專利名稱：使用驅(qū)動電路的等離子體顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路執(zhí)行高擊穿電壓P溝道FET (場效應(yīng)晶體 管)的導(dǎo)通/截止控制。
背景技術(shù)：
圖1示出在專利文獻(xiàn)1 (日本專利公開(JP 2006-101490A))中所示的傳統(tǒng)驅(qū)動電 路的構(gòu)造。第一電源NVDDH和第二電源NVDDL被連接到驅(qū)動電路，以提供第一電壓VDDH，和 低于第一電壓VDDH的第二電壓VDDL，并且接地電壓GND也被連接到驅(qū)動電路。傳統(tǒng)的驅(qū)動電路被提供有低壓控制部件113、電平移位部件111以及緩沖器部件 112。低壓控制部件113被連接在第二電壓NVDDL和接地電壓GND之間。低壓控制部件 113使用第三電壓VDDL作為電源電壓。電平移位部件111被提供有P溝道MOS晶體管MPlOl和MP102，和N溝道MOS晶 體管MNlOl和MN102。P溝道MOS晶體管MPlOl和MP102與第一電壓VDDH相連接。N溝道 MOS晶體管麗101被連接在P溝道MOS晶體管MPlOl和接地電壓GND之間，并且第一輸入信 號mi被提供到N溝道MOS晶體管麗101的柵極。P溝道MOS晶體管MP102的柵極與P溝 道MOS晶體管MPlOl和N溝道MOS晶體管MNlOl之間的第一節(jié)點AlOl相連接。N溝道MOS 晶體管麗102被連接在P溝道MOS晶體管MP102和接地電壓GND之間，并且第二輸入信號 IN2被提供到晶體管麗102的柵極。P溝道MOS晶體管MPlOl的柵極與P溝道MOS晶體管 MP102和N溝道MOS晶體管MN102之間的第二節(jié)點BlOl相連接。緩沖器部件112被提供有推挽輸出P溝道MOS晶體管MP103和推挽輸出N溝道 MOS晶體管MN103。P溝道MOS晶體管MP103被連接在第一電壓VDDH和輸出節(jié)點OUT之間， 并且其柵極與第二節(jié)點BlOl相連接。N溝道MOS晶體管MN103被連接在輸出節(jié)點OUT和接 地電壓GND之間，并且第三輸入信號IN3被提供給其柵極。緩沖器部件112響應(yīng)于來自于低壓控制部件113的第三輸入信號IN3和第二節(jié)點 BlOl的信號執(zhí)行切換操作。圖2示出在傳統(tǒng)的驅(qū)動電路中的第一模式和第二模式下的操作。當(dāng)輸入信號IN的信號電平是高電平時，低壓控制部件113執(zhí)行第一模式。在第一 模式下，低壓控制部件113將第一至第三輸入信號mi至IN3的信號電平設(shè)置為低電平、高 電平以及低電平。在該情況下，響應(yīng)于高電平的第二輸入信號IN2導(dǎo)通N溝道MOS晶體管麗102。同 時，響應(yīng)于低電平的第一輸入信號mi截止N溝道MOS晶體管麗101。響應(yīng)于低電平的第 二節(jié)點BlOl的信號(第二輸出信號)導(dǎo)通P溝道MOS晶體管MP103。響應(yīng)于高電平的第 一節(jié)點AlOl處的信號(第一輸出信號)截止P溝道MOS晶體管MP102。這時，因為第二節(jié) 點BlOl的電壓下降到接地電壓GND，所以P溝道MOS晶體管MPlOl被導(dǎo)通。因此，輸出節(jié) 點OUT的電壓上升到第一電壓VDDH。而且，響應(yīng)于低電平的第三輸入信號IN3截止N溝道MOS晶體管麗103，使得輸入信號IN的電平被反轉(zhuǎn)并且被提供到輸出節(jié)點OUT。另一方面，當(dāng)輸入信號IN處于低電平時，低壓控制部件113執(zhí)行第二模式。在第 二模式下，低壓控制部件113分別將第一至第三輸入信號mi至IN3設(shè)置為高電平、低電平 以及高電平。在該情況下，由于響應(yīng)于高電平的第一輸入信號導(dǎo)通N溝道MOS晶體管MN101，使 得第一節(jié)點AlOl的電壓下降到接地電壓GND。響應(yīng)于低電平的第一輸出信號導(dǎo)通P溝道 MOS晶體管MP102。同時，響應(yīng)于低電平的第二輸入信號IN2截止N溝道MOS晶體管麗102。 因此，由于第二節(jié)點BlOl的電壓上升到第一電壓VDDH，因此P溝道MOS晶體管MP103被截 止。此外，響應(yīng)于高電平的第三輸入信號IN3導(dǎo)通N溝道MOS晶體管MN103，使得輸出節(jié)點 OUT的電壓下降到接地電壓GND。引用列表:[專利文獻(xiàn)1] JP 2006-101490A

