專利名稱：平板顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平板顯示器，更具體地說，涉及一種全彩色平板顯示器。
背景技術(shù)：
因?yàn)槠桨屣@示器重量輕、結(jié)構(gòu)薄、圖像質(zhì)量更好，所以其被認(rèn)為是陰極 射線管顯示器的替代品。平板顯示器的示例包括液晶顯示器(LCD)和有機(jī)發(fā)光 顯示器(OLED)。與LCD相比，OLED具有更高的亮度和更大的視角，并且 不需要背光，這〗吏得OLED在實(shí)現(xiàn)薄顯示器中具有優(yōu)勢。
平板顯示器包括用于實(shí)現(xiàn)全彩色顯示的紅、綠、藍(lán)像素。紅、綠、和藍(lán) 像素可形成在以條狀排列、馬賽克(mosaic)狀排列、或"△，， (delta)狀排列的 陣列中。"△，，狀排列和馬賽克狀排列在混合三原色的顏色以獲得不同的色彩 方面都優(yōu)于條狀排列，因而，"△"狀排列和馬賽克狀排列更適合顯示運(yùn)動的 畫面。在第6,429,599號美國專利中已經(jīng)公開了具有按"△"狀排列的像素陣 列的OLED。
圖l是上述美國專利中公開的具有按"△"狀排列的像素陣列的OLED 的平面圖。在這個圖中，紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)像素按"△"狀排列。在以條 狀排列的陣列中，相鄰行的像素成直線，從而所有的R像素沿相同的列，所 有的G像素沿相同的列，所有的B像素沿相同的列。另一方面，在"△"狀 排列中，相鄰行的像素是交錯的，從而一行的B像素與該行的相鄰兩行的R 像素及G像素形成三角形，或"△"狀。每個R像素、G像素、及B像素包 括第一薄膜晶體管(TFT)4、電容器5、第二TFT6、和發(fā)光二極管的像素電極 7。此外，數(shù)據(jù)線1和柵極線3結(jié)合到第一TFT4，電源線2結(jié)合到第二TFT 6。
如上所述，在"△"狀排列中， 一行的每個R像素、G像素、及B像素鄰近于相鄰行的其它兩個顏色像素設(shè)置，從而從一個像素到相鄰列中的相同 顏色的像素產(chǎn)生Z字路徑。在總體列方向上延伸的數(shù)據(jù)線1沿這個Z字路徑
結(jié)合到相同顏色像素的第一TFT4。 Z字路徑增大了數(shù)據(jù)線1的電阻，延遲了 數(shù)據(jù)信號。而且，電源線2也沿Z字路徑延伸。因而，電源線2的電阻也被 增大了，這會導(dǎo)致電壓沿電源線下降。數(shù)據(jù)信號沿?cái)?shù)據(jù)線1的延遲和電壓沿 電源線2下降會惡化畫面質(zhì)量，這隨著顯示尺寸的增加作為一個嚴(yán)重的問題 顯現(xiàn)出來。此外，如此復(fù)雜的互連布局增加了互連所占據(jù)的空間，這導(dǎo)致孔 徑比的減小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明通過提供一種平板顯示器來解決傳統(tǒng)裝置的問題，該平板顯示器 具有改善的三原色顏色混合以獲得不同的色彩，并且沒有信號延遲或電壓下降。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，平板顯示器包括襯底和排列在襯底上的信 號線。像素驅(qū)動電路區(qū)域由信號線的互連限定，像素驅(qū)動電路位于像素驅(qū)動 電路區(qū)域中。像素電極結(jié)合到每個像素驅(qū)動電路，并至少與一個信號線疊置。
在本發(fā)明的另 一示例性實(shí)施例中，平板顯示器包括襯底和排列在襯底上 的信號線。像素驅(qū)動電路區(qū)域由信號線的互連限定。像素驅(qū)動電路位于像素 驅(qū)動電路區(qū)域中。像素電極結(jié)合到像素驅(qū)動電路。像素電極的排列與像素驅(qū) 動電路區(qū)域的排列不同。
在本發(fā)明的再一示例性實(shí)施例中，平板顯示器包括襯底和排列在襯底上 的信號線。至少一些信號線包括掃描線和數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線與掃描線交叉并沿 直線排列。像素驅(qū)動電路區(qū)域由掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉限定。像素驅(qū)動電路 位于像素驅(qū)動電路區(qū)域中。像素電極結(jié)合到像素驅(qū)動電路。像素電極沿行或 列方向鄰近于不同顏色的像素電極。所述像素電極由透明導(dǎo)電層形成，并且 所述平板顯示器還包括形成于所述透明導(dǎo)電層下面的反射層圖案
