專利名稱：顯示基板及其制造方法以及具有該基板的顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示基板， 一種制造該顯示基板的方法以及具有該顯 示基板的顯示裝置。尤其是，本發(fā)明涉及具有強可靠性的顯示基板，制造 該顯示基板的方法以及具有該顯示基板的顯示裝置。
背景技術(shù)：
一4殳來說，顯示器包括顯示面板和驅(qū)動該顯示面板的驅(qū)動電路。顯示
面板包括陣列基板。該陣列基板包括多條柵極線(gate line),多條數(shù)據(jù)線和 多個由該柵極線和數(shù)據(jù)線限定的像素部分。驅(qū)動電路包括給該多條柵極線 提供柵極信號的柵極驅(qū)動電路和給該多條數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)信號的源極驅(qū)動 電路。
柵極驅(qū)動電路和源極驅(qū)動電路可以在一塊芯片中安裝在陣列基板上。 目前通用實踐中，柵極驅(qū)動電路直接形成在陣列基板上，以制造具有例如 薄等需求特征的顯示器。進一步，為了防止柵極驅(qū)動電路腐蝕，相當(dāng)厚的 有機層形成在陣列基板的姍極驅(qū)動電路上。
為了在陣列基板上安裝源極驅(qū)動電路，多個襯墊形成在陣列基板上。 多個襯墊中的單獨襯墊通過形成在有機層中的接觸孔電連接到下金屬層。
在包括陣列基板的顯示面板的面板墜落試驗工序中，由于有機層和下 金屬層上的保護層之間的粘合力較弱，保護層由陣列基板脫落。另外，源 極驅(qū)動電路沿保護層脫落。結(jié)果，接觸缺陷形成在源極驅(qū)動電路和襯墊之 間，從而降低了源極驅(qū)動電路的驅(qū)動可靠性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供具有強可靠性的顯示基板，帝j造該顯示基板的方法以及具 有該顯示基板的顯
在本發(fā)明的一典型實施例中，顯示基板包括基礎(chǔ)基板，其具有顯示區(qū)圍區(qū)域的襯墊部分；形成在外圍區(qū)域的粘結(jié)部分，且具有多個形成在外圍
區(qū)域上的鄰近襯墊部分的區(qū)域內(nèi)的孔，以及形成在4t墊部分和粘結(jié)部分上 的導(dǎo)電粘結(jié)件，用以電接觸襯墊部分和集成電路終端。
顯示基板進一步包括形成在像素電極下的有機層，形成在基礎(chǔ)基板上 的第 一絕緣層和形成在第 一絕緣層上的有機層。
所述多個孔中的各個孔通過外圍區(qū)域內(nèi)的部分有機層形成，且導(dǎo)電粘 結(jié)件粘結(jié)到通過各個孔曝露的第 一絕緣層。
第二絕緣層形成在基礎(chǔ)基板上。
另外，所述多個孔中的各個孔可通過形成在外圍區(qū)域內(nèi)的第 一絕緣層 和有機層的部分形成，且導(dǎo)電粘結(jié)件可粘結(jié)到通過各個孔曝露的第二絕緣層。
可替換的，所述多個孔中的各個孔可通過形成在外圍區(qū)域內(nèi)的第一絕 緣層和有機層的同步構(gòu)圖形成，且顯示基板進一步包括通過各個孔曝露的
虛擬構(gòu)圖(dummy pattern)。
顯示基板進一步包括開關(guān)元件，包括電連接到由第一金屬層形成的像 素電極的溝道層，以及由第二金屬層形成的源電極和漏電極。
虛擬構(gòu)圖由溝道層的構(gòu)圖形成，或者在可替換典型實施例中，通過第 二金屬層構(gòu)圖形成。
進一步，虛擬構(gòu)圖可為多層結(jié)構(gòu)，通過溝道層構(gòu)圖和第二金屬層構(gòu)圖 形成。
顯示基板進一步包括形成在基礎(chǔ)基板上的階梯補償構(gòu)圖，其中階梯補 償構(gòu)圖由第一金屬層的構(gòu)圖形成。
所述多個孔中的各個孔通過形成在外圍區(qū)域的部分有機層、第一絕緣 層和第二絕緣層同時構(gòu)圖形成，且導(dǎo)電粘結(jié)件粘結(jié)到通過各個孔曝露的第 二絕緣層。
像素電極包括透明電極和反射電極，且有機層可形成在反射電極上。 在可替換實施例中，有機層具有形成在其上的凹構(gòu)圖和凸構(gòu)圖。 進一步的，具有第一厚度的第一部分有機層可形成在具有襯墊部分的 外圍區(qū)域內(nèi)，具有第二厚度的有機層的第二部分可形成在其上形成有像素 電極的顯示區(qū)域內(nèi)，且有機層的第二部分的第二厚度可大于第一部分有機 層的第一厚度。顯示基板進一 步包括形成在外圍區(qū)域上的柵極電路部分，且形成在外 閨區(qū)域的部分有機層可覆蓋該柵極電路部分。
在本發(fā)明的另一典型實施例中，顯示基板包括基礎(chǔ)基板，其具有顯示 區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域，形成在顯示區(qū)域的像素電極，形成在外 圍區(qū)域的襯墊部分和形成在外圍區(qū)域且具有多個在外圍區(qū)域的鄰近襯墊部 分的區(qū)域內(nèi)形成的多個孔的電路部分。該電路部分具有安裝在電路部分的 集成電路("IC")。
顯示基板進一 步包括形成在基礎(chǔ)基板上的第 一絕緣層，形成在第 一絕 緣層上的有機層和形成在有機層和基礎(chǔ)基板之間的第一絕緣層。
多個孔中的每個孔通過外圍區(qū)域內(nèi)的部分有機層形成。
第二絕緣層形成在基礎(chǔ)基板上。
所述多個孔中的各個孔通過形成在外圍區(qū)域內(nèi)的第 一絕緣層和有機層 的部分形成。
虛擬構(gòu)圖可通過每個孔曝露。
顯示基板進一步包括開關(guān)元件，該開關(guān)元件包括電連接到第一金屬層 形成的像素電極的溝道層，以及第二金屬層形成的源電極和漏電極。 虛擬構(gòu)圖通過溝道層構(gòu)圖或第二金屬層構(gòu)圖形成。
虛擬構(gòu)圖可以為多層結(jié)構(gòu)，且可通過溝道層構(gòu)圖和第二金屬層構(gòu)圖形成。
顯示基板進一步包括階梯補償構(gòu)圖，形成在基礎(chǔ)基板上，由第一金屬 層構(gòu)圖形成。
所述多個孔中的各個孔通過形成在外圍區(qū)域的有機層、第一絕緣層和 第二絕緣層同步構(gòu)圖形成。
像素電極包括透明電極和反射電極，且有機層形成在反射電極上。 有機層具有形成在其上的凹構(gòu)圖和凸構(gòu)圖。
具有第一厚度的有機層的第 一部分形成在具有襯墊部分的外圍區(qū)域 內(nèi)，具有第二厚度的有機層的第二部分形成在其上形成有像素電極的顯示 區(qū)域內(nèi)，有機層的第二部分的第二厚度大于第一部分有機層的第一厚度。
柵極電路部分可形成在外圍區(qū)域。形成在外圍區(qū)域的部分有機層覆蓋 柵極電路部分。
在本發(fā)明的又一典型實施例中，在制造顯示基板的方法中，形成基礎(chǔ)基板，開關(guān)元件形成在基礎(chǔ)基板的顯示區(qū)域內(nèi)且襯墊圖案形成在圍繞顯示 區(qū)域的外圍區(qū)域內(nèi)。然后，有機層形成在基礎(chǔ)基板上且有機層構(gòu)圖以在鄰 近襯墊圖案的區(qū)域內(nèi)形成粘結(jié)部分。粘結(jié)部分具有多個形成在其中的孔。 然后，像素電極形成且電連接到開關(guān)元件且襯墊電極電連接到襯墊圖案。 然后，導(dǎo)電粘結(jié)件形成在襯墊電極和粘結(jié)部分上。導(dǎo)電粘結(jié)件電接觸襯墊 電才及和IC終端。
第一絕緣層可形成在基礎(chǔ)基板上。
導(dǎo)電粘結(jié)件粘結(jié)到通過多個孔中的每個孔透露的第 一絕緣層。 第二絕緣層形成在基礎(chǔ)基板上。
粘結(jié)部分的形成包括同步構(gòu)圖第 一絕緣層和有機層。 導(dǎo)電粘結(jié)件粘結(jié)到通過孔曝露的第二絕緣層。 柵極電路部分可形成在外圍區(qū)域。
有機層形成步驟形成了部分有機層以覆蓋櫥極電路部分。 在本發(fā)明另外一個典型實施例中，顯示器包括顯示面板。該顯示面板
