專利名稱：雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)及顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)及顯示面板。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，顯示面板的一個主像素區(qū)的三個子像素區(qū)的排列從左到右分別為 R(紅)，G(綠)，B(藍(lán))，其中，每個主像素區(qū)為正方形或者圓形，每個子像素區(qū)為長方形，且每個子像素區(qū)的短邊與柵極線基本并行，如圖I所示，其中，分辨率為mXn，G1, G2,G3......Gm_2，Gm^1, Gm 為 m 條柵極線，D1, D2, D3......D3n_3，D3n_2，D3n^1, D3n 為 3η 條數(shù)據(jù)線，通常這種子像素區(qū)的排列方式稱為縱向排列。
平板顯示器的像素結(jié)構(gòu)根據(jù)驅(qū)動模式的不同，主要可區(qū)分為單柵極 (single-gate)驅(qū)動的像素排列方式，雙柵極(dual-gate)驅(qū)動的像素排列方式，三柵極 (tri-gate)驅(qū)動的像素排列方式，其中，單柵極驅(qū)動的像素排列方式是三個顏色子像素區(qū)一起被單個柵極驅(qū)動；雙柵極驅(qū)動的像素排列方式是三個顏色子像素區(qū)一起被兩個柵極驅(qū)動；三柵極驅(qū)動的像素排列方式是三個顏色子像素區(qū)分別被三個柵極驅(qū)動。
通常，在3D顯示中，為了讓人的左右眼看到不同的圖像，置于顯示面板前的光柵格子需要縱向排列，其中，一個光柵格子的大小與一個主像素區(qū)的大小相近；由于光柵格子所在的玻璃板與顯示面板組裝時的對位誤差，導(dǎo)致光柵格子可能會遮擋住某個顏色，比如遮擋了紅色子像素區(qū)的部分面積，從而造成嚴(yán)重的顏色偏離和色差。為了解決這個問題，現(xiàn)有技術(shù)提供了橫向排列方式，即將各顏色子像素區(qū)橫向排列，這樣即使光柵格子所在的玻璃板與顯示面板組裝時有對位誤差，三個顏色的子像素區(qū)都會被擋住相同的面積，雖然每個子像素區(qū)的透光量有所下降，但是三個子像素區(qū)所形成的顏色不會有偏移，目前的像素橫向排列方式包括以下幾種單柵極驅(qū)動的豎屏橫用的像素橫向排列方式、雙柵極驅(qū)動的像素橫向排列方式和三柵極驅(qū)動的像素橫向排列方式。
單柵極驅(qū)動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的原理是將分辨率為mXn的屏橫過來變成分辨率為nXm的屏來使用，這種排列方式需要驅(qū)動電路中加入緩存器將顯示信號進(jìn)行橫豎的轉(zhuǎn)化，這會大大增加系統(tǒng)的成本，所以這種排列方式很少得到應(yīng)用。
三柵極驅(qū)動的像素橫向排列方式與單柵極驅(qū)動的豎屏橫用的像素橫向排列方式相比，其柵極線數(shù)目是單柵極驅(qū)動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的三倍，而數(shù)據(jù)線數(shù)目縮減為單柵極驅(qū)動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的三分之一，因此采用該排列方式的顯示面板使用較多的柵極驅(qū)動芯片與較少的源極驅(qū)動芯片。由于柵極線數(shù)目是單柵極驅(qū)動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的三倍，每條柵極線驅(qū)動時間縮短為單柵極驅(qū)動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的三分之一，當(dāng)分辨率比較高時普通的薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)制程很難達(dá)到驅(qū)動要求。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)及顯示面板。有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，包括水平相鄰的兩個主像素區(qū)，其中，每個主像素區(qū)分別包括垂直相鄰的三個次像素區(qū)；六個薄膜晶體管，分別設(shè)置于對應(yīng)的次像素區(qū)內(nèi)；兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線；其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接，其中，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。 —種顯不面板，包括第一基板、第二基板和位于第一基板和第二基板之間的液晶層，其中，所述第一基板上設(shè)置有上述雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)。一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的驅(qū)動方法，適用于上述雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其包括在第一時刻，兩條柵極線中的第一柵極線為高電平，兩條柵極線中的第二柵極線為低電平，與所述第一柵極線電連接的薄膜晶體管打開；三條數(shù)據(jù)線分別為與自己電連接的薄膜晶體管供電；在第二時刻，所述第二柵極線為高電平，所述第一柵極線為低電平，與所述第二柵極線電連接的薄膜晶體管打開，三條數(shù)據(jù)線分別為與自己電連接的薄膜晶體管供電。