專利名稱：顯示器制造方法和顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示器制造方法和顯示器，具體涉及把形成且排列在晶片上的發(fā)光元件重新排列到安裝基板上的顯示器制造方法和利用該制造方法得到的顯示器。
背景技術(shù)：
在以矩陣形式排列有發(fā)光二極管(light emitting diode, LED)的顯示器的制造 過(guò)程中，要進(jìn)行把形成且排列在生長(zhǎng)基板(尺寸為50 150mm見方)上的微小尺寸(幾 幾十微米正方形)的單晶LED安裝到器件基板上的步驟。這時(shí)，從生長(zhǎng)基板上選擇以目標(biāo) 顯示器的像素間距周期(是LED形成周期的整數(shù)倍)排列著的LED并將它們集體轉(zhuǎn)印至器 件基板上，而且重復(fù)地進(jìn)行上述步驟，就能夠制造出具有目標(biāo)尺寸和像素?cái)?shù)量的顯示器。例如，當(dāng)把以20μπι的間距排列在30mmX30mm的生長(zhǎng)基板上的LED以擴(kuò)大到 300 μ m的間距重新排列到器件基板上時(shí)，對(duì)于整個(gè)生長(zhǎng)基板就會(huì)把排列在該生長(zhǎng)基板上的 每15個(gè)LED中的一個(gè)LED選擇性地進(jìn)行集體轉(zhuǎn)印。這樣，一次性地將100 X 100個(gè)LED以 300 μ m的間距集體轉(zhuǎn)印至器件基板上。此外，通過(guò)以同一周期將剩余在生長(zhǎng)基板上的LED重復(fù)地同樣集體轉(zhuǎn)印至與器件 基板上的已轉(zhuǎn)印區(qū)域相鄰的區(qū)域中，就可以利用一個(gè)30mmX30mm的生長(zhǎng)基板形成單色的 大顯示器(例如參見JP-A-2006-140398(專利文件1，見第0017段和圖1))。在生長(zhǎng)基板上形成LED的過(guò)程中，一般通過(guò)利用MOCVD(金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉 積)方法的外延晶體生長(zhǎng)工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)包括發(fā)光層的各層的成膜過(guò)程。特別地，對(duì)于藍(lán)色光 或綠色光發(fā)光LED，需要形成幾個(gè)納米(nm)的極薄的InGaN量子阱層，LED的發(fā)光波長(zhǎng)和發(fā) 光效率很大程度上取決于其厚度和成分(In成分比)。然而，在利用MOCVD方法的外延晶體生長(zhǎng)工藝中，在晶體生長(zhǎng)時(shí)難以在平面內(nèi)十 分均勻地保持生長(zhǎng)基板的溫度分布以及原料和載氣的流動(dòng)，而這些都是所生長(zhǎng)出來(lái)的膜的 厚度和成分的參數(shù)。因此，形成在生長(zhǎng)基板上的LED在基板平面內(nèi)具有幾個(gè)納米(nm)的發(fā) 光波長(zhǎng)(峰值波長(zhǎng)或主波長(zhǎng))分布。因此，當(dāng)使用形成有具有上述分布的LED的生長(zhǎng)基板并進(jìn)行選擇性重復(fù)轉(zhuǎn)印從而 制造出顯示器時(shí)，以一個(gè)轉(zhuǎn)印區(qū)域的大小為單位，波長(zhǎng)在面板顯示平面中進(jìn)行周期性地變 化。當(dāng)峰值波長(zhǎng)或者主波長(zhǎng)的變化幅度(不均勻性)為大約2nm以上時(shí)，進(jìn)行視覺檢查時(shí) 就會(huì)看到色度不均勻。除此之外，同時(shí)存在的問(wèn)題是，當(dāng)在整個(gè)表面上通過(guò)同一電流進(jìn)行單 色驅(qū)動(dòng)時(shí)，由于發(fā)光效率的差異或者波長(zhǎng)的差異所致的可見度差異因而也會(huì)看見亮度不均 勻。當(dāng)出現(xiàn)色度不均勻或亮度不均勻時(shí)，顯示器的顯示質(zhì)量就劣化，其實(shí)用性受到損害。
為了防止如上所述的色度不均勻或亮度不均勻，也存在一種方法在該方法中，僅 選擇亮度和發(fā)光波長(zhǎng)在基準(zhǔn)值范圍內(nèi)的那些LED并把它們排列到器件基板上。然而，作為 個(gè)人用或者家用圖像顯示器，需要像素間距小于1mm，且需要0. 3 2百萬(wàn)像素。在上述用 途的顯示器中逐個(gè)安裝不少于0. 2mm見方的LED的話，從成本來(lái)說(shuō)是不切實(shí)際的。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種顯示器制造方法，在該方法中，通過(guò)執(zhí)行用于同 時(shí)轉(zhuǎn)印多個(gè)元件的集體轉(zhuǎn)印從而保持了產(chǎn)量，還能夠擴(kuò)散初始元件排列中的發(fā)光特性的分 布，并且能夠得到具有良好圖像質(zhì)量的顯示器。除此之外，本發(fā)明的目的還在于提供一種通 過(guò)上述制造方法而改善了圖像質(zhì)量的顯示器。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示器制造方法，在該方法中進(jìn)行如下 步驟。首先，在第一步驟中，把形成且排列在第一基板上的多個(gè)發(fā)光元件中每隔特定數(shù)量的 發(fā)光元件而排列著的發(fā)光元件集體轉(zhuǎn)印至已設(shè)定在第二基板上的轉(zhuǎn)印區(qū)域中。在接著的第 二步驟中，通過(guò)第一轉(zhuǎn)印將剩余在所述第一基板上的發(fā)光元件從所述第一基板轉(zhuǎn)印至已安 裝到所述第二基板上的多個(gè)發(fā)光元件之間。具體地，在所述第二步驟中，在相對(duì)于所述第二 基板上的所述轉(zhuǎn)印區(qū)域使所述第一基板移動(dòng)的狀態(tài)和在平面內(nèi)使所述第一基板旋轉(zhuǎn)的狀 態(tài)中的至少一個(gè)狀態(tài)下進(jìn)行轉(zhuǎn)印。在如上所述的本分明實(shí)施例的方法中，即使將發(fā)光元件形成且排列在第一基板上 且使得發(fā)光特性以特定分布變化，但這些發(fā)光元件會(huì)在第二步驟中被轉(zhuǎn)印至已安裝到第二 基板上的發(fā)光元件之間，從而除去第一步驟中已集體轉(zhuǎn)印到第二基板上的發(fā)光元件的發(fā)光 特性分布。本發(fā)明的另一實(shí)施例提供了一種通過(guò)上面的制造方法制造出來(lái)的顯示器，所述顯 示器包括排列在基板上且發(fā)光特性以特定分布變化的第一元件組和由排列在用于構(gòu)成所 述第一元件組的發(fā)光元件之間的多個(gè)發(fā)光元件構(gòu)成的第二元件組。具體地，第二元件組以 與第一元件組相同的分布來(lái)排列發(fā)光元件。此外，在相對(duì)于所述第一元件組在平面內(nèi)使排 列區(qū)域移動(dòng)的狀態(tài)和在平面內(nèi)使所述第一元件組的排列狀態(tài)旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)中的至少一個(gè)狀 態(tài)下排列所述第二元件組。在本發(fā)明實(shí)施例的顯示器中，通過(guò)所述第二元件組的發(fā)光特性分布來(lái)除去構(gòu)成所 述第一元件組的發(fā)光元件的發(fā)光特性分布。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，通過(guò)執(zhí)行用于同時(shí)轉(zhuǎn)印多個(gè)元件的集體轉(zhuǎn)印從 而保持了產(chǎn)量，與此同時(shí)還能夠擴(kuò)散初始元件排列中的發(fā)光特性分布，并且能夠得到具有 良好顯示質(zhì)量的顯示器。


圖1A是示出應(yīng)用了第一實(shí)施例的發(fā)光元件的發(fā)光特性分布的平面圖。圖1B(1)和圖1B(2)是用于解釋應(yīng)用了第一實(shí)施例的重新排列的平面圖。圖1C(1)和圖1C(2)是通過(guò)應(yīng)用第一實(shí)施例而重新排列有發(fā)光元件的第二基板的 平面圖。圖1D是通過(guò)普通方法而重新排列有發(fā)光元件的第二基板的平面圖。
圖2A是示出應(yīng)用了第二實(shí)施例的發(fā)光元件的發(fā)光特性分布的平面圖。圖2B(1)和圖2B(2)是用于解釋應(yīng)用了第二實(shí)施例的重新排列的平面圖。圖2C(1)和圖2C(2)是通過(guò)應(yīng)用第二實(shí)施例而重新排列有發(fā)光元件的第二基板的 平面圖。圖2D是通過(guò)普通方法而重新排列有發(fā)光元件的第二基板的平面圖。圖3A是示出應(yīng)用了第三實(shí)施例的發(fā)光元件的發(fā)光特性分布的平面圖。圖3B(1)和圖3B(2)是用于解釋應(yīng)用了第三實(shí)施例的重新排列的平面圖。圖3C(1)和圖3C(2)是通過(guò)應(yīng)用第三實(shí)施例而重新排列有發(fā)光元件的第二基板的 平面圖。圖3D是通過(guò)普通方法而重新排列有發(fā)光元件的第二基板的平面圖。圖4A是示出應(yīng)用了第四實(shí)施例的發(fā)光元件的發(fā)光特性分布的平面圖。圖4B(1)和圖4B⑵是用于解釋應(yīng)用了第四實(shí)施例的重新排列的平面圖(第一 圖)。圖4C(1)和圖4C(2)是用于解釋應(yīng)用了第四實(shí)施例的重新排列的平面圖(第二 圖)。圖4D(1)和圖4D(2)是通過(guò)應(yīng)用第四實(shí)施例而重新排列有發(fā)光元件的第二基板的 平面圖。圖4E是通過(guò)普通方法而重新排列有發(fā)光元件的第二基板的平面圖。圖5A是用于解釋應(yīng)用了第五實(shí)施例的重新排列的平面圖(第一圖)。圖5B是用于解釋應(yīng)用了第五實(shí)施例的重新排列的平面圖(第二圖)。圖6A是用于解釋應(yīng)用了第六實(shí)施例的重新排列的平面圖(第一圖)。圖6B是用于解釋應(yīng)用了第六實(shí)施例的重新排列的平面圖(第二圖)。圖7A是用于解釋應(yīng)用了第七實(shí)施例的重新排列的平面圖(第一圖)。圖7B是用于解釋應(yīng)用了第七實(shí)施例的重新排列的平面圖(第二圖)。圖7C是用于解釋應(yīng)用了第七實(shí)施例的重新排列的平面圖(第三圖)。圖7D是用于解釋應(yīng)用了第七實(shí)施例的重新排列的平面圖(第四圖)。圖8A(1) 圖8A(4)是示出第八實(shí)施例的顯示器制造步驟的截面步驟圖(第一 圖)。圖8B(1) 圖8B(3)是示出第八實(shí)施例的顯示器制造步驟的截面步驟圖(第二 圖)。圖8C(1)和圖8C(2)是示出第八實(shí)施例的顯示器制造步驟的截面步驟圖(第三 圖)。圖8D(1)和圖8D(2)是示出第八實(shí)施例的顯示器制造步驟的截面步驟圖(第四 圖)。圖8E是由第八實(shí)施例得到的顯示器的截面圖和平面圖。圖9A是示出應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的顯示器的電路結(jié)構(gòu)的圖。圖9B是示出應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的顯示器的電路結(jié)構(gòu)的另一示例的圖。
具體實(shí)施例方式下面按如下順序來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。1.第一實(shí)施例(對(duì)以發(fā)光特性從中心到兩側(cè)變化的分布而被排列著的發(fā)光元件 進(jìn)行重新排列的示例)2.第二實(shí)施例(對(duì)以發(fā)光特性從中心呈放射狀變化的分布而被排列著的發(fā)光元 件進(jìn)行重新排列的示例)3.第三實(shí)施例(對(duì)以發(fā)光特性從一個(gè)端角呈放射狀變化的分布而被排列著的發(fā) 光元件進(jìn)行重新排列的示例)4.第四實(shí)施例(對(duì)以發(fā)光特性從偏向于一個(gè)端角方向的中心呈放射狀變化的分 布而被排列著的發(fā)光元件進(jìn)行重新排列的示例)5.第五實(shí)施例(第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的用兩個(gè)發(fā)光元件構(gòu)成一個(gè)像素的變 形例)6.第六實(shí)施例(第三實(shí)施例的用兩個(gè)發(fā)光元件構(gòu)成一個(gè)像素的變形例)7.第七實(shí)施例(第四實(shí)施例的用兩個(gè)發(fā)光元件構(gòu)成一個(gè)像素的變形例)8.第八實(shí)施例(應(yīng)用了第一實(shí)施例 第七實(shí)施例的重新排列的顯示器制造方法)9.第九實(shí)施例(應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的顯示器的電路結(jié)構(gòu))第一實(shí)施例圖1A 圖1C⑵是示出本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示器制造方法的特征部分的步驟 圖。這里，基于這些附圖，說(shuō)明在以矩陣形式排列有諸如發(fā)光二極管(LED)等發(fā)光元件的顯 示器的制造過(guò)程中將發(fā)光元件從第一基板安裝到第二基板上的方法。這里，第一基板例如是形成有發(fā)光元件的生長(zhǎng)基板，或者是臨時(shí)安裝有被形成且 排列在生長(zhǎng)基板上的發(fā)光元件的保持基板。第二基板是設(shè)有布線等的器件基板(布線基 板)，或者是臨時(shí)安裝有發(fā)光元件的保持基板。下面說(shuō)明把以初始間距pxl和pyl排列在第一基板上的發(fā)光元件以擴(kuò)大至初始間 距pxl和pyl的整數(shù)倍的擴(kuò)大間距px2和py2安裝到第二基板上的方法。該擴(kuò)大間距px2 和py2相當(dāng)于例如像素間距。另外，為便于解釋，假設(shè)擴(kuò)大間距px2和py2是初始間距pxl 和pyl的兩倍。除此之外，以8行X8列排列在第一基板上的64個(gè)發(fā)光元件S分別被賦予 由11 88的行數(shù)和列數(shù)構(gòu)成的標(biāo)號(hào)，并且具體的發(fā)光元件S由給定的標(biāo)號(hào)來(lái)表示，例如， 位于第一行第一列的發(fā)光元件由S11表示。首先，如圖1A所示，對(duì)于以特定的初始間距pxl和pyl排列在第一基板1上的多 個(gè)發(fā)光元件S，對(duì)諸如出射光的色度或亮度等發(fā)光特性的平面內(nèi)分布進(jìn)行檢測(cè)。這里檢測(cè)的 發(fā)光特性是發(fā)光波長(zhǎng)、發(fā)光亮度、傾斜方向上的發(fā)光亮度與正面方向上的發(fā)光亮度之比、發(fā) 光亮度隨著溫度變化的變化率等，本例中例如對(duì)發(fā)光波長(zhǎng)進(jìn)行檢測(cè)。