包括基礎(chǔ)基板；形成在基礎(chǔ)基板上且具有顯示區(qū)域和外圍區(qū)域的顯示基 板；面對顯示基板的相對基板；形成在顯示區(qū)域的像素電極；形成在外圍 區(qū)域的襯墊部分；粘結(jié)部分，形成在外圍區(qū)域且具有多個在外圍區(qū)域鄰近 襯墊部分的區(qū)域形成的孔。
顯示器進一步包括形成在襯墊部分和粘結(jié)部分的導(dǎo)電元件和通過導(dǎo)電 元件電連接到襯墊部分的集成電路。
顯示基板進一步包括形成在基礎(chǔ)基板上的第 一絕緣層和形成在第 一絕 緣層上像素電極下的有機層的第一部分。
所述多個孔中的各個孔通過部分有機層的第一部分形成在外圍區(qū)域， 導(dǎo)電粘結(jié)件粘結(jié)到通過各個孔曝露的第一絕緣層。
第二絕緣層形成在基礎(chǔ)基板上。
所述多個孔中的各個孔通過外圍區(qū)域內(nèi)的部分有機層的第一部分和部 分第一絕緣層形成，且導(dǎo)電粘結(jié)件粘結(jié)到通過各個孔曝露的第二絕緣層。
孔可通過形成在外圍區(qū)域內(nèi)的第一絕緣層和有機層同步構(gòu)圖形成，且 顯示基板可進一步包括由各個孔的每個曝露的虛擬構(gòu)圖。
顯示器可進一步包括開關(guān)元件，該開關(guān)元件包括電連接到第一金屬層
形成的像素電極的溝道層，以及由第二金屬層形成的源電極和漏電極。虛擬構(gòu)圖由溝道層構(gòu)圖形成或由第二金屬層構(gòu)圖形成。 虛擬構(gòu)圖可為多層結(jié)構(gòu)，通過溝道層和第二金屬層構(gòu)圖形成。 階梯補償構(gòu)圖可形成在基礎(chǔ)基板上。 階梯補償構(gòu)圖可由第 一金屬層構(gòu)圖形成。
各個孔中的每個由形成在外圍區(qū)域的有機層、第一絕緣層和第二絕緣 層同步構(gòu)圖形成，且導(dǎo)電粘結(jié)件粘結(jié)到通過各個孔曝露的第二絕緣層。
像素電極包括透明電極和反射電極。有機層的第 一部分可形成在反射 電極上。
有機層的第 一部分上可形成有凸構(gòu)圖和凹構(gòu)圖。 濾色層中可形成有透光孔，其中透光孔形成在反射電極上。 相對電極進一步包括第二有機層，其形成在位于顯示基板的顯示區(qū)域
上的像素電極的反射電極之上。 ，
具有第 一厚度的第 一部分有機層的第 一部分形成在具有襯墊部分的外
圍區(qū)中，具有第二厚度的有機層的第二部分形成在其上形成有像素電極
的顯示區(qū)域中，且有機層的第二部分的第一部分的第二厚度大于第一部分
有機層的第一部分的第一厚度。
在顯示基板，制造顯示基板的方法和具有#4居本發(fā)明典型實施例的顯 示基板的顯示器中，粘結(jié)部分鄰近襯墊部分形成，/人而可加強襯墊部分和 安裝在襯墊部分上的IC終端之間的粘結(jié)力。
通過根據(jù)相應(yīng)附圖進一步描述本發(fā)明的典型實施例，本發(fā)明的上述和 其他方面、特征和優(yōu)點將更清楚，其中
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一典型實施例的顯示基板的平面圖2是根據(jù)本發(fā)明第一典型實施例的的圖1中的顯示基板的部分截面
圖3A、 3B和3C是說明根據(jù)本發(fā)明第一典型實施例的圖2中顯示基板
的制造方法的部分截面圖4是根據(jù)本發(fā)明第二典型實施例的顯示基板的部分截面圖5A和5B是說明根據(jù)本發(fā)明第二典型實施例的圖4中的顯示基板制
造方法的部分截面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明第三典型實施例的顯示器的部分截面圖； 圖7是根據(jù)本發(fā)明第四典型實施例的顯示器的部分截面圖； 圖8是根據(jù)本發(fā)明第五典型實施例的顯示器的部分截面圖； 圖9是根據(jù)本發(fā)明第六典型實施例的顯示器的部分截面圖； 圖IO是根據(jù)本發(fā)明第七典型實施例的顯示基板的部分截面圖； 圖11是根據(jù)本發(fā)明第八典型實施例的顯示基玲反的部分截面圖； 圖12是根據(jù)本發(fā)明第九典型實施例的顯示基板的部分截面圖； 圖13是根據(jù)本發(fā)明第十典型實施例的顯示基^反的部分截面圖；和 圖14是根據(jù)本發(fā)明第十一典型實施例的顯示基板的部分截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將根據(jù)顯示本發(fā)明典型實施例的相應(yīng)附圖更充分地描述本發(fā)明。 然而，本發(fā)明可包括多種不同形式而不應(yīng)解釋為限制于此處闡明的實施例。 相反，提供這些實施例是為了這種公開充分和完整，且向本領(lǐng)域技術(shù)人員 充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。同樣的參考數(shù)字始終指示同樣的元件。
可理解的是，當(dāng)說一元件在另一元件之上時，它可直接在其他元件上 或者中間存在插入元件。相應(yīng)的，當(dāng)說一個元件直4妄在另一元件上時，不 存在插入元件。如此處所使用的，術(shù)語"和/或"包括一個或多個所列項的任 一和所有組合。
可以理解的是，盡管此處可使用術(shù)語"第一"、"第二"、"第三"等來描述 各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，這些元件、ia件、區(qū)域、層和/或部 分不應(yīng)限制于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用來區(qū)分一個元件、組件、區(qū)域、層 或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)
的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可定義為第二元 件、組件、區(qū)域、層或部分。
此處使用的術(shù)語僅用于描述特殊實施例而不是限制該發(fā)明。正如此處 所用，單數(shù)形式"一"、"一個"和"該"也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚的指 示相反含義?？梢岳斫獾氖?，術(shù)語"包括"和/或"包含，，在說明中使用時，說 明存在規(guī)定的特征、區(qū)域、組件、整型、步驟、操作、元件和/或組件，但 是并不排除一個或多個其他特征、區(qū)域、整型、步驟、操作、元件、組件 和/或它們的組合的存在或增加。此外，這里可使用相關(guān)術(shù)語，例如"下部"或"底部"和"上部"或"頂部，，以 如圖中所示描述一元件與其他元件的關(guān)系?？梢岳斫獾氖?，除了圖中所示 的方位相關(guān)術(shù)語也包含裝置的其他方位。例如，如果一附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)， 描述為在其他元件"下部"的元件可位于該元件的"上部"。因此依據(jù)圖中特殊 方位，典型術(shù)語"下部"包含"下部"和"上部"兩方位。類似的，如果一幅圖中 的裝置翻轉(zhuǎn)，描述為在另一元件"下面"或"下部，，的元件可位于另一元件的 "上面"。因此，典型術(shù)語"下面"或"下部"可以因此包含上面和下面兩種方位。
除非另外定義，這里采用的所有術(shù)語(包括技術(shù)的和科學(xué)的術(shù)語)具 有本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義。進一步可以理解 的是，這些術(shù)語，例如通用詞典中定義的，應(yīng)解釋為與相關(guān)技術(shù)和本公開 的上下文一致的含義，而不應(yīng)解釋為理想化的或過于正式的含義，除非此 處明確的定義如此。
