專利名稱：一種顯示器陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示器的基板設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種可以實(shí)現(xiàn)柵極預(yù) 充電的顯示器陣列基板。
背景技術(shù)：
目前，釆用有源矩陣掃描顯示技術(shù)的顯示器曰趨成熟，其中典型的代表
有薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)和薄膜晶體管有機(jī)發(fā)光顯示器 (TFT-OLED)等。有源矩陣逐行掃描顯示器的特點(diǎn)是釆用具有由多行柵 線和多列數(shù)據(jù)線劃分成的亞像素矩陣結(jié)構(gòu)的陣列基板，掃描方式可以是逐行 掃描或隔行掃描，其中每個(gè)矩陣點(diǎn)就是一個(gè)亞像素，即一個(gè)基本的顯示單位； 每一個(gè)亞象素實(shí)質(zhì)上是一個(gè)可以充電的顯示單元，通過一個(gè)有源元件進(jìn)行充 電控制，這個(gè)有源元件可以是三端有源元件或二端有源元件，目前常用的是 三端有源元件， 一般釆用TFT，因此通常對(duì)釆用TFT進(jìn)行有源控制的顯示 器又稱為TFT顯示器。
對(duì)于有源矩陣掃描顯示器來說，陣列基板的電路架構(gòu)基本上是相似的， 下面以TFT-LCD為例進(jìn)行說明。
圖1為目前TFT-LCD陣列基板的電路架構(gòu)示例圖。陣列基板結(jié)構(gòu)包括 形成在基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極， 并在交叉處形成薄膜晶體管，薄膜晶體管包括柵電極和源、漏電極。參見圖1， 該陣列基板具有由多行柵線和多列數(shù)據(jù)線劃分成的亞像素矩陣結(jié)構(gòu)。所述 Vgn、 Vgn+1、 Vgn+2分別為該陣列基板的第n、 n+l、 n+2條柵線的電壓，Vc。m 為該陣列基板的公共電極引線的電壓。在一個(gè)亞像素100中，所述dc為TFT 基板上的像素電極和彩膜基板上的公共電極之間形成的液晶電容，用于利用對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線充電，使亞像素的液晶分子偏轉(zhuǎn)，使亞象素顯示出相應(yīng)的灰度， C"為存儲(chǔ)電容，用于保持亞像素的充電電壓，以使亞像素的顯示狀態(tài)持續(xù)
到下一次充電。所述TFT101相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)器件，在實(shí)際基板結(jié)構(gòu)中是由 柵極構(gòu)件、源極構(gòu)件和漏極構(gòu)件構(gòu)成。如圖1所示，通過TFT101柵極構(gòu)件 G上的電壓控制漏極構(gòu)件D和源極構(gòu)件S之間的導(dǎo)通和關(guān)斷，當(dāng)柵線給電 導(dǎo)致柵極構(gòu)件G上的電壓大于門限值則導(dǎo)通漏極構(gòu)件D和源極構(gòu)件S,數(shù) 據(jù)驅(qū)動(dòng)電路會(huì)給數(shù)據(jù)線施加數(shù)據(jù)信號(hào)電壓以對(duì)所述液晶電容進(jìn)行充電，當(dāng)柵 極構(gòu)件G上的電壓小于門限值則關(guān)斷漏極構(gòu)件D和源極構(gòu)件S,但由于存 儲(chǔ)電容中存儲(chǔ)有電壓，電極間的液晶層分子繼續(xù)有電壓施加場(chǎng)作用，從而使 液晶層能夠穩(wěn)定地工作直到下一次充電。
TFT-LCD顯示為一種電壓保持的顯示方式，在顯示每一幀畫面時(shí)，每 一個(gè)亞像素上充的電壓需要穩(wěn)定保持到下一幀畫面。參見圖1，如果 TFT-LCD為逐行掃描的充電方式，柵線驅(qū)動(dòng)電路會(huì)依次在各行柵線左端上
