專利名稱：顯示面板的制造方法以及顯示面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及有機EL (Electro Luminescence,電致發(fā)光)面板等顯示面板的制造方法，特別涉及形成接觸孔的技術。
背景技術：
近年來，開發(fā)出在每個像素具備驅動發(fā)光元件的驅動電路的有源矩陣型的有機EL面板(例如參照專利文獻I)。
圖24是表示專利文獻I所記載的有機EL面板的構造的剖面圖。在該圖中示出2個像素。有機EL面板具備基板51、柵電極52、柵極絕緣膜53、源漏電極54、半導體層56、鈍化膜57、平坦化膜58、像素電極59、分隔壁60、有機EL層61、共用電極62、封止樹脂層63、封止基板64以及接觸金屬65。構成各驅動電路的晶體管包括柵電極52、柵極絕緣膜53、源漏電極54以及半導體層56，并通過鈍化膜57以及平坦化膜58覆蓋。另一方面，發(fā)光元件包括像素電極59、有機EL層61以及共用電極62，形成于平坦化膜58上。而且，在鈍化膜57以及平坦化膜58形成有接觸孔，經由形成于接觸孔內的接觸金屬65將發(fā)光元件的像素電極59與驅動電路的源漏電極54電連接。在專利文獻I中，關于接觸孔的形成，記載了如下的步驟:形成包含氮化硅的鈍化膜57，接著形成包含有機材料的平坦化膜58，然后對平坦化膜58以及鈍化膜57進行蝕刻(0048段)。
專利文獻1:日本特開2007-305357號公報發(fā)明內容
專利文獻I的技術是:形成第I層、接著在其上形成第2層、然后對第I以及第2層一并進行蝕刻由此形成成為接觸孔的開口部的技術。相對于此，例如在第I以及第2層采用感光性材料等情況下，有時通過分別的工序形成第I層的開口部和第2層的開口部比較合適。在該情況下，在第I層形成開口部，在該第I層上涂敷構成第2層的感光性材料而形成感光性材料層，并將光掩模配置于感光性材料層上，經由光掩模對感光性材料層進行曝光，然后通過對感光性材料層進行顯影而形成第2層。事先經由光掩模進行曝光，則在顯影時感光性材料層就會被局部除去而在第2層形成開口部。
但是，由于感光性材料層成為沿著基底的第I層的形狀的形狀，所以在形成了感光性材料層的階段，感光性材料層的存在于第I層的開口部內的部分會成為相對于存在于第I層上的部分凹入的形狀。因此，若在感光性材料層上配置光掩模，則在凹入部分與光掩模之間會產生間隙。另一方面，在利用光掩模的技術中，原本應該被遮光的區(qū)域卻因光的衍射(光O回>9込>)而局部被曝光，結果，存在感光性材料層的要除去的部分卻局部殘留的問題。特別是，光掩模與感光性材料層之間的間隙越大，光的衍射的距離就越大，該問題越顯著。因此，在形成第2層的開口部的部分即感光性材料層的凹入部分，光的衍射的距離大，原本應該除去卻殘留的部分變大，有時會無法充分確保接觸孔的面積。
因此，本發(fā)明的目的在于提供通過在接觸孔的形成時減小因光的衍射而原本應該除去而卻殘留的部分、使得容易確保接觸孔的面積的技術。
本發(fā)明的一方式所涉及的顯示面板的制造方法包括:準備在上表面形成有電極的基底基板的工序；在所述基底基板上形成第I層的工序，所述第I層在俯視與所述電極重疊的位置具有第I開口部；在所述第I層上形成第2層的工序，所述第2層在俯視與所述第I開口部重疊的位置具有第2開口部；以及在所述第I以及第2開口部的內部形成與所述電極接觸的布線層的工序；所述第2層包含感光性材料；形成所述第2層的工序包括:在所述第I層上形成構成所述第2層的感光性材料的層的子工序；在所述感光性材料的層上配置光掩模的子工序，所述光掩模的光透射性在俯視與預定形成所述第2開口部的部位重疊的第I區(qū)域和其以外的第2區(qū)域不同；以及經由所述光掩模對構成所述第2層的感光性材料的層進行曝光的子工序；俯視下所述光掩模的所述第I區(qū)域的面積比所述第I層的所述第I開口部的面積大。
