專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
等離子顯示裝置是使用由氣體放電產(chǎn)生的等離子來(lái)顯示字符或圖像的 平板顯示器。在等離子顯示裝置的顯示面板中，多個(gè)放電單元(以下稱(chēng)為"單 元")以矩陣形式排列。
等離子顯示裝置具有被劃分為多個(gè)子場(chǎng)的幀，每個(gè)子場(chǎng)具有灰度(gray level)權(quán)重值，并在多個(gè)子場(chǎng)中被驅(qū)動(dòng)。單元的亮度是由多個(gè)子場(chǎng)中有相應(yīng)的 單元發(fā)光的子場(chǎng)的權(quán)重值之和確定的。
而且，每個(gè)子場(chǎng)包括重置期、尋址期和維持期。重置期是這樣的時(shí)段， 其中單元的壁電荷狀態(tài)被初始化；尋址期是這樣的時(shí)段，其中執(zhí)行尋址操作 以在放電單元中選擇發(fā)光單元和不發(fā)光單元。維持期是這樣的時(shí)段，其中在 對(duì)應(yīng)于相應(yīng)子場(chǎng)的權(quán)重值的時(shí)段內(nèi)通過(guò)在尋址期內(nèi)被設(shè)為發(fā)光單元的維持 放電單元來(lái)顯示圖像。
總的來(lái)說(shuō)，在重置期將逐漸上升的電壓波形(以下稱(chēng)為"重置上升波形") 施加到掃描電極后，通過(guò)施加逐漸下降的電壓波形到掃描電極，電極間發(fā)生 弱放電，由此單元的壁電荷狀態(tài)被初始化。而且，通過(guò)在維持期將維持放電 脈沖施加到掃描電極并將具有相反相位的維持放電脈沖施加到在相同方向 上延伸的相應(yīng)維持電極，維持放電在被設(shè)為發(fā)光單元的單元中發(fā)生。
在尋址期，電壓(例如，預(yù)定電壓，以下稱(chēng)為"尋址電壓")被施加到 對(duì)應(yīng)于被選為發(fā)光的單元的尋址電極，并通過(guò)施加尋址電壓，在用于驅(qū)動(dòng)尋 址電極的多個(gè)尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路(IC)之間發(fā)生電磁干擾(EMI)。
典型地，正好在施加尋址電壓之前，低于尋址電壓一個(gè)適當(dāng)電平(例如， 預(yù)定電平)的電壓(以下稱(chēng)為"預(yù)充電電壓，，)被施加到尋址電極驅(qū)動(dòng)集成 電i 各，由此，可以阻止或減少由于施加尋址電壓而發(fā)生的EMI。
但是，在子場(chǎng)數(shù)據(jù)被輸入到尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路的時(shí)間點(diǎn)，如果預(yù)充電電壓的上升脈沖被施加到尋址電極，由于施加預(yù)充電電壓的影響而導(dǎo)致子
場(chǎng)數(shù)據(jù)失真，由此產(chǎn)生點(diǎn)噪聲(dot noise )。
在背景技術(shù)部分公開(kāi)的以上信息僅是為了增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明的背景的理解， 且因此其可以包括不構(gòu)成對(duì)本國(guó)的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)已知的現(xiàn)有技 術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種等離子顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，其可以防止或減少 點(diǎn)噪聲的產(chǎn)生。
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種等離子顯示器，包括等離子顯示面 板，其包括多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、與多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電 極交叉的多個(gè)第三電極、以及由所述多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極和多個(gè)第 三電極限定的多個(gè)放電單元；控制器，用于將幀劃分為每個(gè)具有權(quán)重值的多 個(gè)子場(chǎng)，并將多個(gè)圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成用于表示在每個(gè)子場(chǎng)中多個(gè)放電單元的發(fā) 光狀態(tài)的多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)；第一電極驅(qū)動(dòng)器，用于在尋址期的第一時(shí)段順序地 將掃描電壓施加到多個(gè)第一電極；以及第二電極驅(qū)動(dòng)器，用于將尋址電壓施 加到多個(gè)第三電極中對(duì)應(yīng)于多個(gè)放電單元中的發(fā)光單元的第三電極，所述發(fā) 光單元是由在第一時(shí)段中根據(jù)多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)而被施加掃描電壓的第一電極 中的相應(yīng)的一個(gè)限定的，且該第二電極驅(qū)動(dòng)器被配置為在第一時(shí)段之前將預(yù) 充電電壓施加到多個(gè)第三電極，其中，所述第二電極驅(qū)動(dòng)器包括用于接收多 個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)和將尋址電壓或預(yù)充電電壓輸出到多個(gè)第三電極的多個(gè)集成電 路。