專利名稱：驅(qū)動器及使用它的顯示方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種與顯示面板連接的驅(qū)動器。
技術(shù)背景便攜式終端，如移動電話和PDA(個人數(shù)字助理)已經(jīng)廣泛流行。 為便攜式終端提供具有驅(qū)動器和顯示面板的顯示裝置， 一般使用LCD (液晶顯示)面板作為顯示面板。驅(qū)動器具有用于保持?jǐn)?shù)據(jù)的專用器件、程序控制電路、和用于存 儲顯示數(shù)據(jù)的存儲器。程序控制電路在專用器件中記錄顯示質(zhì)量指定 數(shù)據(jù)。驅(qū)動器根據(jù)記錄在專用器件中的顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)在顯示面板 上顯示存儲器中存儲的顯示數(shù)據(jù)。在日本公開專利申請 (JP-P2003-241730A和JP-P2004-21067A:第一和第二現(xiàn)有實例)中公 開了這種技術(shù)。在第一個現(xiàn)有實例中，專用器件示例為EEPROM，在 第二個現(xiàn)有實例中，專用器件示例為跳接開關(guān)電路、EPROM和 EEPROM。除了用于保持顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)的專用^件之外，驅(qū)動器有時包 括用于其他應(yīng)用的專用器件。在這種情形中，多個程序控制電路與多 個專用器件相關(guān)聯(lián)，由于多個程序控制電路，所以驅(qū)動器的電路尺寸整體上增加了。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種驅(qū)動器，其中減小了程序控制電路的電 路尺寸，從而減小了整個驅(qū)動器的電路尺寸。此外，本發(fā)明的目的是提供一種驅(qū)動器，其中在安裝了該驅(qū)動器 之后可進(jìn)行編程。在本發(fā)明的方面中，驅(qū)動器包括第一存儲器，該第一存儲器包括 多個存儲單元和冗余存儲單元。根據(jù)指定有缺陷的存儲單元的地址的 缺陷地址數(shù)據(jù)，地址控制電路用所述冗余存儲單元之一取代多個存儲 單元中有缺陷的存儲單元。根據(jù)指定顯示面板顯示質(zhì)量的顯示質(zhì)量指 定數(shù)據(jù)，驅(qū)動電路在顯示面板上顯示存儲在第一存儲器中的顯示數(shù)據(jù)。 顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)和缺陷地址數(shù)據(jù)被存儲在第二存儲器中。在本發(fā)明的另一方面中，顯示裝置包括上述的驅(qū)動器和與該驅(qū)動 器連接的顯示面板。在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種顯示方法，其通過使用一驅(qū) 動器在顯示面板上顯示存儲在第一存儲器中的顯示數(shù)據(jù)，所述驅(qū)動器 包括存儲單元和冗余存儲單元。該顯示方法包括在第二存儲器中存儲顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)和指定存儲單元中有缺陷的一個存儲單元的地址的 缺陷地址數(shù)據(jù)；根據(jù)缺陷地址數(shù)據(jù)，用所述冗余存儲單元之一取代有 缺陷的存儲單元；并且根據(jù)所述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)，在所述顯示面板上顯示所述顯示數(shù)據(jù)。


'e當(dāng)結(jié)合附圖時，本發(fā)明的上述和其他方面、優(yōu)點和特征將從下面 特定實施例的描述而變得更加顯而易見，其中圖1是顯示應(yīng)用依照本發(fā)明第一實施例的驅(qū)動器的顯示系統(tǒng)的結(jié) 構(gòu)的框圖；圖2是顯示作為圖1的非易失性存儲器的閃存存儲器的視圖； 圖3是顯示圖1的程序控制電路的工作的流程圖； 圖4是顯示在依照本發(fā)明第二實施例的驅(qū)動器中作為非易失性存 儲器的電熔絲的視圖；圖5是顯示應(yīng)用依照本發(fā)明第三實施例的驅(qū)動器1的顯示系統(tǒng)的 結(jié)構(gòu)的框圖；圖6是顯示圖5的BIST電路和程序控制電路的工作的流程圖； 圖7是顯示應(yīng)用依照本發(fā)明第四實施例的驅(qū)動器的顯示系統(tǒng)的結(jié) 構(gòu)的框圖；圖8是顯示電源開啟監(jiān)視電路、BIST電路和程序控制電路的工作 的流程圖；圖9是顯示應(yīng)用依照本發(fā)明第五實施例的驅(qū)動器的顯示系統(tǒng)的結(jié) 構(gòu)的框圖；圖IO是顯示程序控制電路到輸入單元的工作的流程圖；圖11顯示了應(yīng)用依照本發(fā)明第六實施例的驅(qū)動器的顯示系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)；圖12是顯示第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部和缺陷地址數(shù) 據(jù)存儲部的訪問權(quán)的視圖；圖13是顯示當(dāng)電源電壓被從電源提供到驅(qū)動器時的讀取操作的視圖；圖14是顯示通過依照本發(fā)明第六實施例的驅(qū)動器的自動電源開 啟讀取操作的框圖；圖15是顯示電源開啟監(jiān)視電路、程序控制電路和讀出放大器電路 的工作的流程圖；圖16是顯示依照本發(fā)明第七實施例的驅(qū)動器1的寫入操作的視圖；圖17是顯示程序控制電路的工作的流程圖；圖18是顯示依照本發(fā)明第七實施例的驅(qū)動器的讀取操作的視圖； 圖19是顯示圖18中的程序控制電路和讀出放大器電路的工作的 流程圖；圖20是顯示依照本發(fā)明第八實施例的驅(qū)動器的讀取操作的框圖；圖21是顯示圖20的程序控制電路的工作的流程圖；圖22是顯示依照本發(fā)明第九實施例的驅(qū)動器的擦除操作的框圖；禾口圖23是顯示圖22的程序控制電路的工作的流程圖。
具體實施方式
之后，將參照附圖詳細(xì)描述依照本發(fā)明實施例的驅(qū)動器。 [第一實施例]圖1是顯示應(yīng)用依照本發(fā)明第一實施例的驅(qū)動器1的顯示系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的框圖。該顯示系統(tǒng)具有驅(qū)動器l、顯示面板100和電源200。電 源200給驅(qū)動器1提供電源電壓V。 LCD (液晶顯示)面板示例為顯示 面板100。驅(qū)動器1包括存儲器10、地址控制電路20、驅(qū)動電路30、接口 (IF)緩沖器電路40、程序控制電路50、和非易失性存儲器60。IF緩沖器電路40是與存儲器10、地址控制電路20、程序控制電 路50和外部單元連接的接口。存儲器IO包括存儲單元11和冗余存儲單元12—1到12 — n(n是 "1"或更大的整數(shù))，它們被以矩陣狀設(shè)置。這里，冗余存儲單元可 以是單個的。作為存儲器，示例為DRAM (動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)和 SRAM (靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。非易失性存儲器60具有顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部61和缺陷地址 數(shù)據(jù)存儲部62。顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部61包括存儲區(qū)61_1到61 一m (m是"1"或更大的整數(shù))，且缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62包括存儲 區(qū)62—1到62-n。缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62的存儲區(qū)62—1到62 — n 對應(yīng)于冗余存儲單元12—1到12 — n的存儲區(qū)61 — 1到61—n。程序控制電路50與時鐘信號(在該情形中為內(nèi)部時鐘信號)同步 地工作。例如，通過IF緩沖器電路40從外部單元給程序控制電路50提供指定顯示面板100的顯示質(zhì)量的顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl。在該情形中，程序控制電路50在非易失性存儲器60的顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲 部61的存儲區(qū)61 —i (i是滿足ld^n的整數(shù))中記錄顯示質(zhì)量指定數(shù) 據(jù)W1。