輸入波形柵線信號(hào)電壓(如圖1中Vgn、 Vgn+1、 Vgn+2所示)，依序?qū)⑴c每一
行柵線連接的TFT打開，好讓整排的數(shù)據(jù)線同時(shí)將一整行的亞像素充電到 各自所需的電壓，顯示不同的灰階。當(dāng)一行充好電時(shí)，該行柵線上的電壓關(guān) 閉，然后下一行柵線的電壓打開，再由相同的一排數(shù)據(jù)線對(duì)下一行的亞像素 進(jìn)行充電。如此依序下去，當(dāng)充好了最后一行的亞像素，便又回過來從頭從 第一行再開始充電。如果是隔行掃描方式，柵線驅(qū)動(dòng)電路隔行在所述柵線上 輸入波形柵線信號(hào)電壓，例如一般先掃描奇數(shù)行，在掃描完奇數(shù)行后再掃描 偶數(shù)行，亞象素的顯示原理與逐行掃描是一樣的。
但是，上述現(xiàn)有的顯示器陣列基板存在以下缺陷
柵線的電阻和電容會(huì)對(duì)柵錢信號(hào)產(chǎn)生延遲，導(dǎo)致距離柵線信號(hào)輸入端越 遠(yuǎn)的亞像素的充電率(相當(dāng)于充電能力)越低，整條柵線上各亞像素的充電 率均一性較差，像素電壓充入混亂。
圖2為現(xiàn)有陣列基板的柵線信號(hào)延遲的結(jié)構(gòu)示意圖。該圖2是從信號(hào)延 遲的角度來看的一個(gè)等效電路圖。參見圖2，左上端為柵線電壓Vg的信號(hào)輸入端，所以充電方向?yàn)閺淖笾劣遥爻潆姺较?，各個(gè)亞象素可以看作是電
阻和電容的組合，例如對(duì)于其中一個(gè)亞像素100,包括電阻201和電容202。
沿著所述充電方向，在每個(gè)位置有著不同電阻值和電容值。隨著與信號(hào)輸入 端的距離的增加，柵線的電阻和電容都會(huì)正比性的增加，因此導(dǎo)致距離信號(hào)
輸入端越遠(yuǎn)，柵線的信號(hào)延遲越大。圖3為現(xiàn)有陣列基板的柵線信號(hào)延遲的 效果示意圖。參見圖3，橫坐標(biāo)為時(shí)間，縱坐標(biāo)為電壓，其中的矩形波線301 為柵線的信號(hào)輸入端輸入的矩形波電壓，左側(cè)各條曲線為距離柵線信號(hào)輸入 端從近到遠(yuǎn)的各個(gè)亞像素TFT柵極電壓的上升沿軌跡，右側(cè)各條曲線為距 離柵線信號(hào)輸入端從近到遠(yuǎn)的各個(gè)亞像素TFT柵極電壓的下降沿軌跡，所 述實(shí)線302為使TFT導(dǎo)通的柵極電壓線。所述亞像素TFT柵極電壓的上升 沿軌跡、下降沿軌跡與所述矩形波電壓線301以及導(dǎo)通柵極電壓線302所圍 成的面積體現(xiàn)了該亞像素存儲(chǔ)電容的充電能力，面積越大充電能力越強(qiáng)。從 圖3中可以明顯地看出，亞像素距離信號(hào)輸入端越遠(yuǎn)，其對(duì)應(yīng)TFT柵極電 壓延遲越大，該亞像素的存儲(chǔ)電容的充電時(shí)間越短，充電能力越弱，從而導(dǎo) 致整行柵線的各個(gè)亞像素的充電率均一性較差，像素電壓充入比較混亂。
為了防止像素電壓的充入混亂性，提高充電率的均一性，目前的改進(jìn)方 案通常是人為延遲數(shù)據(jù)線信號(hào)，即把數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)信號(hào)的給電時(shí)間滯后于 柵線的給電時(shí)間。然而，延遲數(shù)據(jù)線信號(hào)的同時(shí)也減少了像素電極的充電時(shí) 間，導(dǎo)致充電能力的降低，增加了充分充電的難度。另一方面，在一定的工 程能力下，如果要提高TFT的充電能力，只能通過增大TFT尺寸來實(shí)現(xiàn)， 這會(huì)導(dǎo)致殘象、亮度降低等問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種顯示器陣列基板， 以提高陣列基板上整行亞像素的充電率的均一性。