在本發(fā)明的又一示例性實(shí)施例中，平板顯示器包括襯底和排列在襯底上 的信號線。至少一些信號線包括掃描線和數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線與掃描線交叉并沿 直線排列。紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路區(qū)域由掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉限定。對 應(yīng)于相同顏色的像素驅(qū)動電路區(qū)域一個鄰近于另 一個地沿列方向排列。紅、 綠、和藍(lán)像素驅(qū)動電路位于像素驅(qū)動電路區(qū)域中。紅、綠、藍(lán)像素電極分別結(jié)合到紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路。每個像素電極沿行和列方向鄰近于不同顏 色的像素電極。所述像素電極由透明導(dǎo)電層形成，并且所述平板顯示器還包 括形成于所述透明導(dǎo)電層下面的反射層圖案


圖1是具有以"△，，狀排列的像素陣列的傳統(tǒng)OLED的平面圖。
圖2是在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的OLED中的像素驅(qū)動電路的電路圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的OLED的像素陣列的平面圖。
圖4A和圖4B是根據(jù)本發(fā)明第 一實(shí)施例的OLED沿圖3中的線I-I，截取
的剖面圖。
圖5是在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的OLED中的像素驅(qū)動電路的電路圖。 圖6是在根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的OLED中的像素驅(qū)動電路的電路圖。
具體實(shí)施例方式
在下面的附圖描述中，在不同層上或在襯底上形成層表示該層直接形成 在所述不同層上或直接形成在襯底上。然而，它也可以表示在所形成的層和 所述不同層或襯底之間存在其它層。
圖2是在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的OLED中的像素驅(qū)動電路100a的電 路圖。每個像素驅(qū)動電路100a結(jié)合到信號線，信號線包括掃描線S，數(shù)據(jù)線 DR、 DG、 DB,和電源線ELVDD。數(shù)據(jù)線DR、 DG、 DB包括紅數(shù)據(jù)線DR、綠 數(shù)據(jù)線Dc;、和藍(lán)數(shù)據(jù)線DB。紅、綠、藍(lán)數(shù)據(jù)線DR、 DG、 DB與掃描線S相 交叉，從而限定紅像素Pr、緑像素Pg、和藍(lán)像素Pb。紅、綠、藍(lán)數(shù)據(jù)線dr、 DG、 Db分別結(jié)合到紅像素Pr、綠像素P(j、和藍(lán)像素Pe。因而，具有特定顏 色(紅、綠、藍(lán))的數(shù)據(jù)信號被傳送到對應(yīng)于相同顏色的數(shù)據(jù)線DR、 Dc、 DB。 像素驅(qū)動電路100a比對應(yīng)于不同顏色的數(shù)據(jù)信號被相同的數(shù)據(jù)線傳送的電路 更容易被驅(qū)動。
像素包括紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極管ER、 EG、 EB和用于驅(qū)動發(fā)光二極管ER、 EG、 EB的^f象素驅(qū)動電^各100a。 ^^素驅(qū)動電^各100a具有開關(guān)晶體管Mla、電 容器Csta、和驅(qū)動晶體管M2a。開關(guān)晶體管Mla具有結(jié)合到掃描線S的柵極 和結(jié)合到數(shù)據(jù)線DR、 DG、 Db的源板，從而基于施加到掃描線S的掃描信號 來開關(guān)施加到數(shù)據(jù)線DR、 DG、 Db的數(shù)據(jù)信號。電容器Csta結(jié)合在開關(guān)晶體管Mla的漏極和電源線ELVDD之間以將數(shù)據(jù)信號存儲預(yù)定長度時間。驅(qū)動 晶體管M2a具有結(jié)合到電容器Csta的柵極、結(jié)合到電源線ELVDD的源極、 和結(jié)合到每個發(fā)光二極管ER、 EG、 Eb的漏板，從而將相應(yīng)于數(shù)據(jù)信號的電流 供應(yīng)到每個發(fā)光二極管ER、 EG、 EB。每個發(fā)光二極管ER、 E(3、 EB相應(yīng)于所 供應(yīng)的電流發(fā)光。
圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的OLED的像素陣列200a的平面圖，其 中相同的標(biāo)號表示和圖2中相同的元件。信號線包括排列在襯底上的掃描線 S,數(shù)據(jù)幾Dr、 Dg、 Db,和電源線ELVDD。每個掃描線S沿第一方向延伸。 數(shù)據(jù)殘Dr、 Dg、 DB包括紅數(shù)據(jù)線DR、綠數(shù)據(jù)線Dc3、和藍(lán)數(shù)據(jù)幾Db。每個 數(shù)據(jù)殘Dr、 Dg、 Db沿與第一方向交叉的第二方向延伸。當(dāng)掃描線S和數(shù)據(jù) 殘Dr、 Dg、 DB沿相交叉的方向延伸時，它們是〗皮此絕纟彖的。電源線ELVDD 當(dāng)與掃描線S交叉時也是絕緣的。電源線ELVDD的排列方向與數(shù)據(jù)線DR、 De、 Db的排列方向相同。
像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、 CG、 Cb由信號殘限定，具體地講，像素驅(qū)動電 路區(qū)域Cr、 Cg、 Cb由彼此交叉的掃描線S和數(shù)據(jù)線Dr、 Dg、 Db限定。在這 個實(shí)施例中，像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、 CG、 CB指設(shè)置用于控制施加到發(fā)光二 板管Er、 Eg、 EB的信號的像素驅(qū)動電路100a的區(qū)域。因而，像素驅(qū)動電路 區(qū)域Cr、 Cg、 Cb是放置圉2中示出的像素驅(qū)動電路lOOa的所有元件的區(qū)域。 發(fā)光二極管er、 eg、 eb沒有位于像素驅(qū)動電路區(qū)域cr、 cg、 Cb上。
在像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、 CG、 Cb中，具有相同顏色的區(qū)域沿列方向相 鄰地排列。例如，紅像素驅(qū)動電路區(qū)域Qr沿相同的列擺放。換言之，像素驅(qū) 動電路區(qū)域CR、 CG、 Cb具有帶狀排列。因而，順次結(jié)合到相應(yīng)顏色的像素 的數(shù)據(jù)殘Dr、 Dg、 Db也可沿直殘排列。這與圖1的z字線形成了對比。在 圖3所示的構(gòu)造中，縮短了每個數(shù)據(jù)線DR、 DG、 DB的長度，減小了數(shù)據(jù)線 電阻，從而防止施加到每個數(shù)據(jù)線DR、 DG、 DB的數(shù)據(jù)信號被延遲。電源線 ELVDD也可沿直線排列。從而，也減小了電源線ELVDD的線電阻并防止供 應(yīng)到電源線ELVDD的電壓的降低。因此，改善了畫面質(zhì)量。此外，減小了 被數(shù)據(jù)線DR 、 DG 、 DB和電源線ELVDD占據(jù)的區(qū)域，因而提高了孔徑比。
紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路100a分別位于紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路區(qū)域 Cr,Cg,Cb上。每個像素驅(qū)動電路100a包括開關(guān)晶體管Mla、電容器Csta、 和驅(qū)動晶體管M2a。紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路100a分別結(jié)合到紅、綠、藍(lán)像素電極140R、 140G、 140B。更詳細(xì)地講，驅(qū)動晶體管M2a的漏電極130a 結(jié)合到每個像素電極140R、 140G、 140B。在每個像素電極140R、 140G、 140B 中的開口定義為發(fā)光區(qū)，其中，開口指圖4B中的145a。有才幾發(fā)射層和相對 電極被順次位于每個像素電極140R、 140G、 140B的開口上方。像素電極140R、 140G、 140B,有機(jī)發(fā)射層，和相對電極組成發(fā)光二極管ER、 EG、 EB。
