專利名稱：電路結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電路結(jié)構(gòu)，且特別是一種用于源極驅(qū)動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著電子顯示技術(shù)的不斷演進(jìn)，各種薄型化的面板顯示器已成為生活中主要的 多媒體影像載體，例如薄膜晶體管液晶顯示器(thinfilm transistor liquid crystal display,TFT-LCD)與有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(active matrix organic light emitting diode, AMOLED)式顯示器逐漸成為目前家庭、公司或各種應(yīng)用場合常見的電子顯示裝置。為了使顯示裝置能夠準(zhǔn)確且實(shí)時(shí)播放影像信息，顯示裝置中的驅(qū)動(dòng)電路至關(guān)重 要。驅(qū)動(dòng)電路用以將每一掃描線預(yù)先讀入對(duì)應(yīng)各掃描線的暫存緩沖器中，隨即根據(jù)掃描時(shí) 脈信號(hào)將各掃描線的信息依序加載各自的相素負(fù)載當(dāng)中，由此產(chǎn)生穩(wěn)定的顯示效果。請(qǐng)參閱圖1，圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中源極驅(qū)動(dòng)電路1的功能方塊圖。如圖1所 示，源極驅(qū)動(dòng)電路1可一次對(duì)應(yīng)多條掃描線(如LINEO LINEx)的需求，對(duì)每一條掃描 線而言，源極驅(qū)動(dòng)電路1包含了樣本緩存器(sample register) 10、數(shù)據(jù)鎖存電路(data latchcircuit)12、電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路(或電壓位準(zhǔn)轉(zhuǎn)換電路，voltage levelshifter) 14、 數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(digital-to-analog converter, DAC) 16 以及運(yùn)算放大器(operational amplifier, 0ΡΑΜΡ) 18等依序串接的電子組件。其中，數(shù)據(jù)鎖存電路12根據(jù)鎖存控制信號(hào)LAT的控制，用以將預(yù)定播放的信號(hào) (如正向輸入信號(hào)與反向輸入信號(hào)D/DB)從樣本緩存器10中讀取出來，并且以電壓信號(hào)的 型態(tài)暫時(shí)將其鎖存在數(shù)據(jù)鎖存電路12中。接著，電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路14用以將數(shù)據(jù)鎖存電路12中鎖存的電壓信號(hào)的電壓準(zhǔn) 位進(jìn)一步提升，對(duì)應(yīng)后續(xù)數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器16以及運(yùn)算放大器18所需的驅(qū)動(dòng)電壓輸入范圍， 產(chǎn)生輸出信號(hào)(如正向輸出信號(hào)與反向輸入信號(hào)0UT/0UTB)。請(qǐng)一并參閱圖2。圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)據(jù)鎖存電路12與電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路 14的電路示意圖。如圖2所示，分別設(shè)置的數(shù)據(jù)鎖存電路12與電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路14其電 路結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，數(shù)據(jù)鎖存電路12需設(shè)置兩個(gè)反向器的邏輯電路以實(shí)現(xiàn)鎖存的效果，電壓 準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路14也需要數(shù)個(gè)耐壓晶體管開關(guān)元件。采用此種數(shù)據(jù)鎖存電路12與電壓準(zhǔn)位 轉(zhuǎn)換電路14分別設(shè)置的電路結(jié)構(gòu)其設(shè)置成本高、電路布局面積較大且數(shù)據(jù)傳輸效率受限。本發(fā)明提出了一種用于源極驅(qū)動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)，其可作為結(jié)合數(shù)據(jù)鎖存與電壓 準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換兩種功能的多功能電路結(jié)構(gòu)，以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種電路結(jié)構(gòu)，用于源極驅(qū)動(dòng)電路，該源極驅(qū)動(dòng)電路 包含樣本緩存器以及數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，該電路結(jié)構(gòu)耦接于該樣本緩存器與該數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換 器之間。根據(jù)一個(gè)具體實(shí)施例，該電路結(jié)構(gòu)包含多功能開關(guān)電路以及控制模塊。多功能開關(guān)電路與提升電壓端以及系統(tǒng)接地端耦接，多功能開關(guān)電路具有正向輸入端、反向輸入端 以及正向輸出端。控制模塊耦接至正向輸入端以及反向輸入端，該控制模塊根據(jù)鎖存控制 信號(hào)選擇性地將來自該樣本緩存器的正向輸入信號(hào)以及反向輸入信號(hào)分別導(dǎo)通至正向輸 入端及反向輸入端。