發(fā)明內(nèi)容
假設(shè)在第一模式下由于諸如短路的任何故障導(dǎo)致輸出節(jié)點OUT的電壓快速地從 第一電壓VDDH下降到接地電壓GND。在該情況下，由于P溝道MOS晶體管MP103保持導(dǎo)通狀態(tài)，所以大量電流繼續(xù)從第 一電壓VDDH流到P溝道MOS晶體管麗103。由于大量電流(短路電流)導(dǎo)致P溝道MOS晶 體管MP103本身產(chǎn)生熱。結(jié)果，P溝道MOS晶體管MP103的擊穿電壓下降并且P溝道MOS晶 體管MP103被熱破壞。因此，本發(fā)明的主題是提供使用驅(qū)動電路的等離子體顯示裝置，其中輸出節(jié)點的 電壓是穩(wěn)定的并且能夠防止晶體管的毀壞。在本發(fā)明的方面中，驅(qū)動電路包括第一和第二 P溝道MOS晶體管，該第一和第二 P溝道MOS晶體管與第一電壓相連接；第一 N溝道MOS晶體管，該第一 N溝道MOS晶體管被 連接在第一 P溝道MOS晶體管和低于第一電壓的第二電壓之間，并且具有被構(gòu)造為接收第 一輸入信號的柵極，其中第二 P溝道MOS晶體管的柵極與第一 P溝道MOS晶體管和第一 N 溝道MOS晶體管之間的第一節(jié)點相連接；第二 N溝道MOS晶體管，該第二 N溝道MOS晶體管 被連接在第二 P溝道MOS晶體管和第二電壓之間并且具有被構(gòu)造為接收第二輸入信號的柵 極，其中第一 P溝道MOS晶體管的柵極與第二P溝道MOS晶體管和第二 N溝道MOS晶體管之 間的第二節(jié)點相連接；輸出P溝道MOS晶體管，該輸出P溝道MOS晶體管被連接在第一電壓 和輸出節(jié)點之間并且具有與第二節(jié)點相連接的柵極；輸出N溝道MOS晶體管，該輸出N溝道 MOS晶體管被連接在輸出節(jié)點和第二電壓之間并且具有被提供有其極性與第一輸入信號的 極性相同的輸入信號的柵極；以及P溝道MOS晶體管，該P溝道MOS晶體管具有與第一節(jié)點 相連接的源極、與輸出節(jié)點相連接的漏極、以及與第二節(jié)點相連接的柵極。在本發(fā)明的另一方面中，等離子體顯示裝置包括多個放電電極對，其中所述多個 放電電極對中的每一對中的一個是保持電極并且另一個是掃描電極；多個數(shù)據(jù)電極，所述 多個數(shù)據(jù)電極被提供為與多個放電電極對相對，其中顯示單元形成在多個放電電極對和多 個數(shù)據(jù)電極的交叉處；掃描驅(qū)動器，該掃描驅(qū)動器被構(gòu)造為驅(qū)動多個掃描電極；保持驅(qū)動 器，該保持驅(qū)動器被構(gòu)造為驅(qū)動多個保持電極；以及數(shù)據(jù)驅(qū)動器，該數(shù)據(jù)驅(qū)動器被構(gòu)造為驅(qū)動多個數(shù)據(jù)電極。數(shù)據(jù)驅(qū)動器包括輸出控制部件，該輸出控制部件被構(gòu)造為在地址時段中 輸出基于圖像數(shù)據(jù)確定的數(shù)據(jù)脈沖信號；和驅(qū)動電路，為多個數(shù)據(jù)電極中的每一個提供該 驅(qū)動電路。