所述多個(gè)集成電路被配置成在與第二時(shí)段不重疊的時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始輸出預(yù)充 電電壓，在所述第二時(shí)段中多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)的至少一部分被輸入到集成電路。
本發(fā)明的另 一個(gè)示例性實(shí)施例提供了 一種用于驅(qū)動(dòng)包括將對(duì)應(yīng)于多個(gè) 子場(chǎng)數(shù)據(jù)的尋址電壓施加到多個(gè)尋址電極的多個(gè)集成電路的等離子顯示裝 置，該方法包括將對(duì)應(yīng)于多個(gè)掃描電極中的每個(gè)的多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)輸入到多 個(gè)集成電路；將預(yù)充電電壓輸出到多個(gè)尋址電極；以及將尋址電壓施加到對(duì) 應(yīng)于多個(gè)放電單元中的發(fā)光放電單元的一個(gè)尋址電極，該多個(gè)放電單元是由 根據(jù)子場(chǎng)數(shù)據(jù)被施加掃描電壓的掃描電極限定的。預(yù)充電電壓的輸出在與多 個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)中的至少部分子場(chǎng)數(shù)據(jù)被輸入到多個(gè)集成電路的時(shí)間點(diǎn)的不同 時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始。
6才艮據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在施加預(yù)充電電壓后，由于可以防止或減少子場(chǎng) 數(shù)據(jù)的失真，點(diǎn)噪聲的產(chǎn)生可以被抑制。


圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置的示意框圖。
圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路的框圖。
圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng) 波形的圖。
圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng) 波形的圖。
具體實(shí)施例方式
在以下具體的描述中，簡(jiǎn)單地通過(guò)圖示的方法，僅示出和描述了本發(fā)明 的特定示例性實(shí)施例。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，所描述的實(shí)施例可以用 各種均不脫離本發(fā)明的范圍和精神的不同的方式朝"'務(wù)改。因此，附圖和說(shuō)明 書(shū)被認(rèn)為本質(zhì)上是描述性的而非限制性的。相似的參考標(biāo)號(hào)在整篇說(shuō)明書(shū)中 指示相似的元素。
在整篇說(shuō)明書(shū)中，除非另外清楚地闡明，單詞"包括，，及其變體，例如 "包含"將被理解為暗指包括所描述的元素、而不是排除任何其它元素。
而且，在本說(shuō)明書(shū)中描述的"壁電荷"是指在單元的壁(例如，電介質(zhì) 層)上形成的、與每個(gè)電極相鄰的電荷。壁電荷可以實(shí)際上不與電極接觸， 但是在本說(shuō)明書(shū)中，將壁電荷描述為"形成"、"積聚"或"堆積"在電極中， 且壁電壓指示由壁電荷在單元的壁上形成的電勢(shì)差。
以下將參考附圖具體描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子顯示裝 置及其驅(qū)動(dòng)方法。
圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置的框圖。 如圖1所示，等離子顯示裝置包括等離子顯示面板(PDP) 100、控制
器200、尋址電極驅(qū)動(dòng)器300、掃描電極驅(qū)動(dòng)器400、維持電極驅(qū)動(dòng)器500
和電源單元600。PDP 100包括在列方向上延伸的多個(gè)尋址電極Al-Am、被形成為成對(duì)地 在行方向上延伸的多個(gè)維持電極Xl-Xn和掃描電極Yl-Yn。