像素電極140R、 140G、 140B的排列與像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、 CG、 CB 的排列不同。每個像素電極140R, 140G、 140B沿行和列方向鄰近于不同顏 色的像素電極排列。例如，紅像素電極140R沿行和列方向鄰近于綠像素電極 140G和藍(lán)像素電才及140B排列，而不鄰近于另 一紅1象素電4及140R排列。為 了說明的目的，如果我們假設(shè)圖3中的中間行是奇數(shù)行，那么在奇數(shù)行中的 像素電極140R、 140G、 140B位于像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、 CG、 Cb的右迫， 在偶數(shù)行中的像素電極140R、 140G、 140B位于像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、 CG、 Cb的左迫。這導(dǎo)致圖3中的像素電極140R、 140G、 140B的"△，，狀排列。 "△"狀排列改善了三原色的顏色混合以獲得不同的色彩，提升了畫面質(zhì)量。 因此，當(dāng)信號線沿直線延伸時，像素電極140R、 140G、 140B可以以"△" 狀排列擺放，"△，，狀排列實(shí)現(xiàn)有效的顏色混合。像素驅(qū)動電路區(qū)域CR, CG, CB 沿行方向的長度與一節(jié)距相對應(yīng)。在一個實(shí)施例中，考慮到顏色混合，像素 電極140R、 140G、 140B以0.5節(jié)距到1.5節(jié)距位于像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、 CG、 Cs的左邊或右邊。優(yōu)選0.75節(jié)距。像素電極140R、 140G、 140B與信號 線至少疊置一部分。
如上所述，具有相同顏色的像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、 CG、 Cb沿列方向相 鄰地設(shè)置，同時像素電極140R、 140G、 140B沿行方向和列方向鄰近于不同 顏色的像素電極設(shè)置，從而沒有信號延遲地實(shí)現(xiàn)三原色的顏色混合以獲得不 同的色彩，因而改善了畫面質(zhì)量。
圖4A和圖4B是才艮據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的OLED沿圖3中的線I-I，截取 的剖面圖。
圖4A示出具有紅像素驅(qū)動電路區(qū)域Qo綠像素驅(qū)動電路區(qū)域Cc、藍(lán)像 素驅(qū)動電路區(qū)域CB的襯底100。襯底IOO可以是透明的襯底或者不透明的襯 底。此外，襯底IOO可以是玻璃襯底、塑料襯底、石英襯底、硅襯底、或金 屬襯底?？稍谝r底IOO上形成緩沖層105。緩沖層105可包括硅氧化物層、 硅氮化物層、硅氧氮化物層、或上述材料的多層化合物。半導(dǎo)體層110形成在緩沖層105上。半導(dǎo)體層110可包括非晶硅層或從 非晶硅層結(jié)晶的多晶硅層。在一個實(shí)施例中，半導(dǎo)體層110包括具有高遷移 率的多晶硅層。柵絕緣層115形成在半導(dǎo)體層110上。柵絕緣層115包括硅 氧化物層、硅氮化物層、硅氧氮化物層、或上述材料的多層化合物。
柵電極120形成在柵絕緣層115上，并且形成柵電極120的區(qū)域正是半 導(dǎo)體層110位于柵絕緣層115下面的區(qū)域。在形成柵電極120的同時，也可 形成掃描線S(參見圖3)。然后，通過利用柵電極120作為掩膜將導(dǎo)電雜質(zhì)注 入半導(dǎo)體層IIO來形成源區(qū)110c和漏區(qū)110a。溝道區(qū)110b限定在源區(qū)110c 和漏區(qū)110a之間。第一內(nèi)絕緣層125形成在柵電極120和半導(dǎo)體層IIO上。 另外，穿過第一內(nèi)絕緣層125形成接觸孔以露出源區(qū)110c和漏區(qū)110a。導(dǎo)電 層被沉積在具有接觸孔的襯底上，然后構(gòu)圖以形成源電才及130c、漏電極130a、 數(shù)據(jù)幾Dr、 D(j、 Db，和電源線ELVDD。源電極130c和漏電極130a分別與 露出的源區(qū)110c和漏區(qū)110a接觸。因此，通過半導(dǎo)體層110、柵電極120、 源電極130c和漏電極130a形成了驅(qū)動晶體管M2a(參見圖3)。