本發(fā)明實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)包括雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。采用這種像素結(jié)構(gòu)，對于分辨率為mXn的屏，其需要的柵極線為2m條，其需要的數(shù)據(jù)線為3n/2條，這樣，每條柵極線驅(qū)動時間縮短為單柵極驅(qū)動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的二分之一，當(dāng)分辨率比較高時普通的TFT制程也可以達(dá)到驅(qū)動要求。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I是現(xiàn)有技術(shù)提供的像素縱向排列的示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的基于圖2的像素結(jié)構(gòu)具體示意圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的采用雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)的一種驅(qū)動方式示意圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的采用雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)的另一種驅(qū)動方式示意圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的采用雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)的又一種驅(qū)動方式示意圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖11是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖12是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖13是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí) 施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其包括
多個像素單元，所述像素單元包括
兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線；其中，兩條柵極線包括第一柵極線和第二柵極線，三條數(shù)據(jù)線包括順序排列的第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線和第三數(shù)據(jù)線；其中，兩條柵極線設(shè)置于基板上并沿著第一方向平行排列；三條數(shù)據(jù)線設(shè)置于基板上并沿著第二方向平行排列； 兩條柵極線與三條數(shù)據(jù)線交叉，在一種具體的實(shí)施方式中，第一方向與第二方向垂直；
水平相鄰的兩個主像素區(qū)，其中，每個主像素區(qū)分別包括垂直相鄰的三個次像素區(qū)；三個次像素區(qū)分別為R(紅)，G(綠)和B(藍(lán))；每個次像素的長邊與第一方向基本平行，每個次像素的短邊與第二方向基本平行。
六個薄膜晶體管，分別設(shè)置于對應(yīng)的次像素區(qū)內(nèi)，即每個次像素區(qū)內(nèi)有一個薄膜晶體管，每個薄膜晶體管包括源極、漏極和柵極；
其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接，使三條數(shù)據(jù)線與六個薄膜晶體管的源極電連接，其中，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同，即第一數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管、與第二數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管、與第三數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管完全不同，這樣，就可以使三條數(shù)據(jù)線與六個薄膜晶體管的源極電連接；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。
該像素結(jié)構(gòu)還可以包括像素電極和與像素電極部分重迭構(gòu)成存儲電容的公共電極線，其中，像素電極覆蓋在對應(yīng)的次像素區(qū)的透光區(qū)上，每個像素電極分別與對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極電連接；具體的可以包括兩條公共電極線，即第一公共電極線和第二公共電極線，其中，覆蓋在第一主像素區(qū)內(nèi)次像素區(qū)上的像素電極與所述第一公共電極線交疊形成三個存儲電容；覆蓋在第二主像素區(qū)內(nèi)次像素區(qū)上的像素電極與所述第二公共電極線交疊形成三個存儲電容，即第一公共電極線和第二公共電極線分別與數(shù)據(jù)線平行，兩條公共電極線形成六個存儲電容；或者，包括三條公共電極線，即第一公共電極線、第二公共電極線和第三公共電極線，這三條公共電極線分別平行于柵極線，每條公共電極線分別與第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)中各一個次像素區(qū)上的像素電極交疊形成存儲電容，即每條公共電極線與兩個不同主像素區(qū)的像素電極交疊形成兩個存儲電容，三條公共電極線形成六個存儲電容。
