專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及使用了以有機EL為代表的電流驅動型發(fā)光元件的有源矩陣型顯示裝置，尤其涉及功耗降低效果優(yōu)異的顯示裝置。
背景技術：
一般來說，有機EL (電致發(fā)光)元件的輝度(brightness)依賴于供給到元件的驅動電流，元件的發(fā)光輝度與驅動電流成比例地變大。因此，由有機EL元件構成的顯示器的功耗由顯示輝度的平均值來決定。即，與液晶顯示器不同，有機EL顯示器的功耗會根據(jù)顯示圖像而較大地變動。
例如在有機EL顯示器中，當顯示全白圖像時需要最大的功耗，但在一般的自然圖像的情況下，相對于全白時為20 40%左右的功耗就足夠了。但是，電源電路設計和電池容量是假定顯示器的功耗最大的情況而設計的，所以必須考慮相對于一般的自然圖像為3 4倍的功耗，這妨礙了設備的低功耗化和小型化。因此，以往提出了如下的技術通過檢測圖像數(shù)據(jù)的峰值，根據(jù)該檢測數(shù)據(jù)調整有機EL元件的陰極電壓，使電源電壓減少，從而能夠幾乎不降低顯示輝度地抑制功耗(例如參照專利文獻I)。在先技術文獻專利文獻I :日本特開2006 - 065148號公報

發(fā)明內容
發(fā)明要解決的問題由于有機EL元件是電流驅動元件，所以在電源布線中流動電流，會產生與布線電阻成比例的電壓降。因此，供給到顯示器的電源電壓被設定為增加了用于補償電壓降的電壓降裕量(margin)。關于用于補償電壓下降量的電壓降裕量，也是與上述的電源電路設計和電池容量同樣地假定顯示器的功耗最大的情況而設定的，所以相對于一般的自然圖像會消耗無用的電力。在假定移動設備用途的小型顯示器中，由于面板電流小，所以補償電壓下降量的電壓降裕量與由發(fā)光像素消耗的電壓相比，小到可以忽視的程度。但是，當電流隨著面板的大型化而增加時，電源布線所產生的電壓降無法忽視。然而，在上述專利文獻I的現(xiàn)有技術中，雖然能夠降低各發(fā)光像素的功耗，但不能降低用于補償電壓下降量的電壓降裕量，作為面向家庭的30英寸以上的大型顯示裝置的功耗降低效果是不夠的。本發(fā)明是鑒于上述的問題而完成的發(fā)明，目的在于提供一種功耗降低效果優(yōu)異的
顯示裝置。用于解決問題的手段為了達到上述目的，本發(fā)明的一種方式涉及的顯示裝置具備電源供給單元，其輸出高電位側輸出電位和低電位側輸出電位的至少一方；顯不單兀，其配置有多個發(fā)光像素，從所述電源供給單元接受電源供給；電壓檢測單元，其檢測施加于所述顯示單元內的至少一個發(fā)光像素的高電位側施加電位、和施加于與該發(fā)光像素相同或與該發(fā)光像素不同的至少一個發(fā)光像素的低電位側施加電位中的至少一方；以及電壓調整單元，其調整從所述電源供給單元輸出的所述高電位側輸出電位和所述低電位側輸出電位的至少一方，使得所述高電位側施加電位和所述低電位側施加電位中的至少一方的施加電位與基準電位之間的電位差成為預定的電位差。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠實現(xiàn)功耗降低效果優(yōu)異的顯示裝置。


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圖I是表示本發(fā)明實施方式I涉及的顯示裝置的概略結構的框圖。圖2是示意表示實施方式I涉及的有機EL顯示單元的結構的立體圖。圖3是表示監(jiān)視用的發(fā)光像素的具體結構的一例的電路圖。圖4是表示實施方式I涉及的高電位側可變電壓源的具體結構的一例的框圖。圖5是表示本發(fā)明實施方式I涉及的顯示裝置的動作的流程圖。圖6是表示實施方式I涉及的所需電壓換算表的一例的圖。圖7是表示電壓裕量換算表的一例的圖。圖8是表示第N幀 第N + 2幀的顯示裝置的動作的定時圖。圖9是示意表示顯示于有機EL顯示單元的圖像的圖。圖10是表示本發(fā)明實施方式2涉及的顯示裝置的概略結構的框圖。圖11是表示實施方式2涉及的高電位側可變電壓源的具體結構的一例的框圖。圖12是表示本發(fā)明實施方式2涉及的顯示裝置的動作的流程圖。圖13是表示實施方式2涉及的所需電壓換算表的一例的圖。圖14是表示本發(fā)明實施方式3涉及的顯示裝置的概略結構的框圖。圖15是表示實施方式3涉及的高電位側可變電壓源的具體結構的一例的框圖。圖16是表示第N幀 第N + 2幀的顯示裝置的動作的定時圖。圖17是表示本發(fā)明實施方式4涉及的顯示裝置的概略結構的一例的框圖。圖18是示意表示實施方式4涉及的有機EL顯示單元的結構的立體圖。圖19A是連接在高電位側的監(jiān)視用布線上的發(fā)光像素的電路結構圖。圖19B是連接在低電位側的監(jiān)視用布線上的發(fā)光像素的電路結構圖。圖20A是本發(fā)明的顯示裝置具有的顯示板的結構概略圖。圖20B是示意表示本發(fā)明的顯示裝置具有的顯示板的外周附近的結構的立體圖。圖21是表示本發(fā)明實施方式5涉及的顯示裝置的概略結構的框圖。圖22是表示本發(fā)明實施方式5涉及的顯示裝置的電位分布和檢測點配置的圖。圖23是表示與圖像數(shù)據(jù)的色階(灰度等級)對應的、通常的發(fā)光像素的發(fā)光輝度和具有監(jiān)視用布線的發(fā)光像素的發(fā)光輝度的曲線圖。圖24是示意表示發(fā)生了線缺陷的圖像的圖。圖25是一并表示驅動晶體管的電流一電壓特性和有機EL元件的電流一電壓特性的曲線圖。圖26是內置有本發(fā)明的顯示裝置的薄型平板TV的外觀圖。標號說明50、100、200、300、400 :顯示裝置110,310,410 :有機 EL 顯示單元111、111M、111M1、111M2、111M3、111Ma、IIIMb :發(fā)光像素112:第I電源布線113:第2電源布線 120:數(shù)據(jù)線驅動電路121:有機EL元件122 :數(shù)據(jù)線123 :掃描線124 :開關晶體管125 :驅動晶體管126:保持電容130:寫入掃描驅動電路140:控制電路150:峰信號檢測電路160、165、260 :信號處理電路170U70A :高電位側電位差檢測電路170B :低電位側電位差檢測電路175:電壓裕量設定單元175A :高電位側電壓裕量設定單元175B :低電位側電壓裕量設定單兀180、280、180A :高電位側可變電壓源180B :低電位側可變電壓源181、281:比較電路182 :PWM 電路183:驅動電路184 :輸出端子185 :輸出檢測單元186 :誤差放大器190、190A、190B、191、192、193、290 :監(jiān)視用布線470:電位比較電路Ml、M2、M3:檢測點Rlh, Rlv :第I電源布線電阻R2h、R2v :第2電源布線電阻
具體實施方式
本發(fā)明涉及的顯示裝置的特征在于，具備電源供給單元，其輸出高電位側輸出電位和低電位側輸出電位的至少一方；顯示單元，其配置有多個發(fā)光像素，從所述電源供給單元接受電源供給；電壓檢測單元，其檢測施加于所述顯示單元內的至少一個發(fā)光像素的高電位側施加電位、和施加于與該發(fā)光像素 相同或與該發(fā)光像素不同的至少一個發(fā)光像素的低電位側施加電位中的至少一方；以及電壓調整單元，其調整從所述電源供給單元輸出的所述高電位側輸出電位和所述低電位側輸出電位的至少一方，使得所述高電位側施加電位和所述低電位側施加電位中的至少一方的施加電位與基準電位之間的電位差成為預定的電位差。由此，通過按照從電源供給單元到至少一個發(fā)光像素產生的電壓下降量來調整電源供給單元的高電位側輸出電位和電源供給單元的低電位側輸出電位的至少一方，能夠削減功耗。另外，本發(fā)明涉及的顯示裝置的一種方式可以是，被檢測所述高電位側施加電位的所述發(fā)光像素和被檢測所述低電位側施加電位的所述發(fā)光像素是不同的發(fā)光像素。由此，在高電位側電源線的電壓降分布和低電位側電源線的電壓降(上升)分布不同的情況下，能夠根據(jù)來自不同的發(fā)光像素的電位信息來調整電源供給單元的高電位側輸出電位和低電位側輸出電位，因此能夠更有效地削減功耗。另外，本發(fā)明涉及的顯示裝置的一種方式可以是，被檢測所述高電位側施加電位的所述發(fā)光像素的個數(shù)和被檢測所述低電位側施加電位的所述發(fā)光像素的個數(shù)的至少一方是多個。另外，本發(fā)明涉及的顯示裝置的一種方式可以是，所述電壓調整單元選擇由所述電壓檢測單元檢測出的多個高電位側施加電位中最小的施加電位、和由所述電壓檢測單元檢測出的多個低電位側施加電位中最大的施加電位中的至少一方，根據(jù)該選擇出的施加電位調整所述電源供給單元。由此，當檢測到的高電位側電位或低電位側電位中的任意一方是多個時，能夠選擇多個檢測電位中最小或最大的電位。因此，能夠更精確地調整來自電源供給單元的輸出電位。因而，在使顯示單元大型化了的情況下，也能夠有效地削減功耗。另外，本發(fā)明涉及的顯示裝置的一種方式還可以具備高電位側檢測線和低電位側檢測線中的至少一方，所述高電位側檢測線的一端連接于被檢測所述高電位側施加電位的所述發(fā)光像素，另一端連接于所述電壓檢測單元，將所述高電位側施加電位傳輸?shù)剿鲭妷簷z測單元；所述低電位側檢測線的一端連接于被檢測所述低電位側施加電位的所述發(fā)光像素，另一端連接于所述電壓檢測單元，將所述低電位側施加電位傳輸?shù)剿鲭妷簷z測單
J Li ο由此，電壓檢測單元能夠測定經由高電位側檢測線施加于至少一個發(fā)光像素的高電位側電位、和經由低電位側檢測線施加于至少一個發(fā)光像素上的低電位側電位的至少一方。另外，本發(fā)明涉及的顯示裝置的一種方式可以是，所述電壓檢測單元還檢測通過所述電源供給單兀輸出的所述高電位側輸出電位和所述低電位側輸出電位的至少一方，所述電壓調整單元按照第I電位差來調整從所述電源供給單元輸出的所述高電位側輸出電位和所述低電位側輸出電位的至少一方，所述第I電位差是通過所述電源供給單元輸出的所述高電位側輸出電位與施加于所述至少I個發(fā)光像素的高電位側施加電位之間的電位差、和通過所述電源供給單元輸出的所述低電位側輸出電位與施加于所述至少一個發(fā)光像素的低電位側施加電位之間的電位差中的至少一方的電位差。由此，電壓檢測單元實際上能測定從電源供給單元到預先確定的發(fā)光像素的電壓下降量，因此，能夠使電源供給單元的高電位側輸出電位和電源供給單元的低電位側輸出電位的至少一方為與通過電壓檢測單元測定出的電壓下降量相應的最佳的電位。另外，本發(fā)明涉及的顯示裝置的一種方式可以是，所述電壓調整單元進行調整以使得所述高電位側輸出電位與基準電位之間的電位差以及所述低電位側輸出電位與基準電位之間的電位差中的至少一方的電位差、和所述第I電位差成為遞增函數(shù)的關系。另外，本發(fā)明涉及的顯示裝置的一種方式可以是，所述電壓檢測單元還檢測對所述電源供給單元和所述多個發(fā)光像素的高電位側進行連接的高電位側電流路徑上的電位、以及對所述電源供給單元和所述多個發(fā)光像素的低電位側進行連接的低電位側電流路徑上的電位的至少一方，所述電壓調整單元按照第2電位差來調整從所述電源供給單元輸出·的所述高電位側輸出電位和所述低電位側輸出電位的至少一方，所述第2電位差是所述高電位側電流路徑上的電位與施加于所述至少I個發(fā)光像素的高電位側施加電位之間的電位差、和所述低電位側電流路徑上的電位與施加于所述至少一個發(fā)光像素的低電位側施加電位之間的電位差中的至少一方的電位差。由此，通過檢測施加于發(fā)光像素的電壓與顯示區(qū)域外的布線路徑上的電壓之間的電位差，能夠按照僅是顯示區(qū)域內的電壓下降量來調整來自電源供給單元的輸出電壓。另外，本發(fā)明涉及的顯示裝置的一種方式可以是，所述電壓調整單元進行調整以使得所述高電位側輸出電位與基準電位之間的電位差以及所述低電位側輸出電位與基準電位之間的電位差的至少一方的電位差、和所述第2電位差成為遞增函數(shù)的關系。另外，本發(fā)明涉及的顯示裝置的一種方式可以是，所述多個發(fā)光像素分別具備具有源電極和漏電極的驅動元件；和具有第I電極和第2電極的發(fā)光元件，所述第I電極連接于所述驅動元件的源電極及漏電極的一方，向所述源電極及所述漏電極的另一方和所述第2電極的一方施加高電位側電位，向所述源電極及所述漏電極的另一方和所述第2電極的另一方施加低電位側電位。另外，本發(fā)明涉及的顯示裝置的一種方式可以是，所述多個發(fā)光像素排列成行列狀，所述顯示裝置還具備第I電源線和第2電源線，所述第I電源線將在行方向和列方向中的至少一個方向上相鄰的所述驅動元件的所述源電極和所述漏電極的另一方彼此連接，所述第2電源線將在行方向和列方向上相鄰的所述發(fā)光元件的所述第2電極彼此連接，所述多個發(fā)光像素經由所述第I電源線和所述第2電源線接受來自所述電源供給單元的電源供