第二內(nèi)絕緣層133、 135形成在具有源電極130c、漏電極130a的襯底上。 第二內(nèi)絕緣層133、 135可以是鈍化層133、平坦化層135、或平坦化層135 沉積在鈍化層133上的雙層。鈍化層133可由硅氧化物層、硅氮化物層、硅 氧氮化物層、或包括上述化合物的組合的多層形成。在一個實(shí)施例中，鈍化 層133包括硅氮化物層，該硅氮化物層能夠有效地保護(hù)下面的薄膜晶體管不 受氣體和潮濕的侵損，并含有大量的氫，氫用來鈍化多晶硅層的晶粒邊界處 的不完全的鍵。平坦化層135是諸如苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene) (BCB)層、 聚酰亞胺層、聚丙烯酸層的有機(jī)層，其用于為下面的表面提供光滑的覆蓋物。 穿過第二內(nèi)絕緣層133、 135形成通孔135a以露出漏電極130a。
參見圖4B，像素電極140R、 140G、 140B每個具有一個通孔135a地形 成在襯底上。在示出的實(shí)施例中，像素電極140R、 140G、 140B形成在第二 內(nèi)絕緣層133、 135上。^象素電極140R、 140G、 140B結(jié)合到通過通孔135a 露出的漏電極130a。
如上所述，像素電極140R、 140G、 140B的排列與像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、 CG、 Cb的排列不同。更詳細(xì)地說，像素電極140R、 140G、 140B排列在像素 驅(qū)動電路區(qū)域CR、 CG、 Cb的左迫。像素電極140R、 140G、 140B結(jié)合到像 素驅(qū)動電路區(qū)域CR、 CG、 CB的漏電極130a。每個4象素電極140R、 140G、 140B形成在至少一些信號線，例如數(shù)據(jù)殘Dr、 Dg、 Db，和電源線ELVDD,之上。 在一個實(shí)施例中，形成于像素電極140R、 140G、 140B和數(shù)據(jù)幾Dr、 Dg、 DB之間的第二內(nèi)絕緣層133、135的厚度T!或者形成于像素電極140R、140G、 140B和電源線ELVDD之間的第二內(nèi)絕緣層133、 135的厚度丁2可以是5000 A或更大。由于具有相對大的隔離，故可使像素電極140R、 140G、 140B與 數(shù)據(jù)殘Dr、 Dg、 DB之間的寄生電容和像素電極140R、 140G、 140B與電源 線ELVDD之間的寄生電容最小化。優(yōu)選地，考慮到通孔135a的深寬比，這 些厚度TV T2，即第二內(nèi)絕緣層133、 135的厚度可以為5000 A到3pm (30,000A)。
像素電極140R、 140G、 140B由反射導(dǎo)電層制成，反射導(dǎo)電層可包括具 有高功函數(shù)的Ag、 Al、 Ni、 Pt、 Pd,或這些元素的合金。在這種情況下，像素 電極140R、 140G、 140B用作陽極。此外，反射導(dǎo)電層可包括具有低功函數(shù) 的Mg、 Ca、 Al、 Ag、 Ba或這些元素的合金。在這種情況下，像素電極140R、 140G、 140B用作陰極。
另一方面，反射層圖案139可在形成像素電極140R、 140G、 140B之前 另外形成在像素電極140R、 140G、 140B的下面。在這種情況下，像素電極 140R、 140G、 140B必須由透明導(dǎo)電層制成。透明導(dǎo)電層包括氧化銦錫(ITO) 層或氧化銦鋅(IZO)層。在一個實(shí)施例中，反射層圖案139可具有60%或更大 的反射率。此外，反射層圖案139包括Al、鋁合金、Ag、銀合金、或含有這 些金屬和合金的任一組合物的合金。反射層圖案139可和通孔135a分隔開。
像素限定層145形成在像素電極140R、 140G、 140B上。像素限定層145 可由苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene) (BCB)、以丙烯酸為基礎(chǔ)的光阻材料 (acrylic-based photoresist)、 以笨盼為基石出的光阻才才泮牛(phenolic-based
口 145a形成在像素限定層145中以至少露出一部分^象素電極140R、 140G、 140B。
