專利名稱：等離子顯示器的掃描-尋址期電壓控制電路及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示器領(lǐng)域，具體而言，涉及一種等離子顯示器的掃描-尋址
期電壓控制電路及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
目前，等離子顯示器(Plasma Display Panel，縮寫為PDP)的結(jié)構(gòu)一般采用三電極 結(jié)構(gòu)，包括行掃描電極、列尋址電極和公共電極。圖1示出了三電極表面放電型等離子顯示 器(AC-PDP)結(jié)構(gòu)示意圖，其行掃描電極為Y電極，列尋址電極為A電極和公共電極為X電 極。圖2示出了三電極槽型(蔭罩式)等離子顯示器(CM-PDP)的示意圖，其行掃描電極為 X電極，列尋址電極為A電極和公共電極為蔭罩。 驅(qū)動(dòng)方法一般采用尋址與顯示分離ADS (Address DisplayS印aration)驅(qū)動(dòng)方法。 這種方法存在一個(gè)主要缺點(diǎn)就是掃描-尋址占用的時(shí)間過長，而且隨著顯示器分辨率的提 高，所需要的掃描_尋址時(shí)間就更長，掃描_尋址時(shí)間加長就意味著真正用于維持顯示的時(shí) 間變短，這對(duì)于提高顯示器的亮度是不利的。 為了消除等離子顯示器采用ADS方法時(shí)存在的偽輪廓問題，一般可以采用增加顯 示子場的方法。但是在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)增加子場數(shù)也意味著掃描-尋址時(shí) 間的大大增加，如此也會(huì)大大減小真正用于維持顯示的時(shí)間。如何減小尋址時(shí)間已成為PDP 驅(qū)動(dòng)中面臨的一個(gè)重要問題，特別是在高分辨率的場合中就顯得更為重要。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種等離子顯示器的掃描-尋址期電壓控制電路及其驅(qū)動(dòng)方法， 能夠解決掃描_尋址占用的時(shí)間過長的問題。 在本發(fā)明的實(shí)施例中，提供了一種等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，等離子顯示器的顯 示方式是一場分為多個(gè)子場，每個(gè)子場分為復(fù)位期、掃描-尋址期和維持期，包括以下步 驟在子場的掃描_尋址期不同的時(shí)間段施加不同特性的脈沖電壓，使得各個(gè)顯示單元在 掃描_尋址后期的壁電荷情況保持一致。 可選的，在上述的驅(qū)動(dòng)方法中，在掃描-尋址期不同的時(shí)間段施加不同特性的脈 沖電壓，使得各個(gè)顯示單元在掃描_尋址后期的壁電荷情況保持一致具體包括采用行掃 描驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮掃描電路，并采用列尋址驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮尋址電路；對(duì)行掃描驅(qū)動(dòng) 芯片的正掃描電壓輸入端施加常值的正掃描電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓輸入端施加常值的負(fù)掃 描參考電壓；對(duì)列尋址驅(qū)動(dòng)芯片的正尋址電壓輸入端施加以線性或指數(shù)形式從正尋址參考 電壓逐漸上升的正尋址電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓輸入端施加負(fù)尋址參考電壓；對(duì)公共電極施 加常值的參考電壓。 可選的，在上述的驅(qū)動(dòng)方法中，在掃描-尋址期不同的時(shí)間段施加不同特性的脈 沖電壓，使得各個(gè)顯示單元在掃描_尋址后期的壁電荷情況保持一致具體包括采用行掃 描驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮掃描電路，并采用列尋址驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮尋址電路；對(duì)行掃描驅(qū)動(dòng)芯片的正掃描電壓輸入端施加常值的正掃描電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓輸入端施加以線性或指 數(shù)形式從負(fù)掃描參考電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓；對(duì)列尋址驅(qū)動(dòng)芯片的正尋址電壓輸入端 施加常值的正尋址參考電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓輸入端施加負(fù)尋址參考電壓；對(duì)公共電極施 加常值的參考電壓。 可選的，在上述的驅(qū)動(dòng)方法中，在掃描-尋址期不同的時(shí)間段施加不同特性的脈 沖電壓，使得各個(gè)顯示單元在掃描_尋址后期的壁電荷情況保持一致具體包括采用行掃 描驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮掃描電路，并采用列尋址驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮尋址電路；對(duì)行掃描驅(qū)動(dòng) 芯片的正掃描電壓輸入端施加常值的正掃描電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓輸入端施加以線性形式 從負(fù)掃描參考電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓；對(duì)列尋址驅(qū)動(dòng)芯片的正尋址電壓輸入端施加以 線性形式從正尋址參考電壓逐漸上升的正尋址電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓輸入端施加負(fù)尋址參 考電壓；對(duì)公共電極施加常值的參考電壓。 可選的，在上述的驅(qū)動(dòng)方法中，在掃描-尋址期不同的時(shí)間段施加不同特性的脈
