。在該情況下，在分別最接近驅(qū)動器62a和62b的選擇晶體管61和64y中，柵極輸入波形未被圓化(即，陡峭)，使得耦合量也增加。另一方面，在距離驅(qū)動器624和62B最遠(yuǎn)的選擇晶體管61中，柵極輸入波形被圓化(即，變得緩和)，使得耦合量降低。
結(jié)果，即使在同樣電平的信號電壓Vsig被寫入所有像素列時，在耦合量大的部分和耦合量小的部分之間也出現(xiàn)亮度差異。更具體地，在耦合量大的部分，信號線33的電位相對于寫入信號電壓Vsig表現(xiàn)出大的電壓下降。因此，如圖10所示，屏幕的相對兩端部處顯示的圖像變暗。另一方面，在耦合量小的部分，信號線33的電位相對于寫入信號電壓Vsig表現(xiàn)出小的電壓下降。因此，屏幕的中部顯示的圖像變亮。S卩，因為選擇晶體管61到64y的柵極輸入波形被控制線6 的配線電阻和配線電容圓化，耦合量根據(jù)選擇晶體管64在控制線6 的延伸方向上的位置而不同。耦合量的差異(控制線6 的延伸方向上的晶體管位置的差異所引起的差異)導(dǎo)致顯示圖像中的亮度不均勻。盡管結(jié)合從驅(qū)動顯示面板70的相對兩側(cè)驅(qū)動選擇晶體管64 (6^到64y)的相對兩側(cè)驅(qū)動方式的信號輸出電路60的實例對控制線的配線電阻和配線電容所引起的失效進(jìn)行了說明，但同樣適用于單側(cè)驅(qū)動方式的信號輸出電路60。 這不僅適用于信號輸出電路60中的選擇晶體管64,而且適用于例如利用從圖I所示的寫掃描電路40輸出的寫掃描信號WS進(jìn)行驅(qū)動的寫入晶體管23。更具體地，因為掃描線31是控制線并且也具有配線電阻和配線電容，因此它們引起寫掃描信號WS的波形的圓化。<2.實施方式〉本發(fā)明的技術(shù)的目的在于與控制線延伸方向上的位置無關(guān)地實現(xiàn)利用從驅(qū)動器輸出的驅(qū)動信號進(jìn)行恒定驅(qū)動。為此，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，沿著控制線的延伸方向布置的晶體管的柵極和的源/漏極之間的寄生電容根據(jù)在控制線的延伸方向上晶體管與驅(qū)動器的距離而變化。在上述選擇器驅(qū)動方式的信號輸出電路60的情況下，驅(qū)動器對應(yīng)于驅(qū)動器62a和62B，來自驅(qū)動器的驅(qū)動信號輸出對應(yīng)于選擇信號SELk，控制線對應(yīng)于控制線63κ。沿著控制線延伸方向布置的晶體管對應(yīng)于選擇晶體管61到64y。一旦提供至各晶體管的柵電極的驅(qū)動信號轉(zhuǎn)變時，柵源之間的寄生電容所引起的電容耦合使源極電壓變化。如從以上說明可知的，此情況下的耦合量依賴于驅(qū)動信號的轉(zhuǎn)變波形以及柵源之間的寄生電容。即，在驅(qū)動信號的轉(zhuǎn)變波形陡峭(即，未被圓化)時，耦合量大，且在轉(zhuǎn)變波形緩和(即，被圓化)時，耦合量小。在柵源之間的寄生電容大時耦合量大，且在寄生電容小時耦合量小。因此，根據(jù)晶體管和驅(qū)動器之間的距離來改變晶體管的柵源之間的寄生電容，使得耦合量基本上相等，而不管在控制線延伸方向上與驅(qū)動器的距離。因為此配置能夠?qū)崿F(xiàn)與控制線延伸方向上的位置無關(guān)地利用從驅(qū)動器輸出的驅(qū)動信號進(jìn)行晶體管的恒定驅(qū)動，因此能夠降低由耦合量差異所導(dǎo)致的亮度非均勻性。以下將描述用于實現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)的具體實施方式