為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)方案為 一種顯示器陣列基板，陣列基板結(jié)構(gòu)包括形成在基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極，并在交叉處形成薄膜晶體管， 薄膜晶體管包括柵電極和源、漏電極，沿著柵線的掃描順序，相鄰掃描的兩 行柵線之間設(shè)置有開關(guān)器件，該開關(guān)器件用于實(shí)現(xiàn)所述相鄰掃描的兩行柵線 中后掃描的柵線與公共電極構(gòu)件之間的導(dǎo)通和關(guān)斷，且該開關(guān)器件的控制端 構(gòu)件與所述相鄰掃描的兩行柵線中首先掃描的柵線電接觸。
優(yōu)選的，所述顯示器陣列基板的掃描順序?yàn)橹鹦袙呙?，所述相鄰掃描?兩行柵線為在物理空間上逐行相鄰的柵線。
優(yōu)選的，所述顯示器陣列基板的掃描順序?yàn)楦粜袙呙?，所述相鄰掃描?兩行柵線為在物理空間上隔行相鄰的柵線。
優(yōu)選的，所述相鄰掃描的兩行柵線之間的開關(guān)器件設(shè)置在所述相鄰掃描 的兩行柵線的信號(hào)輸入末端。
優(yōu)選的，所述相鄰掃描的兩行柵線之間的開關(guān)器件為構(gòu)成薄膜晶體管的 開關(guān)結(jié)構(gòu)，其中構(gòu)成該薄膜晶體管柵極的構(gòu)件與所述相鄰掃描的兩行柵線中
首先掃描的柵線電接觸，構(gòu)成該薄膜晶體管另外兩極的構(gòu)件分別與所述相鄰
掃描的兩行柵線中后掃描的柵線和公共電極構(gòu)件電接觸。
優(yōu)選的，所述的公共電極構(gòu)件為陣列基板上的公共電極引線。
優(yōu)選的，所述的公共電極構(gòu)件為陣列基板周邊的為彩膜基板提供公共電
壓的引線。
優(yōu)選的，所述的顯示器陣列基板為薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板。 優(yōu)選的，所述的顯示器陣列基板為有機(jī)發(fā)光顯示器陣列基板。 本發(fā)明中，沿著掃描順序，相鄰掃描的兩行柵線之間設(shè)置有開關(guān)器件， 該幵關(guān)器件用于實(shí)現(xiàn)后掃描的柵線與公共電極構(gòu)件之間的導(dǎo)通和關(guān)斷，且該 開關(guān)器件的控制端構(gòu)件與首先掃描的柵線電接觸，在某一行柵線開啟的時(shí) 候，利用所述開關(guān)器件導(dǎo)通，將下一行掃描的柵線沖入公共電壓，從而可以 有效地提高距離柵線信號(hào)輸入端較遠(yuǎn)的亞像素的充電能力，提高陣列基板上 整行亞像素的充電率均一性。同時(shí)，由于采用本發(fā)明的陣列結(jié)構(gòu)就可以提高 整行亞像素的均一性，從而可以避免人為延遲數(shù)據(jù)線信號(hào)，進(jìn)一步保證了亞
7像素的充電能力，降低了充分充電的難度。
另外，對(duì)于逐行或隔行掃描充電的顯示器，亞像素的充電時(shí)間會(huì)隨著基
板行數(shù)的提高而減少。以60Hz的全高清分辨率為例，像素的充電時(shí)間為15
微秒以內(nèi)。而釆用本發(fā)明的陣列結(jié)構(gòu)，由于可以在整行柵線上預(yù)充入公共電 壓，因此可以降低各行柵線上亞像素的充電時(shí)間，進(jìn)而降低整個(gè)顯示器的充 電時(shí)間，可以滿足高分辨率顯示器的充電需求。


圖1為目前TFT-LCD陣列基板的電路架構(gòu)示例圖2為現(xiàn)有陣列基板的柵線信號(hào)延遲的結(jié)構(gòu)示意圖3為現(xiàn)有陣列基板的柵線信號(hào)延遲的效果示意圖4為本發(fā)明所述的一種逐行掃描TFT-LCD陣列基板的電路架構(gòu)示例