根據上述構成，光掩模的第I區(qū)域的面積比第I層的第I開口部的面積大。因此，在將光掩模配置于感光性材料的層上時，光掩模的光透射性不同的第I以及第2區(qū)域的邊界位于感光性材料的層的存在于第I層上的部分上。在該位置光掩模與感光性材料的層的間隙小，所以光的衍射的距離小，能夠減小原本應該除去卻殘留的部分。因此，能夠使得接觸孔的面積容易得到確保。


圖1是表示本發(fā)明的實施方式I所涉及的顯示面板的構造的剖面圖。
圖2是用于說明圖1的顯示面板的制造工序的剖面圖。
圖3是用于說明圖1的顯示面板的制造工序的剖面圖。
圖4是用于說明圖1的顯示面板的制造工序的剖面圖。
圖5是用于說明圖1的顯示面板的制造工序的剖面圖。
圖6是用于說明圖1的顯示面板的制造工序的剖面圖。
圖7是用于說明圖1的顯示面板的制造工序的剖面圖。
圖8是表示實驗結果的照片。
圖9是圖8的照片的描繪圖以及剖面圖。
圖10是用于說明本發(fā)明的原理的圖。
圖11是表示本發(fā)明的實施方式2所涉及的顯示面板的構造的剖面圖。
圖12是用于說明圖11的顯示面板的制造工序的剖面圖。
圖13是用于說明圖11的顯示面板的制造工序的剖面圖。
圖14是用于說明圖11的顯示面板的制造工序的剖面圖。
圖15是用于說明圖11的顯示面板的制造工序的剖面圖。
圖16是用于說明圖11的顯示面板的制造工序的剖面圖。
圖17是用于說明圖11的顯示面板的制造工序的剖面圖。
圖18是表示本發(fā)明的實施方式I的變形例所涉及的顯示面板的構造的剖面圖。
圖19是用于說明圖18的顯示面板的制造工序的剖面圖。
圖20是用于說明圖18的顯示面板的制造工序的剖面圖。
圖21是表示本發(fā)明的實施方式I的變形例所涉及的顯示面板的制造工序的剖面圖。
圖22是表示將圖1的顯示面板應用于顯示裝置的情況下的功能塊的圖。
圖23是例示圖22的顯示裝置的外觀的圖。
圖24是表示專利文獻I所記載的有機EL面板的構造的剖面圖。
符號說明
1:基板，2:柵電極，3:柵極絕緣膜，3a:柵極絕緣材料層，3b:遮光區(qū)域，3c:開口區(qū)域，4:源漏電極，4a:SD材料層，4b:抗蝕劑圖案，5:分隔壁層，5a:分隔壁材料層，5b:遮光區(qū)域，5c:開口區(qū)域，5d:光掩模，6:半導體層，7:覆蓋層，7a:覆蓋材料層，7b:遮光區(qū)域，7c:開口區(qū)域，7d:光掩模，7r:覆蓋材料層，7s:遮光區(qū)域，7t:開口區(qū)域，7u:光掩模，8:平坦化層，8a:平坦化材料層，8b:遮光區(qū)域，8c:開口區(qū)域，8d:光掩模，Se:接觸孔，9:像素電極，10:分隔壁層，11:有機EL層，12:共用電極，13:封止層，14:覆蓋層，14a:覆蓋材料層，14b:遮光區(qū)域，14c:開口區(qū)域，14d:光掩模，20:顯示裝置，21:顯示面板，22:驅動控制部，23:驅動電路，24:控制電路，51:基板，52:柵電極，53:柵極絕緣膜，54:源漏電極，56:半導體層，57:鈍化膜，58:平坦化膜，59:像素電極，60:分隔壁，61:有機EL層，62:共用電極，63:封止樹脂層，64:封止基板，65:接觸金屬。
具體實施方式
[本發(fā)明的一方式的概要]
本發(fā)明的一方式所涉及的顯示面板的制造方法包括:準備在上表面形成有電極的基底基板的工序；在所述基底基板上形成第I層的工序，所述第I層在俯視與所述電極重疊的位置具有第I開口部；在所述第I層上形成第2層的工序，所述第2層在俯視與所述第I開口部重疊的位置具有第2開口部；以及在所述第I以及第2開口部的內部形成與所述電極接觸的布線層的工序；所述第2層包含感光性材料；形成所述第2層的工序包括:在所述第I層上形成構成所述第2層的感光性材料的層的子工序；在所述感光性材料的層上配置光掩模的子工序，所述光掩模的光透射性在俯視與預定形成所述第2開口部的部位重疊的第I區(qū)域和其以外的第2區(qū)域不同；以及經由所述光掩模對構成所述第2層的感光性材料的層進行曝光的子工序；俯視下所述光掩模的所述第I區(qū)域的面積比所述第I層的所述第I開口部的面積大。