5口 O另外，本發(fā)明涉及的顯示裝置的一種方式可以是，所述第2電極和所述第2電源線構成在所述多個發(fā)光像素共用地設置的共用電極的一部分，與所述電源供給單元電連接以使得從所述共用電極的周圍施加電位。由此，雖然隨著成為顯示單元的中央附近而電壓下降量變大，但尤其是在顯示單元大型化的情況下，能夠更適當?shù)卣{整電源供給單元的高電位側輸出電位和電源供給單元的低電位側輸出電位，能夠進一步削減功耗。
另外，本發(fā)明涉及的顯示裝置的一種方式可以是，所述第2電極使用由金屬氧化物構成的透明導電性材料形成。另外，本發(fā)明涉及的顯示裝置的一種方式可以是，所述發(fā)光元件是有機EL元件。由此，通過降低功耗，能夠抑制發(fā)熱，因此能夠抑制有機EL元件的劣化。以下，根據(jù)附圖來說明本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式。以下，在全部附圖中對相同或相當?shù)囊貥擞浵嗤臉颂?，省略其重復的說明。(實施方式I)本實施方式涉及的顯示裝置具備可變電壓源，其輸出高電位側輸出電位和低電位側輸出電位的至少一方；有機EL顯示單元，其配置有多個發(fā)光像素，從該可變電壓源接受電源供給；電位差檢測電路，其檢測施加于該有機EL顯示單元內的一個發(fā)光像素的高電 位側施加電位、和施加于與該發(fā)光像素相同或與該發(fā)光像素不同的至少一個發(fā)光像素的低電位側施加電位中的至少一方；以及信號處理電路，其調整從可變電壓源輸出的高電位側輸出電位和低電位側輸出電位的至少一方，使得發(fā)光像素的高電位側施加電位和低電位側施加電位中的至少一方的施加電位與基準電位之間的電位差成為預定的電位差。由此，本實施方式涉及的顯示裝置能實現(xiàn)優(yōu)異的功耗降低效果。以下，使用附圖來具體說明本發(fā)明的實施方式I。圖I是表示本發(fā)明實施方式I涉及的顯示裝置的概略結構的框圖。圖I所示的顯示裝置50包括有機EL顯示單元110、數(shù)據(jù)線驅動電路120、寫入掃描驅動電路130、控制電路140、信號處理電路165、高電位側電位差檢測電路170、電壓裕量設定單元175、高電位側可變電壓源180以及監(jiān)視用布線190。圖2是示意表示實施方式I涉及的有機EL顯示單元110的結構的立體圖。此外，圖中上方是顯示面?zhèn)?。如圖2所示，有機EL顯示單元110具有多個發(fā)光像素111、第I電源布線112以及第2電源布線113。發(fā)光像素111連接于第I電源布線112和第2電源布線113，發(fā)光像素111以與在該發(fā)光像素111中流動的像素電流ipix相應的輝度進行發(fā)光。多個發(fā)光像素111中預先確定的至少一個發(fā)光像素在高電位側檢測點Ml連接于監(jiān)視用布線190。以下，將直接連接于監(jiān)視用布線190的發(fā)光像素111記為監(jiān)視用發(fā)光像素111M。第I電源布線112與配置成矩陣狀的發(fā)光像素111對應而形成為網狀，與配置在有機EL顯示單元110的周緣部的高電位側可變電壓源180電連接。通過從高電位側可變電壓源180輸出高電位側電源電位，向第I電源布線112施加與從高電位側可變電壓源180輸出的高電位側電源電位對應的電位。另一方面，第2電源布線113呈整面膜狀而形成于有機EL顯示單元110。在圖2中，為了表示第I電源布線112和第2電源布線113的電阻成分，示意地呈網狀圖示了第I電源布線112和第2電源布線113。此外，第2電源布線113也可以例如在有機EL顯示單元110的周緣部與顯示裝置50的共用接地電位連接(接地)。在第I電源布線112存在水平方向的第I電源布線電阻Rlh和垂直方向的第I電源布線電阻Rlv。在第2電源布線113存在水平方向的第2電源布線電阻R2h和垂直方向的第2電源布線電阻R2v。雖未圖示，但發(fā)光像素111與寫入掃描驅動電路130及數(shù)據(jù)線驅動電路120連接，還與用于控制使發(fā)光像素111發(fā)光和光猝滅的定時的掃描線、和用于供給與發(fā)光像素111的發(fā)光輝度對應的信號電壓的數(shù)據(jù)線連接。監(jiān)視用發(fā)光像素IllM按照第I電源布線112的布線方法、第I電源布線電阻Rlh和Rlv的值來決定該發(fā)光像素IllM的最佳位置。圖3是表示監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的具體結構的一例的電路圖。配置成矩陣狀的發(fā)光像素各自包含驅動元件和發(fā)光元件，驅動元件包含源電極和漏電極，發(fā)光元件包含第I電極和第2電極，該第I電極連接于驅動元件的源電極和漏電極中的一方，向源電極和漏電極中的另一方和第2電極中的一方施加高電位側電位，向源電極和漏電極中的另一方和第2電極中的另一方施加低電位側電位。具體來說，發(fā)光像素111分別具有有機EL元件121、數(shù)據(jù)線122、掃描線123、開關晶體管124、驅動晶體管125以及保持電容126。另外，在監(jiān)視用發(fā)光像素IllM中，還在驅動元件的源電極和漏電極中的另一方連接有監(jiān)視用布線190。發(fā)光像素IllM在有機EL顯示單元110中至少配置I個?！び袡CEL元件121是作為第I電極的陽電極連接于驅動晶體管125的漏電極、作為第2電極的陰電極連接于第2電源布線113的發(fā)光元件，以與在陽電極與陰電極之間流動的像素電流ipix相應的輝度進行發(fā)光。該有機EL元件121的陰電極構成在多個發(fā)光像素111共用地設置的共用電極的一部分，該共用電極被從其周緣部施加電位。也即是，上述共用電極作為有機EL顯示單元110中的第2電源布線113發(fā)揮作用。另外，陰電極使用由金屬氧化物構成的透明導電性材料形成。數(shù)據(jù)線122連接于數(shù)據(jù)線驅動電路120以及開關晶體管124的源電極和漏電極中的一方，通過數(shù)據(jù)線驅動電路120被施加與圖像數(shù)據(jù)對應的信號電壓。掃描線123連接于寫入掃描驅動電路130和開關晶體管124的柵電極，按照通過寫入掃描驅動電路130施加的電壓來切換開關晶體管124的導通和非導通。開關晶體管124是源電極和漏電極中的一方連接于數(shù)據(jù)線122、源電極和漏電極中的另一方連接于驅動晶體管125的柵電極和保持電容126的一端的例如P型薄膜晶體管(TFT)0驅動晶體管125是源電極連接于第I電源布線112、漏電極連接于有機EL元件121的陽電極、柵電極連接于保持電容126的一端以及開關晶體管124的源電極和漏電極中的另一方的驅動元件，例如是P型TFT。由此，驅動晶體管125向有機EL元件121供給與保持在保持電容126的電壓相應的電流。另外，在監(jiān)視用發(fā)光像素IllM中，驅動晶體管125的源電極與監(jiān)視用布線190連接。保持電容126的一端連接于開關晶體管124的源電極和漏電極中的另一方，另一端連接于第I電源布線112，保持開關晶體管124成為了非導通時的第I電源布線112的電位與驅動晶體管125的柵電極的電位之間的電位差。也即是，保持與信號電壓對應的電壓。以下，參照圖2和圖3說明圖I中所示的各構成要素的功能。數(shù)據(jù)線驅動電路120經由數(shù)據(jù)線122向發(fā)光像素111輸出與圖像數(shù)據(jù)對應的信號電壓。寫入掃描驅動電路130通過向多條掃描線123輸出掃描信號，依次對多個發(fā)光像素111進行掃描。具體來說，以行為單位使開關晶體管124為導通或非導通。由此，向通過寫入掃描驅動電路130選擇的行的多個發(fā)光像素111施加輸出到多條數(shù)據(jù)線122的信號電壓。由此，發(fā)光像素ill以與圖像數(shù)據(jù)相應的輝度進行發(fā)光?？刂齐娐?40分別向數(shù)據(jù)線驅動電路120和寫入掃描驅動電路130指示驅動定時。信號處理電路165向數(shù)據(jù)線驅動電路120輸出與所輸入的圖像數(shù)據(jù)對應的信號電壓。高電位側電位差檢測電路170是本實施方式中的本發(fā)明的電壓檢測單元，針對監(jiān)視用發(fā)光像素IllM測定施加于監(jiān)視用 發(fā)光像素IllM的高電位側電位。具體來說，高電位側電位差檢測電路170經由監(jiān)視用布線190測定施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的高電位側電位。也即是,測定檢測點Ml的電位。進而，高電位側電位差檢測電路170測定高電位側可變電壓源180的輸出電位，并測定所測定出的施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的高電位側電位與高電位側可變電壓源180的輸出電位之間的電位差AV。并且，向電壓裕量設定單元175輸出所測定出的電位差Λ V。電壓裕量設定單元175是本實施方式中的本發(fā)明的電壓調整單元，根據(jù)峰色階的(VEL + VTFT)電壓和由高電位側電位差檢測電路170檢測到的電位差AV來調整高電位側可變電壓源180，以使監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的電位與基準電位之間的電位差為預定的電壓。具體來說，電壓裕量設定單元175根據(jù)由高電位側電位差檢測電路170檢測到的電位差求出電壓裕量Vdrop。并且，合計峰色階的(VEL + VTFT)電壓和電壓裕量Vdrop，將合計結果的VEL + VTFT + Vdrop作為第I基準電壓VreflA的電壓而輸出到高電位側可變電壓源 180。高電位側可變電壓源180是本實施方式中的本發(fā)明的電源供給單元，向有機EL顯示單元110輸出高電位側電位。該高電位側可變電壓源180根據(jù)從電壓裕量設定單元175輸出的第I基準電壓VreflA輸出使得監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的高電位側電位與基準電位之間的電位差成為預定的電壓(VEL + VTFT)的輸出電壓Vout。基準電位是在顯示裝置50中成為基準的電位即可，在本實施方式中例如是接地電位。監(jiān)視用布線190是一端連接于監(jiān)視用發(fā)光像素111M、另一端連接于高電位側電位差檢測電路170、將施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的高電位側電位傳輸?shù)礁唠娢粋入娢徊顧z測電路170的高電位側檢測線。接著，簡單說明該高電位側可變電壓源180的詳細結構。圖4是表示實施方式I涉及的高電位側可變電壓源的具體結構的一例的框圖。在圖4中還示出了連接于可變電壓源的有機EL顯示單元110和電壓裕量設定單元175。圖4所示的高電位側可變電壓源180具有比較電路181、PWM (Pulse WidthModulation :脈沖寬度調制)電路182、驅動電路183、開關元件SW、二極管D、電感器L、電容器C以及輸出端子184，將輸入電壓Vin轉換為與第I基準電壓Vrefl相應的輸出電壓Vout,并從輸出端子184輸出輸出電壓Vout。此外,雖未圖不,但在輸入輸入電壓Vin的輸入端子的前級插入有AC-DC轉換器，例如能夠進行從AC100V向DC20V的轉換即可。比較電路181具有輸出檢測單元185和誤差放大器186，向PWM電路182輸出與輸出電壓Vout和第I基準電壓Vrefl的差分相應的電壓。輸出檢測單元185具有插入在輸出端子184與接地電位之間的2個電阻Rl和R2，按照電阻Rl和R2的電阻比對輸出電壓Vout進行分壓,將分壓后的輸出電壓Vout輸出給誤差放大器186。誤差放大器186比較由輸出檢測單元185分壓后的Vout和從電壓裕量設定單元175輸出的第I基準電壓VreflA，將與其比較結果相應的電壓輸出給PWM電路182。具體來說，誤差放大器186具有運算放大器187、電阻R3以及電阻R4。運算放大器187的反相輸入端子經由電阻R3連接于輸出檢測單元185，同相輸入端子連接于電壓裕量設定單元175，輸出端子與PWM電路182連接。另外，運算放大 器187的輸出端子經由電阻R4與反相輸入端子連接。由此，誤差放大器186將從輸出檢測單元185輸入的電壓與從電壓裕量設定單元175輸入的第I基準電壓VreflA之間的電位差相應的電壓輸出到PWM電路182。換言之，將與輸出電壓Vout和第I基準電壓VreflA之間的電位差相應的電壓輸出到PWM電路182。PWM電路182按照從比較電路181輸出的電壓將占空比(duty)不同的脈沖波形輸出到驅動電路183。具體來說，PWM電路182在從比較電路181輸出的電壓大的情況下輸出作用時間(on duty)長的脈沖波形，在所輸出的電壓小的情況下輸出作用時間短的脈沖波形。