驅(qū)動電路包括第一和第二 P溝道MOS晶體管，該第一和第二 P溝道MOS晶體管 與第一電壓相連接；第一 N溝道MOS晶體管，該第一 N溝道MOS晶體管被連接在第一 P溝道 MOS晶體管和低于第一電壓的第二電壓之間，并且具有被構(gòu)造為接收第一輸入信號的柵極， 其中第二 P溝道MOS晶體管的柵極與第一 P溝道MOS晶體管和第一 N溝道MOS晶體管之間 的第一節(jié)點相連接；第二 N溝道MOS晶體管，該第二 N溝道MOS晶體管被連接在第二 P溝道 MOS晶體管和第二電壓之間并且具有被構(gòu)造為接收第二輸入信號的柵極，其中第一 P溝道 MOS晶體管的柵極與第二 P溝道MOS晶體管和第二 N溝道MOS晶體管之間的第二節(jié)點相連 接；輸出P溝道MOS晶體管，該輸出P溝道MOS晶體管被連接在第一電壓和輸出節(jié)點之間并 且具有與第二節(jié)點相連接的柵極；輸出N溝道MOS晶體管，該輸出N溝道MOS晶體管被連接 在輸出節(jié)點和第二電壓之間并且具有被提供有其極性與第一輸入信號的極性相同的輸入 信號的柵極；以及P溝道MOS晶體管，該P溝道MOS晶體管具有與第一節(jié)點相連接的源極、 與輸出節(jié)點相連接的漏極、以及與第二節(jié)點相連接的柵極?；跀?shù)據(jù)脈沖信號作為輸入信 號產(chǎn)生第一和第二輸入信號。根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動電路，當(dāng)由于諸如短路的任何故障導(dǎo)致輸出節(jié)點OUT的電壓從 第一電壓VDDH快速地減少到接地電壓GND時，P溝道MOS晶體管MP4被提供在第一節(jié)點Al 和輸出節(jié)點OUT之間用于防止短路電流。第一節(jié)點Al的電壓和輸出節(jié)點OUT的電壓被同 時減少并且P溝道MOS晶體管MP2被導(dǎo)通。因此，P溝道MOS晶體管MP3被截止。結(jié)果，輸 出節(jié)點OUT的電壓在接地電壓GND是穩(wěn)定的并且能夠防止P溝道MOS晶體管MP3的損壞。根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動電路，低壓控制部件執(zhí)行第一模式，然后執(zhí)行第三模式。因此， 除了上述效果之外，貫穿(pass through)電流沒有在P溝道MOS晶體管MP2和N溝道MOS 晶體管麗2之間流動。


結(jié)合附圖，根據(jù)某些實施例的以下描述，本發(fā)明的以上和其它目的、優(yōu)點和特征將 更加明顯，其中圖1是示出傳統(tǒng)的驅(qū)動電路的構(gòu)造的框圖；圖2示出兩種模式下的傳統(tǒng)的驅(qū)動電路的操作的時序圖；圖3示出等離子體顯示裝置的構(gòu)造；圖4是示出圖3中的數(shù)據(jù)驅(qū)動器的構(gòu)造的框圖；圖5示出等離子體顯示裝置的操作的時序圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的驅(qū)動電路的構(gòu)造的框圖；圖7示出在地址時段中兩種模式中的驅(qū)動電路的操作的時序圖；以及圖8示出在地址時段中第三模式中的驅(qū)動電路的操作的時序圖。
具體實施例方式在下文中，將會參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動電路。例如，根據(jù)本發(fā)明的實施例 的驅(qū)動電路被應(yīng)用于等離子體顯示裝置的數(shù)據(jù)驅(qū)動器。
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圖3示出等離子體顯示裝置的構(gòu)造。等離子體顯示裝置被提供有等離子體顯示面板(PDP) 1、多個放電電極對和多個數(shù) 據(jù)電極D。多個放電電極對中的每一對的一個放電電極是保持電極X并且其另一放電電極 是掃描電極Yl至Ym(m是等于或者大于2的整數(shù))中的相對應(yīng)的一個。多個數(shù)據(jù)電極D被 布置為與多個放電電極對相對并且作為電容元件的顯示單元2被提供在多個放電電極對 和多個數(shù)據(jù)電極的交叉中的每一個中。即，當(dāng)數(shù)據(jù)電極D的數(shù)目是η (η是等于或者大于2 的整數(shù))時，等離子體顯示面板1被提供有m行和η列的矩陣的顯示單元2。等離子體顯示裝置還被提供有驅(qū)動多個掃描電極Yl至Ym的掃描驅(qū)動器4、驅(qū)動多 個保持電極X的保持驅(qū)動器3、驅(qū)動多個數(shù)據(jù)電極D的數(shù)據(jù)驅(qū)動器5、以及控制部件7和電 力收集部件8。