，即第一實施方式和第二實施方式。在第一實施方式中，描述本發(fā)明應(yīng)用于選擇器驅(qū)動方式的信號輸出電路60中的選擇晶體管61到6\的情況，在第二實施方式中，描述本發(fā)明應(yīng)用于像素20中的寫入晶體管23的情況。[2-1.第一實施方式]圖11不出第一實施方式,其中,本發(fā)明應(yīng)用于選擇器驅(qū)動方式的信號輸出電路60中的選擇晶體管6七到64y。信號輸出電路60包括均被設(shè)置用于R、G和B子像素的三個像素列的相應(yīng)單元的選擇器電路61^61^61^61^",以及用于驅(qū)動選擇器電路驅(qū)動器62(如圖7所不)。構(gòu)成選擇器電路61^61^61^61^中的每一個并且與R、G和B子像素相對應(yīng)的開關(guān)元件SWK、SWg和SWb由晶體管實現(xiàn)。圖11示出信號輸出電路60中的相對兩端部和中部的關(guān)于R開關(guān)元件SWk的三個選擇晶體管64p64y和64i,在信號輸出電路60中，驅(qū)動器62A和62B從晶體管布置方向上的相對兩側(cè)驅(qū)動晶體管。選擇晶體管64^61和64y的源極連接到相應(yīng)信號線33，時間序列信號SIG (1K, iK,yl0被輸入到選擇晶體管64^64和64y的漏極。如上所述，在提供至各選擇晶體管61到64y的柵電極的選擇信號SELk的轉(zhuǎn)變期間，即下降期間，柵源之間的寄生電容引起的電容耦合使源極電壓變化。此時的耦合量依賴 于選擇信號SELk的下降沿以及各選擇晶體管61到64y的柵源之間的寄生電容。S卩，在選擇信號SELk的下降沿陡峭(即，不被圓化)時耦合量大，在下降沿緩和(即，被圓化)時耦合量小(見圖12B)。在各選擇晶體管61到64y的柵源之間的寄生電容大時耦合量大，在寄生電容小時耦合量小(見圖12C)。因此，選擇晶體管61到64y的柵源之間的寄生電容根據(jù)晶體管與驅(qū)動器62A和62b中更近者之間的距離而變化，即，根據(jù)在控制線6 上與驅(qū)動器62a或62b之間的配線距離而變化。利用此配置，耦合量能夠基本上相等，而不管在控制線6 延伸方向上與驅(qū)動器62a或62b之間的配線距離。因此，能夠利用從驅(qū)動器62a和62b輸出的選擇信號SELk實現(xiàn)選擇晶體管61到64y的恒定驅(qū)動，而不管控制線6 延伸方向上的晶體管位置。在本實施方式中，作為用于根據(jù)控制線6 上的配線距離來改變選擇晶體管641到6怎的柵源之間的寄生電容的方案，采用根據(jù)配線距離來改變柵電極和源區(qū)彼此重疊的面積(該面積以下簡稱為“柵源重疊面積”)的方案作為實例。更具體地，在圖11的實例中，分別與驅(qū)動器624和62B最近、位于面板的相對兩端部處的選擇晶體管61和64y的柵源重疊面積被最小化。柵源重疊面積的減少提供了相對小的寄生電容。與驅(qū)動器624和6\最遠(yuǎn)的、面板中部處的選擇晶體管61的柵源重疊面積被最大化。柵源重疊面積的增加提供了相對大的寄生電容。為了改變柵源重疊面積，例如，在圖11中，可采用改變柵電極643的尺寸、而固定源區(qū)641和漏區(qū)642的尺寸的方案。更具體地，可通過在溝道長度方向(圖11中的左右方向)上改變柵電極643的寬度而在溝道長度方向上固定源區(qū)641和漏區(qū)642的寬度來實現(xiàn)該方案。從圖11可以看出，相比于面板中部的選擇晶體管61的柵電極643的寬度，面板的相對兩端部處的選擇晶體管64和64y的柵電極643寬度被減小。現(xiàn)在將參照圖12A的示意圖說明各選擇晶體管64 (6^到64y)的柵源之間的寄生電容所引起的電容耦合。在示意圖12A中，選擇晶體管64的柵源之間存在寄生電容C115連接到源極的信號線33具有配線電容C2。當(dāng)施加于選擇晶體管64的選擇信號SEL開始從高電壓HSW_H向低電壓HSW_L下降、由于寄生電容C1導(dǎo)致耦合出現(xiàn)時，信號線33的電位Vsig’的變化由下式給出Vsi； =Vsig- IC1/ (CJC2)} (HSff_H-HSff_L)。
在該情況下，因為選擇晶體管64是在線性區(qū)域，因此電流Ids流至選擇晶體管64。設(shè)Vth是選擇晶體管64的閾值電壓，則此時的電流Ids被以下式給出Ids={(HSff_L-Vsi/ -Vth) (Vsig-Vsi/ )-(1/2) (Vsig-Vsi/ )2}。在該情況下，如圖13A和13B所示，設(shè)X為控制線63 (對應(yīng)于圖11中所示的控制線6 )上的配線距離，設(shè)r為每單位長度的配線電阻，并且設(shè)c為每單位長度的配線電容，則信號線33的配線電阻R由R=rx給出，而配線電容C由C=cx給出。