專利名稱：移位緩存器及其驅(qū)動方法
移位緩存器及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于移位暫存電路，且特別是有關(guān)于一種在部分時段以多個電性通路穩(wěn)定信號準位的移位暫存電路及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
先前的應用于平面顯示器(例如液晶顯示器)的移位暫存電路一般包括多個級聯(lián) (cascade)耦接的移位緩存器，這些移位緩存器依序地產(chǎn)生多個用以驅(qū)動液晶顯示器的柵極線的柵極驅(qū)動脈沖信號。每級移位緩存器一般包括兩個互補的穩(wěn)定模塊，以穩(wěn)定信號輸入單元以及信號輸出單元所輸出的信號。每個穩(wěn)定模塊分別接收對應的操作頻率并在其對應的操作頻率的工作周期內(nèi)被致能，從而使對應的穩(wěn)定模塊進行工作。通常地，兩個穩(wěn)定模塊的操作頻率被設定為互補，即一個穩(wěn)定模塊的操作頻率從邏輯高電位轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫷碗娢粫r，另一個穩(wěn)定模塊的操作頻率從邏輯低電位轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫺唠娢?。也就是說，當一個穩(wěn)定模塊工作時，另一個穩(wěn)定模塊不工作；而當不工作的穩(wěn)定模塊開始工作前，本來在工作的穩(wěn)定模塊開始停止工作。兩個穩(wěn)定模塊交替地進行工作以穩(wěn)定信號輸入單元以及信號輸出單元所輸出的信號。但是，由于線路對信號的延遲以及TFT充電速度的延遲，因此穩(wěn)定模塊的操作頻率從邏輯低電位轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫺唠娢粫r，并不會立即導通此穩(wěn)定模塊中做下拉穩(wěn)壓動作的晶體管。也就是說，當一個穩(wěn)定模塊停止工作時，另一個穩(wěn)定模塊并不會馬上開始工作，反而在進行工作切換時會有一段時間是兩個穩(wěn)定模塊都處于不進行工作的狀態(tài)下。此種現(xiàn)象會影響整個移位緩存器的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的的一就是在提供一種移位緩存器，其具有較高的可靠性。本發(fā)明的再一目的是提供一種移位緩存器的驅(qū)動方法，其可提高移位緩存器的可靠性。本發(fā)明提出一種移位緩存器，包括信號輸入單元、信號輸出單元以及多個穩(wěn)定模塊。信號輸入單元接收并提供一輸入信號，信號輸出單元根據(jù)信號輸入單元所提供的輸入信號，控制是否將所接收的第一頻率信號向外輸出。每個穩(wěn)定模塊電性耦接至信號輸入單元的輸出端、信號輸出單元的輸出端以及預設電位，每個穩(wěn)定模塊接收相對應的操作頻率并在相對應的操作頻率的工作周期內(nèi)被致能，藉此在輸入信號禁能時將信號輸入單元的輸出端與信號輸出單元的輸出端電性耦接至低預設電位。其中在穩(wěn)定模塊的一被禁能之前， 另一穩(wěn)定模塊已經(jīng)被致能。本發(fā)明還提出一種移位緩存器的驅(qū)動方法，其適于控制移位緩存器在輸出端提供的電位。該移位緩存器包括信號輸出單元與多個穩(wěn)定模塊，信號輸出單元根據(jù)輸入信號而控制是否將所接收的第一頻率信號從移位緩存器的輸出端向外輸出，每個穩(wěn)定模塊電性耦接至移位緩存器的輸出端以及預設電位。上述驅(qū)動方法包括提供第一操作頻率至第一穩(wěn)定模塊，第一操作頻率于致能時使移位緩存器的輸出端在輸入信號禁能時經(jīng)由第一穩(wěn)定模塊而電性耦接至預設電位；以及提供第二操作頻率至第二穩(wěn)定模塊，第二操作頻率于致能時使移位緩存器的輸出端在輸入信號禁能時經(jīng)由第二穩(wěn)定模塊而電性耦接至預設電位。