本發(fā)明實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)包括雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。采用這種像素結(jié)構(gòu)，對于分辨率為mXn的屏，η為水平分辨率，m為垂直分辨率，其需要的柵極線為2m條，其需要的數(shù)據(jù)線為3n/2條，這樣，每條柵極線驅(qū)動時間縮短為單柵極驅(qū)動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的二分之一，當(dāng)分辨率比較高時普通的TFT也可以達(dá)到驅(qū)動要求，適于廣泛應(yīng)用。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的雙柵極驅(qū)動的像素縱向排列方式所需要的柵極線和數(shù)據(jù)線相同，這樣，源極驅(qū)動芯片、柵極驅(qū)動芯片的個數(shù)也相同，每條柵極線的驅(qū)動時間和驅(qū)動方式也可以相同，顯示面板尺寸也可以相同，所以利用現(xiàn)有的雙柵極驅(qū)動的縱向排列的像素結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝就可以生產(chǎn)出本發(fā)明實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)。
為了使本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案更加清楚，如下實(shí)施例對本發(fā)明上述技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述
本發(fā)明實(shí)施例提供一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，具體結(jié)構(gòu)可如圖2所示，其包括多個像素單元，每個像素單元包括
兩條柵極線，即第一柵極線G1和第二柵極線G2 ;兩條柵極線設(shè)置于基板上并沿著第一方向平行排列；
三條數(shù)據(jù)線，即順序排列的第一數(shù)據(jù)線D1、第二數(shù)據(jù)線D2和第三數(shù)據(jù)線D3，三條數(shù)據(jù)線設(shè)置于基板上并沿著第二方向平行排列；第二方向基本垂直于第一方向。
兩個主像素區(qū)，即第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)，其中，第一主像素區(qū)分別包括第一次像素區(qū)L1，第二次像素區(qū)L2和第三次像素區(qū)L3 ;第二主像素區(qū)分別包括第四次像素區(qū) L4，第五次像素區(qū)LjP第六次像素區(qū)L6。其中，PpPyPyPpPpPe分別為第一次像素區(qū)U、 第二次像素區(qū)L2、第三次像素區(qū)L3、第四次像素區(qū)L4、第五次像素區(qū)L5和第六次像素區(qū)L6的透光區(qū)，每個次像素區(qū)的長邊與第一方向基本平行，每個次像素區(qū)的短邊與第二方向基本平行，其中，兩個主像素區(qū)優(yōu)選的包括兩個紅色次像素區(qū)、兩個綠色次像素區(qū)和兩個藍(lán)色次像素，其中可以有多重組合方式；兩個主像素區(qū)也可以包括任意種色彩次像素區(qū)的排列組合方式。
六個薄膜晶體管，分別設(shè)置于對應(yīng)的次像素區(qū)內(nèi)，即每個次像素區(qū)內(nèi)有一個薄膜晶體管，如第一次像素區(qū)的薄膜晶體管T1，第二次像素區(qū)的薄膜晶體管T2，第三次像素區(qū)的薄膜晶體管T3,第四次像素區(qū)的薄膜晶體管T4，第五次像素區(qū)的薄膜晶體管T5，第六次像素區(qū)的薄膜晶體管T6，每個薄膜晶體管包括源極、漏極和柵極；
六個像素電極(圖中未示出)，每個像素電極覆蓋在對應(yīng)的次像素區(qū)的透光區(qū)上， 分別與對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極電連接；
兩條公共電極線(圖中未示出)，即第一公共電極線C1和第二公共電極線C2，其中，與TpTyT3的漏極電連接的像素電極(即覆蓋在Lp L2、L3上的像素電極)分別與第一公共電極線交疊形成三個存儲電容；與T4, T5, T6的漏極電連接的像素電極(即覆蓋在L4、 L5> L6上的像素電極)分別與第二公共電極線交疊形成三個存儲電容，其中，第一公共電極線、第二公共電極線分別與數(shù)據(jù)線平行。其中，如圖2所示，該實(shí)施例中，第一主像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線之間；第二主像素區(qū)位于第二數(shù)據(jù)線與第三數(shù)據(jù)線之間；兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線交叉形成第一封閉區(qū)和第二封閉區(qū)；第二次像素區(qū)L2、第五次像素區(qū)L5分別位于第一封閉區(qū)和第二封閉區(qū)內(nèi)。