沖電壓，使得各個(gè)顯示單元在掃描_尋址后期的壁電荷情況保持一致具體包括采用行掃 描驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮掃描電路，并采用列尋址驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮尋址電路；對(duì)行掃描驅(qū)動(dòng) 芯片的正掃描電壓輸入端施加常值的正掃描電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓輸入端施加以指數(shù)形式 從負(fù)掃描參考電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓；對(duì)列尋址驅(qū)動(dòng)芯片的正尋址電壓輸入端施加以 指數(shù)形式從正尋址參考電壓逐漸上升的正尋址電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓輸入端施加負(fù)尋址參 考電壓；對(duì)公共電極施加常值的參考電壓。 在本發(fā)明的實(shí)施例中，還提供了一種等離子顯示器的掃描-尋址期電壓控制電
路，等離子顯示器提供等效的屏電容(CP)，其包括多個(gè)行掃描電極，多個(gè)列尋址電極以及公 共電極，等離子顯示器的顯示方式是一場分為多個(gè)子場，每個(gè)子場分為復(fù)位期、掃描-尋址 期和維持期，包括掃描電壓控制電路，尋址電壓供給裝置，公共電極電壓供給裝置，行掃描 驅(qū)動(dòng)芯片(IC1)，和列尋址驅(qū)動(dòng)芯片(IC2)，其中，掃描電壓控制電路包括正掃描電壓供給 裝置，負(fù)掃描電壓供給裝置，接通正掃描電壓供給裝置的第二開關(guān)管(S2)，接通負(fù)掃描電壓 供給裝置的第三開關(guān)管(S3)，用于控制掃描脈沖輸出的第四開關(guān)管(S4);行掃描驅(qū)動(dòng)芯片 的輸出端分別與行掃描電極連接，列尋址驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端分別與列尋址電極連接，公共 電極通過第一開關(guān)管與公共電極電壓供給裝置連接。 可選的，在上述的掃描-尋址期電壓控制電路中，第一開關(guān)管的輸入端與公共電 極電壓供給裝置的輸出端連接，第一開關(guān)管的輸出端與公共電極連接；第二開關(guān)管的輸入 端與掃描電壓供給裝置的輸出端連接，第二開關(guān)管的輸出端通過限流電阻(R)與行掃描驅(qū) 動(dòng)芯片的正掃描電壓輸入端連接；第三開關(guān)管的輸入端與負(fù)掃描電壓供給裝置的輸出端連 接，第三開關(guān)管的輸出端與行掃描驅(qū)動(dòng)芯片的負(fù)掃描電壓輸入端連接；第四開關(guān)管的輸入 端與第三開關(guān)管的輸出端連接，第四開關(guān)管的輸出端與第二開關(guān)管的輸出端連接；快恢復(fù) 二極管(D)的陰極與正掃描電壓供給裝置的輸出端連接，陽極與列尋址驅(qū)動(dòng)芯片的正掃描 電壓輸入端連接；尋址電壓供給裝置與列尋址驅(qū)動(dòng)芯片連接，正、負(fù)掃描電壓供給裝置都與 行掃描驅(qū)動(dòng)芯片連接；行掃描驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端分別連接掃描電極，列尋址驅(qū)動(dòng)芯片的輸 出端分別連接列尋址電極。 可選的，在上述的掃描_尋址期電壓控制電路中，行掃描驅(qū)動(dòng)芯片選用STV7617D、 STV7697A、 STV7693、 DK3407或SN755866PZP-1 ;列尋址驅(qū)動(dòng)芯片選用STV7699A。
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在上述的掃描_尋址期電壓控制電路中，正掃描電壓供給裝置用于在掃描_尋址 期間輸出具有常值的正掃描電壓；負(fù)掃描電壓供給裝置用于在掃描_尋址期間輸出具有常 值的負(fù)掃描參考電壓或者以線性或指數(shù)形式從負(fù)參考掃描電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓；尋 址電壓供給裝置用于在掃描_尋址期間輸出具有常值的正尋址參考電壓或以線性或指數(shù) 形式逐漸上升的正尋址電壓；公共電極電壓供給裝置用于在掃描_尋址期輸出具有常值的 電壓。 在上述的掃描-尋址期電壓控制電路中，正掃描電壓供給裝置用于提供上述驅(qū)動(dòng) 方法中的正掃描電壓；負(fù)掃描電壓供給裝置用于提供上述驅(qū)動(dòng)方法中的負(fù)掃描電壓；尋址 電壓供給裝置用于提供上述驅(qū)動(dòng)方法中的正尋址電壓；公共電極電壓供給裝置用于提供上 述驅(qū)動(dòng)方法中的參考電壓。 上述實(shí)施例的掃描_尋址期電壓控制電路及其驅(qū)動(dòng)方法因?yàn)樵谧訄龅膾呙鑏尋址 期不同的時(shí)間段施加不同特性的脈沖電壓，使得各個(gè)顯示單元在掃描-尋址后期的壁電荷 情況保持一致，所以可以有效減少等離子顯示器的總掃描-尋址時(shí)間，增加真正用于維持 顯示的有效時(shí)間，有利于提高顯示亮度、改善畫質(zhì)和減少偽輪廓。