例如，假定測試每個存儲單元ll且在存儲單元ll中至少一個 存儲單元是有缺陷的。在該情形中，通過IF緩沖器電路40從外部單元 給程序控制電路50提供表示缺陷存儲單元的地址的缺陷地址數(shù)據(jù)W2。 此時，程序控制電路50在非易失性存儲器60的缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部 62的存儲區(qū)61—j (j是滿足lSi^i的整數(shù))中記錄缺陷地址數(shù)據(jù)W2。 這樣，通過使用相同的存儲方法記錄顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl和缺陷地址 數(shù)據(jù)W2。地址控制電路20與內(nèi)部時鐘信號同步地工作。地址控制電路20 根據(jù)缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62的存儲區(qū)62—j中記錄的缺陷地址數(shù)據(jù) W2用冗余存儲單元12—j取代缺陷存儲單元11。通過IF緩沖器電路 40從外部單元將顯示數(shù)據(jù)DA存儲在存儲器10中，且用于在顯示面板 100上顯示一個顯示線的地址ADD被通過IF緩沖器電路40從外部單 元提供到地址控制電路20。在該情形中，地址控制電路20向驅(qū)動電路 30輸出存儲器10中存儲的顯示數(shù)據(jù)DA的顯示數(shù)據(jù)DL，其對應(yīng)于一 個顯示線。驅(qū)動電路30與內(nèi)部時鐘信號同步地工作，且其具有源極驅(qū)動器和 柵極驅(qū)動器。驅(qū)動電路30根據(jù)顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部61中記錄的 顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl在顯示面板100上顯示顯示數(shù)據(jù)DL。非易失性存儲器60是閃存存儲器、EPROM或EEPROM之一。如 圖2中所示，在本實施例中，假定非易失性存儲器60是閃存存儲器， 且顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部61的存儲區(qū)和缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62的 存儲區(qū)的每一個都是扇區(qū)。圖3是顯示程序控制電路50的工作的流程圖。通過IF緩沖器電路40從外部單元提供顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl到程序控制電路50 (步驟Sl —是)。在該情形中，程序控制電路50選 擇非易失性存儲器60的顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部61的存儲區(qū)中空的 一個61—i,并在該選擇的存儲區(qū)61 — i中記錄顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl (步驟S2)。作為顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl，示例為與精細(xì)控制顯示對 比度有關(guān)的數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl是與調(diào)整對向電極信 號VCOM有關(guān)的數(shù)據(jù)時，該數(shù)據(jù)被記錄在顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部61 的存儲區(qū)61 — 1中。當(dāng)顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl是與調(diào)整LCD驅(qū)動電壓 的設(shè)定值有關(guān)的數(shù)據(jù)時，該數(shù)據(jù)被記錄在顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部61 的存儲區(qū)61 — 2中。通過提供m個顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲區(qū)61 — 1到 61—m，可分別在顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲區(qū)61 — 1到61—m中記錄m 個顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl。作為多個存儲單元11每一個的測試結(jié)果，用于指明存儲單元11 中有缺陷的一個存儲單元地址的缺陷地址數(shù)據(jù)W2被通過IF緩沖器電 路40從外部單元提供到程序控制電路50 (步驟S3 —是)。在該情形 下，程序控制電路50選擇非易失性存儲器60的缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部 62的存儲區(qū)中空的一個62—j，并在該選擇的存儲區(qū)62—j中記錄缺陷 地址數(shù)據(jù)W2 (步驟S4)。因為缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62的存儲區(qū)62 一l到62 — n分別對應(yīng)于冗余存儲單元12—1到12—n，所以可在缺陷 地址數(shù)據(jù)存儲區(qū)62—1到62 — n中記錄n個缺陷地址數(shù)據(jù)W2。應(yīng)當(dāng)注意， 一對步驟Sl和S2以及一對步驟S3和S4沒有特別的 順序。如上所述，依照本發(fā)明第一實施例的驅(qū)動器1通過程序控制電路 50通過使用相同的存儲方法記錄顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl和缺陷地址數(shù) 據(jù)W2。這就不必單獨制造用于記錄顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl的專用器件 和用于記錄缺陷地址數(shù)據(jù)W2的專用器件。此外，如果單獨制造專用器件，則程序控制電路50的電路尺寸就會變大。然而，在本實施例中， 因為不必單獨制造專用器件，所以可通過程序控制電路50共同實現(xiàn)記錄顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)W1的功能和記錄缺陷地址數(shù)據(jù)W2的功能。這樣， 可減小程序控制電路50的電路尺寸，還可減小整個驅(qū)動器1的電路尺 寸。此外，本發(fā)明的驅(qū)動器1采用了閃存存儲器實現(xiàn)非易失性存儲器 60的功能，其編程方法沒有采用激光修整(trimming)熔絲。當(dāng)采用 激光修整熔絲時，在驅(qū)動器1中必須提供用于允許激光束照射在激光 修整熔絲上的開口。在這種情形中，根據(jù)安裝工序，灰塵可能通過開 口從外部進(jìn)入驅(qū)動器1。如果灰塵偶然進(jìn)入了，則在安裝之后在操作過 程期間造成驅(qū)動器1中短路的可能性就會增加。另一方面，當(dāng)采用閃 存存儲器時，不必對驅(qū)動器1提供開口。此外，在閃存存儲器中，通 過將數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動器1中，而不是通過在驅(qū)動器1中照射激光來記 錄顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)W1和缺陷地址數(shù)據(jù)W2。因此，可在安裝之后對 顯示器件l進(jìn)行編程。此外，在依照本實施例的驅(qū)動器1中，當(dāng)存儲器10是DRAM作 為用于存儲器10的程序的應(yīng)用時，由于在安裝之后單元保持特性的下 降，其可緩解缺陷的存儲單元。[第二'實滅例]在依照本發(fā)明第二實施例的驅(qū)動器中，將省略與第一個實施例中 相同的描述。如圖4中所示，代替電流熔化型熔絲，非易失性存儲器60由電熔 絲組成。在第二實施例中，假定顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部61的存儲區(qū) 61— l到61—m和缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62的存儲區(qū)62—1到62 — n的 每一個都包括一組電熔絲F1到FN (N是"1"或更大的整數(shù))顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl被通過IF緩沖器電路40從外部單元提供到程序控制電路50 (步驟Sl —是)。