專利名稱：源極驅(qū)動器的伽瑪參考電壓輸出電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在液晶顯示裝置的源極驅(qū)動器中輸出伽瑪參考電壓的技術(shù)，尤其 涉及一種源極驅(qū)動器的伽瑪參考電壓輸出電路，當(dāng)自伽瑪緩沖器輸出伽瑪參考電壓時，該 電路基于所選模式選擇性地將伽瑪參考電壓輸出至平面轉(zhuǎn)換(IPQ伽瑪電壓產(chǎn)生單元和 扭曲向列(TN)伽瑪電壓產(chǎn)生單元。
背景技術(shù)：
一般而言，液晶顯示裝置具有源極驅(qū)動器集成電路，該電路根據(jù)自外界輸入的R，G 和B數(shù)據(jù)驅(qū)動液晶顯示面板的數(shù)據(jù)線。圖1為說明傳統(tǒng)源極驅(qū)動器電路的方塊圖。參考圖1，該傳統(tǒng)源極驅(qū)動器電路包括參考電壓產(chǎn)生單元11，伽瑪緩沖器單元12， 開關(guān)單元13，TN伽瑪電壓產(chǎn)生器單元14A，IPS伽瑪電壓產(chǎn)生單元14B，多路復(fù)用器15，以及 數(shù)(D)/模(A)轉(zhuǎn)換器16。所述參考電壓產(chǎn)生單元11具有串聯(lián)的電阻R_r，并配置以利用電阻R_r分割電源 電壓Vinl和Vin2間的壓差以及產(chǎn)生多個伽瑪參考電壓VrefO至Vref6。所述伽瑪緩沖器單元12具有多個伽瑪緩沖器GBl至GB7，并配置以穩(wěn)定輸出自參 考電壓產(chǎn)生單元11輸出的伽瑪參考電壓VrefO至VrefO。所述伽瑪緩沖器GBl至GB7通常利用運算放大器實現(xiàn)。圖2說明了一運算放大器 的輸出級的電路。參考圖2，MOS晶體管Ml的源極端連接至電源供應(yīng)端VDDP，且MOS晶體 管M2的源極端連接至接地端VSS。所述MOS晶體管Ml和M2的漏極端公共地連接至輸出端 OUT。自前端的加法級輸出的電壓Vl和V2提供至MOS晶體管Ml和M2的柵極端。所述開關(guān)單元13具有多個開關(guān)SWl至SW7，并配置以傳送自伽瑪緩沖器單元12輸 出的伽瑪參考電壓VrefO至Vref6至TN伽瑪電壓產(chǎn)生單元14A的輸入級或者IPS伽瑪電 壓產(chǎn)生單元14B的輸入級。例如，當(dāng)?shù)碗娖降霓D(zhuǎn)換控制信號CS自控制器(例如，時序控制器)輸入時，開關(guān) Sffl至SW7的移動端al至a7分別耦接固定端bl至b7。因此，自伽瑪緩沖器GBl至GB7輸 出的伽瑪參考電壓VrefO至Vref6傳輸至TN伽瑪電壓產(chǎn)生單元14A的輸入級。反之，當(dāng)高電平的轉(zhuǎn)換控制信號CS自控制器輸入時，開關(guān)SWl至SW7的移動端al 至a7耦接固定端cl至c7。因此，自伽瑪緩沖器GBl至GB7輸出的伽瑪參考電壓VrefO至 Vref6傳輸至IPS伽瑪電壓產(chǎn)生單元14B的輸入級。 所述TN伽瑪電壓產(chǎn)生單元14A和IPS伽瑪電壓產(chǎn)生單元14B的每一個都具有串聯(lián) 的電阻R_s。該TN伽瑪電壓產(chǎn)生單元14A和該IPS伽瑪電壓產(chǎn)生單元14B配置以與一 TN 模式和一 IPS模式相符地分割自伽瑪緩沖器單元12輸入的伽瑪參考電壓VrefO至Vref6， 并輸出分割的伽瑪電壓V_TN<255 0>和V_IPS<255 0>。 多路復(fù)用器15根據(jù)一模式選擇信號IPSEN配置以選擇和輸出自TN伽瑪電壓產(chǎn)生 單元14A輸出的伽瑪電SV_TN<255:0>或者自IPS伽瑪電壓產(chǎn)生單元14B輸出的伽瑪電壓V_IPS<255:0>o所述D/A轉(zhuǎn)換器16配置以選擇和輸出通過上述途徑產(chǎn)生的模擬伽瑪電壓V_ TN<255 0>和V_IPS<255 0>，對應(yīng)于自控制器輸入地R，G和B數(shù)據(jù)。