根據上述構成，光掩模的第I區(qū)域的面積比第I層的第I開口部的面積大。因此，在將光掩模配置于感光性材料的層上時，光掩模的光透射性不同的第I以及第2區(qū)域的邊界位于感光性材料的層的存在于第I層上的部分上。在該位置光掩模與感光性材料的層的間隙小，所以光的衍射的距離小，能夠減小原本應該除去而卻殘留的部分。因此，能夠使得接觸孔的面積容易得到確保。
另外，所述第I層的厚度可以比所述第2層的厚度厚。
另外，也可以:所述第I層為在與所述第I開口部不同的位置具有用于形成功能性材料層的第3開口部的分隔壁層；所述第2層為覆蓋在所述第3開口部形成的功能性材料層的覆蓋層。
另外，也可以:所述第I層為柵極絕緣膜；所述第2層為在與所述第2開口部不同的位置具有用于形成功能性材料層的第3開口部的分隔壁層。
另外，也可以:所述第I層包含感光性材料；形成所述第I層的工序包括:在所述基底基板上形成構成所述第I層的感光性材料的層的子工序；在所述感光性材料的層上配置光掩模的子工序，所述光掩模的光透射性在俯視與預定形成所述第I開口部的部位重疊的第I區(qū)域和其以外的第2區(qū)域不同；以及經由所述光掩模對所述感光性材料的層進行曝光的子工序；在形成所述第2層的工序中使用的光掩模的所述第I區(qū)域的俯視的面積比在形成所述第I層的工序中使用的光掩模的所述第I區(qū)域的俯視的面積大。
本發(fā)明的一方式所涉及的顯示面板具備:在上表面形成有電極的基底基板；形成于所述基底基板上、在俯視與所述電極重疊的位置具有第I開口部的第I層；形成于所述第I層上、在俯視與所述第I開口部重疊的位置具有第2開口部的第2層；以及形成于所述第I以及第2開口部的內部的、與所述電極接觸的布線層；所述第2開口部的俯視的面積比所述第I開口部的俯視的面積大。
參照附圖對用于實施本發(fā)明的方式詳細地進行說明。
[實施方式I]
<整體結構>
圖1是表示本發(fā)明的實施方式I所涉及的顯示面板的構造的剖面圖。在該圖中表示了 I個像素的量。顯示面板具備基板1、柵電極2、柵極絕緣膜3、源漏電極4、分隔壁層5、半導體層6、覆蓋層7、平坦化層8、像素電極9、分隔壁層10、有機EL層11、共用電極12以及封止層13。構成驅動電路的晶體管包括柵電極2、柵極絕緣膜3、源漏電極4以及半導體層6。晶體管為無機TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管)或者有機TFT，在本實施方式中，每I像素使用2個晶體管。發(fā)光元件包括像素電極9、有機EL層11以及共用電極12。介于驅動電路與發(fā)光元件之間的絕緣層包括分隔壁層5、覆蓋層7以及平坦化層8。在圖中A部分，分隔壁層5、覆蓋層7以及平坦化層8在俯視與源漏電極4重疊的位置分別具有開口部，由此形成接觸孔。而且，像素電極9的一部分沿著接觸孔的內周面凹入，與在接觸孔的底部露出的源漏電極4接觸。像素電極9的存在于接觸孔內的部分作為與源漏電極4接觸的布線層而起作用。
〈各層的結構〉
基板I能夠使用樹脂或者玻璃等公知的材料形成。
柵電極2、柵極絕緣膜3、源漏電極4以及半導體層6都能夠使用在無機TFT或者有機TFT中使用的公知的材料形成。另外，在本實施方式中，半導體層6使用的材料為可以通過噴墨方式等涂敷方式形成的材料。
分隔壁層5包含具有絕緣性以及感光性的材料，主要出于防止在通過涂敷方式形成半導體層6時包含半導體層6的材料的墨向目標位置以外的位置流出的目的而設置。在分隔壁層5，形成有用于通過涂敷方式形成半導體層6的開口部和用于形成接觸孔的開口部。
覆蓋層7包含具有絕緣性以及感光性的材料，主要出于覆蓋半導體層6的目的而設置。在覆蓋層7，形成有用于形成接觸孔的開口部。