在該情形中，程序控制電路50 給在非易失性存儲器60的顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部61的存儲區(qū)61 — i 中的一組電熔絲Fl到FN中將要切斷的電熔絲提供電流，從而在存儲 區(qū)61 — i中記錄顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl (步驟S2)。例如，假定N是 12，將要被切斷的電熔絲是F9到F11。在該情形中，沒有被切斷的每 個電熔絲Fl到F8表示"O"，且切斷的每個電熔絲F9到Fll表示"1"。 因而，程序控制電路50在存儲區(qū)61—i中的一組電熔絲Fl到FN中記 錄顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl。作為多個存儲單元11每一個的測試結(jié)果，用于指明多個存儲單元 11中有缺陷的一個存儲單元的地址的缺陷地址數(shù)據(jù)W2被通過IF緩沖 器電路40從外部單元提供到程序控制電路50 (步驟S3 —是)。在該 情形中，程序控制電路50給在非易失性存儲器60的缺陷地址數(shù)據(jù)存 儲部62的存儲區(qū)62—j中的一組電熔絲Fl到FN中將要切斷的電熔絲 提供電流，從而在存儲區(qū)62—j中記錄缺陷地址數(shù)據(jù).W2 (步驟S4)。 例如，假定N是12，將要被切斷的電熔絲是F9到F11。在該情形中， 沒有被切斷的每個電熔絲Fl到F8表示"0"，被切斷的每個電熔絲F9 到Fll表示"1"。因為缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62的存儲區(qū)62-1到62 一n分別對應(yīng)于冗余存儲單元12—1到12 — n，所以可在缺陷地址數(shù)據(jù) 存儲區(qū)62-1到62—n中記錄n個缺陷地址數(shù)據(jù)W2。如上所述，本發(fā)明的驅(qū)動器1采用了該組電熔絲Fl到FN作為非 易失性存儲器60的一個存儲區(qū)，其編程方法沒有采用激光修整熔絲。 如果采用激光修整熔絲，則對于驅(qū)動器l，必須提供用于允許激光束照 射在激光修整熔絲上的開口窗口。在這種情形中，根據(jù)安裝工序，灰 塵可能通過幵口窗口從外部進(jìn)入驅(qū)動器1。如果灰塵偶然進(jìn)入了，則在 安裝之后在操作過程期間造成驅(qū)動器1中短路的可能性就會增加。另 —方面，在該組電熔絲F1到FN中，不必在驅(qū)動器1中提供開口窗口。 此外，通過將數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動器1中并切斷與該數(shù)據(jù)對應(yīng)的電熔絲，而不是通過在驅(qū)動器1中照射激光來記錄顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl和缺陷 地址數(shù)據(jù)W2。因此，可在安裝之后對顯示器件l進(jìn)行編程。[第三實施例]在依照本發(fā)明第三實施例的驅(qū)動器中，將省略與第一和第二個實 施例相同的描述。圖5顯示了應(yīng)用依照本發(fā)明第三實施例的驅(qū)動器1的顯示系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。驅(qū)動器1還設(shè)置有BIST (內(nèi)置自測試)電路70。 BIST電路70 與內(nèi)部時鐘信號同步地工作。圖6是顯示BIST電路70和程序控制電路50的工作的流程圖。 BIST電路70測試多個存儲單元11的每一個(步驟Sll)。假定多個 存儲單元11中至少一個存儲單元是有缺陷的存儲單元(步驟S12 —是)。 在該情形中，BIST電路70向程序控制電路50輸出用于指明缺陷存儲 單元的地址的缺陷地址數(shù)據(jù)W2 (步驟S13)。此時，程序控制電路50 執(zhí)行上述的步驟S4 (步驟S14)。就是說，程序控制電路50從BIST 電路70接收缺陷地址數(shù)據(jù)W2，選擇缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62中空的存 儲區(qū)62—j并在非易失性存儲器60的選擇的該存儲區(qū)62—j中記錄缺 陷地址數(shù)據(jù)W2。這樣，作為對于存儲器IO應(yīng)用的程序，本發(fā)明的驅(qū) 動器l可實現(xiàn)自修復(fù)功能。[第四實施例]在依照本發(fā)明第四實施例的驅(qū)動器中，將省略與第一到第三實施 例相同的描述。圖7顯示了應(yīng)用依照本發(fā)明第四實施例的驅(qū)動器的顯示系統(tǒng)的結(jié) 構(gòu)。驅(qū)動器1還設(shè)置有電源開啟監(jiān)視電路80。圖S是顯示電源開啟監(jiān)視電路80、 BIST電路70和程序控制電路50的工作的流程圖。電源開啟監(jiān)視電路80監(jiān)視電源200 (步驟S21)。當(dāng)電源電壓V 被從電源200提供到驅(qū)動器1時(步驟S21 —是)，電源開啟監(jiān)視電路 80給BIST電路70輸出電源開啟信號PON (步驟S22)。此時，執(zhí)行 上述步驟S11到S14。就是說，響應(yīng)于電源開啟信號PON, BIST電路 70測試多個存儲單元11的每一個(步驟Sll)，并給程序控制電路50 輸出用于指明缺陷存儲單元的地址的缺陷地址數(shù)據(jù)W2 (步驟S13)。 程序控制電路50在非易失性存儲器60的缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62的存 儲區(qū)的空的存儲區(qū)62—j中記錄缺陷地址數(shù)據(jù)W2 (步驟S14)。這樣， 作為對于存儲器10應(yīng)用的程序，通過將電源開啟自測試和這些操作組 合，依照本發(fā)明第四實施例的驅(qū)動器1在最終的產(chǎn)品中能實現(xiàn)自修復(fù) 功能。[第五實施例]在依照本發(fā)明的第五實施例中，將省略與第一到第四實施例相同 的描述。圖9顯示了應(yīng)用依照本發(fā)明第五實施例的驅(qū)動器1的顯示系統(tǒng)的 結(jié)構(gòu)。該系統(tǒng)還設(shè)置有輸入單元300。通過用戶操作輸入單元300，可改變由顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl表示 的顯示質(zhì)量。此時，所需要的是用戶在非易失性存儲器60的顯示質(zhì)量 指定數(shù)據(jù)存儲部61中記錄顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl。然而，不理想的是， 用戶錯誤地將該數(shù)據(jù)記錄在非易失性存儲器60的缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部 62中。此外，更不理想的是下述情形，即顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部61 和缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62每個都由一組電熔絲Fl到FN (電流熔化型 熔絲)組成，且顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl被錯誤地記錄在缺陷地址數(shù)據(jù)存 儲部62中。根據(jù)上面的情形，在第五實施例中，給予用戶顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù) 存儲部61的訪問權(quán)，但不給予用戶缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62的訪問權(quán)。在該情形中，程序控制電路50保持訪問權(quán)命令W1CMD，其表示對顯 示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部61的訪問權(quán)。將描述與此有關(guān)的操作。圖10是顯示程序控制電路50到輸入單元300的操作的流程圖。 用戶操作輸入單元300，從而通過IF緩沖器電路40給程序控制電路50 提供包括表示顯示質(zhì)量變化的顯示質(zhì)量變化數(shù)據(jù)Wl'的指令和命令 W1'CMD (步驟S31)。在該情形中，程序控制電路50將該指令中包 括的命令W1'CMD與由程序控制電路50保持的訪問權(quán)命令W1CMD 進(jìn)行核對(步驟S32)。