檢測(cè)可知，如用于代表各發(fā)光元件S的發(fā)光特性的陰影所示，發(fā)光元件S以如下方 式的分布排列在第一基板1上這些發(fā)光元件S的發(fā)光特性從該圖的平面中心向左右方向 即行方向的兩側(cè)變化。也就是說(shuō)，檢測(cè)到第一基板1上的波長(zhǎng)分布是當(dāng)以第一基板1的縱 向方向或者橫向方向(本例中為縱向方向)上的中心為軸時(shí)，波長(zhǎng)在依賴于與該軸相距的 距離的一個(gè)方向上變化。在此情況下，按如下方式來(lái)轉(zhuǎn)載第一基板上的發(fā)光元件S。首先，在圖1B(1)所示的第一步驟中，將多個(gè)具有與第一基板1的面積相同的尺寸且彼此相鄰的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4設(shè)在用于安裝來(lái)自第一基板1的發(fā)光元件S的第二基 板上。這里，假設(shè)在縱向方向和橫向方向上第二基板2的面積是第一基板1的面積的2X2倍。第一基板1被布置成與設(shè)在第二基板2上的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4相對(duì)，并 且通過(guò)例如下述激光轉(zhuǎn)印將發(fā)光元件S依次集體轉(zhuǎn)印。此時(shí)，首先將第一基板1布置成與第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1相對(duì)。然后，將激光選擇性 地照射至第一基板1上在行方向和列方向上每隔著兩個(gè)以上元件(此處為隔著三個(gè)元件) 而排列著的發(fā)光元件Sll、S15、S51和S55上，以及與上述這些發(fā)光元件一起形成格子圖形 (check pattern)的發(fā)光元件S33、S37、S73和S77上。這樣，這8個(gè)發(fā)光元件S11、S15、… 被集體轉(zhuǎn)印并被安裝到第二基板2的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1中。接著，將第一基板1移動(dòng)到與第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1的右側(cè)相鄰的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-2 處。然后，將激光選擇性地照射至第一基板1上與上述發(fā)光元件S11、S15、…的右側(cè)相鄰 的發(fā)光元件S12、S16、S52和S56及發(fā)光元件S34、S38、S74和S78上。這樣，這八個(gè)發(fā)光元 件S12、S16、…被集體轉(zhuǎn)印并被安裝到第二基板2的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-2中。同樣地，對(duì)于第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-3，先移動(dòng)第一基板1，然后將八個(gè)發(fā)光元件S21、 S25、…集體轉(zhuǎn)印并安裝。此外，同樣對(duì)于第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-4，先移動(dòng)第一基板1然后將八 個(gè)發(fā)光元件S22、S26、…集體轉(zhuǎn)印并安裝。上述通過(guò)集體轉(zhuǎn)印而進(jìn)行的發(fā)光元件S的安裝是在如下狀態(tài)中進(jìn)行的將第一基 板1定位于第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-4上，從而使得安裝到四個(gè)第一轉(zhuǎn)印區(qū) 域A1-1 A1-4中的各個(gè)發(fā)光元件S的排列在行方向和列方向上是對(duì)準(zhǔn)的。此外，發(fā)光元 件S向四個(gè)第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4的集體轉(zhuǎn)印可以按任何順序執(zhí)行。通過(guò)上述第一步驟中的集體轉(zhuǎn)印，以與第一基板1上相同的發(fā)光特性分布排列有 發(fā)光元件S的第一元件組G1被安裝到第二基板2上的各個(gè)第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中。接著，在圖1B(2)所示的第二步驟中，在第二基板2上設(shè)置新轉(zhuǎn)印區(qū)域(第二轉(zhuǎn)印 區(qū)域)A2-1 A2-6。第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-1 A2-6的位置被設(shè)定成在發(fā)光元件S的發(fā)光特性 變化的方向(該圖的左右方向和發(fā)光元件S的排列的行方向)上相對(duì)于第一步驟中已設(shè)定 的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4移動(dòng)了半個(gè)尺寸的位置。這樣，中央第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-2和中央第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-5都被設(shè)成具有與第一步 驟中在第一基板1上設(shè)定的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4相同的尺寸(形狀)。另一方面，在 左右側(cè)兩端的第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-l、A2-3、A2-4和A2-6都被設(shè)成具有通過(guò)在行方向上將中央 第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-2和A2-5均分而得到的尺寸(形狀)。另外，當(dāng)?shù)诙?比第一基板1 足夠大時(shí)，第二轉(zhuǎn)印區(qū)域中的大多數(shù)都是被設(shè)為具有與第一步驟中設(shè)定在第一基板1上的 第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4相同的尺寸(形狀)的第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-2和A2-5。第一基板1被布置成與第二基板2上的各個(gè)第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-1 A2-6相對(duì)，并 且通過(guò)例如下述激光轉(zhuǎn)印將發(fā)光元件S依次集體轉(zhuǎn)印。例如，首先將第一基板1布置成與中央第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-2相對(duì)。然后，將激光選 擇性地照射至第一基板1上在行方向和列方向上每隔著三個(gè)元件排列著的發(fā)光元件S13、 S17、S53和S57上，以及與上述發(fā)光元件形成格子圖形的發(fā)光元件S31、S35、S71和S75上。 這樣，上述八個(gè)發(fā)光元件S13、S17、…被集體轉(zhuǎn)印并被安裝到第二基板2的第二轉(zhuǎn)印區(qū)域 A2-2 中。
接著，將第一基板1移動(dòng)到與第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-2的右側(cè)相鄰的第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-3 處。然后，將激光選擇性地照射至在與第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-3重疊的第一基板1上被排列為 與之前轉(zhuǎn)印到第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-2中的發(fā)光元件S13、S17、…的右側(cè)相鄰的發(fā)光元件S14、 S32、S54和S72上。這樣，這四個(gè)發(fā)光元件S14、S32、S54和S72被集體轉(zhuǎn)印并被安裝到第 二基板2的第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-3中。同樣地，對(duì)于第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-1及A2-4 A2_6，也是先移動(dòng)第一基板1，然后分 別將四個(gè)或者八個(gè)發(fā)光元件S集體轉(zhuǎn)印并安裝。以上六次集體轉(zhuǎn)印所進(jìn)行的發(fā)光元件S的安裝是在如下狀態(tài)中進(jìn)行的將第一基 板1定位于各個(gè)第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-1 A2-6上，從而使得各發(fā)光元件S以嵌套形狀被均勻 地排列在第一步驟中已安裝到第二基板2上的發(fā)光元件S之間的中心處。此外，進(jìn)行了上 述定位從而使轉(zhuǎn)印到六個(gè)第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-1 A2-6的各個(gè)發(fā)光元件S的排列在行方向和 列方向上是對(duì)準(zhǔn)的。另外，上述六次集體轉(zhuǎn)印可以按任何順序進(jìn)行。此外，通過(guò)上述第二步驟的集體轉(zhuǎn)印，按照與第一基板1上相同的發(fā)光特性分布 排列有發(fā)光元件S的第二元件組G2被設(shè)置到第二基板2上的各個(gè)第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-1 A2-6 中。通過(guò)上面的步驟，把以初始間距pxl和pyl按照8行X 8列排列在第一基板1上 的64個(gè)發(fā)光元件S11 S88以擴(kuò)大至初始間距pxl和pyl的整數(shù)倍的擴(kuò)大間距px2和py2 按照8行X8列重新排列到第二基板2上。圖1C示出了以上述方式將多個(gè)發(fā)光元件S重新排列并安裝到第二基板2上的狀 態(tài)。圖1C(1)示出了賦予給各個(gè)發(fā)光元件S的標(biāo)號(hào)，并且圖1C(2)示出了由陰影表示的各 個(gè)發(fā)光元件S的發(fā)光特性。如上所述，把以初始間距pxl和pyl按照8行X8列排列在第一基板1上的64 個(gè)發(fā)光元件S11 S88以擴(kuò)大至初始間距pxl和pyl的2倍的擴(kuò)大間距px2和py2按照8 行X8列重新排列到第二基板2上。重新排列到第二基板2上的發(fā)光元件S11 S88被分成在圖IB (1)所示的第一步 驟中安裝的第一元件組G1和在圖1B(2)所示的第二步驟中安裝的第二元件組G2。第一元件組G1被分別排列在第二基板2上的彼此相鄰的各個(gè)排列區(qū)域(S卩，上述 第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4，在下文中稱作第一轉(zhuǎn)印區(qū)域)中。此外，第二元件組G2被分別 排列在第二基板2上的彼此相鄰的各個(gè)排列區(qū)域(即，上述第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-1 A2-6，在 下文中稱作第二轉(zhuǎn)印區(qū)域)中。以與第一基板1上的發(fā)光元件S相同的發(fā)光特性分布來(lái)排列構(gòu)成第一元件組G1 的發(fā)光元件S和構(gòu)成第二元件組G2的發(fā)光元件S。也就是說(shuō)，讓分布成為在排列有第一 元件組G1和第二元件組G2的各轉(zhuǎn)印區(qū)域(排列區(qū)域)的平面內(nèi)，發(fā)光特性從中心到兩側(cè) 變化。然而，在第二元件組G2中，排列在第二基板2的周邊處的第二元件組G2具有沿該轉(zhuǎn) 印區(qū)域形狀被切割后的發(fā)光特性分布。此外，設(shè)有第一元件組G1的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4和設(shè)有第二元件組G2的 第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-1 A2-6以在發(fā)光特性變化的方向上相對(duì)于彼此移動(dòng)了半個(gè)尺寸的狀態(tài) 設(shè)置在第二基板2上。因此，構(gòu)成布置在各個(gè)第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中的第一元件組 G1的發(fā)光元件S和構(gòu)成布置在各個(gè)第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2-1 A2-6中的第二元件組G2的發(fā)光元件S被排列成嵌套形狀。根據(jù)第一實(shí)施例，可把以發(fā)光特性從第一基板1的平面內(nèi)中心到兩側(cè)變化的分布 進(jìn)行排列的發(fā)光元件S重新排列到第二基板2上，并且在執(zhí)行集體轉(zhuǎn)印的同時(shí)除去了該發(fā) 光特性分布。也就是說(shuō)，第二基板2上的在行方向(橫向方向)上彼此相鄰的發(fā)光元件S 是從原來(lái)在第一基板1上位于行方向(橫向方向)上相距半個(gè)尺寸的位置處的發(fā)光元件S 轉(zhuǎn)載而來(lái)的。因此，發(fā)光特性從第一基板1的平面內(nèi)中心到兩側(cè)變化的分布，在第二基板2 上彼此相鄰的發(fā)光元件S間被除去。此外，當(dāng)發(fā)光元件S的數(shù)量很大時(shí)，在如下狀態(tài)中將發(fā) 光元件安裝到第二基板2上具有全部發(fā)光元件S的特性平均值的兩端處的特性的那些發(fā) 光元件S是彼此相鄰的。特別是，由于在人的視覺特性中色差的空間分辨率比亮度差的空間分辨率低，因 而當(dāng)在相隔所推薦的視覺距離以上的位置觀看由第二基板2上的發(fā)光元件S的排列而呈現(xiàn) 的顯示器的圖像時(shí)，難以識(shí)別相鄰像素之間的色差。通過(guò)對(duì)大約2X2個(gè)像素進(jìn)行平均而得 到的顏色來(lái)對(duì)圖像進(jìn)行識(shí)別，換句話說(shuō)，在針對(duì)顏色使用了空間低通濾波器的狀態(tài)下對(duì)圖 像進(jìn)行識(shí)別。這樣，原始色度不均勻(整個(gè)顯示器中的色差)可以表現(xiàn)為被減小到1/2以 下。此外，第一基板1上的發(fā)光元件S的排列的排列間距被從特定的初始間距pxl和 pyl擴(kuò)大到間距px2和py2，并且能夠按照該擴(kuò)大間距進(jìn)行重新排列。作為上述結(jié)果，在通過(guò)執(zhí)行集體轉(zhuǎn)印從而保持了產(chǎn)量的同時(shí)，還能夠得到具有良 好顯示質(zhì)量的顯示器，在該顯示器中，初始元件排列中的發(fā)光特性分布被擴(kuò)散開，并且防止 了從視覺上感知到色度不均勻。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，由于如上所述減小了從視覺上感知到色度不均勻，因 此與基本重復(fù)的選擇轉(zhuǎn)移方法相比，能夠把形成且排列在生長(zhǎng)基板上的發(fā)光元件的發(fā)光主 波長(zhǎng)的不均勻容許值設(shè)成兩倍以上。此外，由于能夠省去或者簡(jiǎn)化用于修正色度不均勻的 修正電路，因而可減少顯示器的電力消耗和成本。此外，與通過(guò)信號(hào)處理對(duì)色度不均勻進(jìn)行 修正的情況相比，能夠加寬顏色再現(xiàn)范圍。此外，與未使用本實(shí)施例的制造方法的情況相比，能夠使用具有較大的波長(zhǎng)不均 勻性的發(fā)光元件的生長(zhǎng)基板，并且能夠有效地使用該生長(zhǎng)基板的有效面積。因此，能夠減少 顯示器的成本。此外，作為比較，在圖1D中，用代表各發(fā)光元件S的發(fā)光特性的陰影示出了通過(guò)執(zhí) 行普通集體轉(zhuǎn)印法將發(fā)光元件S安裝到第二基板2上的狀態(tài)。這里，所謂的普通集體轉(zhuǎn)印 法，是指將第一基板1上的在行方向和列方向上每隔一個(gè)發(fā)光元件而排列著的發(fā)光元件S 集體轉(zhuǎn)印到在行方向和列方向上將第二基板2分成四塊而得到的各區(qū)域中的方法。如圖1D 所示，根據(jù)普通集體轉(zhuǎn)印法可知，在第二基板2上所分成的四塊區(qū)域中，保留了以發(fā)光特性 從中心到兩側(cè)變化的分布而排列著的發(fā)光元件S的狀態(tài)。第二實(shí)施例圖2A 圖2C(2)是示出了本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示器制造方法的特征部分的步 驟圖。第二實(shí)施例是第一實(shí)施例的應(yīng)用示例。以下，與第一實(shí)施例一樣，參照這些附圖來(lái)說(shuō) 明在顯示器的制造過(guò)程中將發(fā)光元件從第一基板安裝到第二基板上的方法。首先，如圖2A所示，對(duì)于以特定的初始間距pxl和pyl排列在第一基板1上的多