平坦化層8包含具有絕緣性以及感光性的材料，主要出于將上表面平坦化的目的而設置。在平坦化層8，形成有用于形成接觸孔的開口部。
像素電極9、有機EL層11以及共用電極12都能夠使用在有機EL元件中使用的公知的材料形成。有機EL層11具有發(fā)光層，根據需要具有空穴注入層、空穴輸入層、電子注入層以及電子輸送層。
分隔壁層10包含具有絕緣性以及感光性的材料，主要出于防止在通過涂敷方式形成有機EL層11時包含有機EL層11的材料的墨向目標位置以外的位置流出的目的而設置。
封止層13包含具有絕緣性以及透光性的材料，主要出于防止水分和/或氣體侵入發(fā)光元件以及驅動電路的目的而設置。
<制造方法>
圖2至圖7是用于說明圖1的顯示面板的制造工序的剖面圖。
首先，準備基板1，在基板I上形成柵電極2以及柵極絕緣膜3 (圖2 (a))。柵電極2能夠通過例如下述工序形成:在基板I上層疊形成柵電極的導電材料，在其上形成抗蝕劑圖案，經由抗蝕劑圖案對導電材料進行蝕刻，將抗蝕劑圖案剝離。柵極絕緣膜3具有用于使柵電極2與源漏電極4接觸的接觸孔，能夠通過例如下述工序形成:在形成有柵電極2的基板I上形成用于形成柵極絕緣膜的柵極絕緣材料層，配置光掩模，經由光掩模對柵極絕緣材料層進行曝光，然后對柵極絕緣材料層進行顯影。
接下來，在柵極絕緣膜3層疊形成源漏電極4的SD材料層4a (圖2 (b))，在其上形成具有開口部4c的抗蝕劑圖案4b (圖2 (c))，經由抗蝕劑圖案4b對SD材料層4a進行蝕刻(圖2 (d))，將抗蝕劑圖案4b剝離(圖2 (e))。由此，能夠形成在上表面形成有源漏電極4的基底基板。另外，源漏電極4既可以是單層構造也可以是多層構造。在單層構造的情況下能夠通過單個工序進行成膜，所以制造工序能夠簡化。另外，在多層構造的情況下，能夠將下層設為與基底的緊密附著性高的材料、將上層設為電傳導性高的材料等分別根據所需要的功能選擇適合的材料。作為這樣的例子，例如可列舉將下層的材料設為鈦(Ti)并將厚度設為數nm，將上層的材料設為金(Au)并將厚度設為50nm IOOnm的情況。
接下來，在形成有源漏電極4的基底基板上形成用于形成分隔壁層5的分隔壁材料層5a (圖3 (a)),在分隔壁材料層5a上配置光掩模5d,經由光掩模5d對分隔壁材料層5a進行曝光(圖3(b))，然后對分隔壁材料層5a進行顯影。結果，能夠形成具有用于形成半導體層6的開口部5e和用于形成接觸孔的開口部5f的分隔壁層5 (圖3(c))。另外，光掩模5d具有光透射性極小的遮光區(qū)域5b和光透射性極大的開口區(qū)域5c。在本實施方式中，作為分隔壁層5的材料，使用在顯影時未曝光部分被除去而曝光部分殘留的類型的感光性材料。因此，光掩模5d形成為，遮光區(qū)域5b俯視與分隔壁材料層5a的預定形成開口的部位重疊,開口區(qū)域5c與其以外的區(qū)域重疊。
接下來，在分隔壁層5的開口部5e形成半導體層6 (圖4 (a))。半導體層6例如能夠通過下述工序形成:向開口部5e涂敷包含形成半導體層6的半導體材料和溶劑的墨，通過使溶劑蒸發(fā)而使半導體材料殘留。
接下來，在形成有半導體層6的分隔壁層5上形成用于形成覆蓋層7的覆蓋材料層7a (圖4 (b))，在覆蓋材料層7a上配置光掩模7d，經由光掩模7d對覆蓋材料層7a進行曝光(圖5 (a))，然后，對覆蓋材料層7a進行顯影。結果，能夠形成具有用于形成接觸孔的開口部7e的覆蓋層7 (圖5 (b))。另外，光掩模7d具有光透射性極小的遮光區(qū)域7b和光透射性極大的開口區(qū)域7c。在本實施方式中，作為覆蓋層7的材料，與分隔壁層5相同，使用在顯影時未曝光部分被除去、曝光部分殘留的類型的感光性材料。因此，光掩模7d形成為，遮光區(qū)域7b俯視與覆蓋材料層7a的預定形成開口的部位重疊，開口區(qū)域7c與其以外的區(qū)域重疊。另外，俯視下光掩模7d的遮光區(qū)域7b的面積比分隔壁層5的開口部5f的面積大。即，如圖5 (a)所示，光掩模7d的遮光區(qū)域7b的直徑Dl比分隔壁層5的開口部的直徑D2大。由此，即使在使用光掩模7d曝光時產生光的衍射，也能夠確保接觸孔的面積。證明該效果的實驗結果后面進行說明。