此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本發(fā) 明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中
圖1示出了三電極表面放電型等離子顯示器(AC-PDP)結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2示出了三電極槽型(蔭罩式)等離子顯示器(SM-PDP)結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3示出了本發(fā)明的一具體實(shí)施在AC-PDP上的掃描_尋址期電壓控制電路圖；
圖4示出了本發(fā)明的另一具體實(shí)施在CM-PDP上的掃描-尋址期電壓控制電路圖；
圖5示出了圖3和圖4的掃描-尋址期電壓控制電路的工作過程時(shí)序圖；
圖6A-6C示出了圖3的掃描-尋址期電壓控制電路的在線性變化掃描_尋址期施 加在等離子顯示器上的驅(qū)動(dòng)波形圖； 圖7A-7C示出了圖3的掃描-尋址期電壓控制電路的在指數(shù)變化掃描_尋址期施 加在等離子顯示器上的驅(qū)動(dòng)波形圖； 圖8A-8C示出了圖4的掃描-尋址期電壓控制電路的在線性變化掃描_尋址期施 加在等離子顯示器上的驅(qū)動(dòng)波形圖； 圖9A-9C示出了圖4的掃描-尋址期電壓控制電路的在指數(shù)變化掃描_尋址期施 加在等離子顯示器上的驅(qū)動(dòng)波形圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例，來詳細(xì)說明本發(fā)明。 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供了一種等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，等離子顯示器的顯示 方式是一場分為多個(gè)子場，每個(gè)子場分為復(fù)位期、掃描-尋址期和維持期，包括以下步驟 在子場的掃描_尋址期不同的時(shí)間段施加不同特性的脈沖電壓，使得各個(gè)顯示單元在掃 描_尋址后期的壁電荷情況保持一致。 在掃描-尋址期，放電空間離子濃度、顯示單元上承受的電壓脈沖幅值與寬度對(duì)形成壁電荷有非常重要的影響。由于在復(fù)位期形成的空間離子濃度會(huì)隨著時(shí)間的推移逐漸 降低，而且復(fù)位期之后的尋址時(shí)間比較長，所以尋址期從開始到結(jié)束各個(gè)時(shí)刻各個(gè)顯示單 元的空間離子濃度的差異就會(huì)比較大。這時(shí)如果在各個(gè)單元上施加相同特性的脈沖，積累 的壁電荷也是不同的。如果各個(gè)單元上的壁電荷不同，它維持期相同的驅(qū)動(dòng)脈沖來保持各 個(gè)顯示單元顯示也會(huì)出現(xiàn)差異，甚至?xí)霈F(xiàn)誤點(diǎn)亮的情況。 而該實(shí)施例中通過在掃描-尋址期不同的時(shí)間段施加不同特性的脈沖電壓而使 各個(gè)單元在掃描_尋址后期的壁電荷情況保持一致，從而有助于避免誤點(diǎn)亮，同時(shí)還有利 于減少尋址時(shí)間，增加真正用于維持顯示的時(shí)間，有利于提高顯示亮度、改善畫質(zhì)和減少偽 輪廓。 由于掃描-尋址期各個(gè)單元所處的情況是不同的，所以現(xiàn)有技術(shù)中為了控制上的 簡單方便，并且為了保持所有單元的穩(wěn)定尋址， 一般是按照最差的工作情況確定掃描_尋 址脈沖的寬度和幅值的，這樣就使得某些單元的掃描_尋址裕量比真實(shí)需要的大很多。
如果根據(jù)需要來設(shè)置所需要的掃描-尋址電壓脈沖，這樣就能夠有效減少掃 描_尋址時(shí)間。另外，在掃描_尋址期施加在顯示單元?dú)怏w上的電壓越大，放電延遲就越小， 積累的壁電荷就越多。在掃描-尋址期施加在顯示單元?dú)怏w上的電壓越小，放電延遲就越 大，積累壁電荷就越少。 圖3示出了本發(fā)明的一具體實(shí)施在AC-PDP上的掃描-尋址期電壓控制電路圖。參 考圖3，該掃描-尋址期電壓控制電路，包括掃描電壓控制電路，尋址電壓供給裝置，公共 電極電壓供給裝置，行掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1，和列尋址驅(qū)動(dòng)芯片IC2以及等效的等離子顯示器 屏電容CP，其中掃描電壓控制電路包括正掃描電壓供給裝置，負(fù)掃描電壓供給裝置，接通 正掃描電壓供給裝置的第二開關(guān)管S2，接通負(fù)掃描電壓供給裝置的第三開關(guān)管S3，控制掃 描脈沖輸出的第四開關(guān)管S4，限流電阻R和快恢復(fù)二極管D。圖3中的開關(guān)管Sl-S4可以 采用M0S開關(guān)管。 