其中，在第一操作頻率被禁能之前先致能該第二操作頻率，以及在第一操作頻率被致能的后才禁能第二操作頻率。 在本發(fā)明的較佳實施例中，上述的第一操作頻率與第二操作頻率的工作周期各大于 50%。在本發(fā)明的較佳實施例中，上述的第一及第二操作頻率的周期分別介于顯示0. 1 幀畫面所需的時間至顯示200幀畫面所需的時間之間。在本發(fā)明的較佳實施例中，上述的每個穩(wěn)定模塊分別作為移位緩存器的下拉電路。本發(fā)明修正穩(wěn)定模塊所對應的操作頻率而使一穩(wěn)定模塊被禁能之前，已經(jīng)先致能另一穩(wěn)定模塊，從而保證在切換穩(wěn)定模塊時至少有一個穩(wěn)定模塊在進行工作，保證整個移位緩存器的可靠性。為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例， 并配合所附圖式，作詳細說明如下。

圖1繪示為本發(fā)明實施例所揭示的一種移位緩存器的電路方塊圖。圖2繪示為圖1所示的移位緩存器的具體電路圖。圖3繪示為圖1所示的穩(wěn)定模塊中各種信號的時序圖。主要組件符號說明100:移位緩存器110:信號輸入單元120 信號輸出單元130:第一穩(wěn)定模塊140 第二穩(wěn)定模塊150 放電單元Q(n)、Q(n-l)輸入信號G (n)、G (n_l)、G (η+2)第一頻率信號HC(m)、HC(m_l)頻率參考信號LCl 第一操作頻率LC2 第二操作頻率VSS 預設電位P (η)、K (η)電連接處Τ11、Τ12、Τ2、Τ31、Τ32、Τ33、Τ34、Τ35、Τ36、Τ41、Τ42、Τ43、Τ44、Τ45、Τ46、Τ51、Τ52
晶體管
具體實施方式

請參閱圖1及2，其中圖1繪示為本發(fā)明實施例所揭示的移位緩存器的電路方塊圖；而圖2繪示為圖1的移位緩存器的具體電路圖。如圖1-2所示，本發(fā)明實施例所揭示的移位緩存器100包括信號輸入單元110、信號輸出單元120、第一穩(wěn)定模塊130、第二穩(wěn)定模塊140移及放電單元150。信號輸入單元110用以產(chǎn)生輸入信號Q (η)，且信號輸入單元110電性耦接信號輸出單元120，則信號輸出單元120可根據(jù)信號輸入單元110所產(chǎn)生的輸入信號Q(ri)而產(chǎn)生第一頻率信號G(n)。具體地，信號輸入單元110包括晶體管Tll以及晶體管T12。其中，晶體管T12的柵極電性耦接上一級移位緩存器中的信號輸入單元所產(chǎn)生的上一級輸入信號 Q(n-l)，其一源/漏極電性耦接上一級頻率參考信號HC(m-l)，而另一源/漏極則電性耦接至晶體管Tll的柵極。晶體管Tll的一源/漏極電性耦接上一級移位緩存器中的信號輸出單元所產(chǎn)生的上一級第一 頻率信號G(n-l)，而其另一源/漏極作為信號輸入單元110的輸出端以輸出信號輸入單元110所產(chǎn)生的輸入信號Q(n)。信號輸出單元120包括晶體管T2， 其柵極電性耦接信號輸入單元110的輸出端，其一源/漏極電性耦接其對應的頻率參考信號HC (m)，而其另一源/漏極則作為信號輸出單元120的輸出端以輸出所產(chǎn)生的對應的第一頻率信號G (η)。第一穩(wěn)定模塊130以及第二穩(wěn)定模塊140分別電性耦接信號輸入單元110的輸出端，信號輸出單元120的輸出端以及預設電位VSS。其中預設電位VSS可設定為邏輯低電位。第一穩(wěn)定模塊130以及第二穩(wěn)定模塊140分別接收其所對應的操作頻率LCl或者LC2， 以在其對應的操作頻率LCl或者LC2的工作周期內(nèi)被致能，從而在信號輸入單元110所產(chǎn)生的輸入信號Q(ri)被禁能時，將信號輸入單元110的輸出端與信號輸出單元120的輸出端電性耦接至預設電位VSS。