其中，第一數(shù)據(jù)線D1與薄膜晶體管T1和薄膜晶體管T2的源極電連接；薄膜晶體管T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T3和薄膜晶體管T4的源極電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線G1電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管T5 和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接。需要說明的是，次像素區(qū)可以為矩形區(qū)域，具體包括第一邊和第二邊，第一柵極線G1和第二柵極線G2與次像素區(qū)的第一邊平行，且分別設(shè)置于每個主像素區(qū)內(nèi)的三個次像素區(qū)之間或者設(shè)置于各次像素區(qū)之外；第一數(shù)據(jù)線D1、第二數(shù)據(jù)線D2和第三數(shù)據(jù)線D3與次像素區(qū)的第二邊平行，且分別設(shè)置于所述像素單元的兩個主像素區(qū)之間或者設(shè)置于兩個主像素區(qū)之外。在一種優(yōu)選方式中，第一邊為矩形區(qū)域的長邊，第二邊為矩形區(qū)域的短邊，在另一種實(shí)施方式中，第一邊為矩形區(qū)域的短邊，第二邊為矩形區(qū)域的長邊。其中，兩條柵極線、三條數(shù)據(jù)線的具體設(shè)置方式可參見后續(xù)圖7至圖13所對應(yīng)部分的詳細(xì)描述。本發(fā)明實(shí)施例以兩個主像素區(qū)為一個重復(fù)單位，每個主像素區(qū)包括三個次像素區(qū)(優(yōu)選的一種組合為紅色次像素區(qū)R、綠色次像素區(qū)G、藍(lán)色次像素區(qū)B)，也就是最小的一個重復(fù)單位包含6個次像素區(qū)。一個最小重復(fù)單位中包括兩個柵極線，三個數(shù)據(jù)線，六個薄膜晶體管，且每條數(shù)據(jù)線驅(qū)動兩個次像素區(qū)，兩個次像素區(qū)分別由不同的柵極線控制，采用這種像素結(jié)構(gòu)，對于分辨率為mXn的屏，其需要的柵極線為2m條，其需要的數(shù)據(jù)線為3n/2條，這樣，每條柵極線驅(qū)動時間縮短為單柵極驅(qū)動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的二分之一，當(dāng)分辨率比較高時普通的TFT也可以達(dá)到驅(qū)動要求，適于廣泛應(yīng)用。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的雙柵極驅(qū)動的像素縱向排列方式所需要的柵極線和數(shù)據(jù)線相同，這樣，源極驅(qū)動芯片、柵極驅(qū)動芯片的個數(shù)也相同，每條柵極線的驅(qū)動時間和驅(qū)動方式也可以相同，顯示面板尺寸也可以相同，所以利用現(xiàn)有的雙柵極驅(qū)動的縱向排列的像素結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝就可以生產(chǎn)出本發(fā)明實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，且本發(fā)明實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)更適合于3D顯示。如下描述一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的驅(qū)動方法，該方法適用于上述雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其包括在第一時刻，兩條柵極線中的第一柵極線為高電平，兩條柵極線中的第二柵極線為低電平，與第一柵極線電連接的薄膜晶體管打開，三條數(shù)據(jù)線分別為與自己電連接的薄膜晶體管供電；在第二時刻，所述第二柵極線為高電平，所述第一柵極線為低電平，與所述第二柵極線電連接的薄膜晶體管打開，三條數(shù)據(jù)線分別為與自己電連接的薄膜晶體管供電。即對于圖2所示的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，在I1時刻，G1為高電平，薄膜晶體管!\、T4和T5同時打開，此時，D1給L1輸送數(shù)據(jù)，D2給L4輸送數(shù)據(jù)，D3給L5輸送數(shù)據(jù)。接著在t2時刻，G1變?yōu)榈碗娖?，G2為高電平，T1, T4, T5同時關(guān)閉，薄膜晶體管T2、T3> T6 同時打開，D1給L2輸送數(shù)據(jù)，D2給L3輸送數(shù)據(jù)，D3給L6輸送數(shù)據(jù)，這樣就實(shí)現(xiàn)了對一個像素單元的驅(qū)動。
下面以常白液晶顯示屏(TN normally white)模式為例，描述單色顯示的驅(qū)動方法，如圖3所示，假定第一像素區(qū)L1為綠色次像素區(qū)G1，第二像素區(qū)L2為紅色次像素區(qū)R1, 第三像素區(qū)L3為藍(lán)色次像素區(qū)B1，第四像素區(qū)L4為紅色次像素區(qū)R2,第五像素區(qū)L5為藍(lán)色次像素區(qū)B2，第六像素區(qū)L6為綠色次像素區(qū)G2。其中，數(shù)據(jù)線D提供像素電壓S，像素電壓 S相對于參考電壓COM為正的高電平或者負(fù)的高電平時，次像素區(qū)處于暗態(tài)，像素電壓S相對于參考電壓COM為正的低電平或者負(fù)的低電平時，次像素區(qū)處于亮態(tài)，其中，像素電壓S 為數(shù)據(jù)線為薄膜晶體管所輸送的數(shù)據(jù)的電平，其中，像素電壓S相對于參考電壓COM為正的低電平或者負(fù)的低電平表示像素電壓S與參考電壓COM接近。