以此方式，傳統(tǒng)的源極驅(qū)動器電路按照將開關(guān)單元置于伽瑪緩沖器單元的輸出級 之外的方式配置從而基于一驅(qū)動模式傳輸伽瑪電壓至TN伽瑪電壓產(chǎn)生單元的輸入級或者 IPS伽瑪電壓產(chǎn)生單元的輸入級。由于這一事實，因為開關(guān)的電阻會導(dǎo)致發(fā)生電壓降現(xiàn)象，所以在傳輸目標(biāo)級的伽 瑪參考電壓中存在困難?？紤]到這個情況，當(dāng)電壓降現(xiàn)象通過增加開關(guān)的尺寸在一定程度上得到抑制時， 將造成開關(guān)占用了布局的大部分的問題。再者，伽瑪電壓產(chǎn)生單元的電阻串的電阻值設(shè)計為小值的情況中，由于電壓降使 得產(chǎn)生精確的伽瑪電壓值存在困難。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的問題已經(jīng)作出了努力，并且本發(fā)明的目 的是提供一種源極驅(qū)動器的伽瑪參考電壓輸出電路，當(dāng)伽瑪緩沖器輸出伽瑪參考電壓時， 該電路選擇地將伽瑪參考電壓輸出至IPS伽瑪電壓產(chǎn)生單元和TN伽瑪電壓產(chǎn)生單元而不 會導(dǎo)致電壓降。本發(fā)明并不局限于這個目的，本發(fā)明其他的目的和優(yōu)點將從下面的描述中更清楚 地里了解到。為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種源極驅(qū)動器的伽瑪參考電 壓輸出電路，該電路包括參考電壓產(chǎn)生單元，配置以通過使用串聯(lián)的電阻分割電源電壓， 并產(chǎn)生多個伽瑪參考電壓；伽瑪緩沖器單元，具有多個伽瑪緩沖器，所述伽瑪緩沖器通過內(nèi) 置轉(zhuǎn)換操作選擇性地輸出多個伽瑪電壓產(chǎn)生單元所需的伽瑪參考電壓；以及多個伽瑪電壓 產(chǎn)生單元，配置以通過使用串聯(lián)的電阻與所需模式相符地分割自所述伽瑪緩沖單元輸入的 伽瑪參考電壓，并輸出分割的伽瑪電壓。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述伽瑪緩沖器包括由第一MOS晶體管和第二MOS晶體 管構(gòu)成的一 IPS伽瑪參考電壓輸出部分，并配置以輸出用于IPS模式的伽瑪參考電壓；由第 三MOS晶體管和第四MOS晶體管構(gòu)成的一 TN伽瑪參考電壓輸出部分，并配置以輸出用于TN 模式的伽瑪參考電壓；配置以選擇和運行所述IPS伽瑪參考電壓輸出部分的第一至第四開 關(guān)；以及配置以選擇和運行所述TN伽瑪參考電壓輸出部分的第五至第八開關(guān)。


圖1為說明傳統(tǒng)源極驅(qū)動器電路的方塊圖；圖2為說明傳統(tǒng)源極驅(qū)動器電路中伽瑪緩沖器的輸出級的電路圖；圖3為說明本發(fā)明實施例中源極驅(qū)動器的伽瑪參考電壓輸出電路的方塊圖；圖4為說明本發(fā)明實施例中伽瑪參考電路輸出電路中伽瑪緩沖器的輸出級的電 路圖；圖5為在IPS伽瑪電壓模式中圖4的等效電路圖；以及
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圖6為在TN伽瑪電壓模式中圖4的等效電路圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參考所附圖式中的例子更加詳細(xì)地描述本發(fā)明的具體實施例。盡可能于所 有附圖和說明書中使用地相同的附圖標(biāo)記代表了相同或相似的部分。圖3為說明根據(jù)本發(fā)明實施例中源極驅(qū)動器的伽瑪參考電壓輸出電路的方塊圖。參考圖3，根據(jù)本發(fā)明的實施例，源極驅(qū)動器的伽瑪參考電壓輸出電路包括參考電 壓產(chǎn)生單元31，伽瑪緩沖器單元32，TN伽瑪電壓產(chǎn)生單元33A，IPS伽瑪電壓產(chǎn)生單元33B， 多路復(fù)用器34和D/A轉(zhuǎn)換器35。