當(dāng)命令W1'CMD和訪問權(quán)命令W1CMD彼此 一致時(步驟S32 —是)，程序控制電路50訪問顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存 儲部61 (步驟S33)，并根據(jù)指令中包括的顯示質(zhì)量變化數(shù)據(jù)Wl'更 新顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)W1 (步驟S34)。這樣，作為對于顯示面板100 應(yīng)用的編程，依照本發(fā)明第五實施例的驅(qū)動器1可使用戶將顯示質(zhì)量 指定數(shù)據(jù)Ml記錄在非易失性存儲器60的顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部61 中。因而，用戶可將顯示質(zhì)量變化為用戶喜歡的一種。此外，通過將 驅(qū)動器1配置以給予用戶非易失性存儲器60的顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲 部61的訪問權(quán)而不給予用戶對缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62的訪問權(quán)，驅(qū) 動器1可保證驅(qū)動器1的規(guī)范。[第六實施例] '1在依照本發(fā)明的第六實施例的描述中，將省略與第一到第五實施 例相同的描述。圖11顯示了應(yīng)用依照本發(fā)明第六實施例的驅(qū)動器1的顯示系統(tǒng)的 結(jié)構(gòu)。此外，驅(qū)動器1還設(shè)置有電源開啟監(jiān)視電路80。該電源幵啟監(jiān)視 電路80監(jiān)視是否從電源200向驅(qū)動器1提供電源電壓V。非易失性存儲器60表示OTP ( —次性PROM (可編程只讀存儲 器))。非易失性存儲器60包括按下述順序使用的多個存儲塊60_1 到60 — 4、和讀出放大器電路63。當(dāng)該非易失性存儲器60被制造成存 儲器芯片時，該多個存儲塊60—1到60—4和讀出放大器電路63被制 造在相同的存儲器芯片上。這里，假定多個存儲塊60—1到60 — 4之 一，例如存儲塊60—1是有效的。多個存儲塊60—1到60 — 4的每一個都具有16x32位的存儲部。 16x32位的存儲部分為16x30位的顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部61的缺陷 地址數(shù)據(jù)存儲部62和16x2位的缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62。就是說，顯 示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部61和缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62共享讀出放大器 電路63。 16x30位的顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部61包含16x28位的第一 顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611和16x2位的第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲 部612。例如，第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部wl — l具有28個存儲區(qū)， 且第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部wl —2具有2個存儲區(qū)。16x2位的缺 陷地址數(shù)據(jù)存儲部62也具有2個存儲區(qū)。上述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl包含制造顯示面板100的面板制造商 的第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — l和制造驅(qū)動器1的顯示器件制造商的 第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl—2。因此，第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — l 被記錄'到存儲塊60—1中的第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611，且第 二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)W1 — 2被記錄到存儲塊60—1中的第二顯示質(zhì)量 指定數(shù)據(jù)存儲部612。此外，上述缺陷地址數(shù)據(jù)W2被記錄到存儲塊60 一l的缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62。程序控制電路50包括排序器51和52、 R/W (讀取/寫入)控制部 53、命令解碼器54、 OTP邏輯電路55、面板/顯示器件寄存器56和缺 陷地址寄存器57。面板/顯示器件寄存器56包含面板寄存器56—1和 顯示器件寄存器56 — 2。當(dāng)電源電壓V被從電源200提供到驅(qū)動器1時，排序器51輸出讀取信號以從存儲塊60—1中的第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611、第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部612、和缺陷地址數(shù) 據(jù)存儲部62讀取第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — l、第二顯示質(zhì)量指定數(shù) 據(jù)Wl — 2和缺陷地址數(shù)據(jù)W2。排序器52輸出信號以另外地寫入客戶 數(shù)據(jù)(面板制造商的數(shù)據(jù))。然而，因為排序器52與本發(fā)明沒有直接 關(guān)系，所以省略排序器52的詳細(xì)描述。R/W控制部53對讀取指令和 寫入指令分別輸出控制信號(讀取信號和寫入信號)。命令解碼器54 解碼輸入的讀取指令和寫入指令。OTP邏輯電路55將來自排序器51 和52、和R/W控制部53的信號轉(zhuǎn)換為適于非易失性存儲器(OTP) 60的信號。如圖12中所示，終端用戶(用戶)對存儲塊60—1中的第一顯 示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611、第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部612、和缺 陷地址數(shù)據(jù)存儲部62具有訪問權(quán)，在測試時面板制造商、顯示器件制 造商和存儲器10的制造商對存儲塊60—1中的第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù) 存儲部611、第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部612、和缺陷地址數(shù)據(jù)存儲 部62具有訪問權(quán)。就是說，在測試時面板制造商、顯示器件制造商和 存儲器10的制造商可操作第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611、第二顯 示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部612、和缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62。顯示器件制 造商和存儲器件制造商可以是相同的制造商，例如，顯示器件制造商 可被分為制造驅(qū)動器1的分制造商和制造存儲器10的分制造商。存儲器10由SRAM (靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)組成。在該情形中， 當(dāng)電源電壓V被從電源200提供到驅(qū)動器1時，根據(jù)缺陷地址數(shù)據(jù)W2， 必須用冗余存儲單元12的地址取代存儲器10中的存儲單元11中有缺 陷的存儲單元的地址。因此，如圖13中所示，當(dāng)電源電壓V被從電源 200提供到驅(qū)動器1時，優(yōu)選地驅(qū)動器1從存儲塊60_1中的第一顯 示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611、第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部612、和缺 陷地址數(shù)據(jù)存儲部62自動讀出第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — l、第二顯 示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — 2和缺陷地址數(shù)據(jù)W2。