如下描述適用于上述像素結(jié)構(gòu)的紅色顯示的驅(qū)動方法
如圖4所示，時刻G1為高電平，其他掃描線為低電平，G1,R2^B2的薄膜晶體管打開，SpS2、S3分別給GpR2、B2輸送數(shù)據(jù)，圖中的SpS2和S3分別為數(shù)據(jù)線DpD2和D3所輸送的數(shù)據(jù)的電平(也稱為像素電壓)，假定S1為正的高電平，S2為負(fù)的低電平，S3為正的高電平，所以G1暗，R2亮，B2暗。t2時刻G2為高電平，其他掃描線為低電平，R” B1' G2的晶體管打開，S1, S2, S3分別給RpBpG2輸送數(shù)據(jù)，S1為負(fù)的低電平，S2為正的高電平，S3為負(fù)的高電平，R1亮，B1暗，G2暗。這樣在一個重復(fù)單元內(nèi)只有紅色的次像素亮，其他的次像素都為暗，下一時刻兩個主像素內(nèi)的每條數(shù)據(jù)線的信號重復(fù)^和t2時候的波形使該整個重復(fù)單元一直顯不紅色。
如下描述適用于上述像素結(jié)構(gòu)的綠色顯示的驅(qū)動方法
如圖5所示，h時刻G1為高電平，其他掃描線為低電平，G1,R2^B2的薄膜晶體管打開，Si、S2, S3分別給Gp R2, B2傳輸數(shù)據(jù)，S1為正的低電平，S2為負(fù)的高電平，S3為正的高電平，G1亮，R2暗，B2暗。t2時刻G2為高電平，其他掃描線為低電平，R1、B” G2的薄膜晶體管打開，S1, S2, S3分別給RpBpG2傳輸數(shù)據(jù)，S1為負(fù)的高電平，S2為正的高電平，S3為負(fù)的低電平，R1暗，B1暗，G2亮。這樣在一個重復(fù)單元內(nèi)只有綠色的次像素亮，其他的次像素都為暗，下一時刻兩個主像素內(nèi)的每條數(shù)據(jù)線的信號重復(fù)^和t2時候的波形使該整個重復(fù)單元一直顯示綠色。
如下描述適用于上述像素結(jié)構(gòu)的藍(lán)色顯示的驅(qū)動方法
如圖6所示，h時刻G1為高電平，其他掃描線為低電平，G1,R2^B2的薄膜晶體管打開，Sp S2, S3分別給Gp R2, B2傳輸數(shù)據(jù)，S1為正的高電平，S2為負(fù)的高電平，S3為正的低電平，G1暗，R2暗，B2亮。t2時刻G2為高電平，其他掃描線為低電平，R1、B” G2的薄膜晶體管打開，S1, S2, S3分別給RpBpG2傳輸數(shù)據(jù)，S1為負(fù)的高電平，S2為正的低電平，S3為負(fù)的高電平，R1暗，B1亮，G2暗。這樣在一個重復(fù)單元內(nèi)只有藍(lán)色的次像素亮，其他的次像素都為暗，下一時刻兩個主像素內(nèi)的每條數(shù)據(jù)線的信號重復(fù)^和t2時候的波形使該整個重復(fù)單元一直顯不藍(lán)色。
以上驅(qū)動方法可以單獨(dú)控制每個次像素區(qū)的顏色和亮度，實(shí)現(xiàn)顯示紅色、綠色或者藍(lán)色，可見采用上述驅(qū)動方法驅(qū)動本發(fā)明實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)可以控制整個屏幕顯示用戶想要的顏色和圖案。
圖7示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖2所示實(shí)施例不同之處在于第一數(shù)據(jù)線D1與薄膜晶體管T2和薄膜晶體管T3的源極電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T1和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管T4和薄膜晶體管T5的源極電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第二柵極線G2電連接。圖8示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖2所示實(shí)施例不同之處在于第一數(shù)據(jù)線D1與薄膜晶體管T1和薄膜晶體管T3的源極電連接；薄膜晶體管T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T2和薄膜晶體管T5的源極電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管T4和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接。