換言之，在輸出電壓Vout與第I基準電壓VreflA之間的電位差大的情況下，輸出作用時間長的脈沖波形，在輸出電壓Vout與第I基準電壓VreflA之間的電位差小的情況下，輸出作用時間短的脈沖波形。此外，脈沖波形作用的期間是指脈沖波形有效(active)的期間。驅動電路183在從PWM電路182輸出的脈沖波形有效的期間使開關元件SW導通，在從PWM電路182輸出的脈沖波形無效的期間使開關元件SW截止(斷開)。開關元件SW根據(jù)驅動電路183而成為導通或非導通。僅在開關元件SW為導通狀態(tài)的期間，輸入電壓Vin經由電感器L和電容器C而作為輸出電壓Vout被輸出到輸出端子184。由此，輸出電壓Vout從OV逐漸接近20V(Vin)。此時，向電感器L和電容器C進行充電。由于在電感器L的兩端施加了電壓(被充電)，所以輸出電壓Vout成為相應地比輸入電壓Vin低(比輸入電壓Vin低施加到電感器L的電壓量)的電位。隨著輸出電壓Vout接近第I基準電壓Vref 1A，輸入到PWM電路182的電壓變小，PWM電路182輸出的脈沖信號的作用時間變短。于是，開關元件SW導通的時間也變短，輸出電壓Vout慢慢收斂于第I基準電壓VreflA0最終，在電壓以Vout = VreflA附近的電位稍微變動的同時，輸出電壓Vout的電位得以確定。這樣，高電位側可變電壓源180生成使得成為從信號處理電路165輸出的第I基準電壓VreflA的輸出電壓Vout，并將其供給到有機EL顯示單元110。接著，使用圖5 圖7來說明上述的顯示裝置50的動作。圖5是表示本發(fā)明實施方式I涉及的顯示裝置50的動作的流程圖。首先，電壓裕量設定單元175從存儲器讀出預先設定的與峰色階對應的(VEL +VTFT)電壓(S10)。具體來說，電壓裕量設定單元175使用表示與各顏色的峰色階對應的VTFT + VEL的所需電壓的所需電壓換算表來決定與各顏色的色階對應的VTFT + VEL0圖6是表示電壓裕量設定單元175所參照的所需電壓換算表的一例的圖。如圖6所示，在所需電壓換算表中存儲有與峰色階(255色階)對應的VTFT + VEL的所需電壓。例如，R (紅)的峰色階的所需電壓為11. 2V，G (綠)的峰色階的所需電壓為12. 2V，B (藍)的峰色階的所需電壓為8. 4V。各顏色的峰色階的所需電壓中最大的電壓是G的12. 2V。因此，電壓裕量設定單元175將VTFT + VEL決定為12. 2V。另一方面，高電位側電位差檢測電路170經由監(jiān)視用布線190檢測檢測點Ml的電位(步驟S14)。接著，高電位側電位差檢測電路170輸入高電位側可變電壓源180的輸出端子184的電壓，另外，計算檢測點Ml的電位與基準電位之間的電位差，并檢測所輸入的輸出端子184的電壓與計算出的上述電位差之間的電位差AV(步驟S15)。然后，將檢測到的電位差Λ V輸出到電壓裕量設定單元175。至此的步驟SlO S15相當于本發(fā)明的電位測定處理。接著，電壓裕量設定單元175根據(jù)從高電位側電位差檢測電路170輸出的電位差信號，決定與高電位側電位差檢測電路170檢測到的電位差Λ V對應的電壓裕量Vdrop (步驟S16)。具體來說，電壓裕量設定單元175具有表示與電位差AV對應的電壓裕量Vdrop 的電壓裕量換算表，參照該換算表來決定電壓裕量Vdrop。圖7是表示電壓裕量設定單元175所參照的電壓裕量換算表的一例的圖。如圖7所示，在電壓裕量換算表中存儲有與電位差Λ V對應的電壓裕量Vdrop。例如，在電位差AV為3.4V的情況下，電壓裕量Vdrop為3. 4V。由此，電壓裕量設定單元175將電壓裕量Vdrop決定為3. 4V。如電壓裕量換算表所示那樣，電位差Λ V和電壓裕量Vdrop為遞增函數(shù)的關系。另夕卜，電壓裕量Vdrop越大，高電位側可變電壓源180的輸出電壓Vout越高。也即是，電位差Λ V和輸出電壓Vout為遞增函數(shù)的關系。接著，電壓裕量設定單元175決定在下一幀期間使高電位側可變電壓源180輸出的輸出電壓Vout (步驟S17)。具體來說，將在下一幀期間使高電位側可變電壓源180輸出的輸出電壓Vout設為通過決定有機EL元件121和驅動晶體管125所需的電壓(步驟S13)來決定的VTFT + VEL和通過決定與電位差Λ V對應的電壓裕量(步驟S15)來決定的電壓裕量Vdrop的合計值即VTFT + VEL + Vdrop。最后，電壓裕量設定單元175通過在下一幀期間的最初使第I基準電壓VreflA為VTFT + VEL + Vdrop，調整高電位側可變電壓源180 (步驟S18)。由此，在下一幀期間，高電位側可變電壓源180作為Vout = VTFT + VEL + Vdrop供給到有機EL顯示單元110。步驟S16 步驟S18相當于本發(fā)明的電壓調整處理。這樣，本實施方式涉及的顯示裝置50包括高電位側可變電壓源180，用于輸出高電位側電位；高電位側電位差檢測電路170，用于針對有機EL顯示單元110中的監(jiān)視用發(fā)光像素111M，測定施加于該監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的高電位側電位、以及高電位側可變電壓源180的高電位側輸出電壓Vout ;以及電壓裕量設定單元175，用于調整高電位側可變電壓源180，以使通過高電位側電位差檢測電路170測定出的施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的高電位側電位與基準電位之間的電位差為預定的電壓(VTFT + VEL)。另外，高電位側電位差檢測電路170還測定高電位側可變電壓源180的高電位側輸出電壓Vout，檢測所測定出的高電位側輸出電壓Vout與施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的高電位側電位之間的電位差，電壓裕量設定單元175按照由高電位側電位差檢測電路170檢測到的電位差來調整高電位側可變電壓源180。由此，顯示裝置50通過檢測由水平方向的第I電源布線電阻Rlh和垂直方向的第I電源布線電阻Rlv產生的電壓降，并將該電壓降的程度反饋給高電位側可變電壓源180，能夠減少多余的電壓，削減功耗。另外，顯示裝置50通過在有機EL顯示單元110的中央附近配置監(jiān)視用發(fā)光像素111M，從而在有機EL顯示單元110大型化的情況下，也能夠簡便地調整高電位側可變電壓源180的輸出電壓Vout。另外，通過削減功耗，能夠抑制有機EL元件121的發(fā)熱，因此能夠防止有機EL元件121的劣化。接著，使用圖8和圖9對在上述的顯示裝置50中在第N幀以前和第N+ I幀以后輸入的圖像數(shù)據(jù)變化的情況下的顯示圖案的轉變進行說明。最初，對假定為在第N幀和第N + I幀輸入的圖像數(shù)據(jù)進行說明。首先，在第N幀以前，與有機EL顯示單元110的中心部對應的圖像數(shù)據(jù)為使得有機EL顯示單元110的中心部看起來為白的峰色階(R:G:B = 255 :255 :255)。另一方面，與有機EL顯示單元110的中心部以外對應的圖像數(shù)據(jù)為使得有機EL顯示單元110的中心部以外看起來為灰的灰色階(R G B = 50 :50 :50)。另外，在第N+ I幀以后，與有機EL顯示單元110的中心部對應的圖像數(shù)據(jù)與第N幀同樣地為峰色階(R G B = 255 255 :255)。另一方面，與有機EL顯示單元110的中心部以外對應的圖像數(shù)據(jù)為使得看起來為比第N幀亮的灰的灰色階(R G B = 150 150 :150)。接著，對在第N幀和第N + I幀輸入了如上所述的圖像數(shù)據(jù)的情況下的顯示裝置50的動作進行說明。圖8是表示第N幀 第N + 2幀的顯示裝置50的動作的定時圖。在圖8中，示出了由高電位側電位差檢測電路170檢測到的電位差Δν、從高電位側可變電壓源180輸出的輸出電壓Vout、以及監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的像素輝度。另外，在各幀期間的最后設置有消隱期間。 圖9是示意表示顯示于有機EL顯示單元的圖像的圖。在時間t = TlO時，信號處理電路165輸入第N幀的圖像數(shù)據(jù)。電壓裕量設定單元175使用所需電壓換算表將G的峰色階的所需電壓12. 2V設定為(VTFT + VEL)電壓。另一方面，此時高電位側電位差檢測電路170經由監(jiān)視用布線190檢測檢測點Ml的電位，并檢測與從高電位側可變電壓源180輸出的輸出電壓Vout之間的電位差AV。例如，在時間t = TlO時，檢測出AV= IV。然后，使用電壓裕量換算表將第N+ I幀的電壓裕量Vdrop決定為IV。時間t = TlO Tll是第N幀的消隱期間，在該期間中，在有機EL顯示單元110顯示與時間t = TlO相同的圖像。圖9的(a)是示意表示在時間t = TlO Tll中顯示于有機EL顯示單元110的圖像的圖。在該期間，顯示于有機EL顯示單元110的圖像對應于第N幀的圖像數(shù)據(jù)，中心部白，中心部以外為灰。在時間t = Tll時，電壓裕量設定單元175使第I基準電壓VreflA的電壓為上述(VTFT + VEL)電壓和電壓裕量 Vdrop 的合計 VTFT + VEL + Vdrop (例如 13. 2V)。在時間t = Tll T16，在有機EL顯示單元110依次顯示與第N + I幀的圖像數(shù)據(jù)對應的圖像(圖9的(b) 圖9的(f))。此時，從高電位側可變電壓源180輸出的輸出電壓Vout常為在時間t = Tll時設定為第I基準電壓VreflA的電壓的VTFT + VEL + Vdrop。但是，在第N+I幀中，與有機EL顯示單元110的中心部以外對應的圖像數(shù)據(jù)是使得看起來為比第N幀亮的灰的灰色階。由此，從高電位側可變電壓源180向有機EL顯示單元110供給的電流量在時間t = Tll T16中逐漸增加，隨著該電流量的增加，第I電源布線112的電壓降逐漸變大。由此，作為顯示為亮的區(qū)域的發(fā)光像素111的有機EL顯示單元110的中心部的發(fā)光像素111的電源電壓不足。換言之，和與第N + I幀的圖像數(shù)據(jù)R :G :B = 255 255 :255對應的圖像相比，輝度下降。也即是，在時間t = Tll T16中，有機EL顯示單元110的中心部的發(fā)光像素111的發(fā)光輝度逐漸下降。接著，在時間t = T16時，信號處理電路165輸入第N + I幀的圖像數(shù)據(jù)。電壓裕量設定單元175使用所需電壓換算表將G的峰色階的所需電壓12. 2V繼續(xù)設定為(VTFT +VEL)電壓。另一方面，此時高電位側電位差檢測電路170經由監(jiān)視用布線190檢測檢測點Ml的電位，并檢測所檢測到的檢測點Ml的電位與基準電位之間的電位差、與從高電位側可變電壓源180輸出的輸出電壓Vout之間的電位差Λ V。例如，在時間t = Τ16，檢測出AV =3V。然后，使用電壓裕量換算表將第N + I幀的電壓裕量Vdrop決定為3V?！そ又跁r間t = T17，電壓裕量設定單元175使第I基準電壓VreflA的電壓為上述(VTFT + VEL)電壓和電壓裕量Vdrop的合計VTFT + VEL + Vdrop (例如15. 2V)。因此，在時間t = T17以后，檢測點Ml的電位成為作為預定的電位的VTFT + VEL0這樣，雖然顯示裝置100在第N+ I幀中輝度會暫時下降，但為非常短的期間，對于用戶來說幾乎沒有影響。在本實施方式中，監(jiān)視施加于發(fā)光像素IllM的高電位側電位，調整從高電位側可變電壓源180輸出的高電位側電位，使得該施加于發(fā)光像素IllM的高電位側電位與基準電位之間的電位差成為預定的電壓，但也可以監(jiān)視施加于發(fā)光像素IllM的低電位側電位，調整從低電位側可變電壓源輸出的低電位側電位，使得該施加于發(fā)光像素IllM的低電位側電位與基準電位之間的電位差成為預定的電壓。在該情況下，配置低電位側電位差檢測電路來取代圖I中所示的高電位側電位差檢測電路170，配置低電位側可變電壓源來取代高電位側可變電壓源180。電壓裕量設定單元的功能與電壓裕量設定單元175相同。電壓裕量設定單元根據(jù)峰色階的(VEL + VTFT)電壓和由低電位側電位差檢測電路檢測到的電位差Λ V來調整低電位側可變電壓源，以使監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的電位為預定的電位。 低電位側電位差檢測電路針對監(jiān)視用發(fā)光像素11IM測定施加于監(jiān)視用發(fā)光像素11IM的低電位側電位。進一步，低電位側電位差檢測電路測定低電位側可變電壓源的輸出電位，并測定所測定出的施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的低電位側電位與基準電位之間的電位差、與低電位側可變電壓源的輸出電位之間的電位差AV。然后，將所測定出的電位差AV輸出到電壓裕量設定單元。低電位側可變電壓源向有機EL顯示單元110輸出低電位側電位。該低電位側可變電壓源根據(jù)從電壓裕量設定單元輸出的基準電壓Vref，輸出使得監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的低電位側電位與基準電位的電位差成為預定的電壓的輸出電壓Vout。基準電位是在顯示裝置50中成為基準的電位即可。