維持電極Xl-Xn被形成為分別對(duì)應(yīng)于掃描電極Yl-Yn，且維持電極 Xl-Xn通常在一端被共同地互相連接。PDP 100包括其中排列了維持電極 Xl-Xn和掃描電極Yl-Yn的基板(未示出)，以及排列了尋址電極Al-Am 的另一基板(未示出)。兩個(gè)基板被相對(duì)放置，它們之間是放電空間。掃描 電極Yl-Yn和維持電極Xl-Xn可以與尋址電極Al-Am正交。在尋址電極 Al-Am、維持電極Xl-Xn和掃描電極Yl-Yn的交叉處的放電空間中形成單 元。PDP100的結(jié)構(gòu)是示例性描述，且本發(fā)明可以被應(yīng)用到其它結(jié)構(gòu)的面板， 可以向所述面^反施加稍后描述的驅(qū)動(dòng)波形。
控制器200接收來(lái)自外部的視頻信號(hào)，并輸出尋址電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào) Sa、維持電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)Sx以及掃描電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)Sy?？刂破?00 將幀劃分為每個(gè)具有權(quán)重值的多個(gè)子場(chǎng)并驅(qū)動(dòng)該多個(gè)子場(chǎng)，且每個(gè)子場(chǎng)包括 關(guān)于時(shí)間的重置期、尋址期和維持期?？刂破?00將輸入的視頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為 代表在每個(gè)子場(chǎng)中發(fā)光/不發(fā)光的子場(chǎng)數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)幀被劃分為分別具有權(quán) 重值1、 2、 4、 8、 16、 32、 64和128的8個(gè)子場(chǎng)時(shí)，對(duì)應(yīng)于灰度115的子 場(chǎng)數(shù)據(jù)可以被表示為"11001110"。
這里，在相應(yīng)的子場(chǎng)中，"0"代表不發(fā)光，'T，代表發(fā)光。在被表示為 "11001110"的子場(chǎng)數(shù)據(jù)中，由于在第一、第二、第五、第六和第七子場(chǎng)(SF1、 SF2、 SF5、 SF6和SF7)中發(fā)光，115的灰度可以被表示。
尋址電極驅(qū)動(dòng)器300從控制器200接收尋址電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)Sa和子
電極Al-Am中的每個(gè)。尋址電極驅(qū)動(dòng)器300將尋址電極Al-Am劃分為多個(gè) 組以在不同時(shí)間點(diǎn)將預(yù)充電電壓施加到每個(gè)組，以阻止或減少由施加尋址電 壓引起的電磁干擾(EMI)的發(fā)生。
掃描電極驅(qū)動(dòng)器400從控制器200接收掃描電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)Sy并將 驅(qū)動(dòng)電壓施加到掃描電極Yl-Yn。
維持電極驅(qū)動(dòng)器500從控制器200接收維持電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)Sx并將 驅(qū)動(dòng)電壓施加到維持電極X1-Xn。
電源單元600將用于驅(qū)動(dòng)等離子顯示裝置的電力(power)施加到控制器 200和驅(qū)動(dòng)器300、 400和500中的每個(gè)。尋址電極驅(qū)動(dòng)器300通過(guò)尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路(未示出)在與子場(chǎng)數(shù) 據(jù)被輸入到尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路的時(shí)間點(diǎn)的不同的另外的時(shí)間點(diǎn)將預(yù)充 電電壓施加到尋址電極A1-Am，由此防止子場(chǎng)數(shù)據(jù)的失真，這將參考附圖2 至4描述。
首先，參考圖2描述包括在尋址電極驅(qū)動(dòng)器300中的尋址電極驅(qū)動(dòng)集成 電路310。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路310的 框圖。尋址電極驅(qū)動(dòng)器300包括多個(gè)尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路310，且尋址電 極驅(qū)動(dòng)集成電^各310的每個(gè)^皮形成為對(duì)應(yīng)于一組用于施加預(yù)充電電壓的尋址 電極。