圖9示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖2所示實(shí)施例不同之處在于第一數(shù)據(jù)線D1與薄膜晶體管T1和薄膜晶體管T3的源極電連接；薄膜晶體管T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T2和薄膜晶體管T5的源極電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管T4和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接。圖10示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖2所示實(shí)施例不同之處在于第一主像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線之間；第二主像素區(qū)位于第二數(shù)據(jù)線與第三數(shù)據(jù)線之間；兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線交叉形成第一封閉區(qū)和第二封閉區(qū)；第二次像素區(qū)L2和第三次像素區(qū)L3位于第一封閉區(qū)內(nèi)，第五次像素區(qū)L5和第六次像素區(qū)L6位于第二封閉區(qū)內(nèi)。具體的，第一數(shù)據(jù)線D1與薄膜晶體管T1和薄膜晶體管T2的源極電連接；薄膜晶體管T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T3和薄膜晶體管T4的源極電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線G1電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管T5和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接。圖11示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖2所示實(shí)施例不同之處在于第一主像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線之間；第二主像素區(qū)位于第二數(shù)據(jù)線與第三數(shù)據(jù)線之間；兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線交叉形成第一封閉區(qū)和第二封閉區(qū)；第一次像素區(qū)L1、第二次像素區(qū)L2和第三次像素區(qū)L3位于第一封閉區(qū)內(nèi)，第四次像素區(qū)L4、第五次像素區(qū)L5和第六次像素區(qū)L6位于第二封閉區(qū)內(nèi)。具體的，第一數(shù)據(jù)線D1與薄膜晶體管T1和薄膜晶體管T2的源極電連接；薄膜晶體管T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T3和薄膜晶體管T4的源極電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管T5和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線62電連接。
圖12示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖2所示實(shí)施例不同之處在于第一主像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線的外側(cè)，其中，第一數(shù)據(jù)線的外側(cè)為第一數(shù)據(jù)線的背向第二數(shù)據(jù)線的一側(cè)；第二主像素區(qū)位于第二數(shù)據(jù)線與第三數(shù)據(jù)線之間，具體的，第一數(shù)據(jù)線D1與薄膜晶體管T1和薄膜晶體管T2的源極電連接；薄膜晶體管T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T3和薄膜晶體管T4的源極電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管T5和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接。圖13示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖2所示實(shí)施例不同之處在于第一主像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線的外側(cè)，其中，第一數(shù)據(jù)線的外側(cè)為第一數(shù)據(jù)線的背向第二數(shù)據(jù)線的一側(cè)；第二主像素區(qū)位于第三數(shù)據(jù)線的外側(cè)，其中，第三數(shù)據(jù)線的外側(cè)為第三數(shù)據(jù)線的背向第二數(shù)據(jù)線的一側(cè)；具體的，第一數(shù)據(jù)線D1與薄膜晶體管T1和薄膜晶體管T2的源極電連接；薄膜晶體管T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T3和薄膜晶體管T4的源極電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管T5和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接。需要說明的是，上述各實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)中的次像素區(qū)的可以為長方形區(qū)域，此時，長方形區(qū)域的長邊與柵極線平行，長方形區(qū)域的短邊與數(shù)據(jù)線平行；或者，次像素區(qū)為非長方形區(qū)域，不影響本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明所描述的實(shí)例中柵極線、數(shù)據(jù)線、第一主像素區(qū)、第二主像素區(qū)間的位置變換及薄膜晶體管的連接關(guān)系僅為最佳實(shí)例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。