發(fā)紅光層150R、發(fā)綠光層150G、發(fā)藍(lán)光層150B形成在通過開口 145a 露出的紅、綠、藍(lán)像素電極140R、 140G、 140B上?？赏ㄟ^真空沉積法、噴 墨印刷法、和激光誘導(dǎo)熱成像法來形成每個發(fā)光層。另外，空穴注入層、空 穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層、或電子注入層(未示出)可形成在發(fā)光層 150R、 150G、 150B的上或下。然后，相對電極160形成在發(fā)光層150R、 150G、150B上。相對電極160可形成在整個襯底上。相對電極160可由透明導(dǎo)電層 形成。透明導(dǎo)電層可以是ITO層或IZO層，或者可包括/人Mg、 Ca、 Al、 Ag、 Ba這一組元素選出的元素或這些元素的任一合金，這種元素或合金層足夠 薄，以使光透射。
像素電極140R、 140G、 140B，發(fā)光層150R、 150G、 150B，和相對電 極160分別形成發(fā)光二極管ER、 Eg、 Eb。發(fā)光二極管ER、 EG、 Eb的發(fā)光區(qū) ERR、 ERg、 ERb由幵口 145a限定。
當(dāng)驅(qū)動發(fā)光二極管ER、 EG、 Es工作時，空穴和電子被從像素電極和相對 電極注入到發(fā)光層150R、 150G、 150B中。然后，注入到發(fā)光層150R、 150G、 150B中的電子和空穴在發(fā)光層150R、 150G、 150B中復(fù)合，從而產(chǎn)生激子。 當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時，發(fā)射光。從發(fā)光層150R、 150G、 150B發(fā)射 的光由像素電極140R、 140G、 140B反射(在這種情況下，像素電極140R、 140G、 140B由反射導(dǎo)電層制成)，或者由像素電極140R、 140G、 140B下面 的反射層圖案139反射(在這種情況下，像素電極140R、 140G、 140B由透明 導(dǎo)電層制成)，然后通過由透明導(dǎo)電層制成的相對電極160發(fā)射到外部。
圖5是在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的OLED中的像素驅(qū)動電路100b的電 路圖。第(n-l)掃描線S(n-l)、第(n)掃描線S(n)、數(shù)據(jù)線D、電源線ELVDD、 和預(yù)充電線Vint結(jié)合到像素驅(qū)動電路lOOb。像素P由相交叉的數(shù)據(jù)線D和 掃描線S(n)限定。像素P包括發(fā)光二極管E和用于驅(qū)動發(fā)光二極管E的像素 驅(qū)動電路100b,其中發(fā)光二極管E可以是紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極管ER、 Eg、 Eb中的任一個。取決于發(fā)光二極管Er、 Eg、 eb和數(shù)據(jù)線D,像素P可以是 紅、綠、或藍(lán)像素PR、 PG、 PB,其中數(shù)據(jù)線D可以是紅、綠、或藍(lán)數(shù)據(jù)線 DR、 DG、 DB。像素驅(qū)動電路由第一到第四晶體管Mlb、 M2b、 M3b、 M4b和 電容器Cstb組成。
第一晶體管Mlb包括結(jié)合到掃描線S(n)的柵和結(jié)合到數(shù)據(jù)線D的源。 第三晶體管M3b包括結(jié)合到第一晶體管Mlb的漏的源和彼此相結(jié)合的柵和 漏。第四晶體管M4b包括結(jié)合到第(n-l)掃描線S(n-l)的柵、結(jié)合到第三晶體 管M3b的漏的源、和結(jié)合到預(yù)充電線Vint的漏。第二晶體管M2b包括結(jié)合 到第三晶體管M3b的柵的柵、結(jié)合到電源線ELVDD的源、和結(jié)合到發(fā)光二 極管E的漏。電容器Cstb結(jié)合在第三晶體管M3b的柵和電源線ELVDD之間。 可以是紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極管ER、 EG、 EB中的任一個的發(fā)光二極管E包括像素電極、相對電極、和置于像素電極與相對電極之間的發(fā)光層。發(fā)光二極管