由此，本發(fā)明的顯示裝置通過檢測由水平方向的第2電源布線電阻R2h和垂直方向的第2電源布線電阻R2v產生的電壓降，并將該電壓降的程度反饋到低電位側可變電壓源，由此能夠減少多余的電壓，削減功耗。另外，通過削減功耗，能夠抑制有機EL元件的發(fā)熱，因此能夠防止有機EL元件的劣化。(實施方式2)本實施方式涉及的顯示裝置與實施方式I涉及的顯示裝置相比，不同點在于，輸入到可變電壓源的基準電壓不僅依賴于由高電位側電位差檢測電路檢測到的電位差Λ V的變化而進行變化，還依賴于從所輸入的圖像數(shù)據(jù)按每幀檢測到的峰信號而進行變化。以下，省略與實施方式I的相同點的說明，以與實施方式I的不同點為中心進行說明。另外，對與實施方式I重復的附圖，使用實施方式I中所應用的附圖。
以下，使用附圖來具體地說明本發(fā)明的實施方式2。圖10是表示本發(fā)明實施方式2涉及的顯示裝置的概略結構的框圖。圖10所示的顯示裝置100包括有機EL顯示單元110、數(shù)據(jù)線驅動電路120、寫入掃描驅動電路130、控制電路140、峰信號檢測電路150、信號處理電路160、高電位側電位差檢測電路170、高電位側可變電壓源180以及監(jiān)視用布線190。有機EL顯示單元110的結構與實施方式I的圖2和圖3所示的結構是同樣的。峰信號檢測電路150檢測輸入到顯示裝置100的圖像數(shù)據(jù)的峰值，將表示檢測到的峰值的峰信號輸出到信號處理電路160。具體來說，峰信號檢測電路150從圖像數(shù)據(jù)中檢測最高色階的數(shù)據(jù)來作為峰值。高色階的數(shù)據(jù)對應于在有機EL顯示單元110中顯示為亮的圖像。信號處理電路160是本實施方式中的本發(fā)明的電壓調整單元，根據(jù)從峰信號檢測電路150輸出的峰信號和由高電位側電位差檢測電路170檢測到的電位差AV來調整高電位側可變電壓源180，以使監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的電位與基準電位之間的電位差為預定的電壓。具體來說，信號處理電路160在以從峰信號檢測電路150輸出的峰信號使發(fā)光像素111發(fā)光的情況下，決定有機EL元件121和驅動晶體管125所需的電壓。另外，信號處理電路160根據(jù)由高電位側電位差檢測電路170檢測到的電位差求出電壓裕量。然后，合計所決定的有機EL元件121所需的電壓VEL、驅動晶體管125所需的電壓VTFT以及電壓裕量Vdrop，將合計結果的VEL + VTFT + Vdrop作為第I基準電壓Vrefl的電壓而輸出到高電位側可變電壓源180。另外，信號處理電路160向數(shù)據(jù)線驅動電路120輸出與經由峰信號檢測電路150輸入的圖像數(shù)據(jù)對應的信號電壓。高電位側電位差檢測電路170是本實施方式中的本發(fā)明的電壓檢測單元，針對監(jiān)視用發(fā)光像素IllM測定施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的高電位側電位。具體來說，高電位側電位差檢測電路170經由監(jiān)視用布線190測定施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的高電位側電位。也即是,測定檢測點Ml的電位。進一步，高電位側電位差檢測電路170測定高電位側可變電壓源180的輸出電位，并測定所測定出的施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的高電位側電位與高電位側可變電壓源180的輸出電位之間的電位差AV。然后，將測定出的電位差Λ V輸出到信號處理電路160。
高電位側可變電壓源180是本實施方式中的本發(fā)明的電源供給單元，將高電位側電位輸出到有機EL顯示單元110。該高電位側可變電壓源180根據(jù)從信號處理電路160輸出的第I基準電壓Vrefl，輸出使得監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的高電位側電位與基準電位之間的電位差成為預定的電壓(VEL + VTFT)的輸出電壓Vout。基準電位是在顯示裝置100中成為基準的電位即可，在本實施方式中例如是接地電位。監(jiān)視用布線190是一端連接于監(jiān)視用發(fā)光像素111M、另一端連接于高電位側電位差檢測電路170、將施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的高電位側電位傳輸?shù)礁唠娢粋入娢徊顧z測電路170的高電位側檢測線。接著，簡單地說明該高電位側可變電壓源180的詳細結構。圖11是表示實施方式2涉及的高電位側可變電壓源的具體結構的一例的框圖。在圖11中還示出了連接于可變電壓源的有機EL顯示單元110和信號處理電路160。
圖11所示的高電位側可變電壓源180與在實施方式I中說明的高電位側可變電壓源180是同樣的。誤差放大器186比較由輸出檢測單元185分壓后的Vout和從信號處理電路160輸出的第I基準電壓Vrefl，將與其比較結果相應的電壓輸出到P麗電路182。具體來說，誤差放大器186具有運算放大器187、電阻R3以及電阻R4。運算放大器187的反相輸入端子經由電阻R3連接于輸出檢測單元185，同相輸入端子連接于信號處理電路160，輸出端子與PWM電路182連接。另外，運算放大器187的輸出端子經由電阻R4與反相輸入端子連接。由此，誤差放大器186將與從輸出檢測單兀185輸入的電壓和從信號處理電路160輸入的第I基準電壓Vrefl之間的電位差相應的電壓輸出到PWM電路182。換言之，將與輸出電壓Vout和第I基準電壓Vrefl之間的電位差相應的電壓輸出到PWM電路182。PWM電路182按照從比較電路181輸出的電壓而向驅動電路183輸出占空比不同的脈沖波形。具體來說，PWM電路182在從比較電路181輸出的電壓大的情況下輸出作用時間長的脈沖波形，在所輸出的電壓小的情況下輸出作用時間短的脈沖波形。換言之，在輸出電壓Vout與第I基準電壓Vrefl之間的電位差大的情況下，輸出作用時間長的脈沖波形，在輸出電壓Vout與第I基準電壓Vrefl之間的電位差小的情況下，輸出作用時間短的脈沖波形。脈沖波形作用的期間是脈沖波形有效的期間。隨著輸出電壓Vout接近第I基準電壓Vref I，輸入到PWM電路182的電壓變小，PWM電路182輸出的脈沖信號的作用時間變短。于是，開關元件SW導通的時間也變短，輸出電壓Vout慢慢收斂于第I基準電壓Vrefl0最終，在電壓以Vout = Vrefl附近的電位進行變動的同時，輸出電壓Vout的電位
得以確定。這樣，高電位側可變電壓源180生成使得成為從信號處理電路160輸出的第I基準電壓Vrefl的輸出電壓Vout，并將其供給到有機EL顯示單元110。接著，使用圖12、圖13以及圖7說明上述的顯示裝置100的動作。圖12是表示本發(fā)明的顯示裝置100的動作的流程圖。首先，峰信號檢測電路150取得輸入到顯示裝置100的I幀期間的圖像數(shù)據(jù)(步驟SI!).例如，峰信號檢測電路150具有緩沖器，在該緩沖器中存儲I幀期間的圖像數(shù)據(jù)。
接著，峰信號檢測電路150檢測所取得的圖像數(shù)據(jù)的峰值(步驟S12)，將表示檢測到的峰值的峰信號輸出到信號處理電路160。具體來說，峰值信號檢測電路150按顏色檢測圖像數(shù)據(jù)的峰值。例如，對于紅(R)、綠(G)、藍(B)，圖像數(shù)據(jù)分別用O 255 (越大輝度越高)的256色階來表示。在此，在有機EL顯示單元110的一部分圖像數(shù)據(jù)為R :G :B = 177 124 :135、有機EL顯示單元110的另一部分圖像數(shù)據(jù)為R :G :B = 24 :177 :50、又一部分圖像數(shù)據(jù)為R :G :B = 10 70 176的情況下，峰信號檢測電路150檢測出177為R的峰值，檢測出177作為G的峰值，檢測出176作為B的峰值，并將檢測到的表示各顏色的峰值的峰信號輸出到信號處理電路160。接著，信號處理電路160決定以從峰信號檢測電路150輸出的峰值使有機EL元件121發(fā)光的情況下的驅動晶體管125所需的電壓VTFT和有機EL元件121所需的電壓VEL(步驟S13)。具體來說，信號處理電路160使用表示與各顏色的色階對應的VTFT + VEL的所需電壓的所需電壓換算表來決定與各顏色的色階對應的VTFT + VEL0圖13是表不信號處理電路160具有的所需電壓換算表的一例的圖。
·
如圖13所示，在所需電壓換算表中存儲有與各顏色的色階對應的VTFT + VEL的所需電壓。例如，與R的峰值177對應的所需電壓為8. 5V，與G的峰值177對應的所需電壓為9. 9V，與B的峰值176對應的所需電壓為6. 7V。與各顏色的色階對應的所需電壓中最大的電壓是與G的峰值對應的9. 9V。因此，信號處理電路160將VTFT + VEL決定為9. 9V。另一方面，高電位側電位差檢測電路170經由監(jiān)視用布線190檢測檢測點Ml的電位(步驟S14)。接著，高電位側電位差檢測電路170輸入高電位側可變電壓源180的輸出端子184的電壓，另外，計算檢測點Ml的電位與基準電位之間的電位差，并檢測所輸入的輸出端子184的電壓與計算出的上述電位差之間的電位差AV(步驟S15)。然后，將檢測到的電位差AV輸出到信號處理電路160。至此的步驟Sll S15相當于本發(fā)明的電位測定處理。接著，信號處理電路160根據(jù)從高電位側電位差檢測電路170輸出的電位差信號，決定與高電位側電位差檢測電路170檢測到的電位差Λ V對應的電壓裕量Vdrop (步驟S16)。具體來說，信號處理電路160具有表示與電位差Λ V對應的電壓裕量Vdrop的電壓裕量換算表，參照該換算表來決定電壓裕量Vdrop。如圖7所示，在電壓裕量換算表中存儲有與電位差Λ V對應的電壓裕量Vdrop。例如，在電位差AV為3. 4V時，電壓裕量Vdrop是3. 4V。因此，信號處理電路160將電壓裕量Vdrop 決定為 3. 4V。如電壓裕量換算表所示那樣，電位差Λ V和電壓裕量Vdrop為遞增函數(shù)的關系。另夕卜，電壓裕量Vdrop越大，高電位側可變電壓源180的輸出電壓Vout越高。也即是，電位差Λ V和輸出電壓Vout為遞增函數(shù)的關系。接著，信號處理電路160決定在下一幀期間使高電位側可變電壓源180輸出的輸出電壓Vout (步驟S17)。具體來說，使在下一幀期間使高電位側可變電壓源180輸出的輸出電壓Vout為通過決定有機EL元件121和驅動晶體管125所需的電壓(步驟S13)而決定的VTFT + VEL與通過決定與電位差Λ V對應的電壓裕量(步驟S15)而決定的電壓裕量Vdrop 的合計值即 VTFT + VEL + Vdrop。最后，信號處理電路160通過在下一巾貞期間的最初使第I基準電壓Vrefl為VTFT + VEL + Vdrop來調整高電位側可變電壓源180 (步驟S18)。由此，在下一幀期間，高電位側可變電壓源180作為Vout = VTFT + VEL + Vdrop供給到有機EL顯示單元110。步驟S16 步驟S18相當于本發(fā)明的電壓調整處理。這樣，本實施方式涉及的顯示裝置100包括輸出高電位側電位的高電位側可變電壓源180 ;高電位側電位差檢測電路170，其針對有機EL顯示單元110中的監(jiān)視用發(fā)光像素IllM測定施加于該監(jiān)視用發(fā)光像素IllM上的高電位側電位、和高電位側可變電壓源180的高電位側輸出電壓Vout ;以及信號處理電路160，其調整高電位側可變電壓源180，以使由高電位側電位差檢測電路170測定出的施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的高電位側電位與基準電位之間的電位差為預定的電壓(VTFT + VEL)。