也就是說，第一穩(wěn)定模塊130以及第二穩(wěn)定模塊140可分別作為移位緩存器100的下拉電路，從而分別在其工作時將信號輸入單元110所產(chǎn)生的輸入信號 Q(η)以及信號輸出單元120的輸出端所產(chǎn)生的第一頻率信號G(n)下拉至預設電位VSS，即邏輯低電位。在本發(fā)明中，第一穩(wěn)定模塊130與第二穩(wěn)定模塊140的電路相同，其不同在于第一穩(wěn)定模塊130接收第一操作頻率LCl，而第二穩(wěn)定模塊140接收第二操作頻率LC2。具體地，第一穩(wěn)定模塊130包括晶體管T31、晶體管T32、晶體管T33、晶體管T34、 晶體管T35以及晶體管T36。晶體管T31的柵極電性耦接第一操作頻率LC1，其中一個源/ 漏極也電性耦接第一操作頻率LCl，而另一個源/漏極則電性耦接晶體管T32的一個源/漏極。晶體管T32的柵極接收信號輸入單元110所產(chǎn)生的輸入信號Q (η)，且另一個源/漏極電性耦接至預設電位VSS。晶體管Τ33的柵極電性耦接晶體管Τ31與Τ32的源/漏極之間的電連接處，其一源/漏極電性耦接至第一操作頻率LC1，而另一源/漏極電性耦接晶體管 Τ34的一個源/漏極。晶體管Τ34的柵極也接收信號輸入單元110所產(chǎn)生的輸入信號Q (η)， 而其另一源/漏極則電性耦接至預設電位VSS。晶體管Τ35與晶體管Τ36的柵極均電性耦接至晶體管Τ33與Τ34源/漏極之間的電連接處P (η)，且晶體管Τ35的一源/漏極電性耦接信號輸入單元110的輸出端，另一源/漏極接收信號輸出單元120所產(chǎn)生的對應的第一頻率信號G(n)。晶體管T36的一個源/漏極電性耦接信號輸出單元120的輸出端，而另一個源/漏極則電性耦接預設電位VSS。第二穩(wěn)定模塊140包括晶體管T41、晶體管T42、晶體管T43、晶體管T44、晶體管T45以及晶體管T46。晶體管T41的柵極電性耦接第二操作頻率LC2，其中一個源/漏極也電性耦接第二操作頻率LC2，而另一個源/漏極則電性耦接晶體管T42的一個源/漏極。晶體管T42的柵極接收信號輸入單元110所產(chǎn)生的輸入信號Q(n)，且另一個源/漏極電性耦接至預設電位VSS。晶體管T43的柵極電性耦接晶體管T41與T42的源/漏極之間的電連接處，其一源/漏極電性耦接至第二操作頻率LC2，而另一源/漏極電性耦接晶體管T44的一個源/漏極。晶體管T44的柵極也接收信號輸入單元110所產(chǎn)生的輸入信號Q (η)，而其另一源/漏極則電性耦接至預設電位VSS。晶體管Τ45與晶體管Τ46的柵極均電性耦接至晶體管Τ43與Τ44源/漏極之間的電連接處Κ(η)，且晶體管Τ45的一源/漏極電性耦接信號輸入單元110的輸出端，另一源/漏極接收信號輸出單元120所產(chǎn)生的對應的第一頻率信號G(n)。晶體管T46的一個源/漏極電性耦接信號輸出單元120的輸出端，而另一個源 /漏極則電性耦接預設電位VSS。放電單元150電性耦接信號輸入單元110的輸出端、信號輸出單元120的輸出端以及預設電位VSS，以根據(jù)控制信號而決定是否對信號輸入單元110所產(chǎn)生的輸入信號 Q(η)以及信號輸出單元120所產(chǎn)生的第一頻率信號G(n)進行放電。具體地，放電單元150 包括晶體管T51以及晶體管T52。晶體管T51與晶體管T52的柵極均電性耦接控制信號，例如下兩級移位緩存器中信號輸出單元所產(chǎn)生的第一頻率信號G(n+2)。晶體管T51的一源/ 漏極電性耦接信號輸入單元110的輸出端，而其另一源/漏極電性耦接預設電位VSS。晶體管T52的一源/漏極電性耦接信號輸出單元120的輸出端，而其另一源/漏極電性耦接預設電位VSS。請參閱圖3，其繪示為穩(wěn)定模塊中各種信號的時序圖。