接下來，在形成有開口部的覆蓋層7上形成用于形成平坦化層8的平坦化材料層8a (圖6 (a))，在平坦化材料層8a上配置光掩模8d，經由光掩模8d對平坦化材料層8a進行曝光(圖6 (b))，然后對平坦化材料層8a進行顯影。結果，能夠形成具有接觸孔Se的平坦化層8 (圖6 (C))。另外，光掩模8d具有光透射性極小的遮光區(qū)域Sb和光透射性極大的開口區(qū)域Sc。在本實施方式中，作為平坦化層8的材料，與分隔壁層5不同，使用在顯影時曝光部分被除去、未曝光部分殘留的類型的感光性材料。因此，光掩模8d形成為，開口區(qū)域8c俯視與平坦化材料層8a的預定形成開口的部位重疊，遮光區(qū)域Sb與其以外的區(qū)域重疊。
然后，通過依次形成像素電極9、分隔壁層10、有機EL層11、共用電極12以及封止層13，能夠形成顯示面板(圖7)。
<實驗結果>
本發(fā)明人制作了基板、分隔壁層、覆蓋層、平坦化層的層疊構造，并俯視進行了觀察。圖8 (a)是平坦化層形成前的比較例的照片，圖9 (a)是其描繪圖以及剖面圖。圖8(b)是平坦化層形成前的實施例的照片，圖9 (b)是其描繪圖以及剖面圖。圖8 (C)是平坦化層形成后的實施例的照片，圖9 (c)是其描繪圖以及剖面圖。
在比較例中，使用第I光掩模形成分隔壁層，使用第2光掩模形成覆蓋層。第2光掩模的遮光區(qū)域(形成開口部的區(qū)域)的面積比第I光掩模的遮光區(qū)域(形成開口部的區(qū)域)小。因此，在比較例中，覆蓋層的開口部的面積比分隔壁層的開口部的面積小。另一方面，在實施例中，相反，使用第2光掩模形成分隔壁層，使用第I光掩模形成覆蓋層。因此，在實施例中，覆蓋層的開口部的面積比分隔壁層的開口部的面積大。
在沒有光的衍射的理想狀況下，在比較例與實施例中利用相同光掩模，所以可認為成為相同開口面積。然而，實際上由于會產生光的衍射，所以在比較例與實施例中開口面積會不同。在比較例中，如圖9 (a)的剖面圖所示，覆蓋層的內周面的傾斜越接近下端變得越緩，結果，開口面積變小。與此相對，在實施例中，如圖9 (b)的剖面圖所示，分隔壁層以及覆蓋層的內周面的傾斜一定，開口面積變大。
使用圖10對其原因進行說明。覆蓋材料層7a為沿著基底的分隔壁層5的形狀的形狀，所以覆蓋材料層7a中的存在于分隔壁層5的開口部內的部分成為相對于存在于分隔壁層5上的部分凹入的形狀。因此，若在覆蓋材料層7a上配置光掩模7d，則在凹入部分與光掩模7d之間產生間隙。光的衍射以光掩模7d的遮光區(qū)域7b與開口區(qū)域7c的邊界為起點而以一定的角度產生，所以光掩模7d與覆蓋材料層7a的間隙越大則光的衍射距離變得越大。在圖10 (a)中，光掩模7d的遮光區(qū)域7b的面積(在該圖中對應于直徑Dl)比分隔壁層5的開口部的面積(在該圖中對應于直徑D2)小，所以光的衍射區(qū)域7f較廣。光的衍射區(qū)域7f被曝光得不充分，所以區(qū)域7f內的覆蓋材料層7a在顯影后以局部流動的形態(tài)殘留。因此，覆蓋層7的下端7g位于開口部的靠近中央，相應地開口面積減小。與此相對，在圖10 (b)中，光掩模7d的遮光區(qū)域7b的面積比分隔壁層5的開口部的面積大，所以光的衍射區(qū)域7f較窄。因此，能夠減少通過被曝光得不充分而局部殘留的部分，能夠使覆蓋層7的下端7h滯留在適合的位置而確保開口面積。
根據該原理，只要光掩模7d的遮光區(qū)域7b的面積比分隔壁層5的開口部的面積大即可。另外，如果對光掩模7d與光掩模5d進行比較，則在多數的情況下，光掩模7d的遮光區(qū)域7b的面積比光掩模5d的遮光區(qū)域5b的面積大。因此，也可以使光掩模7d的遮光區(qū)域7b的面積比光掩模5d的遮光區(qū)域5b的面積大。