圖5為本發(fā)明所述的另一種逐行掃描TFT-LCD陣列基板的電路架構(gòu)示 例圖6為本發(fā)明所述的一種隔行掃描TFT-LCD陣列基板的電路架構(gòu)示例圖。
圖7為本發(fā)明所述陣列基板的柵線信號(hào)延遲的效果示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面通過具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明。 本發(fā)明所述的顯示器陣列基板可以適用于任何釆用有源矩陣掃描充電 方式進(jìn)行顯示的顯示器，例如TFT-LCD，以及有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)等。 這些顯示器都包括類似的基本陣列結(jié)構(gòu)，即包括由多行柵線和多列數(shù)據(jù)線劃 分成的亞像素矩陣結(jié)構(gòu)。
在以下實(shí)施例中，以TFT-LCD陣列基板為例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明。 本發(fā)明所述的顯示器陣列基板的掃描方式可以為逐行掃描，也可以為隔行掃描，下面分別說明。
圖4為本發(fā)明所述的一種逐行掃描TFT-LCD陣列基板的電路架構(gòu)示例 圖。陣列基板結(jié)構(gòu)包括形成在基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線限定的像 素區(qū)域內(nèi)形成像素電極，并在交叉處形成薄膜晶體管，薄膜晶體管包括柵電極 和源、漏電極。參見圖4,該陣列基板具有由多行柵線和多列數(shù)據(jù)線劃分成 的亞像素矩陣結(jié)構(gòu)，所述Vgn、 Vgn+1、 Vgn+2分別為該陣列基板的第n、 n+l、 n + 2條柵線的電壓，Vc。m為該陣列基板的公共電極引線的電壓。在一個(gè)亞 像素100中，所述de為液晶電容，用于利用對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線充電，使亞像素 的液晶分子偏轉(zhuǎn)，使亞象素顯示出相應(yīng)的灰度，Cst為存儲(chǔ)電容，用于保持 亞像素的充電電壓，以使亞像素的顯示狀態(tài)持續(xù)到下一次充電。圖4所示只 是一個(gè)等效電路圖，在實(shí)際的基板結(jié)構(gòu)中，可以通過具體的基板構(gòu)造組成所 述Qc和C,t。例如在一種具體結(jié)構(gòu)中，所述Ck主要是由像素電極、形成在 彩膜基板上的公共電極、及二者之間所夾的液晶構(gòu)成；所述Cst主要是由像 素電極、形成在TFT基板上的公共電極以及二者之間所夾的絕緣層和鈍化 層構(gòu)成。所述TFT101相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)，在實(shí)際基板結(jié)構(gòu)中是由柵極構(gòu)件、 源極構(gòu)件和漏極構(gòu)件構(gòu)成。如圖4所示，在每一個(gè)亞像素100中，TFT 101 的柵極構(gòu)件G與柵線電接觸，漏極構(gòu)件D與數(shù)據(jù)線電接觸，源極構(gòu)件S與 像素電極102電接觸；柵線上的電壓通過TFT柵極構(gòu)件G控制所述源極構(gòu) 件S和漏極構(gòu)件D之間的導(dǎo)通或關(guān)斷。
本圖4中，所述存儲(chǔ)電容C,t是利用與公共電極電接觸的構(gòu)件和像素電 極構(gòu)成的，這種電容構(gòu)造稱為基于公共電極的存儲(chǔ)電容(即Cs on common )。 當(dāng)然，在另一種實(shí)施例中，如圖5所示，所述存儲(chǔ)電容Cm也可以利用與下 一行柵線電接觸的構(gòu)件和本行像素電極102構(gòu)成，從而組成另一種電容構(gòu) 造，稱為基于柵線的存儲(chǔ)電容(即Csongate)。