此處結(jié)合截面圖描述本發(fā)明的典型實施例，其是本發(fā)明理想實施例的 示意說明。同樣的，可以預(yù)期圖的形狀的各種偏差，例如由于制造技術(shù)和/ 或公差造成。因此，本發(fā)明的實施例不能解釋為限制于此處說明的區(qū)域的 特殊形狀，而應(yīng)包括形狀的偏離，例如由制造造成。例如，說明或描述為 平面的區(qū)域，通常具有粗糙的和/或非線性特征。此外，描述的銳利的角度 可以圓化。因此，附圖中描述的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，且它們的形狀不 是說明區(qū)域的準(zhǔn)確形狀且不是限制本發(fā)明的范圍。
下文中，本發(fā)明的典型實施例可結(jié)合相應(yīng)附圖進一步詳細(xì)的描述。
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一典型實施例的顯示基板的平面圖。
根據(jù)圖1,顯示基板包括顯示區(qū)域DA和圍繞顯示區(qū)域DA的外圍區(qū)域 PA。多條柵極線GL和多條數(shù)據(jù)線DL形成在顯示區(qū)域DA內(nèi)。柵極線GL 交叉數(shù)據(jù)線DL以限定基本上矩形的圖案。在一個典型實施例中，柵極線 GL和數(shù)據(jù)線DL在顯示基板上限定多個像素部分P;然而，多個像素部分P 可在替換典型實施例中以不同方式限定。
多個像素部分P的每個像素P包括電連接到多條柵極線GL中的各個 柵極線GL和多條數(shù)據(jù)線DL中的各個數(shù)據(jù)線的開關(guān)元件TFT，和電連接到 開關(guān)元件TFT的像素電極PE。
外圍區(qū)域PA包括設(shè)置在數(shù)據(jù)線DL端部的第一電路區(qū)域CA1和設(shè)置 在柵極線GL端部的第二電路區(qū)域CA2。
14襯墊部分210和粘結(jié)部分220設(shè)置在第一電路區(qū)域CA1的表面上。襯 墊部分210包括多個襯墊211。進一步，襯墊部分210包括電連接到源極集 成電路("IC")(未示出)輸入端的輸入襯墊210a，和電連接到輸出端(未 示出)的輸出襯墊210b。輸出襯墊部分210b電連接到數(shù)據(jù)線DL以施加數(shù) 據(jù)信號給數(shù)據(jù)線DL。
粘結(jié)部分220包括多個鄰近襯墊部分210形成的孔。粘結(jié)部分220加 強了襯墊部分210和源極IC (未示出)之間的粘結(jié)力且加強了源極IC和顯 示基板之間的粘結(jié)力。
柵極電路部分230可直接形成在第二電路區(qū)域CA2內(nèi)的顯示基板上。 柵極電路部分230可包括移位寄存器，具有彼此電連接的多個開關(guān)元件， 且施加?xùn)艠O信號給柵極線GL。
圖2是根據(jù)本發(fā)明第一典型實施例的圖1中顯示基板的部分截面圖。
根據(jù)圖1和2,根據(jù)本發(fā)明第一典型實施例的顯示基板100a包括基礎(chǔ) 基板IOI。顯示基板100a進一步包括顯示區(qū)域DA和外圍區(qū)域PA，其圍繞 顯示區(qū)域DA，如上所述。同樣的，外圍區(qū)域PA包括第一電路區(qū)域CA1和 第二電路區(qū)域CA2。
第一金屬構(gòu)圖(未完全示出)形成在基礎(chǔ)基板100a上。第一金屬構(gòu)圖 包括形成在顯示區(qū)域DA內(nèi)的多條^f冊極線GL，開關(guān)元件TFT的柵電極GE 和形成在第二電路區(qū)域CA2的柵極電路部分230的4冊極金屬構(gòu)圖231。
柵極絕緣層110形成在基礎(chǔ)基板101上，其上形成有第一金屬構(gòu)圖， 溝道部分CH形成在柵電極GE的4冊極絕緣層110上。溝道部分CH包括具 有無定形硅("a-Si")的活化層，和具有n+無定形硅("n+a-Si")的歐姆接 觸層，它通過以較高濃度將n+雜質(zhì)注入a-Si形成。第一孔H1形成在柵極 金屬構(gòu)圖231上的柵極絕緣層110內(nèi)。
第二金屬構(gòu)圖(未完全示出)形成在其上形成有溝道部分CH的基礎(chǔ) 基板101上。第二金屬構(gòu)圖(未完全示出)包括形成在顯示區(qū)域DA內(nèi)的多 條數(shù)據(jù)線DL，開關(guān)元件TFT的源電極SE,開關(guān)元件TFT的漏電極DE， 形成在第一電路區(qū)域CA1內(nèi)的襯墊構(gòu)圖211a,和形成在第二電路區(qū)域CA2 內(nèi)柵極電路部分230的源極金屬構(gòu)圖232。源極金屬構(gòu)圖232通過第一孔 H1電接觸柵極金屬構(gòu)圖231 。
保護絕緣層120和有機層130形成在其上形成有第二金屬構(gòu)圖的基礎(chǔ)基板101上。有機層130形成在柵極電路部分230上，以防止柵極電路部 分230的腐蝕，從而加強柵極電路部分230的驅(qū)動可靠性。
曝露部分漏電極DE的第二孔H2形成在保護絕纟彖層120和有機層130 上，形成粘結(jié)部分220的第三孔H3和曝露襯墊構(gòu)圖211 a的第四孔H4形成 在第一電路區(qū)域CA1。粘結(jié)部分220的第三孔H3可通過有機層130和保護 絕緣層120的構(gòu)圖曝露柵極絕緣層110。在可替換實施例中，第三孔H3可 通過僅構(gòu)圖有機層130曝露保護絕緣層120。進一步的，相應(yīng)于第一電路區(qū) 域CA1的第一部分有機層130可具有第一厚度，薄于相應(yīng)于顯示區(qū)域DA 的有機層的第二部分130的第二厚度，以最小化第三孔H3和第四孔H4的 階梯部分。
通過第二孔H2電連接到漏電極DE的像素電極PE形成在顯示區(qū)域DA 內(nèi)，且通過第四孔H4電連接到襯墊構(gòu)圖211a的襯墊電極211b形成在第一 電路區(qū)域CA1。包括襯墊構(gòu)圖2Ua和襯墊電極211b的襯墊211形成在第一 電^各區(qū)i或CAl。
導(dǎo)電粘結(jié)件150形成在第一電路區(qū)域CA1內(nèi)，其上安裝有源極IC(未 示出)且電連接到源極IC和襯墊部分210。導(dǎo)電粘結(jié)件150可包括，例如， 各向異性導(dǎo)電膜("ACF'),但不限制于此。導(dǎo)電粘結(jié)件150插入粘結(jié)部分 220的多個第三孔H3，以直接接觸柵極絕緣層IIO或保護絕緣層120。
因此，由于導(dǎo)電粘結(jié)件150通過粘結(jié)部分220的多個第三孔H3與基礎(chǔ) 基板101直接接觸，導(dǎo)電粘結(jié)件150和基礎(chǔ)基板101之間的粘結(jié)力加強。 從而，防止了導(dǎo)電粘結(jié)件150從基礎(chǔ)基板101脫落。結(jié)果，安裝在第一電 路區(qū)域CA1的源極IC和襯墊部分210之間的粘結(jié)力加強，從而改進驅(qū)動可 靠性。
圖3A， 3B和3C是說明根據(jù)本發(fā)明第一典型實施例的圖2中顯示基板 的制造方法的部分截面圖。
根據(jù)圖1、 2和3A,包括柵極線GL、柵電極GE和柵極電路部分230 的柵極金屬構(gòu)圖231的第一金屬構(gòu)圖(未完全示出)采用形成在基礎(chǔ)基板 101上的第一金屬層形成在基礎(chǔ)基板101上。然后，柵極絕緣層110形成在 具有第一金屬構(gòu)圖形成在其上的基礎(chǔ)基板101上。
具有活化層和歐姆接觸層的溝道層形成在具有柵極絕緣層110形成在 其上的基礎(chǔ)基板101上。活化層可包括a-Si。歐姆接觸層可包括n+a-Si,其通過以高濃度向a-Si注入n+雜質(zhì)形成。接下來，溝道層構(gòu)圖以形成溝道部 分CH,覆蓋柵極絕緣層IIO上的柵電極GE，如圖3A所示。