具體連接方式S1的輸入端與公共電極電壓供給裝置的輸出端連接，Sl的輸出端 與X電極連接；S2的輸入端與掃描電壓供給裝置的輸出端連接，S2的輸出端通過R與IC1 的正掃描電壓輸入端連接；S3的輸入端與負(fù)掃描電壓供給裝置的輸出端連接，S3的輸出端 與IC1的負(fù)掃描電壓輸入端連接；S4的輸入端與S3的輸出端連接，S4的輸出端與S2的輸 出端連接；D的陰極與正掃描電壓供給裝置的輸出端連接，陽極與IC2的正掃描電壓輸入端 連接，從而當(dāng)行掃描驅(qū)動(dòng)芯片的正掃描電壓輸入端的電壓高于正掃描電壓供給裝置的輸出 端的電壓時(shí)，快恢復(fù)二極管導(dǎo)通，用于減小正掃描電壓的振蕩；尋址電壓供給裝置與IC2連 接，正、負(fù)掃描電壓供給裝置都與IC1連接。IC1的輸出端分別連接Y電極，IC2的輸出端分 別連接A電極。在掃描-尋址期，IC1的輸出端的T1和T2的接通與關(guān)閉由行掃描數(shù)據(jù)來 控制；IC2的輸出端的T3和T4的接通與關(guān)閉由尋址數(shù)據(jù)來控制。 可選的，IC1選用STV7617D、STV7697A、STV7693、DK3407或SN755866PZP-1、IC2選 用STV7699A。 可選的，正掃描電壓供給裝置在掃描-尋址期間輸出具有規(guī)定電壓值的正掃描電 壓；負(fù)掃描電壓供給裝置在掃描_尋址期間輸出具有規(guī)定電壓值的負(fù)掃描參考電壓或者以 線性或指數(shù)形式從負(fù)參考掃描電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓。尋址電壓供給裝置在掃描-尋 址期間輸出具有規(guī)定電壓值的正尋址參考電壓或以線性或指數(shù)形式逐漸上升的正尋址電
7壓。公共電極電壓供給裝置在掃描_尋址期輸出具有規(guī)定電壓值的電壓。 可選的，在上述的驅(qū)動(dòng)方法中，在掃描-尋址期不同的時(shí)間段施加不同特性的脈
沖電壓，使得各個(gè)顯示單元在掃描_尋址后期的壁電荷情況保持一致具體包括 采用行掃描驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮掃描電路，并采用列尋址驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮尋址電
路； 對(duì)行掃描驅(qū)動(dòng)芯片的正掃描電壓輸入端施加常值的正掃描電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓
輸入端施加以線性或指數(shù)形式從負(fù)掃描參考電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓； 對(duì)列尋址驅(qū)動(dòng)芯片的正尋址電壓輸入端施加常值的正尋址參考電壓，對(duì)其負(fù)掃描
電壓輸入端施加負(fù)尋址參考電壓； 對(duì)公共電極施加常值的參考電壓。 可選的，在上述的驅(qū)動(dòng)方法中，在掃描-尋址期不同的時(shí)間段施加不同特性的脈
沖電壓，使得各個(gè)顯示單元在掃描_尋址后期的壁電荷情況保持一致具體包括 采用行掃描驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮掃描電路，并采用列尋址驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮尋址電
路； 對(duì)行掃描驅(qū)動(dòng)芯片的正掃描電壓輸入端施加常值的正掃描電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓 輸入端施加以線性形式從負(fù)掃描參考電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓； 對(duì)列尋址驅(qū)動(dòng)芯片的正尋址電壓輸入端施加以線性形式從正尋址參考電壓逐漸 上升的正尋址電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓輸入端施加負(fù)尋址參考電壓；
對(duì)公共電極施加常值的參考電壓。 可選的，在上述的驅(qū)動(dòng)方法中，在掃描-尋址期不同的時(shí)間段施加不同特性的脈
沖電壓，使得各個(gè)顯示單元在掃描_尋址后期的壁電荷情況保持一致具體包括 采用行掃描驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮掃描電路，并采用列尋址驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮尋址電
路； 對(duì)行掃描驅(qū)動(dòng)芯片的正掃描電壓輸入端施加常值的正掃描電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓 輸入端施加以指數(shù)形式從負(fù)掃描參考電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓； 對(duì)列尋址驅(qū)動(dòng)芯片的正尋址電壓輸入端施加以指數(shù)形式從正尋址參考電壓逐漸 上升的正尋址電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓輸入端施加負(fù)尋址參考電壓；
對(duì)公共電極施加常值的參考電壓。 在上述的掃描-尋址期電壓控制電路中，正掃描電壓供給裝置提供上述驅(qū)動(dòng)方法 中的正掃描電壓；負(fù)掃描電壓供給裝置提供上述驅(qū)動(dòng)方法中的負(fù)掃描電壓；尋址電壓供給 裝置提供上述驅(qū)動(dòng)方法中的正尋址電壓；公共電極電壓供給裝置提供上述驅(qū)動(dòng)方法中的參 考電壓。 參考圖5，對(duì)圖3的掃描_尋址期電壓控制電路的操作進(jìn)行描述。