圖4示出圖3中的數(shù)據(jù)驅(qū)動器5的構(gòu)造。第一電壓VDDH被提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動器5。 數(shù)據(jù)驅(qū)動器5被提供有輸出控制部件6和驅(qū)動部件10。驅(qū)動部件10被提供有分別用于多 個數(shù)據(jù)電極D的多個驅(qū)動電路14(參見圖6)。多個驅(qū)動電路14的輸出分別與數(shù)據(jù)輸出節(jié) 點OUT相連接，其中數(shù)據(jù)輸出節(jié)點OUT與多個數(shù)據(jù)電極D相連接。多個驅(qū)動電路14與作為 電源電壓的第一電壓VDDH相連接。圖5示出等離子體顯示裝置的操作。在此，一個場(field)或者一個子場包含復(fù) 位時段、復(fù)位時段之后的地址時段以及地址時段之后的保持時段?？刂撇考?在復(fù)位時段中控制保持驅(qū)動器3和掃描驅(qū)動器4以將電壓提供給多個 保持電極X和多個掃描電極Yl至Ym以調(diào)節(jié)當(dāng)執(zhí)行保持放電時積累的多個保持電極X和多 個掃描電極Yl至Ym之間的電荷的量?？刂茊卧?在地址時段中控制保持驅(qū)動器3、掃描驅(qū)動器4、以及數(shù)據(jù)驅(qū)動器5以 將電壓提供給多個保持電極X、多個掃描電極Yl至Ym、以及多個數(shù)據(jù)電極D以通過多個掃 描電極Yl至Ym與多個數(shù)據(jù)電極D之間的放電在顯示單元2中寫入圖像數(shù)據(jù)。例如，控制部 件7控制保持驅(qū)動器3以將第一設(shè)定電壓Vc提供給多個保持電極X?？刂撇考?控制掃描 驅(qū)動器4以將高于接地電壓GND的第二設(shè)定電壓Vs提供到多個掃描電極Yl至Ym。然后， 控制部件7控制掃描驅(qū)動器4以按順序從第一個到最后一個地將從第二設(shè)定電壓Vs下降 到接地電壓GND的掃描脈沖電壓Vsp提供到多個掃描電極Yl至Ym。其后，控制部件7基于 用于圖像的圖像數(shù)據(jù)控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器5以將數(shù)據(jù)脈沖電壓Vdp提供到多個數(shù)據(jù)電極D。這 時，在數(shù)據(jù)驅(qū)動器5中，首先，輸出控制部件6在控制部件7的控制下將數(shù)據(jù)脈沖電壓轉(zhuǎn)換 為根據(jù)圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)脈沖電壓Vdp。接下來，多個驅(qū)動電路14將數(shù)據(jù)脈沖電壓Vdp的電 壓電平轉(zhuǎn)換為適合于在顯示單元2中寫入的電壓電平并且將其輸出到多個數(shù)據(jù)電極D。而且，當(dāng)沒有執(zhí)行來自于顯示單元2的光發(fā)射時，控制部件7收集在來自于顯示單 元2的光發(fā)射期間積累的電荷(電力)，并且在來自于顯示單元2的下一個光發(fā)射時重新使 用收集的電荷。因此，控制部件7在地址時段中控制電力收集部件8以收集通過顯示單元 2積累的電荷?？刂撇考?在保持時段中控制保持驅(qū)動器3和掃描驅(qū)動器4以將電壓提供到多個 保持電極X和多個掃描電極Yl至Yrn以執(zhí)行多個掃描電極Yl至Ym和多個保持電極X之間 的保持放電，通過此顯示單元2進(jìn)行寫入放電發(fā)光。圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的本實施例的驅(qū)動電路14的構(gòu)造的電路圖。第一電壓VDDH、接地電壓GND、以及高于接地電壓GND并且低于第一電壓VDDH的第二電壓VDDL與驅(qū) 動電路14相連接。驅(qū)動電路14被提供有低電壓控制部件13、電平移位部件11、緩沖器部件12以及 P溝道MOS晶體管MP4用于防止短路電流。