E的像素電極、相對電極、和發(fā)光層與用于第一實(shí)施例100a的發(fā)光二極管ER、 EG、 Eb的在圉4B中示出的像素電極140R、 140G、 140B，相對電極160,和 發(fā)光層150R、 150G、 150B相似。
具有上述根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的像素驅(qū)動電路100b的OLED的像素 布局與圖3中為第一實(shí)施例100a所示的像素布局相似。但是，在第二實(shí)施例 的像素驅(qū)動電路100b中，在行或列方向上增加了預(yù)充電線Vint，并且也增加 了第三晶體管M3b和第四晶體管M4b。第二實(shí)施例100b的第一到第四晶體 管Mlb、 M2b、 M3b、 M4b和電容器Cstb位于像素驅(qū)動電路區(qū)域中，該像素 驅(qū)動電路區(qū)域與圖3中示出的第一實(shí)施例的像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、 CG、 Cb 相似。像素電極(與第一實(shí)施例的像素電極140R、 140G、 140B相似)可與預(yù) 充電線Vint疊置。
圖6是在根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的OLED中的像素驅(qū)動電路100c的電 路圖。包括掃描線S(n)、數(shù)據(jù)線D、電源線ELVDD、和發(fā)光控制線EM(n) 的信號線結(jié)合到像素驅(qū)動電路100c。數(shù)據(jù)線D和掃描線S(n)彼此交叉，限定 像素P。像素P包括可以是紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極管ER、 EG、 Eb中的任一個的 發(fā)光二極管E和用于驅(qū)動發(fā)光二極管E的像素驅(qū)動電路100c。像素驅(qū)動電路 100c包括第一到第三晶體管Mlc、 M2c、 M3c和電容器Cstc。
第一晶體管Mlc包括結(jié)合到掃描線S的柵和結(jié)合到數(shù)據(jù)線D的源。第 二晶體管M2c包括結(jié)合到第一晶體管Mlc的漏的柵和結(jié)合到電源線ELVDD 的源。電容器Cstc結(jié)合在第二晶體管M2c的柵和電源線ELVDD之間。第三 晶體管M3c包括結(jié)合到發(fā)光控制線EM(n)的柵、結(jié)合到第二晶體管M2c的漏 的源、和結(jié)合到發(fā)光二極管E的漏。發(fā)光二極管E包括像素電極、相對電極、 和置于像素電極與相對電極之間的發(fā)光層。發(fā)光二極管E的像素電極、相對 電極、和發(fā)光層與用于第一實(shí)施例100a的發(fā)光二極管ER、 Eg、 Eb的在囹4B 中示出的像素電極140R、 140G、 140B，相對電極160，和發(fā)光層150R、 150G、 150B相似。
除了在行或列方向上加入發(fā)光控制線EM(n),具有上述4艮據(jù)本發(fā)明第三 實(shí)施例的像素驅(qū)動電路100c的OLED的像素布局與圖3中示出的像素布局相 同，第一到第三晶體管Mlc、 M2c、 M3c和電容器Cstc位于像素驅(qū)動電路區(qū) 域(與圖3中示出的第一實(shí)施例的像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、 CG、 Cb相似)中。像素電極(與第一實(shí)施例的像素電極140R、 140G、 140B相似)可與發(fā)光控制 線EM(n)疊置。
在該說明書中，OLED的實(shí)施例是通過舉例的方式來描述的。本發(fā)明也 可應(yīng)用于LCD,特別是利用外部光的反射型LCD。
如上所述，具有相同顏色的像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、 C(j、 Cb沿列方向相 鄰地排列，并且每個像素電極140R、 140G、 140B沿行方向和列方向鄰近于 具有不同顏色的像素電極140R、 140G、 140B排列，這種排列沒有信號延遲 地或沒有電壓下降地實(shí)現(xiàn)三原色的顏色混合以獲得不同的色彩，并實(shí)現(xiàn)優(yōu)良 的畫面質(zhì)量。
雖然已參照某些示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該 理解，在不脫離由權(quán)利要求及其等同物所限定的本發(fā)明的精神或范圍的情況 下，可對本發(fā)明作出各種^fi務(wù)改和變化。