第一孔H1通過柵極絕緣層110構(gòu)圖形成在柵極金屬構(gòu)圖231內(nèi)。 現(xiàn)在根據(jù)圖1, 2和3B，包括數(shù)據(jù)線DL、源電才及SE、漏電極DE、襯 墊構(gòu)圖211a和柵極電路部分230的源極金屬構(gòu)圖232的第二金屬構(gòu)圖形成 在基礎(chǔ)基板101上，其具有采用第二金屬層形成在基礎(chǔ)基板101上的第一孔m。
柵極電路部分230的源極金屬構(gòu)圖232通過第一孔H1電連接到柵極金 屬構(gòu)圖231。
保護絕緣層120和有機層130順序形成在其上形成有第二金屬構(gòu)圖的 基礎(chǔ)基板101上。然后，保護層120和有機層130采用掩模250構(gòu)圖。
掩模250包括曝露部分251、半曝露部分252和阻光部分253。曝露部 分251設(shè)置在形成在顯示區(qū)域DA上的第二孔H2上，且第三和第四孔H3 和H4形成在第一電路區(qū)域CA1內(nèi)。半曝露部分252設(shè)置在第一電路區(qū)域 CA1上，且阻光部分253設(shè)置在有^L層130區(qū)域上，如圖3B所示。
因此，在保護層120和有機層130采用掩模250的構(gòu)圖處理期間，曝 露部分251清除了有機層130和保護絕緣層120以分別形成第二、第三和 第四孔H2、 H3和H4。隨后，半曝露部分252在第一電路區(qū)域CA1上形成 有機層130，其比形成在顯示區(qū)域DA和第二電路區(qū)域CA2上的有機層130 厚，如上所述。
仍根據(jù)圖1、 2和3B，清除有機層130和保護絕緣層120,且曝露柵極 絕緣層110以形成粘結(jié)部分220的孔。在本發(fā)明可替換實施例中，有機層 130、絕緣層120和柵極絕緣層IIO可同時清除，然后曝露基礎(chǔ)基板101以 形成粘結(jié)部分220的孔?？商鎿Q的，可清除有機層130然后曝露保護絕緣 層120以分別形成粘結(jié)部分220的第二、第三和第四孔H2、 H3和H4。
根據(jù)圖1、 2和3C，透明導(dǎo)電層(未完全示出)形成在^^別形成有第 二到第四孔H2、 H3到H4的基礎(chǔ)基板101上。透明導(dǎo)電層構(gòu)圖以形成在顯 示區(qū)域DA通過第二孔H2電連接到漏電極DE的像素電極PE，且形成在第 一電路區(qū)域CA1通過第四孔H4電連接到襯墊構(gòu)圖211a的襯墊電極211b。 因此，形成襯墊211,其包括襯墊構(gòu)圖211a和襯墊電極211b。
導(dǎo)電粘結(jié)件150形成在其上形成有襯墊電極211b的第一電路區(qū)域CAl上。在典型實施例中，導(dǎo)電粘結(jié)件150電連接到安裝到第一電路區(qū)域CAl 的源極IC和襯墊電極211b。進一步的，導(dǎo)電粘結(jié)件150插入粘結(jié)部分220 的第三孔H3以接觸柵極絕緣層110。
相應(yīng)的，基礎(chǔ)基板101和導(dǎo)電粘結(jié)件150之間的粘結(jié)力，例如耦合力， 防止例如保護絕緣層120和有機層130在外部作用下分離，但不限制于此。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第二典型實施例的顯示基板的部分截面圖。在下文 中，同一參考數(shù)字用于指示與參考根據(jù)本發(fā)明第一典型實施例的顯示基板 100a描述的同樣的組件，這里省略重復(fù)的描述。
根據(jù)圖l和4，根據(jù)第二典型實施例的顯示基板100b具有反射-透射 結(jié)構(gòu)。例如，顯示區(qū)域DA可包括透射區(qū)域TA和反射區(qū)域RA。有機層130a 形成在反射區(qū)域RA內(nèi)。形成在顯示區(qū)域DA內(nèi)的像素電極PE包括形成在 透射區(qū)域TA內(nèi)的透明電極TE和形成在反射區(qū)域RA內(nèi)的反射電極RE。
包括多個孔的粘結(jié)部分220和包括多個襯墊211的襯墊部分210形成 在第一電路區(qū)域CA1內(nèi)。粘結(jié)部分220和襯墊部分210通過有機層130a 構(gòu)圖形成。反射區(qū)域RA內(nèi)的部分有機層130a厚于第一電路區(qū)域CAl內(nèi)的 部分有機層130a,正如圖4所示。
粘結(jié)部分220包括多個第三孔H3。多個第三3LH3通過有^f幾層130a和 保護絕緣層120構(gòu)圖形成。在可替換實施例中，多個第三孔H3可通過僅構(gòu) 圖有才幾層130a形成。
導(dǎo)電粘結(jié)層150形成在第一電路區(qū)域CA1內(nèi)，且電連接到安裝到第一 電路區(qū)域CA1內(nèi)襯墊211的源極IC (未示出)終端。導(dǎo)電粘結(jié)件150插入 粘結(jié)部分220的多個第三孔H3，以接觸柵極絕緣層IIO。
相應(yīng)的，基礎(chǔ)基板101和導(dǎo)電粘結(jié)層150之間的通過粘結(jié)部分220的 粘結(jié)力加強了保護絕緣層120和有機層130a之間的粘結(jié)力。
柵極電路部分230形成在第二電路區(qū)域CA2。；斷極電路部分230包括 柵極金屬構(gòu)圖231和形成在柵極金屬構(gòu)圖231上的源^l金屬構(gòu)圖232。柵極 金屬構(gòu)圖231和源極金屬構(gòu)圖232通過形成在柵極絕緣層110上的第一孔 Hl彼此電連接。有機層130a形成在柵極電路部分230以防止柵極電路部分 230的腐蝕。
圖5A和5B是說明根據(jù)本發(fā)明第二典型實施例的圖4中的顯示基板制 造方法的部分截面圖。根據(jù)圖1、 4、 5A和5B,第一金屬構(gòu)圖和第二金屬構(gòu)圖形成在基礎(chǔ)基 板101上。柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL和開關(guān)元件TFT形成在顯示區(qū)域DA內(nèi)， 襯墊構(gòu)圖2Ua形成在第一電路區(qū)域CAl內(nèi)，柵極電路部分230形成在第二 電^各區(qū)i或CA2內(nèi)。
保護絕緣層120和有機層130a順序形成在具有第一和第二金屬構(gòu)圖形 成在其上的基礎(chǔ)基板101上，然后采用掩模260構(gòu)圖保護絕緣層120和有 機層130a。
掩沖莫260包括曝露部分261,半曝露部分262和阻光部分263。曝露部 分261設(shè)置在顯示區(qū)域DA內(nèi)的第二孔H2、顯示區(qū)域DA的透射區(qū)域TA、 第一電路區(qū)域DA內(nèi)的第三孔H3和第四孔H4上。
半曝露部分262設(shè)置在第一電路區(qū)域CA1內(nèi)的有機層130a上，如圖 5A所示。阻光部分253設(shè)置在有機層130a的剩余區(qū)域上，例如，有機層 130a的剩余區(qū)域在第二電路區(qū)域CA2內(nèi)，但不限制于此。
因此，在保護層120和有機層130a采用掩模260構(gòu)圖處理期間，清除 有機層130a和保護絕緣層120以分別形成第二到第四孔H2、 H3和H4,且 在透射區(qū)域TA內(nèi)曝露柵極絕緣層120。
由于半曝露部分252,相應(yīng)于第一電路區(qū)域CA1的有機層130a的厚度 薄于相應(yīng)于顯示區(qū)域DA和第二電路區(qū)域CA2的有機層130a的厚度。