設(shè)Λ ton為選擇晶體管64的柵極電壓下降到截止點(該電壓下降量用AVm表示)所花費的時間，由AtmOcRC給出。因此，滿足Atm=kXx2，其中，k表示比例常數(shù)。一旦電流Ids流至選擇晶體管64，選擇晶體管64的源極電壓被降低由IdsX Δ ton/C2給出的量。此時降低的源極電壓由Vsig"表示。因為在波形不被圓化時，從高電壓HSW_H開始下降到低電壓HSW_L的時間Atm較短，因此該源極電壓Vsig"低于波形被圓化時開始 下降時的源極電壓。隨后，當(dāng)?shù)碗妷篐SW_L繼續(xù)下降時，選擇晶體管64暫時進(jìn)入飽和區(qū)，并且當(dāng)?shù)碗妷篐Sff_L進(jìn)一步繼續(xù)下降時，選擇晶體管64進(jìn)入截止(OFF)區(qū)。當(dāng)選擇晶體管64進(jìn)入OFF區(qū)時，幾乎沒有電流流入選擇晶體管64。因此，由于選擇信號SEL的下降沿的圓化，耦合量幾乎成為相等的。設(shè)選擇晶體管64的導(dǎo)通(ON)電流為1 。導(dǎo)通電流Im由Im - WX μ /L給出，其中，W表示選擇晶體管64的溝道寬度，L表示溝道長度，μ表示遷移率。設(shè)S為柵源重疊面積，選擇晶體管64的源柵之間的寄生電容仏可以被表達(dá)為C1=Ci XS (α表示常數(shù))。利用這些變量，選擇晶體管64的源極電壓的變化量AVs表示為Δ Vs= Δ VonX C1/ (C^C2) -IonX Δ ton/ (C^C2)=AVonX α X S/( α X S+C2)-IonX kX χ2/( α X S+C2)。這個等式可被重寫為S=(AVsXC2+IonXkXx2)/a X (AVon-AVs)。根據(jù)相應(yīng)配線距離χ來改變柵源重疊面積S，從而在選擇信號SEL的轉(zhuǎn)變(即下降)期間選擇晶體管64的源極電壓的變化量△ Vs變?yōu)槌?shù)，而無論控制線63上與驅(qū)動器62之間的配線距離X。該配置能夠使耦合量基本上相等，而無論選擇晶體管64在控制線63延伸方向上的位置。因此，利用從驅(qū)動器62輸出的選擇信號SEL對晶體管64進(jìn)行恒定驅(qū)動能夠得以實現(xiàn)，而不管晶體管64在控制線63延伸方向上的位置，從而能夠降低由耦合量差異所導(dǎo)致的亮度非均勻性。圖14和圖15示出關(guān)于選擇晶體管64的耦合的模擬結(jié)果。例如，這些模擬結(jié)果對應(yīng)于這樣的情況，其中，選擇晶體管64的柵源之間的寄生電容C1是IOOfF (在其截止時)，而信號線33的配線電容C2是3pF。圖14示出關(guān)于選擇晶體管64的柵極電壓的模擬結(jié)果。圖15示出關(guān)于選擇晶體管64的源極電壓的模擬結(jié)果。圖16示出選擇晶體管64的柵極波形(柵極輸入波形)的瞬態(tài)響應(yīng)與選擇晶體管64的源極電壓的關(guān)系。如圖16所示，柵極輸入的轉(zhuǎn)變波形不被圓化的部分的源極電壓最后變得低于波形被圓化的部分的源極電壓。從柵極波形的瞬態(tài)響應(yīng)與源極電壓之間的這樣的關(guān)系，對于轉(zhuǎn)變波形不被圓化的部分，優(yōu)選降低選擇晶體管64的柵源之間的寄生電容C1，從而降低耦合量，并抑制源極電壓的降低量。
圖17示出選擇晶體管64的柵極波形(柵極輸入波形)的瞬態(tài)響應(yīng)與選擇晶體管64的柵源之間的寄生電容C1的關(guān)系。圖17示出如何設(shè)定寄生電容C1以降低或消除選擇晶體管64的源極電壓之間的差異的一個實例，其中該差異是由選擇晶體管64的柵極波形之間的瞬態(tài)響應(yīng)差異引起的。圖18示出與驅(qū)動器62 (62A*62B)的配線距離(B卩，在控制線63的延伸方向上與驅(qū)動器62的距離)與選擇晶體管64的柵源重疊面積的關(guān)系。上述模擬結(jié)果也表明，根據(jù)與驅(qū)動器62 (62a*62b)的配線距離X，并根據(jù)配線距離χ和柵源重疊面積S之間的關(guān)系的上述表達(dá)式，通過改變柵源重疊面積S，能夠使耦合量相等。