專利名稱：有機發(fā)光器件像素電路的雙柵薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及平面顯示技術(shù)，尤其涉及有機發(fā)光器件(OLED)像素電路。
背景技術(shù)：
通常，有機發(fā)光顯示器件是由NXM個發(fā)光像素單元按照矩陣結(jié)構(gòu)排列組合而成， 每個發(fā)光像素單元都包含一個有機發(fā)光二極管和一個對應的像素電路。如圖1所示，現(xiàn)有 的像素電路主要由兩個晶體管和一個電容組成，其中，開關(guān)晶體管Tl的柵極和源極分別和 掃描線SCAN(掃描選擇信號SCAN)和數(shù)據(jù)線DATA(數(shù)據(jù)信號DATA)連接，開關(guān)晶體管Tl 的漏極和驅(qū)動晶體管T2的柵極連接；驅(qū)動晶體管T2的漏極和電源線VDD(電源信號VDD) 連接，源極和有機電致發(fā)光二極管Dl連接從而提供用于Dl發(fā)光的電流；電容器Cl連接在 驅(qū)動晶體管T2的源極和柵極之間用于在預定時間內(nèi)維持對驅(qū)動晶體管T2所施加的電壓。 上述結(jié)構(gòu)的像素電路的運行過程是當開關(guān)晶體管Tl根據(jù)施加于其柵極的掃描選擇信號 SCAN而被導通時，數(shù)據(jù)信號DATA被施加于驅(qū)動晶體管T2的柵極和電容器Cl上，與數(shù)據(jù)信 號DATA相匹配的電流被存儲在電容器Cl中，當驅(qū)動晶體管T2被導通時，儲存在電容器Cl 中的電流被釋放出來流經(jīng)有機電致發(fā)光二極管Dl并使其發(fā)光。圖2和圖3是對應于圖1所示的像素電路的開關(guān)晶體管Tl的面板的制造方法和 結(jié)構(gòu)，在基板上形成緩沖層，然后利用常規(guī)方法，通過在緩沖層上相繼形成活性層1，柵絕緣 層2和柵電極層3和絕緣層7，然后在活性層1兩端的上層中開孔，孔內(nèi)分別為和活性層1 兩端相接觸的源電極4和漏電極5，從而形成像素電路的開關(guān)晶體管Tl，為了增加接觸處的 導電效果，還在源電極4和漏電極5上設置了連接金屬薄膜6。理想狀態(tài)下，當開關(guān)晶體管Tl被截止時，從開關(guān)晶體管Tl的源極(Source)流向 漏極(Drain)的電流應該為零；但是，實際狀態(tài)下卻會存在很微小的電流，這種電流被稱為 漏電流，漏電流越小，對像素電流的發(fā)光性能就影響最小。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是為了減少有機發(fā)光器件像素電路的開關(guān)晶體管的漏電流，提 供了有機發(fā)光器件像素電路的雙柵薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。本實用新型的技術(shù)方案有機發(fā)光器件像素電路的雙柵薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包括位 于最下層的活性層，位于活性層之上的柵絕緣層和位于柵絕緣層之上的柵電極層，活性層 的左右兩端分別和源電極和漏電極連接，活性層呈“一”字形，活性層之上的柵電極層由兩 條平行的金屬薄膜帶組成，所述金屬薄膜帶在活性層的中間位置形成兩處交叉點，兩條金 屬薄膜帶通過活性層的上方后在活性層的一側(cè)交匯連接。本實用新型的有益效果是相對于現(xiàn)有技術(shù)中開關(guān)晶體管Tl的上方只有一個金 屬薄膜帶與活性層的交叉點，增加了金屬薄膜帶與活性層的交叉點后，使得開關(guān)晶體管Tl 的開關(guān)效果更好，可以更好的抑制漏電流的產(chǎn)生，因此可以取得更好的顯示效果。
圖1現(xiàn)有技術(shù)中有機發(fā)光顯示器件像素電路的電路原理圖。圖2是圖1中薄膜晶體管在面板中的平面結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是圖1中薄膜晶體管在面板中的截面結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本實用新型實施例1的薄膜晶體管在面板中的平面結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本實用新型實施例2的薄膜晶體管在面板中的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步說明。