根據(jù)圖1、 4和5B,反射金屬層形成在分別具有第二到第四孔H2、 H3 和H4形成在其上的基礎(chǔ)基板101上。反射金屬層構(gòu)圖以在反射區(qū)域RA的 有機層130a上形成像素電極PE的反射電極RE。反射電極RE通過第二孔 H2電連接到漏電極DE,正如圖5B所示。
透明電極層形成在具有反射電極RE形成在其上的基礎(chǔ)基板101上，然 后構(gòu)圖透明電極層以形成像素電極PE的透射電極TE,和通過第四孔H4電 連接到襯墊構(gòu)圖211a的襯墊電極2ilB。因此，形成包括襯墊構(gòu)圖2Ua和 襯墊電極211b的襯墊211。
導(dǎo)電粘結(jié)件150 (圖4)形成在具有襯墊電極211b形成在其上的第一 電路區(qū)域CA1上。導(dǎo)電粘結(jié)件150插入粘結(jié)部分220的第三孔H3以接觸 柵極絕緣層110。相應(yīng)的，基礎(chǔ)基板101和導(dǎo)電粘結(jié)件150之間通過粘結(jié)部 分220的粘結(jié)力加強了保護絕緣層120和有機層130a之間的粘結(jié)力。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第三典型實施例的顯示器的部分截面圖。根據(jù)圖1和6，根據(jù)第三典型實施例的顯示器包括顯示面板和源極
IC600。
顯示面板包括顯示基板100a，面對顯示基板100a的相對基板400a,插 入顯示基板100a和相對基板400a之間的液晶層500a。顯示基板100a基本 上與圖2中顯示基板相同。因此，可采用同樣參考數(shù)字以指示與圖2中描 述的相同的組件，且涉及相同組件的任何重復(fù)性解釋將在下面被省略。
相對基板400a面對顯示基板100a。相對基板400a和顯示基板100a通 過密封元件330組合以容納液晶層500a。
相對基板400a包括阻光層410，濾色層420和^^共電極層440。阻光 層410可包括阻光材料。進一步的，阻光層410可形成在相應(yīng)于顯示區(qū)域 DA的數(shù)據(jù)線DL和柵極線GL的區(qū)域以阻擋漏光，且可形成在鄰近顯示區(qū) 域DA的外圍區(qū)域PA以加強顯示區(qū)域DA的可見度。
濾色層420形成在由部分顯示區(qū)域DA限定的未^f皮阻光層410覆蓋的 顯示區(qū)域DA的像素區(qū)域中，以將透過光過濾為具有濾色片決定的顏色的 光。
公共電極層440是面對顯示基板100a的像素電極PE的電極，以在液 晶 層500a內(nèi)形成電場。
源極IC600包括驅(qū)動芯片(未示出)和用于安裝驅(qū)動芯片的柔性印刷 電路板("FPCB")(未示出)。源極IC600包括多個終端610。
源極IC600安裝在顯示基板100a的第一電3各區(qū)域CA1上。形成在第一 電路區(qū)域CA1內(nèi)的導(dǎo)電粘結(jié)件150電連接到終端610和襯墊211。導(dǎo)電粘 結(jié)件150可粘結(jié)到粘結(jié)部分220的第三孔H3 ，以加強源極IC600和襯墊211 之間的粘結(jié)力。
粘結(jié)部分220和導(dǎo)電粘結(jié)件150之間的粘結(jié)力防止例如保護絕緣層120 和有機層130在外部作用下分離。因此，源極IC600和襯墊211之間的電接 觸缺陷可以有效防止或降低。
圖7是根據(jù)本發(fā)明第四典型實施例的顯示器的部分截面圖。在下文中， 用同樣參考數(shù)字指示根據(jù)圖6描述的第三典型實施例的同樣的組件，且將 忽略任何重復(fù)的描述。
根據(jù)圖1和7,根據(jù)第四典型實施例的顯示器包括顯示面板和源極 IC600。顯示面板包括顯示基板100b、面對顯示基板100b的相對基板400b和 插入顯示基板100b和相對基板400b之間的液晶層500b。顯示基板100b基 本上與根據(jù)第二典型實施例的圖4中的顯示基板相同，因此任何重復(fù)解釋 將被忽略。相對基板400b設(shè)置為面對顯示基板100b，且通過密封件330與 顯示基板100b組合以容納液晶層500b。
相對基板400b包括濾色層420a,其上形成有透光孔421以加強反射區(qū) 域PA的顏色再現(xiàn)性。
液晶層500b具有相應(yīng)于顯示基板100b的反射區(qū)域RA的第一單元間 隙dl,和顯示基板100b的透射區(qū)域TA的第二單元間隙d2。
在反射區(qū)域RA中，當(dāng)?shù)谝还馔ㄟ^相對基板400b入射到第一單元間隙 dl的液晶層500b時，第一光有雙倍透射路徑。更特殊地，透過第一單元間 隙dl的液晶層500b的第一光被反射電極RE反射，然后第一光再次透過第 一單元間隙dl的液晶層500b。
可替換的，在透射區(qū)域TA中，當(dāng)?shù)诙獯┻^顯示基板100b透射進入 第二單元間隙d2的液晶層500b內(nèi)時，第二光具有單一透射路徑。
第二單元間隙d2的長度為第一單元間隙dl的大概2倍。
源極IC600設(shè)置在顯示基板100b的第一電路區(qū)域CA1上。導(dǎo)電粘結(jié) 件150電連接到源極IC600終端610和襯墊211，且可粘結(jié)到粘結(jié)部分220 的第三孔H3以加強源極IC600和襯墊211之間的粘結(jié)力。
圖8是根據(jù)本發(fā)明第五典型實施例的顯示器的部分截面圖。
根據(jù)圖1和8,根據(jù)第五典型實施例的顯示器包括顯示面板和源極 IC600。
顯示面板包括顯示基板100c、相對基板400c和插入顯示基板100c和 相對基板400c之間的液晶層500b。
顯示基板100c包括有機層的第一部分130a和第二有機層130b。第二 有機層UOb具有形成在反射區(qū)域RA的交替的凹凸透鏡圖案(下文中全體 指示浮雕圖案)和形成在透射區(qū)域TA的平面圖案，如圖8所示。在可替換 典型實施例中，第二有機層130b可從透射區(qū)域TA省去以曝露保護絕緣層 120或^冊才及絕緣層110。
反射電極RE由反射區(qū)域RA內(nèi)的反射金屬層形成。透射電極TE由透 射區(qū)域TA內(nèi)的透明電極層形成。例如，透明電才及層可電連接到開關(guān)元件TFT,然后反射電極RE形成在相應(yīng)于反射區(qū)域RA的透明電極層上，但不 限制于此。
浮雕圖案形成在反射電極RE下的第二有機層130b內(nèi)。進一步的，浮 雕圖案形成在反射電極RE上以加強反射電極RE的反射率。
相對基板400c包括具有多個透光孔421形成在其中的濾色層420a和 第三有機層430。第三有機層430形成在反射區(qū)域RA上，從而液晶層500b 有相應(yīng)于反射區(qū)域RA的第一單元間隙dl和相應(yīng)于透射區(qū)域TA的第二單 元間隙d2。
源極IC600安裝在顯示基板100c的第一電路區(qū)域CA1內(nèi)。導(dǎo)電粘結(jié)層 150將源極IC600的終端610電連接到襯墊211，且可粘結(jié)到粘結(jié)部分220 的第三孔H3以加強源極IC600和襯墊211之間的粘結(jié)力。
圖9是根據(jù)本發(fā)明第六典型實施例的顯示器的部分截面圖。
才艮據(jù)圖1和9,顯示器包括顯示面板和源極IC600。顯示面板包括顯示 基板100d,相對基板400和液晶層500。
顯示基板100d包括基礎(chǔ)基板101。第一金屬構(gòu)圖由基礎(chǔ)基板101上的 第一金屬層形成。第一金屬構(gòu)圖包括多條形成在顯示區(qū)域DA的柵極線GL 和開關(guān)元件TFT的柵電極GE。
柵極絕緣層110形成在具有第一金屬構(gòu)圖形成在其上的基礎(chǔ)基板101 上，以及溝道層形成在柵極絕緣層IIO上，柵電極GE上。溝道層包括活化 層和歐姆接觸層?；罨瘜影╝-Si。歐姆接觸層包括n+a-Si,例如，摻雜有 高濃度n型摻雜劑的a-Si。溝道層構(gòu)圖以在柵電極GE上形成開關(guān)元件TFT 的溝道部分CH和在第一溝道區(qū)域CA1上形成虛擬構(gòu)圖DP。