在掃描-尋址期之前，接通Sl，在X電極上施加具有規(guī)定電壓值的電壓；接通S4， 關(guān)閉S2，接通S3，負(fù)掃描電壓供給裝置分別通過S3和S4在IC1的負(fù)掃描電壓輸入端和正 掃描電壓輸入端施加具有規(guī)定值(可以是預(yù)先設(shè)定的常值)的負(fù)掃描參考電壓，這時(shí)IC1 兩端的電位為0 ;然后，關(guān)閉S4，同時(shí)接通S2，正掃描電壓供給裝置通過S2在IC1的正掃描 電壓輸入端施加具有規(guī)定電壓值的正掃描參考電壓，這時(shí)IC1兩端形成懸浮掃描電壓；正 尋址電壓和負(fù)尋址參考電壓(GND)已施加在IC2上，IC2兩端的懸浮尋址電壓也形成，此時(shí)
8電路進(jìn)入掃描-尋址期。 在掃描-尋址期，保持Sl、 S2、 S3和S4接通，公共電極電壓供給裝置通過Sl在X 電極上提供具有規(guī)定電壓值的參考電壓，正掃描電壓供給裝置提供具有規(guī)定電壓值的正掃 描參考電壓，負(fù)掃描電壓供給裝置或?qū)ぶ冯妷汗┙o裝置提供以線性或指數(shù)形式逐漸變化的 電壓，通過行掃描數(shù)據(jù)和列尋址數(shù)據(jù)控制IC1和IC2的Tl、 T2和T3、 T4的接通與關(guān)閉來選 擇輸出掃描和尋址電壓，這樣就在Y電極上或A電極上施加以線性或指數(shù)形式逐漸變化的 電壓脈沖。當(dāng)完成所有行顯示單元的掃描_尋址后，退出掃描_尋址期。
掃描-尋址期結(jié)束后，關(guān)閉Sl、S2和S3，接通S4，ICl的兩端電位恢復(fù)為0。其中， S2和S4不準(zhǔn)同時(shí)導(dǎo)通。 參考附圖6A，在掃描-尋址期，公共電極電壓供給裝置通過Sl在X電極上施加具 有規(guī)定值(可以是預(yù)先設(shè)定的常值)的參考電壓，尋址電壓供給裝置在IC2的正尋址電壓 輸入端施加具有規(guī)定電壓值的正尋址參考電壓，而負(fù)掃描供給裝置通過S3在IC1的負(fù)掃描 電壓輸入端施加以線性形式從負(fù)掃描參考電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓，通過行掃描數(shù)據(jù)和 列尋址數(shù)據(jù)控制T1、T2和T3、T4的接通與關(guān)閉，這樣就在Y電極上施加以線性形式從負(fù)掃 描參考電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓脈沖，并在A電極上施加具有規(guī)定電壓值的正尋址電壓 脈沖。隨著掃描-尋址期的延長，施加在Y電極上的負(fù)掃描電壓就越低，這樣就會(huì)使施加在 顯示單元?dú)怏w上的有效電壓越大，這樣就能夠有效彌補(bǔ)空間離子濃度減小造成的尋址放電 延遲增大，從而就可以使所有單元的尋址放電延遲保持基本相同，因此尋址時(shí)間就可以選 擇的比較小，而且掃描-尋址后各個(gè)需要積累壁電荷的單元中積累的壁電荷也基本相同。 在圖6中，掃描-尋址期開始時(shí)刻與結(jié)束時(shí)刻，負(fù)掃描電壓供給裝置在Y電極上施加的電壓 變化為AV。 參考圖6B，在掃描-尋址期，公共電極電壓供給裝置通過Sl在X電極上施加一具 有規(guī)定值(可以是預(yù)先設(shè)定的常值)的參考電壓，負(fù)掃描供給裝置通過S3在IC1的負(fù)掃描 電壓輸入端施加具有規(guī)定電壓值的負(fù)掃描參考電壓，而尋址電壓供給裝置在IC2的正尋址 電壓輸入端施加以線性形式從正尋址參考電壓逐漸上升的正尋址電壓，通過行掃描數(shù)據(jù)和 列尋址數(shù)據(jù)控制Tl、 T2和T3、 T4的接通與關(guān)閉，這樣就在A電極上施加以線性形式從正尋 址參考電壓逐漸上升的正尋址電壓脈沖，并在Y電極上施加具有規(guī)定電壓值的負(fù)掃描電壓 脈沖。隨著掃描-尋址期的延長，施加在A電極上的正尋址電壓就越高，這樣就會(huì)使施加在 顯示單元?dú)怏w上的有效電壓越大，這樣就能夠有效彌補(bǔ)空間離子濃度減小造成的尋址放電 延遲增大，從而就可以使所有單元的尋址放電延遲保持基本相同，因此尋址時(shí)間就可以選 擇的比較小，而且掃描-尋址后各個(gè)需要積累壁電荷的單元中積累的壁電荷也基本相同。 在圖6B中，掃描-尋址期開始時(shí)刻與結(jié)束時(shí)刻，尋址電壓供給裝置在A電極上施加的電壓 變化為AV。 參考圖6C，在掃描-尋址期，公共電極電壓供給裝置通過Sl在X電極上施加一具 有規(guī)定值(可以是預(yù)先設(shè)定的常值)的參考電壓，負(fù)掃描供給裝置通過S3在IC1的負(fù)掃描 電壓輸入端施加以線性形式從負(fù)掃描參考電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓，而尋址電壓供給裝 置在IC2的正尋址電壓輸入端施加以線性形式從正尋址參考電壓逐漸上升的正尋址電壓， 通過行掃描數(shù)據(jù)和列尋址數(shù)據(jù)控制Tl、 T2和T3、 T4的接通與關(guān)閉，這樣就在Y電極上施加 以線性形式從負(fù)掃描參考電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓脈沖，并在A電極上施加以線性形式從正尋址參考電壓逐漸上升的正尋址電壓脈沖。隨著掃描-尋址期的延長，施加在Y電極 上的負(fù)掃描電壓脈沖的幅值就越低，施加在A電極上的正尋址電壓脈沖的幅值就越高，這 樣就會(huì)使施加在顯示單元?dú)怏w上的有效電壓越大，這樣就能夠有效彌補(bǔ)空間離子濃度減小 造成的尋址放電延遲增大，從而就可以使所有單元的尋址放電延遲保持基本相同，因此尋 址時(shí)間就可以選擇的比較小，而且掃描-尋址后各個(gè)需要積累壁電荷的單元中積累的壁電 荷也基本相同。在圖6C中，掃描-尋址期開始時(shí)刻與結(jié)束時(shí)刻，負(fù)掃描電壓供給裝置在Y 電極上施加的電壓變化為AVy，尋址電壓供給裝置在A電極上施加的電壓變化為AVa。