所述參考電壓產(chǎn)生單元31具有串聯(lián)的電阻R_r，并配置以利用所述電阻R_r分割 電源電壓Vinl和Vin2之間的壓差并產(chǎn)生多個伽瑪參考電壓VrefO至Vref6。所述伽瑪緩沖器單元32具有多個伽瑪緩沖器GBl至GB7，并配置以穩(wěn)定和輸出自 參考電壓產(chǎn)生單元31輸出的伽瑪參考電壓VrefO至VrefO。所述伽瑪緩沖器GBl至GB7的每一個都具有連接至TN伽瑪電壓產(chǎn)生單元33A和 IPS伽瑪電壓產(chǎn)生單元33B的兩個輸出端。雖圖示所示所述伽瑪緩沖器GBl至GB7的每一 個僅具有一個輸入端，伽瑪緩沖器GBl至GB7的每一個可利用運算放大器實現(xiàn)，該運算放大 器具有連接至非反相輸入端的輸入端和連接至反相輸入端的輸出端。所述TN伽瑪電壓產(chǎn)生單元33A和IPS伽瑪電壓產(chǎn)生單元3 的每一個都具有串聯(lián) 的電阻R_s。該TN伽瑪電壓產(chǎn)生單元33A和該IPS伽瑪電壓產(chǎn)生單元3 配置以與一 TN 模式和一 IPS模式相符地分割自伽瑪緩沖器單元32輸入的伽瑪參考電壓VrefO至Vref6， 并輸出分割的伽瑪電壓V_TN<255:0>和V_IPS<255:0>。所述多路復(fù)用器34配置以根據(jù)一模式選擇信號IPSEN選擇和輸出自TN伽瑪電壓 產(chǎn)生單元33A輸出的伽瑪電壓V_TN<255 0>或者自IPS伽瑪電壓產(chǎn)生單元3 輸出的伽瑪 電壓V_IPS<255:0>。所述模式選擇信號IPSEN為代表液晶顯示裝置是否運行在IPS模式或 者TN模式中的一信號，并可基于運行模式改變其邏輯狀態(tài)。例如，當(dāng)液晶顯示裝置在IPS 模式中運行時，該模式選擇信號IPSEN使能，而當(dāng)液晶顯示裝置在TN模式中運行時，該模式 選擇信號IPSEN失效。一模式選擇條信號IPSENB為具有與模式選擇信號IPSEN的邏輯狀 態(tài)相反的邏輯狀態(tài)的信號。所述D/A轉(zhuǎn)換器35配置以選擇和輸出通過上述途徑產(chǎn)生的模擬伽瑪電壓V_ TN<255 0>和V_IPS<255 0>，對應(yīng)于自控制器輸入的R，G和B數(shù)據(jù)。所述伽瑪緩沖器單元32的伽瑪緩沖器GBl至GB7通過內(nèi)置轉(zhuǎn)換操作輸出TN伽瑪 電壓產(chǎn)生單元33A或者IPS伽瑪電壓產(chǎn)生單元3 所需的伽瑪參考電壓。該內(nèi)容將在下面 詳細(xì)描述。所述伽瑪緩沖器GBl至GB7利用運算放大器實現(xiàn)。圖4為說明運算放大器的輸出 級的電路。輸入級和加法級可位于輸出級的前端。在本實施例中，運算放大器的輸出級可 包括IPS伽瑪參考電壓輸出部分41，TN伽瑪參考電壓輸出部分42，和開關(guān)SWl至SW8。因 為作為輸出級前端電路的輸入級和加法級可從下面IPS伽瑪參考電壓輸出部分41，TN伽瑪 參考電壓輸出部分42，和開關(guān)SWl至SW8的解釋說明中容易地了解，所以將省略輸入級和加 法級的詳細(xì)描述。
參考圖4，伽瑪緩沖器GBl至GB7的每一個都包括由MOS晶體管Ml和M2構(gòu)成的 IPS伽瑪參考電壓輸出部分41，并配置以輸出伽瑪參考電壓至IPS伽瑪電壓產(chǎn)生單元33B ； 由MOS晶體管M3和M4構(gòu)成的TN伽瑪參考電壓輸出部分42，并配置以輸出伽瑪參考電壓至 TN伽瑪電壓產(chǎn)生單元33A ；配置以選擇和運行所述IPS伽瑪參考電壓輸出部分41的第一至 第四開關(guān)SWl至SW4;配置以選擇并輸出所述TN伽瑪參考電壓輸出部分42的第五至第八 開關(guān)SW5至SW8 ；連接至IPS伽瑪參考電壓輸出部分41的輸出端0UT_IPS ；以及連接至TN 伽瑪參考電壓輸出部分42的輸出端0UT_TN。