盡管已在以上實施方式中以實例的方式描述了相對兩側(cè)驅(qū)動方式的信號輸出電路60，其中，驅(qū)動器62a和62B被設(shè)置在顯示面板70的相對兩側(cè)以從面板的相對兩側(cè)來驅(qū)動選擇晶體管64，但驅(qū)動方式不限于相對兩側(cè)驅(qū)動方式。即，如同對于相對兩側(cè)驅(qū)動方式的情況，驅(qū)動器62被設(shè)置在顯示面板70的一側(cè)以從面板的一側(cè)驅(qū)動選擇晶體管64的這種單側(cè)驅(qū)動方式也適用。顯示面板70的“一側(cè)”和“相對兩側(cè)”的這種表達(dá)也分別對應(yīng)于像素 陣列部30的一側(cè)和相對兩側(cè)，也分別對應(yīng)于選擇晶體管23的行所排列的方向上的一側(cè)和相對兩側(cè)。更具體地，在單側(cè)驅(qū)動方式的信號輸出電路60中，根據(jù)與驅(qū)動器62的配線距離X，選擇晶體管64的柵源重疊面積S也可以從顯示面板70的一側(cè)到另一側(cè)來變化。就像相對兩側(cè)驅(qū)動方式的情況一樣，這樣的配置能夠使耦合量基本上相等，而無論選擇晶體管64在控制線63延伸方向上的位置。在相對兩側(cè)驅(qū)動方式的情況下，“根據(jù)與驅(qū)動器62的配線距離X”的表達(dá)方式的意思是“根據(jù)與兩個驅(qū)動器624和62b中的較近的一個的配線距離χ”。這是因為，在相對兩側(cè)驅(qū)動方式的情況下，利用從驅(qū)動器624和62b中的較近的一個輸出的選擇信號SEL來驅(qū)動各選擇晶體管64。在本實施方式中，盡管已采用根據(jù)配線距離來改變柵源重疊面積的方案作為根據(jù)控制線63κ上的配線距離來改變選擇晶體管61到64y的柵源之間的寄生電容的方案，但這僅是一個實例。另一可行方案是，根據(jù)配線距離，改變圖11中的介于源區(qū)641/漏區(qū)642與柵電極643之間的絕緣膜644 (其為電介質(zhì))的厚度、介電常數(shù)等。[2-2.第二實施方式]接下來，將給出第二實施方式的說明，其中，本發(fā)明應(yīng)用于像素20中的寫入晶體管23。正如在〈I.應(yīng)用本發(fā)明的實施方式的有機(jī)EL顯示裝置〉部分中所說明的，各像素20均具有寫入晶體管23，用于采樣和寫入視頻信號的信號電&Vsig。如圖2所示，利用從寫掃描電路40輸出的、并且通過沿著像素行布線的掃描線31傳輸?shù)膶憭呙栊盘朩S來驅(qū)動各與入晶體管23。通過其將從寫掃描電路40輸出的寫掃描信號WS傳輸?shù)较鄳?yīng)像素行中的像素20的各條掃描線31 (其也用作控制線)具有配線電阻和配線電容。隨著掃描線31上與寫掃描電路40 (其為寫入晶體管23的驅(qū)動器)之間的配線距離增加，寫掃描信號WS的波形被掃描線31的配線電阻和配線電容圓化。參考圖19給出更詳細(xì)的說明。在圖19中，作為實例，假定寫掃描電路40輸出的寫掃描信號WS具有矩形波形，將討論位于最接近寫掃描電路40的位置的像素20i和相比像素20i位于距寫掃描電路40較遠(yuǎn)位置的像素20it)在該情況下，像素20i中的寫入晶體管
23的柵極輸入波形是矩形的波形，而像素20i中的寫入晶體管23的柵極輸入波形由于掃描線31的配線電阻和配線電容的影響而被圓化。在各像素20i和20i中的寫入晶體管23的柵極輸入波形下降時，柵源之間的寄生電容引起的電容耦合使源極電位(即，驅(qū)動晶體管22的柵極電位)下降了與β對應(yīng)的量，如圖20的折線所示。在該情況下，因為位于寫掃描電路40的最近位置的像素20i中的寫入晶體管23的柵極輸入波形不被圓化(即，陡峭)，因此耦合量也是最大的。另一方面，因為相比像素20i位于寫掃描電路40較遠(yuǎn)位置的像素20i中的寫入晶體管23的柵極輸入波形被圓化(即，緩和)，因此其耦合量小于像素20i中的耦合量。在驅(qū)動晶體管22的柵極電位因電容耦合而降低時，跨存儲電容器24的電壓(SP，驅(qū)動晶體管22的柵源電壓Vgs)降低了與柵極電位下降量β對應(yīng)的量。