另外，實際上，分隔壁層5的厚度約為lum，覆蓋層7的厚度約為0.3iim 0.5 u m，光掩模7d的厚度約為2mm 3mm。這樣，在分隔壁層5的厚度比覆蓋層7的厚度厚的情況下，特別容易產生光的衍射的問題，所以應用本實施方式的效果高。
[實施方式2]
在實施方式I中，作為設置用于形成接觸孔的開口部的層，將第I層設為分隔壁層5、將存在于第I層之上的第2層設為覆蓋層7而進行說明，但本發(fā)明并不限于此，只要是通過分別的工序形成第I層的開口部和第2層的開口部的情況，任何的層的組合都能夠應用。
在實施方式2中，對于下述的情況進行說明:作為設置用于形成接觸孔的開口部的層，將第I層設為柵極絕緣膜3，將第2層設為分隔壁層5。另外，關于與實施方式I相同的結構省略說明。
<整體結構>
圖11是表示本發(fā)明的實施方式2所涉及的顯示面板的構造的剖面圖。顯示面板具備基板1、柵電極2、柵極絕緣膜3、源漏電極4、分隔壁層5、半導體層6、覆蓋層7、平坦化層8、像素電極9、分隔壁層10、有機EL層11、共用電極12以及封止層13。
在實施方式I中，晶體管的構造為底柵-底接觸型，因此，源漏電極4位于半導體層6的下部。與此相對，在實施方式2中晶體管的構造為底柵-頂接觸型，因此，源漏電極4位于半導體層6的上部。
在圖中A部，柵極絕緣膜3以及分隔壁層5在俯視與柵電極2重疊的位置分別具有開口部，由此形成接觸孔。而且，源漏電極4的一部分沿著接觸孔的內周面凹入，與在接觸孔的底部露出的柵電極2接觸。源漏電極4的存在于接觸孔內的部分作為與柵電極2接觸的布線層而起作用。
<制造方法>
圖12至圖17是用于說明圖11的顯示面板的制造工序的剖面圖。
首先，準備基板1，在基板I上形成柵電極2。由此，能夠形成在上表面形成有柵電極2的基底基板。
接下來，在形成有柵電極2的基底基板上形成用于形成柵極絕緣膜3的柵極絕緣材料層3a (圖12 (a))，在柵極絕緣材料層3a上配置光掩模3d，經由光掩模3d對柵極絕緣材料層3a進行曝光(圖12 (b))，然后對柵極絕緣材料層3a進行顯影。結果，能夠形成具有用于形成接觸孔的開口部3e的柵極絕緣膜3 (圖12 (C))。另外，光掩模3d具有光透射性極小的遮光區(qū)域3b和光透射性極大的開口區(qū)域3c。在本實施方式中，作為柵極絕緣膜3的材料，使用在顯影時未曝光部分被除去、曝光部分殘留的類型的感光性材料。因此，光掩模3d形成為，遮光區(qū)域3b俯視與柵極絕緣材料層3a的預定形成開口的部位重疊，開口區(qū)域3c與其以外的區(qū)域重疊。
接下來，在柵極絕緣膜3上形成用于形成分隔壁層5的分隔壁材料層5a (圖13(a)),在分隔壁材料層5a上配置光掩模5d,經由光掩模5d對分隔壁材料層5a進行曝光(圖13 (b))，然后，對分隔壁材料層5a進行顯影。結果，能夠形成具有用于形成半導體層6的開口部5e和用于形成接觸孔的開口部5f 的分隔壁層5 (圖13 (C))。另外，光掩模5d具有光透射性極小的遮光區(qū)域5b和光透射性極大的開口區(qū)域5c。在本實施方式中，作為分隔壁層5的材料，使用在顯影時未曝光部分被除去、曝光部分殘留的類型的感光性材料。因此，光掩模5d形成為，遮光區(qū)域5b俯視與分隔壁材料層5a的預定形成開口的部位重疊，開口區(qū)域5c與其以外的區(qū)域重疊。另外，俯視下光掩模5d的遮光區(qū)域5b的面積比柵極絕緣膜3的開口部3e的面積大。S卩，如圖13 (b)所示，光掩模5d的遮光區(qū)域5b的直徑Dl比柵極絕緣膜3的開口部的直徑D2大。由此，即使使用光掩模5d進行曝光時產生光的衍射，也能夠確保接觸孔的面積。
接下來，在分隔壁層5的開口部5e形成半導體層6 (圖14 (a))。