由第二金屬層形成的第二金屬構(gòu)圖形成在其上形成有溝道部分CH和 虛擬構(gòu)圖DP的基礎(chǔ)基板101上。第二金屬構(gòu)圖包括多條數(shù)據(jù)線DL,形成 在顯示區(qū)域DA上的開關(guān)元件TFT的源電極SE和漏電極DE,且包括形成 在第一電路區(qū)域CA1的襯墊構(gòu)圖211a和形成在第二電^^區(qū)域CA2上的柵 極電路部分230的源極金屬構(gòu)圖232。源極金屬構(gòu)圖232通過第一孔HI電 連接到柵極金屬構(gòu)圖231。
保護絕緣層120和有機層130形成在具有第二金屬構(gòu)圖形成在其上的 基礎(chǔ)基板101上。有才幾層130覆蓋柵極電路部分230以防止4冊極電路部分 230腐蝕，從而加強驅(qū)動可靠性。第二孔H2形成在保護絕緣層120和有機層130內(nèi)，以曝露部分漏電極 DE。像素電極PE通過第二孔H2形成在顯示區(qū)域DA內(nèi)，其電連接到漏電 極DE。
粘結(jié)部分220的第三孔H3和曝露襯墊構(gòu)圖21 la的第四孔H4形成在第 一電路區(qū)域CA1內(nèi)。粘結(jié)部分220的第三孔H3通過有機層130和保護絕 緣層120構(gòu)圖來曝露虛擬構(gòu)圖DP。
在虛擬構(gòu)圖DP形成前，保護絕緣層120蝕刻處理期間，柵極絕緣層 110過蝕刻以形成粘結(jié)部分220的第三孔H3。更特殊地，大約700A柵極絕 緣層IIO通過蝕刻處理清除。因此，虛擬構(gòu)圖DP相應(yīng)于其上形成有第三孔 H3的區(qū)域形成，以防止在保護絕緣層120蝕刻期間柵極絕緣層的過蝕刻。 虛擬構(gòu)圖DP的厚度厚于過蝕刻的厚度。例如，虛擬構(gòu)圖DPI的厚度可大 約為700A到15， OOOA,但并不限制于此。
虛擬構(gòu)圖DP防止柵極絕緣層110的蝕刻和保護絕緣層120的蝕刻從而 導(dǎo)電粘結(jié)件150在第三孔H3接觸虛擬構(gòu)圖DPI從而粘結(jié)到保護絕緣層120 和有機層130。因此，顯示基板100d和導(dǎo)電粘結(jié)件150之間的粘結(jié)力加強。 結(jié)果，安裝在第一電路區(qū)域CA1內(nèi)的源極IC600和襯墊211之間的粘結(jié)力 加強，從而改進驅(qū)動可靠性。
襯墊電極211b通過第四孔H4形成，且電連接到襯墊構(gòu)圖211a。因此， 包括襯塾構(gòu)圖211a和襯墊電極211b的襯墊211形成在第一電路區(qū)域CA1 上。
相應(yīng)于第一電路區(qū)域CA1的有機層130的厚度可薄于形成在顯示區(qū)域 DA的有機層130的厚度，如圖9所示，從而第三和第四孔H3和H4之間 的高度階梯可最小化。
相對基板400包括阻光層410,濾色層420和公共電極層440。
阻光層410可包括阻光材料。而且，阻光層410可形成在相應(yīng)于顯示 區(qū)域DA的數(shù)據(jù)線DL和柵極線GL的區(qū)域內(nèi)，以阻擋漏光，且同時形成在 鄰近顯示區(qū)域DA的外圍區(qū)域PA以加強顯示區(qū)域DA的可視性。
濾色層420形成在顯示區(qū)域DA的由部分顯示區(qū)域DA限定而未被阻 光層410覆蓋的像素區(qū)域內(nèi)，以將透射光過濾成具有由濾色片確定的顏色 的光。公共電極層440是面對顯示基板100d的像素電極PE的電極，以在 液晶層500形成電場。源極IC600包括驅(qū)動芯片(未示出)以及用于安裝驅(qū)動芯片的FPCB(未 示出)。源極IC600包括多個終端610。
源極IC600安裝在顯示基板lOOd的第一電路區(qū)域CA1上。形成在第 一電路區(qū)域CA1的導(dǎo)電粘結(jié)層150電連接到終端610和襯墊211。導(dǎo)電粘 結(jié)件150粘結(jié)到粘結(jié)部分220的第三孔H3，以加強源才及IC600和襯墊211 之間的粘結(jié)力，如上所述。
因此，粘結(jié)部分220和導(dǎo)電粘結(jié)件150之間的粘結(jié)力以防止例如保護 絕緣層120和有機層130在外部作用下分離。因此，可有效防止或降^f氐源 極IC600和襯墊211之間的電接觸缺陷。
圖IO是根據(jù)本發(fā)明第七典型實施例的顯示器的部分截面圖。
根據(jù)圖9和10，顯示基板100e可進一步包括形成在虛擬構(gòu)圖DPI下 的階梯補償構(gòu)圖SP。階梯補償構(gòu)圖SP由第一金屬層形成且階梯補償構(gòu)圖 SP包含在第一金屬構(gòu)圖中。階梯補償構(gòu)圖SP減少了形成在第三孔H3上的 有機層130的階梯高度。
有機層130的階梯高度由階梯補償構(gòu)圖SP補償，從而虛擬構(gòu)圖DPI 和導(dǎo)電粘結(jié)件150之間通過第三孔H3的粘結(jié)力可加強。
圖11是根據(jù)本發(fā)明第八典型實施例的顯示器的部分截面圖。
根據(jù)圖1和11，包括第三孔H3的粘結(jié)部分220形成在顯示基板100f 的第 一電路區(qū)域CA1 。粘結(jié)部分220的第三孔H3通過保護絕緣層120和有 機層130構(gòu)圖形成，以曝露虛擬構(gòu)圖DP2。虛擬構(gòu)圖DP2通過第二金屬層 形成，從而第二金屬構(gòu)圖包括虛擬構(gòu)圖DP2。
導(dǎo)電粘結(jié)層150通過粘結(jié)部分220的第三孔H3粘結(jié)到虛擬構(gòu)圖DP2, 保護絕緣層120和有機層130，以加強導(dǎo)電粘結(jié)層150和基礎(chǔ)基板101之間 的粘結(jié)力。進一步的，第二金屬層形成的虛擬構(gòu)圖DP2和導(dǎo)電粘結(jié)件150 之間的粘結(jié)力可以很大，由于金屬材料和有機材料之間的粘結(jié)力特性很好。 相應(yīng)的，有機層130和保護絕緣層120之間粘結(jié)力加強。
結(jié)果，安裝在第一電路區(qū)域CA1的源極IC (未示出)和襯墊211之間 的粘結(jié)力加強，從而改善驅(qū)動可靠性。
圖12是根據(jù)本發(fā)明第九典型實施例的顯示器的部分截面圖。
根據(jù)圖11和12,顯示基板100g進一步包括形成在虛擬構(gòu)圖DP2下的 階梯補償構(gòu)圖SP。階梯補償構(gòu)圖SP包括在第一金屬層形成的第一金屬構(gòu)圖內(nèi)。階梯補償
構(gòu)圖SP減少了形成在第三孔H3內(nèi)的有機層130的階梯高度。有機層130 的階梯高度由階梯補償構(gòu)圖SP補償，從而虛擬構(gòu)圖DP2和導(dǎo)電粘結(jié)層150 之間通過第三孔H3的粘結(jié)力進一步加強。
圖13是根據(jù)本發(fā)明第十典型實施例的顯示器的部分截面圖。
根據(jù)圖1和13,包括第三孔H3的粘結(jié)部分220形成在顯示基板100h 的第一電路區(qū)域CA1內(nèi)。粘結(jié)部分220的第三孔H3通過保護絕緣層120 和有機層130構(gòu)圖形成以曝露虛擬構(gòu)圖DP3。虛擬構(gòu)圖DP3有多層結(jié)構(gòu)， 包括第一虛擬構(gòu)圖DPI和形成在第一虛擬構(gòu)圖DPI上的第二虛擬構(gòu)圖DP2。 第一虛擬構(gòu)圖DPI由溝道層形成。第二虛擬構(gòu)圖DP2由第二金屬層形成。 虛擬構(gòu)圖DP3通過采用溝道層和第二金屬層的掩模同步構(gòu)圖形成。