因為驅(qū)動電流從驅(qū)動 晶體管22提供到有機(jī)EL元件21，即，有機(jī)EL元件21的發(fā)光亮度取決于柵源電位Vgs，因此柵源電壓Vgs的降低導(dǎo)致有機(jī)EL元件21的發(fā)光亮度降低。因為耦合量根據(jù)掃描線31延伸方向上的像素位置而不同，因此即使當(dāng)寫入晶體管23寫入相同電平的信號電壓Vsig時，在具有大耦合量的像素和具有小耦合量像素之間也產(chǎn)生亮度差異，從而導(dǎo)致亮度非均勻性。盡管以上結(jié)合單側(cè)驅(qū)動方式的實例描述了由掃描線31的配線電阻和配線電容引起的失效，在該單側(cè)驅(qū)動方式中，設(shè)置在像素20的行所排列的方向上的一側(cè)的寫掃描電路40驅(qū)動像素20中的寫入晶體管23，但也適用于相對兩側(cè)驅(qū)動方式的情況。在本實施方式中，為了降低或消除因?qū)懭刖w管23的寄生電容而由電容耦合引起的上述失效，根據(jù)在掃描線31延伸方向上相對于寫掃描電路40的像素位置，改變寫入晶體管23的柵源之間的寄生電容。更具體地，寫入晶體管23的柵源之間的寄生電容被設(shè)定為使得在寫掃描信號WS的轉(zhuǎn)變(即，下降)期間寫入晶體管23的源極電位的變化量成為常數(shù)，而不管與寫掃描電路40的配線距離。相對于寫掃描電路40的像素位置也對應(yīng)于掃描線31上與寫掃描電路40之間的配線距離。如上所述，根據(jù)與寫掃描電路40的配線距離來改變寫入晶體管23的柵源之間的寄生電容，能夠使稱合量基本上相等，而不管掃描線31延伸方向上的相對于寫掃描電路40的像素位置。利用該配置，不管在掃描線31延伸方向上相對于寫掃描電路40的像素位置，能夠?qū)崿F(xiàn)利用從寫掃描電路40輸出的寫掃描信號WS對像素20中的寫入晶體管23進(jìn)行恒定驅(qū)動。因此，能夠降低因?qū)懭刖w管23的寄生電容的電容耦合而由耦合量差異導(dǎo)致的亮度非均勻性。在本實施方式中，例如，可使用根據(jù)配線距離改變柵源重疊面積的方案作為根據(jù)與寫掃描電路40的配線距離來改變寫入晶體管23的柵源之間的寄生電容的方案。更具體地，在圖21的實例中，位于與寫掃描電路40的最近位置的像素2(^中的寫入晶體管23i的柵源重疊面積被最小化。柵源重疊面積的減小提供了相對小的寄生電容。相比像素20i位于與寫掃描電路40較遠(yuǎn)的位置的像素20i中的寫入晶體管23i的柵源重疊面積被設(shè)定為大于寫入晶體管23i的柵源重疊面積。柵源重疊面積的增加提供了相對大的寄生電容。為了改變柵源重疊面積，例如，可以采用改變圖21中柵電極233的尺寸、而固定源區(qū)231和漏區(qū)232的尺寸的方案。更具體地，通過改變溝道長度方向(圖21中的左右方向)上柵電極233的寬度、而固定溝道長度方向上源區(qū)231和漏區(qū)232的寬度，可實現(xiàn)該方案。圖21示出，在位于與寫掃描電路40最近的位置的像素20i中的寫入晶體管23i的柵電極233的寬度小于與像素2(^相比位于與寫掃描電路40較遠(yuǎn)的位置的像素20i中的柵電極233的寬度。在本實施方式中，盡管采樣根據(jù)配線距離來改變柵源重疊面積的方案作為根據(jù)與寫掃描電路40的配線距離來改變寫入晶體管23的柵源之間的寄生電容的方案，但其僅是一個實例。另一可行方案是，根據(jù)配線距離，改變圖21中的介于源區(qū)231/漏區(qū)232與柵電極233之間的絕緣膜234 (其為電介質(zhì))的厚度、介電常數(shù)等?！?.應(yīng)用實例〉盡管已在以上實施方式中描述了本發(fā)明應(yīng)用于具有兩個像素晶體管(B卩，驅(qū)動晶體管22和寫入晶體管23)的像素電路的實例，但本發(fā)明的應(yīng)用不限于該像素電路。例如， 本發(fā)明也適用于具有與驅(qū)動晶體管22串聯(lián)以控制有機(jī)EL元件21的發(fā)光/不發(fā)光的晶體管的像素電路、具有用于選擇性地將參考電壓Vtjfs施加于驅(qū)動晶體管22的柵極的晶體管的像素電路等。對于配置有這樣的像素電路的顯示裝置，因為設(shè)置在面板的一側(cè)的驅(qū)動器或設(shè)置在其相對兩側(cè)的驅(qū)動器來驅(qū)動那些晶體管，因此可能出現(xiàn)由因寄生電容引起的耦合所導(dǎo)致的失效。