另外，高電位側電位差檢測電路170還測定高電位側可變電壓源180的高電位側輸出電壓Vout，并檢測所測定出的高電位側輸出電壓Vout與施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的高電位側電位之間的電位差，信號處理電路160按照由高電位側電位差檢測電路170檢測到的電位差來調整高電位側可變電壓源180。由此，顯示裝置100通過檢測由水平方向的第I電源布線電阻Rlh和垂直方向的 第I電源布線電阻RlV產生的電壓降，并將該電壓降的程度反饋到高電位側可變電壓源180，能夠減少多余的電壓，削減功耗。另外，顯示裝置100通過在有機EL顯示單元110的中央附近配置監(jiān)視用發(fā)光像素111M，從而在有機EL顯示單元110大型化的情況下也能夠簡便地調整高電位側可變電壓源180的輸出電壓Vout。另外，通過削減功耗，能夠抑制有機EL元件121的發(fā)熱，因此能夠防止有機EL元件121的劣化。接著，使用圖8和圖9來說明在上述的顯示裝置100中在第N幀以前和第N + I幀以后所輸入的圖像數(shù)據(jù)改變的情況下的顯示圖案的轉變。最初，說明假定為在第N幀和第N+ I幀所輸入的圖像數(shù)據(jù)。首先，在第N幀以前，與有機EL顯示單元110的中心部對應的圖像數(shù)據(jù)為使得有機EL顯示單元110的中心部看起來為白的峰色階(R:G:B = 255 :255 :255)。另一方面，與有機EL顯示單元110的中心部以外對應的圖像數(shù)據(jù)為使得有機EL顯示單元110的中心部以外看起來為灰的灰色階(R G B = 50 :50 :50)。另外，在第N+ I幀以后，與有機EL顯示單元110的中心部對應的圖像數(shù)據(jù)與第N幀同樣地為峰色階(R G B = 255 255 :255)。另一方面，與有機EL顯示單元110的中心部以外對應的圖像數(shù)據(jù)為使得看起來為比第N幀亮的灰的灰色階(R G B = 150 150 :150)。接著，說明在第N幀和第N + I幀輸入了如上所述的圖像數(shù)據(jù)的情況下的顯示裝置100的動作。在圖8中示出了由高電位側電位差檢測電路170檢測到的電位差Δν、從高電位側可變電壓源180輸出的輸出電壓Vout、監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的像素輝度。另外，在各幀期間的最后設置有消隱期間。在時間t = TlO時，峰值信號檢測電路150檢測第N幀的圖像數(shù)據(jù)的峰值。信號處理電路160根據(jù)由峰值信號檢測電路150檢測到的峰值來決定VTFT + VEL0在此，第N幀的圖像數(shù)據(jù)的峰值是R :G :B = 255 255 :255，所以信號處理電路160使用所需電壓換算表而將第N + I幀的所需電壓VTFT + VEL決定為例如12. 2V。
另一方面，此時高電位側電位差檢測電路170經由監(jiān)視用布線190檢測檢測點Ml的電位，并檢測與從高電位側可變電壓源180輸出的輸出電壓Vout之間的電位差AV。例如，在時間t = TlO時，檢測出AV= IV。然后，使用電壓裕量換算表而將第N+ I幀的電壓裕量Vdrop決定為IV。時間t = TlO Tll是第N幀的消隱期間，在該期間中，在有機EL顯示單元110顯示與時間t = TlO相同的圖像。圖9的(a)是示意表示在時間t = TlO Tll中顯示于有機EL顯示單元110的圖像的圖。在該期間中，顯示于有機EL顯示單元110的圖像與第N幀的圖像數(shù)據(jù)對應，中心部白，中心部以外為灰。在時間t = Tll時，信號處理電路160使第I基準電壓Vrefl的電壓為所決定的所需電壓VTFT + VEL與電壓裕量Vdrop的合計VTFT + VEL + Vdrop (例如13. 2V)。
在時間t = Tll T16，在有機EL顯示單元110依次顯示與第N + I幀的圖像數(shù)據(jù)對應的圖像(圖9 (b) 圖9 (f))。此時，從高電位側可變電壓源180輸出的輸出電壓Vou常為在時間t = Tll時設定為第I基準電壓Wrefl的電壓的VTFT + VEL + Vdrop。但是，在第N + I幀中，與有機EL顯示單元110的中心部以外對應的圖像數(shù)據(jù)是使得看起來為比第N幀亮的灰的灰色階。因此，從高電位側可變電壓源180向有機EL顯示單元110供給的電流量在時間t = Tll T16中逐漸增加，隨著該電流量的增加，第I電源布線112的電壓降逐漸變大。由此，作為顯示為亮的區(qū)域的發(fā)光像素111的有機EL顯示單元110的中心部的發(fā)光像素111的電源電壓不足。換言之，和與第N + I幀的圖像數(shù)據(jù)R :G :B = 255 255 :255對應的圖像相比，輝度下降。也即是，在時間t = Tll T16，有機EL顯示單元110的中心部的發(fā)光像素111的發(fā)光輝度逐漸降低。接著，在時間t = T16時，峰信號檢測電路150檢測第N+ I幀的圖像數(shù)據(jù)的峰值。在此檢測的第N+ I幀的圖像數(shù)據(jù)的峰值是R:G:B = 255 :255 :255，因此，信號處理電路160將第N + 2幀的所需電壓VTFT + VEL決定為例如12. 2V。另一方面，此時高電位側電位差檢測電路170經由監(jiān)視用布線190檢測檢測點Ml的電位，檢測所檢測到的檢測點Ml的電位與基準電位之間的電位差、和從高電位側可變電壓源180輸出的輸出電壓Vout之間的電位差AV。例如，在時間t = T16時，檢測出AV =3V。然后，使用電壓裕量換算表將第N + I幀的電壓裕量Vdrop決定為3V。接著，在時間t = T17時，信號處理電路160使第I基準電壓Vrefl的電壓為所決定的所需電壓VTFT + VEL和電壓裕量Vdrop的合計VTFT + VEL + Vdrop (例如15. 2V)。因此，在時間t = T17以后，檢測點Ml的電位成為作為預定的電位的VTFT + VEL0這樣，雖然顯示裝置100的輝度在第N + I幀中暫時降低，但為非常短的期間，對用戶來說幾乎沒有影響。在本實施方式中，監(jiān)視施加于發(fā)光像素IllM的高電位側電位，調整了從高電位側可變電壓源180輸出的高電位側電位，使得該施加于發(fā)光像素IllM的高電位側電位與基準電位之間的電位差成為預定的電壓，但也可以監(jiān)視施加于發(fā)光像素IllM的低電位側電位，調整從低電位側可變電壓源輸出的低電位側電位，使得該施加于發(fā)光像素11IM的低電位側電位與基準電位之間的電位差成為預定的電壓。在該情況下，配置低電位側電位差檢測電路來取代圖I中所示的高電位側電位差檢測電路170，配置低電位側可變電壓源來取代高電位側可變電壓源180。峰信號檢測電路檢測輸入到顯示裝置100的圖像數(shù)據(jù)的峰值，并將表示檢測到的峰值的峰信號輸出到信號處理電路。峰信號檢測電路的功能與峰信號檢測電路150相同。信號處理電路根據(jù)從上述峰信號檢測電路輸出的峰信號和由低電位側電位差檢測電路檢測到電位差Λ V來調整低電位側可變電壓源，以使監(jiān)視用發(fā)光像素11IM的電位為預定的電位。低電位側電位差檢測電路針對監(jiān)視用發(fā)光像素IllM測定施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的低電位側電位。進一步，低電位側電位差檢測電路測定低電位側可變電壓源的輸出電位，并測定所測定出的施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的低電位側電位與基準電位之間的電位差、和低電位側可變電壓源的輸出電位之間的電位差AV。然后，將測定出的電位差AV輸出到信號處理電路。 低電位側可變電壓源將低電位側電位輸出到有機EL顯示單元110。該低電位側可變電壓源根據(jù)從信號處理電路輸出的基準電壓Vref，輸出使得監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的低電位側電位與基準電位之間的電位差成為預定的電壓的輸出電壓Vout?；鶞孰娢皇窃陲@示裝置100中成為基準的電位即可。由此，本發(fā)明的顯示裝置通過檢測由水平方向的第2電源布線電阻R2h和垂直方向的第2電源布線電阻R2v產生的電壓降，并將該電壓降的程度反饋到低電位側可變電壓源，能夠減少多余的電壓，削減功耗。另外，通過削減功耗，能夠抑制有機EL元件的發(fā)熱，因此能夠防止有機EL元件的劣化。(實施方式3)本實施方式涉及的顯示裝置與實施方式2涉及的顯示裝置100大致相同，但不同點在于，不具備高電位側電位差檢測電路170，檢測點Ml的電位被輸入到高電位側可變電壓源。另外，不同點在于，信號處理電路使輸出到高電位側可變電壓源的電壓為所需電壓VTFT + VEL0由此，本實施方式涉及的顯示裝置能夠按照電壓下降量實時地調整高電位側可變電壓源的輸出電壓Vout，因此與實施方式I相比，能夠防止像素輝度的暫時性的下降。圖14是表示本發(fā)明實施方式3涉及的顯示裝置的概略結構的框圖。圖14所示的本實施方式涉及的顯示裝置200與圖10所示的實施方式2涉及的顯示裝置100相比，不同點在于，不具備高電位側電位差檢測電路170，具備監(jiān)視用布線290來取代監(jiān)視用布線190，具備信號處理電路260來取代信號處理電路160，具備高電位側可變電壓源280來取代高電位側可變電壓源180。信號處理電路260根據(jù)從峰信號檢測電路150輸出的峰信號，決定輸出到高電位側可變電壓源280的第2基準電壓Vref2的電壓。具體來說，信號處理電路260使用所需電壓換算表來決定有機EL元件121所需的電壓VEL與驅動晶體管125所需的電壓VTFT的合計VTFT + VEL0然后，將所決定的VTFT + VEL作為第2基準電壓Vref2的電壓。這樣，本實施方式涉及的顯示裝置200的信號處理電路260向高電位側可變電壓源280輸出的第2基準電壓Vref2與實施方式2涉及的顯示裝置100的信號處理電路160向高電位側可變電壓源180輸出的第I基準電壓Vrefl不同，是僅與圖像數(shù)據(jù)對應地決定的電壓。也即是，第2基準電壓Vref2不依賴于高電位側可變電壓源280的輸出電壓Vout與檢測點Ml的電位之間的電位差Λ V。高電位側可變電壓源280經由監(jiān)視用布線290測定施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的高電位側電位。也即是，測定檢測點Ml的電位。然后，按照所測定的檢測點Ml的電位與基準電位之間的電位差、和從信號處理電路260輸出的第2基準電壓Vref2來調整輸出電壓 Vout。監(jiān)視用布線290的一端連接于檢測點M1，另一端連接于高電位側可變電壓源280，將檢測點Ml的電位傳輸?shù)礁唠娢粋瓤勺冸妷涸?80。圖15是表示實施方式3涉及的高電位側可變電壓源280的具體結構的一例的框圖。在圖15中還示出了連接于高電位側可變電壓源的有機EL顯示單元110和信號處理電路 260。圖15所示的高電位側可變電壓源280與圖11所示的高電位側可變電壓源180的結構大致相同，但不同點在于，具備用于比較檢測點Ml的電位和第2基準電壓Vref2的比較電路281來取代比較電路181?！ぴ诖?，當將高電位側可變電壓源280的輸出電位設為Vout，將從高電位側可變電壓源280的輸出端子184到檢測點Ml的電壓下降量設為Λ V時，檢測點Ml的電位為Vout —AV0也即是，在本實施方式中，比較電路281比較Vref2和Vout — AV。如上所述，由于Vref2 = VTFT + VEL，所以可以說是比較電路281比較VTFT + VEL和Vout — AV。另一方面，在實施方式2中，比較電路181比較Vrefl和Vout。如上所述，由于Vrefl = VTFT + VEL + Λ V，所以在實施方式2中可以說是比較電路181比較VTFT+ VEL +Δ V 和 Vout0因此，比較電路281和比較電路181的比較對象不同，但比較結果相同。也即是，在實施方式2和實施方式3中，在從高電位側可變電壓源280的輸出端子184到檢測點Ml的電壓下降量相等的情況下，比較電路181向PWM電路輸出的電壓與比較電路281向PWM電路輸出的電壓相同。其結果，高電位側可變電壓源180的輸出電壓Vout與高電位側可變電壓源280的輸出電壓Vout相等。另外，在實施方式3中，電位差Λ V和輸出電壓Vout也為遞增函數(shù)的關系。如以上這樣構成的顯示裝置200與實施方式2涉及的顯示裝置100相比，能夠按照輸出端子184與檢測點Ml之間的電位差AV實時地調整輸出電壓Vout。其原因是，在實施方式2涉及的顯示裝置100中，從信號處理電路160僅在各幀期間的最初進行了該幀中的第I基準電壓Vrefl的變更，另一方面，在本實施方式涉及的顯示裝置200中，通過不經由信號處理電路260而向高電位側可變電壓源280的比較電路181直接輸入依賴于AV的電壓、也即是Vout - Λ V，能夠不依賴于信號處理電路260的控制而調整Vout。