其中，本發(fā)明的多功能開關(guān)電路至少可具有電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路(level shifter) 以及數(shù)據(jù)鎖存電路(data latch)兩種功能。當(dāng)多功能開關(guān)電路作為電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路時(shí)， 多功能開關(guān)電路根據(jù)導(dǎo)通至該正向輸入端與該反向輸入端的該正向輸入信號(hào)與該反向輸 入信號(hào)控制該正向輸出端的輸出狀態(tài)，若該正向輸入端為高電壓準(zhǔn)位且該反向輸入端為低 電壓準(zhǔn)位時(shí)，則該多功能開關(guān)電路將該提升電壓端導(dǎo)通至該正向輸出端以輸出提升電壓輸 出信號(hào)，若該正向輸入端為低電壓準(zhǔn)位且該反向輸入端為高電壓準(zhǔn)位時(shí)，則該多功能開關(guān) 電路將該系統(tǒng)接地端導(dǎo)通至該正向輸出端。而當(dāng)多功能開關(guān)電路作為數(shù)據(jù)鎖存電路時(shí)，也就是該控制模塊根據(jù)該鎖存控制信 號(hào)使該正向輸入端與該反向輸入端空接(floating)時(shí)，該多功能開關(guān)電路用以栓鎖該正 向輸出端的電壓準(zhǔn)位。在該電路結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式中，該電路結(jié)構(gòu)中的該多功能開關(guān)電路還具有反向 輸出端，該多功能開關(guān)電路包含第一開關(guān)模塊、第二開關(guān)模塊和第三開關(guān)模塊。第一開關(guān)模 塊用以選擇性地將該提升電壓端耦接至該正向輸出端或該反向輸出端；第二開關(guān)模塊用以 選擇性地將該系統(tǒng)接地端耦接至該正向輸出端或該反向輸出端；而第三開關(guān)模塊受該正向 輸入端以及該反向輸入端的控制，用以選擇性地將該正向輸出端或該反向輸出端耦接至該 系統(tǒng)接地端。在該電路結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式中，當(dāng)該控制模塊根據(jù)該鎖存控制信號(hào)將該正向輸 入信號(hào)以及該反向輸入信號(hào)分別導(dǎo)通至該正向輸入端及該反向輸入端時(shí)，該第一開關(guān)模塊 與該第三開關(guān)模塊構(gòu)成電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路，若該正向輸入端為高電壓準(zhǔn)位且該反向輸入端 為低電壓準(zhǔn)位，則該電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路將該提升電壓端導(dǎo)通至該正向輸出端以輸出該提升 電壓輸出信號(hào)，并使該反向輸出端耦接至該系統(tǒng)接地端，另一方面若該正向輸入端為低電 壓準(zhǔn)位且該反向輸入端為高電壓準(zhǔn)位時(shí)，則該電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路將該正向輸出端耦接至該 系統(tǒng)接地端，并使該提升電壓端導(dǎo)通至該反向輸出端以輸出該提升電壓輸出信號(hào)。在該電路結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式中，該電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路為電壓準(zhǔn)位拉升電路，用 以根據(jù)該正向輸入信號(hào)以及該反向輸入信號(hào)，選擇性地基于該提升電壓端的電壓準(zhǔn)位由該 正向輸出端或該反向輸出端輸出該提升電壓輸出信號(hào)，其中該提升電壓端的電壓準(zhǔn)位大于 該正向輸入信號(hào)或該反向輸入信號(hào)的電壓準(zhǔn)位。在該電路結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式中，當(dāng)該控制模塊根據(jù)該鎖存控制信號(hào)使該正向輸 入端與該反向輸入端空接時(shí)，該第一開關(guān)模塊與該第二開關(guān)模塊構(gòu)成數(shù)據(jù)鎖存電路用以栓 鎖該正向輸出端與該反向輸出端的電壓準(zhǔn)位。在該電路結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式中，該第一開關(guān)模塊進(jìn)一步包含第一晶體管開關(guān)和 第二晶體管開關(guān)，其中第一晶體管開關(guān)耦接于該提升電壓端與該反向輸出端之間，具有柵 極耦接至該正向輸出端；而第二晶體管開關(guān)耦接于該提升電壓端與該正向輸出端之間，具 有柵極耦接至該反向輸出端。該第二開關(guān)模塊進(jìn)一步包含第三晶體管開關(guān)和第四晶體管 開關(guān)，其中第三晶體管開關(guān)耦接于該反向輸出端與該系統(tǒng)接地端之間，具有柵極耦接至該正向輸出端；而第四晶體管開關(guān)，耦接于該正向輸出端與該系統(tǒng)接地端之間，具有柵極耦接 至該反向輸出端。該第三開關(guān)模塊進(jìn)一步包含第五晶體管開關(guān)和第六晶體管開關(guān)，其中第 五晶體管開關(guān)耦接于該反向輸出端與該系統(tǒng)接地端之間，具有柵極耦接至該正向輸入端； 而第六晶體管開關(guān)耦接于該正向輸出端與該系統(tǒng)接地端之間，具有柵極耦接至該反向輸入 端。在該電路結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式中，該第一晶體管開關(guān)與該第二晶體管開關(guān)分別為 P型場效應(yīng)晶體管，而該第三晶體管開關(guān)、該第四晶體管開關(guān)、該第五晶體管開關(guān)以及該第 六晶體管開關(guān)分別為N型場效應(yīng)晶體管。