圖4和圖5所示的實(shí)施例中，沿著逐行掃描順序，物理空間上每相鄰兩 行柵線之間都設(shè)置有開關(guān)器，用于實(shí)現(xiàn)所述相鄰兩行柵線中后掃描的柵線和 公共電極構(gòu)件之間的導(dǎo)通和關(guān)斷，該開關(guān)器件的導(dǎo)通控制端構(gòu)件與相鄰兩行柵線中首先掃描的柵線電接觸。
所述相鄰兩行柵線之間的開關(guān)器件為構(gòu)成薄膜晶體管的開關(guān)結(jié)構(gòu)，具體
到圖4和圖5所述的電路，該開關(guān)器件為TFT ,在其它實(shí)施例中，所述開 關(guān)器件也可以是其它可以實(shí)現(xiàn)開關(guān)功能的晶體管。參見圖4和圖5，左側(cè)為 柵線信號(hào)電壓的輸入端，TFT設(shè)置在所述相鄰兩行柵線的右側(cè)末端。TFT將 每?jī)尚邢噜彽臇啪€都銜接起來。其中對(duì)于第n條柵線與第n+l條柵線、及它 們之間的TFT421以及公共電極構(gòu)件具有以下結(jié)構(gòu)特征第n條柵線的右側(cè) 末端與所述TFT 421的柵極構(gòu)件電接觸，第n+l條柵線的右側(cè)末端與所述 TFT421的源極構(gòu)件電接觸，公共電極構(gòu)件與所述TFT421的漏極構(gòu)件電接 觸；或者，所述第n+l條柵線的右側(cè)末端與所述TFT421的漏極構(gòu)件電接觸， 公共電極構(gòu)件與所述TFT 421的源極構(gòu)件電接觸。在Cs on common的構(gòu)造 中，所述的公共電極構(gòu)件為陣列基板上的公共電極弓l線；在Csongate的構(gòu) 造中，所述的公共電極構(gòu)件為陣列基板周邊的為彩膜基板提供公共電壓的引 線。
在本發(fā)明的陣列基板中，當(dāng)?shù)趎行柵線開始掃描時(shí)，即為開啟狀態(tài)時(shí)， 第n行柵線與第n+l行柵線之間的TFT也會(huì)打開，公共電極會(huì)從第n+ 1 行柵線的信號(hào)輸入遠(yuǎn)端給第n+ 1行柵線充電達(dá)到公共電極的電位。然而， 第n十1行柵線的信號(hào)輸入端仍然有低電壓的輸入，因此第11+ 1行柵線的電 位會(huì)呈現(xiàn)出線性的變化。當(dāng)?shù)趎+ 1行柵線信號(hào)輸入端開啟電壓時(shí)，距離信 號(hào)輸入端的遠(yuǎn)端電位已經(jīng)處于相對(duì)高的位置，從而遠(yuǎn)端位置的信號(hào)延遲會(huì)被 有效改善。
圖6為本發(fā)明所述的一種隔行掃描TFT-LCD陣列基板的電路架構(gòu)示例 圖。參見圖6，沿著隔行掃描順序，物理空間上隔行相鄰的兩行柵線之間(即 相鄰的奇數(shù)行之間以及相鄰的偶數(shù)行之間)都設(shè)置有開關(guān)器，此處為TFT, 用于實(shí)現(xiàn)所述隔行相鄰的兩行柵線中后掃描的柵線和公共電極構(gòu)件之間的 導(dǎo)通和關(guān)斷，該開關(guān)器件的導(dǎo)通控制端構(gòu)件與隔行相鄰兩行柵線中首先掃描 的柵線電接觸。例如第n行柵線和第n + 2行柵線之間設(shè)置有TFT601,第n
10說明線之間設(shè)置有TFT 602,第n + 2和第n + 4行柵線 之間設(shè)置有TFT 603，并且所述每一 TFT都設(shè)置在所述隔行相鄰兩行柵線的
右惻末端。