圖14是顯示通過依照本發(fā)明第六實施例的驅(qū)動器1的自動電源開 啟讀取操作的框圖，圖15是顯示電源開啟監(jiān)視電路80、程序控制電路50和讀出放大器電路63的工作的流程圖。電源開啟監(jiān)視電路80監(jiān)視電源200 (步驟S41)。當(dāng)電源電壓V 被從電源200提供到驅(qū)動器1 (步驟S41 —是)時，電源開啟監(jiān)視電路 80給排序器51輸出電源開啟信號PON(步驟S42)。排序器51響應(yīng) 于電源開啟信號PON，通過OTP邏輯電路55給非易失性存儲器60輸 出第一到第三讀取信號，用于從存儲塊60—1中的第一和第二顯示質(zhì) 量指定數(shù)據(jù)存儲部611和612、和缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62讀出第一顯 示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — l、第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — 2和缺陷地址數(shù) 據(jù)W2 (步驟S43)。讀出放大器電路63響應(yīng)于第一到第三讀取信號，分別從存儲塊 60—1中的第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611和612、和缺陷地 址數(shù)據(jù)存儲部62讀出第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — l和Wl — 2 以及缺陷地址數(shù)據(jù)W2 (步驟S44)。讀出放大器電路63將第一和第 二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — 1和Wl — 2以及缺陷地址數(shù)據(jù)W2存儲在面 板寄存器56—1、顯示器件寄存器56 — 2和缺陷地址寄存器57中(步 驟S45)。通過地址控制電路20參考缺陷地址寄存器57。就是說，根據(jù)記 錄在缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62中的缺陷地址數(shù)據(jù)W2，地址控制電路20 用冗余存儲單元12取代多個存儲單元11中有缺陷的存儲單元。地址 控制電路20從存儲在存儲器10中的顯示數(shù)據(jù)DA接收用于一個顯示線 的顯示數(shù)據(jù)DL，并將其輸出到驅(qū)動電路30。通過驅(qū)動電路30參考面板寄存器56—1和顯示器件寄存器56 — 2。 就是說，根據(jù)面板寄存器56—1和顯示器件寄存器56 — 2中設(shè)置的第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — l和Wl —2，驅(qū)動電路30在顯示面 板IOO上顯示顯示數(shù)據(jù)DL。這樣，依照本發(fā)明第六實施例中的驅(qū)動器1，當(dāng)電源電壓V被從 電源200提供到驅(qū)動器1時，驅(qū)動器l可從存儲塊60—1中的第一顯 示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611、第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部612、和缺 陷地址數(shù)據(jù)存儲部62自動讀出第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — l、第二顯 示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl—2和缺陷地址數(shù)據(jù)W2。[第七實施例]在第七實施例的描述中，將省略與上述第一到第六實施例相同的 描述。在第七實施例中，面板制造商、顯示器件制造商、和存儲器件制 造商使用測試器進(jìn)行測試，從而分別進(jìn)行圖像調(diào)整、圖像/電路調(diào)整、 和電路(存儲器IO)調(diào)整。在該情形下，如圖13中所示，在測試時， 檢測面板制造商、顯示器件制造商和存儲器件制造商在存儲塊60—1 中的第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611、第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部 612、和缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62中是否寫入了第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù) W1 —1、第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — 2和缺陷地址數(shù)據(jù)W2。此外， 在測試時，檢測面板制造商、顯示器件制造商和存儲器件制造商是否 從存儲塊60—1中的第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611、第二顯示質(zhì)' 量指定數(shù)據(jù)存儲部612、和缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62讀出第一顯示質(zhì)量 指定數(shù)據(jù)Wl — l、第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — 2和缺陷地址數(shù)據(jù)W2。圖16是顯示依照本發(fā)明第七實施例的驅(qū)動器1的寫入操作的視 圖，且圖17是顯示圖16的程序控制電路的工作的流程圖。如上所述，面板制造商、顯示器件制造商和存儲器件制造商在測 試時分別使用測試器。為了區(qū)分面板制造商、顯示器件制造商和存儲器件制造商分別使用的測試器，把它們稱作第一到第三測試器91到93。 面板制造商、顯示器件制造商和存儲器件制造商將第一到第三寫入指令通過IF緩沖器電路40從測試器91到93輸入到程序控制電路50的 命令解碼器54 (步驟S51)。第一到第三寫入指令包含第一和第二顯 示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — l和Wl — 2和缺陷地址數(shù)據(jù)W2以及存儲塊60 一 i中的第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611和612的地址和缺陷 地址數(shù)據(jù)存儲部62的地址。命令解碼器54解碼第一到第三寫入指令(步驟S52)?？刂撇?3 響應(yīng)于由命令解碼器54解碼的第一到第三寫入指令，通過OTP邏輯電 路在存儲塊60—1中的第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611和 612和缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62中寫入第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)W1 —1和W1 —2和缺陷地址數(shù)據(jù)W2 (步驟S53)。圖18是顯示依照本發(fā)明第七實施例的驅(qū)動器1的讀取操作的視 圖，且圖19是顯示圖18中的程序控制電路50和讀出放大器電路63 的工作的流程圖。通過程序控制電路50的命令解碼器54，面板制造商、顯示器件 制造商和存儲器件制造商通過IF緩沖器電路40從測試器91到93接收 第一到第三讀取指令(步驟S61)。第一到第三讀取指令包含第一和第 二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — 1和Wl —》和缺陷地址數(shù)據(jù)W2以及存儲塊 60—1中的第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611和612和缺陷地址 數(shù)據(jù)存儲部62的地址。命令解碼器54解碼第一到第三讀取指令(步驟S62)?？刂撇?3 響應(yīng)于由命令解碼器54解碼的第一到第三讀取指令，通過OTP邏輯電 路將第一到第三讀取信號輸出到非易失性存儲器60 (步驟S63)。讀 出放大器電路63響應(yīng)于第一到第三讀取信號，輸出從存儲塊60—1中 的第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611和612和缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62讀出的第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl —1和Wl — 2和缺陷 地址數(shù)據(jù)W2 (步驟S64)。