11個(gè)發(fā)光元件S，對(duì)諸如出射光色度或亮度等發(fā)光特性(這里為發(fā)光波長(zhǎng))的平面內(nèi)分布進(jìn)行 檢測(cè)。由此，檢測(cè)可知，如用于代表各發(fā)光元件S的發(fā)光特性的陰影所示，發(fā)光元件S以 發(fā)光特性從平面的中心向外側(cè)呈放射狀變化的分布被排列到第一基板1上。也就是說(shuō)，檢 測(cè)到第一基板1上的波長(zhǎng)分布呈現(xiàn)為近似軸對(duì)稱的單調(diào)函數(shù)，即，以第一基板1的中心為原 點(diǎn)的球形極坐標(biāo)來(lái)看，波長(zhǎng)分布為在中心處的波長(zhǎng)短且在向著周圍的方向上波長(zhǎng)變長(zhǎng)或 者反過(guò)來(lái)也可，并且波長(zhǎng)的變化依賴于發(fā)光元件S與中心的距離且與方位角無(wú)關(guān)。如上所 述的發(fā)光特性的分布依賴于基板的轉(zhuǎn)動(dòng)而出現(xiàn)，從而在形成發(fā)光元件S時(shí)的晶體生長(zhǎng)時(shí)刻 提高了成分和膜厚度的均一性。在此情況下，按如下方式來(lái)轉(zhuǎn)載第一基板上的發(fā)光元件S。首先，與第一實(shí)施例一樣，進(jìn)行圖2B(1)所示的第一步驟。也就是說(shuō)，將第一轉(zhuǎn)印 區(qū)域A1-1 A1-4設(shè)置在用于安裝來(lái)自第一基板1的發(fā)光元件S的第二基板2上。在排列 于第一基板1上的發(fā)光元件S中，每隔特定數(shù)量的元件而排列著的發(fā)光元件S被集體轉(zhuǎn)印 到各個(gè)第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中。于是，以與第一基板1上相同的發(fā)光特性分布排列 有發(fā)光元件S的第一元件組G1被安裝到第二基板2上的各第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中。接著，在圖2B(2)所示的第二步驟中，在第二基板2上設(shè)置新轉(zhuǎn)印區(qū)域(第二轉(zhuǎn)印 區(qū)域)A2' -1 A2' -9。相對(duì)于在第一步驟中設(shè)置的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4，第二轉(zhuǎn) 印區(qū)域A2' -1 A2' _9被設(shè)置在沿縱向方向和橫向方向上即沿發(fā)光元件S的排列的行 方向和列方向移動(dòng)了半個(gè)尺寸的位置上。這樣，中央第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' _5被設(shè)成具有與在第一步驟中設(shè)定在第一基板1上 的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4相同的尺寸(形狀)。另一方面，排列在第二基板2的周邊上 的第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -2、A2' -4、A2' -6和A2' _8被設(shè)成具有通過(guò)在行方向或列方向上 把中央第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' _5均分而得到的尺寸(形狀)。此外，排列在第二基板2的角落 處的第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1、A2' -3、A2' -7和A2' _9被設(shè)成具有通過(guò)在行方向和列方向 上將中央第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' _5分成四塊而得到的尺寸(形狀)。另外，當(dāng)?shù)诙?比第 一基板1足夠大時(shí)，第二轉(zhuǎn)印區(qū)域中的大多數(shù)都是被設(shè)為具有與第一步驟中設(shè)定在第一基 板1上的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4相同的尺寸(形狀)的第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -5。把第一基板1布置成與如上所述設(shè)在第二基板2上的各第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' _9相對(duì)，并且將發(fā)光元件S依次集體轉(zhuǎn)印。例如，首先將第一基板1布置成與中央第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -5相對(duì)。然后，將激光 選擇性地照射至第一基板1上的在行方向和列方向上每隔三個(gè)元件而排列著的發(fā)光元件 S13、S17、S53和S57上，以及與上述發(fā)光元件一起形成格子圖形的發(fā)光元件S31、S35、S71 和S75上。這樣，上述八個(gè)發(fā)光元件S13、S17、…被集體轉(zhuǎn)印并被安裝到第二基板2的第 二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -5中。接著，將第一基板1移動(dòng)到與第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -5的右側(cè)相鄰的第二轉(zhuǎn)印區(qū)域 A2' -6處。然后，將激光選擇性地照射至被排列在與第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -6重疊的第一基 板1上且被布置成與之前轉(zhuǎn)印到第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' _5中的發(fā)光元件S13、S17、…的右側(cè) 相鄰的發(fā)光元件S14、S32、S54和S72上。這樣，這四個(gè)發(fā)光元件S14、S32、S54和S72被集 體轉(zhuǎn)印并被安裝到第二基板2的第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -6中。同樣地，將第一基板1移動(dòng)到第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1至A2' -4以及A2' _7至A2' _9處。然后，排列在與各第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1至A2' _4以及A2' -7至A2' -9重 疊的第一基板1上的四個(gè)或兩個(gè)發(fā)光元件S被集體轉(zhuǎn)印并被安裝。上述九次集體轉(zhuǎn)印所進(jìn)行的發(fā)光元件S的安裝是在如下狀態(tài)中進(jìn)行的將第一基 板1相對(duì)于各第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' _9進(jìn)行定位，從而使得各發(fā)光元件S以嵌套形 狀被均勻地排列在第一步驟中已安裝到第二基板2上的發(fā)光元件S之間的中心處。此外， 進(jìn)行了上述定位，從而使轉(zhuǎn)印到九個(gè)第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' _9中的各個(gè)發(fā)光元件S 的排列在行方向和列方向上是對(duì)準(zhǔn)的。另外，上述九次集體轉(zhuǎn)印可以按任何順序進(jìn)行。此外，通過(guò)第二步驟的集體轉(zhuǎn)印，以與第一基板1上相同的發(fā)光特性分布排列有 發(fā)光元件S的第二元件組G2被設(shè)置在第二基板2上的各個(gè)第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' -9 中。通過(guò)上面的步驟，把以初始間距pxl和pyl按照8行X8列排列在第一基板1上 的64個(gè)發(fā)光元件S11 S88以擴(kuò)大至初始像素間距pxl和pyl的整數(shù)倍的擴(kuò)大間距px2 和py2按照8行X8列重新排列到第二基板2上。圖2C示出了以如上所述方式將多個(gè)發(fā)光元件S重新排列并安裝到第二基板2上 的狀態(tài)。圖2C(1)示出了賦予給各個(gè)發(fā)光元件S的標(biāo)號(hào)，圖2C(2)示出了由陰影表示的各 個(gè)發(fā)光元件S的發(fā)光特性。與第一實(shí)施例一樣，把以初始間距pxl和pyl按照8行X8列排列在第一基板1 上的64個(gè)發(fā)光元件S11 S88以是初始間距pxl和pyl的2倍的擴(kuò)大間距px2和py2按 照8行X8列重新排列到第二基板2上。重新排列到第二基板2上的發(fā)光元件S11 S88被分成在圖2B(1)所示的第一步 驟中安裝的第一元件組G1和在圖2B(2)所示的第二步驟中安裝的第二元件組G2。第一元件組G1被分別排列在第二基板2上的各個(gè)相鄰的排列區(qū)域(即，第一轉(zhuǎn)印 區(qū)域A1-1 A1-4，下文中稱作第一轉(zhuǎn)印區(qū)域)中。此外，第二元件組G2被分別排列在第二 基板2上的各個(gè)相鄰的排列區(qū)域(S卩，第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' _9，下文中稱作第二轉(zhuǎn) 印區(qū)域)中。以與第一基板1上的發(fā)光元件S相同的發(fā)光特性分布來(lái)排列構(gòu)成第一元件組G1 的發(fā)光元件S和第二元件組G2的發(fā)光元件S。也就是說(shuō)，分布是在排列有第一元件組G1 和第二元件組G2的各轉(zhuǎn)印區(qū)域(排列區(qū)域)的平面內(nèi)，發(fā)光特性從中心到外側(cè)呈放射狀變 化。然而，在第二元件組G2中，排列在第二基板2的周邊處的第二元件組G2具有沿該轉(zhuǎn)印 區(qū)域的形狀被切割后的發(fā)光特性分布。此外，相對(duì)于設(shè)有第一元件組G1的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4，設(shè)有第二元件組 G2的第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' _9以在發(fā)光元件S的排列的行方向和列方向上移動(dòng)了半 個(gè)尺寸的狀態(tài)與第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4重疊。因此，構(gòu)成布置在第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中的第一元件組G1的發(fā)光元件S和構(gòu)成布置在各個(gè)第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' -9 中的第二元件組G2的發(fā)光元件S被排列成嵌套形狀。此外，相鄰地排列在第二基板2上的 發(fā)光元件S是排列在第一基板1上的發(fā)光元件S中的在垂直方向和水平方向上相隔大約半 個(gè)轉(zhuǎn)印尺寸的位置處的發(fā)光元件S。根據(jù)上述第二實(shí)施例，可把以發(fā)光特性從中心到外側(cè)呈放射狀變化的分布而被排 列在第一基板1上的發(fā)光元件S重新排列到第二基板2上，并在執(zhí)行用于同時(shí)轉(zhuǎn)印多個(gè)元