因此，導(dǎo)電粘結(jié)層150粘結(jié)到虛擬構(gòu)圖DP3的第二虛擬構(gòu)圖DP2,然 后粘結(jié)到保護絕緣層120和有機層130。進一步的，如上面所述，由于金屬 材料和有機材料之間的粘結(jié)力的較好特性，第二金屬層形成的第二虛擬構(gòu) 圖DP2和導(dǎo)電粘結(jié)件150之間的粘結(jié)力較大。相應(yīng)的，有機層130和保護 絕緣層120之間的粘結(jié)力加強。
結(jié)果，安裝在第一電路區(qū)域CA1的源極IC (未示出)和襯墊211之間 的粘結(jié)力加強，從而改進驅(qū)動可靠性。
數(shù)據(jù)線DL,形成在顯示基板100h的顯示區(qū)域DA內(nèi)的開關(guān)元件TFT 的源電極DI和漏電極DE,通過采用掩模構(gòu)圖溝道層和第二金屬層形成。 因此，數(shù)據(jù)線DL、源電極SE和漏電極DE有多層結(jié)構(gòu)，包括溝道層和形 成在溝道層上的第二金屬層。
圖14是根據(jù)本發(fā)明第十一典型實施例的顯示器的部分截面圖。
根據(jù)圖13和14,顯示基板100i可進一步包括形成在虛擬構(gòu)圖DP3下 的階梯補償構(gòu)圖SP。階梯補償構(gòu)圖SP包含在由第一金屬層形成的第一金 屬構(gòu)圖內(nèi)。階梯補償構(gòu)圖SP減少了形成在第三孔H3內(nèi)的有機層130的階 梯高度。有機層130的階梯高度通過階梯補償構(gòu)圖SP補償，從而虛擬構(gòu)圖 DP3和導(dǎo)電粘結(jié)層150之間通過第三孔H3的粘結(jié)力進一步加強。
最后，如圖9到14所示，虛擬構(gòu)圖和階梯補償構(gòu)圖可在根據(jù)本發(fā)明第 二到第五典型實施例的顯示器中使用，如上面根據(jù)圖4到8所述。
根據(jù)此處描述的本發(fā)明典型實施例，包括多個孔的粘結(jié)部分鄰近襯墊部分形成，從而通過襯墊部分和粘結(jié)件電連接的IC的粘結(jié)力加強。
本發(fā)明不應(yīng)解釋為限制于此處闡明的典型實施例。相反，提供這些典
型實施例從而這些公開將充分和完整，且可以將本發(fā)明的范圍充分的傳達(dá)
給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
例如，顯示基板的下部絕緣層例如柵極絕緣層或保護絕緣層可通過粘
結(jié)部分接觸導(dǎo)電粘結(jié)層，從而加強有機層和保護絕緣層之間的粘結(jié)力。因
此，由有機層與保護絕緣層分離導(dǎo)致的IC和襯墊部分之間的電接觸缺陷可
有效降4氏或阻止。
盡管根據(jù)典型實施例，本發(fā)明已經(jīng)特殊顯示和描述，本領(lǐng)域普通技術(shù) 人員可以理解，在不脫離本發(fā)明主旨和由下面的如權(quán)利要求限定的范圍的 情況下，這里可作出形式和細(xì)節(jié)上的各種變化和修改。
2權(quán)利要求
1、一種顯示基板，包括基礎(chǔ)基板，具有顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域；形成在顯示區(qū)域的像素電極；形成在外圍區(qū)域的襯墊部分；粘結(jié)部分，形成在外圍區(qū)域且具有多個孔形成在外圍區(qū)域上鄰近襯墊部分的區(qū)域內(nèi)；和導(dǎo)電粘結(jié)件，形成在襯墊部分和粘結(jié)部分上，以電接觸襯墊部分和集成電路終端。
2、 如權(quán)利要求1中的顯示基板，其中，進一步包括 形成在基礎(chǔ)基板上的第一絕緣層；和 形成在第一絕緣層上的有機層。
3、 如權(quán)利要求2中的顯示基板，其中所述多個孔中的各個孔通過部 分有機層在外圍區(qū)域形成，和導(dǎo)電粘結(jié)件粘結(jié)到通過各個孔曝露的第 一絕緣層。
4、 如權(quán)利要求2中的顯示基板，其中，進一步包括形成在基礎(chǔ)基板 上的第二絕緣層。
5、 如權(quán)利要求4中的顯示基板，其中所述多個孔中的各個孔通過形 成在外圍區(qū)域的第一絕緣層和有機層的部分形成，和導(dǎo)電粘結(jié)件粘結(jié)到通過各個孔曝露的第二絕緣層。
6、 如權(quán)利要求4中的顯示基板，其中所述多個孔中的各個孔通過形 成在外圍區(qū)域的第 一絕緣層和有機層同步構(gòu)圖形成，和顯示基板進一步包括由每個孔曝露的虛擬構(gòu)圖。
7、 如權(quán)利要求6中的顯示基板，其中，進一步包括開關(guān)元件，其包 括電連接到第 一金屬層形成的像素電極的溝道層，和第二金屬層形成的源 電才及禾。漏電才及。
8、 如權(quán)利要求7中的顯示基板，其中虛擬構(gòu)圖通過溝道層構(gòu)圖形成。
9、 如權(quán)利要求7中的顯示基板，其中虛擬構(gòu)圖通過第二金屬層構(gòu)圖 形成。
10、 如權(quán)利要求7中的顯示基板，其中虛擬構(gòu)圖是多層結(jié)構(gòu)，通過溝道層構(gòu)圖和第二金屬層構(gòu)圖形成。
11、 如權(quán)利要求7中的顯示基板，其中，進一步包括形成在基礎(chǔ)基板 上的階梯補償構(gòu)圖。
12、 如權(quán)利要求11中的顯示基板，其中階梯補償構(gòu)圖通過第一金屬 層構(gòu)圖形成。
13、 如權(quán)利要求4中的顯示基板，其中所述多個孔中的各個孔通過形 成在外圍區(qū)域的部分有機層、第一絕緣層和第二絕緣層同步構(gòu)圖形成，和導(dǎo)電粘結(jié)件粘結(jié)到通過各個孔曝露的第二絕緣層。
14、 如權(quán)利要求2中的顯示基板，其中像素電極包括透明電極和反射 電極。
15、 如權(quán)利要求14中的顯示基板，其中有機層形成在反射電極上。
16、 如權(quán)利要求15中的顯示基板，其中有機層具有形成在其上的凹 構(gòu)圖和凸構(gòu)圖。
17、 如權(quán)利要求2中的顯示基板，其中具有第一厚度的第一部分有機層形成在具有襯墊部分的外圍區(qū)域， 具有第二厚度的有機層的第二部分形成在具有像素電極形成在其上的 顯示區(qū)i或，和有機層的第二部分的第二厚度大于第 一部分有機層的第 一厚度。
18、 如權(quán)利要求2中的顯示基板，其中，進一步包括形成在外圍區(qū)域 的柵極電路部分。
19、 如權(quán)利要求18中的顯示基板，其中形成在外圍區(qū)域的部分有機 層覆蓋柵極電^"部分。
20、 一種顯示基板，包括基礎(chǔ)基板，具有顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域； 形成在顯示區(qū)域上的像素電極； 形成在外圍區(qū)域上的襯墊部分；電路部分，形成在外圍區(qū)域且具有多個孔形成在外圍區(qū)域鄰近襯墊部 分的區(qū)域內(nèi)；和安裝在電路部分上的集成電路。
21、 如權(quán)利要求20中的顯示基板，其中，進一步包括 形成在基礎(chǔ)基板上的第一絕緣層；和形成在第一絕緣層上的有機層。
22、 如權(quán)利要求21中的顯示基板，其中所述多個孔中的各個孔通過部分有機層在外圍區(qū)域形成。
23、 如權(quán)利要求21中的顯示基板，其中，進一步包括形成在基礎(chǔ)基 板上的第二絕緣層。
24、 如權(quán)利要求23中的顯示基板，其中所述多個孔中的各個孔通過 形成在外圍區(qū)域的第 一絕緣層和有機層的部分形成。
25、 如權(quán)利要求24中的顯示基板，其中，進一步包括由每個孔曝露 的虛擬構(gòu)圖。
26、 如權(quán)利要求25中的顯示基板，其中，進一步包括開關(guān)元件，該 開關(guān)元件包括電連接到第 一金屬層形成的像素電極的溝道層，和第二金屬 層形成的源電極和漏電極。
27、 如權(quán)利要求26中的顯示基板，其中虛擬構(gòu)圖由溝道層構(gòu)圖形成。