如圖1-3所示，第一穩(wěn)定模塊130所接收的第一操作頻率LCl在從邏輯高電位向邏輯低電位轉(zhuǎn)變時，第二穩(wěn)定模塊140 所接收的第二操作頻率LC2已經(jīng)從邏輯低電位轉(zhuǎn)變成邏輯高電位。也就是說，第一穩(wěn)定模塊130在被禁能之前，第二穩(wěn)定模塊140已經(jīng)被致能了。同樣地，第二穩(wěn)定模塊140所接收的第二操作頻率LC2在從邏輯高電位向邏輯低電位轉(zhuǎn)變時，第一穩(wěn)定模塊130所接收的第一操作頻率LCl已經(jīng)從邏輯低電位轉(zhuǎn)變成邏輯高電位。即第二穩(wěn)定模塊140被禁能之前， 第一穩(wěn)定模塊130已經(jīng)被致能了。在本實施例中，第一穩(wěn)定模塊130所接收的第一操作頻率LCl與第二穩(wěn)定模塊140 所接收的第二操作頻率LC2的工作周期Duty均大于其周期Period的50%。此外，每個穩(wěn)定模塊所接收的操作頻率可為低頻頻率信號。較佳地，每個穩(wěn)定模塊所接收的操作頻率的周期Period介于顯示0. 1幀畫面所需的時間至顯示200幀畫面所需的時間之間。當然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可理解的是，每個穩(wěn)定模塊所接收的操作頻率也可為較高頻的頻率信號。如圖3所示，當?shù)谝环€(wěn)定模塊130所接收的第一操作頻率LCl從邏輯高電位向邏輯低電位轉(zhuǎn)變時，即第一穩(wěn)定模塊130受第一操作頻率LCl的控制需要停止工作時，由于第一穩(wěn)定模塊130中的線路所產(chǎn)生的RC延遲以及其晶體管放電需要一定的時間，則此時晶體管T33與晶體管T34之間的電連接處P(n)上的電位還是處于邏輯高電位，其需要一段時間才能放電完畢轉(zhuǎn)變成邏輯低電位。因此，受電連接處P(n)上的邏輯高電位的影響，晶體管 T35與晶體管T36會繼續(xù)導通一段時間，使第一穩(wěn)定模塊130繼續(xù)工作以穩(wěn)定信號輸入單元 110所產(chǎn)生的輸入信號Q(n)以及信號輸出單元120所產(chǎn)生的第一頻率信號G(n)，直至電連接處P (η)上的電位下拉至不足以導通晶體管Τ35與晶體管Τ36，第一穩(wěn)定模塊130才停止工作。此外，由于在第一穩(wěn)定模塊130所接收的第一操作頻率LCl從邏輯高電位向邏輯低電位轉(zhuǎn)變之前，第二穩(wěn)定模塊140所接收的第二操作頻率LC2已經(jīng)從邏輯低電位轉(zhuǎn)變成邏輯高電位了，因此第二穩(wěn)定模塊140中的電連接處K(n)上的電位已經(jīng)被充電拉升了。貝1J， 其可保證第一穩(wěn)定模塊130的電連接處P(Ii)上的電位放電下拉至不足導通晶體管Τ35與晶體管Τ36之前，即第一穩(wěn)定模塊130停止工作之前，第二穩(wěn)定模塊140的電連接處K (η) 上的電位已經(jīng)充電上拉至足以導通晶體管Τ45與晶體管Τ46，從而使第二穩(wěn)定模塊140進行工作。綜上所述，本發(fā)明通過修正穩(wěn)定模塊所對應的操作頻率而使一穩(wěn)定模塊被禁能之前，已經(jīng)先致能另一穩(wěn)定模塊，從而保證在切換穩(wěn)定模塊時至少有一個穩(wěn)定模塊在進行工作，保證整個移位緩存器的可靠性。