如圖2所示，尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路310包括移位寄存器312、數(shù)據(jù)鎖 存器314和輸出緩存器316。在圖2中，示出了被輸入到尋址電極驅(qū)動(dòng)集成 電路310的子場(chǎng)數(shù)據(jù)D31-D32的數(shù)目和從尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路310輸出的 尋址電壓A1-A32的數(shù)目都是32。尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路310可以具有與圖 2中示出的數(shù)目不同的數(shù)目的輸入端和輸出端。而且，包括在尋址電極驅(qū)動(dòng) 器300中的所有尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路310的輸出端的數(shù)目與在PDP 100中 形成的尋址電極Al-Am的數(shù)目相同。
移位寄存器312利用時(shí)鐘信號(hào)CLK同步/人控制器(圖1中的200)輸入 的子場(chǎng)數(shù)據(jù)D1-D32,順序地移位子場(chǎng)數(shù)據(jù)Dl-D32，并將子場(chǎng)數(shù)據(jù)D1-D32 輸出到凄t據(jù)鎖存器314。
數(shù)據(jù)鎖存器314存儲(chǔ)從移位寄存器312輸入的子場(chǎng)數(shù)據(jù)Dl-D32，并當(dāng) 輸入選通(STB)信號(hào)時(shí)將子場(chǎng)數(shù)據(jù)D1-D32輸出到輸出緩存器316。
輸出緩存器316將從數(shù)據(jù)鎖存器314輸入的子場(chǎng)數(shù)據(jù)(例如，D1-D32) 轉(zhuǎn)換(例如，電平移動(dòng))成對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電壓，并將生成的尋址電壓(例如， A1-A32)輸出到相應(yīng)的尋址電極(例如，Al-Am)。而且，輸出緩存器316 將/人電源單元600輸入的預(yù)充電電壓輸出到對(duì)應(yīng)的尋址電才及(例如， Al-Am)。
當(dāng)在被輸入到每個(gè)移位寄存器312的所有的子場(chǎng)數(shù)據(jù)(例如，D1-D32) 被存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)鎖存器314之后施加選通(STB)信號(hào)時(shí)，包括在尋址電極驅(qū) 動(dòng)器300中的所有尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路310將存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)鎖存器314中的 子場(chǎng)數(shù)據(jù)(例如，Dl-D32)轉(zhuǎn)移到輸出緩存器316，由此將子場(chǎng)數(shù)據(jù)(例如，D1-D32)轉(zhuǎn)換成尋址電壓(例如，A1-A32)并同時(shí)將尋址電壓輸出到尋址 電極Al國(guó)Am。
尋址電極驅(qū)動(dòng)器300重復(fù)地在每個(gè)子場(chǎng)中執(zhí)行將對(duì)應(yīng)于子場(chǎng)數(shù)據(jù)(例如， D1-D32)的尋址電壓(例如，A1-A32)輸出到尋址電極A1-Am的操作，由 此可以在子場(chǎng)的&出上確定每個(gè)單元的發(fā)光。
通過(guò)早于預(yù)充電電壓被輸出到尋址電極(例如，Al-Am)的時(shí)間點(diǎn)來(lái)輸入 子場(chǎng)數(shù)據(jù)(D1-D32)至尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路310,尋址電極驅(qū)動(dòng)器300防 止或減少子場(chǎng)數(shù)據(jù)的失真，這將參照?qǐng)D3來(lái)描述。
圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng)波 形的圖。
圖3中示出的根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng) 波形僅示出了在一個(gè)子場(chǎng)內(nèi)的驅(qū)動(dòng)波形。PDP (圖1中的100)的一個(gè)子場(chǎng) 包括根據(jù)在控制器(圖1中的200)的控制下施加到維持電極X、掃描電極 Y和尋址電極A的不同電壓的重置期、尋址期和維持期。
首先，描述重置期。重置期包括上升期和下降期。在上升期，在尋址電 極A (例如，Al-Am )和維持電極X (例如，Xl-Xn )被維持在參考電壓(例 如，圖3中的OV)的狀態(tài)下，掃描電極Y (例如，Yl-Yn)的電壓逐漸從電 壓Vs增加到電壓Vset。掃描電極Y的電壓的增加引起了掃描電極Y和維持 電極X之間以及掃描電極Y和尋址電極A之間的輕微的放電(在下文中被 稱(chēng)為"弱放電")，由此在掃描電極Y上形成負(fù)(-)壁電荷，并在維持電極 X和尋址電極A上形成正(+ )壁電荷。從外部施加的電壓和由于當(dāng)掃描電 極Y的電壓達(dá)到電壓Vset時(shí)形成的壁電荷導(dǎo)致的電極之間的壁電壓之和與 放電點(diǎn)火電壓Vf相同。所有單元的狀態(tài)應(yīng)該在重置期被初始化，且因此電 壓Vset被設(shè)為適當(dāng)?shù)馗咭运星闆r下都引起單元中的放電。圖3示出了本 發(fā)明的實(shí)施例，其中掃描電極Y的電壓以斜坡形式增加或降低?；蛘?，可以 施加逐漸升高或降低的不同波形。