接著，說明在這樣構成的顯示裝置200中與實施方式2同樣地在第N幀以前和第N + I幀以后所輸入的圖像數(shù)據(jù)改變的情況下的顯示裝置200的動作。輸入的圖像數(shù)據(jù)與實施方式2同樣地為 第N幀以前的有機EL顯示單元110的中心部為R :G :B = 255 :255 255，中心部以外為R :G :B = 50 :50 :50，第N + I幀以后的有機EL顯示單元110的中心部為 R :G :B = 255 255 255,中心部以外為 R G B = 150 :150 :150。圖16是表示第N幀 第N + 2幀的顯示裝置200的動作的定時圖。在時間t = T20時，峰信號檢測電路150檢測第N幀的圖像數(shù)據(jù)的峰值。信號處理電路260根據(jù)由峰信號檢測電路150檢測到的峰值來求出VTFT + VEL0在此，由于第N幀的圖像數(shù)據(jù)的峰值是R :G :B = 255 255 :255，所以信號處理電路160使用所需電壓換算表而將第N + I幀的所需電壓VTFT + VEL決定為例如12. 2V。另一方面，輸出檢測單元185經由監(jiān)視用布線290總對檢測點Ml的電位進行檢測。接著，在時間t = T21時，信號處理電路260使第2基準電壓Vref2的電壓為所決定的所需電壓VTFT + TEL (例如12. 2V)。在時間t = T21 T22，在有機EL顯示單元110依次顯示與第N + I幀的圖像數(shù)據(jù)對應的圖像。此時,從高電位側可變電壓源280向有機EL顯示單元110供給的電流量如在實施方式I中說明過的那樣逐漸增加。因此，隨著電流量的增加，第I電源布線112的電壓降逐漸變大。也即是，檢測點Ml的電位逐漸下降。換言之，輸出電壓Vout與檢測點Ml的電位之間的電位差Λ V逐漸增大。 在此，誤差放大器186實時地輸出與VTFT + VEL和Vout — AV之間的電位差相應的電壓，因此按照電位差AV的增大而輸出使Vout上升的電壓。因此，高電位側可變電壓源280按照電位差AV的增大而實時地使Vout上升。由此，消除作為顯示為亮的區(qū)域的發(fā)光像素111的、有機EL顯示單元110的中心部的發(fā)光像素111的電源電壓的不足。也即是，消除像素輝度的下降。如以上那樣，在本實施方式涉及的顯示裝置200中，信號處理電路260、高電位側可變電壓源280的誤差放大器186、PWM電路182以及驅動電路183檢測由輸出檢測單元185測定出的監(jiān)視用發(fā)光像素IllM的高電位側電位與基準電位之間的電位差、和預定的電位之間的電位差，按照檢測到的電位差來調整開關元件SW。由此，本實施方式涉及的顯示裝置200與實施方式2涉及的顯示裝置100相比，能夠按照電壓下降量實時地調整高電位側可變電壓源280的輸出電壓Vout，因此與實施方式I相比，能夠防止像素輝度的暫時性的下降。在本實施方式中，有機EL顯示單元110是本發(fā)明的顯示單元,輸出檢測單元185是本發(fā)明的電壓檢測單元，在圖15中用單點劃線包圍的信號處理電路260、高電位側可變電壓源280的誤差放大器186、PWM電路182以及驅動電路183是本發(fā)明的電壓調整單元，在圖15中用雙點劃線包圍的開關元件SW、二極管D、電感器L以及電容器C是本發(fā)明的電源供給單元。在本實施方式中，也可以與實施方式2同樣地，監(jiān)視施加于發(fā)光像素IllM的低電位側電位，調整從低電位側可變電壓源輸出的低電位側電位，使得該施加于發(fā)光像素11IM的低電位側電位與基準電位之間的電位差成為預定的電壓。在該情況下，配置低電位側可變電壓源來取代圖14中所示的高電位側可變電壓源180。(實施方式4)在實施方式2和實施方式3中，說明了通過監(jiān)視一個發(fā)光像素的高電位側或低電位側的電位來將該高電位側電位與基準電位之間的電位差或該低電位側電位與基準電位之間的電位差調整為預定的電位差的顯示裝置。相對于此，在本實施方式中說明如下的顯示裝置通過監(jiān)視一個發(fā)光像素的高電位側電位和與該發(fā)光像素不同的發(fā)光像素的低電位側電位，將該高電位側電位與基準電位A之間的電位差調整為預定的電位差，另外，將該低電位側電位與基準電位B之間的電位差調整為預定的電位差。以下，使用附圖具體地說明本發(fā)明的實施方式4。圖17是表示本發(fā)明實施方式4涉及的顯示裝置的概略結構的框圖。圖17所示的顯示裝置300包括有機EL顯示單元310、數(shù)據(jù)線驅動電路120、寫入掃描驅動電路130、控制電路140、信號處理電路165、高電位側電位差檢測電路170A、低電位側電位差檢測電路170B、高電位側電壓裕量設定單元175A、低電位側電壓裕量設定單元175B、高電位側可變電壓源180A、低電位側可變電壓源180B、監(jiān)視用布線190A以及監(jiān)視用布線190B。本實施方式涉及的顯示裝置300與實施方式I涉及的顯示裝置50相比，不同點在于，包括高電位側和低電位側這兩個電位差檢測電路、兩條監(jiān)視用布線、兩個可變電壓源。 以下，省略與實施方式I的相同點的說明，僅說明不同點。圖18是示意表示實施方式4涉及的有機EL顯示單元310的結構的立體圖。圖中上方是顯示面?zhèn)?。如圖18所示，有機EL顯示單元310具有多個發(fā)光像素111、第I電源布線112以及第2電源布線113。多個發(fā)光像素111中預先確定的至少一個發(fā)光像素在高電位側檢測點Ma連接于監(jiān)視用布線190A。另外，多個發(fā)光像素111中預先確定的至少一個發(fā)光像素在低電位側檢測點Mb連接于監(jiān)視用布線190B。以后，將直接連接于監(jiān)視用布線190A的發(fā)光像素111記為監(jiān)視用發(fā)光像素11 IMa，將直接連接于監(jiān)視用布線190B的發(fā)光像素111記為監(jiān)視用發(fā)光像素11 IMb。第I電源布線112與配置成矩陣狀的發(fā)光像素111對應而形成為網狀，與配置在有機EL顯示單元310的周緣部的高電位側可變電壓源180A電連接。通過從高電位側可變電壓源180A輸出高電位側電源電位，向第I電源布線112施加與從高電位側可變電壓源180A輸出的高電位側電源電位對應的電位。另一方面，第2電源布線113呈整面膜狀而形成于有機EL顯示單元310，與配置在有機EL顯示單元310的周緣部的低電位側可變電壓源180B連接。通過從低電位側可變電壓源180B輸出低電位側電源電位，向第2電源布線113施加與從低電位側可變電壓源180B輸出的低電位側電源電位對應的電位。監(jiān)視用發(fā)光像素11 IMa和IIIMb按照第I電源布線112和第2電源布線113的布線方法、第I電源布線電阻Rlh和Rlv的值、以及第2電源布線電阻R2h和R2v的值來決定其最佳位置。在本實施方式中，將高電位側檢測點Ma和低電位側檢測點Mb配置在不同的發(fā)光像素。由此，能夠實現(xiàn)檢測點的最佳化。例如，通過在具有高電位側電壓降大的傾向的發(fā)光區(qū)域中配置發(fā)光像素IIIMa，在具有低電位側電壓降(上升)大的傾向的發(fā)光區(qū)域中配置發(fā)光像素IIIMb，從而不需要在不必要的位置配置檢測點，能夠減少檢測點的總數(shù)。構成第2電源布線113所具有的共用電極的一部分的有機EL元件121的陰電極使用了表面電阻高的透明電極(例如ΙΤ0)，因此有時第2電源布線113的電壓上升量比第I電源布線112的電壓下降量大。因此，通過按照施加于監(jiān)視用發(fā)光像素的低電位側電位進行調整，能夠更適當?shù)卣{整電源供給單元的輸出電位，能夠進一步削減功耗。圖19A和圖19B是表示發(fā)光像素111的具體結構的一例的電路圖。具體來說，圖19A是連接于高電位側監(jiān)視用布線190A的發(fā)光像素IIIMa的電路結構圖，圖19B是連接于低電位側監(jiān)視用布線190B的發(fā)光像素IIIMb的電路結構圖。對于發(fā)光像素11 IMa，在驅動元件的源電極和漏電極的另一方連接有監(jiān)視用布線190A，對于發(fā)光像素IIIMb，在發(fā)光元件的第2電極連接有監(jiān)視用布線190B。具體來說，發(fā)光像素111、111Ma以及IIIMb分別具有有機EL元件121、數(shù)據(jù)線122、掃描線123、開關晶體管124、驅動晶體管125、保持電容126。另外，發(fā)光像素11 IMa在有機EL顯示單元110中至少配置I個，發(fā)光像素I IIMb也在有機EL顯示單元Iio中至少配置I個。以下，參照圖18、圖19A以及圖19B說明圖17中所示的各構成要素的功能。高電位側電位差檢測電路170A是本實施方式中的本發(fā)明的電壓檢測單元，針對監(jiān)視用發(fā)光像素11 IMa測定施加于監(jiān)視用發(fā)光像素11 IMa的高電位側電位。具體來說，高電位側電位差檢測電路170A經由監(jiān)視用布線190A測定施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IIIMa的高電位側電位。進一步，高電位側電位差檢測電路170A測定高電位側可變電壓源180A的輸出電位，并測定所測定出的施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IIIMa的高電位側電位和基準電位A之間的電位差、和高電位側可變電壓源180A的輸出電位之間的電位差AVH。然后，將測定出的電位差AVH輸出到高電位側電壓裕量設定單元175A。 低電位側電位差檢測電路170B是本實施方式中的本發(fā)明的電壓檢測單元，針對監(jiān)視用發(fā)光像素IIIMb測定施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IIIMb的低電位側電位。具體來說，低電位側電位差檢測電路170B經由監(jiān)視用布線190B測定施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IIIMb的低電位側電位。進一步，低電位側電位差檢測電路170B測定低電位側可變電壓源180B的輸出電位，并測定所測定出的施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IIIMb的低電位側電位和基準電位B之間的電位差、與低電位偵彳可變電壓源180B的輸出電位之間的電位差AVL。然后，將測定出的電位差AVL輸出到低電位側電壓裕量設定單元175B。高電位側電壓裕量設定單元175A是本實施方式中的本發(fā)明的高電位側電壓調整單元，根據(jù)峰色階的(VEL + VTFT)電壓和由高電位側電位差檢測電路170A檢測到的電位差Λ VH來調整高電位側可變電壓源180Α，以使監(jiān)視用發(fā)光像素IIIMa的電位與基準電位A之間的電位差為預定的電壓。具體來說，高電位側電壓裕量設定單元175Α根據(jù)由高電位側電位差檢測電路170Α檢測到的電位差來求出電壓裕量VHdrop。然后，合計峰色階的(VEL +VTFT)電壓和電壓裕量VHdrop，將合計結果的VEL + VTFT + VHdrop的比基準電位A高的電壓量作為第I高電位側基準電壓VHrefl輸出到高電位側可變電壓源180A。另外，低電位側電壓裕量設定單元175B是本實施方式中的本發(fā)明的低電位側電壓調整單元，根據(jù)峰色階的(VEL + VTFT)電壓和由低電位側電位差檢測電路170B檢測到的電位差Λ VL來調整低電位側可變電壓源180Β，以使監(jiān)視用發(fā)光像素IIIMb的電位與基準電位B之間的電位差為預定的電壓。具體來說，低電位側電壓裕量設定單元175Β根據(jù)由低電位側電位差檢測電路170Β檢測到的電位差求出電壓裕量VLdrop。然后，合計峰色階的(VEL + VTFT)電壓和電壓裕量VLdrop，將合計結果的VEL + VTFT + VLdrop的比基準電位B低的電壓量作為第I低電位側基準電壓VLrefl輸出到低電位側可變電壓源180B。高電位側可變電壓源180A是本實施方式中的本發(fā)明的電源供給單元，將高電位側電位輸出到有機EL顯示單元310。該高電位側可變電壓源180A根據(jù)從高電位側電壓裕量設定單元175A輸出的第I高電位側基準電壓VHrefl而輸出使得監(jiān)視用發(fā)光像素IIIMa的高電位側電位與基準電位A之間的電位差成為預定的電壓(VEL + VTFT 一基準電位A)的高電位側輸出電壓VHout?；鶞孰娢籄是在顯示裝置100中成為基準的電位即可。