13件的集體轉(zhuǎn)印時(shí)除去該發(fā)光特性分布。也就是說(shuō)，在第二基板2上的在行方向(橫向方向) 和列方向(縱向方向)上彼此相鄰的發(fā)光元件S是從在第一基板1上的在行方向(橫向方 向)和列方向(縱向方向)上相隔半個(gè)尺寸的位置處的發(fā)光元件S轉(zhuǎn)載而來(lái)的。因此，發(fā) 光特性從第一基板1的中心到外側(cè)呈放射狀變化的分布，在第二基板2上的彼此相鄰的發(fā) 光元件S之間被除去。于是，與第一實(shí)施例一樣，原始色度不均勻(整個(gè)顯示器中的色差) 可以表現(xiàn)為被減小到1/2以下。此外，當(dāng)?shù)谝换?上的發(fā)光元件S的數(shù)量大時(shí)，在如下狀 態(tài)中把發(fā)光元件安裝到第二基板上具有全部發(fā)光元件S的特性平均值的兩端處的特性的 那些發(fā)光元件S是彼此相鄰的。此外，第一基板1上的發(fā)光元件S的排列的排列間距被從特定的初始間距pxl和 pyl擴(kuò)大到間距px2和py2，并且能夠按照該擴(kuò)大間距進(jìn)行重新排列。結(jié)果，與第一實(shí)施例一樣，在通過(guò)執(zhí)行集體轉(zhuǎn)印從而保持了產(chǎn)量的同時(shí)，還能夠得 到具有良好顯示質(zhì)量的顯示器，在該顯示器中，初始元件排列中的發(fā)光特性的分布被擴(kuò)散 開，并且防止了從視覺上感知到色度不均勻。另外，為了比較，在圖2D中，用代表發(fā)光元件S的發(fā)光特性的陰影示出了通過(guò)執(zhí)行 普通集體轉(zhuǎn)印法將發(fā)光元件S安裝到第二基板2上的狀態(tài)。這里，普通集體轉(zhuǎn)印法是指把 第一基板1上的在行方向和列方向上每隔一個(gè)元件而排列著的發(fā)光元件S集體轉(zhuǎn)印到通過(guò) 在行方向和列方向上將第二基板2分成四塊而得到的各個(gè)區(qū)域中的方法。如圖2D所示，根 據(jù)該普通集體轉(zhuǎn)印法可知，在第二基板2上所分成的四塊區(qū)域中，保留了以發(fā)光特性從中 心到外側(cè)呈放射狀變化的分布而排列著的發(fā)光元件S的狀態(tài)。第三實(shí)施例圖3A 圖3C(2)是示出了本發(fā)明第三實(shí)施例的顯示器制造方法的特征部分的步 驟圖。與第一實(shí)施例一樣，下面參照這些附圖來(lái)說(shuō)明在顯示器的制造過(guò)程中將發(fā)光元件從 第一基板安裝到第二基板上的方法。首先，如圖3A所示，對(duì)于以特定的初始間距pxl和pyl排列在第一基板1上的多 個(gè)發(fā)光元件S，對(duì)諸如出射光色度或亮度等發(fā)光特性(這里為發(fā)光波長(zhǎng))的平面內(nèi)分布進(jìn)行 檢測(cè)。這樣，檢測(cè)可知，如用于代表各發(fā)光元件S的發(fā)光特性的陰影所示，發(fā)光元件S以 如下方式的分布排列在第一基板1上這些發(fā)光元件S的發(fā)光特性從平面內(nèi)的一個(gè)端角沿 一個(gè)方向呈放射狀單調(diào)變化。在此情況下，按如下方式來(lái)轉(zhuǎn)載第一基板上的發(fā)光元件S。首先，與第一實(shí)施例一樣，進(jìn)行圖3B(1)所示的第一步驟。也就是說(shuō)，將第一轉(zhuǎn)印 區(qū)域A1-1 A1-4設(shè)置在用于安裝來(lái)自第一基板1的發(fā)光元件S的第二基板2上。然后， 排列在第一基板1上的發(fā)光元件S中的每隔特定數(shù)量的元件而排列著的發(fā)光元件S被集體 轉(zhuǎn)印到各個(gè)第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中。于是，以與第一基板1上相同的發(fā)光特性分布 排列有發(fā)光元件S的第一元件組G1被安裝至各個(gè)第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中。接著，在圖3B(2)所示的第二步驟中，相對(duì)于在第一步驟中設(shè)置的第一轉(zhuǎn)印域 A1-1 A1-4，將第一基板1在平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)180°。然后，通過(guò)例如激光轉(zhuǎn)印等將發(fā)光元件S 依次集體轉(zhuǎn)印至第二基板2上的各個(gè)第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中。例如，首先將旋轉(zhuǎn)了 180°的第一基板1布置成與第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1相對(duì)。然 后，將激光選擇性地照射至第一基板1上的在行方向和列方向上每隔三個(gè)元件而排列著的發(fā)光元件S13、S17、S53和S57上，以及與上述發(fā)光元件一起形成格子圖形的發(fā)光元件S31、 S35、S71和S75上。這樣，上述八個(gè)發(fā)光元件S13、S17、…被集體轉(zhuǎn)印到第二基板2的第一 轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1中。接著，將旋轉(zhuǎn)了 180°的第一基板1移動(dòng)到與第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1的右側(cè)相鄰的第 一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-2處。然后，將激光選擇性地照射至排列在之前被轉(zhuǎn)印到第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 中的發(fā)光元件S13、S17、…的右側(cè)且與這些發(fā)光元件相鄰的發(fā)光元件S14、S18、S54和S58 上，以及與上述發(fā)光元件一起形成格子圖形的發(fā)光元件S32、S36、S72和S76上。這樣，這八 個(gè)發(fā)光元件S14、S18、…被集體轉(zhuǎn)印并被安裝到第二基板2的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-2中。同樣地，還將旋轉(zhuǎn)了 180°的第一基板1移動(dòng)到第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-3和第一轉(zhuǎn)印區(qū) 域A1-4處，并且將八個(gè)發(fā)光元件S集體轉(zhuǎn)印并安裝。上述四次集體轉(zhuǎn)印所進(jìn)行發(fā)光元件S的安裝是在如下狀態(tài)中進(jìn)行的把第一基板 1相對(duì)于各第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4進(jìn)行定位，從而使得各發(fā)光元件S被均勻地排列在第 一步驟中已經(jīng)安裝到第二基板2上的發(fā)光元件S之間的中心處。此外，進(jìn)行了上述定位，因 而使得轉(zhuǎn)印到四個(gè)第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中的各發(fā)光元件S的排列在行方向和列方向 上是對(duì)準(zhǔn)的。另外，上述四次集體轉(zhuǎn)印可以按任何順序進(jìn)行。此外，通過(guò)如上所述第二步驟的集體轉(zhuǎn)印，以在第一步驟中安裝的第一元件組G1 在平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)了 180°的狀態(tài)，將第二元件組G2設(shè)置在第二基板2上的各第一轉(zhuǎn)印區(qū)域 A1-1 A1-4 中。通過(guò)上面的步驟，把以初始間距pxl和pyl按照8行X 8列排列在第一基板1上的 64個(gè)發(fā)光元件S11 S88以擴(kuò)大至初始間距pxl和pyl的整數(shù)倍(2倍)的擴(kuò)大間距px2 和py2按照8行X8列重新排列到第二基板2上。圖3C示出了以如上所述方式將多個(gè)發(fā)光元件S重新排列并安裝到第二基板2上 的狀態(tài)。圖3C(1)示出了賦予給各發(fā)光元件S的標(biāo)號(hào)，圖3C(2)示出了由陰影表示的各個(gè) 發(fā)光元件S的發(fā)光特性。與第一實(shí)施例一樣，把以初始間距pxl和pyl按照8行X8列排列在第一基板1 上的64個(gè)發(fā)光元件S11 S88以擴(kuò)大至初始間距pxl和pyl的2倍的擴(kuò)大間距px2和py2 按照8行X8列重新排列到第二基板2上。重新排列到第二基板2上的發(fā)光元件S11 S88被分成在圖3B(1)所示的第一步 驟中安裝的第一元件組G1和在圖3B(2)所示的第二步驟中安裝的第二元件組G2。以與第一基板1上的發(fā)光元件S相同的發(fā)光特性分布來(lái)排列構(gòu)成第一元件組G1 的發(fā)光元件S和第二元件組G2的發(fā)光元件S。也就是說(shuō)，構(gòu)成第一元件組G1的發(fā)光元件S 和構(gòu)成第二元件組G2的發(fā)光元件S具有發(fā)光特性從各個(gè)相鄰設(shè)置的轉(zhuǎn)印區(qū)域(排列區(qū)域) 平面內(nèi)的一個(gè)端角呈放射狀變化的分布。此外，第二元件組G2是處于讓第一元件組G1中的發(fā)光元件S在平面內(nèi)相對(duì)旋轉(zhuǎn) 的排列狀態(tài)。此外，構(gòu)成第一元件組G1的發(fā)光元件S和構(gòu)成第二元件組G2的發(fā)光元件S 被排列成嵌套形狀。此外，排列在各個(gè)轉(zhuǎn)印區(qū)域中的第一元件組G1的發(fā)光元件和第二元件 組G2的發(fā)光元件是排列在第一基板1上相對(duì)于中心位于幾乎對(duì)稱的位置處的元件。這樣，根據(jù)上述第三實(shí)施例，可把以發(fā)光特性從一個(gè)端角呈放射狀變化的分布而 被排列在第一基板1上的發(fā)光元件S重新排列到第二基板2上，并在執(zhí)行用于同時(shí)轉(zhuǎn)印多個(gè)元件的集體轉(zhuǎn)印時(shí)除去該發(fā)光特性分布。也就是說(shuō)，在第二基板2上彼此相鄰的發(fā)光元 件S是從排列在第一基板1上相對(duì)于中心位于幾乎對(duì)稱的位置處的發(fā)光元件S轉(zhuǎn)載而來(lái) 的。因此，發(fā)光特性從第一基板1上的一個(gè)端角呈放射狀變化的分布，在第二基板2上的彼 此相鄰的發(fā)光元件S之間被除去。于是，與第一實(shí)施例一樣，原始色度不均勻(整個(gè)顯示器 中的色差)可以表現(xiàn)為被減小。此外，當(dāng)?shù)谝换?上的發(fā)光元件S的數(shù)量大時(shí)，在如下狀 態(tài)中將發(fā)光元件安裝到第二基板2上具有全部發(fā)光元件S的特性平均值的兩端處的特性 的那些發(fā)光元件S是彼此相鄰的。此外，第一基板1上的發(fā)光元件S的排列的排列間距被從特定的初始間距pxl和 pyl擴(kuò)大到間距px2和py2，并且能夠按照該擴(kuò)大間距進(jìn)行重新排列。結(jié)果，與第一實(shí)施例和第二實(shí)施例一樣，在通過(guò)執(zhí)行集體轉(zhuǎn)印從而保持了產(chǎn)量的 同時(shí)，還能夠得到具有良好顯示質(zhì)量的顯示器，該顯示器中，初始元件排列中的發(fā)光特性分 布被擴(kuò)散開，并且防止了從視覺上感知到色度不均勻。另外，作為比較，在圖3D中，用代表發(fā)光元件S的發(fā)光特性的陰影示出了通過(guò)執(zhí)行 普通集體轉(zhuǎn)印法而將發(fā)光元件S安裝到第二基板2上的狀態(tài)。這里，普通集體轉(zhuǎn)印法是指 把第一基板1上的在行方向和列方向上每隔一個(gè)元件而排列著的發(fā)光元件S集體轉(zhuǎn)印到通 過(guò)在行方向和列方向上將第二基板2分成四塊而得到的各個(gè)區(qū)域中的方法。如圖3D所示， 根據(jù)該普通集體轉(zhuǎn)印法可知，在第二基板2上所分成的四塊區(qū)域中，保留了以發(fā)光特性從 一個(gè)端角呈放射狀變化的分布而排列著的發(fā)光元件S的狀態(tài)。第四實(shí)施例圖4A 圖4D(2)是示出了本發(fā)明第四實(shí)施例的顯示器制造方法的特征部分的步 驟圖。以下，與第一實(shí)施例一樣，參照這些附圖來(lái)說(shuō)明在顯示器的制造過(guò)程中將發(fā)光元件從 第一基板安裝到第二基板上的方法。首先，如圖4A所示，對(duì)于以特定的初始間距pxl和pyl排列在第一基板1上的多 個(gè)發(fā)光元件S，對(duì)諸如出射光色度或亮度等發(fā)光特性(這里為發(fā)光波長(zhǎng))的平面內(nèi)分布進(jìn)行 檢測(cè)。這樣，檢測(cè)可知，如用于代表各發(fā)光元件S的發(fā)光特性的陰影所示，發(fā)光元件S以 發(fā)光特性從偏向于一個(gè)端角方向的中心向外側(cè)呈放射狀變化的分布被排列到第一基板1 上。在此情況下，將第二實(shí)施例的方法與第三實(shí)施例的方法結(jié)合，按如下方式來(lái)轉(zhuǎn)載第一基 板上的發(fā)光元件S。首先，圖4B(1)所示的第一步驟幾乎與第一實(shí)施例中一樣，但是被集體轉(zhuǎn)印到第 二基板2上的發(fā)光元件S的數(shù)量與第一實(shí)施例的第一步驟中不同。也就是說(shuō)，僅第一基板 1上的在行方向和列方向上每隔三個(gè)元件而排列著的四個(gè)發(fā)光元件S通過(guò)集體轉(zhuǎn)印被安裝 到已設(shè)在第二基板2上的各第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中。例如，首先，將第一基板1布置成與第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1相對(duì)。然后，將激光選擇 性地照射至第一基板1上的在行方向和列方向上每隔三個(gè)元件而排列著的發(fā)光元件S11、 S15、S51和S55上。這樣，上述四個(gè)發(fā)光元件S11、S15、…被集體轉(zhuǎn)印并被安裝到第二基板 2的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1中。同樣地，還將第一基板1移動(dòng)到第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-2 A1-4處，并且集體轉(zhuǎn)印并安 裝四個(gè)發(fā)光元件S。
通過(guò)上述方法，在第一步驟中，將排列在第一基板1上的發(fā)光元件S的1/4安裝到 第二基板2上。另外，第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4分別具有與第一基板1的面積相同的尺寸，并且 以彼此相鄰的狀態(tài)被設(shè)在第二基板2上，這與第一實(shí)施例一樣。此外，進(jìn)行了定位，因而使 安裝到四個(gè)第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中的各發(fā)光元件S的排列在行方向和列方向上是對(duì) 準(zhǔn)的，并且上述向四個(gè)第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4的集體轉(zhuǎn)印可以按任何順序進(jìn)行，這也與