在下降期，當(dāng)尋址電極A和維持電極X被分別維持在參考電壓(例如， 圖3中的OV)和電壓Ve的狀態(tài)下，掃描電極Y的電壓逐漸從電壓Vs降低 到電壓VscL。掃描電極Y的電壓的降低引起掃描電極Y和維持電極X以及 掃描電才及Y和尋址電才及A之間的弱力欠電，由此在上升期期間在掃描電才及Y 上形成的負(fù)(-)壁電荷和在維持電極X和尋址電極A上形成的正(+ )壁電荷被除去或減少。因此，掃描電極Y上的負(fù)(-)壁電荷、維持電極X上 的正(+ )壁電荷以及尋址電極A上的正(+ )壁電荷減少。例如，尋址電 極A上的正(+ )壁電荷減少到用于尋址操作的適當(dāng)?shù)牧??？偟膩?lái)說(shuō)，電壓 VscL-Ve的幅度被大約設(shè)置為掃描電極Y和維持電極X之間的放電點(diǎn)火電壓 Vf,且因此掃描電極Y和維持電極X之間的壁電壓的差幾乎接近OV,由此 防止在尋址期中不發(fā)生尋址放電的單元在維持期中誤點(diǎn)火。
圖3示出了包括上升期和下降期的重置期，但是，重置期的上升期可以 選擇性地存在于每個(gè)子場(chǎng)中。即，每個(gè)子場(chǎng)中可以存在或可以不存在重置期 的上升期。
圖3的尋址期包括預(yù)充電期和掃描期。
在預(yù)充電期，為了穩(wěn)定地操作尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路310以及防止或減 少EMI的發(fā)生，以組為基礎(chǔ)在不同的時(shí)間點(diǎn)將預(yù)充電電壓Vp施加到尋址電 極Al-Am。
圖3示出了預(yù)充電電壓Vp被施加到多個(gè)通過(guò)劃分尋址電極Al-Am而產(chǎn) 生的多個(gè)組中的4個(gè)組(組A-l、 A-2、 A-3和A-4)，且如圖3所示預(yù)充電 電壓Vp低于尋址電壓Va。
在預(yù)充電期之前，尋址電極驅(qū)動(dòng)器300將子場(chǎng)數(shù)據(jù)輸入到尋址電極驅(qū)動(dòng) 集成電路310,且尋址電才及驅(qū)動(dòng)集成電^各310在預(yù)充電電壓開(kāi)始^皮施加到4 個(gè)組(組A-l, A-2, A-3和A-4)中的每一個(gè)的時(shí)間點(diǎn)等待，同時(shí)子場(chǎng)數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)鎖存器314中。由此，子場(chǎng)數(shù)據(jù)沒(méi)有由于預(yù)充電電壓而失真。例 如，圖3所示的子場(chǎng)數(shù)據(jù)是對(duì)應(yīng)于掃描脈沖中首先被施加到掃描電極的掃描 脈沖的子場(chǎng)數(shù)據(jù)DPI ，所述掃描脈沖在尋址期被順序地施加到多個(gè)掃描電極 Y，且正好在相應(yīng)的掃描脈沖被施加到掃描電極Y之前，與第二掃描脈沖被 施加到掃描電極Y之后的掃描脈沖相對(duì)應(yīng)的子場(chǎng)數(shù)據(jù)通過(guò)尋址電極驅(qū)動(dòng)集 成電路310祐:輸入到尋址電4及A。
圖3示出了在尋址期開(kāi)始之前，子場(chǎng)數(shù)據(jù)DPI被輸入到尋址電極驅(qū)動(dòng)集 成電路310，但是可以在尋址期中將子場(chǎng)數(shù)據(jù)DP1輸入到尋址電極驅(qū)動(dòng)集成 電路310。但是，子場(chǎng)數(shù)據(jù)DP1應(yīng)該在預(yù)充電電壓(例如，Vp)被輸出到尋 址電極(例如，A1-AM)的時(shí)間點(diǎn)之前被輸入到尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路310。 而且，與圖3的實(shí)施例不同，預(yù)充電期可以被設(shè)為從先于尋址期的時(shí)間點(diǎn)開(kāi) 始。
ii在掃描期，為了選擇要發(fā)光的單元，在電壓Ve被施加到維持電極X的 狀態(tài)下，具有電壓VscL (或者掃描電壓)的掃描脈沖;f皮順序地施加到多個(gè) 掃描電極Y。同時(shí)，尋址電壓Va凈皮施加到尋址電極A，該尋址電極A穿過(guò) 對(duì)應(yīng)于被施加了電壓VscL的掃描電極Y的多個(gè)單元中被選為要發(fā)光的單 元。因此，在施加了尋址電壓Va的尋址電極A和施加了電壓VscL的掃描 電極Y之間以及在施加了電壓VscL的掃描電極Y和對(duì)應(yīng)于施加了電壓VscL 的掃描電極Y的維持電極X之間發(fā)生尋址放電，由此，在掃描電極Y上產(chǎn) 生了正(+ )壁電荷且在每個(gè)尋址電極A和維持電極X上產(chǎn)生了負(fù)(-)壁 電荷。高于電壓VscL的電壓VscH(例如，非掃描電壓)被施加到?jīng)]有被施 加電壓VscL的掃描電極Y,且參考電壓(例如，OV)被施加到?jīng)]有被選擇 的放電單元的尋址電極A。