低壓控制部件13被連接在第二電壓VDDL和接地電壓GND之間。低壓控制部件13 使用第二電壓VDDL作為電源電壓。響應(yīng)于輸入信號IN，低壓控制部件13將第一和第二輸 入信號mi和IN2輸出到電平移位部件11并且將第三輸入信號IN3輸入到緩沖器部件12。電平移位部件11被提供有P溝道MOS晶體管MPl和MP2，和N溝道MOS晶體管麗1 和麗2。P溝道MOS晶體管MPl和MP2與第一電壓VDDH相連接。N溝道MOS晶體管麗1被 連接在P溝道MOS晶體管MPl和接地電壓GND之間并且第一輸入信號mi被提供到晶體管 麗1的柵極。P溝道MOS晶體管MP2的柵極與P溝道MOS晶體管MPl和N溝道MOS晶體管 麗1之間的第一節(jié)點Al相連接。N溝道MOS晶體管麗2被連接在P溝道MOS晶體管MP2和 接地電壓GND之間并且第二輸入信號IN2被提供到N溝道MOS晶體管麗2的柵極。P溝道 MOS晶體管MPl的柵極與P溝道MOS晶體管MP2和N溝道MOS晶體管麗2之間的第二節(jié)點 Bl相連接。緩沖器部件12被提供有推挽輸出P溝道MOS晶體管MP3和推挽輸出N溝道MOS 晶體管麗3。P溝道MOS晶體管MP3被連接在第一電壓VDDH和輸出節(jié)點OUT之間并且其柵 極與第二節(jié)點Bl相連接。N溝道MOS晶體管麗3被連接在輸出節(jié)點OUT和接地電壓GND之 間并且第三輸入信號IN3被提供到晶體管MN3的柵極。緩沖器部件12基于第二節(jié)點Bl處的電壓和來自于低壓控制部件3的第三輸入信 號IN3執(zhí)行切換操作。用于防止短路電流的P溝道MOS晶體管MP4具有與第一節(jié)點Al相連接的源極、與 作為輸出節(jié)點OUT的第三節(jié)點Cl相連接的漏極、以及與第二節(jié)點Bl相連接的柵極。圖7示出在地址時段中的第一和第二模式下的驅(qū)動電路14的操作。當(dāng)輸入信號IN是高電平時，低壓控制部件13執(zhí)行第一模式。輸入信號IN示出數(shù) 據(jù)脈沖電壓。在第一模式下，低壓控制部件13將第一至第三輸入信號mi至IN3設(shè)置為低 電平、高電平以及低電平。即，第二輸入信號IN2具有與第一輸入信號mi的極性相反的極 性并且第三輸入信號IN3具有與第一輸入信號mi的極性相同的極性。在該情況下，響應(yīng)于高電平的第二輸入信號IN2導(dǎo)通N溝道MOS晶體管麗2。同 時，響應(yīng)于低電平的第一輸入信號mi截止N溝道MOS晶體管麗1。響應(yīng)于第二節(jié)點Bl處 的高電平的電壓(第二輸出信號)導(dǎo)通P溝道MOS晶體管MP3。響應(yīng)于第一節(jié)點Al處的高 電平的電壓(第一輸出信號)截止P溝道MOS晶體管MP2。這時，因為第二節(jié)點Bl的電壓 下降到接地電壓GND，大致同時地導(dǎo)通用于防止短路電流的P溝道MOS晶體管MP4和P溝道 MOS晶體管MP1。因此，輸出節(jié)點OUT的電壓上升到第一電壓VDDH。而且，響應(yīng)于低電平的 第三輸入信號IN3截止N溝道MOS晶體管麗3，使得輸入信號IN(數(shù)據(jù)脈沖電壓Vdp)的電 平被轉(zhuǎn)換為向顯示單元2的寫入電平并且通過輸出節(jié)點OUT提供到數(shù)據(jù)電極D1。另一方面，當(dāng)輸入信號IN處于低電平時，低壓控制部件13執(zhí)行第二模式。在第二 模式下，低壓控制部件13分別將第一至第三輸入信號mi至IN3設(shè)置為高電平、低電平以 及高電平。