本發(fā)明上述各實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)包括雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。采用這種像素結(jié)構(gòu)，對于分辨率為mXn的屏，其需要的柵極線為2m條，其需要的數(shù)據(jù)線為3n/2條，這樣，每條柵極線驅(qū)動時間縮短為單柵極驅(qū)動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的二分之一，當(dāng)分辨率比較高時普通的TFT也可以達(dá)到驅(qū)動要求，適于廣泛應(yīng)用。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的雙柵極驅(qū)動的像素縱向排列方式所需要的柵極線和數(shù)據(jù)線相同，這樣，源極驅(qū)動芯片、柵極驅(qū)動芯片的個數(shù)也相同，每條柵極線的驅(qū)動時間和驅(qū)動方式也可以相同，顯示面板尺寸也可以相同，所以利用現(xiàn)有的雙柵極驅(qū)動的縱向排列的像素結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝就可以生產(chǎn)出本發(fā)明實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)?；诒景l(fā)明提供的上述雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，本發(fā)明還提供一種顯不面板，包括第一基板、第二基板和位于第一基板和第二基板之間的液晶層，其中，所述第一基板上設(shè)置有上述雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)。其中，第一基板可以是TFT基板； 第二基板可以是彩色濾光片(Color filter, CF)基板。
以上對本發(fā)明實(shí)施例所提供的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)及顯示面板進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 水平相鄰的兩個主像素區(qū)，其中，每個主像素區(qū)分別包括垂直相鄰的三個次像素區(qū)； 六個薄膜晶體管，分別設(shè)置于對應(yīng)的次像素區(qū)內(nèi)； 兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線； 其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接，其中，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，次像素區(qū)為長方形區(qū)域，所述長方形區(qū)域的長邊與柵極線平行。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 兩條柵極線包括第一柵極線和第二柵極線；三條數(shù)據(jù)線包括順序排列的第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線和第三數(shù)據(jù)線； 次像素區(qū)包括第一邊和第二邊； 所述第一柵極線和第二柵極線與次像素區(qū)的第一邊平行，且分別設(shè)置于每個主像素區(qū)內(nèi)的三個次像素區(qū)之間或者設(shè)置于各次像素區(qū)之外。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 兩條柵極線包括第一柵極線和第二柵極線；三條數(shù)據(jù)線包括順序排列的第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線和第三數(shù)據(jù)線； 次像素區(qū)包括第一邊和第二邊； 所述第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線和第三數(shù)據(jù)線與次像素區(qū)的第二邊平行，且分別設(shè)置于所述像素單元的兩個主像素區(qū)之間或者設(shè)置于兩個主像素區(qū)之外。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或者4所述的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 水平相鄰的兩個主像素區(qū)包括第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)； 第一主像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線之間； 第二主像素區(qū)位于第二數(shù)據(jù)線與第三數(shù)據(jù)線之間； 兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線交叉形成第一封閉區(qū)和第二封閉區(qū)； 其中， 