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的申請專利范圍所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種移位緩存器，包括一信號輸入單元，接收并提供一輸入信號；一信號輸出單元，根據(jù)該信號輸入單元所提供的該輸入信號，控制是否將所接收的一第一頻率信號向外輸出；多個穩(wěn)定模塊，每一所述穩(wěn)定模塊電性耦接至該信號輸入單元的輸出端、該信號輸出單元的輸出端以及一預設電位，每一所述穩(wěn)定模塊接收相對應的一操作頻率并在該相對應的操作頻率的工作周期內(nèi)被致能，藉此在該輸入信號禁能時將該信號輸入單元的輸出端與該信號輸出單元的輸出端電性耦接至該低預設電位，其中，在所述穩(wěn)定模塊的一被禁能之前，另一所述穩(wěn)定模塊已經(jīng)被致能。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移位緩存器，其特征在于，穩(wěn)定模塊的個數(shù)為兩個，而每一所述穩(wěn)定模塊所相對應的該操作頻率的工作周期大于50%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移位緩存器，其特征在于，每一所述穩(wěn)定模塊所相對應的該操作頻率的周期介于顯示0. 1幀畫面所需的時間至顯示200幀畫面所需的時間之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移位緩存器，其特征在于，每一所述穩(wěn)定模塊分別作為該移位緩存器的一下拉電路。
5.一種移位緩存器的驅(qū)動方法，適于控制一移位緩存器在輸出端提供的電位，該移位緩存器包括一信號輸出單元與多個穩(wěn)定模塊，該信號輸出單元根據(jù)一輸入信號而控制是否將所接收的一第一頻率信號從該移位緩存器的輸出端向外輸出，每一所述穩(wěn)定模塊電性耦接至該移位緩存器的輸出端以及一預設電位，該驅(qū)動方法包括提供一第一操作頻率至一第一穩(wěn)定模塊，該第一操作頻率于致能時使該移位緩存器的輸出端在該輸入信號禁能時經(jīng)由該第一穩(wěn)定模塊而電性耦接至該預設電位；以及提供一第二操作頻率至一第二穩(wěn)定模塊，該第二操作頻率于致能時使該移位緩存器的輸出端在該輸入信號禁能時經(jīng)由該第二穩(wěn)定模塊而電性耦接至該預設電位，其中，在該第一操作頻率被禁能之前先致能該第二操作頻率。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的驅(qū)動方法，其特征在于，更包括在該第一操作頻率被致能的后才禁能該第二操作頻率。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的驅(qū)動方法，其特征在于，該第一操作頻率與該第二操作頻率的工作周期各大于50%。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的驅(qū)動方法，其特征在于，該第一及第二操作頻率的周期分別介于顯示0. 1幀畫面所需的時間至顯示200幀畫面所需的時間之間。
全文摘要
一種移位緩存器包括信號輸入單元、信號輸出單元以及多個穩(wěn)定模塊。信號輸入單元接收并提供輸入信號，信號輸出單元根據(jù)信號輸入單元所提供的輸入信號，控制是否將所接收的第一頻率信號向外輸出。每個穩(wěn)定模塊電性耦接至信號輸入單元的輸出端、信號輸出單元的輸出端以及預設電位，每個穩(wěn)定模塊接收相對應的操作頻率并在相對應的操作頻率的工作周期內(nèi)被致能，藉此在輸入信號禁能時將信號輸入單元的輸出端與信號輸出單元的輸出端電性耦接至預設電位。其中在穩(wěn)定模塊的一被禁能之前，另一穩(wěn)定模塊已經(jīng)被致能。
文檔編號G09G3/20GK102184704SQ20111011127
公開日2011年9月14日 申請日期2011年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者徐國華, 蘇國彰, 陳勇志 申請人:友達光電股份有限公司