讀出放大器電路63將第一和第二顯示質(zhì) 量指定數(shù)據(jù)Wl — 1和Wl —2和缺陷地址數(shù)據(jù)W2分別存儲在面板寄存 器56—1、顯示器件寄存器56 — 2和缺陷地址寄存器57中(步驟S65)。通過地址控制電路20參考缺陷地址寄存器57。就是說，和通常 的冗余操作一樣，根據(jù)對缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62設(shè)置的缺陷地址數(shù)據(jù) W2，地址控制電路20用冗余存儲單元12取代多個存儲單元11中有缺 陷的存儲單元。地址控制電路20將用于一個顯示線的顯示數(shù)據(jù)DL從 存儲在存儲器10中的顯示數(shù)據(jù)DA輸出到驅(qū)動電路30。由驅(qū)動電路30 參考面板寄存器56—1和顯示器件寄存器56 — 2。就是說，根據(jù)面板寄 存器56—1和顯示器件寄存器56 — 2中設(shè)置的第一和第二顯示質(zhì)量指 定數(shù)據(jù)Wl — l和Wl—2，驅(qū)動電路30在顯示面板100上顯示顯示數(shù) 據(jù)DL。這樣，依照本發(fā)明第七實施例的驅(qū)動器1，在測試時，面板制造 商、顯示器件制造商和存儲器件制造商檢査在存儲塊60 — 1中的第一 顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611、第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部612、和 缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62是否分別寫入了第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — 1、第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl—2和缺陷地址數(shù)據(jù)W2。此外，在測試 時，面板制造商、顯示器件制造商和存儲器件制造商檢査是否分別從 存儲塊6b—l中的第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611、第二顯示質(zhì)量 指定數(shù)據(jù)存儲部612、和缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62讀出第一顯示質(zhì)量指 定數(shù)據(jù)Wl — l、第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — 2和缺陷地址數(shù)據(jù)W2。[第八實施例]在第八實施例的描述中，將省略與上述第一到第七實施例相同的 描述。在上述第七實施例中，在測試時面板制造商、顯示器件制造商和存儲器件制造商從存儲塊60—1中的第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611、 第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部612、和缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62分 別讀出第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — l、第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl—2 和缺陷地址數(shù)據(jù)W2。另一方面，在第八實施例中，如圖13中所示，在測試時，優(yōu)選地 面板制造商、顯示器件制造商和存儲器件制造商檢查從存儲塊60—1 中的第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611、第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部612、 和缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62讀出的第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — l、 第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)W1—2和缺陷地址數(shù)據(jù)W2是否被分別設(shè)置在 面板寄存器56—1、顯示器件寄存器56 — 2和缺陷地址寄存器57中。圖20是顯示依照本發(fā)明第八實施例的驅(qū)動器1的讀取操作的框 圖，且圖21是顯示圖20的程序控制電路50的工作的流程圖。面板制造商、顯示器件制造商和存儲器件制造商通過IF緩沖器電 路40分別將第一到第三寄存器讀取指令從測試器91到93輸入到命令 解碼器54 (步驟S71)。第一到第三寄存器讀取指令分別包含面板寄 存器56—1、顯示器件寄存器56 — 2和缺陷地址寄存器57的地址。命令解碼器54解碼第一到第三寄存器讀取指令(步驟S72)。控 制部53響應(yīng)于由命令解碼器54解碼的第一到第三寄存器讀取指令， 分別從面板寄存器56—1、顯示器件寄存器56 — 2和缺陷地址寄存器 57讀取第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — l和W1—2和缺陷地址數(shù) 據(jù)W2。控制部53將第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — l和Wl — 2 和缺陷地址數(shù)據(jù)W2分別輸出到測試器91到93 (步驟S73)。這樣，依照本發(fā)明第八實施例的驅(qū)動器1，在測試時，面板制造 商、顯示器件制造商和存儲器件制造商能夠檢査從存儲塊60—1中的 第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611、第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部612、和缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62讀出的第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl — l、第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)Wl—2和缺陷地址數(shù)據(jù)W2是否已經(jīng)被分別設(shè)置在 面板寄存器56—1、顯示器件寄存器56 — 2和缺陷地址寄存器57中。[第九實施例]在第九實施例的描述中，將省略與上述第一到第八實施例相同的 描述。在上述第六到第八實施例中，有時希望擦除非易失性存儲器60中 的多個存儲塊60—1到60 — 4的存儲塊60—1的數(shù)據(jù)。然而，當(dāng)非易 失性存儲器60是OTP時，不可能進(jìn)行電擦除。在第九實施例中，在測 試時，面板制造商在存儲塊60—1和存儲塊60 — 2之間變化，代替存 儲塊60—l而使用存儲塊60 — 2，以擦除存儲塊60—1的數(shù)據(jù)。圖22是顯示依照本發(fā)明第九實施例的驅(qū)動器1的擦除操作的框 圖，且圖23是顯示圖22的程序控制電路50的工作的流程圖。面板制造商通過IF緩沖器電路40從測試器91向程序控制電路50 的命令解碼器54輸入擦除指令，以擦除目前有效的存儲塊60—1的數(shù) 據(jù)(步驟S81)。命令解碼器54解碼擦除指令(步驟S82)。響應(yīng)于 由命令解碼器54解碼的擦除指令，控制部53使存儲塊60—1無效， 然后使多個存儲塊60—1到60 — 4中的存儲塊60 — 2有效。就是說， 有效的存儲塊從存儲塊60—1切換到存儲塊60 — 2 (步驟S83)。因 而，可在存儲塊60 — 2中的第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部611 和612和缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部62中記錄第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù) Wl—l和Wl—2和缺陷地址數(shù)據(jù)W2。這樣，當(dāng)面板制造商通過使用測試器91第一次輸入擦除指令時， 存儲塊60—1變?yōu)闊o效，且之后存儲塊60 — 2變?yōu)橛行АＲ韵嗤姆?式，當(dāng)面板制造商通過使用測試器91第二次輸入擦除指令時，使得存儲塊60 — 2無效，且之后使得存儲塊60 —3有效。