28、 如權(quán)利要求26中的顯示基板，其中虛擬構(gòu)圖由第二金屬層構(gòu)圖 形成。
29、 如權(quán)利要求26中的顯示基板，其中虛擬構(gòu)圖具有多層結(jié)構(gòu)，且 由溝道層構(gòu)圖和第二金屬層構(gòu)圖形成。
30、 如權(quán)利要求26中的顯示基板，其中，進一步包括形成在基礎(chǔ)基 板上的階梯補償構(gòu)圖。
31、 如權(quán)利要求30中的顯示基板，其中階梯補償構(gòu)圖由第一金屬層 構(gòu)圖形成。
32、 如權(quán)利要求23中的顯示基板，其中所述多個孔中的各個孔通過 形成在外圍區(qū)域的有機層、第 一絕緣層和第二絕緣層同步構(gòu)圖形成。
33、 如權(quán)利要求21中的顯示基板，其中像素電極包括透明電極和反 射電極。
34、 如權(quán)利要求33中的顯示基板，其中有機層形成在反射電極上。
35、 如權(quán)利要求34中的顯示基板，其中有機層具有形成在其上的凹 構(gòu)圖和凸構(gòu)圖。
36、 如權(quán)利要求21中的顯示基板，其中具有第 一厚度的第 一部分有機層形成在具有襯墊部分的外圍區(qū)域， 具有第二厚度的有機層的第二部分形成在其上形成有像素電極的顯示區(qū)i或，和有機層的第二部分的第二厚度大于第 一部分有機層的第 一厚度。
37、 如權(quán)利要求21中的顯示基板，其中，進一步包括形成在外圍區(qū) 域上的柵極電路部分。
38、 如權(quán)利要求37中的顯示基板，其中形成在外圍區(qū)域的部分有機 層覆蓋4冊極電路部分。
39、 顯示基板的制造方法，該方法包括 形成基礎(chǔ)基板；在基礎(chǔ)基板的顯示區(qū)域內(nèi)形成開關(guān)元件；在圍繞基礎(chǔ)基板的顯示區(qū)域的外圍區(qū)域內(nèi)形成襯墊構(gòu)圖；在基礎(chǔ)基板上形成有機層；構(gòu)圖有機層以在鄰近襯墊構(gòu)圖的部分外圍區(qū)域上形成粘結(jié)部分，該粘 結(jié)部分具有多個孔形成在其內(nèi)； 在基礎(chǔ)基板上形成像素電極；將像素電極電連接到開關(guān)元件和電連接到襯墊構(gòu)圖的襯墊電極；和 在襯墊電極和粘結(jié)部分上形成導(dǎo)電粘結(jié)件，該導(dǎo)電粘結(jié)件電連接到襯 墊電極和集成電路終端。
40、 如權(quán)利要求39中的方法，其中，進一步包括在基礎(chǔ)基板上形成 第一絕緣層。
41、 如權(quán)利要求40中的方法 孔中的各個孔曝露的第一絕緣層。
42、 如權(quán)利要求40中的方法 第二絕緣層。
43、 如權(quán)利要求42中的方法 一絕緣層和有機層。
44、 如權(quán)利要求43中的方法， 第二絕緣層。
45、 如權(quán)利要求40中的方法， 才及電^各部分。
46、 如權(quán)利要求45中的方法， 極電路部分的有機層。其中導(dǎo)電粘結(jié)件粘結(jié)到通過所述多個 其中，進一步包括在基礎(chǔ)基板上形成 其中粘結(jié)部分的形成包括同步構(gòu)圖第 其中導(dǎo)電粘結(jié)件粘結(jié)到通過孔曝露的 其中，進一步包括在外圍區(qū)域形成柵 其中有機層的形成形成了部分覆蓋柵
47、 一種顯示器，包括 顯示面;f反，包才舌基礎(chǔ)基板；形成在基礎(chǔ)基板上且具有顯示區(qū)域和外圍區(qū)域的顯示基板；面向顯示基板的相對基板；形成在顯示區(qū)域上的像素電極；形成在外圍區(qū)域的襯墊部分；和粘結(jié)部分，形成在外圍區(qū)域上且具有形成在外圍區(qū)域鄰近襯墊部 分的區(qū)域的多個孔；形成在襯墊部分和粘結(jié)部分的導(dǎo)電元件；和 通過導(dǎo)電元件電連接到襯墊部分的集成電路。
48、 如權(quán)利要求47中的顯示器，其中顯示基板進一步包括 形成在基礎(chǔ)基板上的第一絕緣層；和 形成在第一絕緣層上的有機層的第一部分。
49、 如權(quán)利要求48中的顯示器，其中所述多個孔中的各個孔通過外 圍區(qū)域的部分有機層的第 一部分形成，且導(dǎo)電粘結(jié)件粘結(jié)到通過各個孔曝 露的第一絕緣層。
50、 如權(quán)利要求48中的顯示器，其中，進一步包括形成在基礎(chǔ)基板 上的第二絕緣層。
51、 如權(quán)利要求50中的顯示器，其中所述多個孔中的各個孔通過外 圍區(qū)域的部分有機層的第一部分和部分第一絕緣層形成，且導(dǎo)電粘結(jié)件粘結(jié)到通過各個孔曝露的第二絕緣層。
52、 如權(quán)利要求50中的顯示器,其中孔通過形成在外圍區(qū)域的第一 絕緣層和有機層同步構(gòu)圖構(gòu)成，且顯示基板進一步包括通過每個孔曝露的虛擬構(gòu)圖。
53、 如權(quán)利要求52中的顯示器，其中，進一步包括開關(guān)元件，其包 括電連接到第一金屬層形成的像素電極的溝道層，和第二金屬層形成的源 電招^禾p漏電才及。
54、 如權(quán)利要求53中的顯示器，其中虛擬構(gòu)圖通過溝道層構(gòu)圖形成。
55、 如權(quán)利要求53中的顯示器，其中虛擬構(gòu)圖通過第二金屬層構(gòu)圖 形成。
56、 如權(quán)利要求53中的顯示器，其中虛擬構(gòu)圖是多層結(jié)構(gòu)，且通過 溝道層和第二金屬層構(gòu)圖形成。
57、 如權(quán)利要求53中的顯示器，其中，進一步包括形成在基礎(chǔ)基板 上的階梯補償構(gòu)圖。
58、 如權(quán)利要求57中的顯示器，其中階梯補償構(gòu)圖通過第一金屬層 構(gòu)圖形成。
59、 如權(quán)利要求50中的顯示器，其中所述多個孔中的各個孔通過形 成在外圍區(qū)域內(nèi)的有機層、第一絕緣層和第二絕緣層同步構(gòu)圖形成，和導(dǎo)電粘結(jié)件粘結(jié)到通過各個孔曝露的第二絕緣層。
60、 如權(quán)利要求48中的顯示器，其中像素電極包括透明電極和反射電極。
61、 如權(quán)利要求60中的顯示器，其中有機層的第一部分形成在反射 電極上。
62、 如權(quán)利要求61中的顯示器，其中有機層的第一部分上形成有凹 構(gòu)圖和凸構(gòu)圖。
63、 如權(quán)利要求60中的顯示器，其中濾色層中形成有透光孔，其中 透光孔形成在反射電極上。
64、 如權(quán)利要求63中的顯示器，其中，相對基板進一步包括第二有 機層，形成在顯示基板的顯示區(qū)域上的像素電極的反射電極上。
65、 如權(quán)利要求48中的顯示器，其中具有第一厚度的第一部分有機層的第一部分形成在具有襯墊部分的外 圍區(qū)域，具有第二厚度的有機層的第二部分形成在具有像素電極形成在其上的 顯示區(qū)域內(nèi)，和有機層的第二部分的第一部分的第二厚度大于第一部分有機層的第一 部分的第一厚度。
全文摘要
顯示基板包括基礎(chǔ)基板，該基礎(chǔ)基板具有顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域，形成在顯示區(qū)域的像素電極，形成在外圍區(qū)域的襯墊部分，形成在外圍區(qū)域且具有多個形成在外圍區(qū)域鄰近襯墊部分區(qū)域的多個孔的粘結(jié)部分，和形成在襯墊部分和粘結(jié)部分上的導(dǎo)電粘結(jié)件，以電接觸襯墊部分和集成電路終端。
文檔編號G09G3/36GK101320148SQ200810142898
公開日2008年12月10日 申請日期2008年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月22日
發(fā)明者太勝奎, 鄭寬旭, 金炫榮 申請人:三星電子株式會社