所述IPS伽瑪參考電壓輸出部分41包括第一 MOS晶體管M1，該第一 MOS晶體管 Ml具有連接至電源端VDDP的源極端，連接至伽瑪參考電壓的輸出端0UT_IPS的漏極端和連 接至加法級的第一輸出端Vl的柵極端；以及第二 MOS晶體管M2，該第二 MOS晶體管M2具有 連接至電源端VSS的源極端，連接至伽瑪參考電壓的輸出端0UT_IPS的漏極端和連接至加 法級的第二輸出端V2的柵極端。所述加法級的第一輸出端Vl和第二輸出端V2使用輸入 至輸入級的伽瑪參考電壓和反饋電壓之間的信號差為構(gòu)成IPS伽瑪參考電壓輸出部分41 和TN伽瑪參考電壓輸出部分42的PMOS和NMOS提供推或拉操作的信號。所述TN伽瑪參考電壓輸出部分42包括第三MOS晶體管M3，該第三MOS晶體管 M3具有連接至電源端VDDP的源極端，連接至伽瑪參考電壓的輸出端0UT_TN的漏極端和連 接至加法級的第一輸出端Vl的柵極端；以及第四MOS晶體管M4，該第四MOS晶體管M4具 有連接至電源端VSS的源極端，連接至伽瑪參考電壓的輸出端0UT_TN的漏極端和連接至加 法級的第二輸出端V2的柵極端。所述第一開關(guān)SWl在電源端VDDP和第三MOS晶體管M3的閘極端之間連接，第二 開關(guān)SW2在第四MOS晶體管M4的柵極端和電源端VSS之間連接，第三開關(guān)SW3在第一 MOS 晶體管Ml的柵極端和加法級的第一輸出端Vl之間連接，以及第四開關(guān)SW4在第二 MOS晶 體管M2的柵極端和加法級的第二輸出端V2之間連接。第五開關(guān)SW5在電源端VDDP和第一 MOS晶體管Ml的柵極端之間連接，第六開關(guān) SW6在第二 MOS晶體管M2的柵極端和電源端VSS之間連接，第七開關(guān)SW7在加法級的第一 輸出端Vl和第三MOS晶體管M3的柵極端之間連接，以及第八開關(guān)SW8在加法級的第二輸 出端V2和第四MOS晶體管M4的柵極端之間連接。所述第一至第八開關(guān)SWl至SW8可利用 MOS晶體管實現(xiàn)。在下文中，根據(jù)本發(fā)明實施例將描述一種驅(qū)動伽瑪緩沖器GBl至GB7的方法。所 述反相模式選擇信號IPSENB為具有與所述模式選擇信號IPSEN的邏輯狀態(tài)相反的邏輯狀 態(tài)的信號。首先，如果根據(jù)IPS伽瑪電壓模式，藉由使能至高電平，模式選擇信號IPSEN自控 制器(例如，時序控制器)輸出，第一至第四開關(guān)SWl至SW4開啟，而第五至第八開關(guān)SW5 至SW8關(guān)閉。依據(jù)此事實，圖4中所示的電路如圖5所示運行，從而IPS伽瑪參考電壓輸出 部分41運行以輸出伽瑪參考電壓至IPS伽瑪電壓產(chǎn)生單元33B。因此，所述伽瑪參考電壓 通過輸出端0UT_IPS從伽瑪緩沖器單元32的伽瑪緩沖器GBl至GB7輸出至IPS伽瑪電壓 產(chǎn)生單元33B。如果根據(jù)TN伽瑪電壓模式，藉由失效至低電平，模式選擇信號IPSEN自控制器輸 出，第一至第四開關(guān)SWl至SW4關(guān)閉，而第五至第八開關(guān)SW5至SW8開啟。根據(jù)這個事實，圖4中所示的電路如圖6所示運行，從而TN伽瑪參考電壓輸出部分42運行以輸出伽瑪參 考電壓至TN伽瑪電壓產(chǎn)生單元33A。因此，所述伽瑪參考電壓通過輸出端0UT_TN從伽瑪緩 沖器單元32的伽瑪緩沖器GBl至GB7輸出至TN伽瑪電壓產(chǎn)生單元33A。雖然第一至第四開關(guān)SWl至SW4和第五至第八開關(guān)SW5至SW8利用MOS晶體管實 現(xiàn)為優(yōu)選，但必須注意的是本發(fā)明并不局限于此。雖然在實施例中以液晶顯示裝置在IPS模式和TN模式中運行的情況中產(chǎn)生必要 的伽瑪電壓為示例，但本發(fā)明并不局限于。因此，必須指出的是本發(fā)明可應(yīng)用于另一種顯示 裝置，在該裝置中，當(dāng)顯示裝置基于運行模式具有不同伽瑪電壓特性時，伽瑪緩沖器單元轉(zhuǎn) 換伽瑪參考電壓并將該伽瑪參考電壓提供至對應(yīng)的模式伽瑪電壓產(chǎn)生單元。