下面以第n條柵線與第n+2條柵線、及它們之間的TFT 601以及公共電 極構(gòu)件具有的結(jié)構(gòu)特征為例進(jìn)行說明第n條柵線的右側(cè)末端與所述TFT 601的柵極構(gòu)件電接觸，第n+2條柵線的右側(cè)末端與所述TFT601的源極構(gòu) 件電接觸，公共電極構(gòu)件與所述TFT601的漏極構(gòu)件電接觸；或者，所述第 n+2條柵線的右側(cè)末端與所述TFT601的漏極構(gòu)件電接觸，公共電極構(gòu)件與 所述TFT601的源極構(gòu)件電接觸。在Cs on common的構(gòu)造中，所述的公共 電極構(gòu)件為陣列基板上的公共電極引線；在Csongate的構(gòu)造中，所述的公 共電極構(gòu)件為陣列基板周邊的為彩膜基板提供公共電壓的引線。
在本隔行掃描的實(shí)施例中，當(dāng)?shù)趎行柵線為開啟狀態(tài)時(shí)，第n行柵線與 第n+2行柵線之間的TFT601也會(huì)打開，公共電極會(huì)從第n + 2行柵線的信 號(hào)輸入遠(yuǎn)端給第n+2行柵線充電達(dá)到公共電極的電位。然而，第n+2行柵 線的信號(hào)輸入端仍然有低電壓的輸入，因此第n+2行柵線的電位會(huì)呈現(xiàn)出 線性的變化。當(dāng)?shù)趎 + 2行柵線信號(hào)輸入端開啟電壓時(shí)，距離信號(hào)輸入端的 遠(yuǎn)端電位已經(jīng)處于相對(duì)高的位置，從而遠(yuǎn)端位置的信號(hào)延遲會(huì)被有效改善。
圖7為本發(fā)明所述陣列基板的柵線信號(hào)延遲的效果示意圖。參見圖7, 橫坐標(biāo)為時(shí)間，縱坐標(biāo)為電壓，其中的矩形波線701為柵線的信號(hào)輸入端輸 入的矩形波電壓，左側(cè)各條曲線為距離柵線信號(hào)輸入端從近到遠(yuǎn)的各個(gè)亞像 素TFT柵極電壓的上升沿軌跡，右側(cè)各條曲線為距離柵線信號(hào)輸入端從近 到遠(yuǎn)的各個(gè)亞像素TFT柵極電壓的下降沿軌跡，所述實(shí)線702為使TFT導(dǎo) 通的柵極電壓，所述虛線703為公共電壓。從圖7中可以明顯地看出，所述 距離柵線信號(hào)輸入端從近到遠(yuǎn)的各個(gè)亞像素TFT柵極電壓上升沿軌跡的起 點(diǎn)從最低電壓開始線性增大到公共電壓，也就是說在本行柵線開啟充電前， 距離信號(hào)輸入端的柵線遠(yuǎn)端電位已經(jīng)處于相對(duì)高的位置，從而遠(yuǎn)端位置的信 號(hào)延遲會(huì)被有效改善。所述亞像素TFT柵極電壓的上升沿軌跡、下降沿軌跡與所述矩形波電壓線701以及導(dǎo)通柵極電壓線702所圍成的面積體現(xiàn)了該 亞像素存儲(chǔ)電容的充電能力，面積越大充電能力越強(qiáng)，與圖3所示現(xiàn)有陣列 基板柵線信號(hào)延遲效果相比，針對(duì)距離柵線信號(hào)輸入端較遠(yuǎn)的亞像素，圖7 中體現(xiàn)充電能力的面積明顯地大于圖3中對(duì)應(yīng)亞像素的體現(xiàn)充電能力的面 積。因此，本發(fā)明中，距離信號(hào)輸入端越遠(yuǎn)的亞像素，其充電能力的改善越 明顯，從而可以提高整行柵線的各個(gè)亞像素的充電率均一性，防止像素電壓 充入的混亂。
以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不 局限于此，任何熟悉該技術(shù)的人在本發(fā)明所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到 的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種顯示器陣列基板，陣列基板結(jié)構(gòu)包括形成在基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極，并在交叉處形成薄膜晶體管，薄膜晶體管包括柵電極和源、漏電極，其特征在于，沿著柵線的掃描順序，相鄰掃描的兩行柵線之間設(shè)置有開關(guān)器件，該開關(guān)器件用于實(shí)現(xiàn)所述相鄰掃描的兩行柵線中后掃描的柵線與公共電極構(gòu)件之間的導(dǎo)通和關(guān)斷，且該開關(guān)器件的控制端構(gòu)件與所述相鄰掃描的兩行柵線中首先掃描的柵線電接觸。