在維持期，交替地具有高電平電壓(例如，圖3中的電壓Vs)和低電 平電壓(例如，圖3中的0V)的維持放電脈沖被施加到掃描電極Y和維持 電極X。施加到掃描電極Y的維持放電脈沖的相位與施加到維持電極X的 維持放電脈沖的相位相反。即，當(dāng)電壓Vs被施加到掃描電極Y時(shí)，電壓0V 被施加到維持電極X，且當(dāng)電壓Vs被施加到維持電極X時(shí)，電壓0V被施 加到掃描電極Y。由于電壓Vs和通過(guò)尋址放電而形成在掃描電極Y和維持 電極X之間的壁電荷，在掃描電極Y和維持電極X之間發(fā)生放電。因此， 施加維持放電脈沖到掃描電極Y和維持電極X的過(guò)程被重復(fù)對(duì)應(yīng)于相應(yīng)子 場(chǎng)的權(quán)重值的次數(shù)。
尋址電極驅(qū)動(dòng)器300可以利用不同于圖3所示的方法來(lái)防止子場(chǎng)數(shù)據(jù)的 失真，這將在參考圖4被描述。
圖4是示出了才艮據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng) 波形的圖。圖4所示的根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置的 驅(qū)動(dòng)波形與圖3所示的根據(jù)本發(fā)明的第 一示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置的 驅(qū)動(dòng)波形類(lèi)似，且因此對(duì)其的具體描述將省略而只描述它們的不同之處。
圖4所示的4艮據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng)波 形示出了圖3所示的子場(chǎng)數(shù)據(jù)DP1被分為多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)(DPla、DPlb、DPlc 和DPld),且該多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)(DPla、 DPlb、 DPlc和DPld)在不同的時(shí) 間點(diǎn)被輸入到尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路310。為了防止子場(chǎng)數(shù)據(jù)的失真，在預(yù) 充電期子場(chǎng)凄t據(jù)(DPla、 DPlb、 DPlc和DPld)凈皮施加到尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路310,這樣預(yù)充電電壓(例如，Vp)的上升脈沖施加時(shí)段和任意子場(chǎng) 數(shù)據(jù)(DPla、 DPlb、 DPlc和DPld)的施加時(shí)段不重疊。此后，正好在相 應(yīng)的掃描脈沖被施加到掃描電極Y之前，與第二掃描脈沖之后的掃描脈沖相 對(duì)應(yīng)的子場(chǎng)數(shù)據(jù)通過(guò)尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路310被輸入到尋址電極A，這與 參考圖3所描述的一致。
圖4示出的預(yù)充電期要比圖3示出的預(yù)充電期長(zhǎng)，這是由于對(duì)應(yīng)于圖4 的子場(chǎng)數(shù)據(jù)包括輸入時(shí)段。
根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置在預(yù)充電期之前的時(shí)段設(shè) 置子場(chǎng)數(shù)據(jù)DP1被輸入到尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路310的時(shí)間點(diǎn)或者在與預(yù)充 電電壓(例如，Vp)的上升脈沖不重疊的時(shí)段設(shè)置子場(chǎng)數(shù)據(jù)(例如，DPla、 DPlb、 DPlc和DPld)4皮輸入到尋址電極驅(qū)動(dòng)集成電路310的時(shí)間點(diǎn)。由此， 在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子顯示裝置中，子場(chǎng)數(shù)據(jù)沒(méi)有因?yàn)槭┘?預(yù)充電電壓的影響而失真，由此可以防止產(chǎn)生點(diǎn)噪聲。
當(dāng)結(jié)合被認(rèn)為是實(shí)際的示例性實(shí)施例來(lái)描述本發(fā)明時(shí)，可以理解，本發(fā) 明不限于所公開(kāi)的實(shí)施例，而是相反地，旨在涵蓋包括在所附權(quán)利要求書(shū)及 其等同物的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。
權(quán)利要求