在該電路結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式中，該控制模塊包含第一控制開關(guān)模塊與第二控制 開關(guān)模塊，該第一控制開關(guān)模塊與該第二控制開關(guān)模塊分別耦接至該第五晶體管開關(guān)的柵 極以及該第六晶體管開關(guān)的柵極，該第一控制開關(guān)模塊與該第二控制開關(guān)模塊根據(jù)該鎖存 控制信號(hào)分別選擇性地將該正向輸入信號(hào)以及該反向輸入信號(hào)導(dǎo)通至該正向輸入端及該 反向輸入端。在該電路結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式中，該第一控制開關(guān)模塊與該第二控制開關(guān)模塊分 別包含至少晶體管開關(guān)或三態(tài)開關(guān)。根據(jù)另一具體實(shí)施例，該電路結(jié)構(gòu)包含多功能開關(guān)電路以及控制模塊。該多功能 開關(guān)電路具有正向輸出端以及反向輸出端，該多功能開關(guān)電路包含第一開關(guān)模塊、第二開 關(guān)模塊以及第三開關(guān)模塊。第一開關(guān)模塊用以選擇性地將提升電壓端耦接至該正向輸出端或該反向輸出端。 第二開關(guān)模塊用以選擇性地將系統(tǒng)接地端耦接至正向輸出端或反向輸出端。第三開關(guān)模塊 受來自樣本緩存器的正向輸入信號(hào)以及反向輸入信號(hào)控制，第三開關(guān)模塊用以選擇性地將 正向輸出端或該反向輸出端耦接至該系統(tǒng)接地端?？刂颇K包含第四開關(guān)模塊，第四開關(guān)模塊耦接于第三開關(guān)模塊與系統(tǒng)接地端之 間，或是耦接于正向輸出端、反向輸出端與第三開關(guān)模塊之間。控制模塊根據(jù)鎖存控制信號(hào) 選擇性地導(dǎo)通或關(guān)閉第四開關(guān)模塊，藉此使正向輸出端與反向輸出端可通過第三開關(guān)模塊 與第四開關(guān)模塊選擇性地耦接至系統(tǒng)接地端或空接。其中，當(dāng)多功能開關(guān)電路作為電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路時(shí)，該控制模塊根據(jù)該鎖存控制 信號(hào)導(dǎo)通該第四開關(guān)模塊，該第三開關(guān)模塊根據(jù)該正向輸入信號(hào)與該反向輸入信號(hào)控制該 正向輸出端與該反向輸出端的輸出狀態(tài)，若該正向輸入端為高電壓準(zhǔn)位且該反向輸入端為 低電壓準(zhǔn)位時(shí)，則該多功能開關(guān)電路將該提升電壓端導(dǎo)通至該正向輸出端以輸出提升電壓 輸出信號(hào)，若該正向輸入端為低電壓準(zhǔn)位且該反向輸入端為高電壓準(zhǔn)位時(shí)，則該多功能開 關(guān)電路將該系統(tǒng)接地端導(dǎo)通至該正向輸出端。而當(dāng)多功能開關(guān)電路作為數(shù)據(jù)鎖存電路時(shí)，也就是該控制模塊根據(jù)該鎖存控制信 號(hào)關(guān)閉該第四開關(guān)模塊時(shí)，該第一開關(guān)模塊與該第二開關(guān)模塊用以栓鎖該正向輸出端與該 反向輸出端的電壓準(zhǔn)位。在該電路結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式中，當(dāng)該控制模塊根據(jù)該鎖存控制信號(hào)導(dǎo)通該第四 開關(guān)模塊時(shí)，該第一開關(guān)模塊與該第三開關(guān)模塊構(gòu)成電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路，若該正向輸入信 號(hào)為高電壓準(zhǔn)位且該反向輸入信號(hào)為低電壓準(zhǔn)位，則該電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路將該提升電壓端 導(dǎo)通至該正向輸出端以輸出該提升電壓輸出信號(hào)，并使該反向輸出端耦接至該系統(tǒng)接地端，另一方面若該正向輸入信號(hào)為低電壓準(zhǔn)位且該反向輸入信號(hào)為高電壓準(zhǔn)位時(shí)，則該電 壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路將該正向輸出端耦接至該系統(tǒng)接地端，并使該提升電壓端導(dǎo)通至該反向輸 出端以輸出該提升電壓輸出信號(hào)。在該電路結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式中，該電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路為電壓準(zhǔn)位拉升電路，用 以根據(jù)該正向輸入信號(hào)以及該反向輸入信號(hào)，選擇性地基于該提升電壓端的電壓準(zhǔn)位由該 正向輸出端或該反向輸出端輸出該提升電壓輸出信號(hào)，其中該提升電壓端的電壓準(zhǔn)位大于 該正向輸入信號(hào)或該反向輸入信號(hào)的電壓準(zhǔn)位。在該電路結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式中，該第一開關(guān)模塊進(jìn)一步包含第一晶體管開關(guān)和 第二晶體管開關(guān)，其中第一晶體管開關(guān)耦接于該提升電壓端與該反向輸出端之間，具有柵 極耦接至該正向輸出端；而第二晶體管開關(guān)，耦接于該提升電壓端與該正向輸出端之間，具 有柵極耦接至該反向輸出端。該第二開關(guān)模塊進(jìn)一步包含第三晶體管開關(guān)和第四晶體管開 關(guān)，其中第三晶體管開關(guān)耦接于該反向輸出端與該系統(tǒng)接地端之間，具有柵極耦接至該正 向輸出端；而第四晶體管開關(guān)，耦接于該正向輸出端與該系統(tǒng)接地端之間，具有柵極耦接至 該反向輸出端。該第三開關(guān)模塊進(jìn)一步包含第五晶體管開關(guān)和第六晶體管開關(guān)，其中第五 晶體管開關(guān)，耦接至該反向輸出端，具有柵極受該正向輸入信號(hào)控制；而第六晶體管開關(guān)， 耦接至該正向輸出端，具有柵極受該反向輸入信號(hào)控制。