以相同的方式，當(dāng) 面板制造商通過使用測試器91第三次輸入擦除指令時，使得存儲塊60 一3變?yōu)闊o效，且之后使得存儲塊60—4變?yōu)橛行АＴ谝勒毡景l(fā)明第 九實施例的驅(qū)動器l中，存儲塊的數(shù)量為4，且存儲塊可擦除三次。然 而，本發(fā)明并不限于此。通過增加存儲塊的數(shù)量，可增加擦除操作的 次數(shù)。依照本發(fā)明第九實施例的驅(qū)動器1，當(dāng)非易失性存儲器60是OTP 時，在測試時面板制造商可使用替代的存儲塊用于存儲塊的擦除操作。盡管上面結(jié)合幾個實施例描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng) 清楚，提供這些實施例僅僅是用于示例本發(fā)明，不應(yīng)依賴其以限制理 解的方式來解釋權(quán)利要求書。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動器，包括第一存儲器，其包括多個存儲單元和冗余存儲單元；地址控制電路，其被配置以根據(jù)指示有缺陷的存儲單元的地址的缺陷地址數(shù)據(jù)，用所述冗余存儲單元之一取代所述多個存儲單元中有缺陷的存儲單元；驅(qū)動電路，其被配置以根據(jù)指定了顯示面板顯示質(zhì)量的顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)，在顯示面板上顯示存儲在所述第一存儲器中的顯示數(shù)據(jù)；和第二存儲器，其中存儲所述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)和所述缺陷地址數(shù)據(jù)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的驅(qū)動器，進(jìn)一步包括程序控制電路， 其中，所述第二存儲器具有顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部和缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部，且所述程序控制電路將所述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲在所述顯示質(zhì)量 指定數(shù)據(jù)存儲部中，且當(dāng)測試所述多個存儲單元，且所述多個存儲單元中的至少一個是 有缺陷的存儲單元時，所述程序控制電路將所述缺陷地址數(shù)據(jù)存儲在 所述缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部中。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動器，其中，所述第二存儲器包括作 為非易失性存儲器的閃存存儲器、EPROM (可擦除可編程ROM (只讀 存儲器))、禾QEEPROM (可電擦除可編程ROM)中的任意一種。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動器，其中，所述第二存儲器包括作 為非易失性存儲器的至少一個電熔絲組。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的驅(qū)動器，其中，所述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部和所述缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部的每一個都包含所述電熔絲組，且 所述程序控制電路向在所述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部的所述電熔 絲組中將要被切斷的電熔絲提供電流，以將所述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存 儲在所述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部中，并向在所述缺陷地址數(shù)據(jù)存儲 部的所述電熔絲組中將要被切斷的電熔絲提供電流，以將所述缺陷地 址數(shù)據(jù)存儲在所述缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部中。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2到5中任意一個所述的驅(qū)動器，進(jìn)一步包括BIST電路，其被配置以測試所述多個存儲單元的每一個，并當(dāng)所述多個存儲單元中的至少一個是有缺陷的存儲單元時，向所述程序控 制電路輸出所述缺陷地址數(shù)據(jù)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的驅(qū)動器，進(jìn)一步包括電源開啟監(jiān)視電路，其被配置以監(jiān)視電源，并當(dāng)檢測到來自所述電源的電源電壓時，向所述BIST電路輸出電源開啟信號，且其中所述BIST電路響應(yīng)于所述電源開啟信號而開始所述測試。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2到5中任意一個所述的驅(qū)動器，其中，基于所 述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)所指定的顯示質(zhì)量是可由用戶改變的；以及所述程序控制電路持有對所述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部的訪問 權(quán)，當(dāng)由用戶給出包含顯示質(zhì)量變化數(shù)據(jù)和命令的指令，且所述命令 與所持有的訪問權(quán)彼此一致時，訪問所述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部， 以根據(jù)所述顯示質(zhì)量變化數(shù)據(jù)來改變所述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動器，其中，所述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù) 包含關(guān)于面板制造商的第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)和關(guān)于制造所述驅(qū)動器 的顯示器件制造商的第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)，所述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部包括第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部，其中，在所述第一顯示質(zhì)量指定 數(shù)據(jù)存儲部中存儲了所述第一顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)，在所述第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部中存儲了所述第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的驅(qū)動器，進(jìn)一步包括 電源開啟監(jiān)視電路，其被配置以監(jiān)視電源，并當(dāng)檢測到來自所述電源的電源電壓時輸出電源開啟信號， 所述程序控制電路包括-排序器，其被配置以響應(yīng)于電源開啟信號向所述第二存儲器輸出 第一到第三讀取信號；由所述驅(qū)動電路所指向的面板寄存器和顯示器件寄存器；和 由所述地址控制電路所指向的缺陷地址寄存器，且 所述第二存儲器進(jìn)一步包括讀出放大器，其被配置以響應(yīng)于所述第一到第三讀取信號，從所 述第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部和所述缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部讀 出所述第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)和所述缺陷地址數(shù)據(jù)，以分別存 儲在所述面板寄存器、所述顯示器件寄存器和所述缺陷地址寄存器中。