低電位側可變電壓源180B是本實施方式中的本發(fā)明的電源供給單元，將低電位側電位輸出到有機EL顯示單元310。該低電位側可變電壓源180B根據(jù)從低電位側電壓裕量設定單元175B輸出的第I低電位側基準電壓VLrefl而輸出使得監(jiān)視用發(fā)光像素IIIMb的低電位側電位與基準電位B之間的電位差成為預定的電壓(基準電位B — VEL — VTFT)的低電位側輸出電壓VLout。監(jiān)視用布線190A是一端連接于監(jiān)視用發(fā)光像素IIIMa、另一端連接于高電位側電位差檢測電路170A、將施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IIIMa的高電位側電位傳輸?shù)礁唠娢粋入娢徊顧z測電路170A的高電位側檢測線。監(jiān)視用布線190B是一端連接于監(jiān)視用發(fā)光像素11 IMb、另一端連接于低電位側電位差檢測電路170B、將施加于監(jiān)視用發(fā)光像素IIIMb的低電位側電位傳輸?shù)降碗娢粋入娢徊顧z測電路170B的低電位側檢測線。另外，本實施方式涉及的高電位側可變電壓源180A和低電位側可變電壓源180B的結構與實施方式I涉及的高電位側可變電壓源180的結構是同樣的，在低電位側可變電壓源180B中輸出電壓VLout為負的情況下，通過在圖4中變更開關元件SW、二極管D、電感·器L以及電容器C的配置來構成低電位側可變電壓源180B的電路。另外，關于本實施方式涉及的顯示裝置300的動作流程，在用于說明實施方式I涉及的顯示裝置50的動作流程的圖5中，在高電位側和低電位側并行地執(zhí)行步驟S14 步驟S18的動作。根據(jù)本實施方式，顯示裝置300通過檢測由正電源線側的第I電源布線電阻Rlh和第I電源布線電阻Rlv產生的電壓下降、以及由負電源線側的第2電源布線電阻R2h和第2電源布線電阻R2v產生的電壓上升，并將該電壓下降和電壓上升的程度分別反饋到高電位側可變電壓源180A和低電位側可變電壓源180B，能夠減少多余的電壓，削減功耗。另外，通過削減功耗，能夠抑制有機EL元件121的發(fā)熱，因此能夠防止有機EL元件121的劣化。進而，本實施方式涉及的顯示裝置300與實施方式I涉及的顯示裝置相比，能夠進行對與低電位側電源線的布線電阻成比例的電壓上升也加以考慮的電壓裕量的設定，因此，在低電位側電源線的電壓分布的變化劇烈的顯示方式中，能夠更有效地削減功耗。在實施方式I 4中，根據(jù)施加于發(fā)光像素的電壓與從可變電壓源輸出的電壓之間的電位差來調整來自可變電壓源的輸出電壓。在該情況下，從可變電壓源到發(fā)光像素的電流路徑包含了顯示區(qū)域外的布線路徑和配置有發(fā)光像素的顯示區(qū)域內的布線路徑。也即是，在上述的實施方式I 4中，通過檢測施加于發(fā)光像素的電壓與從可變電壓源輸出的電壓之間的電位差，從而按照顯示區(qū)域內和顯示區(qū)域外這兩方的電壓下降量來調整來自可變電壓源的輸出電壓。相對于此，通過檢測施加于發(fā)光像素的電壓與顯示區(qū)域外的布線路徑上的電壓之間的電位差，能夠按照僅顯示區(qū)域內的電壓下降(上升)量來調整來自可變電壓源的輸出電壓。以下，使用圖20A和圖20B對此進行說明。圖20A是本發(fā)明的顯示裝置具有的顯示板的結構概略圖。另外，圖20B是示意表示本發(fā)明的顯示裝置具有的顯示板的外周附近的結構的立體圖。在圖20A中，在呈矩陣狀配置有多個發(fā)光像素111的顯示板的外周部配置有寫入掃描驅動電路、數(shù)據(jù)線驅動電路等驅動器、高電位側電源線、低電位側電源線、以及作為與外部設備進行電連接的接口的柔性墊片(fIexiblepad)。高電位側可變電壓源和低電位側可變電壓源分別經由高電位側電源線和柔性墊片、以及低電位側電源線和柔性墊片連接于顯示板。如圖20B所示，顯示區(qū)域外也存在電阻成分，該電阻成分是由上述柔性墊片、高電位側電源線以及低電位側電源線產生的。在上述的實施方式I 4中，例如檢測發(fā)光像素Ma的電壓與高電位側可變電壓源的輸出點Z的電壓之間的電位差，但也可以是以調整與僅是顯示區(qū)域內的電壓下降量相應的來自可變電壓源的輸出電壓為目的而檢測發(fā)光像素Ma的電壓與顯示板和高電位側電源線的連接點Y的電壓之間的電位差。由此，能夠按照僅是顯示區(qū)域內的電壓下降來調整可變電壓源的輸出電壓。另外，也可以是針對低電位側也檢測發(fā)光像素Mb的電壓與顯示板和低電位側電源線的連接點的電壓之間的電位差。在本實施方式中，說明了如下的顯示裝置通過監(jiān)視一個發(fā)光像素的高電位側電位和與該發(fā)光像素不同的發(fā)光像素的低電位側電位，將該高電位側電位與基準電位A之間的電位差調整為預定的電位差，另外，將該低電位側電位與基準電位B之間的電位差調整為預定的電位差，但被檢測高電位側電位的發(fā)光像素和被檢測低電位側電位的發(fā)光像素也可以是同一發(fā)光像素。在該情況下，高電位側可變電壓源180A也將該高電位側電位與基準電位A之間的電位差調整為預定的電位差，低電位側可變電壓源180B也將該低電位側電位 與基準電位B之間的電位差調整為預定的電位差。(實施方式5)在本實施方式中，說明如下的顯示裝置通過監(jiān)視多個發(fā)光像素的高電位側電位，將根據(jù)所監(jiān)視的多個高電位側電位所確定的高電位側電位與基準電位之間的電位差調整為預定的電位差。以下，使用附圖來具體說明本發(fā)明的實施方式5。圖21是表示本發(fā)明實施方式5涉及的顯示裝置的概略結構的框圖。圖21所示的顯示裝置400包括有機EL顯示單元410、數(shù)據(jù)線驅動電路120、寫入掃描驅動電路130、控制電路140、峰信號檢測電路150、信號處理電路160、高電位側電位差檢測電路170、高電位側可變電壓源180、監(jiān)視用布線191、192、193以及電位比較電路470。本實施方式涉及的顯示裝置400與實施方式2涉及的顯示裝置100相比，不同點在于，包括多條監(jiān)視用布線和電位比較電路470。以下，省略與實施方式2的相同點的說明，僅說明不同點。有機EL顯示單元410與有機EL顯示單元110大致相同，但與有機EL顯示單元110相比，配置有與檢測點Ml M3—一對應地設置的用于測定對應的檢測點的電位的監(jiān)視用布線191 193。監(jiān)視用發(fā)光像素IllMl 111M3按照第I電源布線112的布線方法、第I電源布線電阻Rlh和Rlv的值來決定其最佳位置。監(jiān)視用布線191 193分別與對應的檢測點Ml M3連接和電位比較電路470連接，將對應的檢測點Ml M3的電位傳輸?shù)诫娢槐容^電路470。由此，電位比較電路470能夠經由監(jiān)視用布線191 193測定檢測點Ml M3的電位。電位比較電路470經由監(jiān)視用布線191 193測定檢測點Ml M3的電位。換言之，測定施加于多個監(jiān)視用發(fā)光像素IllMl 111M3的高電位側電位。進一步，選擇所測定出的檢測點Ml M3的電位中最小的電位，將選擇出的電位輸出到高電位側電位差檢測電路 170。
信號處理電路160根據(jù)由電位比較電路470選擇出的電位與基準電位之間的電位差來調整高電位側可變電壓源180。其結果，高電位側可變電壓源180向有機EL顯示單元410供給使得在多個監(jiān)視用發(fā)光像素IllMl 111M3的任一個中都不產生輝度下降的輸出電壓Vout。如以上那樣，本實施方式涉及的顯示裝置400中，電位比較電路470針對有機EL顯示單元410內的多個發(fā)光像素111分別測定施加的高電位側電位，并選擇所測定的多個高電位側電位中最小的電位。然后，高電位側電位差檢測電路170檢測由電位比較電路470選擇出的最小電位和基準電位之間的電位差、與高電位側可變電壓源180的輸出電壓Vout之間的電位差M。然后，按照信號處理電路160檢測到的電位差AV來調整高電位側可變電壓源180。由此，能夠更適當?shù)卣{整高電位側可變電壓源180的輸出電壓Vout。因此，在使有機EL顯示單元大型化了的情況下，也能夠有效地削減功耗。在本實施方式涉及的顯示裝置400中，高電位側可變電壓源180是本發(fā)明的電源供給單元，有機EL顯示單元410是本發(fā)明的顯示單元，電位比較電路470的一部分是本發(fā)·明的電壓檢測單元，電位比較電路470的另一部分、高電位側電位差檢測電路170以及信號處理電路160是本發(fā)明的電壓調整單元。另外，在顯示裝置400中分別設置了電位比較電路470和高電位側電位差檢測電路170，但也可以具備用于對高電位側可變電壓源180的輸出電壓Vout和檢測點Ml M3的各個電位進行比較的電位比較電路來取代電位比較電路470和高電位側電位差檢測電路 170。接著，說明由本實施方式涉及的顯示裝置400獲得的效果。圖22是表示本發(fā)明實施方式5涉及的顯示裝置的電位分布和檢測點配置的圖。在圖22的左圖中示出了施加15V來作為高電位側電源輸出、另外在低電位側施加了作為接地電位的OV的情況下的電位分布。由于假定為第I電源布線電阻Rlh和第I電源布線電阻Rlv之比是I : 10，所以高電位側電位分布為顯示板的垂直方向上劇烈的電位變化。另一方面，假定為第2電源布線電阻Ra與第2電源布線電阻R2v之比是10 :1，低電位側的電位分布在整個顯示板上為較小的電位變化。也即是，低電位側的電位分布具有在面內大致均勻的傾向。在具有這樣的傾向的情況下，考慮例如僅測定具有極端的分布的高電位側的電位分布，低電位側的電壓下降(上升)量根據(jù)高電位側的電位分布來設定。在圖22的例子中，根據(jù)高電位側的電位分布所檢測出的最大電壓下降量是3V (15V — 12V)，相對于此，常將該檢測下降量(3V)的一半量(I. 5V)視為低電位側的電壓下降(上升)量。在具有圖22所表示的特性的顯示板中，如上所述那樣即使不測定低電位側的電壓下降(上升)量，也不會產生大的錯誤，作為結果，具有能削減低電位側的檢測點并且能得到省電效果的優(yōu)點。即，即使針對所設定的各個發(fā)光像素IllMl 111M3不測定高電位側電位和低電位側電位，針對各個發(fā)光像素IllMl M3僅測定高電位側電位即可，能夠將檢測點削減為6點一3點。由此，能夠容易實現(xiàn)必須將監(jiān)視用布線的配置加以考慮的顯示板內的設計，另外，能夠避免由追加監(jiān)視用布線導致的畫質劣化。進一步，由于在低電位側不存在監(jiān)視用布線，所以在如從低電位側射出光的面板方式的情況下，也具有不容易視覺識別到由監(jiān)視用布線引起的線缺陷的優(yōu)點。在圖22中圖示了 3個檢測點Ml M3，但檢測點是多個即可，按照電源布線的布線方法、布線電阻的值來決定最佳位置和個數(shù)即可。以上，基于實施方式說明了本發(fā)明涉及的顯示裝置，但本發(fā)明涉及的顯示裝置不限于上述的實施方式。在不超出本發(fā)明的主旨的范圍內，對實施方式I 5實施本領域技術人員能想到的各種變形而得到的變形例、內置有本發(fā)明涉及的顯示裝置的各種設備也包含在本發(fā)明中。例如，也可以補償有機EL顯示單元內配置有監(jiān)視用布線的發(fā)光像素的發(fā)光輝度的下降。圖23是表示與圖像數(shù)據(jù)的色階對應的、通常的發(fā)光像素的發(fā)光輝度和具有監(jiān)視用布線的發(fā)光像素的發(fā)光輝度的曲線圖。通常的發(fā)光像素是有機EL顯示單元的發(fā)光像素 中配置有監(jiān)視用布線的發(fā)光像素以外的發(fā)光像素。從圖23中可以明確，在圖像數(shù)據(jù)的色階相同的情況下，具有監(jiān)視用布線的發(fā)光像素的輝度比通常的發(fā)光像素的輝度低。其原因是，通過設置了監(jiān)視用布線，導致發(fā)光像素的保持電容126的電容值減少。因此，即使輸入使得以相同的輝度使有機EL顯示單元的整個面均勻地發(fā)光的圖像數(shù)據(jù)，實際上顯示于有機EL顯示單元的圖像也會成為具有監(jiān)視用布線的發(fā)光像素的輝度比其他發(fā)光像素的輝度低的圖像。也即是，會產生線缺陷。圖24是示意表示產生了線缺陷的圖像的圖。為了防止線缺陷，顯示裝置也可以修正從數(shù)據(jù)線驅動電路120向有機EL顯示單元供給的信號電壓。具體來說，由于具有監(jiān)視用布線的發(fā)光像素的位置在設計時已知，所以，只要將提供給該位置的像素的信號電壓預先設定成提高輝度下降的量即可。由此，能夠防止由設置監(jiān)視用布線而產生的線缺陷。另外，信號處理電路具有表示與各顏色的色階對應的VTFT + VEL的所需電壓的所需電壓換算表，但也可以具有驅動晶體管125的電流一電壓特性和有機EL元件121的電流一電壓特性來取代所需電壓換算表，可以使用兩個電流一電壓特性來決定VTFT+VEL。圖25是一并表示驅動晶體管的電流一電壓特性和有機EL元件的電流一電壓特性的曲線圖。橫軸將相對于驅動晶體管的源極電位下降的方向作為正方向。在圖25中示出與兩個不同的色階對應的驅動晶體管的電流一電壓特性和有機EL元件的電流一電壓特性，用Vsigl表示與低色階對應的驅動晶體管的電流一電壓特性，用Vsig2表示與高色階對應的驅動晶體管的電流一電壓特性。為了消除由驅動晶體管的漏極一源極電壓的變動所引起的顯示不良的影響，需要使驅動晶體管工作在飽和區(qū)域。另一方面，有機EL元件的發(fā)光輝度根據(jù)驅動電流來決定。因此，為了與圖像數(shù)據(jù)的色階對應地使有機EL元件準確地發(fā)光，只要從驅動晶體管的源極與有機EL元件的陰極之間的電壓減去與有機EL元件的驅動電流對應的有機EL元件的驅動電壓(VEL)、減去后的剩余的電壓為能夠使驅動晶體管工作在飽和區(qū)域的電壓即可。另夕卜，為了降低功耗，優(yōu)選的是驅動晶體管的驅動電壓(VTFT)較低。因此，在圖25中，根據(jù)在表示驅動晶體管的線性區(qū)域和飽和區(qū)域的邊界的線上經過驅動晶體管的電流一電壓特性和有機EL元件的電流一電壓特性交叉的點的特性而求出的VTFT + VEL與圖像數(shù)據(jù)的色階對應地使有機EL元件準確地發(fā)光，且能夠實現(xiàn)功耗最低。