在該情況下，由于響應(yīng)于高電平的第一輸入信號mi導(dǎo)通N溝道MOS晶體管麗1， 使得第一節(jié)點Al的電壓下降到接地電壓GND。因此，響應(yīng)于第一節(jié)點Al處的低電平的電 壓(第一輸出信號)導(dǎo)通P溝道MOS晶體管MP2。同時，由于響應(yīng)于低電平的第二輸入信 號IN2截止N溝道MOS晶體管麗2，使得第二節(jié)點Bl的電壓上升到第一電壓VDDH。因此， 大致同時地截止用于防止短路電流的P溝道MOS晶體管MP4和P溝道MOS晶體管MP3。此 外，響應(yīng)于高電平的第三輸入信號IN3導(dǎo)通N溝道MOS晶體管麗3，使得輸出節(jié)點OUT的電 壓變成接地電壓GND。假定當(dāng)在第一模式下已經(jīng)出現(xiàn)諸如短路的任何故障時，輸出節(jié)點OUT的電壓從第 一電壓VDDH快速地減少到接地電壓GND。在該情況下，通過P溝道MOS晶體管MP4使第一節(jié)點Al的電壓與輸出節(jié)點OUT的 電壓同時地減少，從而P溝道MOS晶體管MP2被導(dǎo)通。由于P溝道MOS晶體管MP2被導(dǎo)通， 因此P溝道MOS晶體管MP3被截止。結(jié)果，輸出節(jié)點OUT的電壓穩(wěn)定到接地電壓GND使得 能夠防止P溝道MOS晶體管MP3的損壞。這時，如果輸入信號IN2處于高電平使得N溝道MOS晶體管MN2保持導(dǎo)通狀態(tài)，那 么通過導(dǎo)通狀態(tài)下的P溝道MOS晶體管MP2和導(dǎo)通狀態(tài)下的N溝道MOS晶體管麗2從第一 電壓VDDH到接地電壓GND形成路徑。因此，存在由于熱導(dǎo)致?lián)p壞P溝道MOS晶體管MP2或 者N溝道MOS晶體管MN2的可能性。為了防止此可能性，低壓控制部件13執(zhí)行下述第三模式。圖8示出在地址時段中第三模式下的驅(qū)動電路14的操作。低壓控制部件13在第一模式和所述第二模式之間執(zhí)行第三模式。具體地，當(dāng)輸入 信號IN處于高電平時，低壓控制部件13僅執(zhí)行第一模式預(yù)定的時間段并且然后執(zhí)行第三 模式，從而電流沒有流過P溝道MOS晶體管MP2和N溝道MOS晶體管麗2。在第一模式下，低壓控制部件13僅在預(yù)定的時間段將第一至第三輸入信號mi至 IN3設(shè)置為低電平、高電平以及低電平。預(yù)定的時間段表示從當(dāng)響應(yīng)于高電平的第二輸入信 號IN2導(dǎo)通N溝道MOS晶體管麗2使得P溝道MOS晶體管MP3被導(dǎo)通時到當(dāng)?shù)谌?jié)點Cl (輸 出節(jié)點OUT)處的電壓變得足夠高時的時間段。因此，即使輸入信號IN2變成低電平并且N 溝道MOS晶體管MN2被截止使得P溝道MOS晶體管MP3的柵極被設(shè)置為高阻抗?fàn)顟B(tài)，輸出 端子OUT也能夠保持高電平并且能夠防止輸出端子OUT被設(shè)置為中間電壓或者低電平。在第三模式下，低壓控制部件13將第一至第三輸入信號mi至IN3設(shè)置為低電 平。即，低電壓控制部件13將第二輸入信號IN2的信號電平設(shè)置為低電平。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例中的驅(qū)動電路，由于在第一節(jié)點Al和第三節(jié)點 Cl (輸出節(jié)點OUT)之間提供用于防止短路電流的P溝道MOS晶體管MP4，因此即使當(dāng)由于 諸如短路的故障導(dǎo)致輸出節(jié)點OUT的電壓從第一電壓VDDH快速地減少到接地電壓GND時， 第一節(jié)點Al的電壓和輸出節(jié)點OUT的電壓被同時減少使得P溝道MOS晶體管MP2被導(dǎo)通。 因此，P溝道MOS晶體管MP3被截止。結(jié)果，輸出節(jié)點OUT的電壓被穩(wěn)定為接地電壓GND以 防止P溝道MOS晶體管MP3的損壞。而且，根據(jù)本發(fā)明的實施例中的驅(qū)動電路，低壓控制部件13僅執(zhí)行第一模式預(yù)定 的時間段并且然后執(zhí)行第三模式。因此，除了上述效果之外，能夠防止電流流過P溝道MOS 晶體管MP2和N溝道MOS晶體管MN2。