因此，如同第二實施方式的情況，根據(jù)與驅(qū)動器的配線距離，改變柵源之間的寄生電容，使得能夠降低或消除寄生耦合所導(dǎo)致的失效。盡管以上實施方式已描述了本發(fā)明應(yīng)用于有機(jī)EL顯示裝置的實例，但本發(fā)明的應(yīng)用不限于此。更具體地，本發(fā)明也適用于使用諸如有機(jī)EL元件、LED元件和半導(dǎo)體激光器元件的電流驅(qū)動型電光元件(發(fā)光元件)的顯示裝置，其中，所述電光元件的發(fā)光亮度根據(jù)器件中流動的電流的值而變化。此外，本發(fā)明不僅適用于使用電流驅(qū)動型電光元件的顯示裝置，而且適用于具有如下配置的顯示裝置，其中，沿著控制線延伸方向配置的晶體管被從設(shè)置在面板的一側(cè)或設(shè)置在其相對兩側(cè)的驅(qū)動器輸出的、通過控制線傳輸?shù)尿?qū)動信號所驅(qū)動。這樣的顯示裝置的實例包括液晶顯示裝置和等離子體顯示裝置。<4.電子設(shè)備〉根據(jù)本發(fā)明實施方式的上述顯示裝置可應(yīng)用于以圖像或視頻形式顯示輸入至電子設(shè)備的視頻信號或其內(nèi)部產(chǎn)生的視頻信號的任何領(lǐng)域的電子設(shè)備的顯示單元(顯示裝置)。例如，如圖22至圖26G所示，本發(fā)明可應(yīng)用于諸如電視機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)、筆記本個人計算機(jī)以及諸如移動電話的移動終端設(shè)備的各種類型的電子設(shè)備的顯示單元。如從上述實施方式的說明所表明，根據(jù)本發(fā)明實施方式的顯示裝置能夠降低因在控制線延伸方向上配置的晶體管的寄生電容引起的耦合而導(dǎo)致的亮度非均勻性。因此，根據(jù)本發(fā)明實施方式的顯示裝置被用作任意領(lǐng)域中的電子設(shè)備的顯示單元可使得能夠提供高質(zhì)量的顯示圖像。根據(jù)本發(fā)明實施方式的顯示裝置也可以以具有密封結(jié)構(gòu)的模塊形式來實現(xiàn)。例如，模塊形式對應(yīng)于通過向像素陣列部層疊由透明玻璃等制成的相對部分而形成的顯示模塊。例如，顯示模塊還可被設(shè)置有用于在外部和像素陣列部之間輸入/輸出信號等的FPC(柔性印刷電路)或電路部。應(yīng)用本發(fā)明實施方式的電子設(shè)備的具體實例將說明如下。圖22是示出應(yīng)用本發(fā)明實施方式的電視機(jī)的外觀的斜視圖。根據(jù)該應(yīng)用實例的電視機(jī)包括具有前面板102、濾光玻璃103等的視頻顯示屏幕部101。該電視機(jī)被制造為使用根據(jù)本發(fā)明實施方式的顯示裝置作為視頻顯示屏幕部101。圖23A和圖23B分別是示出應(yīng)用本發(fā)明實施方式的數(shù)碼相機(jī)的外觀的前視圖和后視圖。根據(jù)該應(yīng)用實例的數(shù)碼相機(jī)包括閃光發(fā)射部111、顯示部112、菜單開關(guān)113、快門按鈕114等。數(shù)碼相機(jī)被制造為使用根據(jù)本發(fā)明實施方式的顯示裝置作為顯示部112。圖24是示出應(yīng)用本發(fā)明實施方式的筆記本個人計算機(jī)的外觀的斜視圖。根據(jù)本應(yīng)用實例的筆記本個人計算機(jī)具有如下配置，其中，主體單元121包括用于輸入字符等操作的鍵盤122、用于顯示圖像的顯示部123等。筆記本個人計算機(jī)被制造為使用根據(jù)本發(fā)明實施方式的顯示裝置作為顯示部123。 圖25是示出應(yīng)用本發(fā)明實施方式的攝像機(jī)的外觀的斜視圖。根據(jù)本應(yīng)用實例的攝像機(jī)包括主體單元131、設(shè)置在其前側(cè)表面的攝像鏡頭132、用于拍攝的開始/停止開關(guān)133、顯示部134等。攝像機(jī)被制造為使用根據(jù)本發(fā)明實施方式的顯示裝置作為顯示部134。圖26A至圖26G是應(yīng)用本發(fā)明實施方式的移動終端設(shè)備(例如，移動電話)的外觀圖。