該第四開關(guān)模塊進(jìn)一步包含第七 晶體管開關(guān)和第八晶體管開關(guān)，其中第七晶體管開關(guān)耦接于該第五晶體管開關(guān)與該系統(tǒng)接 地端之間，具有柵極耦接至該鎖存控制信號(hào)；而第八晶體管開關(guān)，耦接于該第六晶體管開關(guān) 與該系統(tǒng)接地端之間，具有柵極耦接至該鎖存控制信號(hào)。在該電路結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式中，該第一開關(guān)模塊進(jìn)一步包含第一晶體管開關(guān) 和第二晶體管開關(guān)，其中第一晶體管開關(guān)耦接于該提升電壓端與該反向輸出端之間，具有 柵極耦接至該正向輸出端；而第二晶體管開關(guān)，耦接于該提升電壓端與該正向輸出端之間， 具有柵極耦接至該反向輸出端。該第二開關(guān)模塊進(jìn)一步包含第三晶體管開關(guān)和第四晶體 管開關(guān)，其中第三晶體管開關(guān)，耦接于該反向輸出端與該系統(tǒng)接地端之間，具有柵極耦接至 該正向輸出端；而第四晶體管開關(guān)，耦接于該正向輸出端與該系統(tǒng)接地端之間，具有柵極耦 接至該反向輸出端。該第三開關(guān)模塊進(jìn)一步包含第五晶體管開關(guān)和第六晶體管開關(guān)，其中 第五晶體管開關(guān)，耦接至該系統(tǒng)接地端，具有柵極受該正向輸入信號(hào)控制；而第六晶體管開 關(guān)，耦接至該系統(tǒng)接地端，具有柵極受該反向輸入信號(hào)控制。該第四開關(guān)模塊進(jìn)一步包含第 七晶體管開關(guān)和第八晶體管開關(guān)，其中第七晶體管開關(guān)耦接于該反向輸出端與該第五晶體 管開關(guān)之間，具有柵極耦接至該鎖存控制信號(hào)；而第八晶體管開關(guān)耦接于該正向輸出端與 該第六晶體管開關(guān)之間，具有柵極耦接至該鎖存控制信號(hào)。在該電路結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式中，該第一晶體管開關(guān)與該第二晶體管開關(guān)分別為 P型場效應(yīng)晶體管，而該第三晶體管開關(guān)、該第四晶體管開關(guān)、該第五晶體管開關(guān)、該第六晶 體管開關(guān)、該第七晶體管開關(guān)以及該第八晶體管開關(guān)分別為N型場效應(yīng)晶體管。關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以通過以下的發(fā)明詳述及附圖得到進(jìn)一步的了解。


圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中源極驅(qū)動(dòng)電路的功能方塊圖。圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)據(jù)鎖存電路與電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路的電路示意圖。
圖3示出了本發(fā)明的第一具體實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)與源極驅(qū)動(dòng)電路的示意圖。圖4示出了本發(fā)明的第一具體實(shí)施例中電路結(jié)構(gòu)的內(nèi)部電路示意圖。圖5A示出了本發(fā)明的第二具體實(shí)施例中電路結(jié)構(gòu)的內(nèi)部電路示意圖。圖5B示出了本發(fā)明的第三具體實(shí)施例中電路結(jié)構(gòu)的內(nèi)部電路示意圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖3。圖3示出了本發(fā)明的第一具體實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)32與源極驅(qū)動(dòng)電路 3的示意圖。源極驅(qū)動(dòng)電路3可包含了樣本緩存器30、電路結(jié)構(gòu)32、數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器34以 及運(yùn)算放大器36等依序串接的電子元件。如圖3所示，本發(fā)明的電路結(jié)構(gòu)32可耦接于源極驅(qū)動(dòng)電路3中的樣本緩存器30 與數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器34之間。電路結(jié)構(gòu)32可根據(jù)控制實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)鎖存電路以及電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路兩種功能。作 為數(shù)據(jù)鎖存電路時(shí)，電路結(jié)構(gòu)32可根據(jù)鎖存控制信號(hào)LAT的控制，用以將預(yù)定播放的信號(hào) (如正向輸入信號(hào)與反向輸入信號(hào)D/DB)從樣本緩存器30中讀取出來，并且以電壓信號(hào)的 型態(tài)暫時(shí)鎖存。作為數(shù)據(jù)鎖存電路時(shí)，電路結(jié)構(gòu)32可將鎖存的電壓信號(hào)的電壓準(zhǔn)位進(jìn)一步提升， 對(duì)應(yīng)后續(xù)數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器34以及運(yùn)算放大器36所需的驅(qū)動(dòng)電壓輸入范圍，產(chǎn)生輸出信號(hào) (如正向輸出信號(hào)與反向輸入信號(hào)0UT/0UTB)。舉例來說，樣本緩存器30采用的工作電壓/接地電壓一般約為1. 