接下來，在形成有半導體層6的分隔壁層5上形成用于形成源漏電極4的SD材料層4a (圖14 (b))，經過蝕刻工序，形成源漏電極4 (圖14 (C))。另外，源漏電極4既可以是單層構造，也可以是多層構造。 在單層構造的情況下，能夠通過單個工序進行成膜，所以制造工序能夠簡化。另外，在多層構造的情況下，能夠考慮與半導體的層間電阻而使下層為電荷注入性良好的材料，考慮基板的熱膨脹率而使上層為難以斷線的材料等，分別根據所需的功能選擇適合的材料。作為這樣的例子，例如可列舉將下層的材料設為銅(Cu)且將厚度設為數nm，將上層的材料設為鑰(Mo)且將厚度設為50nm IOOnm的情況。
接下來，在形成有源漏電極4的分隔壁層5上形成用于形成覆蓋層7的覆蓋材料層7a (圖15 (a))，且經由光掩模對覆蓋材料層7a進行曝光，并通過顯影，形成具有用于形成接觸孔的開口部7e的覆蓋層7 (圖15 (b))。
接下來，在形成有開口部的覆蓋層7上形成用于形成平坦化層8的平坦化材料層8a (圖16 (a))，且經由光掩模對平坦化材料層8a進行曝光，并通過顯影，形成具有接觸孔8e的平坦化層8 (圖16 (b))。
然后，通過依次形成像素電極9、分隔壁層10、有機EL層11、共用電極12以及封止層13，能夠形成顯示面板(圖17)。
[變形例]
以上，基于實施方式對本發(fā)明進行了說明，但本發(fā)明并不限于上述實施方式。例如，可考慮以下的變形例。
( I)層數
在實施方式中，在2層構造的各層形成開口部，但本發(fā)明并不限于此，3層構造以上也可以應用。在該情況下，只要用于形成第N層的光掩模的遮光區(qū)域的面積比第N-1層的開口部的面積大即可(N為2以上的整數)。
圖18是表示本發(fā)明的實施方式I的變形例所涉及的顯示面板的構造的剖面圖。在該例子中，在覆蓋層7上進而形成有另外的覆蓋層14。其以外的結構與實施方式相同。覆蓋層14包含具有絕緣性以及感光性的材料，主要出于對覆蓋層7進行覆蓋的目的而設置。在覆蓋層14，形成有用于形成接觸孔的開口部。圖19以及圖20是用于說明圖18的顯示面板的制造工序的剖面圖。在覆蓋層7形成開口部(圖19(a))，在其上形成用于形成覆蓋層14的覆蓋材料層14a (圖19 (b))，在覆蓋材料層14a上配置光掩模14d，經由光掩模14d對覆蓋材料層14a進行曝光(圖20 (a))，然后，對覆蓋材料層14a進行顯影。結果，能夠形成具有用于形成接觸孔的開口部14e的覆蓋層14 (圖20 (b))。光掩模14d具有光透射性極小的遮光區(qū)域14b和光透射性極大的開口區(qū)域14c。在本變形例中，作為覆蓋層14的材料，使用在顯影時未曝光部分被除去、曝光部分殘留的類型的感光性材料。因此，光掩模14d形成為，遮光區(qū)域14b俯視與覆蓋材料層14a的預定形成開口的部位重疊，開口區(qū)域14c與其以外的區(qū)域重疊。另外，俯視下光掩模14d的遮光區(qū)域14b的面積比覆蓋層7的開口部7e的面積大。即，如圖20 Ca)所示，光掩模14d的遮光區(qū)域14b的直徑D3比覆蓋層7的開口部7e的直徑D4大。由此，即使產生光的衍射，也能夠確保接觸孔的面積。(2)開口部的形狀在實施方式中，分隔壁層5的開口部的俯視形狀(四邊形)與覆蓋層7的開口部的俯視形狀(四邊形)相同，但本發(fā)明并不限于此，只要滿足光掩模7d的遮光區(qū)域的面積比分隔壁層5的開口部的面積大這一條件，分隔壁層5的開口部的俯視形狀與覆蓋層7的開口部的俯視形狀也可以不同。另外，在實施方式中，分隔壁層5的開口部以及覆蓋層7的開口部的俯視形狀為四邊形，但也可以是此以外的形狀。例如，也可以為圓形、橢圓形、多邊形