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的驅(qū)動器，其中在測試時，面板制造商、 顯示器件制造商和制造所述第一存儲器的存儲器件制造商分別通過使 用第一到第三測試器輸入第一到第三寫入指令，該第一到第三寫入指 令包含所述第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)和所述缺陷地址數(shù)據(jù)、以及 所述第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部和所述缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部 的地址，且 ''所述程序控制電路包括命令解碼器，其被配置以解碼第一到第三寫入指令；和 控制單元，其被配置以分別響應(yīng)于經(jīng)由所述命令解碼器解碼的所 述第一到第三寫入指令，在所述第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部 和所述缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部中寫入所述第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù) 和所述缺陷地址數(shù)據(jù)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的驅(qū)動器，其中在測試時，面板制造商、顯示器件制造商和存儲器件制造商通過使用所述第一到第三測試器分 別輸入第一到第三讀取指令，該第一到第三讀取指令包含所述第一和 第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)和所述缺陷地址數(shù)據(jù)、以及所述第一和第二顯 示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部和所述缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部的地址， 所述命令解碼器解碼第一到第三讀取指令，所述控制單元分別根據(jù)經(jīng)由所述命令解碼器解碼的所述第一到第 三讀取指令向所述第二存儲器輸出所述第一到第三讀取信號，且所述讀出放大器分別響應(yīng)于所述第一到第三讀取信號，從所述第 一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部和所述缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部讀取所 述第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)和所述缺陷地址數(shù)據(jù)，以存儲在所述 面板寄存器、所述顯示器件寄存器和所述缺陷地址寄存器中。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的驅(qū)動器，其中在測試時，面板制造商、 顯示器件制造商和存儲器件制造商分別通過使用所述第一到第三測試 器輸入第一到第三寄存器讀取指令，該第一到第三寄存器讀取指令包 含所述面板寄存器、所述顯示器件寄存器和所述缺陷地址寄存器的地 址， '所述命令解碼器解碼所述第一到第三寄存器讀取指令，并分別響 應(yīng)于所述第一到第三寄存器讀取指令，從所述面板寄存器、所述顯示 器件寄存器和所述缺陷地址寄存器讀出所述第一和第二顯示質(zhì)量指定 數(shù)據(jù)和所述缺陷地址數(shù)據(jù)，以輸出到所述第一到第三測試器。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11到13中任意一個所述的驅(qū)動器，其中，所 述第二存儲器是作為非易失性存儲器的OTP (—次PROM (可編程只 讀存儲器))。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的驅(qū)動器，其中，所述第二存儲器包括 順序使用的多個存儲塊，所述多個存儲塊的每一個都具有所述第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù) 據(jù)存儲部和所述缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部，面板制造商通過使用所述第一測試器輸入擦除指令，以擦除所述 多個存儲塊中當(dāng)前有效的存儲塊，所述命令解碼器解碼所述擦除指令，所述控制單元響應(yīng)于所述解碼的擦除指令，使所述當(dāng)前有效的存 儲塊無效，并使所述多個存儲塊中的下一個存儲塊有效，所述第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)和所述缺陷地址數(shù)據(jù)被分別存 儲在所述下一個存儲塊中的所述第一和第二顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部 和所述缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部中。
16. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的驅(qū)動器，其中，所述第一存儲器包括 SRAM。
17. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的驅(qū)動器，其中，所述第二存儲器包括 其中存儲了所述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)的存儲部；和 其中存儲了所述缺陷地址數(shù)據(jù)的存儲部，以及 將所述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部和所述缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部設(shè)置在相同的存儲芯片上。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的驅(qū)動器，其中，所述存儲芯片進(jìn)一步包括共享所述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)存儲部和所述缺陷地址數(shù)據(jù)存儲部的 讀出放大器。
19. —種顯示裝置，包括 顯示面板；禾口驅(qū)動器，其包括第一存儲器，其包括多個存儲單元和冗余存儲單元； 地址控制電路，其被配置以根據(jù)指示了有缺陷的存儲單元的地址的缺陷地址數(shù)據(jù)，用所述冗余存儲單元之一取代所述多個存儲單元中有缺陷的存儲單元；驅(qū)動電路，其被配置以根據(jù)指定了顯示面板的顯示質(zhì)量的顯示質(zhì) 量指定數(shù)據(jù)，在所述顯示面板上顯示存儲在所述第一存儲器中的顯示 數(shù)據(jù)；和第二存儲器，其中存儲了所述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)和所述缺陷地址 數(shù)據(jù)。
20. —種顯示方法，通過使用驅(qū)動器在顯示面板上顯示存儲在第一存儲器中的顯示數(shù)據(jù)，所述驅(qū)動器包括多個存儲單元和多個冗余存 儲單元，所述顯示方法包括在第二存儲器中存儲顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)和缺陷地址數(shù)據(jù)，該缺陷地址數(shù)據(jù)指示出所述存儲單元中有缺陷的一個存儲單元的地址；根據(jù)所述缺陷地址數(shù)據(jù)，用所述冗余存儲單元之一取代所述有缺 陷的存儲單元；根據(jù)所述顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)，在所述顯示面板上顯示所述顯示數(shù)據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種驅(qū)動器及使用它的顯示方法。一種驅(qū)動器，包括第一存儲器，其包括多個存儲單元和冗余存儲單元。根據(jù)指示有缺陷的存儲單元的地址的缺陷地址數(shù)據(jù)，地址控制電路用所述冗余存儲單元之一取代多個存儲單元中有缺陷的存儲單元。根據(jù)表示顯示面板顯示質(zhì)量的顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)，驅(qū)動電路在顯示面板上顯示存儲在第一存儲器中的顯示數(shù)據(jù)。顯示質(zhì)量指定數(shù)據(jù)和缺陷地址數(shù)據(jù)被存儲在第二存儲器中。
文檔編號G09G5/36GK101266741SQ200810004859
公開日2008年9月17日 申請日期2008年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月8日
發(fā)明者岡本利治, 勢能修一, 折田伸之, 松原宏行, 高橋弘行 申請人:恩益禧電子股份有限公司