8V/0V左右，而 數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器34以及運(yùn)算放大器36所采用的工作電壓/接地電壓約為6V/3V或10V/3V 左右，電路結(jié)構(gòu)32所形成的電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換功能便是用以克服這之間的電壓差異。請(qǐng)一并參閱圖4，圖4示出了本發(fā)明的第一具體實(shí)施例中電路結(jié)構(gòu)32的內(nèi)部電路 示意圖。如圖4所示，電路結(jié)構(gòu)32包含多功能開關(guān)電路320以及控制模塊322。多功能開關(guān)電路320與提升電壓端Vpp以及系統(tǒng)接地端耦接。一般來說，提升電壓 端Vpp的電位大于系統(tǒng)高電壓端Vdd ( 一般Vdd可為1. 8V左右)，此處的提升電壓端Vpp的 電位對(duì)應(yīng)數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器34以及運(yùn)算放大器36所采用的工作電壓。多功能開關(guān)電路320 具有正向輸入端IN、反向輸入端INB、正向輸出端OUT以及反向輸出端0UTB。如圖4所示，多功能開關(guān)電路320包含第一開關(guān)模塊3200、第二開關(guān)模塊3202以 及第三開關(guān)模塊3204。第一開關(guān)模塊3200包含第一晶體管開關(guān)SWl以及第二晶體管開關(guān)SW2。第一晶體 管開關(guān)SWl耦接于該提升電壓端Vpp與反向輸出端OUTB之間，第一晶體管開關(guān)SWl的柵極 耦接至正向輸出端OUT。第二晶體管開關(guān)SW2耦接于提升電壓端Vpp與正向輸出端OUT之 間，第二晶體管開關(guān)SW2的柵極耦接至該反向輸出端0UTB。第一開關(guān)模塊3200用以選擇性 地將該提升電壓端Vpp耦接至正向輸出端OUT或反向輸出端0UTB。第二開關(guān)模塊3202包含第三晶體管開關(guān)SW3以及第四晶體管開關(guān)SW4。第三晶體 管開關(guān)SW3耦接于該反向輸出端OUTB與系統(tǒng)接地端之間，第三晶體管開關(guān)SW3的柵極耦接 至該正向輸出端OUT。第四晶體管開關(guān)SW4耦接于該正向輸出端OUT與系統(tǒng)接地端之間，第 四晶體管開關(guān)SW4的柵極耦接至反向輸出端0UTB。第二開關(guān)模塊3202用以選擇性地將系 統(tǒng)接地端耦接至正向輸出端OUT或反向輸出端0UTB。
該第三開關(guān)模塊3204進(jìn)一步包含第五晶體管開關(guān)SW5以及第六晶體管開關(guān)SW6。 第五晶體管開關(guān)SW5耦接于反向輸出端OUTB與系統(tǒng)接地端之間，第五晶體管開關(guān)SW5的柵 極耦接至正向輸入端IN。第六晶體管開關(guān)SW6耦接于正向輸出端OUT與系統(tǒng)接地端之間， 第六晶體管開關(guān)SW6柵極耦接至該反向輸入端INB。第三開關(guān)模塊受正向輸入端IN以及反 向輸入端INB的控制，用以選擇性地將正向輸出端OUT或反向輸出端OUTB耦接至系統(tǒng)接地 端。在此實(shí)施例中，第一晶體管開關(guān)SWl與第二晶體管開關(guān)SW2可分別為P型場效應(yīng) 晶體管，而第三晶體管開關(guān)SW3、第四晶體管開關(guān)SW4、第五晶體管開關(guān)SW5以及第六晶體管 開關(guān)SW6可分別為N型場效應(yīng)晶體管，但本發(fā)明并不限于此。控制模塊322耦接至正向輸入端IN以及反向輸入端INB。在此實(shí)施例中，控制模 塊322包含第一控制開關(guān)模塊3220與第二控制開關(guān)模塊3222，第一控制開關(guān)模塊3220與 第二控制開關(guān)模塊3222分別耦接至第五晶體管開關(guān)SW5的柵極以及第六晶體管開關(guān)SW6 的柵極，第一控制開關(guān)模塊3220與該第二控制開關(guān)模塊3222根據(jù)鎖存控制信號(hào)LAT分別 選擇性地將正向輸入信號(hào)D以及反向輸入信號(hào)DB導(dǎo)通至正向輸入端IN及反向輸入端INB。在此實(shí)施例中，第一控制開關(guān)模塊3220與第二控制開關(guān)模塊3222分別包含一個(gè) 晶體管開關(guān)元件，但本發(fā)明不限于此。在另一具體實(shí)施例中，第一控制開關(guān)模塊3220與 第二控制開關(guān)模塊3222也可分別包含多個(gè)晶體管開關(guān)所形成的開關(guān)模塊或?yàn)槿龖B(tài)開關(guān) (tri-state switch)0在此實(shí)施例中，當(dāng)鎖存控制信號(hào)LAT開啟時(shí)(在此實(shí)施例中為高電位時(shí))，第一控 制開關(guān)模塊3220與第二控制開關(guān)模塊3222各自導(dǎo)通。有此，控制模塊322分別將正向輸 入信號(hào)D以及反向輸入信號(hào)DB輸入至正向輸入端IN及反向輸入端INB。此時(shí)，多功能開關(guān)電路320中的第一開關(guān)模塊3200與第三開關(guān)模塊3204構(gòu)成電 壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路。若正向輸入端IN為高電壓準(zhǔn)位且反向輸入端INB為低電壓準(zhǔn)位，則電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換 電路將提升電壓端Vpp導(dǎo)通至正向輸出端OUT以輸出提升電壓輸出信號(hào)，并使反向輸出端 OUTB耦接至系統(tǒng)接地端。另一方面，若正向輸入端IN為低電壓準(zhǔn)位且反向輸入端INB為高電壓準(zhǔn)位時(shí)，則 該電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路將該正向輸出端OUT耦接至系統(tǒng)接地端，并使提升電壓端Vpp導(dǎo)通至 反向輸出端OUTB以輸出提升電壓輸出信號(hào)。