1、一種等離子顯示裝置，包括等離子顯示面板，包括多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、與多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極交叉的多個(gè)第三電極、以及由所述多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極和多個(gè)第三電極限定的多個(gè)放電單元；控制器，用于將幀劃分為每個(gè)具有權(quán)重值的多個(gè)子場(chǎng)，并將多個(gè)圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成用于表示在每個(gè)子場(chǎng)中多個(gè)放電單元的發(fā)光狀態(tài)的多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)；第一電極驅(qū)動(dòng)器，用于在尋址期的第一時(shí)段順序地將掃描電壓施加到多個(gè)第一電極；以及第二電極驅(qū)動(dòng)器，用于將尋址電壓施加到多個(gè)第三電極中對(duì)應(yīng)于多個(gè)放電單元中的發(fā)光單元的第三電極，所述發(fā)光單元是由在第一時(shí)段中根據(jù)多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)而被施加掃描電壓的第一電極中的相應(yīng)的一個(gè)限定的，且該第二電極驅(qū)動(dòng)器被配置為在第一時(shí)段之前將預(yù)充電電壓施加到多個(gè)第三電極，其中，所述第二電極驅(qū)動(dòng)器包括用于接收多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)和將尋址電壓或預(yù)充電電壓輸出到多個(gè)第三電極的多個(gè)集成電路，且所述多個(gè)集成電路被配置成在與第二時(shí)段不重疊的時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始輸出預(yù)充電電壓，在所述第二時(shí)段中多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)的至少一部分被輸入到集成電路。
2、 如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其中，所述多個(gè)集成電踏4皮 劃分為多個(gè)組，且所述多個(gè)組被配置成在不同的時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始輸出預(yù)充電電壓。
3、 如權(quán)利要求2所述的等離子顯示裝置，其中所述第二時(shí)段在所述不 同的時(shí)間點(diǎn)之前。
4、 如權(quán)利要求2所述的等離子顯示裝置，其中所述第二時(shí)段被劃分為 多個(gè)第三時(shí)段，且該第三時(shí),殳的每個(gè)位于所述不同時(shí)間點(diǎn)中的兩個(gè)相鄰時(shí)間點(diǎn)之間。
5、 如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其中多個(gè)集成電路中的每個(gè) 包括數(shù)據(jù)鎖存器；移位寄存器，用于順序?qū)目刂破鬏斎氲亩鄠€(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)進(jìn)行釆樣并將所述多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)輸出到所述數(shù)據(jù)鎖存器；以及輸出緩存器，用于將來(lái)自所述數(shù)據(jù)鎖存器的多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成尋址電 壓并輸出該尋址電壓。
6、 如權(quán)利要求5所述的等離子顯示裝置，其中所述數(shù)據(jù)鎖存器被配置 為存儲(chǔ)在多個(gè)集成電路開(kāi)始輸出預(yù)充電電壓的時(shí)間點(diǎn)被輸入的多個(gè)子場(chǎng)數(shù) 據(jù)的至少一部分。
7、 如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其中多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)的至少一 部分是與多個(gè)放電單元中由在多個(gè)第一電極中首先被施加掃描電壓的第一 電極限定的放電單元相對(duì)應(yīng)的子場(chǎng)數(shù)據(jù)。
8、 如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其中預(yù)充電電壓低于所述尋 址電壓。
9、 一種驅(qū)動(dòng)等離子顯示裝置的方法，該裝置包括將對(duì)應(yīng)于多個(gè)子場(chǎng)數(shù) 據(jù)的尋址電壓施加到多個(gè)尋址電極的多個(gè)集成電路，該方法包括；將對(duì)應(yīng)于多個(gè)掃描電極中的每個(gè)的多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)輸入到多個(gè)集成電路； 將預(yù)充電電壓輸出到多個(gè)尋址電極；以及將尋址電壓施加到對(duì)應(yīng)于多個(gè)放電單元中的發(fā)光放電單元的一個(gè)尋址 電極，該多個(gè)放電單元是由根據(jù)子場(chǎng)數(shù)據(jù)被施加掃描電壓的掃描電極限定 的，其中，預(yù)充電電壓的輸出在與多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)中的至少部分子場(chǎng)數(shù)據(jù)被輸 入到多個(gè)集成電路的時(shí)間點(diǎn)的不同時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始。