實施例1 如圖4所示，有機發(fā)光器件像素電路的雙柵薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包括位于 最下層的活性層1，位于活性層1之上的柵絕緣層(圖中未示出)和位于柵絕緣層之上的柵 電極層3，活性層1的左右兩端分別和源電極4和漏電極5連接，活性層1呈“一”字形，活 性層1之上的柵電極層3由兩條平行的金屬薄膜帶組成，所述金屬薄膜帶在活性層1的中 間位置形成兩處交叉點，兩條金屬薄膜帶通過活性層1的上方后在活性層1的一側(cè)交匯連 接。實施例2 如圖5所示，一種有機發(fā)光器件像素電路的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包括位于 最下層的活性層1，位于活性層1之上的柵絕緣層(圖中未示出)和位于柵絕緣層之上的 柵電極層3，活性層1的左右兩端分別和源電極4和漏電極5連接，活性層1呈“一”字形， 活性層1之上的柵電極層3由兩條平行的金屬薄膜帶組成，所述金屬薄膜帶在活性層1的 中間位置形成兩處交叉點，金屬薄膜帶通過活性層1的上方后在一側(cè)交匯連接。所述活性 層的中間位置具有接觸孔，并在所述接觸孔內(nèi)嵌入金屬材料用以降低延長后的活性層的阻 抗。為了進一步增強導電性能，還可以在打有接觸孔的活性層1的上部設置連接金屬薄膜 6。在接觸孔內(nèi)嵌入導電性能極好的金屬后可以顯著降低其阻抗，抵消了由于活性層長度的 增加，所帶來的阻抗的增加對像素電路的不良影響，因為接觸孔的相應工序是晶體管制造 中固有的，所以不需要增加設備或工序。上述源電極4、漏電極5和活性層1中間位置的接觸孔內(nèi)的金屬材料可以采用鎢化 鉬，鋁，銅等(MoW，AL, Cu, etc)導電性能良好的金屬或合金材料。上述活性層的材料為半 導體。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會意識到，這里所述的實施例是為了幫助讀者理解本實 用新型的原理，應被理解為本實用新型的保護范圍并不局限于這樣的特別陳述和實施例。 本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)本實用新型公開的這些技術(shù)啟示做出各種不脫離本實用 新型實質(zhì)的其它各種具體變形和組合，這些變形和組合仍然在本實用新型的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.有機發(fā)光器件像素電路的雙柵薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包括位于最下層的活性層，位于活 性層之上的柵絕緣層和位于柵絕緣層之上的柵電極層，活性層的左右兩端分別和源電極和 漏電極連接，其特征在于，所述活性層呈“一”字形，活性層之上的柵電極層由兩條平行的金 屬薄膜帶組成，所述金屬薄膜帶在活性層的中間位置形成兩處交叉點，兩條金屬薄膜帶通 過活性層的上方后在活性層的一側(cè)交匯連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光器件像素電路的雙柵薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在 于，所述活性層的中間位置具有接觸孔，在所述接觸孔內(nèi)嵌入金屬材料用以降低延長后的 活性層的阻抗。
專利摘要本實用新型涉及有機發(fā)光器件像素電路的雙柵薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包括位于最下層的活性層，位于活性層之上的柵絕緣層和位于柵絕緣層之上的柵電極層，活性層的左右兩端分別和源電極和漏電極連接，活性層呈“一”字形，活性層之上的柵電極層由兩條平行的金屬薄膜帶組成，所述金屬薄膜帶在活性層的中間位置形成兩處交叉點，兩條金屬薄膜帶通過活性層的上方后在活性層的一側(cè)交匯連接。本實用新型的有益效果是相對于現(xiàn)有技術(shù)中開關(guān)晶體管T1的上方只有一個金屬薄膜帶與活性層的交叉點，增加了金屬薄膜帶與活性層的交叉點后，使得開關(guān)晶體管T1的開關(guān)效果更好，可以更好的抑制漏電流的產(chǎn)生，因此可以取得更好的顯示效果。
文檔編號G09G3/32GK201893344SQ20102066181
公開日2011年7月6日 申請日期2010年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月15日
發(fā)明者洪宣杓, 閆曉劍 申請人:四川虹視顯示技術(shù)有限公司