第一實(shí)施例一樣。通過(guò)上述第一步驟中的集體轉(zhuǎn)印，以與第一基板上相同的發(fā)光特性分布排列有發(fā) 光元件S的第一元件組G1被安裝到第二基板2上的各個(gè)第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中。接著，圖4B(2)所示的第二步驟的第一工序與第三實(shí)施例的第二步驟相同。也就 是說(shuō)，在各第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4的平面內(nèi)將第一基板1旋轉(zhuǎn)了 180°的狀態(tài)下，將第 一基板1上的發(fā)光元件S集體轉(zhuǎn)印并安裝到第二基板2上的發(fā)光元件S(該圖中的虛線所 示)之間。例如，將旋轉(zhuǎn)了 180°的第一基板1布置成與第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1相對(duì)。然后，將 第一基板1定位在第二基板2上，使得排列在與第一步驟中所轉(zhuǎn)載的發(fā)光元件S相同的多 個(gè)列中的四個(gè)發(fā)光元件S31、S35、S71和S75沿列方向被排列到已安裝于第二基板2的第 一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1中的發(fā)光元件S之間。在此狀態(tài)下，將激光選擇性地照射至四個(gè)發(fā)光元件 S31、S35、…上，并將這四個(gè)發(fā)光元件集體轉(zhuǎn)印并安裝到第二基板2上。對(duì)其他的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-2 A1-4同樣也進(jìn)行如上所述的集體轉(zhuǎn)印。于是，在 第一步驟之后剩余在第一基板1上的發(fā)光元件S的1/3被安裝到第二基板2上。通過(guò)上述第二步驟的第一工序中的集體轉(zhuǎn)印，在第一元件組G1的發(fā)光元件S的排 列狀態(tài)在平面內(nèi)被旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，第二元件組(第一組)G2(l)被安裝到第二基板2上的各 個(gè)第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中。接著，與第二實(shí)施例的第二步驟一樣地進(jìn)行圖4C(1)所示的第二步驟的第二工 序。也就是說(shuō)，首先，將新的第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' _9設(shè)在第二基板2上的如下位 置處這些位置相對(duì)于先前設(shè)置的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4在縱向方向和橫向方向上即 在發(fā)光元件S的排列的行方向和列方向上移動(dòng)了半個(gè)尺寸。然后，通過(guò)旋轉(zhuǎn)180°將第一基板1相對(duì)于第二基板2的旋轉(zhuǎn)狀態(tài)還原至與第一步 驟相同的狀態(tài)，并且對(duì)發(fā)光元件S依次進(jìn)行集體轉(zhuǎn)印。此時(shí)，例如首先將第一基板1布置成與中央第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -5相對(duì)。然后，將 第一基板1定位在第二基板上，使得排列在第一基板1上的與第一步驟中所轉(zhuǎn)載的發(fā)光元 件S相同的多個(gè)行中的四個(gè)發(fā)光元件S13、S17、S53和S57沿行方向被排列到已安裝于第 二基板2上的發(fā)光元件S之間。在此狀態(tài)下，將激光選擇性地照射至這四個(gè)發(fā)光元件S13、 S17、…上，將這些發(fā)光元件集體轉(zhuǎn)印并安裝到第二基板2上。以下，將第一基板1移動(dòng)到各第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' -4以及A2' _6 A2' -9處，并且排列在第一基板1上的與上述這些第二轉(zhuǎn)印區(qū)域重疊的位置處的兩個(gè)或者 一個(gè)發(fā)光元件S被集體轉(zhuǎn)印并安裝到第二基板2上。于是，在第一步驟之后剩余在第一基 板1上的發(fā)光元件S的1/3被安裝到第二基板2上。通過(guò)上述第二步驟的第二工序中的集體轉(zhuǎn)印，按照與第一元件組G1相同的發(fā)光
17特性分布排列有發(fā)光元件S的第二元件組(第二組)G2(2)被安裝到第二基板2上的各個(gè) 第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' _9中。然而，在第二元件組(第二組)G2 (2)中，在第二基板 2的周邊處的那些第二元件組具有沿該轉(zhuǎn)印區(qū)域的形狀被切割后的發(fā)光特性分布。此外，與第三實(shí)施例的第二步驟一樣地進(jìn)行圖4C(2)所示的第二步驟的第三工 序。也就是說(shuō)，相對(duì)于各第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' _9將第一基板1旋轉(zhuǎn)180°，并且將 第一基板1上的發(fā)光元件S通過(guò)集體轉(zhuǎn)印而安裝到第二基板2上的發(fā)光元件S(該圖中的 虛線所示)之間。例如，將旋轉(zhuǎn)了 180°的第一基板1布置成與中央第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -5相對(duì)。然 后，將第一基板1定位在第二基板2上，使得排列在第一基板1上的與第二工序中所轉(zhuǎn)載的 發(fā)光元件S相同的多個(gè)列中的四個(gè)發(fā)光元件S33、S37、S73和S77被排列在已安裝于第二基 板2的第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' _5中的發(fā)光元件S之間。在此狀態(tài)下，將激光選擇性地照射至這 四個(gè)發(fā)光元件S33、S37、…上，從而將這些發(fā)光元件集體轉(zhuǎn)印并安裝到第二基板2上。對(duì)各個(gè)第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' -4及A2' _6 A2' _9同樣地進(jìn)行如上所 述的集體轉(zhuǎn)印。于是，通過(guò)將在第一步驟之后剩余在第一基板1上的發(fā)光元件S的1/3安 裝到第二基板2上，就把全部發(fā)光元件S都安裝到第二基板2上了。通過(guò)上述第二步驟的第三工序中的集體轉(zhuǎn)印，按照與第一元件組G1相同的發(fā)光 特性分布排列有發(fā)光元件S的第二元件組(第三組)G2 (3)被安裝到第二基板2上的各第 二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' _9中。然而，在第二元件組(第三組)G2 (3)中，在第二基板2 的周邊處的那些第二元件組具有沿該轉(zhuǎn)印區(qū)域的形狀被切割后的發(fā)光特性分布。上述第二步驟中通過(guò)集體轉(zhuǎn)印而進(jìn)行的發(fā)光元件S的安裝是在如下狀態(tài)中進(jìn)行 的把第一基板1相對(duì)于第二基板2進(jìn)行定位，從而使各發(fā)光元件S均勻地排列在第一步驟 中已經(jīng)安裝到第二基板2上的發(fā)光元件S之間的中心處。此外，在上述集體轉(zhuǎn)印中，如果將發(fā)光元件S的“列數(shù)、行數(shù)”的組合分配給第二基 板2上的各轉(zhuǎn)印區(qū)域，則能夠防止第二基板2上的發(fā)光元件的缺失或重復(fù)。例如，關(guān)于發(fā)光元件S的“列數(shù)、行數(shù)”，把“奇數(shù)、奇數(shù)”元素組、“奇數(shù)、偶數(shù)”元素 組、“偶數(shù)、奇數(shù)”元素組和“偶數(shù)、偶數(shù)”元素組分別分配給圖4B(1)和圖4B⑵所示的各第 一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4，并進(jìn)行集體轉(zhuǎn)印。更具體地，“奇數(shù)、奇數(shù)”元素組被分配給第一 轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1，“奇數(shù)、偶數(shù)”元素組被分配給第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-2，“偶數(shù)、奇數(shù)”元素組被分 配給第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-3，并且“偶數(shù)、偶數(shù)”元素組被分配給第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-4。此外，分配給第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4的“列數(shù)、行數(shù)”的組合被直接轉(zhuǎn)移并分 配給圖4C(1)和圖4C⑵所示的各第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' _9。更具體地，“奇數(shù)、奇 數(shù)”元素組被分配給將第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1轉(zhuǎn)移后的第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -5，“奇數(shù)、偶數(shù)”元 素組被分配給將第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-2轉(zhuǎn)移后的第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -6和A2' _4，并且如此類 推進(jìn)行同樣的分配。此外，可以按照任何順序來(lái)進(jìn)行上述第一工序 第三工序以及各工序中的集體轉(zhuǎn) 印。通過(guò)上面的步驟，把以初始間距pxl和pyl按照8行X8列排列在第一基板1上 的64個(gè)發(fā)光元件S11 S88以擴(kuò)大至初始間距pxl和pyl的2倍的擴(kuò)大間距px2和py2 按照8行X8列重新排列到第二基板2上。
18
圖4D示出了以上述方式將多個(gè)發(fā)光元件S重新排列并安裝到第二基板2上的狀 態(tài)。圖4D(1)中示出了賦予給各個(gè)發(fā)光元件S的標(biāo)號(hào)，圖4D(2)中示出了由陰影表示的各 個(gè)發(fā)光元件S的發(fā)光特性。重新排列到第二基板2上的發(fā)光元件S11 S88被分成在圖4B(1)所示的第一步 驟中安裝的第一元件組G1和在圖4B(2) 圖4C(2)所示的第二步驟中安裝的第二元件組 G2(l) G2(3)。以與第一基板1上的發(fā)光元件S相同的發(fā)光特性分布來(lái)排列構(gòu)成第一元件組G1 和第二元件組G2(l) G2(3)的發(fā)光元件S。也就是說(shuō)，構(gòu)成第一元件組G1和第二元件組 G2(l) G2(3)的發(fā)光元件S具有發(fā)光特性在各個(gè)彼此相鄰設(shè)置的轉(zhuǎn)印區(qū)域(排列區(qū)域) 的平面內(nèi)從偏向于一個(gè)端角方向的中心到外側(cè)變化的分布。此外，以嵌套形狀來(lái)排列構(gòu)成第一元件組G1的發(fā)光元件S和構(gòu)成第二元件組 G2⑴ G2(3)的發(fā)光元件S。根據(jù)上述第四實(shí)施例，可把以發(fā)光特性從一個(gè)端角呈放射狀變化的分布而被排列 在第一基板1上的發(fā)光元件S重新排列到第二基板2上，并在執(zhí)行用于同時(shí)轉(zhuǎn)印多個(gè)元件 的集體轉(zhuǎn)印時(shí)除去該發(fā)光特性分布。此外，當(dāng)?shù)谝换?上的發(fā)光元件S的數(shù)量大時(shí)，在如 下狀態(tài)中將發(fā)光元件安裝到第二基板2上具有全部發(fā)光元件S的特性平均值的兩端處的 特性的那些發(fā)光元件S是彼此相鄰的。此外，第一基板1上的發(fā)光元件S的排列的排列間 距被從特定的初始間距pxl和pyl擴(kuò)大到間距px2和py2，并且能夠按照該擴(kuò)大間距進(jìn)行重 新排列。結(jié)果，與第一實(shí)施例 第三實(shí)施例一樣，在通過(guò)執(zhí)行集體轉(zhuǎn)印從而保持了產(chǎn)量的 同時(shí)，還能夠得到具有良好顯示質(zhì)量的顯示器，該顯示器中，初始元件排列中的發(fā)光特性分 布被擴(kuò)散開，并且防止了從視覺上感知到色度不均勻。另外，作為比較，在圖4E中，用代表各發(fā)光元件S的發(fā)光特性的陰影示出了通過(guò)執(zhí) 行普通集體轉(zhuǎn)印法將發(fā)光元件S安裝到第二基板2上的狀態(tài)。這里，普通集體轉(zhuǎn)印法是指 把第一基板1上的在行方向和列方向上每隔一個(gè)元件而排列著的發(fā)光元件S集體轉(zhuǎn)印到通 過(guò)在行方向和列方向上將第二基板2分成四塊而得到的各個(gè)區(qū)域中的方法。如圖4E所示， 根據(jù)該普通集體轉(zhuǎn)印法可知，在第二基板2上所分成的四塊區(qū)域中，保留了以發(fā)光特性從 偏向于一個(gè)端角方向的中心到外側(cè)變化的分布而排列著的發(fā)光元件S的狀態(tài)。第五實(shí)施例圖5A和圖5B是示出了本發(fā)明第五實(shí)施例的顯示器制造方法的特征部分的步驟 圖。第五實(shí)施例是第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的變形例，并且是兩個(gè)發(fā)光元件構(gòu)成一個(gè)像素 的示例。以下，與第一實(shí)施例一樣，參照這些附圖來(lái)說(shuō)明在顯示器的制造過(guò)程中將發(fā)光元件 從第一基板安裝到第二基板上的方法。首先，如圖5A所示，對(duì)于以特定的初始間距pxl和pyl排列在第一基板1上的多 個(gè)發(fā)光元件S，對(duì)諸如出射光色度或亮度等發(fā)光特性(這里為發(fā)光波長(zhǎng))的平面內(nèi)分布進(jìn)行 檢測(cè)。假設(shè)與第二實(shí)施例一樣由檢測(cè)得知發(fā)光元件S以發(fā)光特性從平面內(nèi)的中心向外側(cè) 呈放射狀變化的分布而排列著。在此情況下，首先，與第一實(shí)施例(第二實(shí)施例)一樣地進(jìn)行第一步驟。也就是說(shuō)， 將第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4設(shè)置在用于安裝來(lái)自第一基板1的發(fā)光元件S的第二基板2上。然后，在排列于第一基板1上的發(fā)光元件S中，每隔特定數(shù)量的元件而排列著的發(fā)光元 件S被集體轉(zhuǎn)印到各個(gè)第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中。于是，以與第一基板1上相同的發(fā) 光特性分布排列有發(fā)光元件S的第一元件組G1被安裝至第二基板2上的各第一轉(zhuǎn)印區(qū)域 A1-1 A1-4 中。然而，這里假設(shè)在全部第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中，在行方向和列方向上排列有 各自包括兩個(gè)發(fā)光元件S的多個(gè)像素11。然后，僅將發(fā)光元件S集體轉(zhuǎn)印至通過(guò)在例如行方 向上將一個(gè)像素11均分而得到的兩個(gè)部分中的一個(gè)部分(例如，A部分)中。