在此實(shí)施例中，電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路為電壓準(zhǔn)位拉升電路，用以根據(jù)正向輸入信號(hào)D 以及反向輸入信號(hào)DB，選擇性地基于提升電壓端Vpp的電壓準(zhǔn)位由該正向輸出端OUT或該 反向輸出端OUTB輸出該提升電壓輸出信號(hào)，一般來說，提升電壓端Vpp的電壓準(zhǔn)位均大于 原先該正向輸入信號(hào)D或該反向輸入信號(hào)DB所采用的電壓準(zhǔn)位。此外，當(dāng)鎖存控制信號(hào)LAT關(guān)閉時(shí)(在此實(shí)施例中為低電位時(shí))，第一控制開關(guān)模 塊3220與第二控制開關(guān)模塊3222各自關(guān)閉。有此，控制模塊322根據(jù)鎖存控制信號(hào)LAT使 正向輸入端IN與反向輸入端INB空接。此時(shí)，第一開關(guān)模塊3200與該第二開關(guān)模塊3202 構(gòu)成數(shù)據(jù)鎖存電路，使正向輸出端OUT與反向輸出端OUTB的電壓準(zhǔn)位保持穩(wěn)定不變，由此， 栓鎖該正向輸出端OUT與反向輸出端OUTB的電壓準(zhǔn)位。在第一具體實(shí)施例中，控制模塊通過控制多功能開關(guān)電路的正向輸入端與反向輸入端，使其與輸入信號(hào)導(dǎo)通或是空接來切換電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換與數(shù)據(jù)鎖存功能，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)多功 能整合電路的功效，但本發(fā)明并不限于此。在其它具體實(shí)施例中，控制模塊322可不需要控 制正向輸入端IN與反向輸入端INB與輸入信號(hào)間的連接關(guān)系，而且直接實(shí)現(xiàn)類似上述空接 時(shí)(即數(shù)據(jù)鎖存功能)的效果。請(qǐng)參閱圖5A以及圖5B，圖5A示出了本發(fā)明的第二具體實(shí)施例中電路結(jié)構(gòu)52的 內(nèi)部電路示意圖。圖5B示出了本發(fā)明的第三具體實(shí)施例中電路結(jié)構(gòu)52'的內(nèi)部電路示意 圖。如圖5A所示，電路結(jié)構(gòu)52含多功能開關(guān)電路520以及控制模塊。與第一具體實(shí) 施例最大不同之處在于，控制模塊包含第四開關(guān)模塊522，且第四開關(guān)模塊522耦接于第三 開關(guān)模塊5204與系統(tǒng)接地端之間。該第四開關(guān)模塊522進(jìn)一步包含第七晶體管開關(guān)SW7以及第八晶體管開關(guān)SW8。 第七晶體管開關(guān)SW7耦接于第五晶體管開關(guān)SW5與系統(tǒng)接地端之間，第七晶體管開關(guān)SW7 的柵極耦接至鎖存控制信號(hào)LAT。第八晶體管開關(guān)SW8耦接于第六晶體管開關(guān)SW6與系統(tǒng) 接地端之間，第八晶體管開關(guān)SW8的柵極耦接至鎖存控制信號(hào)LAT。而第三開關(guān)模塊5204 的第三晶體管開關(guān)SW3以及第四晶體管開關(guān)SW4的柵極直接耦接至正向輸入信號(hào)D與反向 輸入信號(hào)DB?？刂颇K根據(jù)鎖存控制信號(hào)LAT選擇性地導(dǎo)通或關(guān)閉第四開關(guān)模塊522，藉此使 正向輸出端OUT與反向輸出端OUTB可通過第三開關(guān)模塊5204與第四開關(guān)模塊522耦接至 系統(tǒng)接地端或空接。藉有此，可分別實(shí)現(xiàn)電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換功能與數(shù)據(jù)鎖存功能。電路結(jié)構(gòu)52的運(yùn)行方式與其它內(nèi)部組件與第一具體實(shí)施例大致相同，其運(yùn)行原 理與相互關(guān)系已于第一具體實(shí)施例中詳細(xì)描述，故在此不另贅述。如圖5B所示，電路結(jié)構(gòu)52'含多功能開關(guān)電路520'以及控制模塊?？刂颇K包 含第四開關(guān)模塊522'。與上文的第一及第二具體實(shí)施例最大不同之處在于，第四開關(guān)模塊 522'耦接于正向輸出端OUT、反向輸出端OUTB與第三開關(guān)模塊5204'之間。控制模塊根據(jù)鎖存控制信號(hào)LAT選擇性地導(dǎo)通或關(guān)閉第四開關(guān)模塊522'，由此 使正向輸出端OUT與反向輸出端OUTB可通過第三開關(guān)模塊5204'與第四開關(guān)模塊522' 耦接至系統(tǒng)接地端或空接。有此，可分別實(shí)現(xiàn)電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換功能與數(shù)據(jù)鎖存功能。其它詳 細(xì)運(yùn)行原理與相互關(guān)系請(qǐng)參閱第一具體實(shí)施例，在此不另贅述。綜上所述，本發(fā)明的電路結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡單且至少整合了電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路以及 數(shù)據(jù)鎖存電路兩種功能，適合廣泛用于各種源極驅(qū)動(dòng)電路當(dāng)中。通過以上優(yōu)選具體實(shí)施例的詳述，希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神，而 并非以上述所披露的優(yōu)選具體實(shí)施例來對(duì)本發(fā)明的范圍加以限制。相反地，其目的是希望 能將各種改變及等同安排涵蓋于本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍內(nèi)。主要組件符號(hào)說明1、3:源極驅(qū)動(dòng)電路10、30:樣本緩存器12 數(shù)據(jù)鎖存電路14 電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路16、34:數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器18、36:運(yùn)算放大器32、52:電路結(jié)構(gòu)320,520,520'多功能開關(guān)電路