具體地，圖26A是移動電話在其打開時的前視圖，圖26B是其側(cè)視圖，圖26C是在移動電話被關(guān)閉時的前視圖，圖26D是左示圖，圖26E是右視圖，圖26F是頂視圖，圖26G是底視圖。根據(jù)本應(yīng)用實例的移動電話包括上蓋141、下蓋142、耦合部(在該情況中為鉸合部)143、顯示器144、副顯示器145、圖像燈146、照相機(jī)147等。根據(jù)本應(yīng)用實例的移動電話被制造為使用根據(jù)本發(fā)明實施方式的顯示裝置作為顯示器144和/或副顯示器145。〈5.本發(fā)明的配置〉(I) 一種顯示裝置，包括控制線，通過所述控制線傳輸從驅(qū)動器輸出的驅(qū)動信號；以及多個晶體管，沿著所述控制線延伸的方向配置，并利用通過所述控制線傳輸?shù)乃鲵?qū)動信號來驅(qū)動，其中，所述多個晶體管的柵極與源/漏極之間的寄生電容根據(jù)在所述控制線延伸的方向上所述多個晶體管與所述驅(qū)動器的距離而變化。(2)根據(jù)(I)的顯示裝置，其中，所述多個晶體管的柵極與源/漏極之間的寄生電容被設(shè)定為使得在所述驅(qū)動信號的轉(zhuǎn)變期間源/漏極處的電壓的變化量變得恒定，而與所述多個晶體管在所述控制線延伸的方向上的位置無關(guān)。(3)根據(jù)(I)或(2)的顯示裝置，其中，所述多個晶體管的柵電極與源/漏區(qū)彼此重疊的面積根據(jù)所述控制線延伸的方向上所述驅(qū)動器與所述多個晶體管的距離而不同。(4)根據(jù)(3)的顯示裝置，其中，所述多個晶體管的柵電極具有根據(jù)在所述控制線延伸的方向上所述驅(qū)動器與所述多個晶體管的距離而不同的尺寸。(5)根據(jù)(4)的顯示裝置，其中，所述多個晶體管的柵電極在溝道方向上具有根據(jù)在所述控制線延伸的方向上所述驅(qū)動器與所述多個晶體管的距離而不同的寬度。(6)根據(jù)(I)到(5)之一顯示裝置，其中，所述多個晶體管包括選擇性地提供信號至信號線的選擇晶體管，其中，所述信號線被布線在以矩陣形式配置有像素的像素陣列部中的相應(yīng)像素列中。(7)根據(jù)(6)的顯示裝置，其中，所述選擇晶體管以分時方式將按時間順序輸入的信號分配至所述信號線。 (8)根據(jù)(I)到(5)之一的顯示裝置，其中，所述多個晶體管包括設(shè)置在像素中以向像素寫入信號的寫入晶體管。(9)根據(jù)(8)的顯示裝置，其中，各個像素包括所述與入晶體管；存儲電容器，存儲由所述寫入晶體管寫入的信號；以及電光元件，根據(jù)由所述存儲電容器存儲的信號來驅(qū)動。( 10)根據(jù)(I)到(9)之一的顯示裝置，其中，所述驅(qū)動器從所述多個晶體管所配置的方向上的一側(cè)來驅(qū)動所述多個晶體管。( 11)根據(jù)(I)到(9)之一的顯示裝置，其中，所述驅(qū)動器從所述多個晶體管所配置的方向上的相對兩側(cè)來驅(qū)動所述多個晶體管。(12) 一種具有顯示裝置的電子設(shè)備，所述顯示裝置包括控制線，通過所述控制線傳輸從驅(qū)動器輸出的驅(qū)動信號；以及晶體管，沿著所述控制線延伸的方向配置，并利用通過所述控制線傳輸?shù)乃鲵?qū)動信號來驅(qū)動，其中，所述多個晶體管的柵極與源/漏極之間的寄生電容根據(jù)在所述控制線延伸的方向上所述多個晶體管與所述驅(qū)動器的距離而變化。本發(fā)明包含與在2011年5月10日向日本專利局提交的日本在先專利申請2011-105286所披露的主題相關(guān)的主題，其全部內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，根據(jù)設(shè)計要求和其他因素，可進(jìn)行各種修改、組合、子組合和改進(jìn)，均包括在所附權(quán)利要求或等同物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括 控制線，通過所述控制線傳輸從驅(qū)動器輸出的驅(qū)動信號；以及 多個晶體管，沿著所述控制線延伸的方向配置，并利用通過所述控制線傳輸?shù)乃鲵?qū)動信號來驅(qū)動， 其中，所述多個晶體管的柵極與源/漏極之間的寄生電容根據(jù)在所述控制線延伸的方向上所述多個晶體管與所述驅(qū)動器的距離而變化。