因此，在第一 轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中，不是以格子圖形而是按照與像素間距相同的正方形格子形狀將 發(fā)光元件S僅轉(zhuǎn)印至A部分中。例如，在該圖所圖示的示例中，在行方向上每隔三個(gè)元件且 在列方向上每隔一個(gè)元件而排列著的發(fā)光元件S被依次集體轉(zhuǎn)印至第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4 中。此后，在圖5B所示的第二步驟中，在第二基板2上設(shè)置新轉(zhuǎn)印區(qū)域(第二轉(zhuǎn)印區(qū) 域)A2' -1 A2' -9。第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' _9與第二實(shí)施例中一樣，被設(shè)在相 對(duì)于第一步驟中所設(shè)置的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4在縱向方向和橫向方向上即在發(fā)光元 件S的排列的行方向和列方向上移動(dòng)了半個(gè)尺寸的位置處。然后，第一基板1被布置成與如上所述設(shè)在第二基板2上的各第二轉(zhuǎn)印區(qū)域 A2' -1 A2' _9相對(duì)，并且剩余在第一基板1上的發(fā)光元件S被依次集體轉(zhuǎn)印。此時(shí)，在 全部第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' _9中，發(fā)光元件S僅被集體轉(zhuǎn)印到通過(guò)在行方向上將一 個(gè)像素11均分而得到的兩個(gè)部分中的另一個(gè)部分(例如，B部分)中。于是，以一個(gè)像素11中排列有兩個(gè)發(fā)光元件S的方式把發(fā)光元件S安裝到第二基 板2的各第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' _9中。另外，構(gòu)成一個(gè)像素11的多個(gè)發(fā)光元件S 的安裝位置之間的差距被設(shè)定為比像素11的排列周期足夠小(例如，1/3以下)。此外，構(gòu) 成一個(gè)像素11的多個(gè)發(fā)光元件S被設(shè)定為與驅(qū)動(dòng)電路串聯(lián)或者并聯(lián)連接，并且由同一信號(hào) (串聯(lián)情況下為電流，并聯(lián)情況下為電壓)驅(qū)動(dòng)。通過(guò)上面的方法，把以初始間距pxl和pyl按照16行X8列排列在第一基板1上 的128個(gè)發(fā)光元件S以依據(jù)特定的像素間距將初始間距pxl擴(kuò)大而得到的間距和將初始間 距pyl擴(kuò)大至2倍而得到的擴(kuò)大間距py2按照16行X8列重新排列到第二基板2上。如上所述重新排列到第二基板2上的發(fā)光元件S被分成在圖5A所示的第一步驟 中安裝的第一元件組G1和在圖5B所示的第二步驟中安裝的第二元件組G2。構(gòu)成第一元件 組G1和第二元件組G2的發(fā)光元件S與第二實(shí)施例的那些發(fā)光元件S —樣，以與第一基板 1上的發(fā)光元件S相同的發(fā)光特性分布排列著。因此，對(duì)以發(fā)光特性從中心到外側(cè)呈放射狀變化的分布而被排列在第一基板1上 的發(fā)光元件S進(jìn)行重新排列，從而將該發(fā)光特性分布除去，并且原始色度不均勻表現(xiàn)為被 減小到1/2以下。特別地，在第五實(shí)施例中，由于一個(gè)像素11包括相鄰轉(zhuǎn)印的多個(gè)(這里 為兩個(gè))發(fā)光元件S,因而可將一個(gè)像素11中的發(fā)光特性平均到接近整個(gè)第二基板2的平 均值。第六實(shí)施例圖6A和圖6B是示出了本發(fā)明第六實(shí)施例的顯示器制造方法的特征部分的步驟 圖。第六實(shí)施例是第三實(shí)施例的變形例，并且是兩個(gè)發(fā)光元件構(gòu)成一個(gè)像素的示例。以下，
20與第一實(shí)施例一樣，參照這些附圖來(lái)說(shuō)明在顯示器的制造過(guò)程中將發(fā)光元件從第一基板安 裝到第二基板上的方法。首先，如圖6A所示，對(duì)于以特定的初始間距pxl和pyl排列在第一基板1上的多 個(gè)發(fā)光元件S，對(duì)諸如出射光色度或亮度等發(fā)光特性(這里為發(fā)光波長(zhǎng))的平面內(nèi)分布進(jìn)行 檢測(cè)。假設(shè)與第三實(shí)施例一樣由檢測(cè)可知發(fā)光元件S以發(fā)光特性從平面內(nèi)的一個(gè)端角沿 一個(gè)方向呈放射狀單調(diào)變化的分布被排列在第一基板1上。在此情況下，首先，在第一步驟中，將第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4設(shè)置在用于安裝 來(lái)自第一基板1的發(fā)光元件S的第二基板2上，并且按照與像素間距相同的正方形格子形 狀將發(fā)光元件S僅轉(zhuǎn)印至第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中的A部分中。這與第五實(shí)施例一樣。此后，在圖6B所示的第二步驟中，相對(duì)于第一步驟中已設(shè)置的各第一轉(zhuǎn)印區(qū)域 A1-1 A1-4，在平面內(nèi)將第一基板1旋轉(zhuǎn)180°。然后，將發(fā)光元件S依次集體轉(zhuǎn)印至第二 基板2上的各第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中。此時(shí)，在全部第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中，發(fā)光元件S僅被集體轉(zhuǎn)印到通過(guò)在行 方向上將一個(gè)像素11均分而得到的兩個(gè)部分中的另一個(gè)部分(例如，B部分)中。于是，以一個(gè)像素11中排列有兩個(gè)發(fā)光元件S的方式把發(fā)光元件S安裝到第二基 板2的各第一轉(zhuǎn)印區(qū)域A1-1 A1-4中。另外，構(gòu)成一個(gè)像素11的多個(gè)發(fā)光元件S的安裝 位置之間的差距比像素11的排列周期足夠小，并且構(gòu)成一個(gè)像素11的多個(gè)發(fā)光元件S由 同一信號(hào)驅(qū)動(dòng)，這與第五實(shí)施例一樣。通過(guò)上面的方法，把以初始間距pxl和pyl按照16行X8列排列在第一基板上的 128個(gè)發(fā)光元件S以依據(jù)特定的像素間距將初始間距pxl擴(kuò)大而得到的間距和將初始像素 間距pyl擴(kuò)大至2倍而得到的擴(kuò)大間距py2按照16行X8列重新排列到第二基板2上。如上所述重新排列到第二基板2上的發(fā)光元件S被分成在圖6A所示的第一步驟 中安裝的第一元件組G1和在圖6B所示的第二步驟中安裝的第二元件組G2。構(gòu)成第一元 件組G1和第二元件組G2的發(fā)光元件S與第三實(shí)施例一樣，以與第一基板1上的發(fā)光元件 S相同的發(fā)光特性分布排列著。因此，對(duì)以發(fā)光特性從平面內(nèi)的一個(gè)端角呈放射狀變化的分布排列在第一基板1 上的發(fā)光元件S進(jìn)行重新排列，從而將該發(fā)光特性分布除去，并且原始色度不均勻表現(xiàn)為 被減小到1/2以下。特別地，在第六實(shí)施例中，由于一個(gè)像素11由相鄰轉(zhuǎn)印的多個(gè)(這里 為兩個(gè))發(fā)光元件S構(gòu)成，因而可將一個(gè)像素11中的發(fā)光特性平均到接近整個(gè)第二基板2 的平均值。第七實(shí)施例圖7A 圖7D是示出了本發(fā)明第七實(shí)施例的顯示器制造方法的特征部分的步驟 圖。第七實(shí)施例是第四實(shí)施例的變形例，并且是兩個(gè)發(fā)光元件構(gòu)成一個(gè)像素的示例。以下， 與第一實(shí)施例一樣，參照這些附圖來(lái)說(shuō)明在顯示器的制造過(guò)程中將發(fā)光元件從第一基板安 裝到第二基板上的方法。首先，如圖7A所示，對(duì)于以特定的初始間距pxl和pyl排列在第一基板1上的多 個(gè)發(fā)光元件S，對(duì)諸如出射光色度或亮度等發(fā)光特性(這里為發(fā)光波長(zhǎng))的平面內(nèi)分布進(jìn)行 檢測(cè)。假設(shè)與第四實(shí)施例一樣由檢測(cè)得知發(fā)光元件S以發(fā)光特性從偏向于一個(gè)端角方向 的中心向外側(cè)呈放射狀變化的分布被排列在第一基板1上。
在此情況下，首先，在第一步驟中，將第一轉(zhuǎn)印區(qū)域Al-I A1-4設(shè)置在用于安裝 來(lái)自第一基板1的發(fā)光元件S的第二基板2上。然后，發(fā)光元件S僅被轉(zhuǎn)印到設(shè)置在第一 轉(zhuǎn)印區(qū)域Al-I A1-4中的那些像素11中每隔一個(gè)像素而排列著的像素11的A部分上， 并形成了格子圖形。接著，在圖7B所示的第二步驟中，調(diào)換第四實(shí)施例的第二步驟中的第一工序和第 二工序然后執(zhí)行。首先，進(jìn)行上述第二工序，將新的第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' -9設(shè)在 相對(duì)于之前設(shè)定的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域Al-I A1-4在發(fā)光元件S的排列的行方向和列方向上移 動(dòng)了半個(gè)尺寸的位置處。然后，將第一基板1布置成與各第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' -9 相對(duì)，并且對(duì)剩余在第一基板1上的發(fā)光元件S依次進(jìn)行轉(zhuǎn)印。此時(shí)，在全部第二轉(zhuǎn)印區(qū)域 A2' -1 A2' _9中，發(fā)光元件S僅被集體轉(zhuǎn)印到一個(gè)像素11中剩余的A部分中。
通過(guò)如上所述第二步驟的第二工序中的集體轉(zhuǎn)印，在平面內(nèi)移動(dòng)了第一元件組Gl 中的發(fā)光元件S的排列狀態(tài)的狀態(tài)下，第二元件組(第二組)G2(2)被安裝到第二基板2上 的各第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' _9中。另外，在該圖中，通過(guò)第一步驟的集體轉(zhuǎn)印而安 裝的第一元件組Gl的發(fā)光元件S由雙點(diǎn)劃線表示。接著，進(jìn)行圖7C所示的第二步驟的第一工序，在設(shè)在第二基板2上的各第一轉(zhuǎn)印 區(qū)域Al-I A1-4的平面內(nèi)將第一基板1旋轉(zhuǎn)了 180°的狀態(tài)下，通過(guò)集體轉(zhuǎn)印將第一基板 1上的發(fā)光元件S安裝到第二基板2上的發(fā)光元件S(該圖中以虛線表示)之間。此時(shí)，發(fā) 光元件S僅被轉(zhuǎn)印到設(shè)置在第一轉(zhuǎn)印區(qū)域Al-I A1-4中的那些像素11中每隔一個(gè)像素 而排列著的像素11的B部分上，并形成了格子圖形。通過(guò)上述第二步驟的第一工序中的集體轉(zhuǎn)印，在第一元件組Gl中的發(fā)光元件S的 排列狀態(tài)在平面內(nèi)被旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，將第二元件組(第一組)G2(l)安裝到第二基板2上的 各第一轉(zhuǎn)印區(qū)域Al-I A1-4中。另外，在該圖中，通過(guò)第一步驟的集體轉(zhuǎn)印而安裝的第一 元件組Gl的發(fā)光元件S和在第二步驟的第二工序中安裝的第二元件組(第二組)G2(2)的 發(fā)光元件S由雙點(diǎn)劃線表示。接著，在圖7D所示的第二步驟的第三工序中，在設(shè)在第二基板2上的各第二轉(zhuǎn)印 區(qū)域A2' -1 A2' _9的平面內(nèi)將第一基板1旋轉(zhuǎn)了 180°的狀態(tài)下，通過(guò)集體轉(zhuǎn)印將第 一基板1上的發(fā)光元件S安裝到第二基板2上的發(fā)光元件S (該圖中的虛線所示)之間。此 時(shí)，在全部第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' _9中，發(fā)光元件S僅被集體轉(zhuǎn)印至在一個(gè)像素11 中剩余的B部分中。通過(guò)上述第二步驟的第三工序中的集體轉(zhuǎn)印，在平面內(nèi)移動(dòng)并旋轉(zhuǎn)了第一元件組 Gl中的發(fā)光元件S的排列狀態(tài)的狀態(tài)下，將第二元件組(第三組)G2(3)安裝到第二基板2 上的各第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' -9中。于是，以兩個(gè)發(fā)光元件S排列在一個(gè)像素11中的方式把發(fā)光元件S安裝到第二基 板2上。另外，構(gòu)成一個(gè)像素11的多個(gè)發(fā)光元件S的安裝位置之間的差距被設(shè)定為比像素 11的排列周期足夠小，并且構(gòu)成一個(gè)像素11的多個(gè)發(fā)光元件S由同一信號(hào)驅(qū)動(dòng)，這與第五
實(shí)施例一樣。通過(guò)上面的方法，把以初始間距pxl和pyl按照16行X8列排列在第一基板1上 的128個(gè)發(fā)光元件S以依據(jù)特定的像素間距將初始間距pxl擴(kuò)大而得到的間距和將初始間 距pyl擴(kuò)大至2倍而得到的擴(kuò)大間距py2按照16行X8列重新排列到第二基板2上。