雖然已經(jīng)結(jié)合若干實施例描述了本發(fā)明，但是對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說顯然的 是，提供這些實施例僅用于示出本發(fā)明，并且不應(yīng)依賴于這些實施例在限制的意義上解釋 權(quán)利要求。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動電路，包括第一和第二 P溝道MOS晶體管，所述第一和第二 P溝道MOS晶體管與第一電壓相連接； 第一 N溝道MOS晶體管，所述第一 N溝道MOS晶體管被連接在所述第一 P溝道MOS晶 體管和低于第一電壓的第二電壓之間，并且具有被構(gòu)造為接收第一輸入信號的柵極，其中 所述第二 P溝道MOS晶體管的柵極與所述第一 P溝道MOS晶體管和所述第一 N溝道MOS晶 體管之間的第一節(jié)點相連接；第二 N溝道MOS晶體管，所述第二 N溝道MOS晶體管被連接在所述第二 P溝道MOS晶體 管和所述第二電壓之間，并且具有被構(gòu)造為接收第二輸入信號的柵極，其中所述第一 P溝 道MOS晶體管的柵極與所述第二 P溝道MOS晶體管和所述第二 N溝道MOS晶體管之間的第 二節(jié)點相連接；輸出P溝道MOS晶體管，所述輸出P溝道MOS晶體管被連接在所述第一電壓和輸出節(jié) 點之間，并且具有與所述第二節(jié)點相連接的柵極；輸出N溝道MOS晶體管，所述輸出N溝道MOS晶體管被連接在所述輸出節(jié)點和所述第 二電壓之間，并且具有被提供有極性與第一輸入信號的極性相同的輸入信號的柵極；以及P溝道MOS晶體管，所述P溝道MOS晶體管具有與所述第一節(jié)點相連接的源極、與所述 輸出節(jié)點相連接的漏極、以及與所述第二節(jié)點相連接的柵極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動電路，進(jìn)一步包括低壓控制部件，所述低壓控制部件被構(gòu)造為響應(yīng)于輸入信號生成所述第一和第二輸入信號，其中所述低壓控制部件執(zhí)行第一至第三模式，其中當(dāng)輸入信號處于第一電平時，第一 和第二輸入信號在第一模式下處于低電平和高電平；當(dāng)輸入信號處于與第一電平相反的第 二電平時，第一和第二輸入信號在第二模式下處于高電平和低電平；并且第一和第二輸入 信號在第三模式下處于低電平。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動電路，其中在當(dāng)所述輸入信號處于第一電平時，執(zhí)行第 一模式預(yù)定的時間段之后，所述低壓控制部件執(zhí)行第三模式。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動電路，其中所述預(yù)定的時間段是從當(dāng)響應(yīng)于高電平的第 二輸入信號導(dǎo)通所述第二N溝道MOS晶體管時到當(dāng)所述輸出節(jié)點的電壓充分地接近高電平 時。
5.一種等離子體顯示裝置，包括多個放電電極對，其中所述多個放電電極對中的每一對中的一個是保持電極并且另一 個是掃描電極；多個數(shù)據(jù)電極，所述多個數(shù)據(jù)電極被提供為與所述多個放電電極對相對，其中顯示單 元形成在所述多個放電電極對和所述多個數(shù)據(jù)電極的交叉處；掃描驅(qū)動器，所述掃描驅(qū)動器被構(gòu)造為驅(qū)動所述多個掃描電極； 保持驅(qū)動器，所述保持驅(qū)動器被構(gòu)造為驅(qū)動所述多個保持電極；以及 數(shù)據(jù)驅(qū)動器，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動器被構(gòu)造為驅(qū)動所述多個數(shù)據(jù)電極， 其中所述數(shù)據(jù)驅(qū)動器包括輸出控制部件，所述輸出控制部件被構(gòu)造為在地址時段中輸出基于圖像數(shù)據(jù)確定的數(shù) 據(jù)脈沖信號；和驅(qū)動電路，為所述多個數(shù)據(jù)電極中的每一個提供所述驅(qū)動電路， 其中所述驅(qū)動電路包括第一和第二 P溝道MOS晶體管，所述第一和第二 P溝道MOS晶體管與第一電壓相連接； 第一 N溝道MOS晶體管，所述第一 N溝道MOS晶體管被連接在所述第一 P溝道MOS晶 