從上面的描述中可以了解，本發(fā)明提供的優(yōu)點是，由于伽瑪參考電壓當(dāng)從伽瑪緩 沖器輸出時基于所選模式可選擇地輸出至IPS伽瑪電壓產(chǎn)生單元和TN伽瑪電壓產(chǎn)生單元， 因此在輸出的伽瑪參考電壓中不會出現(xiàn)電壓降，藉以可輸出所需電平的電壓。又，因為用于選擇地輸出IPS/TN伽瑪參考電壓的開關(guān)沒有設(shè)置在伽瑪緩沖器之 外而設(shè)置在伽瑪緩沖器內(nèi)部，所以所述開關(guān)可設(shè)計具有最小尺寸。盡管本發(fā)明的最佳實施例出于說明的目的進(jìn)行描述，但熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員將 認(rèn)識到地是在不脫離所附權(quán)利要求書揭露地本發(fā)明的范圍和精神的前提下，可對本發(fā)明進(jìn) 行各種變換，添加和替換。
權(quán)利要求
1.一種源極驅(qū)動器的伽瑪參考電壓輸出電路，其特征在于，該電路包括參考電壓產(chǎn)生單元，配置以通過使用串聯(lián)的電阻分割電源電壓，并產(chǎn)生多個伽瑪參考 電壓；伽瑪緩沖器單元，具有多個伽瑪緩沖器，所述伽瑪緩沖器通過內(nèi)置轉(zhuǎn)換操作選擇性地 輸出多個伽瑪電壓產(chǎn)生單元所需的伽瑪參考電壓；以及所述多個伽瑪電壓產(chǎn)生單元，配置以通過使用串聯(lián)的電阻，與一所需模式相符地分割 自所述伽瑪緩沖單元輸入的所述伽瑪參考電壓，并輸出分割的伽瑪電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的伽瑪參考電壓輸出電路，其特征在于，所述多個伽瑪電壓產(chǎn)生 單元包括配置以產(chǎn)生一扭曲向列(TN)模式運行所需的伽瑪電壓的伽瑪電壓產(chǎn)生單元、以 及配置以產(chǎn)生一平面轉(zhuǎn)換(IPQ模式運行所需的伽瑪電壓的伽瑪電壓產(chǎn)生單元。
3.如權(quán)利要求1所述的伽瑪參考電壓輸出電路，其特征在于，所述伽瑪緩沖器包括 IPS伽瑪參考電壓輸出部分，由第一金屬氧化物半導(dǎo)體(M0Q晶體管和第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成，并配置以輸出一 IPS模式的伽瑪參考電壓；TN伽瑪參考電壓輸出部分，由第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和第四金屬氧化物半導(dǎo)體 晶體管構(gòu)成，并配置以輸出一 TN模式的伽瑪參考電壓；第一至第四開關(guān)，配置以選擇和運行所述IPS伽瑪參考電壓輸出部分；以及 第五至第八開關(guān)，配置以選擇和運行所述TN伽瑪參考電壓輸出部分。
4.如權(quán)利要求3所述的伽瑪參考電壓輸出電路，其特征在于，所述IPS伽瑪參考電壓輸 出部分包括所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，具有源極端，所述源極端連接至第一電源端；漏極 端，所述漏極端連接至所述伽瑪參考電壓的輸出端；以及柵極端，所述柵極端連接至一加法 級的第一輸出端；以及所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，具有源極端，所述源極端連接至第二電源端；漏極 端，所述漏極端連接至所述伽瑪參考電壓的所述輸出端；以及柵極端，所述柵極端連接至所 述加法級的第二輸出端。