3200,5200,5200‘第—開關(guān)模塊
3202,5202,5202‘第二開關(guān)模塊
3204,5204,5204‘第三開關(guān)模塊
322控制模塊522,522':第四開關(guān)模塊
3220 第一控制開關(guān)模塊3222 第二控制開關(guān)模塊
OUT正向輸出端OUTB 反向輸出端
IN 正向輸入端INB 反向輸入端
Vpp提升電壓端 LAT 鎖存控制信號(hào)
Sffl第一晶體管開關(guān)SW2 第二晶體管開關(guān)
SW3第三晶體管開關(guān)SW4:第四晶體管開關(guān)
SW5第五晶體管開關(guān) SW6 第六晶體管開關(guān)
SW7第七晶體管開關(guān)SW8 第八晶體管開關(guān)。
權(quán)利要求
1.一種電路結(jié)構(gòu)，用于源極驅(qū)動(dòng)電路，所述源極驅(qū)動(dòng)電路包含樣本緩存器以及數(shù)字模 擬轉(zhuǎn)換器，所述電路結(jié)構(gòu)耦接于所述樣本緩存器與所述數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器之間，并包含多功能開關(guān)電路，所述多功能開關(guān)電路與提升電壓端以及系統(tǒng)接地端耦接，具有正向 輸入端、反向輸入端以及正向輸出端；以及控制模塊，耦接至所述正向輸入端以及所述反向輸入端，所述控制模塊根據(jù)鎖存控制 信號(hào)選擇性地將來自所述樣本緩存器的正向輸入信號(hào)以及反向輸入信號(hào)分別導(dǎo)通至所述 正向輸入端及所述反向輸入端；其中，所述多功能開關(guān)電路根據(jù)導(dǎo)通至所述正向輸入端與所述反向輸入端的所述正 向輸入信號(hào)與所述反向輸入信號(hào)控制所述正向輸出端的輸出狀態(tài)，若所述正向輸入端為高 電壓準(zhǔn)位且所述反向輸入端為低電壓準(zhǔn)位時(shí)，則所述多功能開關(guān)電路將所述提升電壓端導(dǎo) 通至所述正向輸出端以輸出提升電壓輸出信號(hào)，若所述正向輸入端為低電壓準(zhǔn)位且所述反 向輸入端為高電壓準(zhǔn)位時(shí)，則所述多功能開關(guān)電路將所述系統(tǒng)接地端導(dǎo)通至所述正向輸出 端；而當(dāng)所述控制模塊根據(jù)所述鎖存控制信號(hào)使所述正向輸入端與所述反向輸入端空接 時(shí)，所述多功能開關(guān)電路用以栓鎖所述正向輸出端的電壓準(zhǔn)位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路結(jié)構(gòu)，其中，所述多功能開關(guān)電路另具有反向輸出端，所 述多功能開關(guān)電路包含第一開關(guān)模塊，用以選擇性地將所述提升電壓端耦接至所述正向輸出端或所述反向輸 出端；第二開關(guān)模塊，用以選擇性地將所述系統(tǒng)接地端耦接至所述正向輸出端或所述反向輸 出端；以及第三開關(guān)模塊，受所述正向輸入端以及所述反向輸入端的控制，用以選擇性地將所述 正向輸出端或所述反向輸出端耦接至所述系統(tǒng)接地端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路結(jié)構(gòu)，其中，當(dāng)所述控制模塊根據(jù)所述鎖存控制信號(hào)將 所述正向輸入信號(hào)以及所述反向輸入信號(hào)分別導(dǎo)通至所述正向輸入端及所述反向輸入端 時(shí)，所述第一開關(guān)模塊與所述第三開關(guān)模塊構(gòu)成電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路，若所述正向輸入端為 高電壓準(zhǔn)位且所述反向輸入端為低電壓準(zhǔn)位，則所述電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路將所述提升電壓端 導(dǎo)通至所述正向輸出端以輸出所述提升電壓輸出信號(hào)，并使所述反向輸出端耦接至所述系 統(tǒng)接地端，另一方面若所述正向輸入端為低電壓準(zhǔn)位且所述反向輸入端為高電壓準(zhǔn)位時(shí)， 則所述電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路將所述正向輸出端耦接至所述系統(tǒng)接地端，并使所述提升電壓端 導(dǎo)通至所述反向輸出端以輸出所述提升電壓輸出信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路結(jié)構(gòu)，其中，所述電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路為電壓準(zhǔn)位拉升電 路，用以根據(jù)所述正向輸入信號(hào)以及所述反向輸入信號(hào)，選擇性地基于所述提升電壓端的 電壓準(zhǔn)位由所述正向輸出端或所述反向輸出端輸出所述提升電壓輸出信號(hào)，其中所述提升 電壓端的電壓準(zhǔn)位大于所述正向輸入信號(hào)或所述反向輸入信號(hào)的電壓準(zhǔn)位。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路結(jié)構(gòu)，其中，當(dāng)所述控制模塊根據(jù)所述鎖存控制信號(hào)使 所述正向輸入端與所述反向輸入端空接時(shí)，所述第一開關(guān)模塊與所述第二開關(guān)模塊構(gòu)成數(shù) 據(jù)鎖存電路用以栓鎖所述正向輸出端與所述反向輸出端的電壓準(zhǔn)位。