參考圖7A，在掃描-尋址期，公共電極電壓供給裝置通過Sl在X電極上施加一具 有規(guī)定值(可以是預(yù)先設(shè)定的常值)的參考電壓，尋址電壓供給裝置在IC2的正尋址電壓 輸入端施加具有規(guī)定電壓值的正尋址參考電壓，而負(fù)掃描供給裝置通過S3在IC1的負(fù)掃描 電壓輸入端施加以指數(shù)形式從負(fù)掃描參考電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓，通過行掃描數(shù)據(jù)和 列尋址數(shù)據(jù)控制Tl、 T2和T3、 T4的接通與關(guān)閉，這樣就在Y電極上施加以指數(shù)形式從負(fù)掃 描參考電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓脈沖，并在A電極上施加具有規(guī)定電壓值的正尋址電壓 脈沖。這樣可以減少尋址時(shí)間。 參考圖6B，在掃描-尋址期，公共電極電壓供給裝置通過Sl在X電極上施加一具 有規(guī)定值(可以是預(yù)先設(shè)定的常值)的參考電壓，負(fù)掃描供給裝置通過S3在IC1的負(fù)掃描 電壓輸入端施加具有規(guī)定電壓值的負(fù)掃描參考電壓，而尋址電壓供給裝置在IC2的正尋址 電壓輸入端施加以指數(shù)形式從正尋址參考電壓逐漸上升的正尋址電壓，通過行掃描數(shù)據(jù)和 列尋址數(shù)據(jù)控制T1、T2和T3、T4的接通與關(guān)閉，這樣就在A電極上施加以指數(shù)形式從正尋 址參考電壓逐漸上升的正尋址電壓脈沖，并在Y電極上施加具有規(guī)定電壓值的負(fù)掃描電壓 脈沖。這樣可以減少尋址時(shí)間。 參考圖6C，在掃描-尋址期，公共電極電壓供給裝置通過Sl在X電極上施加一具 有規(guī)定值(可以是預(yù)先設(shè)定的常值)的參考電壓，負(fù)掃描供給裝置通過S3在IC1的負(fù)掃描 電壓輸入端施加以指數(shù)形式從負(fù)掃描參考電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓，而尋址電壓供給裝 置在IC2的正尋址電壓輸入端施加以指數(shù)形式從正尋址參考電壓逐漸上升的正尋址電壓， 通過行掃描數(shù)據(jù)和列尋址數(shù)據(jù)控制Tl、 T2和T3、 T4的接通與關(guān)閉，這樣就在Y電極上施加 以指數(shù)形式從負(fù)掃描參考電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓脈沖，并在A電極上施加以指數(shù)形式 從正尋址參考電壓逐漸上升的正尋址電壓脈沖。這樣可以減少尋址時(shí)間。
圖4的實(shí)施例的具體工作過程與圖3的實(shí)施例基本相同，這里就不加敘述。注意 的是，圖3的實(shí)施例中，等離子顯示器是AC-PDP，提供的是AC-PDP的等效電容；圖4的實(shí)施 例中，等離子顯示器是CM-PDP，提供的是CM-PDP的等效電容 以上的電路和方法通過大量的實(shí)驗(yàn)研究證明，在掃描_尋址期使A電極與Y電極 上的電壓變化在5V-20V時(shí)，可以使總尋址時(shí)間減少30X。這表明本發(fā)明在子場數(shù)目不發(fā)生 變化提高最大發(fā)光亮度，或者通過提高子場數(shù)目來改善畫面質(zhì)量方面是非常有效的。
本發(fā)明上述實(shí)施例的等離子顯示器的掃描_尋址期電壓控制電路及其驅(qū)動(dòng)方法， 在子場的掃描_尋址期不同的時(shí)間段施加不同特性的脈沖電壓，使得各個(gè)顯示單元在掃 描_尋址后期的壁電荷情況保持一致，從而可以有效減少等離子顯示器的總掃描_尋址時(shí) 間，增加真正用于維持顯示的有效時(shí)間，有利于提高顯示亮度、改善畫質(zhì)和減少偽輪廓。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，上述的本發(fā)明的各模塊或各步驟可以用通用的計(jì)算裝置來實(shí)現(xiàn)，它們可以集中在單個(gè)的計(jì)算裝置上，或者分布在多個(gè)計(jì)算裝置所組成 的網(wǎng)絡(luò)上，可選的，它們可以用計(jì)算裝置可執(zhí)行的程序代碼來實(shí)現(xiàn)，從而可以將它們存儲(chǔ)在 存儲(chǔ)裝置中由計(jì)算裝置來執(zhí)行，或者將它們分別制作成各個(gè)集成電路模塊，或者將它們中 的多個(gè)模塊或步驟制作成單個(gè)集成電路模塊來實(shí)現(xiàn)。這樣，本發(fā)明不限制于任何特定的硬 件和軟件結(jié)合。 