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的顯示器陣列基板，其特征在于，所述顯示器 陣列基板的掃描順序?yàn)橹鹦袙呙?，所述相鄰掃描的兩行柵線為在物理空間上 逐行相鄰的柵線。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器陣列基板，其特征在于，所述顯示器 陣列基板的掃描順序?yàn)楦粜袙呙?，所述相鄰掃描的兩行柵線為在物理空間上 隔行相鄰的柵線。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的顯示器陣列基板，其特征在于，所 述相鄰掃描的兩行柵線之間的開關(guān)器件設(shè)置在所述相鄰掃描的兩行柵線的 信號(hào)輸入末端。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的顯示器陣列基板，其特征在于，所 述相鄰掃描的兩行柵線之間的開關(guān)器件為構(gòu)成薄膜晶體管的開關(guān)結(jié)構(gòu)，其中 構(gòu)成該薄膜晶體管柵極的構(gòu)件與所述相鄰掃描的兩行柵線中首先掃描的柵 線電接觸，構(gòu)成該薄膜晶體管另外兩極的構(gòu)件分別與所述相鄰掃描的兩行柵 線中后掃描的柵線和公共電極構(gòu)件電接觸。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示器陣列基板，其特征在于，所述的公共電極構(gòu)件為陣列基板上的公共電極引線。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示器陣列基板，其特征在于，所述的公共電極構(gòu)件為陣列基板周邊的為彩膜基板提供公共電壓的引線。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器陣列基板，其特征在于，所述的顯示 器陣列基板為薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器陣列基板，其特征在于，所述的顯示 器陣列基板為有機(jī)發(fā)光顯示器陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種顯示器陣列基板，該基板上，沿著柵線的掃描順序，相鄰掃描的兩行柵線之間設(shè)置有開關(guān)器件，該開關(guān)器件用于實(shí)現(xiàn)所述相鄰掃描的兩行柵線中后掃描的柵線與公共電極構(gòu)件之間的導(dǎo)通和關(guān)斷，且該開關(guān)器件的控制端構(gòu)件與所述相鄰掃描的兩行柵線中首先掃描的柵線電接觸。利用本發(fā)明，可以提高柵線遠(yuǎn)端亞像素的充電能力，從而提高陣列基板上整行亞像素的充電率的均一性，降低了充分充電的難度，同時(shí)可以降低各行柵線上亞像素的充電時(shí)間，進(jìn)而降低整個(gè)顯示器的充電時(shí)間，可以滿足高分辨率顯示器的充電需求。
文檔編號(hào)G09G3/36GK101539698SQ20081010248
公開日2009年9月23日 申請(qǐng)日期2008年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月21日
發(fā)明者學(xué) 董 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司