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路結(jié)構(gòu)，其中，所述第一開關(guān)模塊進(jìn)一步包含第一晶體管開關(guān)，耦接于所述提升電壓端與所述反向輸出端之間，具有柵極耦接至所 述正向輸出端；以及第二晶體管開關(guān)，耦接于所述提升電壓端與所述正向輸出端之間，具有柵極耦接至所 述反向輸出端；所述第二開關(guān)模塊進(jìn)一步包含第三晶體管開關(guān)，耦接于所述反向輸出端與所述系統(tǒng)接地端之間，具有柵極耦接至所 述正向輸出端；以及第四晶體管開關(guān)，耦接于所述正向輸出端與所述系統(tǒng)接地端之間，具有柵極耦接至所 述反向輸出端；以及所述第三開關(guān)模塊進(jìn)一步包含第五晶體管開關(guān)，耦接于所述反向輸出端與所述系統(tǒng)接地端之間，具有柵極耦接至所 述正向輸入端；以及第六晶體管開關(guān)，耦接于所述正向輸出端與所述系統(tǒng)接地端之間，具有柵極耦接至所 述反向輸入端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路結(jié)構(gòu)，其中，所述第一晶體管開關(guān)與所述第二晶體管開 關(guān)分別為P型場效應(yīng)晶體管，而所述第三晶體管開關(guān)、所述第四晶體管開關(guān)、所述第五晶體 管開關(guān)以及所述第六晶體管開關(guān)分別為N型場效應(yīng)晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路結(jié)構(gòu)，其中，所述控制模塊包含第一控制開關(guān)模塊與第 二控制開關(guān)模塊，所述第一控制開關(guān)模塊與所述第二控制開關(guān)模塊分別耦接至所述第五晶 體管開關(guān)的柵極以及所述第六晶體管開關(guān)的柵極，所述第一控制開關(guān)模塊與所述第二控制 開關(guān)模塊根據(jù)所述鎖存控制信號(hào)分別選擇性地將所述正向輸入信號(hào)以及所述反向輸入信 號(hào)導(dǎo)通至所述正向輸入端及所述反向輸入端。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路結(jié)構(gòu)，其中，所述第一控制開關(guān)模塊與所述第二控制開 關(guān)模塊分別包含至少晶體管開關(guān)或三態(tài)開關(guān)。
10.一種電路結(jié)構(gòu)，用于源極驅(qū)動(dòng)電路，所述源極驅(qū)動(dòng)電路包含樣本緩存器以及數(shù)字模 擬轉(zhuǎn)換器，所述電路結(jié)構(gòu)耦接于所述樣本緩存器與所述數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器之間，并包含多功能開關(guān)電路，所述多功能開關(guān)電路具有正向輸出端以及反向輸出端，所述多功能 開關(guān)電路包含第一開關(guān)模塊，用以選擇性地將提升電壓端耦接至所述正向輸出端或所述反向輸出端；第二開關(guān)模塊，用以選擇性地將系統(tǒng)接地端耦接至所述正向輸出端或所述反向輸出 端；以及第三開關(guān)模塊，受來自所述樣本緩存器的正向輸入信號(hào)以及反向輸入信號(hào)控制，用以 選擇性地將正向輸出端或所述反向輸出端耦接至所述系統(tǒng)接地端；以及控制模塊，包含第四開關(guān)模塊，所述第四開關(guān)模塊耦接于所述第三開關(guān)模塊與所述系 統(tǒng)接地端之間或耦接于所述正向輸出端、所述反向輸出端與所述第三開關(guān)模塊之間，所述 控制模塊根據(jù)鎖存控制信號(hào)選擇性地導(dǎo)通或關(guān)閉所述第四開關(guān)模塊，藉此使所述正向輸出 端與所述反向輸出端可通過所述第三開關(guān)模塊與所述第四開關(guān)模塊耦接至所述系統(tǒng)接地 端或空接；其中，當(dāng)所述控制模塊根據(jù)所述鎖存控制信號(hào)導(dǎo)通所述第四開關(guān)模塊時(shí)，所述第三開關(guān)模塊根據(jù)所述正向輸入信號(hào)與所述反向輸入信號(hào)控制所述正向輸出端與所述反向輸出 端的輸出狀態(tài)，若所述正向輸入端為高電壓準(zhǔn)位且所述反向輸入端為低電壓準(zhǔn)位時(shí)，則所 述多功能開關(guān)電路將所述提升電壓端導(dǎo)通至所述正向輸出端以輸出提升電壓輸出信號(hào)，若 所述正向輸入端為低電壓準(zhǔn)位且所述反向輸入端為高電壓準(zhǔn)位時(shí)，則所述多功能開關(guān)電路 將所述系統(tǒng)接地端導(dǎo)通至所述正向輸出端；而當(dāng)所述控制模塊根據(jù)所述鎖存控制信號(hào)關(guān)閉所述第四開關(guān)模塊時(shí)，所述第一開關(guān)模 塊與所述第二開關(guān)模塊用以栓鎖所述正向輸出端與所述反向輸出端的電壓準(zhǔn)位。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種電路結(jié)構(gòu)，該電路結(jié)構(gòu)適用于耦接在源極驅(qū)動(dòng)電路中的樣本緩存器與數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器之間。電路結(jié)構(gòu)包含多功能開關(guān)電路以及控制模塊。多功能開關(guān)電路與提升電壓端以及系統(tǒng)接地端耦接，多功能開關(guān)電路具有正向輸入端、反向輸入端以及正向輸出端?？刂颇K耦接至正向輸入端以及反向輸入端，該控制模塊根據(jù)鎖存控制信號(hào)選擇性地將來自該樣本緩存器的正向輸入信號(hào)以及反向輸入信號(hào)分別導(dǎo)通至正向輸入端及反向輸入端。藉此，本發(fā)明的多功能開關(guān)電路可具有電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路以及數(shù)據(jù)鎖存電路兩種功能。
文檔編號(hào)G09G3/20GK101996547SQ200910166158
公開日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2009年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月14日
發(fā)明者林政男 申請(qǐng)人:瑞鼎科技股份有限公司