以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技 術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修 改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種等離子顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，所述等離子顯示器的顯示方式是一場分為多個(gè)子場，每個(gè)子場分為復(fù)位期、掃描-尋址期和維持期，其特征在于，包括以下步驟在子場的掃描-尋址期不同的時(shí)間段施加不同特性的脈沖電壓，使得各個(gè)顯示單元在掃描-尋址后期的壁電荷情況保持一致。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，在掃描-尋址期不同的時(shí)間段施加不同特性的脈沖電壓，使得各個(gè)顯示單元在掃描_尋址后期的壁電荷情況保持一致具體包 括 采用行掃描驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮掃描電路，并采用列尋址驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮尋址電 路；對(duì)行掃描驅(qū)動(dòng)芯片的正掃描電壓輸入端施加常值的正掃描電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓輸入 端施加常值的負(fù)掃描參考電壓；對(duì)列尋址驅(qū)動(dòng)芯片的正尋址電壓輸入端施加以線性或指數(shù)形式從正尋址參考電壓逐 漸上升的正尋址電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓輸入端施加負(fù)尋址參考電壓；對(duì)公共電極施加常值的參考電壓。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，在掃描-尋址期不同的時(shí)間段施加 不同特性的脈沖電壓，使得各個(gè)顯示單元在掃描_尋址后期的壁電荷情況保持一致具體包 括采用行掃描驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮掃描電路，并采用列尋址驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮尋址電路；對(duì)行掃描驅(qū)動(dòng)芯片的正掃描電壓輸入端施加常值的正掃描電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓輸入 端施加以線性或指數(shù)形式從負(fù)掃描參考電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓；對(duì)列尋址驅(qū)動(dòng)芯片的正尋址電壓輸入端施加常值的正尋址參考電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓 輸入端施加負(fù)尋址參考電壓；對(duì)公共電極施加常值的參考電壓。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，在掃描_尋址期不同的時(shí)間段施加 不同特性的脈沖電壓，使得各個(gè)顯示單元在掃描_尋址后期的壁電荷情況保持一致具體包 括采用行掃描驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮掃描電路，并采用列尋址驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮尋址電路；對(duì)行掃描驅(qū)動(dòng)芯片的正掃描電壓輸入端施加常值的正掃描電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓輸入 端施加以線性形式從負(fù)掃描參考電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓；對(duì)列尋址驅(qū)動(dòng)芯片的正尋址電壓輸入端施加以線性形式從正尋址參考電壓逐漸上升 的正尋址電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓輸入端施加負(fù)尋址參考電壓；對(duì)公共電極施加常值的參考電壓。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，在掃描-尋址期不同的時(shí)間段施加 不同特性的脈沖電壓，使得各個(gè)顯示單元在掃描_尋址后期的壁電荷情況保持一致具體包 括采用行掃描驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮掃描電路，并采用列尋址驅(qū)動(dòng)芯片高壓懸浮尋址電路； 對(duì)行掃描驅(qū)動(dòng)芯片的正掃描電壓輸入端施加常值的正掃描電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓輸入端施加以指數(shù)形式從負(fù)掃描參考電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓；對(duì)列尋址驅(qū)動(dòng)芯片的正尋址電壓輸入端施加以指數(shù)形式從正尋址參考電壓逐漸上升的正尋址電壓，對(duì)其負(fù)掃描電壓輸入端施加負(fù)尋址參考電壓；對(duì)公共電極施加常值的參考電壓。