第一主像素區(qū)有一個次像素區(qū)位于第一封閉區(qū)內(nèi)，第二主像素區(qū)有一個次像素區(qū)位于第二封閉區(qū)內(nèi)； 或者， 第一主像素區(qū)中垂直相鄰的二個次像素區(qū)位于第一封閉區(qū)內(nèi)，第二主像素區(qū)中垂直相鄰的二個次像素區(qū)位于第二封閉區(qū)內(nèi)； 或者， 第一主像素區(qū)中垂直相鄰的三個次像素區(qū)位于第一封閉區(qū)內(nèi)，第二主像素區(qū)中垂直相鄰的三個次像素區(qū)位于第二封閉區(qū)內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或者4所述的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 水平相鄰的兩個主像素區(qū)包括第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)； 第二主像素區(qū)位于第二數(shù)據(jù)線與第三數(shù)據(jù)線之間； 第一主像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線的外側(cè)，所述第一數(shù)據(jù)線的外側(cè)是第一數(shù)據(jù)線背向第二數(shù)據(jù)線的一側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求3或者4所述的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 水平相鄰的兩個主像素區(qū)包括第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)； 第一主像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線的外側(cè)，所述第一數(shù)據(jù)線的外側(cè)是第一數(shù)據(jù)線背向第二數(shù)據(jù)線的一側(cè)； 第二主像素區(qū)位于第三數(shù)據(jù)線的外側(cè)，所述第三數(shù)據(jù)線的外側(cè)是第三數(shù)據(jù)線背向第二數(shù)據(jù)線的一側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求I至4任一項(xiàng)所述的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 還包括像素電極，和與像素電極部分重迭構(gòu)成存儲電容的公共電極線，其中，像素電極覆蓋在次像素區(qū)的透光區(qū)上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述公共電極線包括分別與柵極線平行的第一公共電極線和第二公共電極線； 或者， 所述公共電極線包括分別與數(shù)據(jù)線平行的第一公共電極線、第二公共電極線和第三公共電極線。
10.一種顯不面板，包括第一基板、第二基板和位于第一基板和第二基板之間的液晶層，其中，所述第一基板上設(shè)置有權(quán)利要求I至9所述的任意一個雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)。
11.一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的驅(qū)動方法，其特征在于，適用于權(quán)利要求I至9所述的任意一個雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其包括 在第一時刻，兩條柵極線中的第一柵極線為高電平，兩條柵極線中的第二柵極線為低電平，與所述第一柵極線電連接的薄膜晶體管打開；三條數(shù)據(jù)線分別為與自己電連接的薄膜晶體管供電； 在第二時刻，所述第二柵極線為高電平，所述第一柵極線為低電平，與所述第二柵極線電連接的薄膜晶體管打開，三條數(shù)據(jù)線分別為與自己電連接的薄膜晶體管供電。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)及顯示面板，其中雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)包括水平相鄰的兩個主像素區(qū)，每個主像素區(qū)分別包括垂直相鄰的三個次像素區(qū)；六個薄膜晶體管，分別設(shè)置于對應(yīng)的次像素區(qū)內(nèi)；兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線；其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。使用該方案，能夠使當(dāng)分辨率比較高時普通的TFT也可以達(dá)到驅(qū)動要求，且利用現(xiàn)有雙柵極驅(qū)動縱向排列像素結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝就可以生產(chǎn)出本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)。
文檔編號G09G3/36GK102930809SQ20111023178
公開日2013年2月13日 申請日期2011年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月12日
發(fā)明者夏志強(qiáng), 陳晨, 黃忠守, 周思思 申請人:上海中航光電子有限公司