體管和低于第一電壓的第二電壓之間，并且具有被構(gòu)造為接收第一輸入信號的柵極，其中 所述第二 P溝道MOS晶體管的柵極與所述第一 P溝道MOS晶體管和所述第一 N溝道MOS晶 體管之間的第一節(jié)點相連接；第二 N溝道MOS晶體管，所述第二 N溝道MOS晶體管被連接在所述第二 P溝道MOS晶體 管和所述第二電壓之間，并且具有被構(gòu)造為接收第二輸入信號的柵極，其中所述第一 P溝 道MOS晶體管的柵極與所述第二 P溝道MOS晶體管和所述第二 N溝道MOS晶體管之間的第 二節(jié)點相連接；輸出P溝道MOS晶體管，所述輸出P溝道MOS晶體管被連接在所述第一電壓和輸出節(jié) 點之間，并且具有與所述第二節(jié)點相連接的柵極；輸出N溝道MOS晶體管，所述輸出N溝道MOS晶體管被連接在所述輸出節(jié)點和所述第 二電壓之間，并且具有被提供有極性與第一輸入信號的極性相同的輸入信號的柵極；以及P溝道MOS晶體管，所述P溝道MOS晶體管具有與所述第一節(jié)點相連接的源極、與所述 輸出節(jié)點相連接的漏極、以及與所述第二節(jié)點相連接的柵極，并且其中基于作為輸入信號的數(shù)據(jù)脈沖信號生成所述第一和第二輸入信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示裝置，進(jìn)一步包括控制部件， 其中所述控制部件在復(fù)位時段中，控制所述保持驅(qū)動器和所述掃描驅(qū)動器，以將下述電壓提供到所述多 個保持電極和所述多個掃描電極，其中所述電壓與在所述多個保持電極和所述多個掃描電 極之間進(jìn)行調(diào)節(jié)的保持放電期間積累的電荷相對應(yīng)，在所述復(fù)位時段之后的所述地址時段中，控制所述保持驅(qū)動器、所述掃描驅(qū)動器、以及 所述數(shù)據(jù)驅(qū)動器，以將下述電壓分別提供到所述多個保持電極、所述多個掃描電極、以及所 述多個數(shù)據(jù)電極，其中所述電壓用于寫入放電以在所述顯示單元中寫入圖像數(shù)據(jù)，并且在所述地址時段之后的保持時段中，控制所述保持驅(qū)動器和所述掃描驅(qū)動器，以將用 于在所述多個掃描電極和所述多個保持電極之間保持放電的電壓分別提供到所述多個保 持電極和所述多個掃描電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的等離子體顯示裝置，其中所述控制部件在所述地址時段中，控制所述保持驅(qū)動器，以將第一設(shè)定電壓提供到所述多個保持電極，在將高于所述第二電壓的第二設(shè)定電壓提供到所述多個掃描電極之后，控制所述掃描 驅(qū)動器，以將從所述第二設(shè)定電壓下降到所述第二電壓的掃描脈沖電壓順序地提供到所述 多個掃描電極，并且控制所述數(shù)據(jù)驅(qū)動器，以將所述數(shù)據(jù)脈沖信號提供到所述多個數(shù)據(jù)電極。
全文摘要
使用驅(qū)動電路的等離子體顯示裝置，驅(qū)動電路包括與第一電壓相連接的第一和第二P溝道MOS晶體管；第一N溝道MOS晶體管，連接在第一P溝道MOS晶體管和接地電壓之間，具有與第一節(jié)點連接的柵極且接收第一輸入信號；和第二N溝道MOS晶體管，連接在第二P溝道MOS晶體管和接地電壓之間且具有與第二節(jié)點連接的柵極并接收第二輸入信號。輸出P溝道MOS晶體管被連接在第一電壓和輸出節(jié)點之間且具有與第二節(jié)點連接的柵極，且輸出N溝道MOS晶體管被連接在輸出節(jié)點和第二電壓之間且具有被提供有極性與第一輸入信號的極性相同的輸入信號的柵極。P溝道MOS晶體管具有與第一節(jié)點連接的源極、與輸出節(jié)點連接的漏極和與第二節(jié)點連接的柵極。
文檔編號G09G3/28GK102087828SQ20101058345
公開日2011年6月8日 申請日期2010年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月8日
發(fā)明者村川真一 申請人:瑞薩電子株式會社