5.如權(quán)利要求3所述的伽瑪參考電壓輸出電路，其特征在于，所述TN伽瑪參考電壓輸 出部分包括所述第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，具有源極端，所述源極端連接至所述第一電源端； 漏極端，所述漏極端連接至所述伽瑪參考電壓的所述輸出端；以及柵極端，所述柵極端連接 至所述加法級的所述第一輸出端；以及所述第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，具有源極端，所述源極端連接至所述第二電源端， 漏極端，所述漏極端連接至所述伽瑪參考電壓的所述輸出端；以及柵極端，所述柵極端連接 至所述加法級的所述第二輸出端。
6.如權(quán)利要求3所述的伽瑪參考電壓輸出電路，其特征在于，所述第一開關(guān)在所述第 一電源端和所述第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的所述間極端之間連接，所述第二開關(guān)在所 述第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的所述柵極端和所述第二電源端之間連接，所述第三開關(guān) 在所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的所述柵極端和所述加法級的所述第一輸出端之間 連接，以及所述第四開關(guān)在所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的所述柵極端和所述加法級 的所述第二輸出端之間連接。
7.如權(quán)利要求3所述的伽瑪參考電壓輸出電路，其特征在于，所述第五開關(guān)在所述第 一電源端和所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的所述柵極端之間連接，所述第六開關(guān)在所 述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的所述柵極端和所述第二電源端之間連接，所述第七開關(guān) 在所述加法級的所述第一輸出端和所述第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的所述柵極端之間 連接，以及所述第八開關(guān)在所述加法級的所述第二輸出端和所述第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶 體管的所述柵極端之間連接。
8.如權(quán)利要求3所述的伽瑪參考電壓輸出電路，其特征在于，所述第一至第八開關(guān)至 包含金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
9.一種源極驅(qū)動器的伽瑪參考電壓輸出電路，其特征在于，該電路包括伽瑪緩沖器，配置以根據(jù)一模式選擇信號轉(zhuǎn)換伽瑪參考電壓并通過一第一輸出端和一 第二輸出端中擇其一輸出所述伽瑪參考電壓；第一伽瑪電壓產(chǎn)生單元，連接至所述第一輸出端，并配置以分割所述伽瑪參考電壓并 輸出將用在一第一模式中的伽瑪電壓；以及第二伽瑪電壓產(chǎn)生單元，連接至所述第二輸出端，并配置以分割所述伽瑪參考電壓并 輸出將用在一第二模式中的伽瑪電壓。
全文摘要
一種源極驅(qū)動器的伽瑪參考電壓輸出電路包括參考電壓產(chǎn)生單元，配置以通過使用串聯(lián)的電阻分割電源電壓，并產(chǎn)生多個伽瑪參考電壓；伽瑪緩沖器單元，具有多個伽瑪緩沖器，所述緩沖器通過內(nèi)置轉(zhuǎn)換操作選擇性地輸出多個伽瑪電壓產(chǎn)生單元所需的伽瑪參考電壓；以及多個伽瑪電壓產(chǎn)生單元，配置以通過使用串聯(lián)的電阻，與所需模式相符地分割自伽瑪緩沖單元輸入的伽瑪參考電壓，并輸出分割的伽瑪電壓。
文檔編號G09G3/36GK102129847SQ201110007850
公開日2011年7月20日 申請日期2011年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月19日
發(fā)明者安容星, 李宗秀 申請人:硅工廠股份有限公司