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中，所述多個晶體管的柵極與源/漏極之間的寄生電容被設(shè)定為使得在所述驅(qū)動信號的轉(zhuǎn)變期間所述源/漏極處的電壓的變化量變得恒定，而與所述多個晶體管在所述控制線延伸的方向上的位置無關(guān)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中，所述多個晶體管的柵電極與源/漏區(qū)彼此重疊的面積根據(jù)在所述控制線延伸的方向上所述驅(qū)動器與所述多個晶體管的距離而不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述多個晶體管的柵電極具有根據(jù)在所述控制線延伸的方向上所述驅(qū)動器與所述多個晶體管的距離而不同的尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述多個晶體管的柵電極在溝道方向上具有根據(jù)在所述控制線延伸的方向上所述驅(qū)動器與所述多個晶體管的距離而不同的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中，所述多個晶體管包括選擇性地提供信號至信號線的選擇晶體管，其中，所述信號線被布線在以矩陣形式配置有像素的像素陣列部中的相應(yīng)像素列中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，所述選擇晶體管以分時方式將按時間順序輸入的信號分配至多條所述信號線。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中，所述多個晶體管包括設(shè)置在像素中以向所述像素寫入信號的寫入晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中，各像素包括 所述寫入晶體管； 存儲電容器，存儲由所述寫入晶體管寫入的信號；以及 電光元件，根據(jù)由所述存儲電容器存儲的信號來驅(qū)動。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中，所述驅(qū)動器從所述多個晶體管的配置方向上的一側(cè)來驅(qū)動所述多個晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中，所述驅(qū)動器從所述多個晶體管的配置方向上的相對兩側(cè)來驅(qū)動所述多個晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中，所述多個晶體管的介于柵電極與源/漏區(qū)之間的絕緣膜具有根據(jù)在所述控制線延伸的方向上所述驅(qū)動器與所述多個晶體管的距離而不同的厚度。
13.一種具有顯示裝置的電子設(shè)備，所述顯示裝置包括 控制線，通過所述控制線傳輸從驅(qū)動器輸出的驅(qū)動信號；以及 多個晶體管，沿著所述控制線延伸的方向配置，并利用通過所述控制線傳輸?shù)乃鲵?qū)動信號來驅(qū)動， 其中，所述多個晶體管的柵極與源/漏極之間的寄生電容根據(jù)在所述控制線延伸的方向上所述多個晶體管與所述驅(qū)動器的距離而變化。
全文摘要
一種顯示裝置和顯示方法，該顯示裝置包括傳輸驅(qū)動器輸出的驅(qū)動信號的控制線以及沿著控制線延伸方向配置的、并且利用通過控制線傳輸?shù)尿?qū)動信號來驅(qū)動的晶體管。晶體管的柵極和源/漏極之間的寄生電容根據(jù)其在控制線延伸方向上與驅(qū)動器的距離而變化。
文檔編號G09G3/20GK102779475SQ20121013564
公開日2012年11月14日 申請日期2012年5月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月10日
發(fā)明者內(nèi)野勝秀, 多田羅智史, 尾本啟介 申請人:索尼公司