如上所述重新排列到第二基板2上的發(fā)光元件S被分成在圖7A所示的第一步驟中安裝的第一元件組Gl和在圖7B 圖7D所示的第二步驟的第一工序 第三工序中安裝 的第二元件組G2(l) G2(3)。構(gòu)成第一元件組Gl和第二元件組G2(l) G2 (3)的發(fā)光元 件S與第四實(shí)施例中的那些發(fā)光元件S —樣，以與第一基板1上的發(fā)光元件S相同的發(fā)光 特性分布排列著。因此，以發(fā)光特性在平面內(nèi)從偏向于一個(gè)端角方向的中心到外側(cè)呈放射狀變化的 分布排列在第一基板1上的發(fā)光元件S被重新排列，從而將該發(fā)光特性分布除去，并且原始 色度不均勻表現(xiàn)為被減小到1/2以下。特別地，在第七實(shí)施例中，由于一個(gè)像素11由相鄰 轉(zhuǎn)印的多個(gè)(這里為兩個(gè))發(fā)光元件S構(gòu)成，因而可將一個(gè)像素11中的發(fā)光特性平均到接 近整個(gè)第二基板2的平均值。特別地，在包括上述各工序的過(guò)程中，一個(gè)像素11包括處于第一基板1被移動(dòng)的 位置處的發(fā)光元件S。因此，當(dāng)?shù)谝换?中的波長(zhǎng)分布的對(duì)稱性高時(shí)，通過(guò)選擇上述過(guò)程 能夠有效地減小像素中的平均波長(zhǎng)的偏差。另外，在第七實(shí)施例的第二步驟中，可以按照任何順序進(jìn)行第一 第三工序以及 各工序中的集體轉(zhuǎn)印。例如，與第四實(shí)施例一樣，可以在第二步驟的第一工序中，在各第一 轉(zhuǎn)印區(qū)域Al-I A1-4的平面內(nèi)將第一基板1旋轉(zhuǎn)了 180°的狀態(tài)下，將發(fā)光元件S集體轉(zhuǎn) 印到像素11中剩余的A部分中。在第二步驟的第二工序中，設(shè)置了其里面的第一轉(zhuǎn)印區(qū)域 被移動(dòng)的第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' _9，并且將發(fā)光元件S僅轉(zhuǎn)印到多個(gè)像素11中每隔 一個(gè)像素而排列著的像素11的B部分上并形成了格子圖形。此外，在第二步驟的第三工序 中，在被移動(dòng)的第二轉(zhuǎn)印區(qū)域A2' -1 A2' _9中，在第一基板1被旋轉(zhuǎn)了 180°的狀態(tài) 下，將發(fā)光元件S集體轉(zhuǎn)印到像素11中剩余的B部分中。在此情況下，一個(gè)像素11由在第一基板1被旋轉(zhuǎn)180°的位置處的發(fā)光元件S構(gòu) 成。因此，當(dāng)?shù)谝换?中的波長(zhǎng)分布的不對(duì)稱性高時(shí)，通過(guò)選擇上述過(guò)程能夠有效地減小 像素中的平均波長(zhǎng)的偏差。第八實(shí)施例圖8A⑴ 圖8E是示出了應(yīng)用了第一實(shí)施例 第七實(shí)施例的重新排列的顯示器 制造方法的步驟圖。以下，參照這些附圖來(lái)說(shuō)明從在第一基板1上形成發(fā)光元件到制造出 顯示器的過(guò)程。首先，如圖8A(1)所示，準(zhǔn)備由藍(lán)寶石等制成的用于晶體生長(zhǎng)的生長(zhǎng)基板21。在生 長(zhǎng)基板21上依次形成由n-GaN制成的η型覆蓋層23、層疊有InGaN/GaN的具有多重量子阱 結(jié)構(gòu)(MQW結(jié)構(gòu))的發(fā)光層25、以及由p-GaN制成的ρ型覆蓋層27。上述成膜過(guò)程通過(guò)例 如MOCVD方法進(jìn)行。接著，如圖8A (2)所示，在ρ型覆蓋層27的各元件區(qū)域中圖形化形成ρ型電極29。 P型電極29的形成過(guò)程通過(guò)形成電極膜的蒸發(fā)成膜工藝和從通過(guò)執(zhí)行平版印刷法而形成 的掩模圖形上對(duì)該電極膜進(jìn)行蝕刻來(lái)實(shí)現(xiàn)。此后，如圖8Α(3)所示，對(duì)各元件區(qū)域的ρ型覆蓋層27、發(fā)光層25和η型覆蓋層 23進(jìn)行圖形化，并進(jìn)行元件分離。例如從通過(guò)執(zhí)行平版印刷法而形成的掩模圖形上進(jìn)行蝕 刻來(lái)進(jìn)行該元件分離。接著，如圖8Α(4)所示，支撐基板33通過(guò)粘接層31與生長(zhǎng)基板21的元件形成面?zhèn)日澈?。該支撐基?3由例如樹脂材料制成。特別地，在本實(shí)施例中，支撐基板33被用作 第一實(shí)施例 第七實(shí)施例中的第一基板1。因此，重要的是支撐基板33應(yīng)該由能夠讓激 光透過(guò)的材料制成。接著，如圖8B(1)所示，從生長(zhǎng)基板21側(cè)向η型覆蓋層23照射激光h。該激光是 紫外脈沖波。于是，如圖8B (2)所示，使η型覆蓋層23與生長(zhǎng)基板21分離，并且將生長(zhǎng)基板21 剝掉，η型覆蓋層23等脫離生長(zhǎng)基板21后仍保留在支撐基板33上。
此后，如圖8Β (3)所示，在各個(gè)被隔開的η型覆蓋層23上圖形化形成η型電極35， 并在被隔開的η型覆蓋層23之間對(duì)粘接層31進(jìn)行圖形化從而實(shí)現(xiàn)元件間分離(element re-separation)。此時(shí)，通過(guò)電極膜的蒸發(fā)成膜工藝和從通過(guò)執(zhí)行平版印刷法而形成的掩 模圖形上對(duì)該電極膜進(jìn)行蝕刻來(lái)形成η型電極35。此外，例如從通過(guò)執(zhí)行平版印刷法而形 成的掩模圖形上進(jìn)行蝕刻來(lái)實(shí)現(xiàn)元件間分離。通過(guò)上面的方法，由LED構(gòu)成的發(fā)光元件S以特定的初始間距pxl和pyl形成且 排列在支撐基板33上。在這些發(fā)光元件S中，例如，η型電極35的形成面?zhèn)仁前l(fā)光表面。接著，如圖8C(1)所示，支撐基板33被當(dāng)作第一實(shí)施例 第七實(shí)施例中的第一基 板1，并且以擴(kuò)大間距將發(fā)光元件S從該支撐基板33 (第一基板1)安裝到臨時(shí)保持基板37 上。該臨時(shí)保持基板37是第一實(shí)施例 第七實(shí)施例中的第二基板2。對(duì)于臨時(shí)保持基板 37，假設(shè)從平面視圖看到的水平尺寸和垂直尺寸例如比第一基板1大整數(shù)倍，并且它的形 狀大體上與本申請(qǐng)所要制造的顯示器的形狀相同，或者水平尺寸和垂直尺寸大約比顯示器 的水平尺寸和垂直尺寸小整數(shù)倍。在下文中，上述兩個(gè)基板被簡(jiǎn)稱為第一基板1和第二基 板2。此時(shí)，首先，在第二基板2的一個(gè)主表面上形成由諸如硅樹脂橡膠等具有微粘結(jié) 特性的彈性材料制成的帶有較小粘結(jié)性的粘接層39，并且第一基板1上的發(fā)光元件S的形 成面?zhèn)缺徊贾贸膳c粘接層39的形成面?zhèn)认鄬?duì)。此時(shí)，將第一基板1與第二基板2上的粘接 層39之間的間距d設(shè)成發(fā)光元件S的兩倍以上是很重要的。在此狀態(tài)下，將激光h選擇性地照射至要從第一基板1側(cè)被轉(zhuǎn)印到第二基板2側(cè) 的發(fā)光元件S部分的粘接層31上。此時(shí)，在第一基板1側(cè)上設(shè)置了未圖示的遮光掩模之后 進(jìn)行激光h的照射，將激光h同時(shí)照射至多個(gè)發(fā)光元件S部分上。于是，被激光h照射的部 分的粘接層31受到磨蝕，并且相應(yīng)的多個(gè)發(fā)光元件S被集體轉(zhuǎn)印到第二基板2側(cè)。在這種 磨蝕下，能量使得吸收了激光h的粘接層31 (犧牲層)的溫度急劇升高、該層被氣化，從而 使元件脫離開，該元件通過(guò)氣壓基本上沿垂直方向飛出并且落在元件接收基板上的粘接部 上。按照第一實(shí)施例 第七實(shí)施例中的第一步驟的集體轉(zhuǎn)印，進(jìn)行了上述集體轉(zhuǎn)印， 從而將所選的發(fā)光元件S安裝到設(shè)在第二基板2上的各區(qū)域中。接著，如圖8C(2)所示，相對(duì)于第二基板2使第一基板1移動(dòng)或旋轉(zhuǎn)。此時(shí)，通過(guò) 將第一基板1與第二基板2上的粘接層39之間的間距d保持為大于發(fā)光元件S的兩倍，就 可以不考慮第一步驟中已安裝到第二基板上的發(fā)光元件S來(lái)設(shè)置第一基板1相對(duì)于第二基 板2的排列狀態(tài)。在此狀態(tài)下，將激光h選擇性地照射至要從第一基板1側(cè)被轉(zhuǎn)印到第二基板2側(cè)的發(fā)光元件S部分的粘接層31上。此時(shí)，與第一步驟中一樣，在第一基板1側(cè)上設(shè)置了未圖示的遮光掩模之后進(jìn)行激光h的照射，將激光h同時(shí)照射至多個(gè)發(fā)光元件S部分上。于 是，被激光h照射的部分的粘接層31受到磨蝕，并且相應(yīng)的多個(gè)發(fā)光元件S被集體轉(zhuǎn)印到 第二基板2上。按照第一實(shí)施例 第七實(shí)施例中的第二步驟的集體轉(zhuǎn)印，進(jìn)行了上述集體轉(zhuǎn)印， 并且在設(shè)在第二基板2上的各區(qū)域中進(jìn)行該集體轉(zhuǎn)印以使發(fā)光元件S被轉(zhuǎn)印到已經(jīng)安裝于 第二基板2上的發(fā)光元件S之間。通過(guò)上述第一步驟和第二步驟中的集體轉(zhuǎn)印，把以特定的初始間距pxl和pyl排 列在第一基板1上的發(fā)光元件S按照擴(kuò)大到像素間距的擴(kuò)大間距PX2和py2重新排列到第 二基板2上。當(dāng)應(yīng)用第五實(shí)施例 第七實(shí)施例對(duì)發(fā)光元件S進(jìn)行重新排列時(shí)，由圖8C(1)的 第一步驟中所安裝的發(fā)光元件S和圖8C(2)的第二步驟中所安裝的發(fā)光元件S形成的兩個(gè) 相鄰發(fā)光元件S以彼此接近的狀態(tài)被排列在同一像素區(qū)域內(nèi)?？梢栽诘谝换?上的發(fā)光 元件S與第二基板2側(cè)接觸的狀態(tài)下，進(jìn)行圖8C(1)所示的發(fā)光元件S的從第一基板1到 第二基板2的第一次安裝。接著，如圖8D(1)所示，準(zhǔn)備形成有顯示器的驅(qū)動(dòng)布線等的器件基板41。器件基 板41設(shè)有例如多條掃描線43，并且在各條掃描線43上的像素區(qū)域中圖形化形成有導(dǎo)電性 粘接層45。第二基板2的發(fā)光元件S保持面?zhèn)缺徊贾贸膳c器件基板41的導(dǎo)電性粘接層45 的形成面?zhèn)认鄬?duì)，并將器件基板41和第二基板2定位從而使各導(dǎo)電性粘接層45和發(fā)光元 件S —對(duì)一彼此對(duì)應(yīng)。在此狀態(tài)下，將第二基板2按壓到器件基板41上，將發(fā)光元件S粘連并固定至導(dǎo) 電性粘接層45上。此時(shí)，通過(guò)將未固化的粘合劑(此處未圖示)設(shè)在器件基板41側(cè)上，使 第二基板2與器件基板41處于壓力接觸狀態(tài)。接著，如圖8D(2)所示，發(fā)光元件S在被固定至導(dǎo)電性粘接層45上的狀態(tài)下而被 保留在器件基板41上，并且從器件基板41側(cè)將第二基板2 (臨時(shí)保持基板37)和上部粘接 層39剝除。這樣，由于器件基板41上的粘合劑的粘結(jié)力比第二基板2上的微粘結(jié)特性層 的粘結(jié)力足夠大，因而將發(fā)光元件S從第二基板2上脫離開并安裝到器件基板41側(cè)。圖8E中的截面圖和平面圖示出了后續(xù)步驟。該截面圖對(duì)應(yīng)于平面圖中的A-A ‘截 面。如這些圖所示，層間絕緣膜47(僅在截面圖中示出)覆蓋了以特定的像素間距(擴(kuò)大 間距)px2和py2布置有發(fā)光元件S的器件基板41。接著，在層間絕緣膜47中形成使各發(fā) 光元件S的η型電極35露出的接線孔47a(僅在截面圖中示出)。此后，在層間絕緣膜47上形成了通過(guò)接線孔47a與η型電極35連接的布線，以作 為例如信號(hào)線49。該信號(hào)線49相對(duì)于掃描線43在垂直方向上延伸，并且被布置成讓多個(gè) 發(fā)光元件S與一條信號(hào)線49連接的狀態(tài)。此外，對(duì)應(yīng)于設(shè)在掃描線43與信號(hào)線49的各個(gè) 交叉部處的各個(gè)像素均配置有發(fā)光元件S。另外，當(dāng)應(yīng)用第五實(shí)施例 第七實(shí)施例并且重新排列發(fā)光元件S時(shí)，對(duì)應(yīng)于設(shè)在 掃描線43與信號(hào)線49的各個(gè)交叉部處的各個(gè)像素均配置有多個(gè)(兩個(gè))發(fā)光元件S。這 兩個(gè)發(fā)光元件S串聯(lián)或并聯(lián)連接在同一掃描線43與信號(hào)線49之間。按照如上所述的方式，完成了以特定的像素間距ρχ2和py2重新排列多個(gè)發(fā)光元 件S而形成的顯示器51。
以此方式得到的顯示器51的特征在于發(fā)光元件S通過(guò)第一實(shí)施例 第七實(shí)施例 所述的集體轉(zhuǎn)印在圖8D⑴和圖8D⑵所示的步驟中被重新排列。因此，生長(zhǎng)基板21和第 一基板1上的元件排列中的發(fā)光特性分布被擴(kuò)散開，并且能夠?qū)崿F(xiàn)防止了從視覺上感知到 色度不均勻且具有良好顯示質(zhì)量的顯示器。另外，在第八實(shí)施例中，在參照?qǐng)D8C(1)和圖8C(2)所述的步驟中，對(duì)于將間距擴(kuò) 大并且將發(fā)光元件S從支撐基板33 (第一基板1)安裝到臨時(shí)保持基板37 (第二基板2)上 的過(guò)程進(jìn)行了說(shuō)明。然而，能夠?qū)⒈景l(fā)明應(yīng)用到在不同基板之間對(duì)發(fā)光元件S進(jìn)行重新排 列并且發(fā)光元件S的排列狀態(tài)如第一實(shí)施例 第七實(shí)施例所述那樣有所變化的各種安裝 方法上，并且能夠得到如第一實(shí)施例 第七實(shí)施例中所說(shuō)明的相同效果。例如，第二基板不 限于臨時(shí)保持基板37，可以使用設(shè)有布線等的器件基板(布線基板)代替臨時(shí)保持基板37 作為第二基板。此外，針對(duì)一個(gè)支撐基板33 (第一基板1)可以使用多個(gè)臨時(shí)保持基板37。 此外，還可以采用如下過(guò)程在將發(fā)光元件S第一次安裝到臨時(shí)保持基板37上之后，將發(fā)光 元件S繼續(xù)從臨時(shí)保持基板37安裝到器件基板(布線基板)上，并且重復(fù)進(jìn)行上述過(guò)程。第九實(shí)施例 圖9A和圖9B是示出了應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的顯示器的電路結(jié)構(gòu)圖。以下，參照 這些附圖來(lái)說(shuō)明顯示器的電路結(jié)構(gòu)。首先，圖9A所示的顯示器51a是無(wú)源矩陣型顯示器，并且具有如下電路結(jié)構(gòu)。也 就是說(shuō)，在器件基板41上設(shè)有顯示區(qū)域41a及其周邊區(qū)域41b。在顯示區(qū)域41a中，橫縱交 叉地設(shè)置有多條掃描線43和多條信號(hào)線49，從而構(gòu)造出像素陣列部，在該像素陣列部中， 對(duì)應(yīng)于掃描線和信號(hào)線的每個(gè)交叉部都設(shè)置有一個(gè)像素11并且對(duì)應(yīng)于各個(gè)像素11都配置 有發(fā)光元件S。當(dāng)應(yīng)用第五實(shí)施例 第七實(shí)施例從而對(duì)應(yīng)于一個(gè)像素11重新排列有多個(gè)發(fā)光元 件S時(shí)，該多個(gè)發(fā)光元件S串聯(lián)或者并聯(lián)連接并排列在掃描線43與信號(hào)線49之間。在周邊區(qū)域41b中設(shè)置有對(duì)掃描線43進(jìn)行掃描驅(qū)動(dòng)的行驅(qū)動(dòng)電路53和向信號(hào)線 49供給與亮度信息對(duì)應(yīng)的視頻信號(hào)(即，輸入信號(hào))的列驅(qū)動(dòng)電路55。