坐寸o(3)感光性材料的類型在實施方式中，作為第2層(在實施方式I中為覆蓋層7，在實施方式2中為分隔壁層5)的材料，使用在顯影時未曝光部分被除去、曝光部分殘留的類型的感光性材料，但本發(fā)明并不限于此，也可以使用相反的類型的感光性材料。例如，在實施方式I中使用相反的類型的情況下，如圖21所示，光掩模7u形成為，開口區(qū)域7t俯視與覆蓋材料層7r的預定形成開口的部位重疊，遮光區(qū)域7s與其以外的區(qū)域重疊。而且，設計為光掩模7u的開口區(qū)域7t的面積比覆蓋層7的開口部的面積大。在實施方式2中使用相反的類型的情況也同樣。(4)向顯示裝置的應用例圖22是表示將圖1的顯示面板應用于顯示裝置的情況下的功能塊的圖。圖23是例示圖22的顯示裝置的外觀的圖。顯示裝置20具備顯示面板21和與其電連接的驅動控制部22。驅動控制部22包括驅動電路23和控制驅動電路23的工作的控制電路24。本發(fā)明可以用于有機EL顯示器等。
權利要求
1.一種顯示面板的制造方法，包括: 準備在上表面形成有電極的基底基板的工序； 在所述基底基板上形成第I層的工序，所述第I層在俯視與所述電極重疊的位置具有第I開口部； 在所述第I層上形成第2層的工序，所述第2層在俯視與所述第I開口部重疊的位置具有第2開口部；以及 在所述第I以及第2開口部的內部形成與所述電極接觸的布線層的工序； 所述第2層包含感光性材料； 形成所述第2層的工序包括: 在所述第I層上形成構成所述第2層的感光性材料的層的子工序； 在所述感光性材料的層上配置光掩模的子工序，所述光掩模的光透射性在俯視與預定形成所述第2開口部的部位重疊的第I區(qū)域和其以外的第2區(qū)域不同；以及經由所述光掩模對構成所述第2層的感光性材料的層進行曝光的子工序； 俯視下所述光掩模的所述第I區(qū)域的面積比所述第I層的所述第I開口部的面積大。
2.如權利要求1所述的顯示面板的制造方法， 所述第I層的厚度比所述第2層的厚度厚。
3.如權利要求1或2所述的顯示面板的制造方法， 所述第I層為在與所述第I開口部不同的位置具有用于形成功能性材料層的第3開口部的分隔壁層； 所述第2層為覆蓋在所述第3開口部形成的功能性材料層的覆蓋層。
4.如權利要求1所述的顯示面板的制造方法， 所述第I層為柵極絕緣膜； 所述第2層為在與所述第2開口部不同的位置具有用于形成功能性材料層的第3開口部的分隔壁層。
5.如權利要求1所述的顯示面板的制造方法， 所述第I層包含感光性材料； 形成所述第I層的工序包括: 在所述基底基板上形成構成所述第I層的感光性材料的層的子工序； 在所述感光性材料的層上配置光掩模的子工序，所述光掩模的光透射性在俯視與預定形成所述第I開口部的部位重疊的第I區(qū)域和其以外的第2區(qū)域不同；以及經由所述光掩模對所述感光性材料的層進行曝光的子工序； 在形成所述第2層的工序中使用的光掩模的所述第I區(qū)域的俯視的面積比在形成所述第I層的工序中使用的光掩模的所述第I區(qū)域的俯視的面積大。
6.—種顯不面板,具備: 在上表面形成有電極的基底基板； 形成于所述基底基 板上、在俯視與所述電極重疊的位置具有第I開口部的第I層； 形成于所述第I層上、在俯視與所述第I開口部重疊的位置具有第2開口部的第2層；以及 形成于所述第I以及第2開口部的內部的、與所述電極接觸的布線層；所述第2開口 部的俯視的面積比所述第I開口部的俯視的面積大。
全文摘要
顯示面板的制造方法包括在第1層上形成構成第2層的感光性材料的層的子工序；在感光性材料的層上配置光掩模的子工序，所述光掩模的光透射性在俯視與預定形成第2開口部的部位重疊的第1區(qū)域和其以外的第2區(qū)域不同；以及經由光掩模對構成第2層的感光性材料的層進行曝光的子工序；俯視下光掩模的第1區(qū)域的面積比第1層的第1開口部的面積大。
文檔編號G09F9/30GK103210698SQ20118003787
公開日2013年7月17日 申請日期2011年11月16日 優(yōu)先權日2011年11月16日
發(fā)明者七井識成, 宮本明人, 受田高明 申請人:松下電器產業(yè)株式會社