10、 如權(quán)利要求9所述的方法，還包括將所述多個(gè)尋址電極劃分為兩個(gè) 或更多個(gè)組，其中，預(yù)充電電壓的輸出包括基于組在不同的時(shí)間點(diǎn)輸出到所述兩個(gè)或 更多個(gè)組。
11、 如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述預(yù)充電電壓的輸出是在輸 入多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)后執(zhí)行的。
12、 如權(quán)利要求10所述的方法，其中，輸入多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)是隨著基于 組在不同的時(shí)間點(diǎn)輸出預(yù)充電電壓而被交替執(zhí)行的。
13、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中子場(chǎng)數(shù)據(jù)的至少一部分對(duì)應(yīng)于多個(gè) 掃描電極中被首先施加了掃描電壓的掃描電極所限定的多個(gè)放電單元。
14、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述預(yù)充電電壓低于尋址電壓。
15、 一種等離子顯示裝置，包括等離子顯示面板，包括多個(gè)掃描電極、多個(gè)維持電極、與多個(gè)掃描電 極和多個(gè)維持電極交叉的多個(gè)尋址電極、以及由所述多個(gè)掃描電極、多個(gè)維 持電極和多個(gè)尋址電極限定的多個(gè)放電單元；掃描電極驅(qū)動(dòng)器，用于在尋址期的第一時(shí)段中將掃描電壓施加到多個(gè)掃 描電極中的掃描電極；以及尋址電極驅(qū)動(dòng)器，用于將預(yù)充電電壓和尋址電壓施加到多個(gè)尋址電極中 對(duì)應(yīng)于多個(gè)放電單元中的發(fā)光單元的尋址電極，其中，尋址電極驅(qū)動(dòng)器被配置為在與對(duì)應(yīng)于尋址電壓的至少一部分子場(chǎng) 數(shù)據(jù)被輸入到尋址電極驅(qū)動(dòng)器的時(shí)段不重疊的時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始輸出預(yù)充電電壓。
16、 如權(quán)利要求15所述的等離子顯示裝置，其中，所述多個(gè)尋址電極 被劃分為多個(gè)組，且尋址電極驅(qū)動(dòng)器被配置為在不同的時(shí)間點(diǎn)將預(yù)充電電壓施加到多個(gè)組 中的每一個(gè)。
17、 如權(quán)利要求16所述的等離子顯示裝置，其中所述時(shí)段在所述不同 的時(shí)間點(diǎn)之前。
18、 如權(quán)利要求16所述的等離子顯示裝置，其中時(shí)段被分為多個(gè)時(shí)段，且多個(gè)時(shí)段中的每個(gè)在所述不同時(shí)間點(diǎn)中的兩個(gè)相鄰的時(shí)間點(diǎn)之間。
19、 如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其中所述預(yù)充電電壓低于尋 址電壓。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種等離子顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。等離子顯示裝置包括掃描電極驅(qū)動(dòng)器和尋址電極驅(qū)動(dòng)器，掃描電極驅(qū)動(dòng)器用于在尋址期的第一時(shí)段順序?qū)呙桦妷菏┘拥蕉鄠€(gè)掃描電極，尋址電極驅(qū)動(dòng)器用于根據(jù)對(duì)應(yīng)于第一時(shí)段的多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)將尋址電壓施加到對(duì)應(yīng)于發(fā)光放電單元的尋址電極。尋址電極驅(qū)動(dòng)器被配置成在第一時(shí)段前將預(yù)充電電壓施加到尋址電極，尋址電極驅(qū)動(dòng)器被配置成在與多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)的至少一部分被輸入到尋址電極驅(qū)動(dòng)器的時(shí)段不重疊的時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始輸出預(yù)充電電壓。
文檔編號(hào)G09G3/288GK101483029SQ20091000163
公開(kāi)日2009年7月15日 申請(qǐng)日期2009年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月9日
發(fā)明者呂宰英 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社