權(quán)利要求
1、一種平板顯示器，包括襯底；信號線，排列在所述襯底上，所述信號線包括掃描線和與所述掃描線相交叉的數(shù)據(jù)線，所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線沿直線延伸；像素驅(qū)動電路區(qū)域，由所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線的交叉來限定；像素驅(qū)動電路，位于所述像素驅(qū)動電路區(qū)域中；和像素電極，結(jié)合到所述像素驅(qū)動電路，所述像素電極沿行和列的方向鄰近于不同顏色的像素電極，其中，所述像素電極由透明導(dǎo)電層形成，并且所述平板顯示器還包括形成于所述透明導(dǎo)電層下面的反射層圖案。
2、 如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中，所述信號線包括與所述掃描 線相交叉并沿直線延伸的電源線。
3、 如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中，相同顏色的像素驅(qū)動電路區(qū) 域沿列方向相鄰地排列。
4、 如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中，所述像素電極按"△"狀排列。
5、 如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中，所述平板顯示器是有機(jī)發(fā)光 顯示器。
6、 一種平板顯示器，包括 襯底；信號線，排列在所述襯底上，所述信號線包括掃描線和與所述掃描線相 交叉的數(shù)據(jù)線，所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線沿直線延伸；紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路區(qū)域，由所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線的交叉來限 定，在所述像素驅(qū)動電路區(qū)域中相同顏色的像素驅(qū)動電路區(qū)域沿列方向相鄰 地排列；紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路，分別位于所述紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路區(qū)域 中；和紅、綠、藍(lán)像素電極，分別結(jié)合到所述紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路，所述 紅、綠、藍(lán)像素電極沿行和列的方向鄰近于不同顏色的像素電極，其中，所述像素電極由透明導(dǎo)電層形成，并且所述平板顯示器還包括形 成于所述透明導(dǎo)電層下面的反射層圖案。
7、如權(quán)利要求6所述的平板顯示器，其中，所述像素電極按"△"狀排列。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種平板顯示器，這種平板顯示器具有優(yōu)良的對三原色的顏色混合以獲得不同的色彩，并且只有很少的信號延遲。該顯示器包括信號線，信號線包括掃描線和與掃描線相交叉的數(shù)據(jù)線，掃描線和數(shù)據(jù)線都沿直線延伸。紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路區(qū)域由掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉來限定。具有相同顏色的像素驅(qū)動電路區(qū)域沿列方向相鄰地排列。紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路位于像素驅(qū)動電路區(qū)域中并且結(jié)合到紅、綠、藍(lán)像素電極。像素電極沿行和列的方向鄰近于不同顏色的像素電極。
文檔編號G09G3/30GK101286523SQ20081000398
公開日2008年10月15日 申請日期2005年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月8日
發(fā)明者姜泰旭, 徐美淑, 李乙浩 申請人:三星Sdi株式會社