這樣，也可以使用圖25所示的曲線圖對與各顏色的色階對應的VTFT + VEL的所需電壓進行換算。由此，能夠進一步削減功耗。實施方式2、3及5涉及的顯示裝置為配置有峰信號檢測電路的結構，但若從使驅動晶體管工作在飽和區(qū)域的觀點來考慮，那么即使沒有峰信號檢測電路，但如實施方式I和4那樣，將峰色階的(VTFT + VEL)電壓預先存儲在存儲器中，設定為總是將該(VTFT +VEL)電壓作為基準電壓來進行參照時，也能夠使有機EL元件準確地發(fā)光。另外，在實施方式I中，電壓裕量設定單元175將加上由高電位差檢測電路170檢測到的電位差Λ V而得到的基準電壓VreflA輸出到高電位側可變電壓源180。相對于此，也可以使實施方式I涉及的顯示裝置50為如實施方式3涉及的顯示裝置200那樣沒有電位差檢測電路而檢測點Ml的電位被直接輸入到高電位側可變電壓源180的結構。根據(jù)本 結構，也能獲得與實施方式I涉及的顯示裝置50同樣的效果。另外，在實施方式4中，高電位側電壓裕量設定單元175Α將加上由高電位側電位差檢測電路170Α檢測到的電位差Λ VH而得到的基準電壓VHrefl輸出到高電位側可變電壓源180Α，另外，低電位側電壓裕量設定單元175Β將加上由低電位側電位差檢測電路170Β檢測到的電位差AVL而得到的基準電壓VLrefl輸出到低電位側可變電壓源180Β。相對于此，也可以使實施方式4涉及的顯示裝置50為如實施方式3涉及的顯示裝置200那樣沒有高電位側電位差檢測電路和低電位側電位差檢測電路而檢測點Ma和檢測點Mb的電位被直接輸入到高電位側可變電壓源180Α和低電位側可變電壓源180Β的結構。根據(jù)本結構，也能獲得與實施方式I涉及的顯示裝置50同樣的效果。另外，在實施方式5中，電壓調整單元也可以檢測由電壓檢測單元測定出的多個監(jiān)視用發(fā)光像素的低電位側電位和基準電位之間的電位差、與預定的電壓之間的電位差，并按照檢測到的電位差來調整電源供給單元。另外，在實施方式2中，信號處理電路也可以不按每幀改變第I基準電壓Vrefl而按每多個幀(例如3幀)來改變第I基準電壓Vrefl。由此，由于第I基準電壓Vrefl的電位變動，所以能夠降低由高電位側可變電壓源180產生的功耗。另外，信號處理電路也可以在多幀中測定從電位差檢測電路或電位比較電路輸出的電位差，并將測定出的電位差平均化，按照平均化后的電位差來調整可變電壓源。具體來說，在圖12所示的流程圖中，也可以在多幀中執(zhí)行檢測點的電位的檢測處理(步驟S14)和電位差的檢測處理(步驟S15)，在電壓裕量的決定處理(步驟S16)中將通過電位差的檢測處理(步驟S15)檢測到的多幀的電位差進行平均化，與平均化后的電位差對應地決定電壓裕量。另外，信號處理電路也可以考慮有機EL元件121的歷時劣化裕量(容限)來決定第I基準電壓Vref I和第2基準電壓Vref2。例如，當將有機EL元件121的歷時劣化裕量設為Vad時，信號處理電路160也可以使第I基準電壓Vrefl的電壓為VTFT + VEL + Vdrop +Vad，信號處理電路260也可以使第2基準電壓Vref2的電壓取為VTFT + VEL + Vad0另外，在上述實施方式中，將開關晶體管124和驅動晶體管125記載為P型晶體管，但也可以用N型晶體管構成這些晶體管。
另外，設為了開關晶體管124和驅動晶體管125是TFT(薄膜晶體管)，但也可以是除此之外的場效應晶體管。另外，包含在上述實施方式涉及的顯示裝置50、100、200、300及400中的處理單元典型地可以作為集成電路即LSI來加以實現(xiàn)。此外，也可以將包含在顯示裝置50、100、200、300及400中的處理單元的一部分集成在與有機EL顯示單元110、310及410相同的基板上。另外，也可以用專用電路或通用處理器來做實現(xiàn)這些處理單元。另外，也可以利用能在LSI制造后進行編程的FPGA (Field Programmable Gate Array :現(xiàn)場可編程門陣列)、或能重構LSI內部的電路單元的連接和/或設定的可重構處理器。另外，也可以通過CPU等的處理器執(zhí)行程序來實現(xiàn)包含在本發(fā)明的實施方式涉及的顯示裝置50、100、200、300及400中的數(shù)據(jù)線驅動電路、寫入掃描驅動電路、控制電路、峰信號檢測電路、信號處理電路以及電位差檢測電路的功能的一部分。另外，本發(fā)明也可以作為包含通過顯示裝置50、100、200、300及400具備的各處理單元實現(xiàn)的特征性的步驟的顯示裝置的驅動方法來加以實現(xiàn)。 另外，在上述說明中，以顯示裝置50、100、200、300及400是有源矩陣型有機EL顯示裝置的情況為例進行了敘述，但既可以將本發(fā)明應用于有源矩陣型以外的有機EL顯示裝置，還可以將本發(fā)明應用于使用了電流驅動型的發(fā)光元件的有機EL顯示裝置以外的顯示裝置、例如液晶顯示裝置。另外，例如本發(fā)明涉及的顯示裝置可以內置在如圖26所示的薄型平板TV中。通過內置本發(fā)明涉及的圖像顯示裝置，能夠實現(xiàn)能進行反映了圖像信號的高精度的圖像顯示的薄型平板TV。產業(yè)上的可利用性本發(fā)明特別是對有源型有機EL平板顯示器是有用的。
權利要求
1.一種顯不裝直，具備 電源供給單兀，其輸出高電位側輸出電位和低電位側輸出電位的至少一方； 顯示單元，其配置有多個發(fā)光像素，從所述電源供給單元接受電源供給； 電壓檢測單元，其檢測施加于所述顯示單元內的至少一個發(fā)光像素的高電位側施加電位、和施加于與該發(fā)光像素相同或與該發(fā)光像素不同的至少一個發(fā)光像素的低電位側施加電位中的至少一方；以及 電壓調整單元，其調整從所述電源供給單元輸出的所述高電位側輸出電位和所述低電位側輸出電位的至少一方,使得所述高電位側施加電位和所述低電位側施加電位中的至少一方的施加電位與基準電位之間的電位差成為預定的電位差。
2.根據(jù)權利要求I所述的顯示裝置， 被檢測所述高電位側施加電位的所述發(fā)光像素和被檢測所述低電位側施加電位的所述發(fā)光像素是不同的發(fā)光像素。
3.根據(jù)權利要求I所述的顯示裝置， 被檢測所述高電位側施加電位的所述發(fā)光像素的個數(shù)和被檢測所述低電位側施加電位的所述發(fā)光像素的個數(shù)的至少一方是多個。
4.根據(jù)權利要求3所述的顯示裝置， 所述電壓調整單元選擇由所述電壓檢測單元檢測出的多個高電位側施加電位中最小的施加電位、和由所述電壓檢測單元檢測出的多個低電位側施加電位中最大的施加電位中的至少一方，根據(jù)該選擇出的施加電位調整所述電源供給單元。
5.根據(jù)權利要求I所述的顯示裝置， 還具備高電位側檢測線和低電位側檢測線中的至少一方， 所述高電位側檢測線的一端連接于被檢測所述高電位側施加電位的所述發(fā)光像素，另一端連接于所述電壓檢測單元，將所述高電位側施加電位傳輸?shù)剿鲭妷簷z測單元； 所述低電位側檢測線的一端連接于被檢測所述低電位側施加電位的所述發(fā)光像素，另一端連接于所述電壓檢測單元，將所述低電位側施加電位傳輸?shù)剿鲭妷簷z測單元。
6.根據(jù)權利要求I所述的顯示裝置， 所述電壓檢測單元還檢測通過所述電源供給單元輸出的所述高電位側輸出電位和所述低電位側輸出電位的至少一方， 所述電壓調整單元按照第I電位差來調整從所述電源供給單元輸出的所述高電位側輸出電位和所述低電位側輸出電位的至少一方，所述第I電位差是通過所述電源供給單元輸出的所述高電位側輸出電位與施加于所述至少I個發(fā)光像素的高電位側施加電位之間的電位差、和通過所述電源供給單元輸出的所述低電位側輸出電位與施加于所述至少一個發(fā)光像素的低電位側施加電位之間的電位差中的至少一方的電位差。
7.根據(jù)權利要求6所述的顯示裝置， 所述電壓調整單元進行調整以使得所述高電位側輸出電位與基準電位之間的電位差以及所述低電位側輸出電位與基準電位之間的電位差中的至少一方的電位差、和所述第I電位差成為遞增函數(shù)的關系。
8.根據(jù)權利要求I所述的顯示裝置， 所述電壓檢測單元還檢測對所述電源供給單元和所述多個發(fā)光像素的高電位側進行連接的高電位側電流路徑上的電位、以及對所述電源供給單元和所述多個發(fā)光像素的低電位側進行連接的低電位側電流路徑上的電位的至少一方， 所述電壓調整單元按照第2電位差來調整從所述電源供給單元輸出的所述高電位側輸出電位和所述低電位側輸出電位的至少一方，所述第2電位差是所述高電位側電流路徑上的電位與施加于所述至少I個發(fā)光像素的高電位側施加電位之間的電位差、和所述低電位側電流路徑上的電位與施加于所述至少一個發(fā)光像素的低電位側施加電位之間的電位差中的至少一方的電位差。
9.根據(jù)權利要求8所述的顯示裝置， 所述電壓調整單元進行調整以使得所述高電位側輸出電位與基準電位之間的電位差以及所述低電位側輸出電位與基準電位之間的電位差的至少一方的電位差、和所述第2電位差成為遞增函數(shù)的關系。
10.根據(jù)權利要求I所述的顯示裝置， 所述多個發(fā)光像素分別具備 具有源電極和漏電極的驅動元件；和 具有第I電極和第2電極的發(fā)光兀件， 所述第I電極連接于所述驅動元件的源電極及漏電極的一方，向所述源電極及所述漏電極的另一方和所述第2電極的一方施加高電位側電位，向所述源電極及所述漏電極的另一方和所述第2電極的另一方施加低電位側電位。
11.根據(jù)權利要求10所述的顯示裝置， 所述多個發(fā)光像素排列成行列狀， 所述顯示裝置還具備第I電源線和第2電源線，所述第I電源線將在行方向和列方向中的至少一個方向上相鄰的所述驅動元件的所述源電極和所述漏電極的另一方彼此連接，所述第2電源線將在行方向和列方向上相鄰的所述發(fā)光元件的所述第2電極彼此連接， 所述多個發(fā)光像素經由所述第I電源線和所述第2電源線接受來自所述電源供給單元的電源供給。
12.根據(jù)權利要求11所述的顯示裝置， 所述第2電極和所述第2電源線構成在所述多個發(fā)光像素共用地設置的共用電極的一部分，與所述電源供給單元電連接以使得從所述共用電極的周圍施加電位。
13.根據(jù)權利要求12所述的顯示裝置， 所述第2電極使用由金屬氧化物構成的透明導電性材料形成。
14.根據(jù)權利要求10所述的顯示裝置， 所述發(fā)光元件是有機EL元件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置，顯示裝置(300)具備輸出高電位側電位的高電位側可變電壓源(180A)和輸出低電位側電位的低電位側可變電壓源(180B)；配置有多個發(fā)光像素的有機EL顯示單元(310)；檢測發(fā)光像素(111MA)的高電位側電位的高電位側電位差檢測電路(170A)和檢測發(fā)光像素(111MB)的低電位側電位的低電位側電位差檢測電路(170B)；調整高電位側可變電壓源(180A)使得發(fā)光像素(111MA)的高電位側電位與基準電位之間的電位差成為預定的電位差的高電位側電壓裕量設定單元(175A)、和調整低電位側可變電壓源(180B)的輸出電位使得發(fā)光像素(111MB)的低電位側電位與基準電位之間的電位差成為預定的電位差的低電位側電壓裕量設定單元(175B)；以及信號處理電路(165)。
文檔編號G09G3/30GK102971779SQ20118003233
公開日2013年3月13日 申請日期2011年6月16日 優(yōu)先權日2011年6月16日
發(fā)明者戎野浩平, 加藤敏行 申請人:松下電器產業(yè)株式會社