于是，與上述信號(hào)量對(duì)應(yīng)的電流被供給至通過(guò)掃描線43和信號(hào)線49選擇的像素 11的發(fā)光元件S，并且該發(fā)光元件S以與該電流值對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光。圖9B所示的顯示器51b是有源矩陣型顯示器，并且具有如下電路結(jié)構(gòu)。也就是 說(shuō)，在器件基板41上設(shè)有顯示區(qū)域41a和周邊區(qū)域41b。在顯示區(qū)域41a中橫縱交叉地設(shè) 有多條掃描線43和多條信號(hào)線49，從而構(gòu)造出像素陣列部，在該像素陣列部中，對(duì)應(yīng)于掃 描線和信號(hào)線的每個(gè)交叉部都設(shè)置有一個(gè)像素11。此外，在周邊區(qū)域41b中設(shè)置有對(duì)掃描 線43進(jìn)行掃描驅(qū)動(dòng)的行驅(qū)動(dòng)電路53和向信號(hào)線49提供與亮度信息對(duì)應(yīng)的視頻信號(hào)(即， 輸入信號(hào))的列驅(qū)動(dòng)電路55。對(duì)應(yīng)于設(shè)置在掃描線43與信號(hào)線49的各交叉部處的各像素11都設(shè)置有像素電 路。各像素電路例如包括開關(guān)用的薄膜晶體管Trl、驅(qū)動(dòng)用的薄膜晶體管Tr2、保持電容 Cs和發(fā)光元件S。開關(guān)用的薄膜晶體管Trl與掃描線43和信號(hào)線49連接，并且驅(qū)動(dòng)用的 薄膜晶體管Tr2和保持電容Cs與薄膜晶體管Trl連接。驅(qū)動(dòng)用的薄膜晶體管Tr2和保持 電容Cs與公共電源線(Vcc) 57連接，并且發(fā)光元件S與驅(qū)動(dòng)用的薄膜晶體管Tr2和電源線 59連接。通過(guò)開關(guān)用的薄膜晶體管Trl把從信號(hào)線49寫入的視頻信號(hào)保持在保持電容Cs中，從驅(qū)動(dòng)用的薄膜晶體管Tr2將與所保持的信號(hào)量對(duì)應(yīng)的電流供給至發(fā)光元件S中，并且 該發(fā)光元件S以與該電流值對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光。如上所述的像素電路的結(jié)構(gòu)僅僅是一個(gè)示例，視需要可在該像素電路中設(shè)置有電 容元件，或者還可設(shè)置有用于形成該像素電路的多個(gè)晶體管。此外，根據(jù)像素電路的變化可 向周邊區(qū)域41b中添加必要的驅(qū)動(dòng)電路。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他因素，可以在本發(fā)明所附的權(quán)利 要求或其等同物的范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改、組合、次組合及改變。
權(quán)利要求
一種顯示器制造方法，它包括第一步驟，把形成且排列在第一基板上的多個(gè)發(fā)光元件中每隔特定數(shù)量的發(fā)光元件而排列著的發(fā)光元件集體轉(zhuǎn)印至已設(shè)定在第二基板上的轉(zhuǎn)印區(qū)域中；和第二步驟，在相對(duì)于所述第二基板上的所述轉(zhuǎn)印區(qū)域使所述第一基板移動(dòng)的狀態(tài)和在平面內(nèi)使所述第一基板旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)中的至少一個(gè)狀態(tài)下，將剩余在所述第一基板上的發(fā)光元件轉(zhuǎn)印至已安裝到所述第二基板上的多個(gè)發(fā)光元件之間。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示器制造方法，其中，在所述第一步驟和所述第二步驟中，在 使所述第一基板移動(dòng)的狀態(tài)下將所述多個(gè)發(fā)光元件依次集體轉(zhuǎn)印至已排列并設(shè)定在所述 第二基板上的多個(gè)相鄰轉(zhuǎn)印區(qū)域中，以特定間距將所述多個(gè)發(fā)光元件排列在所述第二基板 上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的顯示器制造方法，其中，在所述第一步驟中，將排列在所述第一基板上的發(fā)光元件中每隔若干個(gè)元件而排列著 的發(fā)光元件集體轉(zhuǎn)印至所述第二基板的轉(zhuǎn)印區(qū)域中，并且在所述第二步驟中，將剩余在所述第一基板上的發(fā)光元件轉(zhuǎn)印至在所述第一步驟中已 安裝到所述第二基板上的發(fā)光元件之間，并使所述第二基板上的元件間距比所述第一基板 上的元件間距寬。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的顯示器制造方法，其中，把所述第一基板上的發(fā)光 元件排列成具有發(fā)光特性從所述第一基板平面內(nèi)的中心到兩側(cè)變化的分布，并且在所述第二步驟中，把相對(duì)于在所述第一步驟中已設(shè)定在所述第二基板上的轉(zhuǎn)印區(qū)域 在所述發(fā)光特性變化的方向上移動(dòng)了半個(gè)尺寸的新轉(zhuǎn)印區(qū)域設(shè)置在所述第二基板上，并且 將剩余在所述第一基板上的發(fā)光元件集體轉(zhuǎn)印至所述第二基板上的所述新轉(zhuǎn)印區(qū)域中。
5.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的顯示器制造方法，其中，把所述第一基板上的發(fā)光元件排列成具有發(fā)光特性從所述第一基板平面內(nèi)的中心到 外側(cè)呈放射狀變化的分布，并且在所述第二步驟中，將相對(duì)于所述第一步驟中已設(shè)定在所述第二基板上的轉(zhuǎn)印區(qū)域在 縱向方向和橫向方向上移動(dòng)了半個(gè)尺寸的新轉(zhuǎn)印區(qū)域設(shè)置在所述第二基板上，并且將剩余 在所述第一基板上的發(fā)光元件集體轉(zhuǎn)印至所述第二基板上的所述新轉(zhuǎn)印區(qū)域中。
6.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的顯示器制造方法，其中，把所述第一基板上的發(fā)光元件排列成具有發(fā)光特性從所述第一基板平面內(nèi)的一個(gè)端 角呈放射狀變化的分布，并且在所述第二步驟中，在所述第一步驟中已設(shè)定在所述第二基板上的轉(zhuǎn)印區(qū)域中使所述 第一基板在平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)180°的狀態(tài)下，將剩余在所述第一基板上的發(fā)光元件集體轉(zhuǎn)印至 該轉(zhuǎn)印區(qū)域中。
7.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的顯示器制造方法，其中，把所述第一基板上的發(fā)光元件排列成具有發(fā)光特性從所述第一基板平面內(nèi)的偏向于 一個(gè)端角方向的中心向外側(cè)呈放射狀變化的分布，在所述第一步驟中，把形成且排列在所述第一基板上的所述多個(gè)發(fā)光元件的1/4轉(zhuǎn)印 到所述第二基板上，并且所述第二步驟包括第一工序，在該第一工序中，在所述第一步驟中已設(shè)定在所述第二基板上的轉(zhuǎn)印區(qū)域 中使所述第一基板在平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)180°的狀態(tài)下，將剩余在所述第一基板上的發(fā)光元件的 1/3集體轉(zhuǎn)印到該轉(zhuǎn)印區(qū)域中；第二工序，在該第二工序中，將相對(duì)于所述第一步驟中已設(shè)定在所述第二基板上的轉(zhuǎn) 印區(qū)域在該轉(zhuǎn)印區(qū)域的縱向方向和橫向方向上移動(dòng)了半個(gè)尺寸的新轉(zhuǎn)印區(qū)域設(shè)置在所述 第二基板上，并且將剩余在所述第一基板上的發(fā)光元件的1/3集體轉(zhuǎn)印到所述第二基板上 的所述新轉(zhuǎn)印區(qū)域中；以及第三工序，在該第三工序中，在所述第二工序中已設(shè)置的所述新轉(zhuǎn)印區(qū)域中使所述第 一基板在平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)180°的狀態(tài)下，將剩余在所述第一基板上的發(fā)光元件的1/3集體轉(zhuǎn) 印到該轉(zhuǎn)印區(qū)域中。
8.如權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的顯示器制造方法，其中，由在所述第一步驟和所述 第二步驟中被轉(zhuǎn)印到所述第二基板上的發(fā)光元件中兩個(gè)相鄰的發(fā)光元件形成一個(gè)像素。
9.如權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)所述的顯示器制造方法，其中，在進(jìn)行所述第一步驟之前，執(zhí)行對(duì)形成且排列在所述第一基板上的所述多個(gè)發(fā)光元件 的發(fā)光特性的平面內(nèi)分布進(jìn)行檢測(cè)的步驟，并且在所述第二步驟中，根據(jù)檢測(cè)到的發(fā)光特性的平面內(nèi)分布，讓所述第一基板處于相對(duì) 于所述第二基板使所述第一基板移動(dòng)的狀態(tài)和在平面內(nèi)使所述第一基板旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)中的 至少一個(gè)狀態(tài)下，并進(jìn)行所述發(fā)光元件的轉(zhuǎn)印。
10.一種顯示器，它包括第一元件組，它包含多個(gè)發(fā)光元件，這些發(fā)光元件被排列成發(fā)光特性呈特定分布；和第二元件組，它包括多個(gè)發(fā)光元件，其中以與所述第一元件組相同的分布來(lái)排列所述 第二元件組的所述多個(gè)發(fā)光元件，并且在相對(duì)于所述第一元件組使排列區(qū)域移動(dòng)的狀態(tài)和 在平面內(nèi)使所述第一元件組中的排列狀態(tài)旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)中的至少一個(gè)狀態(tài)下，將所述第二元 件組的所述多個(gè)發(fā)光元件排列在構(gòu)成所述第一元件組的所述多個(gè)發(fā)光元件之間。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示器，其中，所述第一元件組和所述第二元件組分別被設(shè) 置在彼此相鄰的多個(gè)排列區(qū)域中。
12.如權(quán)利要求10或11所述的顯示器，其中，在所述第一元件組和所述第二元件組中，以發(fā)光特性從所述排列區(qū)域平面內(nèi)的中心向 兩側(cè)變化的分布來(lái)排列所述發(fā)光元件，并且所述第二元件組的排列區(qū)域被設(shè)置為相對(duì)于所述第一元件組的排列區(qū)域在所述發(fā)光 特性變化的方向上移動(dòng)半個(gè)尺寸。
13.如權(quán)利要求10或11所述的顯示器，其中，在所述第一元件組和所述第二元件組中，以發(fā)光特性從所述排列區(qū)域平面內(nèi)的中心向 外側(cè)呈放射狀變化的分布來(lái)排列所述發(fā)光元件，并且所述第二元件組的排列區(qū)域被設(shè)置為相對(duì)于所述第一元件組的排列區(qū)域在縱向方向 和橫向方向上移動(dòng)半個(gè)尺寸。
14.如權(quán)利要求10或11所述的顯示器，其中，在所述第一元件組和所述第二元件組中，以發(fā)光特性從所述排列區(qū)域平面內(nèi)的一個(gè)端 角呈放射狀變化的分布來(lái)排列所述發(fā)光元件，并且以將所述第一元件組中的排列狀態(tài)在平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)180°的排列狀態(tài)來(lái)設(shè)置所述第二元 件組。
15.如權(quán)利要求10或11所述的顯示器，其中，在所述第一元件組和所述第二元件組中，以發(fā)光特性從平面內(nèi)的偏向于一個(gè)端角方向 的中心向外側(cè)呈放射狀變化的分布來(lái)排列所述發(fā)光元件，并且所述第二元件組包括第一組，它被設(shè)置為處于使所述第一元件組中的排列狀態(tài)在平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)180°的排列 狀態(tài)，第二組，它被設(shè)置在相對(duì)于所述第一元件組的排列區(qū)域在縱向方向和橫向方向上移動(dòng) 了半個(gè)尺寸的排列區(qū)域中，以及第三組，它被設(shè)置在相對(duì)于所述第一元件組的排列區(qū)域在縱向方向和橫向方向上移動(dòng) 了半個(gè)尺寸的排列區(qū)域中且處于使所述第一元件組中的排列狀態(tài)在平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)180°的排 列狀態(tài)。
16.如權(quán)利要求10 15中任一項(xiàng)所述的顯示器，其中，一個(gè)像素包括彼此相鄰排列著 的所述第一元件組的發(fā)光元件和所述第二元件組的發(fā)光元件。
全文摘要
本發(fā)明公開了顯示器制造方法和顯示器，該顯示器制造方法包括第一步驟，把形成且排列在第一基板上的多個(gè)發(fā)光元件中每隔特定數(shù)量的發(fā)光元件而排列著的發(fā)光元件集體轉(zhuǎn)印至已設(shè)定在第二基板上的轉(zhuǎn)印區(qū)域中；以及第二步驟，在相對(duì)于所述第二基板上的轉(zhuǎn)印區(qū)域使所述第一基板移動(dòng)的狀態(tài)和在平面內(nèi)使所述第一基板旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)中的至少一個(gè)狀態(tài)下，將剩余在所述第一基板上的發(fā)光元件轉(zhuǎn)印至已安裝到所述第二基板上的多個(gè)發(fā)光元件之間。即使將發(fā)光元件形成且排列在第一基板上且使得發(fā)光特性以特定分布變化，但這些發(fā)光元件會(huì)在第二步驟中被轉(zhuǎn)印至已安裝在第二基板上的發(fā)光元件之間，從而除去第一步驟中集體轉(zhuǎn)印至第二基板上的發(fā)光元件的發(fā)光特性分布。
文檔編號(hào)G09F9/30GK101859714SQ20101013846
公開日2010年10月13日 申請(qǐng)日期2010年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月10日
發(fā)明者友田勝寬, 土居正人, 大畑豐治, 平尾直樹 申請(qǐng)人:索尼公司