6. —種等離子顯示器的掃描_尋址期電壓控制電路，所述等離子顯示器提供等效的屏 電容(CP)，其包括多個(gè)行掃描電極，多個(gè)列尋址電極以及公共電極，所述等離子顯示器的顯 示方式是一場分為多個(gè)子場，每個(gè)子場分為復(fù)位期、掃描_尋址期和維持期，其特征在于，包括掃描電壓控制電路，尋址電壓供給裝置，公共電極電壓供給裝置，行掃描驅(qū)動(dòng)芯片(ic l)，和列尋址驅(qū)動(dòng)芯片(IC2)，其中，掃描電壓控制電路包括正掃描電壓供給裝置，負(fù)掃描電壓供給裝置，接通正掃描電壓供給裝置的第二開關(guān)管(S2)，接通負(fù)掃描電壓供給裝置的第三開關(guān)管(S3)，用于控制掃描脈沖輸出的第四開關(guān)管(S4);行掃描驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端分別與行掃描電極連接，列尋址驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端分別與列 尋址電極連接，公共電極通過第一開關(guān)管與公共電極電壓供給裝置連接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的掃描-尋址期電壓控制電路，其特征在于， 第一開關(guān)管的輸入端與公共電極電壓供給裝置的輸出端連接，第一開關(guān)管的輸出端與公共電極連接；第二開關(guān)管的輸入端與掃描電壓供給裝置的輸出端連接，第二開關(guān)管的輸 出端通過限流電阻(R)與行掃描驅(qū)動(dòng)芯片的正掃描電壓輸入端連接；第三開關(guān)管的輸入端 與負(fù)掃描電壓供給裝置的輸出端連接，第三開關(guān)管的輸出端與行掃描驅(qū)動(dòng)芯片的負(fù)掃描電 壓輸入端連接；第四開關(guān)管的輸入端與第三開關(guān)管的輸出端連接，第四開關(guān)管的輸出端與 第二開關(guān)管的輸出端連接；快恢復(fù)二極管(D)的陰極與正掃描電壓供給裝置的輸出端連 接，陽極與列尋址驅(qū)動(dòng)芯片的正掃描電壓輸入端連接；尋址電壓供給裝置與列尋址驅(qū)動(dòng)芯 片連接，正、負(fù)掃描電壓供給裝置都與行掃描驅(qū)動(dòng)芯片連接；行掃描驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端分別 連接掃描電極，列尋址驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端分別連接列尋址電極。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的掃描_尋址期電壓控制電路，其特征在于， 行掃描驅(qū)動(dòng)芯片選用STV7617D、STV7697A、STV7693、DK3407或SN755866PZP-1 ;列尋址驅(qū)動(dòng)芯片選用STV7699A。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6至8任一項(xiàng)所述的掃描_尋址期電壓控制電路，其特征在于， 正掃描電壓供給裝置用于在掃描_尋址期間輸出具有常值的正掃描電壓； 負(fù)掃描電壓供給裝置用于在掃描_尋址期間輸出具有常值的負(fù)掃描參考電壓或者以線性或指數(shù)形式從負(fù)參考掃描電壓逐漸下降的負(fù)掃描電壓；尋址電壓供給裝置用于在掃描-尋址期間輸出具有常值的正尋址參考電壓或以線性 或指數(shù)形式逐漸上升的正尋址電壓；公共電極電壓供給裝置用于在掃描_尋址期輸出具有常值的電壓。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6至8任一項(xiàng)所述的掃描_尋址期電壓控制電路，其特征在于， 正掃描電壓供給裝置用于提供權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的正掃描電壓； 負(fù)掃描電壓供給裝置用于提供權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的負(fù)掃描電壓； 尋址電壓供給裝置用于提供權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的正尋址電壓； 公共電極電壓供給裝置用于提供權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的參考電壓。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種等離子顯示器的掃描-尋址期電壓控制電路及其驅(qū)動(dòng)方法，等離子顯示器的顯示方式是一場分為多個(gè)子場，每個(gè)子場分為復(fù)位期、掃描-尋址期和維持期，方法包括以下步驟在子場的掃描-尋址期不同的時(shí)間段施加不同特性的脈沖電壓，使得各個(gè)顯示單元在掃描-尋址后期的壁電荷情況保持一致。本發(fā)明因?yàn)樵谧訄龅膾呙?尋址期不同的時(shí)間段施加不同特性的脈沖電壓，使得各個(gè)顯示單元在掃描-尋址后期的壁電荷情況保持一致，所以可以有效減少等離子顯示器的總掃描-尋址時(shí)間，增加真正用于維持顯示的有效時(shí)間，有利于提高顯示亮度、改善畫質(zhì)和減少偽輪廓。
文檔編號(hào)G09F9/313GK101763811SQ200810246788
公開日2010年6月30日 申請日期2008年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月29日
發(fā)明者霍偉 申請人:四川虹歐顯示器件有限公司